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KR101586739B1 - Film Touch Sensor and Method for Fabricating the Same - Google Patents

Film Touch Sensor and Method for Fabricating the Same Download PDF

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Publication number
KR101586739B1
KR101586739B1 KR1020140176198A KR20140176198A KR101586739B1 KR 101586739 B1 KR101586739 B1 KR 101586739B1 KR 1020140176198 A KR1020140176198 A KR 1020140176198A KR 20140176198 A KR20140176198 A KR 20140176198A KR 101586739 B1 KR101586739 B1 KR 101586739B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
film
electrode
carrier substrate
touch sensor
Prior art date
Application number
KR1020140176198A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
유병묵
최용석
윤주인
차진규
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to PCT/KR2015/007839 priority Critical patent/WO2016018030A1/en
Priority to TW104124990A priority patent/TW201606599A/en
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    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
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    • GPHYSICS
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    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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Abstract

The present invention relates to a film touch sensor and a manufacturing method thereof for performing a process by creating a separation layer on a carrier substrate and for using the separation layer as a wire coating layer when the carrier substrate is detached. The present invention comprises: the separation layer; an electrode pattern layer which is formed on the separation layer and which includes a sensing electrode and a pad electrode formed on one end of the sensing electrode; an insulation layer formed on the upper part of the electrode pattern layer; and a base film formed on the insulation layer. A circuit board is electrically connected to the pad electrode.

Description

필름 터치 센서 및 그의 제조 방법{Film Touch Sensor and Method for Fabricating the Same}Technical Field [0001] The present invention relates to a film touch sensor and a fabrication method thereof,

본 발명은 필름 터치 센서에 관한 것으로, 구체적으로 캐리어 기판상에 분리층을 형성하여 공정을 진행하는 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a film touch sensor, and more particularly, to a film touch sensor for forming a separation layer on a carrier substrate to carry out the process, and a manufacturing method thereof.

터치입력방식이 차세대 입력방식으로 각광받으면서 좀더 다양한 전자기기에 터치입력방식을 도입하려는 시도들이 이루어지고 있으며, 따라서 다양한 환경에 적용할 수 있고 정확한 터치인식이 가능한 터치 센서에 대한 연구개발도 활발히 이루어지고 있다.There have been attempts to introduce a touch input method into a wider variety of electronic devices while the touch input method is being watched as a next generation input method. Accordingly, research and development on a touch sensor capable of being applied to various environments and capable of accurate touch recognition are actively performed have.

예를 들어, 터치 방식의 디스플레이를 갖는 전자기기의 경우 초경량, 저전력을 달성하고 휴대성이 향상된 초박막의 유연성 디스플레이가 차세대 디스플레이로 주목받으면서 이러한 디스플레이에 적용 가능한 터치 센서의 개발이 요구되어 왔다.For example, in the case of an electronic device having a touch-type display, an ultra-thin flexible display which achieves light weight, low power and improved portability has been attracting attention as a next generation display, and development of a touch sensor applicable to such a display has been required.

유연성 디스플레이란 특성의 손실 없이 휘거나 구부리거나 말 수 있는 유연한 기판상에 제작된 디스플레이를 의미하며, 유연성 LCD, 유연성 OLED 및 전자종이와 같은 형태로 기술개발이 진행중에 있다.Flexible display means a display made on a flexible substrate that can bend, bend or twist without loss of properties, and technology development is under way in the form of flexible LCD, flexible OLED and electronic paper.

이러한 유연성 디스플레이에 터치입력방식을 적용하기 위해서는 휘어짐 및 복원력이 우수하고, 유연성 및 신축성이 뛰어난 터치 센서가 요구된다.In order to apply the touch input method to such a flexible display, a touch sensor excellent in flexing and restoring force and excellent in flexibility and stretchability is required.

이와 같은 유연성 디스플레이 제조를 위한 필름 터치 센서에 관하여 투명 수지 기재 중에 매설된 배선을 포함하는 배선 기판이 제시되고 있다.As for the film touch sensor for manufacturing such a flexible display, a wiring substrate including wiring buried in a transparent resin base is proposed.

기판상에 금속배선을 형성하는 배선형성공정과, 상기 금속배선을 덮도록 투명 수지 용액을 도포 건조하여 투명 수지 기재를 형성하는 적층공정 및 상기 기판으로부터 투명 수지 기재를 박리시키는 박리공정을 포함하는 것이다.A wiring forming step of forming a metal wiring on the substrate; a lamination step of forming a transparent resin base material by applying and drying a transparent resin solution so as to cover the metal wiring; and a peeling step of peeling the transparent resin base material from the substrate .

이와 같은 제조 방법에서는 박리공정을 원활하게 수행하기 위하여, 실리콘 수지나 불소수지와 같은 유기 박리재, 다이아몬드 라이크 카본(Diamond Like Carbon, DLC) 박막, 산화 지르코늄 박막 등의 무기 박리재를 기판의 표면에 미리 형성시키는 방법을 사용한다.In order to smoothly carry out the peeling process, an organic peeling material such as silicone resin or fluororesin, a diamond like carbon (DLC) thin film, a zirconium oxide thin film, or other inorganic peeling material is applied to the surface of the substrate A method of forming in advance is used.

그러나 무기 박리재를 이용하는 경우, 기판으로부터 기재 및 금속 배선을 박리시킬 때, 배선 및 기재의 박리가 원활하게 진행되지 않아 기판 표면에 금속 배선 및 기재의 일부가 잔류하는 문제가 있으며, 박리재로 사용된 유기 물질이 배선 및 기재의 표면에 묻어나오는 문제가 있다.However, when an inorganic stripping material is used, there is a problem that the metal wiring and the substrate remain on the surface of the substrate because the separation of the wiring and the substrate does not proceed smoothly when the substrate and the metal wiring are separated from the substrate. There is a problem in that the organic material is buried on the surface of the wiring and the substrate.

즉, 박리재를 이용하더라도 배선기판의 금속배선을 기판으로부터 완벽하게 박리시킬 수 없는 문제가 있다.That is, there is a problem that the metal wiring of the wiring substrate can not be completely peeled off from the substrate even when the peeling material is used.

이러한 문제를 해결하기 위하여 대한민국 등록특허 제10-1191865호에서 제시되고 있는 방법은, 금속배선이 매립된 형태의 유연기판을 제조하는 단계에서 빛이나 용매에 의해 제거될 수 있는 희생층, 금속배선 및 고분자 물질(유연기판)을 기판상에 형성시킨 후, 빛이나 용매를 이용하여 희생층을 제거함으로써 금속배선 및 고분자 물질(유연기판)을 기판으로부터 박리시킨다.In order to solve such a problem, Korean Patent No. 10-1191865 discloses a method for manufacturing a flexible substrate in the form of a buried metal wiring, a sacrificial layer which can be removed by light or a solvent, After the polymer material (flexible substrate) is formed on the substrate, the sacrificial layer is removed by using light or a solvent to separate the metal wiring and the polymer material (flexible substrate) from the substrate.

하지만, 이와 같은 방법은 대형 사이즈에서의 희생층 제거 공정이 어렵고, 고온공정이 불가능하여 다양한 필름기재를 사용할 수 없는 문제가 있다.However, such a method has a problem that it is difficult to remove the sacrificial layer in a large size, and a high temperature process can not be performed, so that various film substrates can not be used.

대한민국 등록특허 제10-1191865호Korean Patent No. 10-1191865

본 발명은 이와 같은 종래 기술의 유연성 디스플레이 제조의 문제를 해결하기 위한 것으로, 캐리어 기판상에 분리층을 형성하여 공정을 진행하고, 캐리어 기판과 분리되면 분리층이 배선 피복층으로 사용되도록 하는 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.In order to solve the problem of the prior art flexible display manufacturing method of the present invention, a film touch sensor is used in which a separation layer is formed on a carrier substrate and a separation layer is separated from the carrier substrate, And a method for producing the same.

본 발명은 투명 도전층 패턴상에 평탄화층으로 사용되는 절연층이 형성되는 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a film touch sensor in which an insulating layer used as a planarization layer is formed on a transparent conductive layer pattern and a method of manufacturing the same.

본 발명은 캐리어 기판상에서 터치 센서를 구현하므로 필름 기재상에서 직접 터치 센서를 구현하는 공정에서는 불가능한 고정세, 내열성을 확보하고, 필름 기재를 다변화할 수 있도록 한 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention provides a film touch sensor and a method for manufacturing the same which can realize a fixed tax and heat resistance that can not be realized in a process of directly implementing a touch sensor on a film substrate, There is a purpose.

본 발명은 캐리어 기판상에 분리층을 형성하여 터치 센서 형성공정을 진행하고, 기재필름을 접합하고 캐리어 기판과 분리한 이후에 회로 기판을 부착할 수 있도록 한 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention provides a film touch sensor capable of forming a separation layer on a carrier substrate to perform a touch sensor formation process, bonding a substrate film and separating the carrier substrate from the carrier substrate, and a method of manufacturing the same It has its purpose.

본 발명은 캐리어 기판상에 분리층을 형성하여 공정을 진행하고, 캐리어 기판과의 분리 이후에도 분리층을 제거하지 않아 별도의 분리층 제거 공정이 없는 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention provides a film touch sensor and a method of manufacturing the same that do not require a separate separation layer removal process since the separation layer is formed on the carrier substrate and the separation layer is not removed even after separation from the carrier substrate have.

본 발명은 분리층과 절연층 사이에 탄성율이 제어된 보호층을 추가로 형성하여 스트레스 해소능력 차이에 의한 크랙 발생을 억제할 수 있도록 한 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a film touch sensor and a method of manufacturing the same which can further suppress the occurrence of cracks due to the difference in stress relieving ability by further forming a protective layer whose elasticity is controlled between the separation layer and the insulating layer.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 필름 터치 센서는 분리층; 상기 분리층상에 형성되되, 센싱 전극 및 상기 센싱 전극의 일단에 형성되는 패드 전극을 포함하는 전극 패턴층; 상기 전극 패턴층의 상부에 형성되는 절연층; 상기 절연층상에 형성되는 기재필름; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a film touch sensor including: a separation layer; An electrode pattern layer formed on the isolation layer and including a sensing electrode and a pad electrode formed on one end of the sensing electrode; An insulating layer formed on the electrode pattern layer; A base film formed on the insulating layer; And a control unit.

또한, 상기 필름 터치 센서는 상기 분리층과 전극 패턴층 사이에 형성되는 보호층을 더 포함할 수 있다.In addition, the film touch sensor may further include a protective layer formed between the separation layer and the electrode pattern layer.

그리고, 상기 절연층은 상기 보호층과의 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인 것을 특징으로 한다.The insulating layer is characterized in that the difference in modulus of elasticity at 25 DEG C with the protective layer is 300 MPa or less.

또한, 상기 절연층은 상기 보호층과의 25℃에서의 탄성율차가 100MPa 이하인 것을 특징으로 한다.The insulating layer is characterized in that the difference in elastic modulus at 25 캜 between the protective layer and the protective layer is 100 MPa or less.

그리고, 상기 필름 터치 센서는 상기 패드 전극의 하부에 형성되는 패드 패턴층을 더 포함할 수 있다.The film touch sensor may further include a pad pattern layer formed under the pad electrode.

여기서, 상기 패드 패턴층은 금속, 금속나노와이어, 금속산화물, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자 및 도전성 잉크에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.Here, the pad pattern layer may be formed of at least one material selected from metals, metal nanowires, metal oxides, carbon nanotubes, graphenes, conductive polymers, and conductive inks.

또한, 상기 패드 패턴층은 2층 이상의 도전층이 될 수 있다.In addition, the pad pattern layer may be a conductive layer of two or more layers.

그리고, 상기 절연층은 상기 전극 패턴층을 덮도록 형성되되, 상기 전극 패턴층과 접하는 면의 반대편 표면이 평탄한 것을 특징으로 한다.The insulating layer is formed to cover the electrode pattern layer, and the surface opposite to the surface in contact with the electrode pattern layer is flat.

또한, 상기 절연층은 유기절연막 및 무기절연막에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.In addition, the insulating layer may be formed of at least one material selected from an organic insulating film and an inorganic insulating film.

상기 전극 패턴층은 투명 도전층인 것을 특징으로 한다.And the electrode pattern layer is a transparent conductive layer.

여기서, 상기 투명 도전층은 금속, 금속나노와이어, 금속산화물, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자 및 도전성 잉크에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.Here, the transparent conductive layer may be formed of at least one material selected from metals, metal nanowires, metal oxides, carbon nanotubes, graphenes, conductive polymers, and conductive inks.

또한, 상기 전극 패턴층은 브릿지 전극을 더 포함할 수 있다.The electrode pattern layer may further include a bridge electrode.

그리고 상기 전극 패턴층은 2층 이상의 도전층이 될 수 있다.The electrode pattern layer may be a conductive layer of two or more layers.

상기 분리층은 먼저 캐리어 기판상에 형성된 후 상기 캐리어 기판과 분리되어 형성된 것을 특징으로 한다.And the separation layer is formed on the carrier substrate and then separated from the carrier substrate.

또한, 상기 분리층은 상기 캐리어 기판과의 박리력이 1N/25mm 이하인 것을 특징으로 한다. The separating layer is characterized in that the separating force with the carrier substrate is 1 N / 25 mm or less.

또한, 상기 분리층은 상기 캐리어 기판과의 박리력이 0.1N/25mm 이하인 것을 특징으로 한다.In addition, the separating layer is characterized in that the separating force with the carrier substrate is 0.1 N / 25 mm or less.

그리고, 상기 분리층은 캐리어 기판과 박리 후의 표면에너지가 30 내지 70 mN/m인 것을 특징으로 한다.The separation layer has a surface energy of 30 to 70 mN / m after peeling off from the carrier substrate.

또한, 상기 분리층과 상기 캐리어 기판과의 표면에너지 차이가 10 mN/m 이상인 것을 특징으로 한다.Further, the surface energy difference between the separation layer and the carrier substrate is 10 mN / m or more.

그리고, 상기 캐리어 기판은 글라스 기판인 것을 특징으로 한다.The carrier substrate is a glass substrate.

그리고, 상기 분리층은 고분자 유기막인 것을 특징으로 한다.The separation layer is a polymer organic film.

여기서, 상기 고분자 유기막은 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리스타일렌(polystylene), 폴리노보넨(polynorbornene), 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer), 폴리아조벤젠(polyazobenzene), 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자 및 방향족 아세틸렌계 고분자 물질로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함한다.Here, the polymer organic film may be formed of at least one selected from the group consisting of polyimide, polyvinyl alcohol, polyamic acid, polyamide, polyethylene, polystyrene, polynorbornene ), A phenylmaleimide copolymer, a polyazobenzene, a polyphenylenephthalamide, a polyester, a polymethyl methacrylate, a polyarylate, At least one substance selected from the group consisting of a cinnamate-based polymer, a coumarin-based polymer, a phthalimidine-based polymer, a chalcone-based polymer, and an aromatic acetylene-based polymer.

그리고, 상기 분리층의 두께는 10 내지 1000nm인 것을 특징으로 한다.The thickness of the separation layer is 10 to 1000 nm.

그리고, 상기 분리층의 두께는 50 내지 500nm인 것을 특징으로 한다.The thickness of the separation layer is 50 to 500 nm.

또한, 상기 필름 터치 센서는 상기 패드 전극과 전기적으로 접속되는 회로 기판을 더 포함할 수 있다.The film touch sensor may further include a circuit board electrically connected to the pad electrode.

또한, 상기 회로 기판은 분리층을 통하여 패드 전극과 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 한다.Further, the circuit board is electrically connected to the pad electrode through the separation layer.

또한, 상기 회로 기판은 패드 패턴층을 통하여 패드 전극과 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 한다.In addition, the circuit board is electrically connected to the pad electrode through the pad pattern layer.

그리고, 상기 기재필름은 편광판, 등방성필름, 위상차필름 및 보호필름 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.The base film may be any one of a polarizing plate, an isotropic film, a retardation film, and a protective film.

또한, 상기 필름 터치 센서는 상기 절연층과 상기 기재필름 사이에 형성되는 접착층을 더 포함할 수 있다.The film touch sensor may further include an adhesive layer formed between the insulating layer and the base film.

또한, 상기 접착층은 점착제 또는 접착제로 형성되는 것을 특징으로 한다.
Further, the adhesive layer is formed of a pressure-sensitive adhesive or an adhesive.

그리고, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 필름 터치 센서의 제조 방법은 캐리어 기판상에 분리층을 형성하는 분리층 형성단계; 상기 분리층의 상부에 센싱 전극과 패드 전극을 포함하는 전극 패턴층을 형성하는 전극 패턴층 형성단계; 상기 전극 패턴층 상부에 절연층을 형성하는 절연층 형성단계; 상기 절연층상에 기재필름을 부착하는 기재필름 부착단계; 및 상기 캐리어 기판으로부터 상기 분리층을 분리하는 캐리어 기판 제거단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a film touch sensor including: forming a separation layer on a carrier substrate; Forming an electrode pattern layer including a sensing electrode and a pad electrode on the isolation layer; Forming an insulating layer on the electrode pattern layer; Attaching a base film on the insulating layer; And a carrier substrate removing step of separating the separation layer from the carrier substrate; And a control unit.

여기서, 상기 기재필름 부착단계는 상기 기재필름과 상기 절연층이 접착제에 의해 접합되는 것을 특징으로 한다.Here, the base film adhering step is characterized in that the base film and the insulating layer are bonded by an adhesive.

또한, 상기 기재필름 부착단계는 상기 기재필름과 상기 절연층이 점착제에 의해 접합되는 것을 특징으로 한다.Further, in the step of attaching the base film, the base film and the insulating layer are bonded by a pressure-sensitive adhesive.

그리고, 상기 필름 터치 센서의 제조 방법은 상기 분리층 형성단계 이후에 상기 분리층의 상부에 보호층을 형성하는 보호층 형성단계; 상기 패드 전극이 형성될 부분에 해당하는 영역의 상기 보호층을 일부 제거하여 분리층이 노출되도록 하는 보호층 일부 제거단계; 를 더 포함하고, 상기 전극 패턴층 형성 단계는 상기 보호층 및 노출된 분리층 상에 전극 패턴층을 형성하는 것을 특징으로 한다.The method of manufacturing a film touch sensor may further include: forming a protective layer on the isolation layer after the isolation layer formation step; Removing a portion of the protective layer in a region corresponding to a portion where the pad electrode is to be formed to expose the isolation layer; Wherein the electrode pattern layer forming step forms an electrode pattern layer on the protective layer and the exposed separation layer.

또한, 상기 필름 터치 센서의 제조 방법은 상기 분리층 형성단계 이후에 상기 분리층의 상부에 보호층을 형성하는 보호층 형성단계; 를 더 포함하고, 상기 보호층 형성단계는 패드 전극이 형성될 영역의 분리층이 일부 노출되도록 형성하며, 상기 전극 패턴층 형성 단계는 상기 보호층 및 노출된 분리층 상에 전극 패턴층을 형성하는 것을 특징으로 한다.The method of manufacturing a film touch sensor may further include: forming a protective layer on the isolation layer after the isolation layer formation step; Wherein forming the protective layer includes exposing a part of the isolation layer in a region where the pad electrode is to be formed, and forming the electrode pattern layer includes forming an electrode pattern layer on the protective layer and the exposed isolation layer .

그리고, 상기 필름 터치 센서의 제조 방법은 상기 패드 전극이 형성될 부분에 미리 패드 패턴층을 형성하는 패드 패턴층 형성단계; 를 더 포함할 수 있다.The method of fabricating the film touch sensor may further include: forming a pad pattern layer in advance on a portion where the pad electrode is to be formed; As shown in FIG.

또한, 상기 캐리어 기판 제거단계는 리프트오프(Lift-off) 또는 필오프(Peel-off)의 방법을 이용하여 캐리어 기판으로부터 분리층을 분리하는 것을 특징으로 한다.The carrier substrate removing step separates the separation layer from the carrier substrate by using a lift-off method or a peel-off method.

여기서, 상기 캐리어 기판 제거단계는 상기 캐리어 기판으로부터 1N/25mm 이하의 힘으로 상기 분리층을 분리하는 것을 특징으로 한다.Here, the carrier substrate removing step separates the separation layer from the carrier substrate with a force of 1 N / 25 mm or less.

그리고, 상기 필름 터치 센서의 제조 방법은 상기 캐리어 기판 제거단계 이후에 상기 패드 전극에 회로 기판을 접합하는 회로 기판 접합단계; 를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing the film touch sensor may further include: a circuit board bonding step of bonding the circuit board to the pad electrode after the carrier substrate removing step; As shown in FIG.

또한, 상기 필름 터치 센서의 제조 방법은 상기 캐리어 기판 제거단계 이후에 상기 패드 패턴층에 회로 기판을 접합하는 회로 기판 접합단계; 를 더 포함할 수 있다.In addition, the method of manufacturing a film touch sensor may include: a circuit board bonding step of bonding a circuit board to the pad pattern layer after the carrier substrate removing step; As shown in FIG.

이와 같은 본 발명에 따른 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법은 다음과 같은 효과를 갖는다.The film touch sensor and the manufacturing method thereof according to the present invention have the following effects.

첫째, 캐리어 기판상에 분리층을 형성하여 공정을 진행하고, 캐리어 기판과 분리되면 분리층이 배선 피복층으로 사용되도록 하여 공정의 효율성 및 생산성을 높일 수 있다.First, the separation layer is formed on the carrier substrate, and the separation layer is used as a wiring coating layer when separated from the carrier substrate, thereby improving process efficiency and productivity.

둘째, 투명 도전층 패턴상에 평탄화층으로 사용되는 절연층을 형성하여 터치 센서 제조 공정의 효율성을 높일 수 있다.Second, the efficiency of the touch sensor manufacturing process can be improved by forming the insulating layer used as the planarization layer on the transparent conductive layer pattern.

셋째, 캐리어 기판상에서 터치 센서를 구현하기 위한 공정을 진행하여 고정세, 내열성을 확보하고, 필름 기재를 다변화할 수 있다.Third, a process for realizing a touch sensor on a carrier substrate is carried out, thereby securing fixed weight, heat resistance, and diversifying the film substrate.

넷째, 분리층상에 패드 패턴층을 금속 또는 금속 산화물로 이루어지는 1층 또는 복수의 적층체로 형성하여 회로 기판과의 접촉 저항을 효과적으로 줄이고 공정의 안정성을 높일 수 있다.Fourth, the pad pattern layer may be formed of a single layer or a plurality of layers of metal or metal oxide on the separation layer, thereby effectively reducing the contact resistance with the circuit board and improving the stability of the process.

다섯째, 캐리어 기판상에 형성되는 분리층을 제거하지 않고 캐리어 기판과 분리한 이후에 패드 패턴층에 회로 기판을 부착하여 공정의 효율성을 높일 수 있다.Fifth, after separating the carrier substrate from the carrier substrate without removing the separation layer formed on the carrier substrate, the circuit substrate may be attached to the pad pattern layer to increase the efficiency of the process.

여섯째, 캐리어 기판과의 분리 이후에 별도의 분리층 제거 공정을 하지 않아 공정을 단순화하고 제거 공정에서 터치 센서 영역에 가해지는 문제를 해결할 수 있다.Sixth, since separation layer removal process is not performed after separation from the carrier substrate, the process can be simplified and the problem of being applied to the touch sensor area in the removal process can be solved.

일곱째, 분리층과 절연층 사이에 탄성율이 제어된 보호층을 추가로 형성하여 스트레스 해소능력 차이에 의한 크랙 발생을 억제할 수 있다.Seventh, a protective layer having a controlled elastic modulus can be additionally formed between the separation layer and the insulating layer to suppress the occurrence of cracks due to the difference in stress relieving ability.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 필름 터치 센서의 구조 단면도
도 5a 내지 도 5k는 본 발명에 따른 필름 터치 센서의 제조 방법의 실시예에 따른 공정 단면도
1 to 4 are structural cross-sectional views of a film touch sensor according to an embodiment of the present invention
5A through 5K are cross-sectional views of a process according to an embodiment of a method of manufacturing a film touch sensor according to the present invention

이하, 본 발명에 따른 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법의 바람직한 실시 예에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the film touch sensor and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail as follows.

본 발명에 따른 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법의 특징 및 이점들은 이하에서의 각 실시예에 대한 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.The features and advantages of the film touch sensor and the manufacturing method thereof according to the present invention will be apparent from the following detailed description of each embodiment.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 필름 터치 센서의 구조 단면도이다.1 to 4 are sectional views of a film touch sensor according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 캐리어 기판상에 분리층을 형성하고 터치 센서 형성 공정을 진행하고, 캐리어 기판과 분리되면 분리층이 배선 피복층으로 사용되도록 하여 필름 기재상에서 직접 터치 센서를 구현하는 공정에서는 불가능한 고정세, 내열성을 확보하고, 필름 기재를 다변화할 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a touch sensor, which comprises forming a separation layer on a carrier substrate, performing a touch sensor formation process, separating the carrier substrate from the carrier substrate, And the film base material can be diversified.

본 발명은 분리층상에 금속 또는 금속 산화물로 이루어지는 패드 패턴층을 1층 또는 복수의 적층체로 형성하여 회로 기판과의 접촉 저항을 효과적으로 줄이고 공정의 안정성을 높일 수 있도록 한 것이다.A pad pattern layer made of a metal or a metal oxide is formed on a separation layer in a single layer or a plurality of stacked layers to effectively reduce the contact resistance with the circuit board and increase the stability of the process.

이를 위한 본 발명에 따른 필름 터치 센서는 도 1에서와 같이, 분리층; 상기 분리층상에 형성되되, 센싱 전극 및 상기 센싱 전극의 일단에 형성되는 패드 전극을 포함하는 전극 패턴층; 상기 전극 패턴층의 상부에 형성되는 절연층; 상기 절연층상에 형성되는 기재필름; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.As shown in FIG. 1, the film touch sensor according to the present invention includes a separation layer; An electrode pattern layer formed on the isolation layer and including a sensing electrode and a pad electrode formed on one end of the sensing electrode; An insulating layer formed on the electrode pattern layer; A base film formed on the insulating layer; And a control unit.

여기서, 분리층은 고분자 유기막으로, 예를 들면 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리스타일렌(polystylene), 폴리노보넨(polynorbornene), 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer), 폴리아조벤젠(polyazobenzene), 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자 및 방향족 아세틸렌계 고분자 물질로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함한다. Here, the separation layer may be a polymer organic film, for example, polyimide, polyvinyl alcohol, polyamic acid, polyamide, polyethylene, polystyrene, ), Polynorbornene, phenylmaleimide copolymer, polyazobenzene, polyphenylenephthalamide, polyester, polymethyl methacrylate, polymethylmethacrylate, polymethylmethacrylate, At least one selected from the group consisting of polyarylates, cinnamate polymers, coumarin polymers, phthalimidine polymers, chalcone polymers and aromatic acetylene polymers, ≪ / RTI >

분리층(20)은 캐리어 기판(10)상에 코팅 후 그 상부에 전극 패턴층 등을 형성한 후에 최종적으로 캐리어 기판(10)으로부터 분리하게 된다. After the separation layer 20 is coated on the carrier substrate 10, an electrode pattern layer or the like is formed thereon and then finally separated from the carrier substrate 10.

그리고, 분리층(20)의 박리력은 1N/25mm 이하인 것이 바람직하며, 0.1N/25mm 이하인 것이 보다 바람직하다. 즉, 분리층(20)과 캐리어 기판(10)의 분리시에 가해지는 물리적 힘이 1N/25mm, 특히 0.1N/25mm을 넘지 않도록 하는 물질로 분리층(20)이 형성되는 것이 바람직하다.The separating force of the separating layer 20 is preferably 1 N / 25 mm or less, more preferably 0.1 N / 25 mm or less. That is, it is preferable that the separation layer 20 is formed of a material such that the physical force applied when the separation layer 20 and the carrier substrate 10 are separated does not exceed 1 N / 25 mm, especially 0.1 N / 25 mm.

분리층(20)의 박리력이 1N/25mm 초과인 경우에는 캐리어 기판과의 분리시 깔끔하게 분리되지 않아, 분리층(20)이 캐리어 기판상에 잔존할 가능성이 있으며, 또한 분리층(20), 보호층(30), 전극 패턴층(50), 절연층(70) 중 한 곳 이상에서 크랙이 생길 가능성도 있기 때문이다.When the peeling force of the separating layer 20 is more than 1 N / 25 mm, the separating layer 20 may not be separated neatly when separated from the carrier substrate, and the separating layer 20 may remain on the carrier substrate. This is because there is a possibility that cracks may occur in at least one of the protective layer 30, the electrode pattern layer 50, and the insulating layer 70.

특히, 분리층(20)의 박리력은 0.1N/25mm 이하인 것이 보다 바람직한데, 0.1N/25mm 이하인 경우에는 캐리어 기판으로부터 박리후에 필름에 발생하는 컬(curl)이 제어 가능하다는 측면에서 보다 바람직하다. 컬(curl)은 필름 터치 센서 기능적 측면에서 문제를 주지 않지만, 접합 공정, 커팅 공정 등의 공정에서 공정효율성을 떨어뜨릴 수 있기 때문에 적게 발생하도록 하는 것이 유리하다.Particularly, the peeling force of the separation layer 20 is more preferably 0.1 N / 25 mm or less, and in the case of 0.1 N / 25 mm or less, the curl generated in the film after peeling from the carrier substrate is more controllable . Although the curl does not cause any problem in terms of the function of the film touch sensor, it is advantageous to reduce the curl since the process efficiency in the joining process, the cutting process, and the like may be lowered.

여기서, 분리층(20)의 두께는 10 내지 1000nm가 바람직하고, 50 내지 500nm인 것이 보다 바람직하다. 분리층(20)의 두께는 10nm 미만이면 분리층 도포시의 균일성이 떨어져 전극 패턴 형성이 불균일하거나, 국부적으로 박리력이 상승하여 찢겨짐이 발생하거나, 캐리어 기판과 분리 후, 필름 터치 센서에 컬(curl)이 제어되지 않는 문제점이 있다. 그리고 두께가 1000nm를 초과하면 상기 박리력이 더 이상 낮아지지 않는 문제점이 있으며, 필름의 유연성이 저하되는 문제점이 있다.Here, the thickness of the separation layer 20 is preferably 10 to 1000 nm, more preferably 50 to 500 nm. If the thickness of the separating layer 20 is less than 10 nm, the uniformity of the separating layer may be reduced and the electrode pattern may not be uniformly formed, or the separating layer 20 may be locally peeled and torn, There is a problem that the curl is not controlled. If the thickness exceeds 1000 nm, the peeling force is not lowered further, and the flexibility of the film is deteriorated.

또한, 분리층은 캐리어 기판과 박리 후의 표면에너지가 30 내지 70mN/m인 것이 바람직하며, 분리층과 캐리어 기판과의 표면에너지 차이는 10mN/m 이상인 것이 바람직하다. 분리층은 필름 터치 센서 제조 공정에서, 캐리어 기판과 박리될 때까지의 공정에서 캐리어 기판과 안정적으로 밀착되어야 하고, 캐리어 기판으로부터 박리시에는 필름 터치 센서의 찢김이나 컬이 발생하지 않도록 용이하게 박리되어야 한다. 분리층의 표면에너지를 30 내지 70mN/m이 되도록 하면 박리력 조절이 가능하고, 분리층과 인접하는 보호층 또는 전극 패턴층과의 밀착력이 확보되어 공정 효율이 향상된다. 또한 분리층과 캐리어 기판과의 표면에너지 차이가 10mN/m 이상일 경우 캐리어 기판으로부터 원활하게 박리되어 필름 터치 센서의 찢김이나 필름 터치 센서의 각 층에 발생할 수 있는 크랙을 방지할 수 있다.It is also preferable that the separation layer has a surface energy of 30 to 70 mN / m after peeling off from the carrier substrate, and a surface energy difference between the separation layer and the carrier substrate is preferably 10 mN / m or more. The separating layer must be stably adhered to the carrier substrate in the process of manufacturing the film touch sensor from the carrier substrate to the carrier substrate and peeled off easily from the carrier substrate in order to prevent tearing or curling of the film touch sensor do. When the surface energy of the separation layer is set to 30 to 70 mN / m, the peeling force can be adjusted, and adhesion between the separation layer and the adjacent protective layer or electrode pattern layer is ensured and the process efficiency is improved. Also, when the difference in surface energy between the separation layer and the carrier substrate is 10 mN / m or more, it can be smoothly peeled off from the carrier substrate, thereby preventing tearing of the film touch sensor and cracks in each layer of the film touch sensor.

분리층(20)의 상부에는 전극 패턴층(50)이 형성되는데, 상기 분리층(20)은 캐리어 기판으로부터 분리 후에 전극 패턴층(50)을 피복하는 피복층의 기능을 하거나 전극 패턴층(50)을 외부의 접촉으로부터 보호하는 보호층의 기능을 하게 된다.An electrode pattern layer 50 is formed on the upper part of the separation layer 20. The separation layer 20 functions as a coating layer covering the electrode pattern layer 50 after being separated from the carrier substrate, Which serves as a protective layer for protecting the semiconductor device from external contact.

분리층(20)의 상부에는 다시 하나 이상의 보호층(30)이 더 형성될 수 있다. 분리층(20)만으로는 외부로부터의 접촉이나 충격에 대해 전극 패턴을 보호하기 힘들 수 있으므로, 하나 이상의 보호층(30)을 분리층(20)상에 형성될 수 있다At least one protective layer 30 may be further formed on the isolation layer 20. One or more protective layers 30 may be formed on the separation layer 20 since the separation layer 20 alone may be difficult to protect the electrode pattern against external contact or impact

보호층(30)은 유기절연막 또는 무기절연막중 적어도 하나를 포함하며, 코팅 및 경화의 방법 또는 증착을 통하여 형성될 수 있다.The protective layer 30 includes at least one of an organic insulating film and an inorganic insulating film, and may be formed by a method of coating and hardening or by vapor deposition.

보호층은 패드 전극이 형성될 부분을 패터닝 등의 방법으로 일부 제거하거나, 패드 전극이 형성될 부분을 제외하고 도포하여 형성될 수 있다. 바람직하게는 분리층이 노출되도록 보호층이 형성될 수 있다. 이는 회로 기판 접속시에 회로 기판과 패드 전극이 원활하게 접속할 수 있기 때문이다.The protective layer may be formed by partially removing the portion where the pad electrode is to be formed by a method such as patterning, or by applying the portion except for the portion where the pad electrode is to be formed. Preferably, a protective layer may be formed such that the separation layer is exposed. This is because the circuit board and the pad electrode can be connected smoothly when the circuit board is connected.

패드 패턴층(40)은 패드 전극의 하부에 형성될 수 있다. 패드 패턴층은 회로 기판과 패드 전극이 접속될 때 접촉 저항을 낮게 하는 목적으로 설치될 수 있다. 패드 전극과 회로 기판이 접속될 때 접촉 저항이 충분히 낮은 경우 패드 패턴층은 생략되어도 된다.The pad pattern layer 40 may be formed under the pad electrode. The pad pattern layer can be provided for the purpose of lowering the contact resistance when the circuit board and the pad electrode are connected. When the contact resistance is sufficiently low when the pad electrode and the circuit board are connected, the pad pattern layer may be omitted.

패드 패턴층(40)은 금속, 금속나노와이어, 금속산화물, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자 및 도전성 잉크에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다. The pad pattern layer 40 may be formed of one or more materials selected from metals, metal nanowires, metal oxides, carbon nanotubes, graphenes, conductive polymers, and conductive inks.

여기서, 금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄, 팔라듐, 네오듐, 은-팔라듐-구리합금(APC) 중 어느 하나가 될 수 있다.Here, the metal may be any one of Au, Ag, Cu, Mo, Al, Pd, Ne, and Ag-APC.

그리고, 금속나노와이어는 은나노와이어, 구리나노와이어, 지르코늄나노와이어, 금나노와이어 중 어느 하나가 될 수 있다. The metal nanowires may be any one of silver nanowires, copper nanowires, zirconium nanowires, and gold nanowires.

그리고, 금속산화물은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 징크옥사이드(ZnO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO) 중 어느 하나가 될 수 있다.The metal oxide is selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), florinthine oxide (ZnO), indium tin oxide-silver-indium tin oxide (ITO-Ag-ITO), indium zinc oxide-silver-indium zinc oxide (IZO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide- IZTO-Ag-IZTO) and aluminum zinc oxide-silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO).

또한 패드 패턴층(40)은 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀 (graphene)을 포함하는 탄소(carbon)계 물질로 형성할 수도 있다.The pad pattern layer 40 may be formed of a carbon material including carbon nanotube (CNT) or graphene.

상기 전도성 고분자는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 피닷(PEDOT) 및 폴리아닐린(polyaniline)을 포함하며, 이런 전도성 고분자로 형성될 수도 있다.The conductive polymer includes polypyrrole, polythiophene, polyacetylene, PEDOT, and polyaniline, and may be formed of such a conductive polymer.

상기 도전성 잉크는 금속파우더와 경화성 고분자 바인더가 혼합된 잉크로, 이를 이용하여 전극을 형성할 수도 있다.The conductive ink is an ink in which a metal powder and a curable polymer binder are mixed, and an electrode may be formed using the ink.

패드 패턴층(40)은 전기 저항 저감 및 회로 기판과의 접촉 저항을 줄이기 위해 도 2a와 도 2b에서와 같이, 제 1 패드 패턴층(41) 및 제 2 패드 패턴층(42)의 형태로 2 이상의 도전층으로 이루어질 수 있다.2A and 2B, the pad pattern layer 40 is formed in the form of a first pad pattern layer 41 and a second pad pattern layer 42 in order to reduce the electrical resistance and the contact resistance with the circuit board. Or more of the conductive layer.

패드 패턴층(40)의 구체적인 적층 구조의 예는 다음과 같다. 금속산화물이 적층되고 그 상부에 금속이 적층되는 구조, 금속이 적층되고 그 상부에 금속산화물이 적층되는 구조, 금속이 적층되고 그 상부에 금속산화물이 적층되고 그 상부에 금속이 더 적층되는 구조, 금속산화물이 적층되고 그 상부에 금속이 적층되고 그 상부에 금속산화물이 더 적층되는 구조 등을 들 수 있다.An example of a specific laminated structure of the pad pattern layer 40 is as follows. A structure in which a metal is stacked and a metal is stacked thereon, a structure in which a metal is stacked and a metal oxide is stacked thereon, a structure in which a metal is stacked, a metal oxide is stacked thereon, A structure in which a metal oxide is stacked, a metal is stacked on the metal oxide, and a metal oxide is further stacked thereon.

분리층(20) 또는 보호층(30)의 상부에는 전극 패턴층(50)이 형성된다. 전극 패턴층(50)은 터치 여부를 감지하는 센싱 전극(SE) 및 상기 센싱 전극(SE)의 일단에 형성되는 패드 전극(PE)을 포함하여 구성된다. 여기서, 센싱 전극(SE)은 터치를 감지하는 전극뿐 아니라, 그 전극에 연결된 배선 패턴을 포함할 수 있다. 패드 전극(PE)는 회로 기판과 전기적으로 접속될 수 있다.An electrode pattern layer 50 is formed on the isolation layer 20 or the protection layer 30. The electrode pattern layer 50 includes a sensing electrode SE for sensing the touch and a pad electrode PE formed at one end of the sensing electrode SE. Here, the sensing electrode SE may include not only an electrode for sensing a touch but also a wiring pattern connected to the electrode. The pad electrode PE can be electrically connected to the circuit board.

전극 패턴층(50)은 투명 도전층으로, 금속, 금속나노와이어, 금속산화물, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자 및 도전성 잉크에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.The electrode pattern layer 50 is a transparent conductive layer and may be formed of one or more materials selected from metals, metal nanowires, metal oxides, carbon nanotubes, graphenes, conductive polymers, and conductive inks.

여기서, 금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄, 팔라듐, 네오듐, 은-팔라듐-구리합금(APC) 중 어느 하나가 될 수 있다.Here, the metal may be any one of Au, Ag, Cu, Mo, Al, Pd, Ne, and Ag-APC.

그리고, 금속나노와이어는 은나노와이어, 구리나노와이어, 지르코늄나노와이어, 금나노와이어 중 어느 하나가 될 수 있다.The metal nanowires may be any one of silver nanowires, copper nanowires, zirconium nanowires, and gold nanowires.

그리고, 금속산화물은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 징크옥사이드(ZnO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO) 중 어느 하나가 될 수 있다.The metal oxide is selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), florinthine oxide (ZnO), indium tin oxide-silver-indium tin oxide (ITO-Ag-ITO), indium zinc oxide-silver-indium zinc oxide (IZO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide- IZTO-Ag-IZTO) and aluminum zinc oxide-silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO).

또한 전극 패턴층(40)은 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀 (graphene)을 포함하는 탄소(carbon)계 물질로 형성할 수도 있다.The electrode pattern layer 40 may be formed of a carbon material including carbon nanotube (CNT) or graphene.

상기 전도성 고분자는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 피닷(PEDOT) 및 폴리아닐린(polyaniline)을 포함하며, 이런 전도성 고분자로 형성될 수도 있다.The conductive polymer includes polypyrrole, polythiophene, polyacetylene, PEDOT, and polyaniline, and may be formed of such a conductive polymer.

상기 도전성 잉크는 금속파우더와 경화성 고분자 바인더가 혼합된 잉크로, 이를 이용하여 전극을 형성할 수도 있다.The conductive ink is an ink in which a metal powder and a curable polymer binder are mixed, and an electrode may be formed using the ink.

상기 전극 패턴층(50)은 전기 저항을 저감시키기 위해 경우에 따라서는 도 2a와 같이 제 1 전극층(51) 및 제 2 전극층(52)의 형태로 2 이상의 도전층으로 이루어 질 수 있다. The electrode pattern layer 50 may be formed of two or more conductive layers in the form of a first electrode layer 51 and a second electrode layer 52, as shown in FIG. 2A, in order to reduce electrical resistance.

전극 패턴층(50)은 일 실시예로 ITO, AgNW(은나노와이어), 메탈 메쉬로 1층으로 형성할 수 있으며, 2 이상의 층을 형성하는 경우에는 제 1 전극층(51)을 ITO와 같은 투명 금속산화물로 형성하고, 전기적 저항을 더 낮추기 위하여 ITO 전극층 상부에 금속이나 AgNW 등을 이용하여 제 2 전극층(52)을 형성할 수 있다.The electrode pattern layer 50 may be formed of one layer of ITO, AgNW (silver nano wire), or metal mesh. In the case of forming two or more layers, the first electrode layer 51 may be formed of a transparent metal such as ITO And the second electrode layer 52 can be formed on the ITO electrode layer using metal, AgNW or the like in order to further lower the electrical resistance.

전극 패턴층(50)의 전기 전도도 향상을 위하여, 금속 또는 금속산화물로 이루어진 전극 패턴층을 적어도 1층 이상 포함하여 형성할 수 있다. 보다 상세하게는, 전극 패턴층은 분리층 또는 보호층상에 금속 또는 금속산화물로 투명 도전층을 형성한 후 추가로 투명 도전층을 적층하여 전극 패턴을 형성하거나, 분리층 또는 보호층상에 1층 이상의 투명 도전층을 적층한 후 추가로 금속 또는 금속산화물로 투명 도전층을 형성하여 전극 패턴을 형성할 수 있다. 상기 전극 패턴의 적층 구조의 구체적인 예는 다음과 같다. 분리층과 전극 패턴층 사이에 금속 또는 금속산화물 패턴층이 더 형성되는 구조, 전극 패턴층과 절연층 사이에 금속 또는 금속산화물 패턴층이 더 형성되는 구조, 보호층과 전극 패턴층 사이에 금속 또는 금속산화물 패턴층이 더 형성되는 구조일 수 있으며, 또한 투명 도전성 재료로 이루어지는 전극 패턴층을 1층 이상 더 포함할 수 있다.In order to improve the electrical conductivity of the electrode pattern layer 50, at least one electrode pattern layer made of metal or metal oxide may be formed. More specifically, the electrode pattern layer may be formed by forming a transparent conductive layer of a metal or a metal oxide on a separation layer or a protective layer, and then further laminating a transparent conductive layer to form an electrode pattern, An electrode pattern can be formed by laminating a transparent conductive layer and then forming a transparent conductive layer with a metal or a metal oxide. A specific example of the lamination structure of the electrode pattern is as follows. A structure in which a metal or metal oxide pattern layer is further formed between the separation layer and the electrode pattern layer, a structure in which a metal or metal oxide pattern layer is further formed between the electrode pattern layer and the insulation layer, A metal oxide pattern layer may be further formed, and further, one or more electrode pattern layers made of a transparent conductive material may be included.

적용 가능한 전극 패턴층(50)의 적층 구조의 구체적인 예는 다음과 같다. A specific example of the lamination structure of the applicable electrode pattern layer 50 is as follows.

금속산화물을 적층하고 그 상부에 은나노와이어를 적층하는 구조, 금속산화물을 적층하고 그 상부에 금속을 적층하는 구조, 금속산화물을 적층하고 그 상부에 메탈 메쉬 전극을 적층하는 구조, 은나노와이어를 적층하고 그 상부에 금속산화물을 적층하는 구조, 금속을 적층하고 그 상부에 금속산화물을 적층하는 구조, 메탈 메쉬 전극을 적층하고 그 상부에 금속산화물을 적층하는 구조, 금속산화물을 적층하고 그 상부에 은나노와이어를 적층하고 그 상부에 금속층을 더 적층하는 구조, 은나노와이어를 적층하고 그 상부에 금속산화물을 적층하고 그 상부에 금속층을 더 적층하는 구조 등이 있으며, 상기 전극 적층 구조는 터치 센서의 신호처리, 저항을 고려하여 변경할 수 있으며 상기 기재한 적층 구조에 제한 되는 것은 아니다.A structure in which a metal oxide is laminated and a silver nano wire is laminated thereon, a structure in which a metal oxide is laminated and a metal is laminated thereon, a structure in which a metal oxide is laminated and a metal mesh electrode is laminated thereon, A structure for laminating a metal oxide on the metal oxide layer, a structure for laminating a metal oxide on the metal oxide layer, a structure for laminating a metal oxide on the metal oxide layer, a structure for laminating a metal oxide on the metal oxide layer, And a structure in which a metal layer is laminated on the metal layer, and a structure in which a metal layer is laminated on the metal layer, and a structure in which a metal layer is laminated on the metal layer, It is not limited to the above-described laminated structure.

전극 패턴층은 제1 전극 패턴층과 제2 전극 패턴층 사이에 전기절연층이 형성될 수 있고, 전기 절연층을 패터닝하여 컨택홀을 형성하여 제 2 도전층을 브릿지 전극이 되도록 형성할 수도 있다.The electrode pattern layer may include an electrical insulating layer between the first electrode pattern layer and the second electrode pattern layer and may form a contact hole by patterning the electrical insulating layer to form the second conductive layer as a bridge electrode .

또한, 전극 패턴층의 구조를 터치 센서 방식의 관점에서 설명하면 다음과 같다.The structure of the electrode pattern layer will be described below in terms of the touch sensor method.

전극 패턴층의 패턴 구조는 정전용량 방식에 사용되는 전극 패턴구조가 바람직하며, 상호 정전용량 방식(mutual-capacitance) 또는 셀프 정전용량 방식(self-capacitance)이 적용될 수 있다. The pattern structure of the electrode pattern layer is preferably an electrode pattern structure used for the electrostatic capacity method, and mutual-capacitance or self-capacitance may be applied.

상호 정전용량 방식(mutual-capacitance)일 경우, 가로축과 세로축의 격자 전극구조일 수 있다. 가로축과 세로축의 전극의 교차점에는 브릿지 전극을 포함할 수 있으며, 또는, 가로축 전극 패턴층과 세로축 전극 패턴층이 각각 형성되어 전기적으로 이격되는 형태일 수도 있다.In case of mutual-capacitance, it may be a lattice electrode structure having a horizontal axis and a vertical axis. Bridge electrodes may be formed at the intersections of the electrodes on the horizontal axis and the vertical axis or the horizontal axis electrode pattern layer and the vertical axis electrode pattern layer may be formed and electrically separated from each other.

셀프 정전용량 방식(self-capacitance)일 경우, 각 지점의 한 개의 전극을 사용해 정전용량 변화를 읽어내는 방식의 전극층 구조일 수 있다.In the case of a self-capacitance type, it may be an electrode layer structure in which a change in capacitance is read using one electrode at each point.

전극 패턴층(50)은 도 2b와 같이 상부에 감광성 레지스트(60)가 형성된 구조일 수 있다. 전극 패턴층(50)은 포토리소그래피 등의 방법으로 형성될 수 있는데, 감광성 레지스트의 종류에 따라 전극 패턴층 형성 후 제거될 수도 있고, 남아있을 수도 있다. 감광성 레지스트가 남아있는 구조에서 감광성 레지스트는 전극 패턴층을 보호하는 역할을 할 수 있다The electrode pattern layer 50 may have a structure in which a photosensitive resist 60 is formed on the upper portion as shown in FIG. 2B. The electrode pattern layer 50 may be formed by a method such as photolithography. The electrode pattern layer 50 may be removed after the electrode pattern layer is formed or may remain, depending on the type of the photosensitive resist. In the structure in which the photosensitive resist remains, the photosensitive resist may serve to protect the electrode pattern layer

전극 패턴층(50)의 상부에는 절연층(70)이 형성된다. 절연층은 전극 패턴의 부식을 막고 전극 패턴의 표면을 보호하는 역할을 할 수 있다. 절연층(70)은 전극이나 배선의 틈 사이를 메우고 일정한 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 전극 패턴층(50)과 접하는 면의 반대편 표면은 전극의 요철이 드러나지 않도록 평탄하게 형성하는 것이 바람직하다.An insulating layer 70 is formed on the electrode pattern layer 50. The insulating layer may prevent corrosion of the electrode pattern and protect the surface of the electrode pattern. It is preferable that the insulating layer 70 is formed to have a constant thickness by filling the gap between the electrode and the wiring. That is, it is preferable that the surface opposite to the surface in contact with the electrode pattern layer 50 is formed flat so as not to reveal the irregularities of the electrode.

상기 보호층(30)과 상기 절연층(70)의 25℃에서의 탄성율 차가 300MPa 이하인 것이 바람직하고, 100Mpa 이하인 것이 보다 바람직하다. 이는 각층의 스트레스 해소능력 차이에 의한 크랙 발생을 억제하기 위한 것으로, 상기 보호층과 상기 절연층의 탄성율차를 25℃에서 300MPa 이하가 되도록 하는 이유는 탄성율 차이가 300MPa을 초과하면, 두 층간의 스트레스 해소능력에 불균형이 발생하여 크랙이 발생하기 때문이다.The difference in modulus of elasticity between the protective layer 30 and the insulating layer 70 at 25 캜 is preferably 300 MPa or less, more preferably 100 MPa or less. This is because the difference in the modulus of elasticity between the protective layer and the insulating layer is made to be 300 MPa or less at 25 DEG C because when the difference in modulus of elasticity exceeds 300 MPa, This is because an imbalance occurs in the elimination ability and a crack is generated.

또한, 25℃에서의 탄성율 차이를 측정하는 이유는 사용자가 사용하는 환경에서 크랙이 발생하지 않아야 하기 때문이다.The reason for measuring the difference in elastic modulus at 25 占 폚 is that cracks should not occur in the environment used by the user.

절연층은 보호층과의 탄성율 차이가 300Mpa 이하가 되는 것을 만족하는 유기절연물질이면 특별히 제한되지 않으나, 절연층은 열경화성 또는 UV경화성 유기고분자인 것이 바람직하다. The insulating layer is not particularly limited as long as it is an organic insulating material satisfying that the difference in elastic modulus with respect to the protective layer is 300 MPa or less. However, the insulating layer is preferably a thermosetting or UV curable organic polymer.

절연층은 에폭시 화합물, 아크릴 화합물, 멜라닌 화합물 등 물질에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다. The insulating layer may be formed of at least one material selected from the group consisting of an epoxy compound, an acrylic compound, and a melamine compound.

절연층(70)은 그 자체가 점착제나 접착제로 이루어진 접착층의 기능을 할 수 있다. 이때 절연층은 폴리에스테르, 폴리에테르, 폴리우레탄, 에폭시, 실리콘 및 아크릴로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 또한 절연층(70)이 접착층의 기능을 할 경우, 도 1 내지 도 2에서와 같이 절연층(70) 상부에 직접 기재필름(100)이 접합될 수도 있다.The insulating layer 70 itself can function as an adhesive layer composed of an adhesive or an adhesive. The insulating layer may include at least one material selected from the group consisting of polyester, polyether, polyurethane, epoxy, silicone, and acrylic. When the insulating layer 70 functions as an adhesive layer, the base film 100 may be directly bonded onto the insulating layer 70 as shown in FIGS.

또한, 도 3에서와 같이, 절연층(70)과 기재필름(100)사이에 별도의 접착층(80)을 형성하여 이에 의해 접합될 수 있다. 접착층(80)은 점착제 또는 접착제로 형성되며, 열경화형이나 UV경화형 모두 가능하다. 이 경우 접착층은 기재필름(100)의 일면에 먼저 형성한 후에 기재필름을 부착할 수 있는데, NCF(Non Carrier Film)타입의 접착필름 또는 점착필름이 사용될 수 있다. 또한 절연층 상면에 접착층을 코팅하여 기재필름(100)을 부착할 수도 있는데, OCR(Optically Clear Resin)타입의 액상의 접착제를 도포하고 기재필름을 덮고 경화하여 부착할 수 있다. 기재필름(100)의 접합에 사용되는 접착제나 점착제는 폴리에스테르, 폴리에테르, 폴리우레탄, 에폭시, 실리콘, 아크릴계 물질인 것이 바람직하다.3, a separate adhesive layer 80 may be formed between the insulating layer 70 and the base film 100 and bonded thereto. The adhesive layer 80 is formed of a pressure-sensitive adhesive or an adhesive, and can be either a thermosetting type or a UV-curing type. In this case, the adhesive layer may be first formed on one side of the base film 100 and then the base film may be adhered. An NCF (Non Carrier Film) type adhesive film or an adhesive film may be used. Further, the base film 100 may be adhered by coating an adhesive layer on the upper surface of the insulating layer. It is possible to apply an OCR (Optically Clear Resin) type liquid adhesive, cover the substrate film, and cure it. The adhesive or pressure-sensitive adhesive used for bonding the base film 100 is preferably a polyester, polyether, polyurethane, epoxy, silicone, or acrylic material.

여기서, 상기 기재필름(100)은 투명필름 또는 편광판이 될 수 있다.Here, the base film 100 may be a transparent film or a polarizing plate.

투명필름은 투명성, 기계적 강도, 열안정성이 우수한 필름이 사용될 수 있으며, 구체적인 예로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지; 디아세틸셀룰로오스, 트리아세틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스계 수지; 폴리카보네이트계 수지; 폴리메틸(메타)아크릴레이트, 폴리에틸(메타)아크릴레이트 등의 아크릴계 수지; 폴리스티렌, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 등의 스티렌계 수지; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 시클로계 또는 노보넨 구조를 갖는 폴리올레핀, 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀계 수지; 염화비닐계 수지; 나일론, 방향족 폴리아미드 등의 아미드계 수지; 이미드계 수지; 폴리에테르술폰계 수지; 술폰계 수지; 폴리에테르에테르케톤계 수지; 황화 폴리페닐렌계 수지; 비닐알코올계 수지; 염화비닐리덴계 수지; 비닐부티랄계 수지; 알릴레이트계 수지; 폴리옥시메틸렌계 수지; 에폭시계 수지 등과 같은 열가소성 수지로 구성된 필름을 들 수 있으며, 상기 열가소성 수지의 블렌드물로 구성된 필름도 사용할 수 있다. 또한, (메타)아크릴계, 우레탄계, 아크릴우레탄계, 에폭시계, 실리콘계 등의 열경화성 수지 또는 자외선 경화형 수지로 된 필름을 이용할 수도 있다. 이와 같은 투명필름의 두께는 적절히 결정할 수 있지만, 일반적으로는 강도나 취급성 등의 작업성, 박층성 등의 점에서 1 ∼ 500㎛ 정도이다. 특히 1 ∼ 300㎛가 바람직하고, 5 ∼ 200㎛가 보다 바람직하다.As the transparent film, a film excellent in transparency, mechanical strength and thermal stability may be used. Specific examples thereof include polyester resins such as polyethylene terephthalate, polyethylene isophthalate, polyethylene naphthalate and polybutylene terephthalate; Cellulose-based resins such as diacetylcellulose and triacetylcellulose; Polycarbonate resin; Acrylic resins such as polymethyl (meth) acrylate and polyethyl (meth) acrylate; Styrene resins such as polystyrene and acrylonitrile-styrene copolymer; Polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, cyclo- or norbornene-structured polyolefins, ethylene-propylene copolymers; Vinyl chloride resin; Amide resins such as nylon and aromatic polyamide; Imide resin; Polyether sulfone type resin; Sulfone based resin; Polyether ether ketone resin; A sulfided polyphenylene resin; Vinyl alcohol-based resin; Vinylidene chloride resins; Vinyl butyral resin; Allylate series resin; Polyoxymethylene type resin; Epoxy resin, and the like, and a film composed of the blend of the thermoplastic resin may also be used. Further, a film made of a thermosetting resin such as (meth) acrylic, urethane, acrylic urethane, epoxy, or silicone or a film made of an ultraviolet curable resin may be used. Though the thickness of such a transparent film can be suitably determined, it generally ranges from 1 to 500 占 퐉 in view of workability such as strength and handleability, and thin layer properties. Particularly preferably 1 to 300 mu m, and more preferably 5 to 200 mu m.

이러한 투명필름은 적절한 1종 이상의 첨가제가 함유된 것일 수도 있다. 첨가제로는, 예컨대 자외선흡수제, 산화방지제, 윤활제, 가소제, 이형제, 착색방지제, 난연제, 핵제, 대전방지제, 안료, 착색제 등을 들 수 있다. 상기 투명필름은 필름의 일면 또는 양면에 하드코팅층, 반사방지층, 가스배리어층과 같은 다양한 기능성층을 포함하는 구조일 수 있으며, 기능성층은 전술한 것으로 한정되는 것은 아니며, 용도에 따라 다양한 기능성층을 포함할 수 있다.Such a transparent film may contain one or more suitable additives. Examples of the additive include an ultraviolet absorber, an antioxidant, a lubricant, a plasticizer, a release agent, a coloring inhibitor, a flame retardant, a nucleating agent, an antistatic agent, a pigment and a colorant. The transparent film may be a structure including various functional layers such as a hard coating layer, an antireflection layer, and a gas barrier layer on one side or both sides of the film. The functional layer is not limited to the above, and various functional layers .

또한, 필요에 따라 투명필름은 표면 처리된 것일 수 있다. 이러한 표면 처리로는 플라즈마 처리, 코로나 처리, 프라이머 처리 등의 건식 처리, 검화 처리를 포함하는 알칼리 처리 등의 화학 처리 등을 들 수 있다.Further, if necessary, the transparent film may be surface-treated. Examples of the surface treatment include a chemical treatment such as an alkaline treatment including a dry treatment such as a plasma treatment, a corona treatment, a primer treatment, and a saponification treatment.

또한, 투명필름은 등방성필름, 위상차필름 또는 보호필름(Protective Film)일 수 있다.Further, the transparent film may be an isotropic film, a retardation film, or a protective film.

등방성필름일 경우 면내 위상차(Ro, Ro=[(nx-ny)ⅹd], nx, ny는 필름 평면 내의 주굴절률, nz는 필름 두께 방향의 굴절률, d는 필름 두께이다) 가 40nm 이하이고, 15nm 이하가 바람직하며, 두께방향 위상차(Rth, Rth=[(nx+ny)/2-nz]ⅹd ) 가 -90nm ∼ +75nm이며, 바람직하게는 -80nm ∼ +60nm, 특히 -70nm ∼ +45nm가 바람직하다.Nx and ny are the main refractive index in the film plane, nz is the refractive index in the film thickness direction, and d is the film thickness) is 40 nm or less and 15 nm or less, And the retardation in the thickness direction (Rth, Rth = [(nx + ny) / 2-nz] xd) is from -90 nm to +75 nm, preferably -80 nm to +60 nm, particularly preferably -70 nm to +45 nm desirable.

위상차필름은 고분자필름의 일축 연신, 이축 연신, 고분자코팅, 액정코팅의 방법으로 제조된 필름이며, 일반적으로 디스플레이의 시야각보상, 색감개선, 빛샘개선, 색미조절 등의 광학특성 향상 및 조절을 위하여 사용된다.The retardation film is a film produced by the uniaxial stretching, biaxial stretching, polymer coating and liquid crystal coating method of a polymer film, and is generally used for improving the viewing angle of the display, improving the color feeling, improving the light leakage, do.

위상차필름의 종류에는 1/2 이나 1/4 등의 파장판, 양의 C플레이트, 음의 C플레이트, 양의 A플레이트, 음의 A플레이트, 이축성 파장판을 포함한다.The types of the retardation film include a wave plate of 1/2 or 1/4, a positive C plate, a negative C plate, a positive A plate, a negative A plate, and a biaxial wave plate.

보호필름은 고분자수지로 이루어진 필름의 적어도 일면에 점착층을 포함하는 필름이거나 폴리프로필렌 등의 자가점착성을 가진 필름일 수 있으며, 터치 센서 표면의 보호, 공정성 개선을 위하여 사용될 수 있다.The protective film may be a film including an adhesive layer on at least one side of a film made of a polymer resin, or a self-adhesive film such as polypropylene, and may be used for protecting the surface of the touch sensor and improving the processability.

편광판은 표시 패널에 사용되는 공지의 것이 사용될 수 있다.As the polarizing plate, any known one used in the display panel can be used.

구체적으로는 폴리비닐알코올 필름을 연신하여 요오드나 이색성 색소를 염색한 편광자의 적어도 일면에 보호층을 설치하여 이루어진 것, 액정을 배향하여 편광자의 성능을 갖도록 하여 만든 것, 투명필름에 폴리비닐알코올 등의 배향성 수지를 코팅하고 이것을 연신 및 염색하여 만든 것을 들 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, a film obtained by stretching a polyvinyl alcohol film to provide a protective layer on at least one surface of a polarizer obtained by dyeing iodine or a dichroic dye, a film obtained by orienting a liquid crystal to have a polarizer performance, a film made of polyvinyl alcohol Or the like, and then stretching and dyeing the resultant, and the present invention is not limited thereto.

본 발명의 필름 터치 센서는 도 4에서와 같이, 회로 기판과 전기적으로 접속될 수 있다. 이때 회로 기판은 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)을 일례로 들 수가 있으며, 터치 제어 회로와 본 발명의 필름 터치 센서를 전기적으로 접속시키는 기능을 한다. 필름 터치 센서는 도전성 접착제를 사용하여 회로 기판과 접합할 수 있다. The film touch sensor of the present invention can be electrically connected to the circuit board as in Fig. The circuit board may be a flexible printed circuit board (FPCB), for example, and electrically connects the touch control circuit to the film touch sensor of the present invention. The film touch sensor can be bonded to the circuit board using a conductive adhesive.

회로 기판(110)의 일단에는 패드 전극(PE)과 대응하는 전극이 형성되어 있으며, 도전성 접착제에 의해 패드 전극(PE)과 전기적으로 접속된다. 또한 패드 전극과 회로기판의 접촉 저항을 줄이기 위하여 패드 패턴층(40)을 통하여 접속될 수 있다. 회로기판과 접속되는 상기 필름 터치 센서의 일례로, 도 4와 같이 회로 기판이 패드 패턴층에 접합되며, 분리층을 통하여 접속될 수 있다.An electrode corresponding to the pad electrode PE is formed on one end of the circuit board 110 and is electrically connected to the pad electrode PE by a conductive adhesive. And may be connected through the pad pattern layer 40 to reduce the contact resistance between the pad electrode and the circuit board. As an example of the film touch sensor connected to the circuit board, the circuit board may be bonded to the pad pattern layer as shown in FIG. 4, and may be connected through the separation layer.

회로 기판을 패드 전극에 부착할 때 패드 패턴층을 통하여 부착하는 방법은 회로 기판과 패드 전극의 접촉 저항을 낮추기 위한 것으로 제조 공정 및 제품 사양에 따라 선택적으로 적용될 수 있다. The method of attaching the circuit board to the pad electrode through the pad pattern layer is to selectively reduce the contact resistance between the circuit board and the pad electrode according to the manufacturing process and product specifications.

또한, 회로 기판은 분리층을 제거하여 노출된 패드 전극 또는 패드 패턴층과 접속될 수 있다. 분리층(20)을 제거하는 공정은 습식 식각 공정이 사용될 수 있고, 분리층(20)의 재질에 따라 식각 용액이 선택될 수 있다.Further, the circuit board may be connected to the exposed pad electrode or pad pattern layer by removing the separation layer. The process of removing the separation layer 20 may be a wet etching process, and the etching solution may be selected depending on the material of the separation layer 20.

예를 들어, 분리층(20)의 재질이 폴리이미드계 고분자나 폴리비닐알코올계 고분자, 폴리아믹산계 고분자 등인 경우에는 KOH, TMAH, 아민류 등의 염기성 약액으로 제거 가능하고, 폴리에스테르, 신나메이트계 고분자, 쿠마린계 고분자, 칼콘계 고분자, 방향족 아세틸린계 고분자 등인 경우에는 인산, 초산, 질산 등의 산성 약액으로 제거 가능하다.
For example, when the material of the separating layer 20 is a polyimide-based polymer, a polyvinyl alcohol-based polymer, a polyamic acid-based polymer or the like, it can be removed with a basic chemical such as KOH, TMAH or amines, A polymer, a coumarin-based polymer, a chalcone-based polymer, an aromatic acetylenic polymer or the like, it can be removed with an acidic chemical such as phosphoric acid, acetic acid, nitric acid or the like.

상기와 같은 구조를 갖는 본 발명에 따른 필름 터치 센서의 제조 공정을 도 5a 내지 도 5k를 참조하여 설명하면 다음과 같다.The manufacturing process of the film touch sensor according to the present invention having the above-described structure will be described with reference to FIGS. 5A to 5K.

도 5a 내지 도 5k는 본 발명에 따른 필름 터치 센서의 제조 방법의 제 1 실시예에 따른 공정 단면도이며, 이를 참조하여 본 발명에 따른 필름 터치 센서의 제조 방법을 구체적으로 설명한다.5A to 5K are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a film touch sensor according to a first embodiment of the present invention, and a method of manufacturing the film touch sensor according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 5a에 도시된 바와 같이 먼저 캐리어 기판(10)상에 고분자 유기막을 도포하여 분리층(20)을 형성한다.As shown in FIG. 5A, a separation layer 20 is formed by first coating a polymer organic film on a carrier substrate 10.

여기서 분리층을 도포하는 방법으로는 공지의 코팅 방법을 사용할 수 있다. As a method of applying the separation layer, known coating methods can be used.

예를 들면, 스핀 코팅, 다이 코팅, 스프레이 코팅, 롤 코팅, 스크린 코팅, 슬릿 코팅, 딥 코팅, 그라비아 코팅 등을 들 수 있다.For example, spin coating, die coating, spray coating, roll coating, screen coating, slit coating, dip coating, gravure coating and the like can be mentioned.

캐리어 기판(10)은 글라스 기판이 사용되는 것이 바람직하나, 글라스 기판으로 제한되지 않고 다른 기재도 캐리어 기판(10)으로 사용될 수 있다. 다만, 전극 형성시의 공정 온도를 견딜 수 있도록 고온에서도 변형이 되지 않는, 즉 평탄성을 유지할 수 있는 내열성을 가진 재료가 바람직하다.The carrier substrate 10 is preferably a glass substrate, but not limited to a glass substrate, and other substrate may be used as the carrier substrate 10. However, a material having heat resistance that can not be deformed even at a high temperature, that is, can maintain flatness so as to withstand the process temperature at the time of forming an electrode is preferable.

이와 같은 분리층(20)을 형성하기 위한 경화 공정은 열경화 또는 UV경화를 단독으로 사용하거나, 열경화 및 UV 경화를 조합하여 사용할 수 있다.The curing process for forming the separation layer 20 as described above may be performed using heat curing or UV curing alone, or using a combination of thermal curing and UV curing.

도 5b에서와 같이, 분리층상에 유기절연물질을 도포하여 보호층(30)을 형성한다. As shown in FIG. 5B, an organic insulating material is applied on the separation layer to form the protective layer 30. [

그리고, 도 5c에서와 같이, 상기 보호층(30)에서 패드 패턴층(40)이 형성될 영역의 보호층을 제거하기 위해 패드 패턴층(40)이 형성될 영역을 패터닝한다.5C, a region where the pad pattern layer 40 is to be formed is patterned to remove a protective layer of a region where the pad pattern layer 40 is to be formed in the passivation layer 30. Next, as shown in FIG.

보호층(30)은, 회로 접속을 위한 패드 패턴층 형성을 위하여 패터닝 등의 방법으로 제거되거나, 패드 패턴층이 형성될 부분은 제외하고 도포할 수 있다. 그리고, 보호층이 형성되지 않은 부분에는 회로 기판과의 접속을 위한 패드 패턴층을 형성할 수 있다. 본 실시예에서는 보호층이 패터닝되어 제거된 것을 설명한다.The protective layer 30 may be removed by a method such as patterning to form a pad pattern layer for circuit connection, or may be applied except for a portion where the pad pattern layer is to be formed. A pad pattern layer for connection to the circuit board can be formed at a portion where the protective layer is not formed. In the present embodiment, it is explained that the protective layer is patterned and removed.

이어, 도 5d에서와 같이 보호층 및 보호층이 패터닝되어 제거된 영역에 금속층을 증착하고, 보호층이 패터닝된 영역에만 금속층이 남도록 하여 패드 패턴층(40)을 형성한다.5D, a metal layer is deposited on the protective layer and the protective layer are removed to form a pad pattern layer 40 with the metal layer remaining only on the patterned region of the protective layer.

패드 패턴층(40)은 금속나노와이어, 금속산화물, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자 및 도전성 잉크에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성할 수 있으며, 전기 저항을 고려하여 1층 또는 2층 이상의 도전층으로 형성될 수 있다. 1층일 경우 금속 및 금속산화물에서 선택된 하나 이상의 물질로 패드 패턴층을 형성할 수 있다. 2층일 경우 예를 들면 제 1 패드 패턴층(41)은 구리, 제 2 패드 패턴층(42)은 금 등과 같이 전극 재료보다 전도성이 좋은 물질이 바람직하다. 또한 패드 전극이 저항이 낮은 물질로 형성되어 회로 접속시에 접촉 저항이 충분히 낮은 경우 패드 패턴층은 생략되어도 된다. 본 실시예에서는 패드 패턴층이 2층의 적층구조로 된 것을 설명한다.The pad pattern layer 40 may be formed of at least one material selected from the group consisting of metal nanowires, metal oxides, carbon nanotubes, graphenes, conductive polymers, and conductive inks, and may be formed of one or more conductive layers As shown in FIG. In the case of the first layer, a pad pattern layer may be formed of at least one material selected from metals and metal oxides. In the case of a two-layer structure, for example, the first pad pattern layer 41 is preferably made of copper, and the second pad pattern layer 42 is preferably made of a material having better conductivity than the electrode material such as gold. In addition, when the pad electrode is formed of a material having a low resistance and the contact resistance is sufficiently low at circuit connection, the pad pattern layer may be omitted. In this embodiment, it is described that the pad pattern layer has a laminate structure of two layers.

그 다음 보호층 및 패드 패턴층 상에 전극 패턴층을 형성한다.Then, an electrode pattern layer is formed on the protective layer and the pad pattern layer.

도 5e에서와 같이 제 1 전극층(51)으로서, 은나노와이어(AgNW) 투명 도전층을 형성하고, 그 상부에 제 2 전극층(52)으로서 금속을 증착한다. 그리고 도 5f에서와 같이 금속 도전층 위에 감광성 레지스트(60)을 형성한다. 이후에 포토리소그래피 공정을 통하여 선택적으로 패터닝하여 도 5g에서와 같이 전극 패턴층(50)을 형성한다.5E, a silver nano wire (AgNW) transparent conductive layer is formed as a first electrode layer 51, and a metal is deposited as a second electrode layer 52 on the transparent conductive layer. 5F, a photosensitive resist 60 is formed on the metal conductive layer. Thereafter, selective patterning is performed through a photolithography process to form an electrode pattern layer 50 as shown in FIG. 5G.

상기 투명 도전층은 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 스퍼터링(Sputtering)공정, 스크린인쇄, 그라비아(Gravure)인쇄, 리버스오프셋(Reverse Offset), 잉크젯(Ink Jet) 등의 인쇄공정, 건식 또는 습식의 도금 공정을 이용하여 성막할 수 있으며, 스퍼터링공정으로 성막하는 경우에는 원하는 전극 패턴 형상을 갖는 마스크를 기재 위에 배치하고 스퍼터링공정을 실시하여 전극 패턴층을 형성할 수도 있다. 또한 상기의 성막방식으로 전면에 도전층을 형성하고 포토리소그래피 공법을 이용하여 전극 패턴층을 형성할 수도 있다.The transparent conductive layer may be formed by a sputtering process such as CVD (Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition) or PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), screen printing, gravure printing, reverse offset, , Ink jet (Ink Jet), or dry or wet plating. In the case of film formation by a sputtering process, a mask having a desired electrode pattern shape is disposed on a substrate, and a sputtering process is performed, A pattern layer may be formed. In addition, a conductive layer may be formed on the entire surface by the above-described film formation method, and the electrode pattern layer may be formed by photolithography.

감광성 레지스트(60)는 네가티브형(negative type) 감광성 레지스트 또는 포지티브형(positive type) 감광성 레지스트가 사용될 수 있으며, 패터닝과정을 마친 후 감광성 레지스트는 필요에 따라서 전극 패턴층(50)상에 잔존하여도 되고, 제거되어도 된다. 본 실시예에서는 네가티브형 감광성 레지스트를 사용하여, 패터닝과정을 마친 후 전극 패턴상에서 남아 있는 적층구조로 된 것을 설명한다.The photosensitive resist 60 may be a negative type photosensitive resist or a positive type photosensitive resist. After the patterning process, the photosensitive resist may remain on the electrode pattern layer 50 And may be removed. In this embodiment, a negative-type photosensitive resist is used and a laminated structure remaining on the electrode pattern after the patterning process is completed will be described.

전극 패턴 형성은 전극 패턴 구조에 따라 추가의 전극 패턴 형성 공정을 더 추가할 수 있다.The electrode pattern formation may further include an additional electrode pattern formation step depending on the electrode pattern structure.

다음으로, 도 5h에서와 같이 전극 패턴층(50)이 덮히도록 절연층(70)을 형성한다. 절연층(70)의 두께는 전극의 두께보다 같거나 더 두껍도록 하여 절연층의 상부면이 평탄한 형태를 가지도록 형성한다. 즉, 전극의 요철이 전사되지 않도록 적절한 점탄성을 가진 절연재료를 사용하여야 한다.Next, an insulating layer 70 is formed so that the electrode pattern layer 50 is covered as shown in FIG. 5H. The thickness of the insulating layer 70 is formed to be equal to or larger than the thickness of the electrode, so that the upper surface of the insulating layer has a flat shape. That is, an insulating material having appropriate viscoelasticity should be used so that irregularities of the electrode are not transferred.

구체적으로 전극 패턴층 상부에 절연층이 되는 액상의 재료를 도포하고 열경화 또는 UV경화 등의 방법을 통하여 절연층을 형성한다.Specifically, a liquid material to be an insulating layer is applied on the electrode pattern layer, and an insulating layer is formed by a method such as thermal curing or UV curing.

여기서 절연층 도포하는 방법으로는 공지의 코팅 방법을 사용할 수 있다. As a method of applying the insulating layer, a known coating method can be used.

예를 들면, 스핀 코팅, 다이 코팅, 스프레이 코팅, 롤 코팅, 스크린 코팅, 슬릿 코팅, 딥 코팅, 그라비아 코팅 등을 들 수 있다.For example, spin coating, die coating, spray coating, roll coating, screen coating, slit coating, dip coating, gravure coating and the like can be mentioned.

다음으로, 도 5i에서와 같이 절연층(70)의 상부에 접착층(80)을 형성하여 기재필름(100)을 부착한다. 이 경우 접착층(80)은 기재필름(100)의 일면에 먼저 형성한 후에 기재필름을 부착할 수 있는데, NCF(Non Carrier Film)타입의 접착필름 또는 점착필름이 사용될 수 있다. 또한 절연층(70) 상부에 접착층(80)을 코팅하여 기재필름(100)을 부착할 수도 있는데, OCR(Optically Clear Resin)타입의 액상의 접착제를 도포하고 기재필름을 덮고 경화하여 부착할 수 있다.Next, an adhesive layer 80 is formed on the insulating layer 70 to attach the base film 100 as shown in FIG. 5I. In this case, the adhesive layer 80 may be formed on one side of the base film 100 and then adhere to the base film. An NCF (Non Carrier Film) type adhesive film or an adhesive film may be used. An adhesive layer 80 may be coated on the insulating layer 70 to adhere the base film 100. An OCR (Optically Clear Resin) type liquid adhesive may be applied, the base film may be covered, .

다음으로, 도 5j에서와 같이 터치 센서의 제조 공정을 진행하기 위하여 사용된 캐리어 기판(10)으로부터 전극이 형성된 분리층(20)을 분리한다.Next, as shown in FIG. 5J, the separation layer 20 on which the electrodes are formed is separated from the carrier substrate 10 used for the manufacturing process of the touch sensor.

본 발명에서는 상기 분리층(20)을 캐리어 기판(10)으로부터 박리하는 방법을 사용하여 분리한다.In the present invention, the separation layer 20 is separated by a method of peeling from the carrier substrate 10.

박리하는 방법은 리프트오프(Lift-off) 또는 필오프(Peel-off)의 방법이 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.The method of peeling may be a lift-off method or a peel-off method, but is not limited thereto.

이 경우 박리시 가해지는 힘의 크기는 분리층의 박리력에 따라 달라질 수 있으나, 1N/25mm 이하가 바람직하며, 0.1N/25mm 이하가 보다 바람직하다. 박리력이 1N/25mm를 초과할 경우, 캐리어 기판으로부터 박리시에 필름 터치 센서가 찢어지는 문제가 발생할 수 있으며, 필름 터치 센서에 과도한 힘이 가해져 필름 터치 센서가 변형되어 디바이스의 기능을 하지 못할 수 있다.In this case, the magnitude of the force applied at the time of peeling may vary depending on the peeling force of the separation layer, but it is preferably 1 N / 25 mm or less, more preferably 0.1 N / 25 mm or less. If the peeling force is more than 1 N / 25 mm, there is a possibility that the film touch sensor tears when peeling off from the carrier substrate, and excessive force is applied to the film touch sensor, have.

다음으로, 필름 터치 센서와 회로 기판(110)을 접합할 수 있는데, 이때 도전성 접착제를 사용하여 회로 기판(110)과 접합할 수 있다.Next, the film touch sensor and the circuit board 110 may be bonded together. At this time, a conductive adhesive may be used to bond the circuit board 110 to the film touch sensor.

도전성 접착제는, 에폭시, 실리콘, 우레탄, 아크릴, 폴리이미드계 수지 등의 바인더에 금, 은, 구리, 니켈, 카본, 알루미늄, 도금 등의 도전성 필러가 분산되어 있는 것을 말한다.The conductive adhesive refers to a conductive filler such as gold, silver, copper, nickel, carbon, aluminum, or plating dispersed in a binder such as epoxy, silicone, urethane, acrylic or polyimide resin.

캐리어 기판(10)과 분리한 후에 회로 기판(110)을 접속하는 경우에는, 분리층(20) 방향에서 도전성 접착제를 이용하여 접합하는 것이 바람직하다. 회로 기판(110)은 분리층(20)을 통하여 패드 전극(PE)과 접속될 수 있으며, 또는 분리층(20)을 통하여 패드 전극(PE) 하부에 형성된 패드 패턴층(40)을 통하여 패드 전극(PE)과 접속될 수 있다.When the circuit board 110 is connected to the carrier substrate 10 after being separated from the carrier substrate 10, it is preferable to bond them in the direction of the separation layer 20 using a conductive adhesive. The circuit board 110 may be connected to the pad electrode PE through the separation layer 20 or may be connected to the pad electrode PE through the pad pattern layer 40 formed under the pad electrode PE through the separation layer 20. [ (PE).

도 5k에서는, 패드 패턴층(40)을 통하여 패드 전극(PE)과 회로 기판(110)이 접속된다. 즉, 본 실시예는 회로 기판이 도전성 접착제에 의해 분리층을 통하고, 패드 패턴층과 접합됨으로써 패드 전극(PE)과 회로 기판(110)이 접속되는 것을 설명한다.
5K, the pad electrode PE and the circuit board 110 are connected to each other through the pad pattern layer 40. That is, this embodiment describes that the circuit board is connected to the circuit board 110 by bonding the circuit board with the pad pattern layer through the separation layer by the conductive adhesive agent.

본 발명에 의해 제조된 필름 터치 센서는 표시 패널과의 접합시, 기재필름이 시인 측에 위치하도록 배치되어 사용이 가능하며, 반대로 표시 패널쪽에 부착이 되도록 배치될 수도 있다. 또한, 분리층이 다른 광학 필름, 예를 들면 편광판, 투명필름 등과 접합될 수도 있다.The film touch sensor manufactured by the present invention may be disposed such that the base film is positioned on the viewer side when adhered to the display panel, and conversely, the film may be disposed on the display panel side. Further, the separation layer may be bonded to another optical film, for example, a polarizing plate, a transparent film or the like.

이와 같은 본 발명에 따른 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법은 캐리어 기판상에서 터치 센서를 구현하므로 필름 기재상에서 직접 터치 센서를 구현하는 공정에서는 불가능한 고정세, 내열성을 확보하고, 필름 기재를 다변화할 수 있도록 한 것이다. 즉 내열성이 약한 기재필름도 전극 형성 후에 접합을 하게 되기 때문에 사용이 가능한 것이다.The film touch sensor and the method of manufacturing the same according to the present invention realize a touch sensor on a carrier substrate, so that it is possible to secure a fixed tax and heat resistance that can not be achieved in a process of directly implementing a touch sensor on a film substrate, will be. That is, a base film having a low heat resistance can be used because the base film is bonded after the formation of the electrodes.

또한, 캐리어 기판상에 형성되는 분리층을 제거하지 않고 캐리어 기판과 분리한 이후에 분리층을 통하여 회로 기판을 부착할 수 있으며, 또는 분리층을 제거하고 회로 기판을 부착하여 공정의 효율성을 높일 수 있다.Further, after the carrier substrate is separated from the carrier substrate without removing the separation layer formed on the carrier substrate, the circuit substrate may be attached through the separation layer, or the separation layer may be removed and the circuit substrate may be attached to improve the efficiency of the process have.

또한, 공정 진행시에 분리층의 박리력, 표면에너지를 파라미터화하여 공정의 효율성을 높이고 크랙을 방지할 수 있다.In addition, the peeling force and the surface energy of the separation layer can be parameterized to improve the efficiency of the process and to prevent cracks during the process.

이상에서의 설명에서와 같이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 본 발명이 구현되어 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, it will be understood that the present invention is implemented in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention.

그러므로 명시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구 범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.It is therefore to be understood that the specified embodiments are to be considered in an illustrative rather than a restrictive sense and that the scope of the invention is indicated by the appended claims rather than by the foregoing description and that all such differences falling within the scope of equivalents are intended to be embraced therein It should be interpreted.

10. 캐리어 기판 20. 분리층
30. 보호층 40. 패드 패턴층
41. 제 1 패드 패턴층 42. 제 2 패드 패턴층
50. 전극 패턴층 51. 제 1 전극층
52. 제 2 전극층 60. 감광성 레지스트
70. 절연층 80. 접착층
100. 기재필름 110. 회로 기판
SE. 센싱전극 PE. 패드 전극
10. Carrier substrate 20. Separation layer
30. Protective layer 40. Pad pattern layer
41. First pad pattern layer 42. Second pad pattern layer
50. Electrode pattern layer 51. First electrode layer
52. Second electrode layer 60. A photosensitive resist
70. Insulation layer 80. Adhesive layer
100. Base film 110. Circuit board
SE. Sensing electrode PE. Pad electrode

Claims (39)

분리층;
상기 분리층상에 형성되되, 센싱 전극 및 상기 센싱 전극의 일단에 형성되는 패드 전극을 포함하는 전극 패턴층;
상기 전극 패턴층의 상부에 상기 전극 패턴층 전체를 덮도록 형성되는 절연층;
상기 절연층상에 형성되는 기재필름을 포함하고;
상기 절연층은 상기 전극 패턴층을 덮도록 형성되되, 상기 전극 패턴층과 접하는 면의 반대편 표면이 평탄한 필름 터치 센서.
A separation layer;
An electrode pattern layer formed on the isolation layer and including a sensing electrode and a pad electrode formed on one end of the sensing electrode;
An insulating layer formed on the electrode pattern layer so as to cover the entire electrode pattern layer;
A base film formed on the insulating layer;
Wherein the insulating layer is formed to cover the electrode pattern layer, and the surface opposite to the surface in contact with the electrode pattern layer is flat.
제 1 항에 있어서,
상기 필름 터치 센서는 상기 분리층과 전극 패턴층 사이에 형성되는 보호층을 더 포함하는 하는 필름 터치 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the film touch sensor further comprises a protective layer formed between the separation layer and the electrode pattern layer.
제 2 항에 있어서,
상기 절연층은 상기 보호층과의 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
3. The method of claim 2,
Wherein the insulating layer has a difference in elastic modulus at 25 캜 between the protective layer and the protective layer is 300 MPa or less.
제 2 항에 있어서,
상기 절연층은 상기 보호층과의 25℃에서의 탄성율차가 100MPa 이하인 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
3. The method of claim 2,
Wherein the insulating layer has a difference in elastic modulus at 25 DEG C of not more than 100 MPa with the protective layer.
제 1 항에 있어서,
상기 필름 터치 센서는 상기 패드 전극의 하부에 형성되는 패드 패턴층을 더 포함하는 필름 터치 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the film touch sensor further comprises a pad pattern layer formed under the pad electrode.
제 5 항에 있어서,
상기 패드 패턴층은 금속, 금속나노와이어, 금속산화물, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자 및 도전성 잉크에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성된 필름 터치 센서.
6. The method of claim 5,
Wherein the pad pattern layer is formed of at least one material selected from metals, metal nanowires, metal oxides, carbon nanotubes, graphenes, conductive polymers, and conductive inks.
제 5 항에 있어서,
상기 패드 패턴층은 2층 이상의 도전층인 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
6. The method of claim 5,
Wherein the pad pattern layer is a conductive layer of two or more layers.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 절연층은 유기절연막 및 무기절연막에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성된 필름 터치 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the insulating layer is formed of at least one material selected from an organic insulating film and an inorganic insulating film.
제 1 항에 있어서,
상기 전극 패턴층은 투명 도전층인 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the electrode pattern layer is a transparent conductive layer.
제 10 항에 있어서,
상기 투명 도전층은,
금속, 금속나노와이어, 금속산화물, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자 및 도전성 잉크에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성된 필름 터치 센서.
11. The method of claim 10,
Wherein the transparent conductive layer
A film touch sensor formed from one or more materials selected from metals, metal nanowires, metal oxides, carbon nanotubes, graphenes, conductive polymers, and conductive inks.
제 10 항에 있어서,
상기 전극 패턴층은 브릿지 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
11. The method of claim 10,
Wherein the electrode pattern layer further comprises a bridge electrode.
제 1 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 전극 패턴층은 2층 이상의 도전층인 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
11. The method according to claim 1 or 10,
Wherein the electrode pattern layer is a conductive layer of two or more layers.
제 1 항에 있어서,
상기 분리층은,
먼저 캐리어 기판상에 형성된 후 상기 캐리어 기판과 분리되어 형성된 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
The method according to claim 1,
Wherein,
Wherein the film touch sensor is formed on the carrier substrate and separated from the carrier substrate.
제 14 항에 있어서,
상기 분리층은,
상기 캐리어 기판과의 박리력이 1N/25mm 이하인 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
15. The method of claim 14,
Wherein,
And a peeling force with the carrier substrate is 1 N / 25 mm or less.
제 14 항에 있어서,
상기 분리층은,
상기 캐리어 기판과의 박리력이 0.1N/25mm 이하인 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
15. The method of claim 14,
Wherein,
And a peeling force with the carrier substrate is 0.1 N / 25 mm or less.
제 14 항에 있어서,
상기 분리층은 캐리어 기판과 박리 후의 표면에너지가 30 내지 70 mN/m인 필름 터치 센서.
15. The method of claim 14,
Wherein the separation layer has a surface energy of 30 to 70 mN / m after separation from the carrier substrate.
제 17 항에 있어서,
상기 분리층과 상기 캐리어 기판과의 표면에너지 차이가 10 mN/m 이상인 필름 터치 센서.
18. The method of claim 17,
Wherein the surface energy difference between the separation layer and the carrier substrate is 10 mN / m or more.
제 14 항에 있어서,
상기 캐리어 기판은 글라스 기판인 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
15. The method of claim 14,
Wherein the carrier substrate is a glass substrate.
제 1 항 또는 제 14 항에 있어서,
상기 분리층은 고분자 유기막인 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
The method according to claim 1 or 14,
Wherein the separation layer is a polymer organic film.
제 20 항에 있어서,
상기 고분자 유기막은,
폴리이미드(polyimide), 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리스타일렌(polystylene), 폴리노보넨(polynorbornene), 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer), 폴리아조벤젠(polyazobenzene), 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자 및 방향족 아세틸렌계 고분자 물질로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 필름 터치 센서.
21. The method of claim 20,
The polymer organic film may be,
Polyimide, polyvinyl alcohol, polyamic acid, polyamide, polyethylene, polystylene, polynorbornene, phenylmaleimide copolymer, Polyamides such as phenylmaleimide copolymer, polyazobenzene, polyphenylenephthalamide, polyester, polymethyl methacrylate, polyarylate, cinnamate, A film touch sensor comprising at least one material selected from the group consisting of a polymer, a coumarin-based polymer, a phthalimidine-based polymer, a chalcone-based polymer, and an aromatic acetylene-based polymer.
제 1 항 또는 제 14 항에 있어서,
상기 분리층의 두께는 10 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
The method according to claim 1 or 14,
Wherein the separation layer has a thickness of 10 to 1000 nm.
제 1 항 또는 제 14 항에 있어서,
상기 분리층의 두께는 50 내지 500nm인 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
The method according to claim 1 or 14,
Wherein the separation layer has a thickness of 50 to 500 nm.
제 1 항에 있어서,
상기 필름 터치 센서는 상기 패드 전극과 전기적으로 접속되는 회로 기판을 더 포함하는 필름 터치 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the film touch sensor further comprises a circuit board electrically connected to the pad electrode.
제 24 항에 있어서,
상기 회로 기판은 분리층을 통하여 패드 전극과 전기적으로 접속되는 필름 터치 센서.
25. The method of claim 24,
Wherein the circuit board is electrically connected to the pad electrode through a separation layer.
제 24 항에 있어서,
상기 회로 기판은 패드 패턴층을 통하여 패드 전극과 전기적으로 접속되는 필름 터치 센서.
25. The method of claim 24,
Wherein the circuit board is electrically connected to the pad electrode through a pad pattern layer.
제 1 항에 있어서,
상기 기재필름은 편광판, 등방성필름, 위상차필름 및 보호필름 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the base film is any one of a polarizing plate, an isotropic film, a retardation film, and a protective film.
제 1 항에 있어서,
상기 필름 터치 센서는 상기 절연층과 상기 기재필름 사이에 형성되는 접착층을 더 포함하는 필름 터치 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the film touch sensor further comprises an adhesive layer formed between the insulating layer and the base film.
제 28 항에 있어서,
상기 접착층은 점착제 또는 접착제로 형성되는 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서.
29. The method of claim 28,
Wherein the adhesive layer is formed of an adhesive or an adhesive.
캐리어 기판상에 분리층을 형성하는 분리층 형성단계;
상기 분리층의 상부에 센싱 전극과 패드 전극을 포함하는 전극 패턴층을 형성하는 전극 패턴층 형성단계;
상기 전극 패턴층 상부에 상기 전극 패턴층 전체를 덮고 상기 전극 패턴층과 접하는 면의 반대편 표면이 평탄하도록 절연층을 형성하는 절연층 형성단계;
상기 절연층상에 기재필름을 부착하는 기재필름 부착단계; 및
상기 캐리어 기판으로부터 상기 분리층을 분리하는 캐리어 기판 제거단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서의 제조 방법.
A separation layer forming step of forming a separation layer on the carrier substrate;
Forming an electrode pattern layer including a sensing electrode and a pad electrode on the isolation layer;
Forming an insulating layer on the electrode pattern layer so as to cover the entire electrode pattern layer and flatten the surface opposite to the surface in contact with the electrode pattern layer;
Attaching a base film on the insulating layer; And
A carrier substrate removing step of separating the separation layer from the carrier substrate;
The method comprising the steps of:
제 30 항에 있어서,
상기 기재필름 부착단계는 상기 기재필름과 상기 절연층이 접착제에 의해 접합되는 것을 특징으로 필름 터치 센서의 제조 방법.
31. The method of claim 30,
Wherein the base film adhering step comprises bonding the base film and the insulating layer with an adhesive.
제 30 항에 있어서,
상기 기재필름 부착단계는 상기 기재필름과 상기 절연층이 점착제에 의해 접합되는 것을 특징으로 필름 터치 센서의 제조 방법.
31. The method of claim 30,
Wherein the step of attaching the base film comprises bonding the base film and the insulating layer to each other with an adhesive.
제 30 항에 있어서,
상기 필름 터치 센서의 제조 방법은 상기 분리층 형성단계 이후에 상기 분리층의 상부에 보호층을 형성하는 보호층 형성단계;
상기 패드 전극이 형성될 부분에 해당하는 영역의 상기 보호층을 일부 제거하여 분리층이 노출되도록 하는 보호층 일부 제거단계;
를 더 포함하고,
상기 전극 패턴층 형성 단계는 상기 보호층 및 노출된 분리층 상에 전극 패턴층을 형성하는 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서의 제조 방법.
31. The method of claim 30,
The method for fabricating a film touch sensor includes: forming a protective layer on the isolation layer after the isolation layer formation step;
Removing a portion of the protective layer in a region corresponding to a portion where the pad electrode is to be formed to expose the isolation layer;
Further comprising:
Wherein the electrode pattern layer forming step forms an electrode pattern layer on the protective layer and the exposed separation layer.
제 30 항에 있어서,
상기 필름 터치 센서의 제조 방법은 상기 분리층 형성단계 이후에 상기 분리층의 상부에 보호층을 형성하는 보호층 형성단계;
를 더 포함하고,
상기 보호층 형성단계는 패드 전극이 형성될 영역의 분리층이 일부 노출되도록 형성하며,
상기 전극 패턴층 형성 단계는 상기 보호층 및 노출된 분리층 상에 전극 패턴층을 형성하는 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서의 제조 방법.
31. The method of claim 30,
The method for fabricating a film touch sensor includes: forming a protective layer on the isolation layer after the isolation layer formation step;
Further comprising:
The passivation layer may be formed to partially expose the isolation layer in the region where the pad electrode is to be formed.
Wherein the electrode pattern layer forming step forms an electrode pattern layer on the protective layer and the exposed separation layer.
제 30 항, 제 33항 및 제 34항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 필름 터치 센서의 제조 방법은
상기 패드 전극이 형성될 부분에 미리 패드 패턴층을 형성하는 패드 패턴층 형성단계;
를 더 포함하는 필름 터치 센서의 제조 방법.
34. The method according to any one of claims 30, 33 and 34,
The method of manufacturing the film touch sensor
Forming a pad pattern layer in advance on a portion where the pad electrode is to be formed;
Further comprising the steps of:
제 30 항에 있어서,
상기 캐리어 기판 제거단계는 리프트오프(Lift-off) 또는 필오프(Peel-off)의 방법을 이용하여 캐리어 기판으로부터 분리층을 분리하는 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서의 제조 방법.
31. The method of claim 30,
Wherein the carrier substrate removing step separates the separation layer from the carrier substrate using a lift-off or a peel-off method.
제 30 항 또는 제 36 항에 있어서,
상기 캐리어 기판 제거단계는
상기 캐리어 기판으로부터 1N/25mm 이하의 힘으로 상기 분리층을 분리하는 것을 특징으로 하는 필름 터치 센서의 제조 방법.
37. The method of claim 30 or 36,
The carrier substrate removing step
And separating the separation layer from the carrier substrate with a force of 1 N / 25 mm or less.
제 30 또는 제 36 항에 있어서,
상기 필름 터치 센서의 제조 방법은 상기 캐리어 기판 제거단계 이후에 상기 패드 전극에 회로 기판을 접합하는 회로 기판 접합단계;
를 더 포함하는 필름 터치 센서의 제조 방법.
36. The method of claim 30 or 36,
The method of manufacturing a film touch sensor includes: a circuit board bonding step of bonding a circuit board to the pad electrode after the carrier substrate removing step;
Further comprising the steps of:
제 35 항에 있어서,
상기 필름 터치 센서의 제조 방법은 상기 캐리어 기판 제거단계 이후에 상기 패드 패턴층에 회로 기판을 접합하는 회로 기판 접합단계;
를 더 포함하는 필름 터치 센서의 제조 방법.
36. The method of claim 35,
The method of fabricating the film touch sensor includes: a circuit board bonding step of bonding a circuit board to the pad pattern layer after the carrier substrate removing step;
Further comprising the steps of:
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