KR101677736B1 - 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물과 이를 이용한 프리프레그 및 금속박 적층판 - Google Patents
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- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 127
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 127
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 50
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical compound C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 10
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 22
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 22
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 claims description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 21
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 18
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 18
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 13
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 11
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 claims description 6
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 claims description 6
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000454 talc Substances 0.000 claims description 6
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005698 Diels-Alder reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 5
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KNWKZOKQUOIVBL-UHFFFAOYSA-N 1-[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)-3-methylphenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound CC1=CC(N2C(C=CC2=O)=O)=CC=C1N1C(=O)C=CC1=O KNWKZOKQUOIVBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 claims description 3
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RREGISFBPQOLTM-UHFFFAOYSA-N alumane;trihydrate Chemical compound O.O.O.[AlH3] RREGISFBPQOLTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000004927 clay Substances 0.000 claims description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 claims description 3
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims description 3
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAEWLETZEZXLHR-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(dioxo)molybdenum Chemical compound [Zn+2].[O-][Mo]([O-])(=O)=O XAEWLETZEZXLHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KGSFMPRFQVLGTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-triphenylethylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 KGSFMPRFQVLGTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 13
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 10
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 9
- -1 propenylphenoxy Chemical group 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- KJFMBFZCATUALV-UHFFFAOYSA-N phenolphthalein Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C(=O)O1 KJFMBFZCATUALV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 3
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SEULWJSKCVACTH-UHFFFAOYSA-N 1-phenylimidazole Chemical compound C1=NC=CN1C1=CC=CC=C1 SEULWJSKCVACTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001800 Shellac Polymers 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- SHEYGOVZCIDOEH-UHFFFAOYSA-N bis(2-prop-1-enylphenyl) sulfate Chemical compound CC=CC1=CC=CC=C1OS(=O)(=O)OC1=CC=CC=C1C=CC SHEYGOVZCIDOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N shellac Chemical compound OCCCCCC(O)C(O)CCCCCCCC(O)=O.C1C23[C@H](C(O)=O)CCC2[C@](C)(CO)[C@@H]1C(C(O)=O)=C[C@@H]3O ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N 0.000 description 2
- 239000004208 shellac Substances 0.000 description 2
- 229940113147 shellac Drugs 0.000 description 2
- 235000013874 shellac Nutrition 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 2
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-1H-imidazole Chemical compound CN1C=CN=C1 MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJGPQOXWPYYELJ-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichloro-5-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCC=1NC(Cl)=NC=1Cl PJGPQOXWPYYELJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACKLHLPNCLNXBA-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexyl-5-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=CNC(C2CCCCC2)=N1 ACKLHLPNCLNXBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJIAAIOUUCAFLO-UHFFFAOYSA-N 5-butyl-4-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCC=1N=CNC=1CC LJIAAIOUUCAFLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIAHASMJDOMQER-UHFFFAOYSA-N 5-ethyl-2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=CN=C(C)N1 RIAHASMJDOMQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEQQZUVLBKETJD-UHFFFAOYSA-N 5-hexyl-2-octyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCC1=NC(CCCCCC)=CN1 JEQQZUVLBKETJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000002655 kraft paper Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
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Abstract
본 발명은 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물과 이를 이용한 프리프레그 및 금속박 적층판에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 에폭시 수지를 기반으로 하는 열경화성 수지 조성물에 시아네이트 수지 및 벤즈옥사진을 사용하여 디스미어 특성을 개선하고, 특히 슬러리 타입의 충진제의 사용으로 내화학성을 향상시킴으로써, 고내열성과 신뢰성을 나타내는 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물 및 이를 이용한 프리프레그와 금속박 적층판이 제공된다.
Description
본 발명은 반도체 패키지용 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board, PCB)의 디스미어(desmear)특성을 개선할 수 있는 열경화성 수지 조성물과 이를 이용한 프리프레그 및 금속박 적층판에 관한 것이다.
종래의 인쇄회로기판에 사용되는 동박적층판(copper clad laminate)은 유리 섬유(Glass Fabric)의 기재를 상기 열경화성 수지의 바니시에 함침한 후 반경화시켜 프리프레그가 되게 되고, 이를 다시 동박과 함께 가열 가압하여 제조한다. 이러한 동박 적층판에 회로 패턴을 구성하고 이 위에 빌드업(build-up)을 하는 용도로 프리프레그가 다시 사용되게 된다.
그런데, 인쇄회로기판 제조 공정 중 전기적 신호를 위해 드릴 작업을 하게 되는데, 이 드릴 작업 중 고열에 의하여 수지들이 녹아 내려 내부 층(inner layer)과 홀(hole)을 덮는 찌꺼기인 스미어(smear)가 발생하게 된다.
이러한 스미어의 경우 수분 흡습, 전기 접속의 불량 등의 문제를 발생시키는 문제가 있다. 따라서 바닥에 녹아 내린 수지를 강알칼리성 수용액이나 플라즈마 등으로 제거하게 되는데, 이러한 공정을 디스미어 공정(desmear process)이라고 한다. 하지만, 기존의 수지 조성물은 내화학성이 약한 에폭시 수지 등으로 이루어져 있기 때문에, 디스미어 공정에 취약한 단점이 있다.
또한, 전자기기가 얇아지고 경량화가 되면서 반도체 패키지 역시 박형화, 고밀도화가 이루어지고 있다. 하지만, 반도체 패키지의 박형화 및 고밀도화에 따라 패키지가 휘어지는 현상(warpage)이 발생하게 된다. 이러한 휨 현상(warpage)을 최소화하기 위해서는 패키지에 사용되는 동박적층판이 저열팽창화(Low CTE)를 나타내야 한다. 이를 위해서 열팽창율이 낮은 무기충전재를 다량으로 사용하여 저열팽창화를 만드는 방법이 있다. 하지만 무기 충전재를 많이 사용할수록 드릴 가공성이 나빠져 디스미어 공정이 중요하게 되었다.
따라서, 저열팽창율의 특성을 나타내며 디스미어 공정을 용이하게 하여 인쇄회로기판 제조 공정의 작업성을 향상시킬 수 있는 열경화성 수지 조성물의 개발이 요구된다.
본 발명은 인쇄회로기판의 제조공정에서 디스미어 특성이 취약한 문제점을 개선하여 드릴, 가공성이 우수한 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 열경화성 수지 조성물을 이용하여 고내열성과 신뢰성을 갖는 프리프레그와 이를 포함한 금속 적층판을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 에폭시 수지와 비스말레이미드계 수지를 포함하는 바인더, 및 벤즈옥사진 수지를 포함하는 수지 조성물; 및 슬러리 타입의 충진제;를 포함하며,
상기 벤즈옥사진은 상기 전체 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 10 중량% 이하로 포함하는, 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물을 제공한다.
또한, 상기 슬러리 타입의 충진제는 상기 수지 조성물 100 중량부에 대하여 160 내지 350 중량부로 포함될 수 있다. 또한 상기 벤즈옥사진은 상기 전체 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 2 내지 10 중량%로 포함하는 것이 바람직하다.
상기 바인더는 에폭시 수지 20 내지 80 중량% 및 비스말레이미드계 수지 20 내지 80 중량%를 포함할 수 있다.
또한, 상기 바인더는 시아네이트계 에스터 수지를 더 포함할 수 있다. 이러한 경우, 상기 바인더는 에폭시 수지 20 내지 60 중량%, 시아네이트 에스터 수지 30 내지 70 중량% 및 비스말레이미드계 수지 20 내지 70 중량%를 포함할 수 있다.
상기 슬러리 타입의 충진제는 실리카, 알루미늄 트리하이드레이트(aluminium trihydrate), 마그네슘 하이드록사이드, 몰리브데늄 옥사이드, 징크 몰리브데이트, 징크 보레이트, 징크 스탄네이트(zinc stannate), 알루미나, 클레이, 카올린, 탈크, 소성 카올린, 소성 탈크, 마이카, 유리 단섬유, 글래스 미세 파우더 및 중공 글래스로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 무기 충진제를 포함한 슬러리를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 에폭시 수지는 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 테트라페닐 에탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 비스말레이미드계 수지는, BT(Bismaleimide-Triazine) 수지, 4,4'-비스말레이미도-디페닐메탄, 1,4-비스말레이미도-2-메틸벤젠 및 이들의 혼합물; 딜스-알더(Diels-Alder) 공단량체를 함유하는 개질된 미스말레이미드 수지; 및 4,4'-비스말레이미도-디페닐메탄 및 알릴페닐 화합물; 또는 방향족 아민을 기재로 하는 부분적으로 고급화된 비스말레이미드;로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다. 그리고, 상기 딜스-알더(Diels-Alder) 공단량체는 스티렌 및 스티렌 유도체, 비스(프로페닐페녹시) 화합물, 4,4'-비스(프로페닐페녹시)술폰, 4,4'-비스(프로페닐페녹시)벤조페논 및 4,4'-1-(1-메틸에틸리덴)비스(2-(2-프로페닐)페놀)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 시아네이트 에스터 수지는 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 E형, 비스페놀 H형, 비스페놀 N형, 페놀 노볼락형, 디시클로펜타디엔비스페놀형의 시아네이트 에스터 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
또한 상기 열경화성 수지 조성물은 용제, 경화촉진제, 분산제 및 실란커플링제로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
또한 본 발명은 상기 열경화성 수지 조성물을 섬유 기재에 함침시켜 제조된 프리프레그를 제공한다.
또한 본 발명은 상기 프리프레그; 및 가열 및 가압에 의해 상기 프리프레그와 일체화된 포함하는 금속박;을 포함하는 금속박 적층판을 제공한다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물은 에폭시 수지뿐만 아니라 시아네이트 수지를 사용하여 높은 물성을 나타내며 또한 기존 페놀 경화제 대신 벤즈옥사진을 사용하여 비스말레이미드계 수지의 경화가 가능한 효과를 제공한다. 따라서, 본 발명은 기존 대비 드릴 작업시 고열에 의한 스미어 발생을 억제하여 우수한 디스미어 특성을 제공한다. 또한, 본 발명의 열경화성 수지 조성물은 기존과 달리 슬러리 타입의 충진제를 사용하여, 기존과 동등 이상의 물성을 나타내면서도 고내열성과 신뢰성을 나타내고, 내화학성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명은 내화학성이 우수한 프리프레그 및 금속 적층판을 제공할 수 있다.
이하, 발명의 구체적인 구현예에 따른 열경화성 수지 조성물에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.
본 발명의 일 구현예에 따라, 에폭시 수지와 비스말레이미드계 수지를 포함하는 바인더, 및 벤즈옥사진 수지를 포함하는 수지 조성물; 및 슬러리 타입의 충진제;를 포함하며, 상기 벤즈옥사진은 상기 전체 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 10 중량% 이하로 포함하는, 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물이 제공된다.
또한, 상기 슬러리 타입의 충진제는 상기 수지 조성물 100 중량부에 대하여 160 내지 350 중량부로 포함될 수 있다. 또한 상기 벤즈옥사진은 상기 전체 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 2 내지 10 중량%로 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물은 기존의 페놀 경화제 대신 벤즈옥사진을 사용하여 비스말레이미드계 수지의 경화를 유도하며, 충진제로써 슬러리 타입을 사용하여 수지와 충진제 간의 계면 접착력을 높여 내화학성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 조성물은 시아네이트 에스터 수지를 사용하여 더욱 높은 물성을 구현할 수 있다.
또한, 기존에는 주로 난연 특성 부여를 위해 벤즈옥사진을 사용하였지만, 이러한 경우 필연적으로 그 함량이 높아 물성이 떨어지는 결과를 초래하며, 벤즈옥사진 수지의 경화제 특성으로 인해 함량을 높일 경우 필러의 함량을 높일 수가 없다.
하지만, 본 발명은 열경화성 수지 조성물 중에 경화제로 사용하는 벤즈옥사진의 함량을 10 중량% 이하로 적게 사용함으로써, 내화학성과 높은 Tg값을 구현할 수 있고, 필러의 함량을 높일 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 열경화성 수지 조성물은 내화학성 향상으로 디스미어 특성을 개선할 수 있다. 이러한 특성을 갖는 본 발명의 열경화성 수지 조성물과, 이를 이용한 프리프레그 및 금속판 적층판은 양면 인쇄회로기판 뿐 아니라, 다층 인쇄회로 기판의 제조에 모두 적용될 수 있다.
그러면, 본 발명의 열경화성 수지 조성물의 성분에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물은 에폭시 수지 및 특수 수지를 포함하는 바인더 성분과, 충진제를 포함하고, 경화제도 포함할 수 있다.
이때, 본 발명은 경화제로 특정 함량의 벤즈옥사진을 사용하며, 상기 벤즈옥사진의 함량에 기초하여 슬러리 타입의 충진제를 사용함을 특징으로 한다.
상기 바인더에 포함되는 비스말레이미드계 수지의 충분한 경화가 유도될 수 있도록 하기 위하여, 본 발명에 따른 상기 벤즈옥사진의 함량은 상기 전체 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 10 중량% 이하로 사용하고, 2 내지 10 중량%로 사용하는 것이 더 바람직하다. 상기 벤즈옥사진의 함량이 10 중량%를 초과하는 경우 물성이 더 나빠지므로 우수한 내화학성 및 높은 Tg를 나타낼 수 없다. 즉, 상기 벤즈옥사진 수지가 과량으로 포함될 경우 프리프레그의 제조시 경화 반응 속도가 지나치게 빨라져서 공정 효율이 저하될 수 있다. 또한 벤즈옥사진의 함량이 2 중량% 미만으로 너무 낮으면 원하는 경화제로서의 효과를 나타낼 수 없기 때문에 내화학성 및 Tg를 향상시킬 수 없다.
본 발명에서 사용하는 벤즈옥사진 수지(benzoxazine)은 반응속도 조절이 가능하여 수지의 흐름성을 향상시켜 프리프레그의 흐름성을 확보할 수 있게 한다. 또한, 벤즈 옥사진은 상술한 비스말레이미드 수지의 경화를 가능하게 한다.
즉, 상기 벤즈옥사진 수지는 상기 비스말레이미드계 수지에 대한 경화제의 용도로 사용될 수 있다. 본 발명은 상기 벤즈옥사진 수지를 상기 비스말레이미드계 수지의 경화제로 사용함에 따라, 수지 흐름성을 향상시키고 저온 조건 하에서도 완전 경화가 가능한 효과를 제공한다. 그에 따라, 상기 수지 조성물을 사용하여 프리프레그를 제조할 경우, 저온 가압 하에서 높은 유리전이온도를 나타내는 프리프레그의 제공이 가능하다.
나아가, 상기 비스말레이미드계 수지의 경화제로 벤즈옥사진 수지를 사용함으로써, 에폭시 수지의 경화 반응의 속도를 상대적으로 늦추는 효과를 얻을 수 있다. 그에 따라, 프리프레그의 제조시 섬유 기재에 수지 조성물이 충분히 함침될 수 있는 시간이 확보될 수 있으며, 외관 불량도 최소화될 수 있다.
부가하여, 상기 벤즈옥사진 수지는 200 내지 400의 중량평균분자량을 갖는 것이 경화 효과 및 기계적 물성의 확보 측면에서 바람직할 수 있다.
한편, 본 발명에서는 기존과 달리 슬러리 타입의 충진제를 사용함으로써, 기존 일반적인 파우더 타입의 충진제를 사용한 경우 대비 수지와 충진제 간의 계면 접착력을 높여 프리프레그의 내화학성을 향상시킬 수 있다. 즉, 본 발명의 슬러리 타입의 충진제는 파우더 타입의 충진제 대비 수지 분산성을 향상시키는데 유리하다.
이때, 본 발명의 명세서에서 기재하는 "슬러리 타입의 충진제"는 무기충진제가 용매에 용해되어 있는 상태로 분산된 현탁액을 의미할 수 있다.
또한 본 발명은 벤즈옥사진의 함량이 낮아질수록 충진제 함량이 높아지는 상관관계를 이용한다. 상기 슬러리 타입의 충진제가 수지 조성물 100 중량부에 대하여 160 내지 350 중량부로 포함할 경우, 상기 벤즈옥사진은 상기 전체 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 2 내지 10 중량% 이하로 포함한다. 이때, 슬러리 타입의 충진제 함량이 160 중량부 미만이면 프레스 시 수지가 흐르면서 수지와 필러가 나뉘는 분리(separation)이 많이 발생할 수 있으며, 350 중량부를 초과하면 유리 섬유(Glass Fabric)에 필러가 충진이 되지 않아 프레스 후 유리 섬유(Glass Fabric) 표면이 드러나는 dry 형상이 생기는 문제가 있다.
또한 본 발명의 충진제는 슬러리 타입의 무기 충진제를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 슬러리 타입의 무기 충진제는 이 분야에 잘 알려진 방법으로 제조될 수 있으며, 그 방법이 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게 무기 충진제를 용매에 분산시키는 방법으로 제조할 수 있다.
바람직하게, 상기 슬러리 타입의 충진제는 실리카, 알루미늄 트리하이드레이트(aluminium trihydrate), 마그네슘 하이드록사이드, 몰리브데늄 옥사이드, 징크 몰리브데이트, 징크 보레이트, 징크 스탄네이트(zinc stannate), 알루미나, 클레이, 카올린, 탈크, 소성 카올린, 소성 탈크, 마이카, 유리 단섬유, 글래스 미세 파우더 및 중공 글래스로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 무기 충진제를 포함한 슬러리를 사용한다. 또한 상기 충진제의 평균 입자 직경(D50)은 특별히 한정하지 않으며, 예를 들면 상기 무기 충진재의 평균 입자 직경(D50)은 분산성의 관점에서 0.2 내지 5 마이크로미터가 바람직하다. 또한, 이러한 충진제는 에폭시 실란으로 표면처리될 수 있다. 충진제를 표면처리하는 경우, 무기 충전제 100 중량부를 기준으로 0.3 내지 1 중량부의 에폭시실란을 사용하여 습/건식방법으로 충진제를 표면처리하여 사용한다. 또한 상기 에폭시 실란은 200 내지 400의 중량평균분자량을 가질 수 있다.
한편, 상기 바인더는 에폭시 수지와 비스말레이미드계 수지를 포함한다. 이러한 경우 바인더는 에폭시 수지 20 내지 80 중량% 및 비스말레이미드계 수지 20 내지 80 중량%를 포함할 수 있다.
또한, 상기 바인더는 시아네이트계 에스터 수지를 더 포함할 수 있다. 이러한 경우, 상기 바인더는 에폭시 수지 20 내지 60 중량%, 시아네이트 에스터 수지 30 내지 70 중량% 및 비스말레이미드계 수지 20 내지 70 중량%를 포함할 수 있다.
상기 에폭시 수지는 통상 프리프레그용 열경화성 수지 조성물에 사용되는 것을 사용 가능하고, 그 종류가 한정되지는 않는다.
예를 들면, 상기 에폭시 수지는 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 테트라페닐 에탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
또한, 상기 특수 수지는 시아네이트 에스터 수지 및 비스말레이미드계 수지를 사용하는 특징이 있다.
이때, 본 발명은 상기 에폭시 수지에 시아네이트 에스터 수지를 사용함으로써, 수지 물성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 시아네이트 에스터 수지는 가교 밀도 증가에 의한 높은 유리전이 온도를 나타내어 우수한 열적 및 전기적 특성을 나타낸다.
상기 시아네이트 에스터 수지는 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 E형, 비스페놀 H형, 비스페놀 N형, 페놀 노볼락형 및 디시클로펜타디엔비스페놀형의 시아네이트 에스터 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다. 또한 수지의 흐름성을 고려하여 시아네이트 에스터 수지는 중량평균분자량이 200 내지 400인 것을 사용함이 바람직하다.
또한, 상기 비스말레이미드계 수지는 BT(Bismaleimide-Triazine) 수지, 4,4'-비스말레이미도-디페닐메탄, 1,4-비스말레이미도-2-메틸벤젠 및 이들의 혼합물; 딜스-알더(Diels-Alder) 공단량체를 함유하는 개질된 미스말레이미드 수지; 및 4,4'-비스말레이미도-디페닐메탄 및 알릴페닐 화합물; 또는 방향족 아민을 기재로 하는 부분적으로 고급화된 비스말레이미드;로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다. 또한 비스말레이미드계 수지는 중량평균분자량이 2,000 내지 5,000인 것을 사용할 수 있다.
그리고, 상기 딜스-알더(Diels-Alder) 공단량체는 스티렌 및 스티렌 유도체, 비스(프로페닐페녹시) 화합물, 4,4'-비스(프로페닐페녹시)술폰, 4,4'-비스(프로페닐페녹시)벤조페논 및 4,4'-1-(1-메틸에틸리덴)비스(2-(2-프로페닐)페놀)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 비스말레이미드계 수지는 비스말레이미드-트리아진 수지(bismaleimide triazine, 이하 BT); 또는 4,4'-비스말레이미도-디페닐메탄 및 알릴페닐 화합물의 혼합물일 수 있다.
또한, 상기 BT 수지는 고성능 및 고집적화를 필요로 하는 전자기판의 절연층으로 사용할 수 있는 열경화성 수지로서, 중량평균분자량이 2,000 내지 5,000인 것을 사용할 수 있다.
또한, 상기 바인더 성분은 상술한 바대로 에폭시 수지 및 비스말레이미드계 수지의 혼합물, 또는 에폭시 수지, 시아네이트계 에스터 수지 및 비스말레이미드계 수지의 혼합물로서, 바인더로써 요구되는 물성을 고려하여 전체 수지 혼합물이 100 중량%가 될 수 있도록 적절히 조절하여 사용할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 구현예에 따른 열경화성 수지 조성물은 용제, 경화촉진제, 분산제 및 실란커플링제로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
구체적으로, 본 발명은 필요에 따라 수지 조성물에 용제를 첨가하여 용액으로 사용할 수 있다. 상기 용제로는 수지 성분에 대해 양호한 용해성을 나타내는 것이면 그 종류가 특별히 한정되지 않으며, 알코올계, 에테르계, 케톤계, 아미드계, 방향족 탄화수소계, 에스테르계, 니트릴계 등을 사용할 수 있고, 이들은 단독 또는 2종 이상 병용한 혼합 용제를 이용할 수도 있다. 또한 상기 용매의 함량은 프리프레그 제조시 유리섬유에 수지 조성물을 함침할 수 있는 정도면 특별히 한정되지 않는다.
상기 경화촉진제는 상술한 바인더의 경화를 촉진시킬 목적으로 사용할 수 있다. 경화 촉진제의 종류나 배합량은 특별히 한정하는 것은 아니며, 예를 들면 이미다졸계 화합물, 3급 아민, 4급 암모늄염 등이 이용되고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 바람직하게는, 본 발명은 이미다졸계 화합물을 경화촉진제로 사용한다. 상기 이미다졸계 경화촉진제가 사용될 경우, 상기 경화제의 함량은 상기 바인더 100 중량부에 대하여 약 0.1 내지 1 중량부로 사용할 수 있다. 또한 상기 이미다졸계 경화 촉진제의 예로는, 1-메틸 이미다졸(1-methyl imidazole), 2-메틸 이미다졸(2-methyl imidazole), 2-에틸 4-메틸 이미다졸(2-ethyl 4-methyl imidazole), 2-페닐 이미다졸(2-phenyl imidazole), 2-시클로헥실 4-메틸 이미다졸(2-cyclohexyl 4-methyl imidazole), 4-부틸 5-에틸 이미다졸(4-butyl 5-ethyl imidazole), 2-메틸 5-에틸 이미다졸(2-methyl 5-ethyl imidazole), 2-옥틸 4-헥실 이미다졸(2-octhyl 4-hexyl imidazole), 2,5-디클로로-4-에틸 이미다졸(2,5-dichloro-4-ethyl imidazole), 2-부톡시 4-알릴 이미다졸(2-butoxy 4-allyl imidazole) 등과 같은 이미다졸, 및 상기 이미다졸 유도체 등이 있으며, 특히 우수한 반응 안정성 및 저가로 인해 2-메틸 이미다졸 또는 2-페닐 이미다졸이 바람직하다.
또한 본 발명의 열경화성 수지 조성물은 필요에 따라 통상적으로 첨가되는 분산제 및 실란커플링제로 이루어지는 군에서 1종 이상 선택된 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 또한 본 발명의 수지 조성물은, 수지 조성물 고유의 특성을 손상시키지 않는 한, 기타 열경화성 수지, 열가소성 수지 및 이들의 올리고머 및 엘라스토머와 같은 다양한 고폴리머 화합물, 기타 내염 화합물 또는 첨가제를 더 포함할 수도 있다. 이들은 통상적으로 사용되는 것으로부터 선택되는 것이라면 특별히 한정하지 않는다.
이러한 성분들을 포함하는 본 발명의 일 구현예에 따른 열경화성 수지 조성물은 20℃ 내지 35℃의 온도에서 20cps 내지 50cps의 점도를 나타내어, 기존 대비 흐름성이 우수한 효과를 제공한다.
한편 본 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 열경화성 수지 조성물을 섬유 기재에 함침시켜 제조된 프리프레그가 제공된다.
상기 프리프레그는 상기 열경화성 수지 조성물이 반경화 상태로 섬유 기재에 함침되어 있는 것을 의미한다.
상기 섬유 기재는 그 종류가 특별히 한정되지는 않으나, 유리 섬유 기재, 폴리아미드 수지 섬유, 방향족 폴리아미드 수지 섬유 등의 폴리아미드계 수지 섬유, 폴리에스테르 수지 섬유, 방향족 폴리에스테르 수지 섬유, 전 방향족 폴리에스테르 수지 섬유 등의 폴리에스테르계 수지 섬유, 폴리이미드 수지 섬유, 불소 수지 섬유 등을 주성분으로 하는 직포 또는 부직포로 구성되는 합성 섬유 기재, 크래프트지, 코튼 린터지, 린터와 크래프트 펄프의 혼초지 등을 주성분으로 하는 종이 기재 등이 사용될 수 있으며, 바람직하게 유리 섬유 기재를 사용한다. 상기 유리 섬유 기재는 프리프레그의 강도가 향상되고 흡수율을 내릴 수 있으며, 또 열팽창 계수를 작게 할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 유리기재는 다양한 인쇄회로기판 물질용으로 사용되는 유리기재로부터 선택될 수 있다. 이들의 예로서는, E 글래스, D 글래스, S 글래스, T 글래스, Q 글래스, L 글래스 및 NE 글래스와 같은 유리 섬유를 포함하나 이에 한정되는 것은 아니다. 필요에 따라서 의도된 용도 또는 성능에 따라, 상기 유리기재 물질을 선택할 수 있다. 유리기재 형태는 전형적으로 직포, 부직포, 로빙(roving), 잘개 다진 스트랜드 매트(chopped strand mat) 또는 서페이싱 매트(surfacing mat)이다. 상기 유리기재 기재의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 약 0.01 내지 0.3mm 등을 사용할 수 있다. 상기 물질 중, 글래스 파이버 물질이 강도 및 수 흡수 특성 면에서 더욱 바람직하다.
또한 본 발명에서 상기 프리프레그를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 이 분야에 잘 알려진 방법에 의해 제조될 수 있다. 예를 들면, 상기 프리프레그의 제조방법은 함침법, 각종 코터를 이용하는 코팅법, 스프레이 분사법 등을 이용할 수 있다.
상기 함침법의 경우 바니시를 제조한 후, 상기 섬유 기재를 바니시에 함침하는 방법으로 프리프레그를 제조할 수 있다.
즉, 상기 프리프레그의 제조 조건 등은 특별히 제한하는 것은 아니지만, 상기 열경화성 수지 조성물에 용제를 첨가한 바니시 상태로 사용하는 것이 바람직하다. 상기 수지 바니시용 용제는 상기 수지 성분과 혼합 가능하고 양호한 용해성을 갖는 것이라면 특별히 한정하지 않는다. 이들의 구체적인 예로는, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 메틸이소부틸 케톤 및 시클로헥사논과 같은 케톤, 벤젠, 톨루엔 및 자일렌과 같은 방향족 하이드로카본, 및 디메틸포름아미드 및 디메틸아세트아미드와 같은 아미드, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브 같은 알리파틱 알코올 등이 있다.
또한, 상기 프리프레그로 제조시, 사용된 용제가 80 중량% 이상 휘발하는 것이 바람직하다. 이 때문에, 제조 방법이나 건조 조건 등도 제한은 없고, 건조시의 온도는 약 80℃ 내지 180℃, 시간은 바니시의 겔화 시간과의 균형으로 특별히 제한은 없다. 또한, 바니시의 함침량은 바니시의 수지 고형분과 기재의 총량에 대하여 바니시의 수지 고형분이 약 30 내지 80 중량%가 되도록 하는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 프리프레그; 및 가열 및 가압에 의해 상기 프리프레그와 일체화된 포함하는 금속박;을 포함하는 금속박 적층판이 제공된다.
바람직하게, 상기 금속박은 동박일 수 있다. 본 발명의 동박 적층판에 포함되는 상기 동박은 구리 또는 구리 합금으로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 동박은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 것일 수 있으므로, 그 물성은 특별히 제한되지 않는다. 다만, 본 발명에 따르면, 상기 동박은 Matt면의 조도(Rz)가 0.1 내지 2.5 ㎛, 바람직하게는 0.2 내지 2.0㎛, 보다 바람직하게는 0.2 내지 1.0 ㎛인 것일 수 있고, 그 두께는 1 ㎛ 이상, 바람직하게는 2 내지 18 ㎛인 것이 적용될 수 있다.
또한 상기 프리프레그를 포함하는 금속박을 가열시, 모든 수지는 전체적으로 약 200℃ 이상에서 경화되므로, 적층(프레스) 최고온도는 약 200℃ 이상이 될 수 있고, 통상 220 ℃정도가 될 수 있다. 또한 상기 금속 적층판 가압시 압력 조건은 특별히 한정되지 않으나, 약 35 내지 50 kgf/㎠가 바람직하다.
이렇게 제조된 프리프레그를 포함하는 금속 적층판은 1매 이상으로 적층한 후, 양면 또는 다층 인쇄 회로 기판의 제조에 사용할 수 있다. 본 발명은 상기 금속박 적층판을 회로 가공하여 양면 또는 다층 인쇄회로기판을 제조할 수 있으며, 상기 회로 가공은 일반적인 양면 또는 다층 인쇄 회로 기판 제조 공정에서 행해지는 방법을 적용할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따르면 상술한 수지 열경화성 수지 조성물을 이용함으로써, 다양한 분야의 인쇄회로기판에 모두 적용 가능하며, 바람직하게 반도체 패키지용 인쇄회로기판의 제조에 사용될 수 있다.
이하, 발명의 구체적인 실시예를 통해, 발명의 작용 및 효과를 보다 상술하기로 한다. 다만, 이러한 실시예는 발명의 예시로 제시된 것에 불과하며, 이에 의해 발명의 권리범위가 정해지는 것은 아니다.
실시예
1 내지 2 및
비교예
1 내지 3
다음 표 1과 같은 조성과 함량으로 각 성분을 혼합하여, 각각 실시예 및 비교예의 열경화성 수지 조성물을 제조하였다.
각각의 열경화성 수지 조성물과 충진재를 혼합한 뒤, 고속 교반기에서 혼합하여 수지 바니시를 제조하였다.
이어서, 상기 수지 바니시를 두께 45㎛ 유리섬유(Nittobo사 제조 1078, T-glass)에 함침시킨 후, 140℃의 온도에서 열풍 건조하여 프리프레그를 제조하였다.
이때, 상기 수지 바니시의 제조에 사용된 각 성분은 다음과 같다:
비스말레이미드계 수지(BMI-2300, DAIWA사); BT 수지(Nanozine 600, Nanokor사); 노볼락형 시아네이트 수지(PT-30S, Lonza사); 나프탈렌계 에폭시 수지(HP4710, DIC사); 페놀프탈레인계 벤즈옥사진 수지(XU8282, Hunstman사); 에폭시실란 처리된 슬러리 타입의 실리카(SC2050FNC, Admatechs사); 파우더 타입의 필러(SFP-30NHE, Denka사); 단, 하기 표 1 및 2에서 수지 성분의 함량은 중량%(합 100 중량%)이고, 실리카의 함량은 상기 수지 100 중량부를 기준으로 한 것이다.
그런 다음, 상기에서 제조된 프리프레그 2매를 적층한 후, 그 양면에 동박(두께 12㎛, Mitsui사 제조)을 위치시켜 적층하고, 프레스를 이용하여 220℃ 온도에서 50 kg/㎠의 압력으로 75분 동안 가열 및 가압하여 동박 적층판(두께: 100㎛)을 제조하였다.
이렇게 제조된 동박 적층판을 에칭한 후, 기본적인 물성과 내화학성 테스트를 실시하였다.
실시예1 | 실시예2 | |
에폭시수지 | 30 | 20 |
시아네이트 에스터 수지 |
40 | 0 |
BT수지 | - | 45 |
BMT 수지 | 25 | 28 |
벤즈옥사진 수지 | 5 | 7 |
경화촉진제 | 0.3 | 0.3 |
페놀 경화제 | - | - |
무기충진제A | 180 | 180 |
무기충진제B | - | - |
주) 1) 에폭시수지: 나프탈렌계 에폭시 수지(HP4710, DIC사) 2) BT 수지: BT 수지(Nanozine 600, Nanokor사) 3) 시아네이트 에스터 수지: 노볼락형 시아네이트 수지(PT-30S, Lonza사) 4) BMT 수지: 비스말레이미드계 수지(BMI-2300, DAIWA사) 5) 벤즈옥사진 수지: 페놀프탈레인계 벤즈옥사진 수지(XU8282, Hunstman사) 6) 경화촉진제: 페닐이미다졸 (2PZ, Shikoku사) 7) 페놀 경화제: 크레졸-노볼락 경화제(GPX-41, Gifu Shellac사) 8) 무기 충진제A: 에폭시실란 처리된 슬러리 타입의 실리카(SC2050FNC, Admatechs사) 9) 무기 충진제B: 파우더 타입의 필러(SFP-30MHE, Denka사) |
비교예1 | 비교예2 | 비교예3 | 비교예4 | 비교예5 | |
에폭시수지 | 20 | 30 | 50 | 30 | 12 |
시아네이트 에스터 수지 |
35 | 40 | - | 40 | 16 |
BT수지 | - | - | - | 0 | - |
BMT 수지 | 30 | 25 | 45 | 25 | 28 |
벤즈옥사진 수지 | 15 | 0 | 5 | 5 | 44 |
경화촉진제 | - | - | 0.3 | - | 0.1 |
페놀 경화제 | - | 5 | - | - | - |
무기충진제A | 180 | 180 | 180 | - | 80 |
무기충진제B | - | - | - | 180 | - |
주) 1) 에폭시수지: 나프탈렌계 에폭시 수지(HP4710, DIC사) 2) BT 수지: BT 수지(Nanozine 600, Nanokor사) 3) 시아네이트 에스터 수지: 노볼락형 시아네이트 수지(PT-30S, Lonza사) 4) BMT 수지: 비스말레이미드계 수지(BMI-2300, DAIWA사) 5) 벤즈옥사진 수지: 페놀프탈레인계 벤즈옥사진 수지(XU8282, Hunstman사) 6) 경화촉진제: 페닐이미다졸 (2PZ, Shikoku사) 7) 페놀 경화제: 크레졸-노볼락 경화제(GPX-41, Gifu Shellac사) 8) 무기 충진제A: 에폭시실란 처리된 슬러리 타입의 실리카 (SC2050FNC, Admatechs사) 9) 무기 충진제B: 파우더 타입의 필러(SFP-30MHE, Denka사) |
실험예
: 물성 평가
실시예 및 비교예에서 얻어진 열경화성 수지 조성물에 대하여, 다음 방법으로 물성을 평가하였다.
1. 점도 평가
수지 흐름성을 평가하기 위해, 25℃의 온도에서 브룩필드 점도계를 이용하여, 실시예 및 비교예의 열경화성 수지 조성물의 점도를 측정하였다.
2. 동박적층판에 대한 물성 평가
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 동박 적층판에 대하여, 하기의 방법으로 물성을 평가하였고 그 결과를 표 3 및 4에 나타내었다.
(a) 내화학성 평가
디스미어 평가에서, 전체적인 공정 조건의 분위기는 알칼리성이며 공정은 swelling, permanganat, neutralizing 의 공정 순으로 진행했다. 용액은 시판되고 있는 Atotech사의 용액을 사용했다.
평가는 동박 적층판의 동박층을 에칭하여 제거한 후, 디스미어 공정 전후의 샘플의 무게 차이(etch rate)를 측정하였다.
(b) 유리 전이온도
동박 적층판의 동박층을 에칭하여 제거한 후, DMA(Dymamic Mechanical Analysis)를 이용하여 승온속도 5℃/min으로 유리 전이온도를 측정하였다.
동박 적층판의 동박층을 에칭하여 제거한 후, TMA(Thermo Mechanical Analysis)를 이용하여 승온속도 10℃/min으로 유리 전이온도를 측정하였다.
(c) 탄성율
동박 적층판의 동박층을 에칭하여 제거한 후, DMA(Dymamic Mechanical Analysis)를 이용하여 승온속도 5℃/min으로 30℃, 260℃에서의 탄성율을 측정하였다.
(d) 열팽창계수 (CTE)
동박 적층판의 동박층을 에칭하여 제거한 후, TMA(Thermo Mechanical Analysis)를 이용하여 승온속도 10℃/min으로 열팽창계수를 측정하였다.
(e) 흡수율(water absorption)
동박 적층판의 동박층을 에칭하여 제거한 후, 85℃/85% 조건 하에서 항온항습기를 이용하여 측정하였다.
(f) 접착성 평가 (peel strength)
Texture ananlyer를 이용하여 동박 적층판의 폭 1cm의 구간의 접착력을 평가하였다.
실시예1 | 실시예2 | 비교예1 | |
점도 (25℃, cps) |
40 | 40 | 70 |
디스미어 (g/50㎠) |
0.003 | 0.004 | 0.01 |
유리전이온도 (DMA) (℃) |
300 | 300 | 290 |
유리전이온도 (TMA) (℃) |
270 | 270 | 250 |
탄성율 (30/260℃) (GPa) |
28/24 | 28/24 | 26/22 |
X/Y CTE (50-150℃) (ppm/℃) |
4 | 4 | 4 |
흡수율 (%) | 0.2 | 0.2 | 0.4 |
접착성 (kfg/cm) |
0.7 | 0.68 | 0.6 |
비교예2 | 비교예3 | 비교예4 | 비교예5 | |
점도 (25℃, cps) |
50 | 40 | 40 | 500 |
디스미어 (g/50㎠) |
0.015 | 0.01 | 0.015 | 0.013 |
유리전이온도 (DMA) (℃) |
300 | 280 | 300 | 290 |
유리전이온도 (TMA) (℃) |
260 | 245 | 270 | 260 |
탄성율 (30/260℃) (GPa) |
27/23 | 26/22 | 28/24 | 22/19 |
X/Y CTE (50-150℃) (ppm/℃) |
5 | 5 | 4 | 7 |
흡수율 (%) | 0.4 | 0.35 | 0.4 | 0.4 |
접착성 (kfg/cm) |
0.65 | 0.6 | 0.65 | 0.6 |
상기 표 3 및 4의 결과를 통해, 본 발명의 실시예는 상기 바인더 100 중량부에 대하여 10중량부 이하의 벤즈옥사진을 사용하고, 슬러리 타입의 충진제를 사용함으로써, 비교예 대비 수지의 분산성이 향상되었다. 따라서, 본 발명의 경우 비교예보다 더 우수한 내화학성, 접착력 및 높은 유리전이온도를 나타냄을 확인할 수 있다.
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
Claims (13)
- 에폭시 수지와 비스말레이미드계 수지를 포함하는 바인더, 및 벤즈옥사진 수지를 포함하는 수지 조성물; 및 슬러리 타입의 충진제;를 포함하며,
상기 벤즈옥사진 수지는 상기 바인더 및 벤즈옥사진 수지를 포함하는 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 10 중량% 이하로 포함하고,
상기 충진제의 평균 입자 직경(D50)은 0.2 내지 5 마이크로미터인, 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 슬러리 타입의 충진제는 상기 바인더 및 벤즈옥사진 수지를 포함하는 수지 조성물 100 중량부에 대하여 160 내지 350 중량부로 포함하는, 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 벤즈옥사진 수지는 상기 바인더 및 벤즈옥사진 수지를 포함하는 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 2 내지 10 중량%로 포함하는, 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 바인더는 에폭시 수지 20 내지 80 중량% 및 비스말레이미드계 수지 20 내지 80 중량%를 포함하는 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 바인더는 시아네이트 에스터 수지를 더 포함하는 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 슬러리 타입의 충진제는 실리카, 알루미늄 트리하이드레이트, 마그네슘 하이드록사이드, 몰리브데늄 옥사이드, 징크 몰리브데이트, 징크 보레이트, 징크 스탄네이트(zinc stannate), 알루미나, 클레이, 카올린, 탈크, 소성 카올린, 소성 탈크, 마이카, 유리 단섬유, 글래스 미세 파우더 및 중공 글래스로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 무기 충진제를 포함한 슬러리를 사용하는, 열경화성 수지 조성물.
- 제 1 항에 있어서,
상기 에폭시 수지는 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 테트라페닐 에탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 열경화성 수지 조성물.
- 제 1 항에 있어서,
상기 비스말레이미드계 수지는 BT(Bismaleimide-Triazine) 수지, 4,4'-비스말레이미도-디페닐메탄, 1,4-비스말레이미도-2-메틸벤젠 및 이들의 혼합물; 딜스-알더(Diels-Alder) 공단량체를 함유하는 개질된 비스말레이미드 수지; 및 4,4'-비스말레이미도-디페닐메탄 및 알릴페닐 화합물; 또는 방향족 아민을 기재로 하는 부분적으로 고급화된 비스말레이미드;로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 열경화성 수지 조성물.
- 제 5 항에 있어서,
상기 시아네이트 에스터 수지는 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 E형, 비스페놀 H형, 비스페놀 N형, 페놀 노볼락형, 디시클로펜타디엔비스페놀형의 시아네이트 에스터 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 열경화성 수지 조성물.
- 제 1 항에 있어서,
용제, 경화촉진제, 분산제 및 실란커플링제로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함하는, 열경화성 수지 조성물.
- 제1항 내지 제5항 및 제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 열경화성 수지 조성물을 섬유 기재에 함침시켜 제조된 프리프레그.
- 제12항에 따른 프리프레그; 및 가열 및 가압에 의해 상기 프리프레그와 일체화된 금속박;을 포함하는 금속박 적층판.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/901,895 US11535750B2 (en) | 2013-09-30 | 2014-09-25 | Thermosetting resin composition for semiconductor package and prepreg and metal clad laminate using the same |
PCT/KR2014/008974 WO2015046921A1 (ko) | 2013-09-30 | 2014-09-25 | 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물과 이를 이용한 프리프레그 및 금속박 적층판 |
JP2016538868A JP6301473B2 (ja) | 2013-09-30 | 2014-09-25 | 半導体パッケージ用の熱硬化性樹脂組成物とこれを用いたプリプレグおよび金属箔積層板 |
TW103133863A TWI538955B (zh) | 2013-09-30 | 2014-09-30 | 用於半導體封裝之熱固性樹脂組成物以及使用其之預浸材及覆金屬層合物 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20130116771 | 2013-09-30 | ||
KR1020130116771 | 2013-09-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150037568A KR20150037568A (ko) | 2015-04-08 |
KR101677736B1 true KR101677736B1 (ko) | 2016-11-18 |
Family
ID=53033477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140128140A KR101677736B1 (ko) | 2013-09-30 | 2014-09-25 | 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물과 이를 이용한 프리프레그 및 금속박 적층판 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11535750B2 (ko) |
JP (1) | JP6301473B2 (ko) |
KR (1) | KR101677736B1 (ko) |
CN (1) | CN105408418B (ko) |
TW (1) | TWI538955B (ko) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017122952A1 (ko) * | 2016-01-13 | 2017-07-20 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물과 이를 이용한 프리프레그 |
JP2018029146A (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | 住友ベークライト株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリント配線基板および半導体装置 |
JP6520872B2 (ja) * | 2016-09-01 | 2019-05-29 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物 |
FR3057802A1 (fr) * | 2016-10-26 | 2018-04-27 | Compagnie Generale Des Etablissements Michelin | Renfort metallique ou metallise dont la surface est revetue d'une polybenzoxazine |
JP2018135447A (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物及び構造体 |
KR102057255B1 (ko) | 2017-03-22 | 2019-12-18 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 패키지용 수지 조성물과 이를 이용한 프리프레그 및 금속박 적층판 |
KR102049024B1 (ko) | 2017-03-22 | 2019-11-26 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 패키지용 수지 조성물과 이를 이용한 프리프레그 및 금속박 적층판 |
US20200031966A1 (en) * | 2017-04-19 | 2020-01-30 | Showa Denko K.K. | Curable resin composition, cured product thereof, and structure including cured product thereof |
JP2019116532A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | 京セラ株式会社 | 封止成形材料用組成物及び電子部品装置 |
TWI678393B (zh) * | 2017-09-07 | 2019-12-01 | 台燿科技股份有限公司 | 樹脂組成物、以及使用該樹脂組成物所製得之預浸漬片、金屬箔積層板及印刷電路板 |
KR102196881B1 (ko) | 2017-12-11 | 2020-12-30 | 주식회사 엘지화학 | 금속 박막 코팅용 열경화성 수지 조성물 및 이를 이용한 금속 적층체 |
JP6964764B2 (ja) * | 2017-12-29 | 2021-11-10 | 廣東生益科技股▲ふん▼有限公司Shengyi Technology Co., Ltd. | 樹脂組成物、プリプレグ、積層板および金属張積層板 |
KR20190081987A (ko) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 열경화성 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자 |
JP7109940B2 (ja) * | 2018-03-08 | 2022-08-01 | 日東電工株式会社 | 封止用接着シート |
EP3712208B1 (en) * | 2018-04-10 | 2023-03-29 | Lg Chem, Ltd. | Thermosetting resin composition for semiconductor package, prepreg, and metal-clad laminate |
JP7562944B2 (ja) * | 2019-11-28 | 2024-10-08 | 住友ベークライト株式会社 | 基材付き樹脂膜、プリント配線基板および電子装置 |
US20240043654A1 (en) * | 2020-08-25 | 2024-02-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Resin composition for semiconductor package and resin coated copper comprising same |
US11837415B2 (en) | 2021-01-15 | 2023-12-05 | KYOCERA AVX Components Corpration | Solid electrolytic capacitor |
TWI792365B (zh) * | 2021-06-24 | 2023-02-11 | 穗曄實業股份有限公司 | 熱固性樹脂組成物以及預浸漬片 |
TW202417565A (zh) | 2022-10-20 | 2024-05-01 | 南亞塑膠工業股份有限公司 | 複合材料基板及其製造方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5114995A (en) * | 1974-07-29 | 1976-02-05 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Shiansanesuterukiganjufuenoorujushino seizohoho |
US6190759B1 (en) | 1998-02-18 | 2001-02-20 | International Business Machines Corporation | High optical contrast resin composition and electronic package utilizing same |
JP3920582B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2007-05-30 | トヨタ自動車株式会社 | フィラー含有スラリー組成物 |
JP2003026957A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-29 | Shigeru Koshibe | 充填材及びそれを含む樹脂組成物 |
WO2003107427A1 (en) | 2002-06-17 | 2003-12-24 | Henkel Loctite Corporation | Interlayer dielectric and pre-applied die attach adhesive materials |
KR101021047B1 (ko) | 2005-10-10 | 2011-03-15 | 아지노모토 가부시키가이샤 | 변성 폴리이미드 수지를 함유하는 열경화성 수지 조성물 |
JP4986256B2 (ja) | 2005-12-21 | 2012-07-25 | 味の素株式会社 | 変性ポリイミド樹脂を含有するプリプレグ |
JP5359026B2 (ja) | 2008-05-26 | 2013-12-04 | 住友ベークライト株式会社 | スラリー組成物、スラリー組成物の製造方法、樹脂ワニスの製造方法 |
CN102164995B (zh) * | 2008-09-24 | 2013-09-04 | 积水化学工业株式会社 | 半固化物、固化物、叠层体、半固化物的制造方法以及固化物的制造方法 |
CN101381506B (zh) * | 2008-09-26 | 2012-05-30 | 广东生益科技股份有限公司 | 无卤无磷阻燃环氧树脂组合物以及用其制作的粘结片与覆铜箔层压板 |
JP5624054B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2014-11-12 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 電気積層板の製造に有用な均質ビスマレイミド−トリアジン−エポキシ組成物 |
JP5476715B2 (ja) | 2008-12-25 | 2014-04-23 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物ワニスの製造方法 |
US20100193950A1 (en) | 2009-01-30 | 2010-08-05 | E.I.Du Pont De Nemours And Company | Wafer level, chip scale semiconductor device packaging compositions, and methods relating thereto |
US7842401B2 (en) | 2009-03-24 | 2010-11-30 | Iteq Corporation | Halogen-free varnish and prepreg thereof |
JP2010229227A (ja) | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Sekisui Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、シート状成形体、プリプレグ、硬化体及び積層板 |
JP5614048B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2014-10-29 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性絶縁樹脂組成物、並びにこれを用いたプリプレグ、積層板及び多層プリント配線板 |
CN102365310B (zh) * | 2009-03-27 | 2013-11-20 | 日立化成工业株式会社 | 热固化性树脂组合物、以及使用了该组合物的预浸料、带支撑体的绝缘膜、层叠板及印刷布线板 |
JP5193925B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-05-08 | 太陽ホールディングス株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物及びその硬化物 |
CN102482481B (zh) * | 2009-07-24 | 2014-12-17 | 住友电木株式会社 | 树脂组合物,树脂片材,半固化片,覆金属层叠板,印刷布线板及半导体装置 |
KR101708941B1 (ko) | 2009-10-14 | 2017-02-21 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 에폭시 수지 조성물, 프리프레그, 금속 부착 적층판, 프린트 배선판 및 반도체 장치 |
KR20120101090A (ko) * | 2009-12-02 | 2012-09-12 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | 코팅 조성물 |
KR20120123031A (ko) * | 2009-12-25 | 2012-11-07 | 히다찌 가세이 고오교 가부시끼가이샤 | 열경화성 수지 조성물, 수지 조성물 바니시의 제조 방법, 프리프레그 및 적층판 |
TW201220977A (en) * | 2010-07-01 | 2012-05-16 | Sumitomo Bakelite Co | Preppreg, circuit board, and semiconductor device |
CN102134375B (zh) | 2010-12-23 | 2013-03-06 | 广东生益科技股份有限公司 | 无卤高Tg树脂组合物及用其制成的预浸料与层压板 |
JP5738428B2 (ja) | 2011-07-22 | 2015-06-24 | エルジー・ケム・リミテッド | 熱硬化性樹脂組成物とこれを用いたプリプレグおよび金属箔積層板 |
JP5816752B2 (ja) | 2011-07-28 | 2015-11-18 | プロタヴィック コリア カンパニー リミテッドProtavic Korea Co., Ltd. | フレキシブルなビスマレイミド、ベンズオキサジン、エポキシ−無水物付加生成物複合接着剤 |
US9422412B2 (en) | 2011-09-22 | 2016-08-23 | Elite Material Co., Ltd. | Halogen-free resin composition and copper clad laminate and printed circuit board using same |
JP6152246B2 (ja) | 2011-09-26 | 2017-06-21 | 日立化成株式会社 | プリント配線板用プリプレグ、積層板及びプリント配線板 |
-
2014
- 2014-09-25 JP JP2016538868A patent/JP6301473B2/ja active Active
- 2014-09-25 KR KR1020140128140A patent/KR101677736B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-25 CN CN201480042067.XA patent/CN105408418B/zh active Active
- 2014-09-25 US US14/901,895 patent/US11535750B2/en active Active
- 2014-09-30 TW TW103133863A patent/TWI538955B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11535750B2 (en) | 2022-12-27 |
TW201527402A (zh) | 2015-07-16 |
TWI538955B (zh) | 2016-06-21 |
CN105408418B (zh) | 2017-04-26 |
US20160369099A1 (en) | 2016-12-22 |
KR20150037568A (ko) | 2015-04-08 |
JP6301473B2 (ja) | 2018-03-28 |
JP2016529371A (ja) | 2016-09-23 |
CN105408418A (zh) | 2016-03-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |