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KR101571202B1 - 저굴절층 코팅용 조성물 및 이를 포함하는 투명 도전성 필름 - Google Patents

저굴절층 코팅용 조성물 및 이를 포함하는 투명 도전성 필름 Download PDF

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KR101571202B1
KR101571202B1 KR1020120143302A KR20120143302A KR101571202B1 KR 101571202 B1 KR101571202 B1 KR 101571202B1 KR 1020120143302 A KR1020120143302 A KR 1020120143302A KR 20120143302 A KR20120143302 A KR 20120143302A KR 101571202 B1 KR101571202 B1 KR 101571202B1
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김헌조
류무선
홍진기
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(주)엘지하우시스
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Abstract

실록산 화합물 및 금속염을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물을 제공한다. 또한, 상기 저굴절층 코팅용 조성물을 이용하여 형성된 저굴절층을 포함하는 투명 도전성 필름을 제공한다.

Description

저굴절층 코팅용 조성물 및 이를 포함하는 투명 도전성 필름{COATING COMPOSITION FOR LOW REFRACTIVE LAYER AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM INCLUDING THE SAME}
저굴절층 코팅용 조성물 및 이를 포함하는 투명 도전성 필름을 제공한다.
터치 패널에는, 위치 검출의 방법에 따라 광학 방식, 초음파 방식, 정전 용량 방식, 저항막 방식 등이 있다. 저항막 방식의 터치 패널은, 투명 도전성 필름과 투명 도전체층이 부착된 유리가 스페이서를 개재하여 대향 배치 되어 있고, 투명 도전성 필름에 전류를 흘려 투명 도전체층이 부착된 유리에서의 전압을 계측하는 구조로 되어 있다. 한편, 정전 용량 방식의 터치 패널은, 기재 상에 투명 도전층을
갖는 것을 기본적 구성으로 하고, 가동 부분이 없는 것이 특징이며, 고내구성, 고투과율을 갖기 때문에, 차재 용도 등에 있어서 적용되고 있다.
상기 터치 패널에 적용되는 투명 도전성 필름은 투명한 필름 기재의 일방면에, 상기 필름 기재측에서부터 언더코트층 및 도전층이 순서대로 형성되어 있는 것이 보통인바, 일본 특허공개공보 제2003-197035호에서 기재필름과 도전층 사이에 언더코팅층이 형성된 투명 도전성 필름을 개시하고 있다. 최근에는 상기 투명 도전성 필름뿐 아니라, 투명 도전성 필름을 구성하는 언더코팅층의 굴절률의 조절 및 내구성을 동시에 확보하기 위한 언더코팅층 조성물에 대한 연구가 계속 되고 있다.
본 발명의 일 구현예는 실록산 화합물 및 금속염을 포함함으로써 저굴절층의 구조적 결합을 치밀하게 하고 외부환경 의한 손상을 저하시키는 저굴절층 코팅용 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 구현예는 상기 저굴절용 코팅용 조성물로 형성된 저굴절층을 포함하는 투명 도전성 필름을 제공한다.
본 발명의 일 구현예에서, 실록산 화합물 및 금속염을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물을 제공한다.
상기 금속염은 아연, 이트륨, 3가크롬, 2가 및 3가 코발트, 니켈, 마그네슘, 알루미늄, 1가 및 2가 구리, 3가철, 카드뮴, 안티몬, 수은, 루비듐, 바나듐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 염을 포함할 수 있다.
상기 금속염은 질산염, 황산염, 칼본산염, 할로겐화물, 알콕시드, 아세틸아세톤염 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 염을 포함할 수 있다.
상기 금속염은 총 100중량%에 대하여 약 0.1중량% 내지 약 1.0중량%를 포함할 수 있다.
상기 실록산 화합물은 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 글리시딜옥시프로필트리메톡시실란 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되어 형성된 실록산 중합체를 포함할 수 있다.
상기 실록산 중합체의 분자량이 약 1,000 내지 약 50,000일 수 있다.
상기 실록산 화합물은 총 100중량%에 대하여 약 5중량% 내지 약 100중량%를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에서, 상기 저굴절층 코팅용 조성물을 이용하여 형성된 저굴절층을 포함하는 투명 도전성 필름을 제공한다.
상기 투명 도전성 필름은 투명기재, 상기 고굴절층, 저굴절층 및 도전층의 적층구조일 수 있다.
상기 저굴절층의 굴절율은 약 1.4 내지 약 1.5일 수 있다.
상기 저굴절층의 두께는 약 5nm 내지 약 100nm일 수 있다.
상기 고굴절층의 두께는 약 20nm 내지 약 150nm일 수 있다.
상기 투명 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리에테르설폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리프로필렌(PP), 폴리비닐 클로라이드(PVC), 폴리에틸렌(PE), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 에틸렌 비닐 알코올(EVA), 폴리비닐알콜(PVA) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 단일 또는 적층 필름일 수 있다.
상기 도전층은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 FTO(Fluorine-doped Tin Oxide)를 포함할 수 있다.
상기 투명 기재의 일면 또는 양면에 하드코팅층을 더 포함할 수 있다.
상기 저굴절층 코팅용 조성물을 사용함으로써 코팅성, 광특성 및 배리어 특성이 우수한 저굴절층을 확보할 수 있다.
상기 투명 도전성 필름은 산 또는 알칼리 종류의 에칭액에 대한 저항성이 우수하며, 도전층의 저항을 낮출 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 투명 전도성 필름의 단면을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 투명 전도성 필름의 단면을 개략적으로 나타낸 것이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를붙이도록 한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
이하에서 기재의 “상부 (또는 하부)” 또는 기재의 “상 (또는 하)”에 임의의 구성이 형성된다는 것은, 임의의 구성이 상기 기재의 상면 (또는 하면)에 접하여 형성되는 것을 의미할 뿐만 아니라, 상기 기재와 기재 상에 (또는 하에) 형성된 임의의 구성 사이에 다른 구성을 포함하지 않는 것으로 한정하는 것은 아니다.
저굴절층 코팅용 조성물
본 발명의 일 구현예에서, 실록산 화합물 및 금속염을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물을 제공한다.
투명 도전성 필름을 형성하는 데 있어서, 통상의 경우 저굴절층 상부에 도전층을 증착하고 결정화를 위해 실시되는 고온에서의 어닐링 과정 후에 도전층의 각 영역에서 전도도의 차이가 발생하는데, 이는 투명기재에서 발생하는 휘발성 기체와 수분 등이 도전층의 결정화를 방해하기 때문이다. 또한 도전층과 저굴절층 및 고굴절층과의 굴절률 차이로 발생하는 시인성의 문제점과 도전층에 패텅형성을 위한 에칭시에 발생하는 저굴절층 파괴의 문제점이 있었다.
이에, 상기 저굴절층 코팅용 조성물은 실록산 화합물과 금속염을 동시에 포함함으로써, 상기 저굴절층 코팅용 조성물을 포함하여 형성된 저굴절층에 배리어 특성을 부여할 수 있고, 상기 배리어 특성으로 인해 투명기재에서 발생하는 휘발성 기체와 수분이 도전층에 영향을 미치지 못하게 하여 도전층의 전도도가 감소되는 현상을 낮출 수 있다. 또한, 산 또는 알칼리 등의 에칭액에 따른 손상을 막을 수 있고, 도전층의 저항을 낮춤과 동시에 향상된 물리적 특성의 확보가 가능하다.
나아가, 실록산 화합물 자체의 물리적 굴절율이 낮아 실록산 화합물 및 금속염을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물로 저굴절층을 형성하고, 상기 저굴절층의 굴절율 및 두께의 조절을 통해 우수한 시인성을 구현할 수 있다.
상기 저굴절층 코팅용 조성물은 금속염을 포함할 수 있다. 금속염은 금속을 포함하고 있는 산이 중화반응을 하여 물과 함께 발생하는 금속 화합물을 일컫는바, 상기 금속염을 포함함으로써, 도전층 형성 후 고온에서 어닐링시 투명기재에서 발생되는 휘발성 기체가 도전층에 닿지 않게 하여 도전층의 결정화 공정 후에 전도도가 감소하는 현상을 막을 수 있다. 또한 실록산 화합물과 상기 금속염을 동시에 포함함으로써 상기 저굴절층 코팅용 조성물의 구조적 결합을 치밀하게 하여 밀도가 높은 저굴절층을 형성할 수 있다.
상기 금속염은 아연, 이트륨, 3가크롬, 2가 및 3가 코발트, 니켈, 마그네슘, 알루미늄, 1가 및 2가 구리, 3가철, 카드뮴, 안티몬, 수은, 루비듐, 바나듐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 염을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 전도도가 있는 통상의 전이금속 중 하나를 선택하여 사용할 수 있다. 또한, 상기 금속염은 질산염, 황산염, 칼본산염, 할로겐화물, 알콕시드, 아세틸아세톤염 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 염을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 금속염은 총 100중량%에 대하여 약 0.1중량% 내지 약 1.0중량%를 포함할 수 있다. 상기 금속염을 상기 범위의 함량 포함함으로써 저굴절층 코팅용 조성물의 코팅성을 확보할 수 있고, 상기 조성물로 코팅시 겔화를 촉진시켜 경화속도를 증가시킬 수 있다. 나아가 저굴절층 형성시 금속염이 보이드(void) 부분을 채워줌으로써 저굴절층의 내화학성을 개선시킬 수 있다.
상기 저굴절층 코팅용 조성물은 실록산 화합물을 포함할 수 있다. 상기 실록산 화합물은 테트라메톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 테트라에톡시실란, 글리시딜옥시프로필 트리메톡시실란 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상 선택되어 형성된 실록산 중합체를 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 실록산 화합물은 화학식 1로부터 형성된 실록산 중합체를 포함할 수 있다. 상기 화학식 1은 (R1)n-Si-(O-R2)4-n이며, 상기 R1은 탄소수 1 내지 18을 갖는 알킬기, 비닐기, 알릴기, 에폭시기 또는 아크릴기, 상기 R2는 탄소수 1 내지 6을 갖는 알킬기 또는 아세톡시기이고, 상기 n은 0<n<4의 정수이다.
그러므로, 상기 실록산 화합물은 전술한 것 이외에 트리에톡시(에틸) 실란(C2H5Si(OC2H5)3), 트리아세톡시(메틸)실란(CH3CO2)3SiCH3), 트리아세톡시(비닐)실란(CH3CO2)3SiCH=CH2), 트리스(2-메톡시에톡시)(비닐)실란 (CH3OCH2CH2O)3SiCH=CH2), 트리메톡시(옥틸)실란(CH3(CH2)7Si(OC2H5)3), 트리메톡시[2-(7-옥사비시클로[4.1.0]헵(hept)-3-일)에틸]실란(C11H22O4Si), 트리메톡시(프로필)실란(CH3CH2CH2Si(OCH3)3), 트리메톡시(옥실)실란 (CH3(CH2)7Si(OCH3)3), 트리메톡시(옥타데실)실란(CH3(CH2)17Si(OCH3)3), 이소부틸(트리메톡시)실란(CH3)2CHCH2Si(OCH3)3, 트리에톡시(이소부틸)실란 ((CH3)2CHCH2Si(OC2H5)3), 트리메톡시(7-옥텐-1-일)실란 (H2C=CH(CH2)6Si(OCH3)3), 트리메톡시(2-페닐에틸)실란(C6H5CH2CH2Si(OCH3)3), 디메톡시-메틸(3,3,3-트리플로오로프로필)실란(C6H13F3O2Si), 디메톡시(디메틸)실란 (C2H6Si(OC2H6)2), 트리에톡시(1-페닐에테닐)실란((C2H5O)3SiC(CH2)C6H5), 트리에톡시[4-(트리플루오로메틸)페닐]실란(CF3C6H4Si(OC2H5)2), 트리에톡시(4-메톡시페닐)실란((C2H5O)3SiC6H4OCH3), 3-(트리메톡시실일)프로필메타 아크릴레이트(H2C=C(CH3)CO2(CH2)3Si(OCH3)3), 3-(글라이시독시)메틸디에톡시 실란(C11H24O4Si), 3-(트리에톡시실일)프로필이소시아네이트 (C2H5O)3Si(CH2)3NCO), 이소부틸트리에톡시실란(CH3)2CHCH2Si(OC2H5)3) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되어 형성된 실록산 중합체를 포함할 수 있다.
상기 실록산 중합체의 분자량은 약 1,000 내지 약 50,000일 수 있다. 상기 실록산 중합체는 상기 화학식 1로부터 형성되는 것으로, 상기 실록산 중합체가 상기 분자량의 범위를 유지함으로써 저굴절층 코팅용 조성물이 코팅성을 유지할 수 있고, 저굴절층 형성시 박막에 광학 물성 및 내화학성을 부여할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 실록산 화합물은 총 100중량%에 대하여 약 5중량% 내지 약 100중량%를 포함할 수 있다. 상기 실록산 화합물은 상기 저굴절층 코팅용 조성물의 굴절률 및 광학 물성에 영향을 미치는 바, 상기 범위의 실록산 화합물을 포함함으로써 굴절률 제어가 가능하고, 투과율 및 반사율이 우수한 저굴절층을 용이하게 구현할 수 있다.
투명 도전성 필름
본 발명의 다른 구현예에서, 실록산 화합물 및 금속염을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물을 이용하여 형성된 저굴절층을 포함하는 투명 도전성 필름을 제공한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 투명 전도성 필름의 단면을 개략적으로 나타낸 것이다. 도 1을 참조하면, 상기 투명 도전성 필름(10)은 투명기재(1), 하드코팅층(2), 고굴절층(3), 저굴절층(4) 및 도전층(5)의 적층구조이다.
투명기재(1)는 투명성과 강도가 우수한 필름을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 투명기재(1)는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에테르설폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리프로필렌(PP), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리에틸렌(PE), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 에틸렌 비닐 알코올(EVA), 폴리비닐알콜(PVA) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 단일 또는 적층 필름의 형태가 될 수 있다.
상기 고굴절층(3) 및 저굴절층(4)은 투명기재(1)와 도전층(5) 사이에 절연특성 및 투과도를 향상시키는 역할을 하는바, 이 때 저굴절층은 전술한 저굴절층 코팅용 조성물을 이용하여 형성될 수 있다.
통상의 저굴절층은 투과도와 헤이즈 등의 광학적 특성과 도전층에 패턴 형성시, 전도도를 저해시키지 않는 배리어 특성이 요구된다. 이에, 금속염 및 실록산 화합물을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물에 의하여 일정 두께의 저굴절층을 형성함으로써 투과율을 높임과 동시에 투과 b*, 반사b*를 낮출 수 있다.
또한, 상기 실록산 화합물을 단독으로 사용한 경우 발생할 수 있는 보이드(void) 부분을 상기 금속염이 채워줌으로써 저굴절층에 배리어 특성을 부여할 수 있고, 상기 배리어 특성에 의해 도전층 결정화 공정에서 영향을 거의 미치지 않고, 산, 알칼리 환경에서도 파괴되지 않아 우수한 시인성 효과를 나타낼 수 있다.
상기 저굴절층(4)의 굴절률은 약 1.4 내지 약 1.5일 수 있다. 상기 저굴절층 형성에 물리적으로 굴절율이 낮은 실록산 화합물을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물을 이용함으로써 굴절률이 약 1.4 내지 약 1.5로 조절가능하며, 고굴절층과의 굴절율 차이가 조절 가능함으로써 투명 전도성 필름 전체적인 시인성이 향상될 수 있다.
상기 저굴절층(4)의 두께는 약 5nm 내지 약 100nm 일 수 있다. 패턴 은폐성이란 상기 저굴절층 상부에 도전층을 패터일 했을 때, 도전성 물질이 있는 부분과 없는 부분의 투과율, 반사율 또는 색차값의 차이가 나지 않는 것을 의미하는바, 패턴을 은폐하기 위해서는 도전층 하부의 저굴절층 등에 특정한 굴절률과 두께를 일정하게 유지하는 것이 중요하다. 그러므로, 상기 저굴절층의 두께를 일정하게 유지함으로써 패턴 은폐성(인덱스 매칭)의 효과를 용이하게 구현할 수 있다.
상기 고굴절층(3)의 두께는 약 20nm 내지 약 150nm 일 수 있다. 상기 고굴절층(3)의 두께를 유지함으로써 우수한 투과율 및 시인성이 향상될 수 있고, 응력으로 인한 크랙(Crack) 및 컬(Curl)의 발생을 저하시킬 수 있다.
상기 도전층(5)은 상기 저굴절층(4) 상부에 형성되는 것으로, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 FTO(Fluorine-doped Tin Oxide)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 도전층(5)의 두께는 약 5nm 내지 약 50nm일 수 있고, 상기 도전층의 두께를 상기 범위로 유지함으로써 상기 도전층이 낮은 저항을 확보할 수 있다는 점에서 유리한 효과를 가진다.
도 2는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 투명 전도성 필름의 단면을 개략적으로 나타낸 것으로, 도 2에서는 투명기재(1)의 하부에 하드코팅층(2)이 더 형성되어 있다. 하드코팅층(2)은 표면 경도를 향상시키는 역할을 하며, 아크릴계 화합물 등 하드 코팅 형성을 위하여 이용되는 것이라면 제한없이 이용될 수 있다.
상기 하드코팅층(2)은 도 1에서와 같이 투명기재(1)의 일면에만 형성될 수 있으나, 도 2에서와 같이 투명기재(1)의 양면에 형성될 수도 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
< 제조예 >
제조예 1-1 내지 1-4 - 저굴절층 코팅용 조성물
테트라-에톡시오르소실리케이트(TEOS), 에탄올, 물을 1:2:2의 비율로 혼합 후 질산을 첨가하여 24시간 동안 반응시켜 굴절률이 1.43인 실리카 졸을 합성하였다. 상기 합성된 실리카 졸의 고형분을 측정하고 메틸에틸케톤(MEK)로 희석하여, 상기 고형분 10%의 실록산 화합물을 제조하였다.
상기 제조된 실록산 화합물에 하기 표 1과 같은 금속염을 혼합하고, 메틸에틸케톤(MEK)으로 희석하여 전체 고형분 5%의 저굴절층 코팅용 조성물(제조예 1-1 내지 제조예 1-4)을 제조하였다.
제조예 1-5 - 저굴절층 코팅용 조성물
테트라-에톡시오르소실리케이트(TEOS)에 메틸트리메톡시실란을 소량 도입하고, 에탄올, 물을 1:2:2의 비율로 혼합 후 질산을 첨가하여 24시간 동안 반응시켜 굴절률이 1.43인 실리카 졸을 합성하였다. 상기 합성된 실리카 졸의 고형분을 측정하고 메틸에틸케톤(MEK)로 희석하여, 상기 고형분 10%의 실록산 화합물을 제조하였다.
제조예 1-6 - 저굴절층 코팅용 조성물
테트라-에톡시오르소실리케이트(TEOS)와 에탄올, 물을 1:2:2의 비율로 혼합 후 질산을 첨가하여 24시간 동안 반응시켜 굴절률이 1.43인 실리카 졸을 합성하였다. 상기 합성된 실리카 졸의 고형분을 측정하고 메틸에틸케톤(MEK)로 희석하여, 상기 고형분 10%의 실록산 화합물을 제조하였다.
구분 조성
금속염 실록산 화합물 함량(중량%)
종류 함량(중량%)
제조예 1-1 FeCl3 0.1 99
제조예 1-2 CoCl2 0.1 99
제조예 1-3 CrO3 0.1 99
제조예 1-4 Mg(OEt)2 0.1 99
제조예 1-5 - - 100
제조예 1-6 - - 100
제조예 2 - 하드코팅층 코팅용 조성물
총 고형분 100 중량부에 대하여 디펜타에리스리톨헥사 아크릴레이트 20 중량부, 자외선 경화형 아크릴레이트 (상품명 HX-920UV, Kyoeisha) 60 중량부, 실리카 미립자 15 중량부(상품명 XBA-ST, 일산 화학), 광중합 개시제 Irgacure-184 5 중량부(Ciba사)를 혼합하고 희석용제 메틸에틸케톤(MEK)으로 희석하여 고형분 45%의 하드코팅층 조성물(굴절률 1.52)을 제조하였다.
제조예 3 - 고굴절층 코팅용 조성물
총 고형분 100 중량부에 대하여 자외선 경화형 아크릴레이트 (상품명 HX-920UV, Kyoeisha) 36 중량부, 고굴절 나노입자 60 중량부(ZrO2 나노입자), 광중합 개시제 4 중량부(상품명 Irgacure-184, BASF)를 혼합하고 희석용제 메틸에틸케톤(MEK)으로 희석하여 고형분 5%의 고굴절층 코팅용 조성물(굴절률 1.64)을 제조하였다.
< 실시예 및 비교예 >
실시예 1
제조예 2의 하드코팅층 조성물을 Meyer bar를 이용해 125㎛ PET필름 상에, 건조막 두께가 1.5㎛이 되도록 도포하고, 180W 고압수은 등으로 300mJ의 자외선을 조사하여 경화시켜 하드코팅필름을 제작했다. 상기 제작한 필름의 반대면에 동일한 방법으로 제조예 2의 하드코팅층 조성물을 건조막 두께 1.5㎛이 되도록 도포하고 경화시켜 양면에 하드코팅층을 포함하는 필름을 제작했다.
그 후, 양면에 하드코팅층을 포함하는 필름의 한 면에 제조예 3으로 제조된 고굴절층 코팅용 조성물을 이용해 건조막 두께가 50nm가 되도록 도포하고, 180W 고압수은등으로 300mJ의 자외선을 조사하여 경화시켜 고굴절층을 형성하였다.
그 후 상기 고굴절층에 제조예 1-1로 제조된 저굴절층 코팅용 조성물을 이용하여 건조막 두께가 20nm가 되도록 도포하고, 150℃ 오븐에서 1분 동안 경화시켜 저굴절층을 형성했다. 이 때, 인듐:주석 = 95:5의 ITO 타겟을 이용하여 저굴절층에 막두께 20nm의 ITO층을 형성하여 투명 도전성 필름을 제작하였다.
실시예 2
저굴절층 코팅용 조성물을 제조예 1-2를 적용하고, 저굴절층 두께를 40nm로 코팅한 것 이외에는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 도전성 필름을 제작하였다.
실시예 3
저굴절층 코팅용 조성물을 제조예 1-3를 적용하고, 저굴절층 두께를 50nm로 코팅한 것 이외에는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 도전성 필름을 제작하였다.
실시예 4
저굴절층 코팅용 조성물을 제조예 1-4를 적용하고, 저굴절층 두께를 60nm로 코팅한 것 이외에는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 도전성 필름을 제작하였다.
비교예 1
저굴절층 코팅용 조성물을 제조예 1-5를 적용하고, 저굴절층 두께를 100nm로 코팅한 것 이외에는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 도전성 필름을 제작하였다.
비교예 2
저굴절층 코팅용 조성물을 제조예 1-6를 적용하고, 저굴절층 두께를 100nm로 코팅한 것 이외에는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 도전성 필름을 제작하였다.
< 실험예 > 투명 도전성 필름의 물리적 특성
상기 실시예 및 비교예의 투명 도전성 필름을 이용하여 하기 물성들을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
1) 산 안정성 평가: 상기 저굴절층에 패턴화 되어 있는 실크 스크린을 이용하여 감광성 수지를 도포하고 건조 및 경화 후 25℃, 5% 염산 수용액에 침지하였다. 그 후에 패턴의 육안 관찰을 통하여 저굴절층이 산성액 의해 손상되었는지 여부를 평가하였다.
2) 투과율, 투과 b*/반사 b*: CM-5(Konica minolta사)를 이용해 전광선 투과율 및 투과 b*/반사 b* 값을 측정하였다.
3) 헤이즈(Haze) : CM-5(Konica minolta사)를 이용하여 헤이즈 값을 측정하였다.
4) 코팅성 : 1차로는 육안으로, 2차로는 광학 현미경 AM413T Dino-Lite Pro로 확인하여 투명 도전성 필름의 코팅성을 측정하였다.
5) 밀착성: 코팅층 표면을 커터를 이용하여 1mm 간격 및 10mmX10mm 가로X세로의 바둑판 모양으로 컷팅하고, 셀로판테이프(Nichiban사)를 이용하여 박리 시험을 하였다. 동일한 부위를 테이프를 이용해 3회 박리 시험하였고, 평가 후 밀착되어 있는 숫자를 /100으로 표기하였다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 비교예 1 비교예 2
산에 대한 손상 X X X X △ ○
투과율 (%) 90.0 90.6 90.7 90.8 90.6 90.5
투과 b* 0.66 0.42 0.18 0.51 0.38 0.43
반사 b* -1.16 -0.19 0.97 -0.55 -0.36 -0.18
Haze 0.29 0.3 0.29 0.27 0.3 0.31
코팅성 ○ ◎ ◎ ○ ○ △
밀착성 100/100 100/100 100/100 100/100 100/100 100/100
<산에 대한 손상> - ○:손상 심함, △:손상 보통, X: 손상 없음
<코팅성> - ◎ : 매우 우수, ○: 우수, △:보통, X: 나쁨
상기 표 2의 측정결과를 통해 실시예 1 내지 4의 투명 도전성 필름은 일정수준이상의 광특성, 코팅성 및 밀착성을 가지고, 산에 의한 손상이 거의 없음을 알 수 있었다. 특히, 상기 산 안정성 평가를 통해 금속염을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물로 형성된 저굴절층의 구조가 더 치밀해져 에칭액, 즉 산성용액에 의한 손상이 거의 없음을 육안으로 판별할 수 있었다.
반면에, 금속염을 포함하지 않는 저굴절층 코팅용 조성물로 형성된 저굴절층을 포함하는 비교예 1 및 2의 투명 도전성 필름의 경우, 투과율, 투과 b* 및 반사 b*는 실시예 1 내지 4와 유사하게 측정되었고, 코팅성 및 밀착성 또한 보통이상의 수준을 유지하였으나, 산 안정성 평가에 있어서 에칭액, 즉 산에 의한 손상이 발생하였다.
결과적으로, 실록산 화합물 및 금속염을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물에 의해 형성된 저굴절층 및 이를 포함하는 투명 전도성 필름은 금속염에 의해 산에 의한 손상이 방지됨을 알 수 있었는바, 상기 저굴절층으로 인해 도전층의 패터닝을 위하여 부여되는 에칭액에 의한 영향이 없고, 투명 기재에서 발생하는 휘발성 기체등에 대해 배리어 특성을 확보함을 유추할 수 있다.
1: 투명 기재 2: 하드코팅층
3: 고굴절층 4: 저굴절층
5: 도전층 10: 투명 도전성 필름

Claims (15)

  1. 실록산 화합물 및 금속염을 포함하고,
    상기 금속염은 아연, 이트륨, 3가 크롬, 2가 및 3가 코발트, 니켈, 1가 및 2가 구리, 카드뮴, 수은, 바나듐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 전이금속의 염을 포함하며,
    상기 실록산 화합물 5중량% 내지 99중량% 및 상기 금속염 0.1중량% 내지 1.0중량%를 포함하는
    저굴절층 코팅용 조성물.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 금속염은 질산염, 황산염, 칼본산염, 할로겐화물, 알콕시드, 아세틸아세톤염 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 염을 포함하는
    저굴절층 코팅용 조성물.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 실록산 화합물은 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 글리시딜옥시프로필트리메톡시실란 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되어 형성된 실록산 중합체를 포함하는
    저굴절층 코팅용 조성물.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 투명 기재, 고굴절층, 제 1항의 저굴절층 코팅용 조성물을 이용하여 형성된 저굴절층 및 도전층의 적층구조인
    투명 도전성 필름.
  9. 삭제
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 저굴절층의 굴절율은 1.4 내지 1.5인
    투명 도전성 필름.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 저굴절층의 두께는 5nm 내지 100nm인
    투명 도전성 필름.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 고굴절층의 두께는 20nm 내지 150nm인
    투명 도전성 필름
  13. 제 8항에 있어서,
    상기 투명 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리에테르설폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리프로필렌(PP), 폴리비닐 클로라이드(PVC), 폴리에틸렌(PE), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 에틸렌 비닐 알코올(EVA), 폴리비닐알콜(PVA) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 단일 또는 적층 필름인
    투명 전도성 필름.
  14. 제 8항에 있어서,
    상기 도전층은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 FTO(Fluorine-doped Tin Oxide)를 포함하는
    투명 전도성 필름.
  15. 제 8항에 있어서,
    상기 투명 기재의 일면 또는 양면에 하드코팅층을 더 포함하는
    투명 전도성 필름.
KR1020120143302A 2012-12-11 2012-12-11 저굴절층 코팅용 조성물 및 이를 포함하는 투명 도전성 필름 KR101571202B1 (ko)

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