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KR101579509B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR101579509B1
KR101579509B1 KR1020130168145A KR20130168145A KR101579509B1 KR 101579509 B1 KR101579509 B1 KR 101579509B1 KR 1020130168145 A KR1020130168145 A KR 1020130168145A KR 20130168145 A KR20130168145 A KR 20130168145A KR 101579509 B1 KR101579509 B1 KR 101579509B1
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chemical
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조수현
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 처리하는 장치에 있어서, 하우징, 상기 하우징 내에 배치되고 기판을 지지 및 회전시키는 지지 유닛, 상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판 상으로 케미컬을 공급하는 노즐 유닛, 상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 케미컬을 제거하는 제거액을 공급하는 제거액 유닛, 상기 지지 유닛, 상기 노즐 유닛, 그리고 상기 제거액 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 노즐 유닛으로 상기 케미컬을 공급할 때 상기 지지 유닛을 제 1 속도로 회전시켜 상기 기판 상에 상기 케미컬을 도포하고, 상기 케미컬 공급 후에 상기 지지 유닛을 제 2 속도로 회전시켜 상기 케미컬을 상기 기판 상에 확산 및 평탄화시킨 후, 상기 지지 유닛을 제 3 속도로 회전시키며 상기 기판 상에 도포된 상기 케미컬에서 솔벤트를 제거하고, 이와 동시에 상기 제거액을 공급하여 상기 기판의 상기 가장자리 영역에서 상기 케미컬을 제거하도록 제어할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD}
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에서는 포토리소그라피 도포, 노광, 현상 공정이 수반된다. 종래 포토리소그라피 공정은 도포, 확산, 에지 비드 제거 단계가 순차적으로 제공된다. 먼저, 잔류 수분이 제거된 기판 상에 PR을 도포한 후, 기판을 고속회전시켜 PR이 코팅되도록 하는 스핀코팅(spin coating)방법을 통해, 기판 상에 PR을 균일한 두께로 코팅한다. PR은 유동성을 갖는 유체이므로 기판의 고속회전함에 따라 기판의 주변부로 밀리게 되면서, 균일한 두께로 코팅된다. 이 과정에서, 기판의 회전 운동에 의해 솔벤트 성분이 휘발된다. 이 후, 반송로봇에 의한 그립 등에 의해 기판 가장자리의 PR이 파티클로 작용될 수 있다. 따라서, 가장자리 영역의 PR을 제거한다. 이 과정에서, 기판의 고속 회전에 의해 솔벤트 성분이 휘발된 PR은 린스 공정 시 PR이 용해되지 못하고, 기판의 가장자리부가 부풀어 오르게 되어 에지 험프(edge hump)가 형성된다. 이러한 에지 험프(edge hump)는 노광 공정시 이물질로 작용한다.
본 발명은 에지 험프를 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 처리하는 장치는, 하우징, 상기 하우징 내에 배치되고 기판을 지지 및 회전시키는 지지 유닛, 상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판 상으로 케미컬을 공급하는 노즐 유닛, 상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 케미컬을 제거하는 제거액을 공급하는 제거액 유닛, 상기 지지 유닛, 상기 노즐 유닛, 그리고 상기 제거액 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 노즐 유닛으로 상기 케미컬을 공급할 때 상기 지지 유닛을 제 1 속도로 회전시켜 상기 기판 상에 상기 케미컬을 도포하고, 상기 케미컬 공급 후에 상기 지지 유닛을 제 2 속도로 회전시켜 상기 케미컬을 상기 기판 상에 확산 및 평탄화시킨 후, 상기 지지 유닛을 제 3 속도로 회전시키며 상기 기판 상에 도포된 상기 케미컬에서 솔벤트를 제거하고, 이와 동시에 상기 제거액을 공급하여 상기 기판의 상기 가장자리 영역에서 상기 케미컬을 제거하도록 제어할 수 있다.
상기 제어기는, 상기 제 1 속도를 상기 제 2 속도보다 크고 상기 제 3 속도보다 작도록 제어할 수 있다.
상기 제어기는, 상기 지지 유닛을 상기 제 3 속도로 회전시킨 후에 제 4 속도로 회전시켜 상기 기판이 건조되도록 제어할 수 있다.
상기 제어기는, 상기 제 4 속도가 상기 제 3 속도보다 작도록 제어할 수 있다.
상기 케미컬은 감광액일 수 있다.
상기 케미컬은 하이브리드 박막 형성용 케미컬일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 기판을 제 1 속도로 회전시키고, 상기 기판에 케미컬을 공급하여 상기 기판 상에 상기 케미컬을 도포하는 케미컬 도포 단계와 상기 케미컬의 공급을 중단하고 상기 기판을 제 2 속도로 회전시켜 상기 케미컬을 상기 기판 상에서 확산 및 평탄화시키는 평탄화 단계와 상기 기판을 제 3 속도로 회전시켜 상기 기판 상에 도포된 상기 케미컬에서 솔벤트를 제거하고, 이와 동시에 상기 기판의 가장자리 영역에 제거액을 공급하여 상기 기판의 상기 가장자리 영역에서 상기 케미컬을 제거하는 솔벤트/비드 제거 단계를 포함할 수 있다.
상기 제 1 속도는 상기 제 2 속도보다 크고, 상기 제 3 속도보다 작을 수 있다.
상기 기판 처리 방법은 상기 솔벤트/비드 제거 단계 후에, 상기 기판을 제 4 속도로 회전시켜 건조시키는 건조 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제 4 속도는 상기 제 3 속도보다 작을 수 있다.
상기 케미컬은 감광액일 수 있다.
상기 케미컬은 하이브리드 박막 형성용 케미컬일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 에지 험프를 최소화하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2는 도 1의 지지 유닛을 보여주는 도면이다.
도 3 내지 도 7은 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 A 부분의 확대도이다.
도 9는 속도들의 값과 크기를 보여주는 그래프이다.
본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 실시예에서 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼(W)를 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리, 대체로 원판 형상으로 제공된 다양한 종류의 기판일 수 있다.
아래에서는 처리액을 이용하여 기판을 세정하는 기판 처리 장치의 일 예를 설명한다.
도 1은 기판 처리 장치의 일 실시예에 관한 단면도이다. 기판 처리 장치(300)는 하우징(305), 지지 유닛(310), 용기(320), 승강 유닛(330), 노즐 유닛(340), 제거액 유닛(350), 그리고 제어기(360)를 포함한다.
하우징(305)은 공정이 처리되는 공간을 제공한다.
도 2는 지지 유닛(310)을 측면에서 바라본 도면이다. 지지 유닛(310)은 하우징(305) 내에 배치된다. 지지 유닛(310)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(310)는 지지 플레이트(311), 스핀들(spindle)(312) 그리고 회전 부재(313)를 갖는다.
지지 플레이트(311)는 하우징(305) 내에 배치된다. 지지 플레이트(311)는 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(311)는 기판(W)을 흡착시킬 수 있다. 기판(W)의 반경은 지지 플레이트(311)의 반경보다 클 수 있다. 따라서, 도 1과 같이, 기판(W)의 측부는 지지 플레이트(311)의 외부에 위치된다. 지지 플레이트(311)는 용기(320)의 안쪽 공간에 배치된다.
스핀들(312)은 지지 플레이트(311)의 하부 중앙에 결합된다. 스핀들(312)은 그 내부가 비어 있는 중공 축(hollow shaft) 형태이다. 스핀들(312)은 회전 부재(313)의 회전력을 지지 플레이트(311)에 전달한다. 상세하게 도시하지는 않았지만, 회전 부재(313)는 회전력을 발생하는 모터와 같은 구동부와, 구동부로부터 발생된 회전력을 스핀들로 전달하는 벨트, 체인과 같은 동력 전달부 등의 통상적인 구성으로 이루어질 수 있다.
용기(320)는 지지 플레이트(311) 주변을 감싸고, 상부가 개방된 형상을 가진다. 용기(320)는 공정에 사용된 약액들을 분리하여 회수할 수 있는 구조를 가진다. 이는 처리액들의 재사용이 가능하게 한다. 용기(320)는 복수의 회수통들(3210, 3230)을 가진다. 각각의 회수통(3210, 3230)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 종류의 처리액을 회수한다. 본 실시 예에서 용기(320)는 2개의 회수통들(3210, 3230)을 가진다. 각각의 회수통들을 내부 회수통(3210), 그리고 외부 회수통(3230)이라 칭한다. 이와 달리, 회수통은 2개가 아닌 복수 개로 제공될 수 있다. 선택적으로, 회수통은 단일의 회수통으로 제공될 수 있다.
내부 회수통(321)은 지지 플레이트(311)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외부 회수통(323)은 내부 회수통(321)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 각각의 회수통(321, 323)은 용기(320) 내에서 용기 내 공간(32)과 통하는 유입구(321a, 323a)를 가진다. 각각의 유입구(321a, 323a)는 지지 플레이트(311)의 둘레에 링 형상으로 제공된다. 기판(w)으로 분사되어 공정에 사용된 약액들은 기판(w)의 회전으로 인한 원심력에 의해 유입구(321a, 323a)를 통해 회수통(321, 323)으로 유입된다. 내부 회수통(321), 그리고 외부 회수통(323)의 유입구(321a, 323a)들은 서로 간에 높이가 상이하도록 제공된다.
내부 회수통(321), 그리고 외부 회수통(323) 각각에는 처리액을 배출하는 배출관(321b, 323b)과 흄을 포함하는 기체를 배기하는 배기관(329)이 결합된다.
승강 유닛(330)은 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라, 지지 플레이트(311)에 대한 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(330)은 브라켓(331), 이동 축(332), 그리고 구동기(333)를 가진다. 브라켓(331)은 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(331)에는 구동기(333)에 의해 상하방향으로 이동되는 이동 축(332)이 고정결합된다. 기판(w)이 지지 플레이트(311)에 놓이거나, 지지 플레이트(311)로부터 들어올릴 때 지지 플레이트(311)가 용기(320)의 상부로 돌출되도록 용기(320)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(321, 323)으로 유입될 수 있도록 용기(320)의 높이가 조절한다. 상술한 바와 반대로, 승강 유닛(330)은 지지 플레이트(311)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
노즐 유닛(340)은 지지 유닛(310)의 일측에 제공된다. 노즐 유닛(340)은 지지 유닛(310)에 놓인 기판(W) 상으로 케미컬을 공급한다. 노즐 유닛(340)은 노즐(341), 노즐 암(342), 노즐 지지축(343), 그리고 노즐 구동기(344)를 포함한다. 노즐(341)은 기판(W)의 중앙면 상부에 위치한다. 노즐(341)은 케미컬을 분사한다. 일 예로, 케미컬은 포토 레지스트일 수 있다. 이와 달리, 케미컬은 하이브리드 박막을 형성하기 위한 케미컬일 수 있다. 일 예로, 케미컬은 hybrid SOH일 수 있다. 또한, 케미컬은 carbon SOH일 수 있다. 이와 달리, 케미컬은 Si-OH일 수 있다. 또한, 다른 예로, 케미컬은 하이드로겐-싸이오퍼옥사이드(H-SOH, hydrogen thioperoxie)일 수 있다. 노즐(341)은 노즐 암(342)에 연결된다. 노즐 암(342)은 노즐 지지축(343)과 수직하게 결합된다. 노즐 지지축(343)의 하부에는 노즐 구동기(344)가 결합된다. 노즐 구동기(344)는 노즐(341)을 이동시킬 수 있다.
제거액 유닛(350)은 지지 유닛(310)의 일측에 제공된다. 제거액 유닛(350)은 제거액 노즐(351), 제거액 노즐 암(352), 제거액 노즐 지지축(353), 그리고 제거액 노즐 구동기(354)를 포함한다. 제거액 유닛(350)은 지지 유닛(310)에 놓인 기판(W)의 가장자리 영역으로 제거액을 공급한다. 제거액 노즐(351)은 기판(W)의 가장자리 영역의 상부에 위치한다. 제거액 노즐(351)은 제거액을 분사한다. 제거액은 케미컬을 제거한다. 일 예로, 제거액은 시너(thinner)일 수 있다. 이와 달리, 케미컬은 하이브리드 박막을 형성하기 위한 케미컬을 제거하는 제거액일 수 있다. 제거액 노즐(351)의 토출구는 기판(W)에 수직한 면에 대해 각도 조절이 가능하게 제공될 수 있다. 또한, 제거액의 유량에 따라 제거액 노즐(351)의 토출구는 기판(W)으로부터의 거리가 조절될 수 있다. 제거액 노즐(351)은 제거액 노즐 암(352)에 연결된다. 제거액 노즐 암(352)은 제거액 노즐 지지축(353)과 수직하게 결합된다. 제거액 노즐 지지축(353)의 하부에는 제거액 노즐 구동기(354)가 결합된다. 제거액 노즐 구동기(354)는 제거액 노즐(351)을 이동시킬 수 있다. 선택적으로, 제거액 유닛(350)은 기판(W)의 가장자리 영역에 복수 개 제공될 수 있다. 일 예로, 도 2와 같이, 제거액 유닛(350)은 기판(W)의 양 가장자리 영역에 제공될 수 있다.
제어기(360)는 지지 유닛(310), 노즐 유닛(340), 그리고 제거액 유닛(350)을 제어한다. 제어기(360)는 지지 유닛(310)의 회전 속도에 따라, 노즐 유닛(340) 및 제거액 유닛(350)의 도포 여부를 제어한다.
이하, 도 3 내지 도 9를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명한다. 도 3 내지 도 7은 도 1의 기판 처리 장치가 기판을 처리하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다. 도 8은 도 7의 A의 확대도이다. 도 9는 속도값들의 크기를 비교하는 그래프이다. 처음에, 케미컬 도포 단계가 이루어진다. 제어기(360)는 지지 유닛(310)을 제 1 속도(V1)로 회전시키고, 지지 유닛(310) 상의 기판(W)에 케미컬을 공급한다. 이 때, 기판(W)에 케미컬이 도포된다. 이후에, 평탄화 단계가 진행된다. 제어기(360)는 노즐 유닛(340)의 케미컬 공급을 중단하고, 기판(W)을 제 2 속도(V2)로 회전시킨다. 이 때, 기판(W) 상에서 케미컬이 확산되어 평탄화된다. 평탄화 단계가 완료되면, 솔벤트/비드 제거 단계가 진행된다. 솔벤트/비드 제거 단계에서는, 제어기(360)가 기판(W)을 제 3 속도(V3)로 회전시킨다. 이와 동시에, 제어기(360)는 제거액 유닛(350)을 기판(W)의 가장자리 영역에 제거액을 공급하도록 제어한다. 이에 따라, 기판(W) 상에 도포된 케미컬에서 솔벤트가 제거되고, 기판(W)의 가장자리 영역에서 케미컬이 제거된다. 솔벤트 제거와 비드 제거가 동시에 이루어짐으로써, 케미컬의 용해도를 높일 수 있다. 따라서, 솔벤트/비드 제거 단계가 완료되면, 도 8과 같이, 에지 험프(edge hump)의 생성을 최소화할 수 있다. 일반적으로 솔벤트 제거 단계와 비드 제거 단계가 순차적으로 이루어질 경우, 에지 험프(edge hump)의 높이(h)는 약 0.8um 내지 약 1.5um 사이의 높이로 생성된다. 반면에, 이와 같이, 솔벤트 제거와 비드 제거가 동시에 이루어질 경우, 에지 험프(edge hump)의 높이(h)는 약 0.2um 내지 약 0.6um의 높이로 생성된다. 솔벤트/비드 제거 단계 후에, 건조 단계가 진행될 수 있다. 제어기(360)는 기판(W)을 제 4 속도(V4)로 회전시켜, 기판(W)이 건조될 수 있다. 제 3 속도(V3), 제 4 속도(V4), 제 1 속도(V1), 그리고 제 2 속도(V2)는 순차적으로 작게 제공된다. 일 예로, 제 3 속도(V3)는 약 2000~2200rpm, 제 4 속도(V4)는 약 1900~2100rpm, 제 1 속도(V1)는 약 1400~1600rpm, 그리고 제 2 속도(V2)는 약 50~150rpm일 수 있다. 도 9를 참조하면, 제 3 속도(V3)는 약 2100rpm, 제 4 속도(V4)는 약 2000rpm, 제 1 속도(V1)는 약 1500rpm, 그리고 제 2 속도(V2)는 약 100rpm일 수 있다. 에지 험프(edge hump)의 양이 최소화됨으로써, 케미컬이 포토 레지스트인 경우, 에지 험프(edge hump)가 노광 공정 시에 주는 영향을 최소화할 수 있다. 또한, 케미컬이 박막 형성용 케미컬인 경우, 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing)와 같은 물리적 방법 뿐 아니라, 화학적 방법으로 평탄화 과정이 가능하다.
이상에서는 노즐(340)이 도포 공정을 수행하는 노즐인 것으로 설명하였으나, 이와 달리 다른 공정을 수행하는 모듈일 수 있다. 또한, 노즐(340)이 지지 플레이트(311)의 중앙면 상부에 제공되는 것으로 것으로 설명하였으나, 선택적으로, 노즐(340)은 지지 플레이트(311)에 대해 다른 위치에 제공될 수 있다. 또한, 노즐(340)이 복수 개 제공되는 경우, 각각의 노즐(340)의 토출구의 크기 또는 분사량이 상이하게 제공될 수 있다. 또한, 이와 달리, 노즐 유닛(340)과 제거액 유닛(350)은 하나의 몸체에 제공될 수 있다.
상술한 본 발명에 따른 기판처리방법에 있어서, 각 실시예를 구성하는 단계는 필수적인 것은 아니며, 따라서 각 실시예는 상술한 단계를 선택적으로 포함할 수 있다. 나아가, 각 실시예들은 서로 개별적으로 또는 조합되어 이용될 수 있으며, 각 실시예를 구성하는 단계들도 다른 실시예를 구성하는 단계들과 개별적으로 또는 조합되어 이용될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은, 이를 수행하는 코드 또는 프로그램의 형태로 컴퓨터 판독 가능 기록매체에 저장될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
300 : 기판 처리 장치 305: 하우징
310 : 지지 유닛 311 : 지지 플레이트
320 : 용기 340 : 노즐 유닛
341 : 노즐 350 : 제거액 유닛
351 : 제거액 노즐 360 : 제어기

Claims (12)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    하우징;
    상기 하우징 내에 배치되고 기판을 지지 및 회전시키는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판 상으로 케미컬을 공급하는 노즐 유닛;
    상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 케미컬을 제거하는 제거액을 공급하는 제거액 유닛;
    상기 지지 유닛, 상기 노즐 유닛, 그리고 상기 제거액 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 노즐 유닛으로 상기 케미컬을 공급할 때 상기 지지 유닛을 제 1 속도로 회전시켜 상기 기판 상에 상기 케미컬을 도포하고, 상기 케미컬 공급 후에 상기 지지 유닛을 제 2 속도로 회전시켜 상기 케미컬을 상기 기판 상에 확산 및 평탄화시킨 후, 상기 지지 유닛을 제 3 속도로 회전시키며 상기 기판 상에 도포된 상기 케미컬에서 솔벤트를 제거하고, 이와 동시에 상기 제거액을 공급하여 상기 기판의 상기 가장자리 영역에서 상기 케미컬을 제거하도록 제어하되,
    상기 제어기는 상기 지지 유닛을 상기 제3 속도로 회전시킨 후에 제4 속도로 회전시켜 상기 기판이 건조되도록 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    하우징;
    상기 하우징 내에 배치되고 기판을 지지 및 회전시키는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판 상으로 케미컬을 공급하는 노즐 유닛;
    상기 지지 유닛 상에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역으로 상기 케미컬을 제거하는 제거액을 공급하는 제거액 유닛;
    상기 지지 유닛, 상기 노즐 유닛, 그리고 상기 제거액 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 노즐 유닛으로 상기 케미컬을 공급할 때 상기 지지 유닛을 제 1 속도로 회전시켜 상기 기판 상에 상기 케미컬을 도포하고, 상기 케미컬 공급 후에 상기 지지 유닛을 제 2 속도로 회전시켜 상기 케미컬을 상기 기판 상에 확산 및 평탄화시킨 후, 상기 지지 유닛을 제 3 속도로 회전시키며 상기 기판 상에 도포된 상기 케미컬에서 솔벤트를 제거하고, 이와 동시에 상기 제거액을 공급하여 상기 기판의 상기 가장자리 영역에서 상기 케미컬을 제거하도록 제어하되,
    상기 제어기는 상기 제1 속도를 상기 제2 속도보다 크고 상기 제2 속도보다 작도록 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어기는, 상기 지지 유닛을 상기 제 3 속도로 회전시킨 후에 제 4 속도로 회전시켜 상기 기판이 건조되도록 제어하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어기는, 상기 제 4 속도가 상기 제 3 속도보다 작도록 제어하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 케미컬은 감광액인 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 케미컬은 하이브리드 박막 형성용 케미컬인 기판 처리 장치.
  7. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    기판을 제 1 속도로 회전시키고, 상기 기판에 케미컬을 공급하여 상기 기판 상에 상기 케미컬을 도포하는 케미컬 도포 단계와;
    상기 케미컬의 공급을 중단하고 상기 기판을 제 2 속도로 회전시켜 상기 케미컬을 상기 기판 상에서 확산 및 평탄화시키는 평탄화 단계와;
    상기 기판을 제 3 속도로 회전시켜 상기 기판 상에 도포된 상기 케미컬에서 솔벤트를 제거하고, 이와 동시에 상기 기판의 가장자리 영역에 제거액을 공급하여 상기 기판의 상기 가장자리 영역에서 상기 케미컬을 제거하는 솔벤트/비드 제거 단계와;
    상기 기판을 제4 속도로 회전시켜 건조시키는 건조 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  8. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    기판을 제 1 속도로 회전시키고, 상기 기판에 케미컬을 공급하여 상기 기판 상에 상기 케미컬을 도포하는 케미컬 도포 단계와;
    상기 케미컬의 공급을 중단하고 상기 기판을 제 2 속도로 회전시켜 상기 케미컬을 상기 기판 상에서 확산 및 평탄화시키는 평탄화 단계와;
    상기 기판을 제 3 속도로 회전시켜 상기 기판 상에 도포된 상기 케미컬에서 솔벤트를 제거하고, 이와 동시에 상기 기판의 가장자리 영역에 제거액을 공급하여 상기 기판의 상기 가장자리 영역에서 상기 케미컬을 제거하는 솔벤트/비드 제거 단계를 포함하되,
    상기 제1 속도는 상기 제2 속도보다 크고, 상기 제3 속도보다 작은 기판 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은 상기 솔벤트/비드 제거 단계 후에,
    상기 기판을 제 4 속도로 회전시켜 건조시키는 건조 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 4 속도는 상기 제 3 속도보다 작은 기판 처리 방법.
  11. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 케미컬은 감광액인 기판 처리 방법.
  12. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 케미컬은 하이브리드 박막 형성용 케미컬인 기판 처리 방법.

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