KR101648918B1 - Method for preparation back electrode using Ag paste composition and method for forming silicon solar cell - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 53
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 51
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 85
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 73
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 49
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 42
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 24
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 claims description 2
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 30
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910020443 SiO2—PbO—B2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- CJJMLLCUQDSZIZ-UHFFFAOYSA-N oxobismuth Chemical class [Bi]=O CJJMLLCUQDSZIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
본 발명은 실리콘 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘 태양전지의 후면전극 형성시 주석 분말을 포함하는 은 페이스트 조성물을 이용함으로써, 기존에 비해 후막의 Ag 패턴의 크랙을 방지하고 소성 후 박리현상과 기판의 뒤틀림 현상을 방지하여 개방전압을 향상시킬 수 있는 실리콘 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a silicon solar cell and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a method of manufacturing a silicon solar cell and a method of manufacturing the same by using a silver paste composition including a tin powder in forming a back electrode of a silicon solar cell, The present invention relates to a silicon solar cell capable of improving the open circuit voltage by preventing the peeling phenomenon and the twisting phenomenon of the substrate after firing, and a manufacturing method thereof.
Description
본 발명은 은 페이스트 조성물을 이용한 후면 전극의 제조방법 및 실리콘 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 후면 전극 형성시 알루미늄 페이스트 조성물과 함께 주석 분말을 포함한 은 페이스트 조성물을 이용함으로써, 알루미늄 막 위에 Ag 패턴 형성을 쉽게 할 수 있고, Ag 패턴의 크랙 발생이 없고 Ag와 알루미늄간의 뒤틀림 현상도 방지하여 개방전압 향상에 따라 태양전지의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 후면 전극의 제조방법 및 실리콘 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a rear electrode using a silver paste composition and a method of manufacturing a silicon solar cell, and more particularly, to a method of manufacturing a back electrode using a silver paste composition including a tin powder together with an aluminum paste composition, A method of fabricating a back electrode capable of easily forming an Ag pattern on the Ag layer and preventing the Ag pattern from cracking and also preventing warping between Ag and aluminum to improve the electrical characteristics of the solar cell with an increase in open circuit voltage, And a method for producing the same.
최근 전자 산업이 발달함에 따라 전자제품 및 소자의 소형화 및 높은 신뢰성을 요구되고 있으며, 높은 집적도를 요구하는 현재 전자제품의 회로 패턴이나 전극 형성을 위해 다양한 방법들이 시도되고 있다. 그 중에서 도전성 금속 페이스트를 사용하는 것이 공정 중 부산물이나 오염물질의 생성이 적어 관심의 대상이 되고 있다.Recently, as electronic industry has developed, miniaturization and high reliability of electronic products and devices have been demanded. Various methods have been tried to form circuit patterns and electrodes of electronic products requiring high integration. Among them, the use of a conductive metal paste is a subject of interest because there is little generation of by-products and contaminants in the process.
일반적으로 사용되는 금속 페이스트는 도전성 금속, 유리 프릿, 유기 바인더를 포함하여 이루어지며, 도전성 금속으로는 은, 알루미늄 등이 사용되고, 그 중에서 은이 주로 사용된다. 현재 도전성 금속 페이스트가 주로 사용되는 제품으로는 하이브리드 IC, 반도체 IC의 실장이나 각종 콘덴서 및 전극 등이 있으며, 최근 PCB, EL, 터치패널, RFID, LCD, PDP, 태양전지 등의 첨단 전자제품에도 널리 사용되는 등, 관련 산업이 확대 발전됨에 따라 그 수요도 더욱 증가하고 있는 실정이다.The metal paste generally used includes a conductive metal, a glass frit, and an organic binder. As the conductive metal, silver, aluminum, or the like is used. Among them, silver is mainly used. At present, conductive metal paste is mainly used for hybrid IC, semiconductor IC mounting and various capacitors and electrodes. Recently, it is widely used in high-tech electronic products such as PCB, EL, touch panel, RFID, LCD, PDP, As the related industries are expanded and developed, the demand is also increasing.
일 예로 태양전지의 경우에는 최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있으며, 그 중에서도 태양전지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목 받고 있다.For example, in the case of photovoltaic cells, there is a growing interest in alternative energy sources, as existing energy resources such as oil and coal are expected to be depleted. Among them, solar cells are rich in energy resources and have no problems with environmental pollution Especially noteworthy.
태양전지에는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 전지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양빛(photons)을 전기에너지로 변환시키는 태양광 전지로 분류되는데, 태양전지라고 하면 일반적으로 태양광 전지(이하 태양전지라 한다)를 일컫는다.Solar cells are divided into solar cells that generate the steam needed to rotate the turbine using solar heat, and solar cells that convert sunlight (photons) into electrical energy using the properties of semiconductors. Solar photovoltaic cells (hereinafter referred to as solar photovoltaic).
태양전지는 원료 물질에 따라 크게 실리콘 태양전지(silicon solar cell), 화합물 반도체 태양전지(compound semiconductor solar cell) 및 적층형 태양전지(tandem solar cell)로 구분된다. 이러한 3가지 종류의 태양전지 중 태양전지 시장에서는 실리콘 태양전지가 주류를 이루고 있다.Solar cells are divided into silicon solar cell, compound semiconductor solar cell and tandem solar cell according to raw materials. Of these three types of solar cells, silicon solar cells are the mainstream in the solar cell market.
도 1은 실리콘 태양전지의 기본적인 구조를 보여주는 단면도이다. 도면을 참조하면, 실리콘 태양전지는 p형의 실리콘 반도체로 이루어진 기판(101)과 n형 실리콘 반도체로 이루어진 에미터층(102)을 포함하고, 기판(101)과 에미터층(102)의 계면에는 다이오드와 유사하게 p-n 접합이 형성되어 있다. 또한 p형 실리콘 반도체로 이루어진 기판은 후면전극과 접촉 저항을 낮추고, 태양전지의 특성을 향상시키기 위한 후면전계(Back Surface Field, BSF)층을 포함한다. 또한 태양전지의 전면 전극은 기판의 전면에 Ag가 형성되고, 후면에 도전성 알루미늄과 은을 포함한다. 이때, 전면전극은 도면에 미도시하였지만, 실리콘태양전지 형성시 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층에 접속된다.1 is a cross-sectional view showing a basic structure of a silicon solar cell. Referring to the drawings, a silicon solar cell includes a
위와 같은 구조를 갖는 태양전지에 태양광이 입사되면, 광기전력효과(photovoltaic effect)에 의해 불순물이 도핑된 실리콘 반도체에서 전자와 정공이 발생한다. 참고로, n형 실리콘 반도체로 이루어진 에미터층(102)에서는 전자가 다수 캐리어로 발생되고, p형 실리콘 반도체로 이루어진 기판(101)에서는 정공이 다수 캐리어로 발생된다. 광기전력효과에 의해 발생된 전자와 전공은 각각 n형 실리콘 반도체 및 p형 실리콘 반도체 쪽으로 끌어 당겨져 각각 기판(101) 하부 및 에미터층(102) 상부와 접합된 전면전극(103) 및 후면전극(104)으로 이동하며, 이 전극(103, 104)들을 전선으로 연결하면 전류가 흐르게 된다.When sunlight enters the solar cell having the above structure, electrons and holes are generated in a silicon semiconductor doped with impurities by a photovoltaic effect. For reference, electrons are generated in a majority carrier in the
도전성 금속 페이스트는 태양전지에서 전면전극 또는 후면전극의 제조를 위해 사용되며, 전술한 바와 같이 기타 다른 전자 제품에서 각종 전극을 제조하기 위해 사용된다.Conductive metal pastes are used for the production of front or rear electrodes in solar cells and are used to manufacture various electrodes in other electronic products as described above.
한편, 실리콘 태양전지의 후면 전극의 경우, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, p형 실리콘 반도체로 이루어진 기판(101) 위에 알루미늄 전극을 형성하기 위한 알루미늄 막(106)과 소정의 Ag 패턴(107)을 포함한다.On the other hand, in the case of a back electrode of a silicon solar cell, an
도 2는 기존 후면 전극 형성용 은 페이스트 조성물을 이용한 후면 전극의 정면도 구조(a)와 후면 전극의 제조 공정도(b)를 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing a front view (a) of a back electrode and a manufacturing process (b) of a back electrode using a conventional silver paste composition for forming a back electrode.
상기 후면 전극의 제조방법은, 도 2의 (b)와 같이, 통상의 은 페이스트 조성물을 이용하여 p형 실리콘 반도체로 이루어진 기판(101) 위에 소정의 패턴으로 인쇄 및 소성하여 Ag 패턴(107)을 형성하고, 소정의 Ag 패턴(107) 사이에 알루미늄 페이스트 조성물을 인쇄 및 소성하여 알루미늄 막(106)을 포함하는 후면 전극(105)을 제조한다.2 (b), the rear electrode is printed and fired in a predetermined pattern on a
그런데, 상기 BSF층의 두께가 두꺼워질수록 태양전지의 성능이 향상되는데, 기존 방법의 경우 BSF층이 잘 형성되지 않아서 개방전압의 감소를 초래한다. 즉, 도 2의 (b)에 나타난 바와 같이, 알루미늄 페이스트의 소성후 Ag 패턴이 기판으로 녹아내려가 a와 같은 상태가 되어, 실리콘 반도체 기판의 후면에 형성된 후면전계(Back Surface Field, BSF)층이 형성되지 않고 알루미늄에 의한 효과가 떨어진다. 이에 따라, 후막의 Ag 패턴에 의해 개방전압 값이 후막 인쇄한 것보다 4~6 mV 감소하는 문제가 발생된다. 또한, 후면 전극의 Ag 패턴 형성시 은 페이스트를 사용할 경우 은 페이스트와 알루미늄 페이스트 간의 열팽창 계수차에 의해 소성후 Ag와 알루미늄간의 뒤틀림 현상과 박리현상도 발생하게 된다. However, as the thickness of the BSF layer is increased, the performance of the solar cell is improved. In the case of the conventional method, the BSF layer is not formed well, resulting in a decrease in the open circuit voltage. That is, as shown in FIG. 2 (b), after the firing of the aluminum paste, the Ag pattern melts down to the state a and the back surface field (BSF) layer formed on the back surface of the silicon semiconductor substrate And the effect of aluminum is deteriorated. Accordingly, a problem that the open-circuit voltage is reduced by 4 to 6 mV compared with the thick-film printing is caused by the Ag pattern of the thick film. Also, when silver paste is used to form an Ag pattern on the rear electrode, warpage and peeling phenomenon between Ag and aluminum occur after baking due to the difference in thermal expansion coefficient between the paste and the aluminum paste.
또한, 일반적으로 Ag 막 위에 Al 패턴 형성은 가능하지만, Al 막 위에 Ag 패턴 형성이 어렵다. 그 이유는 Al의 열팽창율이 커서 소성과정을 거치고 냉각후, 알루미늄 막 위에 있는 Ag 패턴에서 크랙이 발생하여 뜯겨져 나오는 문제가 있다.
Generally, it is possible to form an Al pattern on an Ag film, but it is difficult to form an Ag pattern on an Al film. The reason for this is that since the thermal expansion rate of Al is large, after the sintering process and after cooling, the Ag pattern on the aluminum film cracks and is torn out.
본 발명의 목적은 태양전지의 후면 전극 형성시 주석 분말을 포함한 은 페이스트 조성물을 이용함으로써, Ag 패턴의 크랙 문제 없이, Ag와 알루미늄간의 뒤틀림 및 박리현상을 방지하고 BSF 형성이 원할히 이루어져 개방전압의 감소를 최소화할 수 있어서 태양전지의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 실리콘 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
It is an object of the present invention to provide a silver paste composition containing a tin powder in the formation of a back electrode of a solar cell to prevent twisting and peeling between Ag and aluminum without cracking of the Ag pattern, Can be minimized, thereby improving the electrical characteristics of the solar cell, and a method of manufacturing the same.
본 발명은 에미터 층 및 반사방지막이 형성된 제1도전형 반도체 기판의 배면에 알루미늄 페이스트 조성물을 도포하여 소정 두께의 알루미늄 막을 형성하는 단계;Forming an aluminum film having a predetermined thickness by applying an aluminum paste composition to a back surface of a first conductivity type semiconductor substrate on which an emitter layer and an antireflection film are formed;
상기 기판에 형성된 알루미늄 막 위에, 은 분말, 주석 분말, 글래스 프릿 분말 및 유기바인더를 포함하는 은 페이스트 조성물을 인쇄하여 Ag 패턴을 형성하는 단계; 및Printing a silver paste composition including silver powder, tin powder, glass frit powder, and an organic binder on an aluminum film formed on the substrate to form an Ag pattern; And
상기 알루미늄 막과 Ag 패턴을 갖는 기판을 동시에 소성하는 단계;Simultaneously firing the aluminum film and the substrate having the Ag pattern;
를 포함하는 것인 후면 전극의 제조방법을 제공한다.Wherein the back electrode is formed on the back electrode.
상기 주석 분말은 열팽창계수가 21x10-6/℃이고, 열전도도가 66.8 (W/mk, 25 ℃)이며, 평균입경이 0.1㎛ 내지 10㎛인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 주석 분말은 은 분말 100 중량부에 대하여 1 내지 20 중량부로 포함할 수 있다.The tin powder preferably has a thermal expansion coefficient of 21 x 10 -6 / 캜, a thermal conductivity of 66.8 (W / mk, 25 캜) and an average particle diameter of 0.1 탆 to 10 탆. The tin powder may be contained in an amount of 1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the silver powder.
상기 소성은 상온에서부터 1,000 ℃ 이내의 온도에서 수초에서 수분 동안 수행하며, 바람직하게는 5초 내지 3 분 이내의 시간 동안 수행된다. 상기 소성하는 단계를 통해, Ag 패턴이 알루미늄 막에 침투하여 소정의 Ag/Al 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The calcination is carried out at a temperature of from room temperature to 1,000 ° C for several seconds to several minutes, preferably for a time of from 5 seconds to 3 minutes or less. The step of firing may include a step in which the Ag pattern penetrates the aluminum film to form a predetermined Ag / Al pattern.
또한 본 발명의 따르면, (a) 제1 도전형 반도체 기판에 에미터층을 형성하는 단계;According to the present invention, there is also provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: (a) forming an emitter layer on a first conductivity type semiconductor substrate;
(b) 상기 에미터층 위에 반사방지막을 형성하는 단계; 및(b) forming an antireflection film on the emitter layer; And
(c) 상기 반사방지막 위에 소정 패턴으로 전면전극을 형성하는 단계, 및(c) forming a front electrode on the antireflection film in a predetermined pattern, and
(d) 상기 제1 도전형 반도체 기판의 배면에 상술한 방법으로 후면전극을 형성하는 단계;(d) forming a rear electrode on the rear surface of the first conductivity type semiconductor substrate by the method described above;
를 포함하는 실리콘 태양전지의 제조방법을 제공한다.
The present invention provides a method of manufacturing a silicon solar cell.
본 발명에 따르면, 실리콘 태양전지의 후면전극 형성시 알루미늄 페이스트 조성물과 함께 주석 분말을 포함한 은 페이스트 조성물을 이용함으로써, 알루미늄 막 위에 Ag 패턴 형성을 쉽게 할 수 있고, 또한 Ag 패턴의 크랙이 발생하지 않으며, 알루미늄과 은 사이에 접착력 향상으로 박리현상이 없을 뿐 아니라 기판에 형성된 Ag와 알루미늄간의 뒤틀림 현상도 방지하여 개방전압을 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명은 상기 주석 분말에 의해 기판과 전극간의 계면저항을 줄여서 태양전지의 전기적 특성을 향상시키는 효과가 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 후면 전극에 사용되는 은의 함량의 일부를 주석으로 대체함으로써, 은의 사용량을 감소시켜 은 분말의 가격 상승에도 대처할 수 있어서 경제적인 효과가 있다.
According to the present invention, by using a silver paste composition containing tin powder together with an aluminum paste composition in forming a back electrode of a silicon solar cell, it is possible to easily form an Ag pattern on an aluminum film, There is no peeling phenomenon due to an improvement in adhesion between aluminum and silver, and warping between Ag and aluminum formed on the substrate is prevented, thereby improving the open circuit voltage. Further, the present invention has the effect of improving the electrical characteristics of the solar cell by reducing the interface resistance between the substrate and the electrode by the tin powder. In addition, according to the present invention, the amount of silver used can be reduced by replacing a part of the silver used for the rear electrode with tin, thereby coping with an increase in the price of silver powder, which is economical.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술된 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 종래 기술에 따른 실리콘 태양전지의 개략적인 구조를 도시한 단면도이다.
도 2는 기존 후면 전극 형성용 은 페이스트 조성물을 이용한 후면 전극의 정면도 구조(a)와 후면 전극의 제조 공정도(b)를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 후면 전극 형성용 은 페이스트 조성물을 이용한 후면 전극의 정면도 구조(a)와 후면 전극의 제조 공정도(b)를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 구현예에 따라 제조되는 태양전지의 개략도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are incorporated in and constitute a part of the specification, illustrate preferred embodiments of the invention and, together with the description of the invention given above, serve to further the understanding of the technical idea of the invention, And should not be construed as limiting.
1 is a cross-sectional view showing a schematic structure of a conventional silicon solar cell.
2 is a cross-sectional view schematically showing a front view (a) of a back electrode and a manufacturing process (b) of a back electrode using a conventional silver paste composition for forming a back electrode.
3 is a cross-sectional view schematically showing a front view (a) of a back electrode and a manufacturing process (b) of a back electrode using a silver paste composition for forming a back electrode of the present invention.
4 is a schematic diagram of a solar cell manufactured according to an embodiment of the present invention.
이하에서 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail. The terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary terms and the inventor may appropriately define the concept of the term in order to best describe its invention It should be construed as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.
본 발명은 후면 전극을 형성시 도전성 주석 분말을 첨가제로 포함하는 은 페이스트 조성물을 이용하여 후면 전극의 알루미늄 막 위에 Ag 패턴을 용이하게 형성하는 방법과 이를 이용한 실리콘 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 이에, 본 발명은 기존에 비해 태양전지의 광전환 변환효율을 향상시킬 수 있는 후면 전극의 제조방법과 이를 이용한 실리콘 태양전지의 제조방법을 제공하고자 한다.The present invention relates to a method of easily forming an Ag pattern on an aluminum film of a rear electrode using a silver paste composition comprising conductive tin powder as an additive in forming a back electrode, and a method of manufacturing a silicon solar cell using the method. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a back electrode that can improve the light conversion efficiency of a solar cell, and a method of manufacturing a silicon solar cell using the same.
즉, 본 발명의 방법은 Ag와 알루미늄의 열팽창 계수를 줄이기 위해 열팽창계수가 중간 값을 가지는 주석(Sn)을 은 페이스트에 첨가함으로써, 소성후 Ag와 알루미늄 막간의 뒤틀림 현상을 해결할 수 있다.
That is, the method of the present invention can solve the twist phenomenon between the Ag and the aluminum film after firing by adding tin (Sn) having an intermediate thermal expansion coefficient to the silver paste in order to reduce the thermal expansion coefficient of Ag and aluminum.
그러면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 후면전극의 제조방법 및 실리콘 태양전지의 제조방법에 대하여 도면을 참고하여 보다 상세히 설명한다. 도 3 및 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 후면 전극의 제조 공정도와 이를 이용하여 제조된 실리콘 태양전지의 구조를 간략히 도시한 단면도들이다. 그러나, 이하 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a rear electrode and a method of manufacturing a silicon solar cell according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIGS. 3 and 4 are cross-sectional views schematically illustrating the structure of a silicon solar cell manufactured using the rear electrode according to a preferred embodiment of the present invention. It is to be understood, however, that the present invention is not limited to the embodiments described herein, and that the present invention is not limited thereto. It should be understood that various equivalents and modifications may be present.
먼저, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 후면 전극의 제조방법은, 제1도전형 반도체 기판의 배면에 알루미늄 페이스트 조성물을 도포하여 소정 두께의 알루미늄 막을 형성하는 단계; 상기 기판에 형성된 알루미늄 막 위에, 은 분말, 주석 분말, 글래스 프릿 분말 및 유기바인더를 포함하는 은 페이스트 조성물을 인쇄하여 Ag 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 알루미늄 막과 Ag 패턴을 갖는 기판을 동시에 소성하는 단계를 포함한다.First, a method of manufacturing a rear electrode according to a preferred embodiment of the present invention includes: forming an aluminum film having a predetermined thickness by applying an aluminum paste composition to a rear surface of a first conductivity type semiconductor substrate; Printing a silver paste composition including silver powder, tin powder, glass frit powder, and an organic binder on an aluminum film formed on the substrate to form an Ag pattern; And simultaneously firing the aluminum film and the substrate having the Ag pattern.
또한 상기 소성하는 단계를 통해, Ag 패턴이 알루미늄 막에 침투하여 소정의 Ag/Al 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 소성은 상온에서부터 1,000℃의 온도에서 수초 내지 수분 동안 수행할 수 있고, 바람직하게는 5초 내지 3 분 이내의 시간 동안 수행될 수 있다. 이때, 본 발명의 경우 상기 소성 과정에서, 온도를 상온에서 1000℃ 이내의 온도로 승온시킨 후 소성을 진행할 수 있다. 상기 제1도전형 반도체 기판은 p형 실리콘 기판일 수 있다.Further, the step of firing may include a step in which the Ag pattern penetrates the aluminum film to form a predetermined Ag / Al pattern. The firing can be carried out at a temperature of from room temperature to 1,000 DEG C for a few seconds to several minutes, preferably, from 5 seconds to 3 minutes or less. At this time, in the case of the present invention, in the firing process, the temperature may be raised to a temperature within a range of from room temperature to 1000 ° C, followed by firing. The first conductive semiconductor substrate may be a p-type silicon substrate.
보다 구체적으로 설명하면, 도 3은 본 발명의 후면 전극 형성용 은 페이스트 조성물을 이용한 후면 전극의 정면도 구조(a)와 후면 전극의 제조 공정도(b)를 개략적으로 도시한 단면도이다.More specifically, FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a front view (a) of a back electrode using a silver paste composition for forming a back electrode of the present invention and a manufacturing process (b) of a back electrode.
도 3을 참조하면, 후면 전극(205)은 알루미늄, 석영 실리카, 바인더 등이 첨가된 후면 전극용 알루미늄 페이스트와 함께 은 페이스트를 이용하여 기판(201)의 하부에 인쇄한 후 동시에 열처리를 시행하여 형성한다. 후면 전극의 열처리 시에는 전극 구성 물질인 알루미늄이 기판(201)의 하부를 통해 확산됨으로써 후면 전극(205)과 기판(201)의 경계면에 후면 전계(Back Surface field: 미도시)층이 형성될 수도 있다. 후면 전계층이 형성되면 캐리어가 기판(201)의 하부로 이동하여 재결합되는 것을 방지할 수 있다. 캐리어의 재결합이 방지되면 개방전압과 충실도가 상승하여 태양전지의 변환효율이 향상된다.Referring to FIG. 3, the
이러한 본 발명의 방법은 제1도전형 반도체 기판(201)에 통상의 방법으로 에미터층과 반사방지막을 형성하고, 상기 반도체 기판(201)의 배면에 알루미늄 페이스트를 소정의 두께로 도포하여 알루미늄 막(206)을 형성한다.In this method of the present invention, an emitter layer and an antireflection film are formed on a first conductivity
즉, 본 발명은 제1도전형의 불순물이 도핑된 실리콘 반도체로 이루어진 기판(201)을 준비하여 확산로(diffusion furnace)에 로딩한다. 여기서, 상기 기판(201)은 단결정, 다결정 또는 비정질 실리콘 반도체이고, 3족 원소인 B, Ga, In 등의 p형 불순물이 도핑되어 있다. 그런 다음, 확산로 내에 5족 원소인 P, As, Sb 등의 n형 불순물 소스를 산소 가스와 함께 주입하여 열산화 반응을 일으켜 기판(201)의 상부 표면에 n형 불순물이 함유된 산화막을 일정한 두께로 형성한다. 그리고 나서, 확산로의 온도를 800 ~ 900 ℃로 상승시켜 산화막 내에 포함된 n형 불순물을 기판(201)의 상부 표면으로 드라이브인(drive-in)시킨다. 이 때 충분한 양의 n형 불순물이 기판(201)으로 확산될 수 있도록 확산시간은 30 ~ 60 분 동안 유지시킨다. 그러면, 산화막에 포함된 n형 불순물이 기판(201)의 표면을 통해 내부로 확산됨으로써, 기판(201)의 상부에 일정한 두께로 n형 실리콘 반도체층으로 이루어진 에미터층(202)이 형성된다.That is, according to the present invention, a
상술한 n형 불순물의 확산 공정을 통해 에미터층에 주입된 n형 불순물의 농도는 에미터층의 표면에서 가장 높고 에미터층의 내부로 들어갈수록 가우시안 분포 또는 에러 함수에 따라 감소된다. 그리고 확산공정의 진행 시 충분한 양의 n형 불순물이 확산될 수 있도록 공정 조건이 조절되었으므로 에미터층의 최 상층부에는 고체 용해도 이상의 농도로 n형 불순물이 도핑된 데드 레이어가 존재하게 된다.The concentration of the n-type impurity injected into the emitter layer through the diffusion process of the n-type impurity is highest at the surface of the emitter layer and decreases with increasing Gaussian distribution or error function as it enters the emitter layer. Since the process conditions are adjusted so that a sufficient amount of the n-type impurity is diffused during the diffusion process, a dead layer doped with the n-type impurity is present in the uppermost layer of the emitter layer at a concentration higher than the solubility of the solid solution.
본 발명의 실시예에서 개시한 에미터층 형성 공정은 일 실시예에 불과하므로, 상기 에미터층 형성 공정은 본 발명이 속한 기술분야에서 알려진 다양한 공지의 공정들로 대체 가능할 것임은 자명하다.Since the emitter layer formation process disclosed in the embodiment of the present invention is only one embodiment, it is apparent that the emitter layer formation process can be replaced with various known processes known in the art.
이러한 방법으로 기판(201)과 에미터층에 반대 도전형의 불순물이 도핑되면, 기판(201)과 에미터층의 계면에는 p-n 접합이 형성된다. 상기 p-n 접합은 기판(201)에 n형 불순물을 도핑하고 에미터층에 p형 불순물을 도핑하여 형성해도 무방하다.In this way, when the
상술한 공정을 거쳐 에미터층이 형성되면, 그 상부에 에미터층의 표면 또는 벌크내에 존재하는 결함(예를 들어, 댕글링 본드)를 부동화하고 기판의 전면으로 입사되는 태양광의 반사율을 감소시키기 위한, 반사방지막을 형성한다. 이때 에미터층에 존재하는 결함이 부동화되면 소수 캐리어의 재결합 사이트가 제거되어 태양전지의 개방전압이 증가한다. 그리고 태양광의 반사율이 감소되면 p-n 접합까지 도달되는 빛의 량이 증대되어 태양전지의 단락전류가 증가한다. 이처럼 반사방지막에 의해 태양전지의 개방전압과 단락전류가 증가되면 그 만큼 태양전지의 변환효율이 향상된다. 반사방지막은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화질화막, MgF2, ZnS, MgF2, TiO2 및 CeO2 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 물질막이 조합된 다중막 구조를 갖도록 형성한다. 반사방지막은 진공 증착법, 화학 기상 증착법, 스핀 코팅, 스크린 인쇄 또는 스프레이 코팅에 의해 형성한다. 하지만 본 발명은 반사방지막의 구조와 형성 방법에 의해 한정되는 것은 아니다.When the emitter layer is formed through the above-described processes, a defect (for example, a dangling bond) existing in the surface or bulk of the emitter layer is immobilized on the emitter layer, and a reflectance Thereby forming an antireflection film. At this time, if the defect existing in the emitter layer is passivated, the recombination site of the minority carriers is removed and the open circuit voltage of the solar cell is increased. If the reflectivity of sunlight decreases, the amount of light reaching the pn junction increases, and the short circuit current of the solar cell increases. As the open-circuit voltage and the short-circuit current of the solar cell are increased by the antireflection film, the conversion efficiency of the solar cell is improved accordingly. The antireflection film may be formed of any one single film selected from the group consisting of a silicon nitride film, a silicon nitride film including hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, MgF 2 , ZnS, MgF 2 , TiO 2 and CeO 2 , So as to have a multi-film structure. The antireflection film is formed by vacuum deposition, chemical vapor deposition, spin coating, screen printing or spray coating. However, the present invention is not limited by the structure and the formation method of the antireflection film.
반사방지막의 형성이 완료되면, 상기 기판(201)의 하부에 스크린 인쇄 방법 등의 통상의 방법으로 알루미늄 페이스트를 도포하여 알루미늄 막을 형성하는 것이다.When the formation of the antireflection film is completed, an aluminum paste is applied to the lower portion of the
이어서, 상기 알루미늄 막(206) 위에 본 발명에 따른 주석 분말을 포함하는 은 페이스트를 소정의 패턴으로 인쇄하여 Ag 패턴(207)을 형성한다.Next, a silver paste containing tin powder according to the present invention is printed on the
상기 과정 다음으로, 상기 알루미늄 막(206)과 Ag 패턴(207)을 포함하는 반도체 기판을 동시에 소성한다. Next, the
상기 알루미늄 막(206)과 Ag 패턴(207)이 인쇄된 제1도전형 반도체 기판을 동시에 소성하면, Ag 패턴을 형성한 조성물 중의 주석 분말에 의해 열팽창계수 값이 줄어들어 주석분말과 은 분말이 알루미늄 페이스트내 공극 사이로 흘러 계면까지 일부 도달한다. 또한 글래스 프릿 성분이 Ag 패턴에서의 은 분말을 녹여 알루미늄 막에 침투하여, 소정의 Ag/Al 패턴이 형성되며, 이들과 기판 사이에는 p+층인 BSF층이 형성될 수 있다. 따라서, 상기 소성 과정을 통해 반도체 기판 위에 알루미늄 막(206)과 Ag/Al 패턴(208)을 포함하는 후면 전극(205)을 형성한다.When the
이때, 상기 후면전극을 형성하는 단계에서, 그 소성 조건은 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게 전지(cell) 측면에서 상온에서부터 1,000 ℃ 이내의 온도에서 수초 내지 수분 동안 수행하는 것이 좋다.At this time, in the step of forming the rear electrode, the firing conditions are not particularly limited, but it is preferable that the firing is performed for a few seconds to several minutes at a temperature within a range of from room temperature to 1,000 deg.
또한 상기 에미터층 및 반사 방지막이 형성된 제1도전형 반도체 기판은 p형 실리콘 기판으로서, The first conductivity type semiconductor substrate on which the emitter layer and the antireflection film are formed is a p-type silicon substrate,
이와 같이, 본 발명은 후면전극 형성시, 알루미늄 페이스트와 후면전극의 Ag를 형성하기 위한 은 페이스트를 순차적으로 기판 위에 형성한 후, 기판을 소성함으로써, 상기 알루미늄 페이스트와 은 페이스트가 동시에 소성되면서 후면 전극의 은 페이스트 내 함유된 주석 분말과 은 분말이 알루미늄 페이스트 내 공극 사이로 흘러들어가 실리콘 기판의 계면까지 일부 도달하게 된다. 이렇게 하여 Ag 패턴과 알루미늄 막 간의 뒤틀림이 없을 뿐 더러, 탈착도 없어서 전면적으로 알루미늄 인쇄가 가능해지며, 이에 따라 개방전압(Voc) 감소를 1~2 mV 수준으로 현저히 낮출 수 있다.
As described above, according to the present invention, silver paste for forming Ag of the aluminum paste and the rear electrode is sequentially formed on the substrate, and then the substrate is fired at the time of forming the rear electrode, so that the aluminum paste and the silver paste are simultaneously fired, The tin powder and silver powder contained in the silver paste of the silver paste flow into the gap between the aluminum paste and partially reach the interface of the silicon substrate. In this way, there is no warping between the Ag pattern and the aluminum film, and there is no detachment, so that the aluminum printing can be performed all over the surface, and the decrease of the open-circuit voltage (Voc) can be remarkably lowered to the level of 1 to 2 mV.
한편, 상기 후면전극 형성시 사용하는, 본 발명의 후면전극의 Ag 패턴 형성용 은(Ag) 페이스트 조성물의 경우, 은 분말, 글래스 프릿 및 유기 바인더를 포함하며, 태양전지의 효율 증가를 위해 열팽창계수가 21x10-6/℃이고, 열전도도가 66.8 (W/mk, 25 ℃)이며 평균입경이 0.1㎛ 내지 10㎛인 도전성 주석 분말을 포함하는 것을 특징으로 한다.Meanwhile, in the case of the silver (Ag) paste composition for forming the Ag pattern of the back electrode of the present invention used in the formation of the back electrode, silver powder, glass frit and organic binder are included. In order to increase the efficiency of the solar cell, and a 21x10 -6 / ℃, characterized in that the thermal conductivity comprises 66.8 (W / mk, 25 ℃ ) and the average particle diameter to 0.1㎛ 10㎛ the conductive tin powder.
상기 도전성 주석 분말은, 은 페이스트 조성물에 통상적으로 사용되는 은 분말(19 x10-6/℃)에 비해서 열팽창계수가 크고 알루미늄(23 x10-6/℃) 보다는 낮기 때문에, 기판의 소성후 주석 분말과 은 분말은 알루미늄 페이스트 내 공극 사이로 흘러 들어간 후 기판의 계면까지 주석분말과 은 분말이 기판의 계면까지 일부 도달할 수 있다. 따라서, 기존과 같이 Ag 패턴과 알루미늄이 뒤틀리는 문제가 없고 크랙도 발생하지 않는다. 또한 주석 분말은 녹는점이 은 분말보다 낮고 전자가 배출이 가능하여 전극에서 전자 이동의 통로를 제공할 수 있으므로 은 대체물질로 사용할 수 있다. 또한 상기 주석 분말에 의해 접착력을 향상시켜 글래스 프릿의 사용량을 줄일 수 있다. 그러므로, 본 발명은 기존에 비해 개방전압의 감소를 줄여서 경제적으로 실리콘 태양전지를 제조할 수 있다.Since the conductive tin powder has a thermal expansion coefficient higher than that of silver (19 x 10 -6 / ° C) commonly used in silver paste compositions and lower than aluminum (23 x 10 -6 / ° C), the tin powder The silver powder may partially reach the interface of the substrate with tin powder and silver powder to the interface of the substrate after flowing the powder between the pores in the aluminum paste. Therefore, there is no problem that the Ag pattern and the aluminum are twisted as in the conventional method, and no crack occurs. In addition, tin powder can be used as a substitute for silver since the melting point is lower than that of silver powder and electrons can be discharged to provide a path for electron transfer in the electrode. Further, the tin powder can improve the adhesive force and reduce the amount of glass frit used. Therefore, the present invention can reduce the decrease of the open-circuit voltage and manufacture the silicon solar cell economically.
또한 도전성 주석 분말의 함량도 적절히 사용하는 것이 좋은데, 예를 들어 은 분말 100 중량부에 대하여 1 내지 20 중량부로 사용하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 내지 15 중량부, 가장 바람직하게는 5 내지 10 중량부를 첨가하는 것이 좋다. 상기 도전성 주석 분말의 함량이 5 중량부 미만이면 Ag의 Al에 대한 부착력이 약한 문제가 있다. 또한 상기 주석 분말이 20 중량부 이상으로 포함될 경우 후막 전극인 Ag 전극의 전체적인 비저항이 10-6 대 이하로 떨어지게 되어 전류의 흐름이 원활하지 않게 되고, 이에 따라 전지(cell) 효율이 떨어지게 된다.The content of the conductive tin powder may be suitably used. For example, it is preferably 1 to 20 parts by weight, more preferably 5 to 15 parts by weight, and most preferably 5 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the silver powder. 10 parts by weight. If the content of the conductive tin powder is less than 5 parts by weight, there is a problem that the adhesion of Ag to Al is weak. Also, when the tin powder is contained in an amount of 20 parts by weight or more, the overall resistivity of the Ag electrode as the thick film electrode drops to 10 -6 or less, resulting in an insufficient flow of electric current, thereby deteriorating the cell efficiency.
또한 본 발명의 은 페이스트 조성물에 있어서, 주석이 Ag 성분 대체용으로 사용되긴 하나, Ag의 재결정을 막으면 않되므로, 주석이 녹게 되어 계면으로 흘러 들어가는 속도는 은 입자 크기 조절을 통해 가능하다. 은 입자를 큰 것으로만 사용할 경우 은 입자 사이의 빈 공극을 통해 주석이 빨리 계면 쪽으로 들어가기 때문에, 은 분말의 입경이 중요하며, 또한 탭 밀도(tap density) 조절도 필요하다. 따라서, 본 발명에서 사용하는 은 분말의 평균입경은 0.1㎛ 내지 10㎛이고 탭밀도는 2~7 g/cm3인 것이 바람직하다.In addition, in the silver paste composition of the present invention, tin is used for replacing Ag components, but it is not necessary to prevent recrystallization of Ag. Therefore, the rate at which tin is melted and flows into the interface can be controlled by controlling the silver particle size. When silver particles are used only as a large particle, the particle size of the silver powder is important and the adjustment of the tap density is also necessary because the tin quickly enters the interface through the voids between the particles. Therefore, it is preferable that the silver powder used in the present invention has an average particle diameter of 0.1 to 10 mu m and a tap density of 2 to 7 g / cm < 3 >.
상기 은 분말의 함량은 전체 은 페이스트 조성물에 대하여 50 내지 80 중량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 60 내지 70 중량%인 것이 좋다. 상기 은 분말의 함량이 50 중량% 미만이면 비저항이 낮아지는 문제가 있고, 80 중량%를 초과시 비저항에는 거의 변화가 없기 때문에 과다한 양에 비해 효과적이지 않다.The total amount of the silver powder is preferably 50 to 80% by weight, more preferably 60 to 70% by weight based on the paste composition. When the content of the silver powder is less than 50% by weight, there is a problem that the resistivity is lowered. When the content is more than 80% by weight, there is little change in the resistivity.
본 발명에서 사용될 수 있는 글래스 프릿 분말은 당분야에서 사용되는 글래스 프릿이 제한 없이 사용될 수 있다. 이러한 글래스 프릿 분말의 예를 들면, 납산화물 및/또는 비스무트 산화물을 포함할 수 있다. 구체적으로는 SiO2-PbO계, SiO2-PbO-B2O3계, Bi2O3-B2O3-SiO2계, 또는 PbO-Bi2O3-B2O3-SiO2계 분말 등이 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The glass frit powder that can be used in the present invention can be used without limitation as the glass frit used in the art. Examples of such glass frit powders may include lead oxides and / or bismuth oxides. Specifically, SiO 2 -PbO-based, SiO 2 -PbO-B 2 O 3 type, Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 series, or a PbO-Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 based Powder, etc. may be used alone or in combination of two or more, but the present invention is not limited thereto.
상기 유기 바인더는 은 분말, 글래스 프릿 및 소성 보조제를 페이스트 상으로 제조하기 위해 사용하며, 본 발명에서 사용되는 유기 바인더는 페이스트 조성물을 제조하기 위해 당분야에서 사용되는 유기 바인더라면 제한없이 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 바인더는 셀룰로오스 수지, 아크릴계 수지, 부틸카르비톨 및 터피네올로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 바람직하게 에틸 셀룰로오스 또는 아크릴레이트 계열의 폴리머 수지를 사용할 수 있다.The organic binder is used to prepare silver powder, glass frit, and plasticizer as a paste. The organic binder used in the present invention may be any organic binder used in the art to prepare the paste composition. For example, the organic binder may be any one or a mixture of two or more selected from the group consisting of cellulose resin, acrylic resin, butyl carbitol and terpineol, but is not limited thereto. Preferably, ethyl cellulose or acryl A polymer resin of a rate series can be used.
또한 상기 글래스 프릿과 유기바인더의 함량은 전극 형성이 용이하고, 스크린 프린팅에 매우 용이한 점도를 가지며, 스크린프린팅 후 페이스트가 흘러내리는 것을 방지하여 적합한 종횡비(Aspect ratio)를 나타낼 수 있는 범위라면, 그 범위가 특별히 한정되지 않는다.The content of the glass frit and the organic binder is in a range that can easily form an electrode, has a very easy viscosity for screen printing, can prevent a paste from flowing down after screen printing and can exhibit an appropriate aspect ratio, The range is not particularly limited.
예를 들면, 상기 글래스 프릿의 함량은 전체 은 페이스트 조성물에 대하여 0.5 내지 6 중량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 5 중량%, 가장 바람직하게는 2 내지 4 중량%인 것이 좋다. 상기 글래스 프릿의 함량이 0.5 중량% 미만이면 Ag 전극의 부착력이 약해지는 문제가 있고, 6 중량%를 초과하면 글래스 프릿에 의해 선저항 및 비저항이 높아질 수 있다.For example, the content of the glass frit as a whole is preferably 0.5 to 6% by weight, more preferably 1 to 5% by weight, and most preferably 2 to 4% by weight based on the paste composition. If the content of the glass frit is less than 0.5 wt%, there is a problem that the adhesion force of the Ag electrode is weakened. When the content is more than 6 wt%, the line resistance and the resistivity can be increased by the glass frit.
또한 상기 유기 바인더의 함량은 전체 은 페이스트 조성물에 대하여 15 내지 30 중량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20 내지 25 중량%인 것이 좋다. 상기 유기 바인더의 함량이 15 중량% 미만이면 점착성이 미비하여 페이스트 성분들의 혼합이 용이하지 않고 또한 유기 바인더 사용에 따른 기판과의 접착력을 충분히 얻을 수 없으며, 30 중량%를 초과하면 점도가 너무 떨어지거나 페이스트 조성물의 burn out이 잘 안될 수 있다.The content of the organic binder is preferably 15 to 30% by weight, more preferably 20 to 25% by weight based on the paste composition. If the content of the organic binder is less than 15% by weight, the adhesive properties are insufficient and the paste components are not easily mixed. Also, the adhesive strength to the substrate due to the use of the organic binder can not be sufficiently obtained. When the content exceeds 30% by weight, The burn out of the paste composition may be difficult.
본 발명의 은 페이스트 조성물은 상기 각 성분들이 균일하게 분산되도록 당분야에 알려진 다양한 방법으로 혼합시켜 얻을 수 있다.The silver paste composition of the present invention can be obtained by mixing in various ways known in the art so that the respective components are uniformly dispersed.
선택적으로, 본 발명의 은 페이스트 조성물은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 추가적인 첨가제를 더 포함할 수 있다. 예를 들면 도전성 금속 입자, 소포제, 분산제, 가소제 등을 필요에 따라 본 발명의 조성물에 더 첨가할 수 있다. 또한 본 발명의 상기 은 페이스트 조성물은 유기용매를 더 포함할 수도 있다.Alternatively, the silver paste compositions of the present invention may further comprise additional additives within the scope of the present invention. For example, conductive metal particles, antifoaming agents, dispersants, plasticizers and the like may be further added to the composition of the present invention as needed. The silver paste composition of the present invention may further comprise an organic solvent.
본 발명의 은 페이스트 조성물의 제조방법을 설명하면 다음과 같다. 기본적으로는, 은 분말, 글래스 프릿 분말, 바인더 및 상기 도전성 주석계 분말을 동시에 넣고 혼합하는 방법을 이용해 페이스트 제조가 가능하다. 각 성분들의 혼합은 3롤 밀(3 roll mill) 등을 이용하여 균일하게 혼합할 수 있다.A method for producing the silver paste composition of the present invention will be described below. Basically, it is possible to manufacture a paste using a method in which silver powder, glass frit powder, binder and the conductive tin-based powder are simultaneously mixed and mixed. Mixing of the components can be uniformly carried out using a three roll mill or the like.
또한, 본 발명에서 상기 알루미늄 페이스트 조성물은 알루미늄 분말, 글래스 프릿, 유기 용매 및 유기 바인더를 포함할 수 있으며, 각 성분은 통상적으로 잘 알려진 것을 사용 가능하고, 그 종류 및 함량이 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 글래스 프릿, 유기 용매, 유기 바인더는 상기 은 페이스트 조성물에 사용되는 것과 동일한 것을 사용 가능하다. 또한 알루미늄 분말도 통상의 것이 사용 가능하다.
In the present invention, the aluminum paste composition may include aluminum powder, glass frit, an organic solvent, and an organic binder, and each component may be a commonly known one, and the kind and content thereof are not particularly limited. For example, the glass frit, organic solvent, and organic binder may be the same as those used in the silver paste composition. Aluminum powders may also be used in common.
이하에서는 본 발명의 은 페이스트 조성물을 사용하여 제조된 후면 전극을 이용한 실리콘 태양전지 및 그 제조방법의 일 실시예로서 도 4를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a silicon solar cell using a rear electrode manufactured using the silver paste composition of the present invention and a method of manufacturing the same will be described with reference to FIG.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘 태양전지의 제조방법은, A method of manufacturing a silicon solar cell according to a preferred embodiment of the present invention includes:
(a) 제1 도전형 반도체 기판에 에미터층을 형성하는 단계;(a) forming an emitter layer on a first conductivity type semiconductor substrate;
(b) 상기 에미터층 위에 반사방지막을 형성하는 단계; 및(b) forming an antireflection film on the emitter layer; And
(c) 상기 반사방지막 위에 소정 패턴으로 전면전극을 형성하는 단계, 및(c) forming a front electrode on the antireflection film in a predetermined pattern, and
(d) 상기 제1 도전형 반도체 기판의 배면에 상기 방법으로 후면전극을 형성하는 단계;를 포함한다.(d) forming a rear electrode on the back surface of the first conductivity type semiconductor substrate in the above-described manner.
또한 상기 전면전극을 형성하는 단계에서, 상기 반사방지막 위에 소정 패턴으로 전면전극 형성용 페이스트를 인쇄하고 소성하여, 전면 전극이 반사방지막을 관통하여 상기 에미터층에 접속되는 단계를 포함할 수 있다.The step of forming the front electrode may include printing and firing a front electrode forming paste in a predetermined pattern on the antireflection film and connecting the front electrode to the emitter layer through the antireflection film.
즉, 본 발명은 상기 후면 전극 형성시와 동일하게 제1도전형의 불순물이 도핑된 실리콘 반도체로 이루어진 기판(201)을 준비한 후, 상기 기판(201)의 상부에 일정한 두께로 n형 실리콘 반도체층으로 이루어진 에미터층(202)을 형성한다.That is, in the present invention, a
구체적으로 본 발명은 상기 후면 전극 제조시 사용하는 제1도전형의 불순물이 도핑된 실리콘 반도체로 이루어진 기판(201)을 준비하여 확산로(diffusion furnace)에 로딩한다. 그런 다음, 확산로 내에 5족 원소인 P, As, Sb 등의 n형 불순물 소스를 산소 가스와 함께 주입하여 열산화 반응을 일으켜 기판(201)의 상부 표면에 n형 불순물이 함유된 산화막을 일정한 두께로 형성한다. 그리고 나서, 확산로의 온도를 800 ~ 900 도로 상승시켜 산화막 내에 포함된 n형 불순물을 기판(201)의 상부 표면으로 드라이브인(drive-in)시킨다. 이 때 충분한 양의 n형 불순물이 기판(201)으로 확산될 수 있도록 확산시간은 30 ~ 60 분 동안 유지시킨다. 그러면, 산화막에 포함된 n형 불순물이 기판(201)의 표면을 통해 내부로 확산됨으로써, 기판(201)의 상부에 일정한 두께로 n형 실리콘 반도체층으로 이루어진 에미터층(202)이 형성된다.Specifically, the present invention provides a
상술한 n형 불순물의 확산 공정을 통해 에미터층(202)에 주입된 n형 불순물의 농도는 에미터층(202)의 표면에서 가장 높고 에미터층(202)의 내부로 들어갈수록 가우시안 분포 또는 에러 함수에 따라 감소된다. 그리고 확산공정의 진행 시 충분한 양의 n형 불순물이 확산될 수 있도록 공정 조건이 조절되었으므로 에미터층(202)의 최 상층부에는 고체 용해도 이상의 농도로 n형 불순물이 도핑된 데드 레이어가 존재하게 된다.The concentration of the n-type impurity implanted into the
본 발명의 실시예에서 개시한 에미터층 형성 공정은 일 실시예에 불과하므로, 상기 에미터층(202) 형성 공정은 본 발명이 속한 기술분야에서 알려진 다양한 공지의 공정들로 대체 가능할 것임은 자명하다.It is obvious that the emitter layer formation process disclosed in the embodiment of the present invention is only one embodiment, and therefore, the process of forming the
이러한 방법으로 기판(201)과 에미터층(202)에 반대 도전형의 불순물이 도핑되면, 기판(201)과 에미터층(202)의 계면에는 p-n 접합이 형성된다. 상기 p-n 접합은 기판(201)에 n형 불순물을 도핑하고 에미터층(202)에 p형 불순물을 도핑하여 형성해도 무방하다.When the
상술한 공정을 거쳐 에미터층(202)이 형성되면, 그 상부에 에미터층의 표면 또는 벌크내에 존재하는 결함(예를 들어, 댕글링 본드)를 부동화하고 기판의 전면으로 입사되는 태양광의 반사율을 감소시키기 위한, 반사방지막(203)을 형성한다. 이때 에미터층(202)에 존재하는 결함이 부동화되면 소수 캐리어의 재결합 사이트가 제거되어 태양전지의 개방전압이 증가한다. 그리고 태양광의 반사율이 감소되면 p-n 접합까지 도달되는 빛의 량이 증대되어 태양전지의 단락전류가 증가한다. 이처럼 반사방지막(203)에 의해 태양전지의 개방전압과 단락전류가 증가되면 그 만큼 태양전지의 변환효율이 향상된다. 반사방지막(203)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화질화막, MgF2, ZnS, MgF2, TiO2 및 CeO2 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 물질막이 조합된 다중막 구조를 갖도록 형성한다. 반사방지막(203)은 진공 증착법, 화학 기상 증착법, 스핀 코팅, 스크린 인쇄 또는 스프레이 코팅에 의해 형성한다. 하지만 본 발명은 반사방지막(203)의 구조와 형성 방법에 의해 한정되는 것은 아니다.When the
이어서, 상기 에미터층(202) 형성후, 통상의 스크린 인쇄법을 이용하여 n형 불순물이 도핑된 에미터층(202) 상부의 전면 전극(204) 접속 지점에 식각 마스크 패턴(미도시)을 형성할 수 있다. 또한, 필요에 따라 에미터층에 대한 에치-백을 진행할 수 있고, 기판 표면에 잔류하는 식각 마스크 패턴을 제거하여 선택적 에미터층을 형성할 수도 있다.After the formation of the
이어서, 반사방지막(203)의 형성이 완료되면, 에미터층(202)의 상부와 기판(201)의 하부에 각각 상부 전극인 전면 전극(204)과 하부 전극인 후면 전극(205)을 접속시킨다. 상기 전면 전극(204)은 공지된 여러 가지 기술에 의해 제조 가능하지만, 바람직하게는 스크린 인쇄법에 의해 형성될 수 있다. 즉, 전면 전극(204)은 상기 에미터층의 전면 전극 형성 지점에 은(Ag), 글래스 프릿 및 바인더 등이 첨가된 전면 전극용 페이스트를 스크린 인쇄한 후 열처리를 시행하여 형성한다. 열처리가 시행되면 펀치 쓰루(punch through) 현상에 의해 전면 전극(204)이 반사방지막(203)을 관통하여 에미터층(202)과 접속된다. 특히, 후면 전극은 상술한 본 발명의 방법대로 상기 에미터층 및 반사방지막이 형성된 제1도전형 반도체 기판의 배면에 후면 전극을 형성함으로써, 실리콘 태양전지의 구조를 완성한다.Then, when the formation of the
본 발명에 있어서, 상기 전면 전극(204)과 후면 전극(205)를 형성하기 위해 페이스트를 인쇄하는 방법에 있어서, 스크린 인쇄법 이외에도 통상적인 사진 식각 공정과 금속 증착 공정을 이용하여 형성할 수도 있다. 또한 본 발명에서 전면전극 및 후면전극 형성시 인쇄방법은 상술한 닥터블레이드, 잉크젯 인쇄, 그라비아 인쇄와 같은 통상의 방법을 사용할 수도 있다. 따라서 본 발명은 전면 전극(204) 및 후면 전극(205)의 형성을 위해 적용되는 공정에 의해 한정되지 않는다.In the present invention, the method of printing the paste for forming the
상기 방법을 통해서, 바람직한 구현예에 따르면, 도 4에 도시된 바대로, 본 발명에 따른 실리콘 태양전지는, 실리콘 반도체 기판(201), 상기 기판(201)의 상부에 형성되는 에미터층(202), 상기 에미터층(202) 상에 형성된 반사방지막(203), 상기 반사방지막(203)을 관통하여 에미터층(202)의 상부 표면과 접속된 전면 전극(204), 및 상기 기판(201)의 배면에 접속된 본 발명에 따른 방법으로 제조된 후면 전극(205)을 포함한다. 또한 상기 방법으로 제조된 실리콘 태양전지는 광전환 개방전압이 0.625~0.634 V일 수 있다.
4, the silicon solar cell according to the present invention includes a
이하, 발명의 구체적인 실시예를 통해, 발명의 작용 및 효과를 보다 상세히 상술하기로 한다. 다만, 이러한 실시예는 발명의 예시로 제시된 것에 불과하며, 이에 의해 발명의 권리범위가 정해지는 것은 아니다.
Best Mode for Carrying Out the Invention Hereinafter, the function and effect of the present invention will be described in more detail through a specific embodiment of the present invention. It is to be understood, however, that these embodiments are merely illustrative of the invention and are not intended to limit the scope of the invention.
<< 비교예Comparative Example 1 및 1 and 실시예Example 1 내지 4> 1 to 4>
하기 표 1의 조성과 함량으로 각 성분을 혼합하여 은 페이스트 조성물을 제조하였다 (단위: 중량%).The silver paste compositions were prepared by mixing the respective components according to the composition and contents shown in Table 1 below (unit: wt%).
은 분말은 평균입경 3μ의 입자를 사용하고, 평균입경 2μ의 주석입자를 사용하고, 글래스 프릿은 비스무스 산화물을 포함하는 평균입경 2μ인 것을 사용하였고, 유기바인더는 에틸셀룰로오스를 사용하였다. 이때, 은과 주석의 물성은 표 2와 같다.Silver powder having an average particle diameter of 3 mu and tin particles having an average particle diameter of 2 mu were used. Glass frit having an average particle diameter of 2 mu containing bismuth oxide was used, and ethyl cellulose was used as the organic binder. Table 2 shows the properties of silver and tin.
(중량%)Silver powder
(weight%)
(중량%)Glass frit
(weight%)
(중량%)Organic binder
(weight%)
<< 실시예Example 5-8> 5-8>
도 3의 실리콘 태양전지를 제조하기 위하여, 도 4의 방법을 이용하여 후면 전극을 제조하였다.To fabricate the silicon solar cell of FIG. 3, the back electrode was fabricated using the method of FIG.
즉, 실리콘 반도체 기판(201)을 준비하여, 통상의 방법으로 하고, 에미터층, 반사방지막 및 전면 전극을 형성하였다.That is, the
이어서, 도 4의 방법에 따라 상기 기판(201)의 배면에 알루미늄 분말, 글래스 프릿, 에틸셀룰로오스 및 터피네올을 함유한 알루미늄 페이스트 조성물을 10~30μ 두께로 스크린 인쇄 방법으로 도포하였다. 이후 상기 도포된 막 위에 상기 실시예 1 내지 4에서 제조된 은 페이스트 조성물을 소정의 패턴으로 각각 도포하였다 (두께: 20~30μ). 그런 다음 상기 기판을 상온에서 900 ℃의 온도로 승온시키면서 진행하여, 기판(201) 위에 알루미늄 막(207)과 소정의 Ag/Al 패턴(208)을 포함하는 후면전극(205)을 형성하였다.Next, an aluminum paste composition containing aluminum powder, glass frit, ethyl cellulose and terpineol was applied to the back surface of the
상기 방법을 통해, 상기 기판(201)의 상부에 에미터층(202)과 에미터층(202) 상에 반사방지막(203)을 순차적으로 형성하고, 상기 반사방지막(203)을 관통하여 에미터층(202)의 상부 표면과 접속된 전면 전극(204), 및 상기 기판(201)의 배면에 접속되며, 소정의 Ag 패턴이 알루미늄 층을 관통하여 Ag/Al 패턴을 형성하는 후면 전극(205)을 포함하는 구조의 실리콘 태양전지를 제조하였다 (실시예 5 내지 8).
An
<< 비교예Comparative Example 2> 2>
통상적인 알루미늄 페이스트와 비교예 1의 은 페이스트를 이용하여, 도 2의 방법대로 후면전극을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일한 방법으로 실리콘 태양전지를 제조하였다.
A silicon solar cell was produced in the same manner as in Example 5, except that a conventional aluminum paste and a silver paste of Comparative Example 1 were used to form the rear electrode according to the method of Fig.
<< 실험예Experimental Example >>
상기 실시예 5-8 및 비교예 2의 실리콘 태양전지에 대하여, 통상적인 방법으로 물성을 측정하여 그 결과를 표 3에 나타내었다.The properties of the silicon solar cells of Examples 5-8 and Comparative Example 2 were measured by a conventional method, and the results are shown in Table 3.
○: 1~2N/mm
△: 0.5~1N/mm
×: 0.5N/mm 이하Note) Adhesion evaluation standard
?: 1 to 2 N / mm
?: 0.5 to 1 N / mm
X: 0.5 N / mm or less
상기 표 3에서 보면, 본 발명의 실시예 5 내지 8은 비저항이 높은 주석분말을 포함한 은 페이스트 조성물을 이용함으로써, 부착력과 전기적 특성(개방전압)이 우수하고, 특히 비저항 특성도 향상시켰음을 알 수 있다.As shown in Table 3, Examples 5 to 8 of the present invention show that the silver paste composition containing tin powder having a high specific resistance has excellent adhesion and electric characteristics (open-circuit voltage) have.
반면, 기존 일반적으로 사용되는 비교예 1의 은 페이스트 조성물을 사용하면, 개방전압은 일정 수준을 나타내어도 부착력이 떨어지고, 특히 비저항이 10-6 이하로 떨어졌다. 이에 따라, 비교예 2는 전류의 흐름이 원활하지 않게 되고, 전지(cell) 효율이 떨어졌다.
On the other hand, when the conventional silver paste composition of Comparative Example 1 was used, the open-circuit voltage was low even when the open-circuit voltage reached a certain level, and the resistivity dropped to 10 < -6 > As a result, in Comparative Example 2, the current flow was not smooth and the cell efficiency dropped.
101, 201: 기판 102, 202: 에미터층
103, 203: 반사방지막
204: 전면 전극 105, 205: 후면 전극
106, 206: 알루미늄 막 107: Ag 패턴
207: Ag 패턴 208: Ag/Al 패턴101, 201:
103, 203: antireflection film
204:
106, 206: Aluminum film 107: Ag pattern
207: Ag pattern 208: Ag / Al pattern
Claims (13)
상기 기판에 형성된 알루미늄 막 위에, 은 분말, 주석 분말, 글래스 프릿 분말 및 유기바인더를 포함하는 은 페이스트 조성물을 인쇄하여 Ag 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 알루미늄 막과 Ag 패턴을 갖는 기판을 동시에 소성하는 단계;
를 포함하며,
상기 주석 분말은 열팽창계수가 21x10-6/℃이고, 열전도도가 66.8 (W/mk, 25 ℃)이며, 평균입경이 0.1㎛ 내지 10㎛이고,
상기 은 분말의 평균입경은 0.1μ 내지 10μ 이고 탭밀도는 2~7 g/cm3 인 후면 전극의 제조방법.Forming an aluminum film having a predetermined thickness by applying an aluminum paste composition to the back surface of the first conductivity type semiconductor substrate having the emitter layer and the antireflection film formed thereon;
Printing a silver paste composition including silver powder, tin powder, glass frit powder, and an organic binder on an aluminum film formed on the substrate to form an Ag pattern; And
Simultaneously firing the aluminum film and the substrate having the Ag pattern;
/ RTI >
The tin powder has a thermal expansion coefficient of 21x10 < -6 > / DEG C, a thermal conductivity of 66.8 (W / mk, 25 DEG C), an average particle diameter of 0.1 mu m to 10 mu m,
Wherein the silver powder has an average particle diameter of 0.1 mu m to 10 mu m and a tap density of 2 to 7 g / cm < 3 >.
(b) 상기 에미터층 위에 반사방지막을 형성하는 단계; 및
(c) 상기 반사방지막 위에 소정 패턴으로 전면전극을 형성하는 단계, 및
(d) 상기 제1 도전형 반도체 기판의 배면에 제1항에 따른 방법으로 후면전극을 형성하는 단계;
를 포함하는 실리콘 태양전지의 제조방법.(a) forming an emitter layer on a first conductivity type semiconductor substrate;
(b) forming an antireflection film on the emitter layer; And
(c) forming a front electrode on the antireflection film in a predetermined pattern, and
(d) forming a rear electrode on the back surface of the first conductivity type semiconductor substrate by the method according to claim 1;
≪ / RTI >
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| KR1020110129692A KR101648918B1 (en) | 2011-12-06 | 2011-12-06 | Method for preparation back electrode using Ag paste composition and method for forming silicon solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110129692A KR101648918B1 (en) | 2011-12-06 | 2011-12-06 | Method for preparation back electrode using Ag paste composition and method for forming silicon solar cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130063265A KR20130063265A (en) | 2013-06-14 |
| KR101648918B1 true KR101648918B1 (en) | 2016-08-18 |
Family
ID=48860668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110129692A KR101648918B1 (en) | 2011-12-06 | 2011-12-06 | Method for preparation back electrode using Ag paste composition and method for forming silicon solar cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101648918B1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100890866B1 (en) | 2005-04-14 | 2009-03-27 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | Electroconductive thick film compositions, electrodes, and semiconductor devices formed therefrom |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8575474B2 (en) * | 2006-03-20 | 2013-11-05 | Heracus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Solar cell contacts containing aluminum and at least one of boron, titanium, nickel, tin, silver, gallium, zinc, indium and copper |
| KR101542583B1 (en) * | 2009-05-28 | 2015-08-07 | 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 | Solar cell and method for manufacturing the same |
| KR20110121427A (en) * | 2010-04-30 | 2011-11-07 | 동우 화인켐 주식회사 | Silver paste composition for solar cell back electrode |
-
2011
- 2011-12-06 KR KR1020110129692A patent/KR101648918B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100890866B1 (en) | 2005-04-14 | 2009-03-27 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | Electroconductive thick film compositions, electrodes, and semiconductor devices formed therefrom |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130063265A (en) | 2013-06-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20111206 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20140729 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20111206 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20150720 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20160127 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20160726 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20160810 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20160810 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190625 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190625 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210719 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220725 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20230627 Start annual number: 8 End annual number: 8 |