KR101678162B1 - 유연성 소자용 접속 구조물 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 일 방향으로 신장된 상태의 유연성 소자용 접속 구조물을 나타내는 사시도이다.
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 유연성 소자용 접속 구조물의 제조 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 유연성 소자용 접속 구조물의 제조 방법에 따라 제조된 주상 도전층을 나타내는 이미지들이다.
도 5a는 예시적인 실시예들에 따른 유연성 소자용 접속 구조물의 제조 방법에 따라 제조된 주상 도전층의 X선 회절 분석 패턴이며, 도 5b는 이러한 주상 도전층의 신장율에 따른 신장 저항값을 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 비교예에 따른 접속 구조물의 개략적인 거동을 도시한 개략도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 접속 구조물의 개략적인 거동을 도시한 개략도이다.
도 8은 본 발명의 비교예와 실시예에 따른 접속 구조물들의 신장 상태에서의 SEM 이미지들을 나타낸다.
120: 주상 도전층 122: 복수의 도전성 칼럼들
124: 복수의 개구들
Claims (14)
- 유연성 기판(compliant substrate);
상기 유연성 기판 상에 형성되며, 상기 유연성 기판의 상면에 수직한 제1 방향으로 연장하는 복수의 도전성 칼럼들(conductive columns)을 포함하는 주상 도전층(columnar structured conductive layer);을 포함하고,
상기 유연성 기판이 상기 유연성 기판의 상기 상면에 평행한 제2 방향으로 신장될 때, 상기 주상 도전층은 상기 복수의 도전성 칼럼들에 의해 정의되는 복수의 개구들이 형성된 도전성 네트워크 구조를 가지며, 상기 유연성 기판이 상기 제2 방향으로 신장될 때, 상기 복수의 개구들이 확장되거나 이동하거나 생성되어, 상기 주상 도전층이 상기 제2 방향으로 신장되며,
상기 유연성 기판이 상기 제2 방향으로 신장될 때 상기 주상 도전층이 상기 제2 방향으로 신장되어 길이 d1을 가지며,
상기 주상 도전층이 초기 길이(d0)로부터 100% 신장될 때, 상기 주상 도전층은 수식 2에 따른 이론 저항값(Rth)으로부터 30% 이내의 편차를 갖는 신장 저항값(Rst)을 가지며,
(Rst-Rth)/Rth ≤ 0.3, 여기서 d1=2d0 -[수식 1],
Rth=R0 [d1/d0]2 -[수식 2],
이 때, Rth는 신장 상태에서의 상기 주상 도전층의 이론 저항값, R0는 상기 주상 도전층의 초기 저항값, d0은 상기 주상 도전층의 제2 방향에 따른 초기 길이, d1은 신장 상태에서의 상기 주상 도전층의 상기 제2 방향에 따른 길이인 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물(interconnection structure). - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 유연성 기판이 상기 제2 방향으로 신장될 때, 상기 복수의 개구들의 최대 폭이 5 마이크로미터보다 작은 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물. - 제1항에 있어서,
상기 유연성 기판이 상기 제2 방향으로 신장될 때, 상기 복수의 도전성 칼럼들은 리가먼트 운동(ligament movement)에 의해 상기 제1 방향에 수직한 방향으로 회전함으로써 상기 복수의 개구들이 확장하거나 이동하거나 생성되는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물. - 제1항에 있어서,
상기 주상 도전층은 면심 입방(face centered cubic, FCC) 결정 구조를 갖는 금속 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물. - 제5항에 있어서,
상기 주상 도전층은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 철(γ-Fe), 니켈(Ni), 백금(Pt), 납(Pb), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 또는 이터븀(Yb)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물. - 제5항에 있어서,
상기 복수의 도전성 칼럼들은 상기 유연성 기판의 상면 상에서 상기 제1 방향을 따라 연장하며,
상기 복수의 도전성 칼럼들은 상기 FCC 결정 구조의 결정학적 (111) 면을 따라 배열하는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물. - 제5항에 있어서,
상기 주상 도전층은 X선 회절 분석 패턴에서 상기 FCC 결정 구조의 (111) 면으로부터 유래한 회절 피크(diffraction peak)만을 갖는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 복수의 도전성 칼럼들 각각은 5 내지 100 나노미터의 폭을 가지며, 50 나노미터 내지 2 마이크로미터의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물. - 유연성 기판;
상기 유연성 기판 상에 형성되며, 상기 유연성 기판의 상면에 수직한 제1 방향으로 연장하는 복수의 도전성 칼럼들을 포함하는 주상 도전층;을 포함하고,
상기 주상 도전층은 면심 입방(FCC) 결정 구조를 갖는 금속 물질을 포함하며, 상기 복수의 도전성 칼럼들은 상기 FCC 결정 구조의 결정학적 (111) 면을 따라 배열하며,
상기 유연성 기판이 상기 유연성 기판의 상면에 평행한 제2 방향으로 신장될 때 상기 주상 도전층이 상기 제2 방향으로 신장되어 길이 d1을 가지며,
상기 주상 도전층이 초기 길이(d0)로부터 100% 신장될 때, 상기 주상 도전층은 수식 2에 따른 이론 저항값(Rth)으로부터 30% 이내의 편차를 갖는 신장 저항값(Rst)을 가지며,
(Rst-Rth)/Rth ≤ 0.3, 여기서 d1=2d0 -[수식 1],
Rth=R0 [d1/d0]2 -[수식 2],
이 때, Rth는 신장 상태에서의 상기 주상 도전층의 이론 저항값, R0는 상기 주상 도전층의 초기 저항값, d0은 상기 주상 도전층의 제2 방향에 따른 초기 길이, d1은 신장 상태에서의 상기 주상 도전층의 상기 제2 방향에 따른 길이인 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물. - 제11항에 있어서,
상기 주상 도전층은 X선 회절 분석 패턴에서 상기 FCC 결정 구조의 (111) 면으로부터 유래한 회절 피크(diffraction peak)만을 갖는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물. - 제12항에 있어서,
상기 주상 도전층이 구리(Cu)를 포함하고,
상기 주상 도전층의 상기 (111) 면으로부터 유래한 회절 피크는 43.40˚ ± 0.25˚에서 나타나는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물. - 제12항에 있어서,
상기 유연성 기판이 상기 제2 방향으로 신장될 때, 상기 주상 도전층은 상기 복수의 도전성 칼럼들에 의해 정의되는 복수의 개구들이 형성된 도전성 네트워크 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유연성 소자용 접속 구조물.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150094008A KR101678162B1 (ko) | 2015-07-01 | 2015-07-01 | 유연성 소자용 접속 구조물 및 이의 제조 방법 |
PCT/KR2016/005502 WO2017003098A1 (ko) | 2015-07-01 | 2016-05-25 | 유연성 소자용 접속 구조물 및 이의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150094008A KR101678162B1 (ko) | 2015-07-01 | 2015-07-01 | 유연성 소자용 접속 구조물 및 이의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101678162B1 true KR101678162B1 (ko) | 2016-11-21 |
Family
ID=57538093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150094008A Active KR101678162B1 (ko) | 2015-07-01 | 2015-07-01 | 유연성 소자용 접속 구조물 및 이의 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101678162B1 (ko) |
WO (1) | WO2017003098A1 (ko) |
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Date | Code | Title | Description |
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PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20150701 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20160427 Patent event code: PE09021S01D |
|
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20160926 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20160427 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
AMND | Amendment | ||
PX0901 | Re-examination |
Patent event code: PX09011S01I Patent event date: 20160926 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20160620 Comment text: Amendment to Specification, etc. |
|
PX0701 | Decision of registration after re-examination |
Patent event date: 20161031 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: PX07013S01D Patent event date: 20161026 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I Patent event date: 20160926 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX07011S01I Patent event date: 20160620 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I |
|
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20161115 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20161116 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20201118 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220303 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20221024 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20241024 Start annual number: 9 End annual number: 9 |