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KR101648269B1 - Apparatus and Method for Evaluation Platform of Charged Particle Beam System - Google Patents

Apparatus and Method for Evaluation Platform of Charged Particle Beam System Download PDF

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Publication number
KR101648269B1
KR101648269B1 KR1020140155478A KR20140155478A KR101648269B1 KR 101648269 B1 KR101648269 B1 KR 101648269B1 KR 1020140155478 A KR1020140155478 A KR 1020140155478A KR 20140155478 A KR20140155478 A KR 20140155478A KR 101648269 B1 KR101648269 B1 KR 101648269B1
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charged particle
particle beam
virtual source
source position
measuring
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한철수
조복래
박인용
안상정
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한국표준과학연구원
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Abstract

본 발명은 전자빔 또는 이온빔과 같은 하전입자빔 기반의 측정 및 가공장치의 특성을 파악할 수 있도록 가상 하전입자원 위치, 크기, 각전류밀도 등을 측정하고 평가하는 평가 플랫폼 장치 및 하전입자빔 시스템 평가방법에 관한 것이다. 이를 위하여 하전입자 소스에서 방출되는 하전입자빔이 통과하는 챔버; 챔버 내에 구비되고, 하전입자빔의 경로에 위치되어 하전입자빔의 크기를 제한하는 애퍼처; 및 챔버 일측에 구비되고, 하전입자빔의 경로에 위치되어 애퍼처를 통과한 하전입자빔의 이미지가 맺히는 스크린;을 포함하고, 스크린에 맺히는 하전입자빔의 이미지를 토대로 하전입자빔 시스템 및 하전입자 소스 중 적어도 하나의 평가를 수행하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치가 제공될 수 있다. 이에 따르면 하전입자빔 시스템에서 소스 및 시스템의 정밀한 평가가 하나의 플랫폼 장치에서 가능해지는 효과가 있다. The present invention relates to an evaluation platform device for measuring and evaluating the position, size, and current density of a virtual charged particle source, and a charged particle beam system evaluation method for grasping characteristics of a charged particle beam based measurement device and a processing device such as an electron beam or an ion beam . A chamber through which a charged particle beam emitted from a charged particle source passes; An aperture disposed in the chamber and positioned in the path of the charged particle beam to limit the size of the charged particle beam; And a screen provided at one side of the chamber and positioned in the path of the charged particle beam to form an image of the charged particle beam that has passed through the aperture and is configured to form a charged particle beam based on the image of the charged particle beam projected onto the screen, Source of the charged particle beam can be evaluated. According to this, the accurate evaluation of the source and system in the charged particle beam system is possible in one platform device.

Description

하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치 및 하전입자빔 시스템 평가방법{Apparatus and Method for Evaluation Platform of Charged Particle Beam System}Technical Field [0001] The present invention relates to an evaluation platform for a charged particle beam system and a charged particle beam system evaluation method for the charged particle beam system,

본 발명은 하전입자빔 시스템의 평가 플랫폼 장치 및 하전입자빔 시스템 평가방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자빔 또는 이온빔과 같은 하전입자빔 기반의 측정 및 가공장치의 특성을 파악할 수 있도록 가상 하전입자원 위치, 크기, 각전류밀도 등을 측정하고 평가하는 평가 플랫폼 장치 및 하전입자빔 시스템 평가방법에 관한 것이다.The present invention relates to an evaluation platform apparatus for a charged particle beam system and a method for evaluating a charged particle beam system. More particularly, the present invention relates to a method for evaluating a charged particle beam system, The present invention relates to an evaluation platform apparatus and a charged particle beam system evaluation method for measuring and evaluating position, size, current density, and the like.

일반적으로 전자현미경이나 이온현미경의 소스(Source)로 사용되는 전자빔(Electron beam) 또는 이온빔(Ion beam)을 하전입자빔(Charged particle beam)이라 한다. 이러한 하전입자빔은 진공 속에서 하전입자들을 자기렌즈(Magnetic lens) 또는 정전렌즈(Electrostatic lens)를 이용하여 집속시켜 만드는 것이 일반적이다.Generally, an electron beam or an ion beam used as a source of an electron microscope or an ion microscope is referred to as a charged particle beam. Such a charged particle beam is generally made by focusing charged particles in a vacuum using a magnetic lens or an electrostatic lens.

하전입자빔 시스템이란 하전입자빔을 생성하는 하전입자빔 생성 장치, 하전입자빔을 제어하는 하전입자 광학계, 및 하전입자빔을 시료에 조사하여 측정하거나 가공하는 시스템을 의미한다.A charged particle beam system refers to a charged particle beam generating apparatus that generates a charged particle beam, a charged particle optical system that controls a charged particle beam, and a system that irradiates a charged particle beam to measure or process the charged particle beam.

전자빔을 이용한 시료 측정장치에는 주사전자현미경인 SEM(Scanning Electron Microscope)과 투과전자현미경인 TEM(Transmission Electron Microscope)이 있다. 주사전자현미경은 전자빔이 시료면 위를 주사(scanning)할 때 시료에서 발생되는 여러 가지 신호 중 발생확률이 가장 많은 이차전자(second?ry electron) 또는 후방 산란전자(back scattered electron)를 검출하는 것으로 대상 시료를 관찰한다. 투과전자현미경은 고에너지를 갖는 전지빔이 전자렌즈계를 거쳐 시료를 통과하여 고분해능 이미지 수집장치에 상을 맺게 하여 시료의 내부 구조를 관찰한다.SEM (Scanning Electron Microscope), which is a scanning electron microscope, and TEM (Transmission Electron Microscope), which is a transmission electron microscope, are used for measuring a sample using an electron beam. The scanning electron microscope detects secondary electrons or back scattered electrons having the highest probability of occurrence of various signals generated in the sample when the electron beam is scanned over the sample surface Observe the target sample. The transmission electron microscope observes the internal structure of the sample by causing the high-energy battery beam to pass through the sample through the electron lens system to form an image on the high-resolution image collecting device.

이온빔을 이용한 시료 측정/가공/분석 장치에는 FIB(Focused Ion Beam), HIM(Helium Ion Microscope), SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometer), RGA(Residual Gas Analyzer), 질량분석기(Mass spectrometer) 등이 있다.
FIB (Focused Ion Beam), HIM (Helium Ion Microscope), SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometer), RGA (Residual Gas Analyzer) and mass spectrometer are available for measuring / processing / analyzing samples using ion beam.

KR 등록특허 10-0345362KR Patent No. 10-0345362 KR 공개특허 10-2013-0113384KR Patent Publication No. 10-2013-0113384 KR 등록특허 10-1405901KR Patent No. 10-1405901 KR 공개특허 10-2014-0103879KR Patent No. 10-2014-0103879

이러한 하전입자빔 시스템에서는 수 나노미터 수준의 측정 분해능과 가공 정밀도가 요구되기 때문에 하전입자빔 시스템을 구성하는 핵심 구성품인 하전입자원이나 하전입자빔 광학계의 설계 값을 정밀하게 평가할 필요성이 있다. 그러나 하전입자빔 소스나 하전입자빔 광학계 시스템을 평가하기 위해서 복잡한 구조의 장치를 구성해야하거나, 통합된 기능을 가진 평가 시스템이 별도로 존재하지 않아서 이러한 하전입자빔 시스템의 중요 광학 인자들을 설계 값과 비교하여 평가하는 것이 쉽지 않은 실정이었다.Since such a charged particle beam system requires measurement resolution and processing accuracy of several nanometers, it is necessary to accurately evaluate the design values of the charged particle beam and the charged particle beam, which are the core components of the charged particle beam system. However, in order to evaluate a charged particle beam source or a charged particle beam optical system, it is necessary to construct a complicated structure or an evaluation system having an integrated function does not exist separately, so that critical optical factors of the charged particle beam system are compared with design values It is not easy to evaluate the results.

따라서 본 발명은 상기 제시된 문제점을 개선하기 위하여 창안되었다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems.

본 발명의 목적은, 하전입자빔 시스템에서 하전입자빔 소스의 중요 광학 인자인 가상 소스 위치 측정, 각전류 밀도 측정, 가상 소스 크기 측정 및 하전입자빔 광학계에서 프로브(probe)의 전류 세기 측정, 프로브의 크기 측정, 하전입자빔의 거동 평가 등을 일괄적으로 진행할 수 있는 하전입자빔 시스템 평가 방법과 하전입자빔 소스 시스템 또는 하전입자빔 소스 시스템을 포함한 하전입자빔 광학 시스템을 각각 평가할 수 있는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼을 제공하는 데에 있다. 여기서 하전입자 프로브는 하전입자빔 소스에서 발생한 하전입자빔이 하전입자빔 광학계에 의해 제어되어 시료 표면에 조사되는 하전입자빔의 최종 형태로 정의될 수 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus for measuring the position of a virtual source of a charged particle beam source in a charged particle beam system, measuring a current source density, measuring a virtual source size, measuring a current intensity of a probe in a charged particle beam optical system, And the evaluation of the behavior of the charged particle beam, and a method of evaluating a charged particle beam system including a charged particle beam source system or a charged particle beam source system, Beam system evaluation platform. Here, the charged particle probe can be defined as the final shape of the charged particle beam irradiated on the surface of the sample, the charged particle beam generated from the charged particle beam source being controlled by the charged particle beam optical system.

이하 본 발명의 목적을 달성하기 위한 구체적 수단에 대하여 설명한다.Hereinafter, specific means for achieving the object of the present invention will be described.

본 발명의 목적은, 하전입자 소스에서 방출되는 하전입자빔이 통과하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되어 상기 하전입자빔의 크기를 제한하는 애퍼처; 및 상기 챔버 일측에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되어 상기 애퍼처를 통과한 상기 하전입자빔의 이미지가 맺히는 스크린;을 포함하고, 상기 스크린에 맺히는 상기 하전입자빔의 상기 이미지를 토대로 하전입자빔 시스템 및 하전입자 소스 중 적어도 하나의 평가를 수행하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치를 제공하여 달성될 수 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a lithographic apparatus including a chamber through which a charged particle beam emitted from a charged particle source passes; An aperture disposed in the chamber and positioned in the path of the charged particle beam to limit the size of the charged particle beam; And a screen provided at one side of the chamber and positioned in the path of the charged particle beam to form an image of the charged particle beam that has passed through the aperture and based on the image of the charged particle beam projected onto the screen Wherein the evaluation of at least one of a charged particle beam system and a charged particle source is performed.

또한 상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계;를 선행적으로 수행한 이후, 측정된 상기 가상 소스 위치를 토대로 하전입자빔 시스템 및 하전입자 소스 중 적어도 하나의 평가를 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.Further comprising performing a virtual source position measurement step of measuring a virtual source position of the charged particle source and performing an evaluation of at least one of a charged particle beam system and a charged particle source based on the measured virtual source position . ≪ / RTI >

또한 상기 가상 소스 위치 측정 단계는, 이하 수학식을 이용하여 가상 소스 위치를 측정하는 것을 특징으로 할 수 있다.The virtual source position measuring step may be characterized by measuring a virtual source position using the following equation.

[수학식][Mathematical Expression]

Figure 112014107985920-pat00001
Figure 112014107985920-pat00001

여기서, avirtual은 가상 소스 위치에서 애퍼처까지의 거리, D1apt는 애퍼처의 개구부 직경, D2는 스크린에 맺힌 하전입자빔 이미지의 직경, l1은 애퍼처에서 스크린까지의 거리를 의미한다.Here, a virtual is the distance from the virtual source position to the aperture, D 1apt is the aperture diameter of the aperture, D 2 is the diameter of the charged particle beam image formed on the screen, and l 1 is the distance from the aperture to the screen .

또한 상기 가상 소스 위치 측정 단계는, 상기 애퍼처를 하전입자빔 경로의 횡방향으로 특정 거리만큼 이동시켜, 상기 하전입자빔의 중심축을 이동시키는 중심축 이동단계;를 더 포함하며, 이하 수학식을 이용하여 가상 소스 위치를 측정하는 것을 특징으로 할 수 있다.The virtual source position measuring step further includes a center axis moving step of moving the aperture by a specific distance in the lateral direction of the charged particle beam path to move the center axis of the charged particle beam, And the virtual source position is measured using the virtual source position.

[수학식][Mathematical Expression]

Figure 112014107985920-pat00002
Figure 112014107985920-pat00002

여기서, avirtual은 가상 소스 위치에서 애퍼처까지의 거리, δD1apt는 애퍼처가 이동한 특정 거리, δD2는 스크린에서 하전입자빔 이미지의 중심축 이동거리, l1은 애퍼처에서 스크린까지의 거리를 의미한다.Where a virtual is the distance from the virtual source location to the aperture, δD 1apt is the specific distance the aperture moved, δD 2 is the center axis travel distance of the charged particle beam image on the screen, l 1 is the distance from the aperture to the screen .

또한 상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되어 상기 하전입자빔의 입자 수 정보를 전류 정보로 변환하는 패러데이컵;을 더 포함하고, 상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계; 및 측정된 상기 가상 소스 위치 및 상기 패러데이컵에서 획득되는 상기 전류 정보를 토대로 상기 하전입자빔의 각전류밀도를 측정하는 각전류밀도 측정 단계;를 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.Further comprising a Faraday cup provided in the chamber and located in a path of the charged particle beam to convert the particle number information of the charged particle beam into current information, wherein the Faraday cup measures a virtual source position of the charged particle source A source position measuring step; And measuring each current density of the charged particle beam based on the measured virtual source position and the current information obtained in the Faraday cup.

또한 상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되어 상기 하전입자빔의 입자 수 정보를 전류 정보로 변환하는 패러데이컵;을 더 포함하고, 상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계; 및 측정된 상기 가상 소스 위치 및 상기 패러데이컵에서 획득되는 상기 전류 정보를 토대로 이하 수학식을 이용하여 상기 하전입자빔의 각전류밀도를 측정하는 각전류밀도 측정 단계;를 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.Further comprising a Faraday cup provided in the chamber and located in a path of the charged particle beam to convert the particle number information of the charged particle beam into current information, wherein the Faraday cup measures a virtual source position of the charged particle source A source position measuring step; And measuring the current density of the charged particle beam using the following equation based on the measured virtual source position and the current information obtained in the Faraday cup: have.

[수학식][Mathematical Expression]

Figure 112014107985920-pat00003
Figure 112014107985920-pat00003

여기서, D3는 패러데이컵의 유효 직경, l2는 가상 소스 위치에서 패러데이컵까지의 거리, Ibeam은 패러데이컵에 의해 측정된 전류 정보, I'는 하전입자빔의 각전류밀도를 의미한다.Here, D 3 denotes the effective diameter of the Faraday cup, l 2 denotes the distance from the virtual source position to the Faraday cup, I beam denotes the current information measured by the Faraday cup, and I 'denotes the current density of the charged particle beam.

또한 상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계; 및 측정된 상기 가상 소스 위치를 토대로 상기 스크린에 맺히는 상기 하전입자빔의 이미지의 직경을 이용하여 하전입자빔 가상 소스의 크기를 측정하는 가상 소스 크기 측정 단계;를 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.A virtual source position measuring step of measuring a virtual source position of the charged particle source; And a virtual source size measuring step of measuring a size of the charged particle beam virtual source using the diameter of the charged particle beam image formed on the screen based on the measured virtual source position.

또한 상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계; 및 측정된 상기 가상 소스 위치를 토대로 이하 수학식을 이용하여 하전입자빔 가상 소스의 크기를 측정하는 가상 소스 크기 측정 단계;를 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.A virtual source position measuring step of measuring a virtual source position of the charged particle source; And a virtual source size measuring step of measuring a size of the charged particle beam virtual source using the following equation based on the measured virtual source position.

[수학식][Mathematical Expression]

Figure 112014107985920-pat00004
Figure 112014107985920-pat00004

여기서, avirtual은 가상 소스 위치에서 애퍼처까지의 거리, l1는 애퍼처 위치에서 스크린까지의 거리, Dsrc는 하전입자 가상 소스의 크기, DIMG는 스크린에 맺히는 하전입자빔 이미지의 가장자리에서 빔의 세기가 최대치(100%) 대비 25% 내지 75%에 이르는 거리를 의미한다.Where a virtual is the distance from the virtual source location to the aperture, l 1 is the distance from the aperture location to the screen, D src is the size of the virtual source of charge, D IMG is the distance from the edge of the charged particle beam image Means a distance ranging from 25% to 75% of the intensity of the beam (100%).

또한 상기 챔버는 "ㅏ"자 단면의 원통 부재가 연속적으로 적층되어 형성되고, 틸팅이 가능하도록 구성되며, 상기 하전입자빔의 중심축이 상기 챔버에 의해 조절되는 것을 특징으로 할 수 있다.Further, the chamber may be formed by continuously stacking cylindrical members having a "a" -shaped cross section and being configured to be able to tilt, and the center axis of the charged particle beam is adjusted by the chamber.

또한 상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되며 관찰하고자 하는 시료이 안착되는 시료 스테이지; 및 상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔이 상기 시료에 조사되어 반사되는 전자를 검출하거나, 상기 하전입자빔이 상기 시료에 조사되어 관통되는 하전입자빔을 검출하는 디텍터;를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.A sample stage disposed in the chamber and positioned in the path of the charged particle beam and on which a sample to be observed is seated; And a detector provided in the chamber, for detecting electrons irradiated on the sample and reflected by the charged particle beam, or detecting a charged particle beam through which the charged particle beam is irradiated to the sample, .

또한 상기 챔버의 내부는 고진공, 초고진공, 극고진공으로 유지될 수 있고, 상기 챔버의 재질은 탄소(carbon) 함량이 0.5wt% 이하인 저탄소강(mild steel)인 것을 특징으로 할 수 있다.
Also, the inside of the chamber can be maintained at a high vacuum, an ultra-high vacuum, and a very high vacuum, and the material of the chamber is low-carbon steel having a carbon content of 0.5 wt% or less.

본 발명의 목적은 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에 하전입자 소스를 장착하는 소스 장착 단계; 및 상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계;를 포함하고, 상기 가상 소스 위치 측정 단계 이후에, 측정된 상기 가상 소스 위치 및 상기 패러데이컵에서 획득되는 상기 전류 정보를 토대로 상기 하전입자빔의 각전류밀도를 측정하는 각전류밀도 측정 단계; 또는 측정된 상기 가상 소스 위치를 토대로 상기 스크린에 맺히는 상기 하전입자빔의 이미지의 직경을 이용하여 하전입자빔 가상 소스의 크기를 측정하는 가상 소스 크기 측정 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가방법을 제공하여 달성될 수 있다.
It is an object of the present invention to provide a method and apparatus for mounting a charged particle source on a charged particle beam system evaluation platform apparatus, And a virtual source position measurement step of measuring a virtual source position of the charged particle source, wherein, after the virtual source position measurement step, the virtual source position measurement step of measuring the virtual source position of the charged particle source based on the measured current source position and the current information obtained in the Faraday cup Each current density measuring step of measuring each current density of the charged particle beam; Or a virtual source size measuring step of measuring a size of a charged particle beam virtual source by using a diameter of an image of the charged particle beam which is formed on the screen based on the measured virtual source position, Beam system evaluation method.

상기한 바와 같이, 본 발명에 의하면 이하와 같은 효과가 있다.As described above, the present invention has the following effects.

첫째, 본 발명의 일실시예에 따르면 하전입자빔 시스템에서 소스 및 하전입자 광학 시스템의 정밀한 평가가 하나의 플랫폼 장치에서 가능해지는 효과가 있다. First, according to the embodiment of the present invention, accurate evaluation of the source and the charged particle optical system in the charged particle beam system can be performed in one platform device.

둘째, 본 발명의 일실시예에 따르면 하전입자빔 소스의 광학 특성인 가상 소스 위치 측정, 각전류밀도 측정, 가상 소스 크기 측정 등을 일괄적으로 진행할 수 있으므로 하전입자빔 시스템에서 소스 및 시스템의 정밀한 평가가 가능해지는 효과가 있다.`
Secondly, according to the embodiment of the present invention, it is possible to collectively measure the optical source position, the current density measurement, and the virtual source size measurement, which are optical characteristics of the charged particle beam source, Evaluation is possible. "

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치의 사진,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치의 모식도,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔의 소스 평가방법을 도시한 흐름도,
도 4는 하전입자 소스의 위치를 도시한 모식도,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에서 가상 소스 위치를 측정하는 단계를 도시한 모식도,
도 6는 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에서 가변 애퍼처를 이동시켜 가상 소스 위치를 측정하는 단계를 도시한 모식도,
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에서 애퍼처 사이즈에 따른 가상 소스 위치를 도시한 모식도,
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에서 각전류밀도를 측정하는 단계를 도시한 모식도,
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에서 가상 소스 크기를 측정하는 단계를 도시한 모식도,
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에서 측정된 가상 소스 이미지를 도시한 모식도,
도 11a, 11b, 11c, 11d, 11e, 11f는 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치의 스크린에 측정된 가상 소스 이미지를 도시한 모식도,
도 12는 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치의 적용예를 도시한 모식도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included to provide a further understanding of the invention and are incorporated in and constitute a part of this application, illustrate preferred embodiments of the invention and, together with the description, And shall not be interpreted.
1 is a photograph of a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention,
2 is a schematic diagram of a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention,
FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of evaluating a source of a charged particle beam according to an embodiment of the present invention;
4 is a schematic diagram showing the position of a charged particle source,
FIG. 5 is a schematic diagram showing a step of measuring a virtual source position in a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention;
6 is a schematic diagram showing a step of moving a variable aperture in a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention to measure a virtual source position,
7 is a schematic diagram showing a virtual source position according to an aperture size in a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention;
8 is a schematic diagram showing a step of measuring each current density in a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention,
9 is a schematic diagram showing a step of measuring a virtual source size in a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention;
10 is a schematic diagram showing a virtual source image measured in a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention;
11A, 11B, 11C, 11D, 11E, and 11F are schematic diagrams showing a measured virtual source image on a screen of a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention,
12 is a schematic diagram showing an application example of a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 쉽게 실시할 수 있는 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작원리를 상세하게 설명함에 있어서 관련된 공지기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following detailed description of the operation principle of the preferred embodiment of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention.

또한, 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다. 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고, 간접적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 구성요소를 포함한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
The same reference numerals are used for portions having similar functions and functions throughout the drawings. Throughout the specification, when a part is connected to another part, it includes not only a case where it is directly connected but also a case where the other part is indirectly connected with another part in between. In addition, the inclusion of an element does not exclude other elements, but may include other elements, unless specifically stated otherwise.

하전입자빔A charged particle beam 시스템 평가 플랫폼 장치 System evaluation platform device

하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치의 구성과 관련하여, 도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치의 사진, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치의 모식도이다. 도 1, 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치(1)는 하전입자 소스(2, Charged particle source), 가변 애퍼처(3, Variable apertures), 진공게이지(4, Vacuum gauge), 패러데이컵(5, Faraday cup), TMP(6, Turbo molecular pump), 스크린(7, Phosphor screen), 쿨링팬(8, Cooling fan), 진공게이지 컨트롤러(9, Vacuum gauge controller), 로터리 펌프(10, Rotary pump), 전원(11, Power system), 이미징 시스템(12, Digital imaging system), 챔버(14, Chamber), DAQ(Data acquisition)를 포함할 수 있다.
FIG. 1 is a photograph of a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic view of a charged particle beam system evaluation apparatus according to an embodiment of the present invention. Fig. 1 and 2, a charged particle beam system evaluation platform apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a charged particle source 2, variable apertures 3, a vacuum A vacuum gauge controller (9, Vacuum gauge), a Faraday cup, a TMP (6, Turbo molecular pump), a screen (7, Phosphor screen), a cooling fan a gauge controller, a rotary pump 10, a power system 11, a digital imaging system 12, a chamber 14, and a data acquisition (DAQ).

하전입자 소스(2)는 전자 또는 이온과 같은 하전입자빔을 방출하는 소스를 의미한다. 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자 소스(2)는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치(1)의 일측, 바람직하게는 상부측에 구비되어 스크린(7)에 하전입자빔을 조사하도록 구성될 수 있다.The charged particle source (2) means a source which emits a charged particle beam, such as electrons or ions. A charged particle source 2 according to an embodiment of the present invention may be provided on one side, preferably the top side, of the charged particle beam system evaluation platform device 1 and configured to irradiate a charged particle beam onto the screen 7 have.

가변 애퍼처(3)는 하전입자빔이 통과되는 개구부인 애퍼처(aperture)의 개구부 직경을 사용자가 선택할 수 있도록 복수개의 개구부가 구성되는 구성을 의미한다. 이러한 가변 애퍼처(3)에 의해 사용자는 상황에 따라 애퍼처의 개구부 직경을 선택할 수 있게 된다. 가변 애퍼처(3)에서 직경이 선택된 애퍼처는 하전입자빔의 경로 내에 위치되게 된다. 이러한 애퍼처에 의해 하전입자빔의 크기가 제한, 조절되게 된다. 가변 애퍼처(3)는 하전입자빔의 경로에 위치하거나 하전입자빔의 경로 밖에 위치하고 챔버(14)의 외부에서 그 위치가 제어되도록 구성될 수 있다.The variable aperture 3 means a structure in which a plurality of openings are formed so that the user can select the diameter of the aperture of the aperture through which the charged particle beam passes. With this variable aperture (3), the user can select the aperture diameter of the aperture depending on the situation. The apertures with diameters selected in the variable aperture (3) are located in the path of the charged particle beam. These apertures limit and control the size of the charged particle beam. The variable aperture 3 may be located in the path of the charged particle beam or may be located outside the path of the charged particle beam and its position controlled outside the chamber 14.

패러데이컵(5)은 챔버(14) 내부에 구비되어 하전입자빔의 각전류밀도를 측정하기 위한 구성으로, 하전입자빔이 패러데이컵 내부에 진입한 후 주변 도전성 구조물에 충돌하면서 발생되는 전자(-) 또는 이온(+)의 전류를 측정하게 된다. 패러데이컵(5)은 하전입자빔의 경로에 위치하거나 하전입자빔의 경로 밖에 위치하도록 챔버(14)의 외부에서 그 위치가 제어될 수 있다.The Faraday cup 5 is provided inside the chamber 14 to measure the current density of the charged particle beam. The Faraday cup 5 is a part of the Faraday cup 5, ) Or the current of the ion (+). The Faraday cup 5 can be positioned outside the chamber 14 so as to be located in the path of the charged particle beam or outside the path of the charged particle beam.

스크린(7)은 소스에서 방출된 하전입자빔의 상이 맺히는 구성으로서 챔버(14)의 단부에 구성될 수 있다. 스크린(7)에 맺히는 하전입자빔의 상은 이미징 시스템(12)에 의해 디지털 데이터로 전환된다.The screen 7 may be configured at the end of the chamber 14 as an image-forming configuration of the charged particle beam emitted from the source. The image of the charged particle beam that forms on the screen 7 is converted into digital data by the imaging system 12. [

이미징 시스템(12)은 스크린(7)의 일측에 구성되어 스크린(7)에 맺힌 하전입자빔의 상을 디지털 데이터로 변환하는 구성이다.
The imaging system 12 is configured on one side of the screen 7 to convert the image of the charged particle beam formed on the screen 7 into digital data.

진공 게이지(4)는 챔버(14) 내부의 진공도를 측정하기 위한 게이지이다. 챔버(14) 내부는 하전입자빔의 경로에서 대기 분자와 하전입자빔의 충돌 또는 간섭을 방지하기 위하여 진공으로 구성될 수 있다. 이러한 진공의 정도를 측정하기 위하여 진공 게이지(4)가 구성되게 되며, 고진공 내지 초고진공까지 측정할 수 있는 냉음극 전리진공계 또는 열음극 전리진공계 등이 이용될 수 있다.The vacuum gauge 4 is a gauge for measuring the degree of vacuum inside the chamber 14. The inside of the chamber 14 may be constituted by a vacuum to prevent collision or interference of atmospheric molecules with the charged particle beam in the path of the charged particle beam. In order to measure the degree of vacuum, a vacuum gauge 4 is constituted, and a cold cathode ionization vacuum system or a hot cathode ionization vacuum system which can measure from a high vacuum to an ultra-high vacuum can be used.

일반적으로 진공이란 일정한 공간에 존재하는 공기 및 가스를 제거한 상태를 말한다. 공간 내에 아무것도 존재하지 않는 완전진공이란 불가능하며, 실제적으로 일정한 공간에 기체의 압력이 대기압보다 낮을 때를 진공이라 부른다. 진공은 일반적으로 압력에 따라 대기압에서 1 torr 는 저진공, 1 torr 에서 10-3 torr 까지는 중진공, 10-3 torr에서 10-7 torr 까지는 고진공, 10-7 torr에서 10-11 torr 까지는 초고진공, 그 이하는 극고진공으로 분류된다. [비특허문헌 1]Generally, vacuum means a state in which air and gas existing in a certain space are removed. It is impossible to have a perfect vacuum that does not exist in space, and when the pressure of gas in a certain space is lower than atmospheric pressure, it is called vacuum. Vacuum is usually vacuumed at a pressure of 1 torr at atmospheric pressure, medium vacuum at 1 torr to 10 -3 torr, high vacuum at 10 -3 torr to 10 -7 torr, ultrahigh vacuum at 10 -7 torr to 10 -11 torr, Below these are classified as very high vacuum. [Non-Patent Document 1]

TMP(6)는 진공 게이지(4)와 연결되어 진공 게이지(4)에 챔버 내의 기체분자를 흡인하기 위한 구성이다.The TMP 6 is connected to the vacuum gauge 4 to suck the gas molecules in the chamber to the vacuum gauge 4.

진공게이지 컨트롤러(9)는 진공 게이지(4)와 연결되어 진공게이지 시스템을 제어하기 위한 구성이다.
The vacuum gauge controller 9 is connected to the vacuum gauge 4 to control the vacuum gauge system.

쿨링팬(8)은 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치(1)의 일측에 구비되어 진공TMP(6) 등 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치(1) 전반의 과열을 방지하기 위한 구성이다.The cooling fan 8 is installed on one side of the charged particle beam system evaluation platform 1 to prevent overheating of the entire charged particle beam system evaluation platform 1 such as the vacuum TMP 6.

로터리 펌프(10)는 챔버(14)의 하단에 구비되어 챔버(14)의 일측에 연결되어 챔버(14) 내부를 진공으로 구성하기 위하여 챔버(14) 내부의 기체분자를 흡인하는 진공펌프이다. 로터리 펌프(10)에 의해 챔버(14) 내부의 진공도를 조절할 수 있다.The rotary pump 10 is a vacuum pump provided at the lower end of the chamber 14 and connected to one side of the chamber 14 to suck gas molecules inside the chamber 14 in order to constitute the chamber 14 in a vacuum. The vacuum degree of the inside of the chamber 14 can be adjusted by the rotary pump 10.

전원(11)은 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치(1)에 전력을 공급하는 구성이다.The power source 11 is a configuration for supplying power to the charged particle beam system evaluation platform device 1. [

챔버(14)는 하전입자빔의 하전입자 소스(2)에서 스크린(7)까지 이동하는 경로를 형성하는 중공의 밀폐 구성이다. 챔버(14) 내에는 하전입자 소스(2), 슬릿(13), 가변 애퍼처(3), 패러데이컵(5), 스크린(7), 각종 렌즈 등이 구성될 수 있다.The chamber 14 is a hollow sealing structure forming a path for moving from the charged particle source 2 to the screen 7 of the charged particle beam. A charged particle source 2, a slit 13, a variable aperture 3, a Faraday cup 5, a screen 7, various lenses, and the like can be configured in the chamber 14.

챔버(14)의 재질은 퍼멀로이, 뮤메탈 또는 연강의 연자성 재료로 구성될 수 있다. 외부 자기장은 하전입자빔의 궤도를 교란하여 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치(1)의 성능을 저하시킨다. 외부 자기장에 의한 궤도 교란을 방지하기 위하여, 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치는 외부 전자기장을 차폐하기 위해 연자성 재질로 만든 판으로 하전입자가 궤도를 그리며 진행하는 부분을 둘러싸도록 구성될 수 있다. 또한 하전입자가 가스입자와 충돌없이 진행하기 위해 챔버(14) 내부를 로터리 펌프(10)를 이용하여 진공상태로 구성하게 된다. 이때 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치는 이러한 챔버(14)를 연자성 재료로 만들어 외부 공기에 의한 가스입자와 외부 전자기장을 동시에 차폐할 수 있다.The material of the chamber 14 may comprise a soft magnetic material of permalloy, muMetal or mild steel. The external magnetic field disturbs the trajectory of the charged particle beam and degrades the performance of the charged particle beam system evaluation platform device 1. In order to prevent orbital disturbance due to an external magnetic field, a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention is a plate made of a soft magnetic material for shielding an external electromagnetic field, As shown in FIG. Further, in order to allow the charged particles to travel without colliding with the gas particles, the inside of the chamber 14 is formed into a vacuum state by using the rotary pump 10. At this time, the charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention can make such a chamber 14 made of a soft magnetic material to simultaneously shield gas particles and external electromagnetic fields by outside air.

초고진공 환경이 요구되는 진공시스템의 제작 시, 재료 자체에서 나오는 가스방출률을 줄이기 위해 재료의 선정 및 처리에 많은 노력이 요구된다. 초고진공 시스템의 진공챔버는 일반적으로 스테인리스로 제작되며, 특수한 경우 티타늄, 알루미늄 등으로 제작된다. 하전입자빔 장비를 초고진공에서 작동시키는 경우, 일반적으로는 스테인리스로 제작된 진공챔버 내에 퍼멀로이(permalloly) 또는 뮤메탈(Mu-Metal)로 제작된 판을 성형하여 작동 부위를 감싸는 형태로 전자기장을 차폐한다. 특수한 경우 퍼멀로이 또는 뮤메탈로 초고진공 진공챔버를 제작하는 경우가 있으나, 퍼멀로이와 뮤메탈은 고가의 재질이며 원하는 형태로 구하기가 힘들어 챔버 제작 비용이 일반적으로 스테인리스에 비해 수배 이상이 되는 문제점이 있다.When manufacturing a vacuum system requiring an ultra-high vacuum environment, a great deal of effort is required in selecting and processing materials in order to reduce the gas emission rate from the material itself. Vacuum chambers of ultrahigh vacuum systems are generally made of stainless steel and in special cases made of titanium or aluminum. When the charged particle beam equipment is operated in ultra-high vacuum, a plate made of Permalloly or Mu-Metal is generally formed in a vacuum chamber made of stainless steel and the electromagnetic field is shielded do. In some cases, the ultra-high vacuum chamber may be made of permalloy or mu-metal. However, the permalloy and mu-metal are expensive materials and difficult to obtain in a desired form, so that the cost of manufacturing the chamber is several times larger than that of stainless steel.

탄소강중 탄소 함유량이 0.5wt% 이하인 저탄소강(mild steel, low-carbon steel)은 [비특허문헌 0002] 저렴하면서도 가공성이 좋아서 파이프 재료로 광범위하게 사용된다. 저탄소강은 상대투자율이 수백 이상인 연자성 재료이며, 상대투자율이 수천 이상인 퍼멀로이 또는 뮤메탈에 비해 자기 차폐 효율은 떨어지나 저가격을 강점으로 외부 전자기장에 민감한 측정장비의 자기 차폐용으로 광범위하게 사용된다. 전자현미경에서는 경통의 자기차폐 및 시료를 전자빔으로 관찰하는 시료 진공챔버용으로 사용된다. 저탄소강은 그 가스방출률이 스테인리스에 비해 높은 것으로 알려져 있어 [비특허문헌 0001] 초고진공용으로는 전혀 사용되지 않고 있으며, 저가의 박막 생성용 진공 장비 등에 사용된다.Low-carbon steel having a carbon content of 0.5 wt% or less in carbon steels is widely used as a pipe material because of its low cost and good workability. Low carbon steel is a soft magnetic material with relative permeability of several hundreds or more, and its magnetic shielding efficiency is lower than that of permalloy or mumetal having relative permeability of several thousands or more. However, low carbon is widely used for magnetic shielding of measurement equipment sensitive to external electromagnetic fields. In the electron microscope, it is used for magnetic shielding of the barrel and a sample vacuum chamber for observing the sample with an electron beam. Low carbon steel is known to have a higher gas release rate than stainless steel. [Non-Patent Document 0001] It is not used at all for ultrahigh vacuum, and is used in low-cost vacuum equipment for thin film production.

그러나 본 발명의 일실시예에 따른 고진공, 초고진공, 극고진공용으로 활용 가능한 챔버(14)의 재질로 이용될 수 있는 탄소강(carbon steel)으로는, 탄소(carbon) 함량이 0.5wt% 이하인 저탄소강(mild steel)이 이용될 수 있으며, 시중에 유통되고 있는 대부분의 저탄소강(mild steel, 또는 low carbon steel)이 이에 해당한다. 탄소의 함량이 0.5wt% 초과인 경우의 탄소강에 의해서는 초고진공에서 탄소강 내부의 가스가 배출될 수 있고, 자기 교란이 발생될 수 있는 문제가 있다.
However, as a carbon steel which can be used as a material of the chamber 14 which can be used for high vacuum, ultra-high vacuum and extremely high vacuum according to an embodiment of the present invention, a carbon steel having a carbon content of 0.5 wt% Mild steel can be used, and most low-carbon steels (mild steel or low carbon steel) are available on the market. Carbon steels having a carbon content of more than 0.5 wt% may cause gas in the carbon steel to be exhausted in ultra-high vacuum, and self-disturbance may occur.

본 발명의 일실시예에 따른 챔버(14)의 제작방법과 관련하여, 용기제작단계와 화학세척공정을 포함할 수 있다. 용기제작단계와 관련하여, 우선 저탄소강 재질의 강관(pipe, tube), 강판(plate) 등의 재료를 원하는 모양으로 굽힘(bending), 절삭(cutting & machining), 연마(grinding), 용접(welding) 등의 가공 방법으로 성형(forming)을 하여 용기를 제작한다. 이때 절삭 등 기계 가공을 할 때에는 광물질과 유기물질로 이루어진 수용성 절삭유를 사용하는 것이 바람직하다.In connection with the method of manufacturing the chamber 14 according to an embodiment of the present invention, it may include a container manufacturing step and a chemical cleaning process. In relation to the container manufacturing process, first, materials such as low-carbon steel pipe, tube, plate, etc. are bended, cut and machined, grinding, ) And the like to form a container. At this time, when machining such as cutting, it is preferable to use a water-soluble cutting oil made of a mineral and an organic material.

제작이 완성된 용기는 고진공, 초고진공, 극고진공용 챔버(14)에 적합한 화학세척공정(chemical cleaning)을 거칠 수 있다.The completed container may undergo a chemical cleaning process suitable for the high vacuum, ultra-high vacuum, and ultra-high vacuum chambers 14.

이러한 화학세척공정은 유기물 기름을 제거하는 제1단계와 무기물 기름을 제거하는 제2단계와 두껍고 오염이 되어 있는 표면산화막을 제거하는 제3단계와 유기물, 무기물 오염을 동시에 제거하는 제4단계를 포함할 수 있다. 이러한 단계에 의해 폴리싱(산화막 개질)이 되어, 표면적이 작아지고, 저탄소강 표면에서의 가스 방출을 최소화할 수 있는 효과가 있다.The chemical cleaning process includes a first step of removing the organic oil, a second step of removing the mineral oil, a third step of removing the thick and contaminated surface oxide film, and a fourth step of simultaneously removing the organic matter and the inorganic contamination can do. By this step, the polishing (oxide film reforming) is performed, the surface area is reduced, and the gas emission on the surface of the low carbon steel can be minimized.

그러나 제3단계는 적절한 절삭 공정을 거쳐서 표면 오염이 심하지 않다면 생략할 수 있다. 제1단계 내지 제4단계를 통해 용기의 화학세척공정이 완료되면, 탄소강의 표면 산화(oxidation) 또는 부식(corrosion)을 막기 위해, 제작한 용기의 내표면과 외표면에 니켈, 또는 크롬 도금 등으로 산화방지 피막을 입히는 단계를 더 포함할 수 있다. 이러한 코팅에 의하면, 저탄소강 표면에서의 가스 방출이 최소화되는 효과가 발생된다. However, the third step may be omitted if the surface contamination is not severe due to proper cutting process. In order to prevent oxidation or corrosion of the carbon steel when the chemical washing process of the container is completed through the first to fourth steps, nickel or chromium plating or the like is applied to the inner and outer surfaces of the prepared container And then applying an antioxidant coating to the substrate. With such a coating, the effect of minimizing the gas emission on the low carbon steel surface is generated.

위와 같은 용기제작단계와 화학세척공정을 거쳐서 본 발명의 일실시예에 따른 챔버(14)가 제작된다.
The chamber 14 according to an embodiment of the present invention is manufactured through the above container manufacturing step and the chemical washing step.

또한 챔버(14)의 형태는 벨로우즈 형태 또는 복수개의 "ㅏ"자 형상 단면 원통부재로 연속적으로 연결된 조립식 형태로 구성될 수 있다. 챔버(14)의 형태를 벨로우즈 형태로 구성하는 경우, 외부 충격에도 광축이 변화하지 않는 장점이 있으나, 챔버 자체에서 광축 정렬이 어렵다는 문제점과 가격이 고가라는 문제점이 있다. 챔버(14)의 형태를 "ㅏ"자 형상 단면의 원통부재를 10 ~ 30개 조립결합하는 조립식 형태로 구성하는 경우, 외부 충격에 광축이 변동될 수 있는 문제점이 있으나, 길이나 틸팅 각도의 조절이 자유롭고, 전동모터와 같은 구동수단을 이용하여 자동으로 광축을 정렬할 수 있도록 구성할 수 있는 장점이 있다. 따라서 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치(1)에서는 광축을 신속하게 정렬할 수 있다는 장점 때문에, 챔버(14)의 형태를 "ㅏ"자 형상 단면의 원통부재를 10 ~ 30개 조립결합하는 조립식 형태로 구성하는 것이 바람직하다. 또한 이러한 원통부재의 사이 간격을 밀폐하기 위하여 오링 등의 밀폐수단이 더 구성될 수 있다.
The shape of the chamber 14 may also be in the form of a bellows or a prefabricated shape continuously connected with a plurality of "a" shaped cross-section cylindrical members. When the chamber 14 is formed in a bellows shape, there is an advantage that the optical axis does not change even in an external impact. However, there is a problem that the alignment of the optical axis is difficult in the chamber itself and the price is expensive. In the case where the chamber 14 is configured as a prefabricated type in which 10 to 30 cylindrical members having a "?" -Shaped cross section are assembled and coupled, there is a problem that the optical axis may be changed by an external impact. However, There is an advantage that it can be freely configured so that the optical axis can be automatically aligned using a driving means such as an electric motor. Therefore, in the charged particle beam system evaluation platform apparatus 1 according to the embodiment of the present invention, the shape of the chamber 14 can be changed from the shape of the cylinder member having the "a" It is preferable to configure it as a prefabricated form in which 30 pieces are assembled and assembled. Further, a sealing means such as an O-ring may be further provided to seal the gap between the cylindrical members.

하전입자빔A charged particle beam 시스템 평가 방법 System evaluation method

하전입자빔 시스템 평가 방법과 관련하여, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔의 소스 평가 방법을 도시한 흐름도이다. 도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 소스 평가 방법은 가상 소스 위치 측정단계(S10), 각전류밀도 측정단계(S20), 가상 소스 크기 측정단계(S30)를 포함할 수 있다.
3 is a flow chart illustrating a method for evaluating a source of a charged particle beam according to an embodiment of the present invention. 3, the method for evaluating a charged particle beam source according to an exemplary embodiment of the present invention includes a virtual source position measurement step S10, a current density measurement step S20, and a virtual source size measurement step S30 can do.

가상 소스 위치 측정단계(Virtual source location measurement step ( S10S10 ))

본 발명에서 달성하고자 하는 목적인 하전입자빔 시스템에서 소스 및 시스템의 정밀한 평가를 위하여 본 발명의 일실시예에서는 가상소스 위치의 측정을 선행적으로 시행하는 것을 제안한다.For precise evaluation of the source and system in a charged particle beam system for the purpose of achieving the present invention, one embodiment of the present invention proposes to perform a preliminary measurement of the virtual source location.

소스 위치와 관련하여, 도 4는 하전입자 소스의 위치를 도시한 모식도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 하전입자 소스(2)는 텅스텐 필라멘트 등으로 구성되어 있고, 이러한 필라멘트의 단부(tip)에서 하전입자빔이 방출되나(실제 소스 위치), 실질적으로는 실제 소스 위치보다 낮은 위치 또는 높은 위치에서 하전입자빔이 방출되는 것과 같이 진행되게 된다(가상 소스 위치). 이러한 가상 소스 위치는 가속 전압에 따라 변하는데, 이러한 가속 전압에 따른 가상 소스 위치를 고려하지 않는다면 정확히 동작하는 하전입자 광학 시스템을 설계할 수 없다. 종래에는 가상 소스 위치를 감안하여 하전입자빔 시스템에서 소스 및 시스템을 평가하는 플랫폼 장치가 존재하지 않았다.With respect to the source position, Fig. 4 is a schematic diagram showing the position of the charged particle source. 4, the charged particle source 2 is composed of a tungsten filament or the like, and the charged particle beam is emitted from the tip of the filament (the actual source position) (The virtual source position) as the charged particle beam is emitted at a low or high position. This virtual source position varies with the accelerating voltage, and a charged particle optical system that operates correctly can not be designed without considering the virtual source position according to the accelerating voltage. Conventionally, there is no platform device for evaluating a source and a system in a charged particle beam system in consideration of a virtual source position.

가상 소스 위치 측정 단계의 구체적인 실시예와 관련하여, 도 5은 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에서 가상 소스 위치를 측정하는 단계를 도시한 모식도이다. 도 5에서 aTF는 실제 소스 위치에서 가변 애퍼처(3)까지의 거리, avirtual은 가상 소스 위치에서 가변 애퍼처(3)까지의 거리, D1apt는 가변 애퍼처(3)의 선택된 직경, D2는 스크린(7)에 맺힌 하전입자빔 상의 직경, l1은 가변 애퍼처(3)에서 스크린(7)까지의 거리, b는 가상 소스 위치에서 스크린(7)까지의 거리를 의미한다. 위의 값들 중 avirtual은 도출해내야 하는 값이고, D2는 스크린에서 측정하여 알 수 있는 값이며, 나머지 변수들은 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치(1)를 제작하는 과정에서 이미 알고 있는 값들이다.5 is a schematic diagram illustrating a step of measuring a virtual source location in a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention. 5, a TF is the distance from the actual source position to the variable aperture 3, a virtual is the distance from the virtual source position to the variable aperture 3, D 1apt is the selected diameter of the variable aperture 3, D 2 is the diameter of the charged particle beam formed on the screen 7, l 1 is the distance from the variable aperture 3 to the screen 7 and b is the distance from the virtual source position to the screen 7. Among the above values, a virtual is a value to be derived, D 2 is a value that can be measured by a screen, and the remaining variables are already known values in the process of manufacturing the charged particle beam system evaluation platform 1.

본 발명의 일실시예에 따르면 아래 수학식을 통해 avirtual을 도출할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a virtual can be derived from the following equation.

Figure 112014107985920-pat00005
Figure 112014107985920-pat00005

Figure 112014107985920-pat00006
Figure 112014107985920-pat00006

위 수학식 1을 정리하면, 아래 수학식 2가 도출된다.
The above equation (1) can be summarized as follows.

Figure 112014107985920-pat00007
Figure 112014107985920-pat00007

위 수학식 2를 정리하면, 아래 수학식 3이 도출된다.
The above equation (2) can be summarized as follows.

Figure 112014107985920-pat00008
Figure 112014107985920-pat00008

본 발명의 일실시예에 따르면 나머지 변수를 모두 알고 있으므로, 위 수학식 3에 의해 avirtual을 도출할 수 있다. 이렇게 도출된 avirtual을 통하여 보다 정밀한 소스 또는 시스템에 대한 평가가 가능해진다.
According to an embodiment of the present invention, since all the remaining variables are known, a virtual can be derived by Equation (3). This derived a virtual makes it possible to evaluate more precise sources or systems.

그러나 가상 소스 위치 측정단계(S10)에서 스크린(7)에 맺힌 하전입자빔 상의 직경(D2)의 측정은 이미징 시스템(12)에 의해 측정되므로, 정확하지 않을 수 있는 문제점이 있다. 하전입자빔의 상이 스크린(7) 상에서 특정 경계를 중심으로 불연속적으로 생성되는 것이 아니라, 스크린(7)에 맺히는 하전입자빔의 상의 경계가 불분명하기 때문이다.However, measurement of the charged particle beam Rimed diameter (D 2) on the screen (7) on the virtual source position determining step (S10) has a problem that can not be accurate, since the measurement by the imaging system 12. This is because the image of the charged particle beam is not generated discontinuously around the specific boundary on the screen 7 but the boundary of the charged particle beam that forms on the screen 7 is unclear.

이러한 문제점을 해소하기 위하여 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치(1)에서는 도 6에 도시된 바와 같이 가변 애퍼처(3)의 개구부 위치를 횡방향으로 특정 길이만큼 이동시켜 발생되는 하전입자빔 궤도의 중심축과 기존 중심축의 차이를 토대로 가상 소스 위치를 측정하는 방법을 제안한다.In order to solve such a problem, in the charged particle beam system evaluation platform apparatus 1 according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 6, the position of the opening of the variable aperture 3 is shifted by a specific length in the lateral direction We propose a method to measure the virtual source position based on the difference between the center axis of the charged particle beam trajectory and the existing center axis.

도 6는 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에서 가변 애퍼처를 이동시켜 가상 소스 위치를 측정하는 단계를 도시한 모식도이다. 도 6에서 가변 애퍼처(3)의 이동에 의해 하전입자빔의 중심축이 이동되고, 애퍼쳐 위치에서는 δD1apt만큼, 스크린(7)의 위치에서는 δD2만큼 중심축이 이동되게 된다. 따라서 수학식 3에서 D1apt, D2 대신에 δD1apt,δD2를 대입하여 보다 정확한 가상 소스 위치를 도출해낼 수 있는 효과를 얻을 수 있다. 수학식 3에서 D1apt, D2 대신에 δD1a pt,δD2가 대입되면 이하 수학식 4가 도출된다.6 is a schematic diagram showing a step of moving a variable aperture in a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention to measure a virtual source position. In Figure 6, by the movement of the variable aperture (3) and to be moved central axis of the charged particle beam, the aperture located in the position of δD 1apt enough, the screen (7) is presented δD second central axes are shifted. Thus can be obtained an effect which can derive a more accurate virtual source location by applying the δD 1apt, δD 2 in place of D 1apt, D 2 in the equation (3). When D 1apt, D 2 Instead δD 1a pt, δD 2 is substituted in equation (3) the following equation 4 is derived.

Figure 112014107985920-pat00009
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여기서, δD1apt는 애퍼처에서 하전입자빔의 중심축 이동거리, δD2는 스크린에서 하전입자빔 이미지의 중심축 이동거리라고 볼 수 있다. 이때, δD1apt는 애퍼처가 이동한 특정 거리와 동일하며, δD2는 스크린에서 어렵지 않게 측정될 수 있다.
Where δD 1apt is the center axis travel distance of the charged particle beam at the aperture and δD 2 is the center axis travel distance of the charged particle beam image at the screen. At this time, δD 1apt is equal to the specific distance traveled by the aperture, and δD 2 can be measured without difficulty on the screen.

이때, 가상 소스 위치 측정단계(S10)에서 얻어진 가상 소스 위치는 하전입자 소스(2)의 종류 및 가속 전압에 따라서는 변경될 수 있으나, 가변 애퍼처(3)의 직경의 변경에는 아무런 영향을 받지 않는다. 도 7는 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에서 애퍼처 사이즈에 따른 가상 소스 위치를 도시한 모식도이다. 도 7에 도시된 바와 같이 애퍼처 사이즈가 50μm, 100μm, 200μm로 변경되어도 avirtual값이 거의 동일하게 유지되게 된다. 도 7에서 αi는 하전입자빔의 궤도각이며, 이하 표는 애퍼처 사이즈에 따라 avirtual값과 αi값이 어떻게 변하는 지를 나타내고 있다.At this time, the virtual source position obtained in the virtual source position measurement step S10 can be changed depending on the type of the charged particle source 2 and the acceleration voltage, but is not affected by the change in the diameter of the variable aperture 3 Do not. 7 is a schematic diagram showing a virtual source position according to aperture size in a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, even if the aperture size is changed to 50 .mu.m, 100 .mu.m, or 200 .mu.m, a virtual value is maintained substantially the same. In Fig. 7, α i is the trajectory angle of the charged particle beam, and the table below shows how a virtual value and α i value vary depending on the aperture size.


Aperture size [μm]Aperture size [μm]
5050 100100 200200 avirtual [μm]a virtual [μm] 129,175129,175 126,797126,797 132,036132,036 αi [deg.]α i [deg.] 0.0110.011 0.0230.023 0.0430.043

위 표 1에 기재된 바와 같이 애퍼처 사이즈에 따라 avirtual값은 거의 변하지 않지만, αi값은 애퍼처 사이즈에 정비례 관계로 증대되는 것을 확인할 수 있다. 표 1의 실험 조건은 이하 표 2와 같다.As shown in the above table 1, a virtual value does not substantially change according to the aperture size, but it can be confirmed that the value of α i is directly proportional to the aperture size. The experimental conditions in Table 1 are shown in Table 2 below.

Control inputControl input Vacc = 20.000 kVV acc = 20,000 kV Vbias = 0.563 kVV bias = 0.563 kV Vfil = 1.2 VV fil = 1.2 V MonitoringMonitoring Iem = 31.621 μAI em = 31.621 μA Camera LensCamera Lens Mag.: × 1.0Mag .: × 1.0 f: 8f: 8

따라서 가속 전압이 고정되어 있는 조건에서 가상 소스의 위치는 변하지 않는다는 것을 확인할 수 있다. 그러므로 애퍼처 사이즈가 달라져도 동일한 가속 조건하에서는 동일한 가상 소스 위치를 가지고 있어야 한다. 본 발명의 일실시예에서 동일한 가속 전압의 조건하에서 애퍼처의 크기를 다르게 하면서 측정한 결과, 동일한 가상 소스 위치를 얻었다는 것은 그 값이 정확하다는 것을 보여주는 것이다. 만일 위의 방법으로 얻은 가상 소스의 위치의 측정 편차가 크게 되면, 평가대상이 되는 소스가 불안정한 것으로 평가될 수 있다. 따라서 본 발명의 일실시예에 따르면 가속 전압이 고정되어 있는 조건에서의 가상 소스 위치 정보를 이용하여 소스의 안정도를 평가할 수 있는 효과가 발생된다.Therefore, it can be seen that the position of the virtual source does not change under the condition that the acceleration voltage is fixed. Therefore, even if the aperture size is different, it must have the same virtual source position under the same acceleration conditions. In one embodiment of the present invention, measurements with different aperture sizes under the same accelerating voltage conditions show that the same virtual source position is obtained, which is accurate. If the measurement deviation of the position of the virtual source obtained by the above method becomes large, the source to be evaluated may be evaluated as unstable. Therefore, according to the embodiment of the present invention, the stability of the source can be evaluated by using the virtual source position information under the condition that the acceleration voltage is fixed.

따라서 본 발명의 일실시예에 따른 가상 소스 위치 측정단계(S10)에서 얻어진 가상 소스 위치는 애퍼처 사이즈에 관계없이 적용될 수 있는 효과가 있다.
Therefore, the virtual source position obtained in the virtual source position measurement step S10 according to the embodiment of the present invention can be applied regardless of the aperture size.

위와 같이 가상 소스 위치가 결정되면 보다 정밀하게 각전류밀도를 측정하거나, 소스의 크기 등을 측정할 수 있다.
When the virtual source position is determined as described above, each current density can be measured more accurately, or the size of the source can be measured.

각전류밀도Each current density 측정단계( Measuring step ( S20S20 ))

본 발명에서 달성하고자 하는 목적인 하전입자빔 시스템에서 소스 및 시스템의 정밀한 평가를 위하여 본 발명의 일실시예에서는 가상 소스 위치의 측정 이후에 각전류밀도를 측정하는 것을 제안한다. 도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에서 각전류밀도를 측정하는 단계를 도시한 모식도이다. 도 8에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치(1)에 구비된 패러데이컵(5)을 하전입자빔의 궤도에 삽입하여 각전류밀도를 측정할 수 있다.For precise evaluation of the source and system in a charged particle beam system, which is an object to achieve in the present invention, one embodiment of the present invention proposes to measure each current density after measurement of the virtual source location. 8 is a schematic diagram showing a step of measuring each current density in a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 8, the Faraday cup 5 provided in the charged particle beam system evaluation platform 1 according to an embodiment of the present invention can be inserted into the trajectory of the charged particle beam to measure each current density .

본 발명의 일실시예에 따른 패러데이컵(5)은 챔버(14) 내부에 구비되어 하전입자빔의 각전류밀도를 측정하기 위한 구성으로, 하전입자빔이 패러데이컵 내부에 진입한 후 주변 도전성 구조물에 충돌하면서 발생되는 전자(-) 또는 이온(+)의 전류를 측정하게 된다. 패러데이컵(5)은 하전입자빔의 경로에 위치하거나 하전입자빔의 경로 밖에 위치하도록 챔버(14)의 외부에서 제어될 수 있다.The Faraday cup 5 according to an embodiment of the present invention is provided inside the chamber 14 to measure each current density of the charged particle beam. After the charged particle beam enters the inside of the Faraday cup, (-) or ions (+) generated while colliding with the electron beam. The faraday cup 5 can be controlled outside the chamber 14 to be located in the path of the charged particle beam or outside the path of the charged particle beam.

패러데이컵(5)은 하전입자를 전기적 신호로 변환해주고, 이 신호는 직접 측정 회로나 측정 장치에 의해서 측정된다.The Faraday cup (5) converts the charged particle into an electrical signal, which is measured directly by the measuring circuit or measuring device.

도 8에서 D3는 패러데이컵(5)의 유효 직경, l2는 가상 소스 위치에서 패러데이컵(5)까지의 거리, l3는 가변 애퍼처(3)에서 패러데이컵(5)까지의 거리, αi는 하전입자빔의 궤도각, Ibeam은 패러데이컵(5)에 의해 변환된 전기적 신호를 의미한다.8, D 3 is the effective diameter of the Faraday cup 5, l 2 is the distance from the virtual source position to the Faraday cup 5, l 3 is the distance from the variable aperture 3 to the Faraday cup 5, α i is the trajectory angle of the charged particle beam, and I beam is the electrical signal converted by the Faraday cup 5.

본 발명의 일실시예에 따르면 아래 수학식에 의하여 각전류밀도(I')를 도출해낼 수 있다.According to an embodiment of the present invention, each current density I 'can be derived by the following equation.

Figure 112014107985920-pat00010
Figure 112014107985920-pat00010

위 수학식 5와 이미 알고 있는 값인 D3, l2에 의해 αi가 도출된다.
? I is derived from the above equation (5) and the known values D 3 and I 2 .

Figure 112014107985920-pat00011
Figure 112014107985920-pat00011

위 수학식 6에 의해 각전류밀도(Angular Current Density)인 I'가 도출되게 된다.I ', which is an angular current density, is derived from Equation (6).

가상 소스 위치 측정단계(S10)와 각전류밀도 측정단계(S20)에 의하여 소스의 정밀한 각전류밀도와 광학시스템에 의한 프로브 전류가 측정되게 되면, 광학계의 손실률 평가, 하전입자 소스(2)에 가해지는 전류가 충분한지 여부 평가, 하전입자 소스(2)의 평가, 컬럼 손실 평가등이 정밀하게 가능해지는 효과가 있다.When the precise current density of the source and the probe current by the optical system are measured by the virtual source position measuring step S10 and each current density measuring step S20, the loss rate of the optical system is evaluated, It is possible to precisely evaluate whether or not a sufficient amount of current to be lost is present, evaluation of a charged particle source 2, and column loss evaluation.

본 발명의 일실시예에 따르면 가속 전압이 고정되어 있는 조건에서의 각전류밀도를 일정한 기간 동안 연속 측정하면 소스의 안정도를 평가할 수 있는 효과가 발생된다.
According to an embodiment of the present invention, the stability of the source can be evaluated by continuously measuring each current density under the condition that the acceleration voltage is fixed for a predetermined period of time.

가상 소스 크기 측정단계(Virtual source size measurement step ( S30S30 ))

본 발명에서 달성하고자 하는 목적인 하전입자빔 시스템에서 소스 및 시스템의 정밀한 평가를 위하여 본 발명의 일실시예에서는 가상 소스 위치의 측정 이후에 가상 소스 크기를 측정하는 것을 제안한다. 또는 가상 소스 위치의 측정, 각전류밀도의 측정 이후에 가상 소스 크기를 측정하는 것도 가능하다. For precise evaluation of the source and system in a charged particle beam system, which is an object to achieve in the present invention, an embodiment of the present invention proposes to measure the virtual source size after measurement of the virtual source location. It is also possible to measure the virtual source size, or measure the virtual source size after measuring each current density.

도 9은 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에서 가상 소스 크기를 측정하는 단계를 도시한 모식도, 도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에서 측정된 가상 소스 이미지를 도시한 모식도이다. 도 9에 도시된 바와 같이 스크린(7)에 하전입자빔의 상이 맺히게 되면 이미징 시스템(12)에 의해 도 10과 같은 정보가 도출되게 된다.FIG. 9 is a schematic diagram showing a step of measuring a virtual source size in a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a flowchart illustrating a method of estimating a virtual source size in a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention FIG. 7 is a schematic diagram showing a measured virtual source image. FIG. As shown in FIG. 9, when the image of the charged particle beam is formed on the screen 7, the imaging system 12 obtains information as shown in FIG.

종래에는 나이프 에지법을 통하여 소스의 크기를 도출해내는 등의 부정확한 방법을 이용하고 있었다. 이러한 종래의 방법은 복잡한 장치를 챔버 내부에 설치하여 측정하는 방법인데, 본 발명에서는 이러한 나이프 에지의 효과를 애퍼처 에지의 효과로 대신 사용하고, 나이프 에지의 위치에 따른 전류값을 측정하던 패러데이컵 대신 애퍼처 에지의 효과에 의해 형광판에 투영된 하전입자빔의 형태를 이미지 시스템으로 관찰함으로써 하전입자원의 크기나 하전입자빔 광학 시스템에 의한 프로브의 크기를 간단하게 측정할 수 있는 기준을 제공한다.Conventionally, an inaccurate method such as deriving the size of a source through a knife edge method has been used. In the present invention, the effect of the knife edge is used instead of the effect of the edge edge, and the Faraday cup, which measures the current value according to the position of the knife edge, Instead, by observing the shape of the charged particle beam projected on the fluorescent plate by the effect of the aperture edge with the imaging system, the size of the charged particle source or the size of the probe by the charged particle beam optical system can be easily measured .

따라서 본 발명의 일실시예에 따른 가상 소스 크기 측정단계(S30)에서는 이하의 비례식인 수학식 7을 통해 가상 소스 크기를 정확하고 간단하게 도출해내는 방식을 제안하고 있다.Therefore, in the virtual source size measuring step S30 according to the embodiment of the present invention, a method of accurately and simply deriving the virtual source size through the following proportional expression (7) is proposed.

Figure 112014107985920-pat00012
Figure 112014107985920-pat00012

여기서, Dsrc는 하전입자 가상 소스의 크기, DIMG는 스크린에 맺히는 하전입자빔의 이미지에서 중심을 기준으로 거리에 따른 빔의 세기 곡선에서 최대 빔 세기(100%)의 25% 내지 75% 사이의 거리를 의미한다. l1은 애퍼처 위치에서 스크린까지의 거리, avirtual은 가상 소스 위치에서 애퍼처까지의 거리이다. DIMG는 도 10의 상단 그래프에 명확하게 기재되어 있으며, 위 수학식 7에 따르면 손쉽게 하전입자 가상 소스의 크기를 도출해낼 수 있는 효과가 발생된다. 하전입자총에서 하저입자빔은 일정 크기의 직경을 가진 애퍼처를 통과하므로 일정한 발산 각을 가지고 있다. 이러한 하전입자빔이 애퍼처를 통과하면서 애퍼처 가장자리 부분에서 Knife-edge 효과가 나타난다. 따라서 형광판에 맺힌 하전입자빔의 최대 세기의 25%에서 75%에 이르는 길이를 역으로 확대율의 역수를 곱해서 계산하면 가상 소스의 크기를 구할 수 있게 된다. 본 발명의 일실시예에 따른 가상 소스 크기 측정단계(S30)에 따르면 하전입자빔의 이미지가 동심원이 아니어도 가상 소스 크기의 측정이 가능하며, 완벽하게 정렬되어 있지 않아도 가상 소스 크기의 측정이 가능한 효과가 발생된다.Where D src is the size of the charged particle virtual source and D IMG is the distance between 25% and 75% of the maximum beam intensity (100%) in the beam intensity curve along the distance from the center in the image of the charged particle beam projected onto the screen . l 1 is the distance from the aperture position to the screen, and a virtual is the distance from the virtual source position to the aperture. D IMG is clearly described in the upper graph of FIG. 10, and according to Equation (7), an effect of easily deriving the size of the charged particle virtual source can be obtained. The bottom particle beam in the charged particle gun has a certain divergence angle because it passes through the aperture with a certain diameter. As this charged particle beam passes through the aperture, a Knife-edge effect appears at the aperture edge. Therefore, by calculating the length from 25% to 75% of the maximum intensity of the charged particle beam on the fluorescent plate by multiplying the reciprocal of the magnification ratio, the size of the virtual source can be obtained. According to the virtual source size measuring step S30 according to the embodiment of the present invention, it is possible to measure the virtual source size even if the image of the charged particle beam is not concentric, and it is possible to measure the virtual source size even if it is not perfectly aligned Effect is generated.

본 발명의 일실시예에 따른 가상 소스 크기 측정단계(S30)에 의해 하전입자 가상 소스의 크기가 결정되게 되면 광학계의 확대/축소율을 정확하게 구할 수 있어 광학계의 설계가 용이하며, 원하는 해상도를 정확하게 얻을 수 있는 효과가 발생된다.
If the size of the virtual source of the charged particle is determined by the virtual source size measuring step S30 according to the embodiment of the present invention, it is possible to accurately obtain the enlargement / reduction ratio of the optical system, so that the optical system can be designed easily, Effect can be generated.

또한 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치(1)에 따르면 하전입자 소스(2)의 가변 Vbias에 의해 빔의 특성이 어떻게 변하는지 이미징 시스템(12)을 통해 이미지로 손쉽게 확인할 수 있는 효과가 발생된다. 종래에는 하전입자빔의 특성이나 정렬에 대한 정보를 이미지로 확인하는 케이스가 없었다. 도 11a, 11b, 11c, 11d, 11e, 11f는 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치의 스크린에 측정된 소스 이미지를 도시한 모식도이다. 도 11a, 11b, 11c, 11d, 11e, 11f에 도시된 바와 같이 Vbias가 커질수록 하전입자빔의 직경이 커지는 것을 확인할 수 있으며, 육안으로 하전입자빔의 정렬 정도를 확인할 수 있다.In addition, easy access to the image through the imaging system 12 and how varying the characteristics of the beam by the variable V bias, according to a charged particle beam systems evaluate the platform unit 1 according to an embodiment of the present invention, charged particle source (2) An effect that can be confirmed is generated. In the past, there has been no case where images of the characteristics and alignment of the charged particle beam are confirmed by an image. 11A, 11B, 11C, 11D, 11E, and 11F are schematic diagrams showing source images measured on a screen of a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIGS. 11A, 11B, 11C, 11D, 11E, and 11F, it can be seen that the larger the V bias , the larger the diameter of the charged particle beam, and the degree of alignment of the charged particle beam can be confirmed visually.

도 11a, 11b, 11c, 11d, 11e, 11f에 도시된 실시예의 실험 조건은 아래 표와 같다.The experimental conditions of the embodiment shown in Figs. 11A, 11B, 11C, 11D, 11E and 11F are as follows.

Control inputControl input Vacc = 20.000 kVV acc = 20,000 kV VV biasbias = 0.0~1.0  = 0.0 to 1.0 kVkV Vfil = 1.2 VV fil = 1.2 V MonitoringMonitoring Iem = 31.621 μAI em = 31.621 μA PressurePressure 4.2 x 10-7 → 5.4 x 10-7 [torr] 4.2 x 10 -7 → 5.4 x 10 -7 [torr] RT = 22.57 ℃
RH = 59.57 %
RT = 22.57 DEG C
RH = 59.57%

이미징 시스템(12)에서 하전입자빔의 정렬에 문제가 있는 경우에는 하전입자빔의 상이 타원상으로 나타나게 된다. 이러한 경우에는 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치(1)의 챔버(14)를 "ㅏ"자 형태의 원통 부재로 구성하여 광축을 조정할 수 있도록 구성할 수 있다.If there is a problem in the alignment of the charged particle beam in the imaging system 12, the image of the charged particle beam appears as an oval. In such a case, the chamber 14 of the charged particle beam system evaluation platform 1 according to the embodiment of the present invention may be constituted by a "?" Shaped cylindrical member so that the optical axis can be adjusted.

본 발명의 일실시예에 따른 이미징 시스템(12)의 스크린에 맺히는 이미지의 형태 및 특성을 통해서는, 하전입자 광학 시스템 관점에서 ①광축 보정 계수의 도출(광축 정렬을 위한 보정 정보), ②하전입자빔 광학계의 조건(인가전압)에 따른 세기 변화 관찰(하전입자빔의 세기를 간접적으로 확인), ③광학 시스템의 각 구성품(정렬기, 비점 보정기(스티그메이터), 빔 블랭커, 스캐너, 대물렌즈)의 기능 점검이 가능해지는 효과가 발생된다.
(1) derive an optical axis correction coefficient (correction information for aligning the optical axis) from the viewpoint of the charged particle optical system through the shape and characteristics of the image formed on the screen of the imaging system 12 according to the embodiment of the present invention, (Observation of the intensity of the charged particle beam indirectly) according to the condition (applied voltage) of the beam optical system, (3) the respective components (the aligner, the boiling point compensator (stigmator), the beam blanker, Lens) can be checked.

하전입자빔A charged particle beam 시스템 평가 플랫폼 장치의 적용 예 Application example of system evaluation platform device

하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치의 적용 예와 관련하여, 도 12은 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치의 적용예를 도시한 모식도이다. 도 12에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치(1)는 각종 현미경의 소스의 안정성 평가, 이온현미경의 정전렌즈(Electrostatic Column) 평가, 질량분석기(Mass spectrometer)의 이온 소스 평가, 전자/이온 총(Electron/Ion gun)의 평가, 전자현미경의 전자기렌즈(ElectroMagnetic Column), 4극형 질량 필터(Quadrupole type Mass Filter)의 질량 이동 평가 등에 적용할 수 있다. 12 is a schematic diagram showing an application example of a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to an embodiment of the present invention, in relation to an application example of a charged particle beam system evaluation platform apparatus. As shown in FIG. 12, the charged particle beam system evaluation platform apparatus 1 according to an embodiment of the present invention is used for evaluating stability of sources of various microscopes, electrostatic column evaluation of ion microscopes, mass spectrometer ), Evaluation of electron / ion gun, electromagnetic lens of an electron microscope, and mass transfer evaluation of a quadrupole type mass filter.

또한 본 발명의 일실시예에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치(1)는 챔버(14) 내에 디텍터(16, Detector)와 시료 스테이지(15, Sample stage)를 구성하여, 현미경으로 곧바로 이용할 수도 있다. 이러한 경우에는 미리 분해능 시험이 가능해지므로 현미경이 콤팩트해지는 효과가 발생된다.
The charged particle beam system evaluation platform apparatus 1 according to an embodiment of the present invention may also be constructed using a detector 16 and a sample stage 15 in a chamber 14 so that the sample stage 15 can be immediately used by a microscope . In such a case, since the resolution test can be performed in advance, the microscope becomes compact.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 기술자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 상술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
As described above, those skilled in the art will appreciate that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention.

1: 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치
2: 하전입자 소스
3: 가변 애퍼처
4: 진공 게이지
5: 패러데이컵
6: TMP
7: 스크린
8: 쿨링팬
9: 진공게이지 컨트롤러
10: 로터리 펌프
11: 전원
12: 이미징 시스템
13: 슬릿
14: 챔버
15: 시료 스테이지
16: 디텍터
1: Charger beam system evaluation platform device
2: charged particle source
3: Variable Aperture
4: Vacuum gauge
5: Faraday Cup
6: TMP
7: Screen
8: Cooling fan
9: Vacuum Gauging Controller
10: Rotary pump
11: Power supply
12: Imaging system
13: slit
14: chamber
15: sample stage
16: Detector

Claims (12)

하전입자 소스에서 방출되는 하전입자빔이 통과하는 챔버;
상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되어 상기 하전입자빔의 크기를 제한하는 애퍼처; 및
상기 챔버 일측에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되어 상기 애퍼처를 통과한 상기 하전입자빔의 이미지가 맺히는 스크린;
을 포함하고,
상기 스크린에 맺히는 상기 하전입자빔의 상기 이미지를 토대로 하전입자빔 시스템 및 하전입자 소스 중 적어도 하나의 평가를 수행하되,
상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계;를 선행적으로 수행한 이후,
측정된 상기 가상 소스 위치를 토대로 하전입자빔 시스템 및 하전입자 소스 중 적어도 하나의 평가를 수행하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치.
A chamber through which the charged particle beam emitted from the charged particle source passes;
An aperture disposed in the chamber and positioned in the path of the charged particle beam to limit the size of the charged particle beam; And
A screen provided at one side of the chamber and positioned in the path of the charged particle beam to form an image of the charged particle beam that has passed through the aperture;
/ RTI >
Performing an evaluation of at least one of a charged particle beam system and a charged particle source based on the image of the charged particle beam projected onto the screen,
A virtual source position measurement step of measuring a virtual source position of the charged particle source,
And evaluates at least one of a charged particle beam system and a charged particle source based on the measured virtual source position.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 가상 소스 위치 측정 단계는, 이하 수학식을 이용하여 가상 소스 위치를 측정하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치:
[수학식]
Figure 112016056951973-pat00013

여기서, avirtual은 가상 소스 위치에서 애퍼처까지의 거리, D1apt는 애퍼처의 개구부 직경, D2는 스크린에 맺힌 하전입자빔 이미지의 직경, l1은 애퍼처에서 스크린까지의 거리를 의미한다.
The method according to claim 1,
Wherein the virtual source position measuring step measures a virtual source position using the following equation: < EMI ID =
[Mathematical Expression]
Figure 112016056951973-pat00013

Here, a virtual is the distance from the virtual source position to the aperture, D 1apt is the aperture diameter of the aperture, D 2 is the diameter of the charged particle beam image formed on the screen, and l 1 is the distance from the aperture to the screen .
제1항에 있어서,
상기 가상 소스 위치 측정 단계는,
상기 애퍼처를 하전입자빔 경로의 횡방향으로 특정 거리만큼 이동시켜, 상기 하전입자빔의 중심축을 이동시키는 중심축 이동단계;를 더 포함하며,
이하 수학식을 이용하여 가상 소스 위치를 측정하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치:
[수학식]
Figure 112016056951973-pat00014

여기서, avirtual은 가상 소스 위치에서 애퍼처까지의 거리, δD1apt는 애퍼처가 이동한 특정 거리, δD2는 스크린에서 하전입자빔 이미지의 중심축 이동거리, l1은 애퍼처에서 스크린까지의 거리를 의미한다.
The method according to claim 1,
Wherein the virtual source location measurement step comprises:
And a center axis moving step of moving the aperture by a specific distance in the transverse direction of the charged particle beam path to move the center axis of the charged particle beam,
Wherein the virtual source position is measured using the following equation: < EMI ID =
[Mathematical Expression]
Figure 112016056951973-pat00014

Where a virtual is the distance from the virtual source location to the aperture, δD 1apt is the specific distance the aperture moved, δD 2 is the center axis travel distance of the charged particle beam image on the screen, l 1 is the distance from the aperture to the screen .
제1항에 있어서,
상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되어 상기 하전입자빔의 입자 수 정보를 전류 정보로 변환하는 패러데이컵;
을 더 포함하고,
상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계; 및
측정된 상기 가상 소스 위치 및 상기 패러데이컵에서 획득되는 상기 전류 정보를 토대로 상기 하전입자빔의 각전류밀도를 측정하는 각전류밀도 측정 단계;
를 수행하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치.
The method according to claim 1,
A Faraday cup provided in the chamber and positioned in the path of the charged particle beam to convert the particle number information of the charged particle beam into current information;
Further comprising:
A virtual source position measuring step of measuring a virtual source position of the charged particle source; And
Measuring each current density of the charged particle beam on the basis of the measured virtual source position and the current information obtained in the Faraday cup;
Is performed on the basis of the position information of the charged particle beam.
제1항에 있어서,
상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되어 상기 하전입자빔의 입자 수 정보를 전류 정보로 변환하는 패러데이컵;
을 더 포함하고,
상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계; 및
측정된 상기 가상 소스 위치 및 상기 패러데이컵에서 획득되는 상기 전류 정보를 토대로 이하 수학식을 이용하여 상기 하전입자빔의 각전류밀도를 측정하는 각전류밀도 측정 단계;
를 수행하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치:
[수학식]
Figure 112014107985920-pat00015

여기서, D3는 패러데이컵의 유효 직경, l2는 가상 소스 위치에서 패러데이컵까지의 거리, Ibeam은 패러데이컵에 의해 측정된 전류 정보, I'는 하전입자빔의 각전류밀도를 의미한다.
The method according to claim 1,
A Faraday cup provided in the chamber and positioned in the path of the charged particle beam to convert the particle number information of the charged particle beam into current information;
Further comprising:
A virtual source position measuring step of measuring a virtual source position of the charged particle source; And
Measuring each current density of the charged particle beam using the following equation based on the measured virtual source position and the current information obtained in the Faraday cup;
Wherein the load balancing system comprises:
[Mathematical Expression]
Figure 112014107985920-pat00015

Here, D 3 denotes the effective diameter of the Faraday cup, l 2 denotes the distance from the virtual source position to the Faraday cup, I beam denotes the current information measured by the Faraday cup, and I 'denotes the current density of the charged particle beam.
제1항에 있어서,
상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계; 및
측정된 상기 가상 소스 위치를 토대로 상기 스크린에 맺히는 상기 하전입자빔의 이미지의 직경을 이용하여 하전입자빔 가상 소스의 크기를 측정하는 가상 소스 크기 측정 단계;
를 수행하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치.
The method according to claim 1,
A virtual source position measuring step of measuring a virtual source position of the charged particle source; And
A virtual source size measuring step of measuring a size of a charged particle beam virtual source using a diameter of an image of the charged particle beam formed on the screen based on the measured virtual source position;
Is performed on the basis of the position information of the charged particle beam.
제1항에 있어서,
상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계; 및
측정된 상기 가상 소스 위치를 토대로 이하 수학식을 이용하여 하전입자빔 가상 소스의 크기를 측정하는 가상 소스 크기 측정 단계;
를 수행하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치:
[수학식]
Figure 112014107985920-pat00016

여기서, avirtual은 가상 소스 위치에서 애퍼처까지의 거리, l1는 애퍼처 위치에서 스크린까지의 거리, Dsrc는 하전입자 가상 소스의 크기, DIMG는 스크린에 맺히는 하전입자빔 이미지의 가장자리에서 빔의 세기가 최대치(100%) 대비 25% 내지 75%에 이르는 거리를 의미한다.
The method according to claim 1,
A virtual source position measuring step of measuring a virtual source position of the charged particle source; And
Measuring a size of a charged particle beam virtual source using the following equation based on the measured virtual source position;
Wherein the load balancing system comprises:
[Mathematical Expression]
Figure 112014107985920-pat00016

Where a virtual is the distance from the virtual source location to the aperture, l 1 is the distance from the aperture location to the screen, D src is the size of the virtual source of charge, D IMG is the distance from the edge of the charged particle beam image Means a distance ranging from 25% to 75% of the intensity of the beam (100%).
제1항에 있어서,
상기 챔버는 "ㅏ"자 단면의 원통 부재가 연속적으로 적층되어 형성되고, 틸팅이 가능하도록 구성되며,
상기 하전입자빔의 중심축이 상기 챔버에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the chamber is formed by continuously stacking cylindrical members having a "a" -shaped cross section, and is configured to be capable of tilting,
And a center axis of the charged particle beam is adjusted by the chamber.
제1항에 있어서,
상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔의 경로에 위치되며 관찰하고자 하는 시료이 안착되는 시료 스테이지; 및
상기 챔버 내에 구비되고, 상기 하전입자빔이 상기 시료에 조사되어 반사되는 전자를 검출하거나, 상기 하전입자빔이 상기 시료에 조사되어 관통되는 하전입자빔을 검출하는 디텍터;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치.
The method according to claim 1,
A sample stage which is provided in the chamber and is positioned in a path of the charged particle beam and on which a sample to be observed is seated; And
A detector which is provided in the chamber and detects electrons irradiated to the sample by the charged particle beam to be reflected and detects a charged particle beam through which the charged particle beam is irradiated to the sample;
Further comprising a beam splitter for splitting the charged particle beam into two or more beams.
제1항에 있어서,
상기 챔버의 내부는 고진공, 초고진공, 극고진공으로 유지될 수 있고,
상기 챔버의 재질은 탄소(carbon) 함량이 0.5wt% 이하인 저탄소강(mild steel)인 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치.
The method according to claim 1,
The interior of the chamber can be maintained at high vacuum, ultra-high vacuum, very high vacuum,
Wherein the material of the chamber is a low-carbon steel having a carbon content of 0.5 wt% or less.
제5항에 따른 하전입자빔 시스템 평가 플랫폼 장치에 하전입자 소스를 장착하는 소스 장착 단계; 및
상기 하전입자 소스의 가상 소스 위치를 측정하는 가상 소스 위치 측정 단계;
를 포함하고,
상기 가상 소스 위치 측정 단계 이후에,
측정된 상기 가상 소스 위치 및 상기 패러데이컵에서 획득되는 상기 전류 정보를 토대로 상기 하전입자빔의 각전류밀도를 측정하는 각전류밀도 측정 단계; 또는
측정된 상기 가상 소스 위치를 토대로 상기 스크린에 맺히는 상기 하전입자빔의 이미지의 직경을 이용하여 하전입자빔 가상 소스의 크기를 측정하는 가상 소스 크기 측정 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 시스템 평가방법.
A source mounting step of mounting a charged particle source on a charged particle beam system evaluation platform apparatus according to claim 5; And
A virtual source position measuring step of measuring a virtual source position of the charged particle source;
Lt; / RTI >
After the step of measuring the virtual source position,
Measuring each current density of the charged particle beam on the basis of the measured virtual source position and the current information obtained in the Faraday cup; or
A virtual source size measuring step of measuring a size of a charged particle beam virtual source using a diameter of an image of the charged particle beam formed on the screen based on the measured virtual source position;
Further comprising the steps of:
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