KR101532056B1 - 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 93
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNRFQJSWBQGLDR-UHFFFAOYSA-N methane trihydrofluoride Chemical compound C.F.F.F UNRFQJSWBQGLDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/60—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation in which radiation controls flow of current through the devices, e.g. photoresistors
- H10K30/65—Light-sensitive field-effect devices, e.g. phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
유기발광 표시장치는 대향기판으로부터 돌출된 마이크로 렌즈들을 포함하고, 마이크로 렌즈들은 유기발광층으로부터 발생되어 대향기판을 통해 외부로 출사되는 광을 분산시킨다. 또한, 유기발광 표시장치는 마이크로 렌즈들 중 적어도 하나 위에 구비되는 보조 전극을 포함하고, 보조전극은 마이크로 렌즈들이 갖는 두께에 의해 제 2 전극과 접촉할 수 있다. 그 결과, 보조 전극은 제 2 전극과 전기적으로 연결되어 제 2 전극의 전기저항을 감소시켜 제 2 전극의 전기전도도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 유기발광 표시장치의 서로 마주보는 두 기판 간의 이격거리를 유지할 수도 있다.
Description
본 발명은 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시품질이 향상된 유기발광 표시장치 및 이를 용이하게 제조할 수 있는 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기발광 표시장치는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상부에 구비되는 상부 전극, 및 상기 유기 발광층 하부에 구비되는 하부 전극을 포함한다. 상기 유기발광층은 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극을 통해 제공되는 전류를 이용하여 광을 발생하고, 상기 유기발광 표시장치는 상기 광을 이용하여 영상을 표시한다.
한편, 유기발광 표시장치의 표시품질을 향상시키는 방안이 지속적으로 연구되고 있다. 예컨대, 상부 발광형(top emission type) 유기발광 표시장치에 있어서, 상부 전극의 두께를 얇게 형성하여 상부 전극을 투과하여 외부로 출사되는 광량을 최대화시키고, 동시에 상부 전극의 두께가 얇아질수록 상부 전극의 전기저항이 증가하여 상부 전극의 전기전도도가 저하되는 것을 방지하는 방안이 연구되고 있다.
본 발명의 일 목적은 표시품질이 향상된 유기발광 표시장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기한 유기발광 표시장치를 용이하게 제조할 수 있는 유기발광 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
상기한 일 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 유기발광 표시장치는 베이스기판, 상기 베이스기판 상부에 구비되는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 위에 구비되어 광을 발생하는 유기발광층, 및 상기 유기발광층 위에 구비되는 제 2 전극을 포함한다.
또한, 상기 유기발광 표시장치는 상기 베이스기판과 마주하며 상기 유기발광층으로부터 발생된 광을 분산시키는 마이크로렌즈들을 갖는 대향기판, 및 상기 마이크로 렌즈들 중 적어도 하나 위에 구비되는 보조 전극을 포함한다. 상기 보조전극은 상기 제 2 전극과 접촉하여 상기 제 2 전극과 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 제 2 전극의 전기저항은 상기 보조 전극에 의해 감소되어 상기 제 2 전극의 전기전도도가 향상된다.
상기한 다른 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조 방법은 아래와 같다. 베이스기판의 상부에 구동 트랜지스터를 형성하고, 상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제 1 전극을 형성하고, 상기 제 1 전극 위 에 유기발광층을 형성하고, 상기 유기발광층 위에 제 2 전극을 형성한다.
마이크로 렌즈 및 보조 전극을 갖는 대향기판을 형성하고, 상기 보조 전극이 상기 제 2 전극과 접촉하도록 상기 베이스기판 및 상기 대향기판을 결합한다.
유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법에 있어서, 베이스기판 위에 제 1 전극, 유기발광층, 및 제 2 전극이 구비되고, 대향기판 위에 마이크로 렌즈들이 구비된다. 마이크로 렌즈들은 유기발광층으로부터 발생되어 대향기판을 투과하여 외부로 출사되는 광을 분산시키고, 그 결과 유기발광 표시장치의 휘도가 시야각에 따라 상이해지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 마이크로 렌즈들은 그 두께를 증가시켜 베이스기판 및 대향기판 간의 이격거리를 유지하는 스페이서로 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 마이크로 렌즈들 위에 보조 전극을 형성하여 보조 전극과 제 2 전극을 전기적으로 연결시키는 수단으로 사용될 수도 있다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 살펴보기로 한다. 상기한 본 발명의 목적, 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련된 실시예들을 통해서 용이하게 이해될 것이다. 다만 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 아래의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 한편, 하기 실시예와 함께 제시된 도면은 명확한 설명을 위해서 다소 간략화되거나 과장된 것이며, 도면상에 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 평면도이다. 유기발광 표시장치(500)는 다수의 화소영역들을 가지나, 상기 유기발광 표시장치(500)는 상기 화소영역들 각각에 대응하여 동일한 구조를 가지므로, 도 1에서는 상기 화소영역들 중 일부만이 도시된다.
도 1을 참조하면, 유기발광 표시장치(500)는 표시기판(200) 및 상기 표시기판(200)과 마주보는 대향기판(400)을 포함한다. 상기 유기발광 표시장치(500)는 제 1 내지 제 4 화소영역들(PA1,PA2,PA3,PA4)을 갖는다. 평면상에서 상기 제 1 내지 제 4 화소영역들(PA1,PA2,PA3,PA4)은 제 1 방향(D1) 및 상기 제 1 방향(D1)과 수직인 제 2 방향(D2)을 각각 행 방향 및 열 방향으로 갖는 매트릭스 형상으로 배열된다.
상기 유기발광 표시장치(500)에서 상기 제 1 내지 제 4 화소영역들(PA1,PA2,PA3,PA4)은 광이 투과하는 영역이다. 따라서, 유기발광층(도 2의 EL)로부터 발생된 광은 상기 제 1 내지 제 4 화소영역들(PA1,PA2,PA3,PA4)을 통해 외부로 출사된다.
상기 대향기판(400) 위에는 상기 제 2 방향(D2)으로 연장되는 보조 전극(AE)이 구비된다. 평면상에서 상기 보조 전극(AE)은 서로 인접한 화소영역들 사이에 위치하여 상기 1 내지 제 4 화소영역들(PA1,PA2,PA3,PA4)과 중첩되지 않으므로 상기 제 1 내지 제 4 화소영역들(PA1,PA2,PA3,PA4)을 통해 외부로 출사되는 광은 상기 보조 전극(AE)에 의해 차단되지 않는다. 또한, 상기 보조 전극(AE)은 콘택부(CNT)에서 제 2 전극(도 2의 180)과 전기적으로 연결된다. 상기 보조 전극(AE)의 구조 및 기능에 대한 보다 상세한 설명은 도 2를 참조하여 설명된다.
한편, 본 발명의 실시예에서는, 평면상에서 상기 보조 전극(AE)은 상기 제 2 방향(D2)으로 연장된 형상을 갖는다. 하지만, 상기 보조 전극(AE)은 다른 형상을 가질 수도 있다. 예컨대, 상기 보조 전극(AE)은 상기 제 1 방향(D1)으로 연장될 수도 있고, 상기 제 1 및 제 2 방향들(D1,D2)으로 동시에 연장된 격자 패턴의 형상을 가질 수도 있다. 또한, 상기 보조 전극(AE)은 서로 이격되어 각각 상기 제 2 전극과 전기적으로 연결되는 다수의 서브 보조 전극들로 이루어질 수도 있다.
도 2는 도 1에 도시된 유기발광 표시장치의 단면도이고, 보다 상세하게는, 도 2는 유기발광 표시장치의 화소의 구조 및 발광기능을 설명하기 위하여 제 1 화소영역(도 1의 PA1)에 대응하는 화소를 절취한 부분을 나타낸다. 한편, 유기발광 표시장치는 다수의 화소영역들에 일대일 대응하는 다수의 화소들을 가지나, 상기 화소들 각각의 구조는 서로 동일하므로, 도 2에서는 하나의 화소만을 도시하고, 나머지 화소들에 대한 상세한 설명은 생략된다.
유기발광 표시장치(500)는 표시기판(200) 및 대향기판(400)을 포함하고, 상기 표시기판(200)은 베이스기판(100), 스위칭 트랜지스터(TR1), 구동 트랜지스터(TR2), 오버코트막(140), 뱅크 패턴(160), 제 1 전극(170), 유기발광층(EL), 및 제 2 전극(180)을 포함한다.
상기 스위칭 트랜지스터(TR1)는 상기 베이스기판(100)의 상부에 구비되고, 상기 스위칭 트랜지스터(TR1)는 제 1 게이트전극(GE1), 제 1 소오스전극(SE1), 제 1 드레인전극(DE1), 및 제 1 액티브패턴(AP1)을 포함한다. 도 2에서는 도시되지 않았지만, 상기 베이스기판(100) 상에는 게이트신호를 전송하는 게이트라인(미도시)이 구비되고, 상기 제 1 게이트전극(GE1)은 상기 게이트라인으로부터 분기된다. 또한, 상기 게이트라인의 상부에 상기 게이트라인과 절연되어 데이터 신호를 전송하는 데이터라인(도 3의 DL)이 구비되고, 상기 제 1 소오스전극(SE1)은 상기 데이터 라인으로부터 분기된다. 따라서, 상기 스위칭 트랜지스터(TR1)가 상기 게이트신호를 제공받아 턴-온 되면, 상기 데이터 신호는 상기 제 1 액티브패턴(AP1)을 통해 상기 제 1 드레인전극(DE1) 측으로 전송된다.
상기 구동 트랜지스터(TR2)는 제 2 게이트 전극(GE2), 제 2 소오스 전극(SE2), 제 2 드레인 전극(DE2), 및 제 2 액티브 패턴(AP2)을 포함한다. 도 2에서는 도시되지 않았지만, 상기 베이스기판(100)의 상부에는 전원전압을 전송하는 전원공급 라인(미도시)이 구비되고, 상기 제 2 소오스전극(SE2)은 상기 전원공급 라인으로부터 분기된다.
상기 제 2 게이트 전극(GE2)은 제 1 연결전극(BE1)에 의해 상기 제 1 드레인전극(DE1)과 전기적으로 연결된다. 그 결과, 상기 스위칭 트랜지스터(TR1)가 턴-온 될 때, 상기 데이터신호는 상기 제 1 연결전극(BE1)을 통해 상기 제1 드레인전극(DE1)으로부터 상기 제 2 게이트전극(GE2) 측으로 전송된다. 그 결과, 상기 구동 트랜지스터(TR2)가 턴-온 되어 상기 전원전압은 상기 제 2 소오스전극(SE2) 및 상 기 제 2 액티브패턴(AP2)을 통해 상기 제 2 드레인전극(DE2) 측으로 전송된다.
한편, 제 1 절연막(110)은 베이스 기판(100)의 상부에 구비되어 제 2 액티브패턴(AP2), 제 2 소오스전극(SE2), 및 제 2 드레인전극(DE2)을 커버한다. 제 2 절연막(120)은 상기 제 1 절연막(110)의 상부에 구비되어 제 1 게이트전극(GE1)을 커버한다. 제 3 절연막(130)은 상기 제 2 절연막(120)의 상부에 구비되어 제 1 소오스전극(SE1), 제 1 드레인전극(DE1), 및 제 2 게이트전극(GE2)을 커버한다.
상기 오버코트막(140)은 상기 스위칭 트랜지스터(TR1) 및 상기 구동 트랜지스터(TR2)의 상부에 구비되어 상기 스위칭 트랜지스터(TR1) 및 상기 구동 트랜지스터(TR2)을 커버한다. 상기 오버코트막(140)의 상부면은 평평한 형상을 가지므로 상기 오버코트막(140)의 상부에 상기 제 1 전극(170)을 용이하게 형성할 수 있다.
상기 제 1 전극(170)은 상기 제 1 화소영역(PA1)에서 상기 오버코트막(140) 상에 구비되고, 상기 제 1 전극(170)은 콘택홀(CH)에서 상기 제 2 연결전극(BE2)을 통해 상기 제 2 드레인 전극(DE2)과 전기적으로 연결된다.
상기 뱅크 패턴(160)은 상기 오버코트막(140)의 상부에 구비된다. 상기 뱅크패턴(160)은 상기 제 1 전극(170)과 상기 유기발광층(EL)이 서로 접촉되도록 상기 콘택홀(CH)이 형성된 영역을 제외한 상기 제 1 화소영역(PA1)에서 제거되고, 상기 뱅크 패턴(160)은 서로 인접한 화소영역들 사이영역으로 정의되는 화소간영역(ABP)에 위치한다.
상기 유기발광층(EL)은 상기 베이스기판(100)의 전면에 대응하여 구비된다.즉, 상기 유기발광층(EL)은 상기 제 1 화소영역(PA1) 및 상기 화소간영역(ABP) 모 두에 구비된다. 따라서, 상기 유기발광층(EL)은 상기 뱅크패턴(160)이 제거된 영역에서 상기 제 1 전극(170) 상에 구비되고, 상기 화소간영역(ABP)에서 상기 뱅크패턴(160) 상에 구비된다. 상기 유기발광층(EL)은 상기 제 1 전극(170) 및 상기 제 2 전극(180)을 통해 제공되는 전류를 이용하여 광을 발생시킨다.
상기 제 2 전극(180)은 상기 유기발광층(EL) 상에 구비된다. 상기 제 2 전극(180)은, 인듐틴옥사이드 및 인듐징크옥사이드와 같은, 투명한 도전물을 포함한다. 따라서, 상기 유기발광층(EL)으로부터 발생된 광은 상기 제 2 전극(180)을 투과하여 외부로 출사될 수 있다.
상기 대향기판(400)은 상기 표시기판(200)과 마주보도록 상기 표시기판(200)과 결합된다. 상기 대향기판(400)은 유리를 포함하는 유리기판 일 수 있고, 상기 대향기판(400)의 일면에는 마이크로 렌즈들(420)이 형성된다. 상기 마이크로 렌즈들(420)은 상기 일면으로부터 돌출되어 상기 대향기판(400)과 일체로 형성된다. 상기 마이크로 렌즈들(420)은 상기 유기발광층(EL)로부터 발생되어 상기 대향기판(400)을 통해 외부로 출사되는 광을 분산시킨다.
일반적으로 상기 유기발광층(EL)으로부터 발생된 광은 다중광간섭 (multiple-beam interference) 현상을 일으키고, 상기 광은 특정파장 영역대에서 공명현상(resonance)을 일으켜 보강간섭되고, 상기 광은 상기 특정파장 영역대 외의 파장 영역대에서는 상쇄간섭된다. 그 결과, 시야각에 따라 외부에서 감지되는 상기 유기발광 표시장치(500)의 휘도는 상이할 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시예에서는, 상기 마이크로 렌즈들(420)은 상기 유기발광층(EL)로부터 발생되어 상기 대향기판(400)을 통해 외부로 출사되는 광을 분산시키고, 그 결과 시야각에 따라 외부에서 시인되는 유기발광 표시장치(500)의 휘도가 상이해지는 것을 방지한다.
한편, 상기 마이크로 렌즈들(420)은 위치 및 크기에 따라 제 1 마이크로 렌즈들(415) 및 제 2 마이크로 렌즈들(418)로 구분될 수 있다. 상기 제 1 화소영역(PA1)에 대응하여 상기 제 1 마이크로렌즈들(415)이 구비된다. 또한, 상기 화소간영역(ABP)에 대응하여 상기 제 2 마이크로렌즈들(418)이 구비되고, 상기 화소간영역(ABP)에 대응하여 상기 제 1 마이크로렌즈들(415)이 구비될 수도 있다.
상기 제 2 마이크로 렌즈들(418) 상에는 보조 전극(AE)이 구비된다. 상기 보조 전극(AE)은, 알루미늄과 같은, 금속을 포함하고, 상기 화소간영역(ABP)에서 상기 제 2 전극(180)과 접촉하여 상기 제 2 전극(180)과 전기적으로 연결된다. 상기 보조전극(AE), 상기 제 1 및 제 2 마이크로 렌즈들(415,418)의 위치 및 기능에 대한 보다 상세한 설명은 도 3을 이용하여 설명된다.
도 3은 도 1에 도시된 I-I'을 따라 절취한 부분을 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 제 1 화소영역(PA1), 제 2 화소영역(PA2), 및 상기 제 1 및 제 2 화소영역들(PA1,PA2)의 사이영역인 화소간영역(ABP)에 대응하여 유기발광 표시장치(500)가 절취된 부분이 도시된다.
상기 화소간영역(ABP)에 대응하여 베이스기판(100)의 상부에는 제 2 절연막(120) 및 제 3 절연막(130) 사이에 데이터 라인(DL)이 위치하고, 상기 제 1 화소영역(PA1) 및 상기 제 2 화소영역(PA2) 각각에 대응하여 상기 오버코트막(140) 상에는 제 1 전극(170)이 구비된다.
또한, 대향기판(400) 위에는 마이크로 렌즈들(420)이 구비된다. 보다 상세하게는, 상기 제 1 및 제 2 화소영역들(PA1,PA2)에 대응하여 상기 대향기판(400) 위에는 제 1 마이크로 렌즈들(415)이 구비되고, 상기 화소간영역(ABP)에 대응하여 상기 대향기판(400) 위에는 제 2 마이크로 렌즈들(418)이 구비된다.
상기 제 1 마이크로 렌즈들(415) 각각은 제 1 폭(W1) 및 제 1 두께(T1)를 갖는다. 또한, 상기 제 2 마이크로 렌즈들(418) 각각은 상기 제 1 폭(W1)보다 큰 제 2 폭(W2) 및 상기 제 1 두께(T1) 보다 큰 제 2 두께(T2)를 갖는다.
보조 전극(AE)은 상기 제 2 마이크로 렌즈들(418) 상에 구비된다. 따라서, 금속을 포함하는 상기 보조 전극(AE)은 상기 제 1 및 제 2 화소영역(PA1,PA2)에 형성된 유기발광층(EL)으로부터 발생된 광을 차단하지 않는다. 상기 보조 전극(AE)은 제 2 전극(180) 측으로 볼록한 형상을 갖는 상기 제 2 마이크로 렌즈들(418)의 형상에 대응하여 요철 형상을 갖는다.
상기 보조 전극(AE)은 상기 화소간영역(ABP)에서 상기 제 2 전극(180)과 전기적으로 연결되어 상기 제 2 전극(180)의 전기저항을 감소시킨다. 따라서, 유기발광층(EL)으로부터 발생되어 상기 제 2 전극(180)을 통해 외부로 출사되는 광의 양을 향상시키기 위하여 상기 제 2 전극(180)을 얇게 형성하더라도, 상기 보조전극(AE)에 의해 상기 제 2 전극(180)의 두께가 감소하여 상기 제 2 전극(180)의 전기저항이 증가되는 것이 방지된다. 따라서, 상기 보조 전극(AE)에 의해 상기 제 2 전극(180)의 전기 전도도가 향상되어 상기 제 2 전극(180)을 통해 전류가 용이하게 흐를 수 있고, 그 결과 상기 유기발광 표시장치(500)의 표시 품질이 향상된다.
한편, 상기 제 2 마이크로렌즈들(418)은 상기 보조전극(AE)을 사이에 두고 상기 제 2 전극(180)과 접촉하므로 상기 제 2 마이크로렌즈들(418)은 표시기판(200) 및 대향기판(400) 간의 이격거리를 유지할 수 있다. 따라서, 상기 제 2 마이크로렌즈들(418)은 상기 대향기판(400)과 상기 표시기판(200)이 직접적으로 접촉하여 상기 표시기판(200) 측으로 국부적으로 전달되는 압력에 의하여 상기 유기발광 표시장치(500)의 발광 기능이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 4 내지 도 9들은 도 3에 도시된 유기발광 표시장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 도 4 내지 도 9들을 설명함에 있어서, 도 1 및 도 3에서 설명된 구성요소들에 대해서는 도면부호를 병기하고, 상기 구성요소들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 유리를 포함하며 제 3 두께(T3)를 갖는 예비기판(401)을 준비하고, 상기 예비기판(401)의 전면에 포지티브형 감광성을 갖는 감광막(150)을 형성한다. 상기 예비기판(401) 위에 상기 감광막(150)을 형성한 후에, 상기 감광막(150)의 상부에 포토마스크(300)를 배치하고, 상기 포토마스크(300)를 이용하여 상기 감광막(150)을 노광한다.
상기 포토마스크(300)는 투광부들(301), 차광부들(302), 및 반투광부들(303) 포함한다. 상기 투광부들(301)은 광을 투과하고, 상기 차광부들(302)은 광을 차단한다. 또한, 상기 반투광부들(303)은 광을 투과하지만, 상기 반투광부들(303) 각각은 상기 투광부들(301) 각각보다 낮은 광투과율을 갖는다.
상기 포토마스크(300)에서 상기 반투광부들(303)은 제 1 및 제 2 화소영역 들(PA1,PA2)에 대응하여 배열되고, 상기 반투광부들(303) 각각은 제 3 폭(W3)을 갖는다. 또한, 상기 포토마스크(300)에서 상기 차광부들(302)은 화소간영역(ABP)에 대응하여 배열되고, 상기 차광부들(302) 각각은 상기 제 3 폭(W3)보다 큰 제 4 폭(W4)을 갖는다.
상기 포토마스크(300)를 이용하여 상기 감광막(150)을 노광한 후, 상기 감광막(150)을 현상하여 상기 예비기판(401) 상에 제 1 감광막 패턴들(151A) 및 제 2 감광막 패턴들(152A)을 형성한다. 보다 상세하게는, 상기 투광부들(301)의 위치에 대응하여 상기 감광막(150)은 모두 제거되고, 상기 반투광부들(303)의 위치에 각각 일대일 대응하여 상기 제 1 감광막 패턴들(151A)이 형성되고, 상기 차광부들(302)의 위치에 각각 일대일 대응하여 상기 제 2 감광막 패턴들(152A)이 형성된다.
상기 제 1 감광막 패턴들(151A) 각각의 폭은 상기 제 2 감광막 패턴들(152A) 각각의 폭 보다 작다. 또한, 상기 제 1 감광막 패턴들(151A) 각각의 두께는 제 4 두께(T4)를 갖고, 상기 제 2 감광막 패턴들(152A) 각각의 두께는 상기 제 4 두께(T4)보다 큰 제 5 두께(T5)를 갖는다.
도 6 내지 도 8들을 참조하면, 예비기판(401) 상에 형성된 제 1 감광막 패턴들(도 5의 151A) 및 제 2 감광막 패턴들(도 5의 152A)을 열을 이용하여 리플로우시킨다. 그 결과, 상기 제 1 감광막 패턴들이 리플로우되어 제 6 두께(T6)를 갖는 제 1 돌출부들(151B)이 형성되고, 상기 제 2 감광막 패턴들이 리플로우되어 제 7 두께(T7)를 갖는 제 2 돌출부들(152B)이 형성된다. 상기 제 1 돌출부들(151B) 각각은 제 1 마이크로렌즈들(도 2의 415) 각각과 대응하는 형상을 갖고, 상기 제 2 돌출부 들(152B)들 각각은 제 2 마이크로렌즈들(도 2의 418) 각각과 대응하는 형상을 갖는다.
상기 예비기판(401) 상에 상기 제 1 및 제 2 돌출부들(151B,152B)을 형성한 후에, 상기 제 1 및 제 2 돌출부들(151B,152B)의 형상을 상기 예비기판(401)에 전사하여 제 1 및 제 2 마이크로렌즈들(415,418)을 갖는 제 2 기판(400)을 형성한다.
도 6 및 도 7을 참조하여, 상기 제 1 및 제 2 돌출부들(151B,152B)의 형상이 전사된 상기 제 2 기판(400)의 제조방법을 보다 상세히 설명한다. 식각물질(320)을 이용하여 상기 제 1 및 제 2 돌출부들(151B,152B)이 형성된 상기 예비기판(401)을 반응성 이온식각(reactive ion etching, RIE) 한다. 상기 식각물질(320)은 상기 예비기판(401)과 상기 제 1 및 제 2 돌출부들(151B,152B)을 동일한 속도로 식각시킨다. 본 발명의 실시예에서는, 상기 식각물질(320)은 산소 및 삼플루오르화 메탄(CHF3)과 혼합된 가스가 사용될 수 있다.
상기 식각물질(320)을 이용하는 상기 반응성 이온식각을 진행하는 동안에, 상기 식각물질(320)에 의해 상기 제 1 돌출부들(151B)이 식각되어 상기 제 6 두께(T6) 보다 작은 제 8 두께(T8)를 갖는 제 1 식각패턴들(151C)이 형성되고, 상기 식각물질(320)에 의해 상기 제 2 돌출부들(152B)이 식각되어 상기 제 7 두께(T7) 보다 작은 제 9 두께(T9)를 갖는 제 2 식각패턴들(152C)이 형성된다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 돌출부들(151B,151C)이 식각되면서 외부로 노출되는 상기 예비기판(401)의 면적이 증가한다. 그 결과, 외부로 노출되는 상기 예비기판(401)의 일부 분들(310)도 상기 식각물질(320)에 의해 식각된다.
편의상, 도 7에서 도시되는 상기 반응성 이온식각의 중간단계의 기판을 예비 대향기판(402)으로 정의하면, 상기 예비 대향기판(402)의 상기 제 1 및 제 2 식각패턴들(151C,152C)에 의해 커버되는 부분은 제 3 두께(T3)를 갖고, 상기 예비 대향기판(402)의 외부로 노출된 부분은 상기 제 3 두께(T3) 보다 작은 제 10 두께(T10)를 갖는다.
상기 제 1 및 제 2 식각패턴들(151C,152C)이 완전히 제거되면, 상부면에 제 1 및 제 2 마이크로렌즈들(415,418)로 이루어지는 마이크로렌즈들(420)이 형성된 대향기판(400)이 완성된다.
도 9를 참조하면, 제 2 마이크로렌즈들(418) 상에 보조전극(AE)을 형성한다. 상기 보조전극(AE)은 상기 대향기판(400) 상에, 알루미늄과 같은, 금속층(미도시)을 형성한 후, 상기 금속층이 상기 제2 마이크로렌즈들(418) 상에만 남도록 상기 금속층을 패터닝하여 형성될 수 있다.
도 3을 다시 참조하면, 상기 제 2 마이크로렌즈들(418) 상에 보조전극(AE)을 형성한 후에, 상기 화소간영역(ABP)에서 상기 보조전극(AE)이 제 2 전극(180)과 접촉하도록 표시기판(200) 및 대향기판(400)을 결합한다. 그 결과, 상기 보조전극(AE)은 상기 제 2 전극(180)과 전기적으로 연결된다.
또한, 상기 제 2 마이크로렌즈들(418)은 화소간영역(ABP)에서 상기 보조 전극(AE)을 사이에 두고 상기 제 2 전극(180)과 접촉하므로, 상기 표시기판(200) 및 상기 대향기판(400) 간의 이격거리를 유지하는 스페이서의 역할을 할 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 I-I'을 따라 절취한 부분을 나타내는 단면도이다.
도 4 내지 도 9들은 도 3에 도시된 유기발광 표시장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100 -- 베이이스기판 170 -- 제 1 전극
180 -- 제 2 전극 200 -- 표시기판
400 -- 대향기판 415 -- 제 1 마이크로렌즈들
418 -- 제 2 마이크로렌즈들 420 -- 마이크로렌즈들
500 -- 유기발광 표시장치 EL -- 유기발광층
AE -- 보조전극 ABP -- 화소간영역
PA1 -- 제 1 화소영역 TR1 -- 스위칭 트랜지스터
TR2 -- 구동 트랜지스터
Claims (15)
- 베이스기판;상기 베이스기판 상부에 구비되는 구동 트랜지스터;상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제 1 전극;상기 제 1 전극 위에 구비되어 광을 발생하는 유기발광층;상기 유기발광층 위에 구비되는 제 2 전극;상기 베이스기판과 마주하며 상기 유기발광층으로부터 발생된 광을 분산시키는 마이크로 렌즈들을 갖는 대향기판; 및상기 마이크로 렌즈들 중 적어도 하나 위에 구비되고, 상기 제 2 전극과 접촉하여 상기 제 2 전극과 전기적으로 연결되는 보조 전극을 포함하고,상기 베이스 기판은 다수의 화소 영역들을 갖고, 상기 제1 전극은 상기 다수의 화소 영역들 각각에 위치하고, 평면상에서 상기 보조 전극은 서로 인접한 화소 영역들 사이의 화소간 영역에 위치하고,상기 마이크로 렌즈들은,각각이 제1 두께를 갖는 제1 마이크로 렌즈들; 및상기 화소간 영역에 대응하여 상기 대향기판으로부터 돌출되고, 각각이 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 제2 마이크로 렌즈들을 포함하고,상기 보조 전극은 상기 제2 마이크로 렌즈들 위에 구비되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 마이크로 렌즈들 각각은 상기 제 2 전극 측으로 볼록한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
- 삭제
- 제 2 항에 있어서, 상기 보조 전극은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 유기발광층은 상기 베이스기판의 전면에 대응하여 구비되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
- 베이스기판의 상부에 구동 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 위에 유기발광층을 형성하는 단계;상기 유기발광층 위에 제 2 전극을 형성하는 단계;마이크로 렌즈들 및 보조 전극을 갖는 대향기판을 형성하는 단계; 및상기 보조 전극이 상기 제 2 전극과 접촉하도록 상기 베이스기판 및 상기 대향기판을 결합하는 단계를 포함하고,상기 베이스 기판은 다수의 화소 영역들을 갖고, 상기 제1 전극은 상기 화소 영역들 각각에 형성되고, 평면상에서 상기 보조 전극은 서로 인접한 화소 영역들 사이의 화소간 영역에 형성되고,상기 마이크로 렌즈들을 형성하는 단계는,각각이 제1 두께를 갖는 제1 마이크로 렌즈들을 형성하는 단계; 및상기 화소간 영역에 대응하여 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 제2 마이크로 렌즈들을 형성하는 단계를 포함하고,상기 보조 전극은 상기 제2 마이크로 렌즈들 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 베이스기판 및 상기 대향기판을 결합한 후에, 상기 마이크로 렌즈들 각각은 상기 제 2 전극 측으로 볼록한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.
- 삭제
- 제 8 항에 있어서, 상기 보조 전극은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 대향기판을 형성하는 단계는,예비기판 상에 감광막을 형성하는 단계;상기 감광막을 패터닝하여 감광막 패턴들을 형성하는 단계;열을 이용하여 상기 감광막 패턴들을 리플로우시켜 상기 마이크로 렌즈들과 일대일 대응하는 형상을 갖는 돌출부들을 형성하는 단계;상기 예비기판을 식각하여 상기 돌출부들의 형상을 상기 예비기판에 전사하여 상기 예비기판 상에 상기 마이크로 렌즈들을 형성하는 단계;상기 마이크로 렌즈들 상에 도전막을 형성하는 단계; 및상기 도전막을 패터닝하여 상기 보조전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 예비기판은 상기 예비기판 및 상기 돌출부들을 동일한 속도로 식각하는 식각물질을 이용하여 식각되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 감광막 패턴들을 형성하는 단계는,상기 감광막을 슬릿마스크 또는 하프톤 마스크를 이용하여 노광하는 단계; 및상기 노광된 감광막을 현상하여 상기 다수의 화소 영역들 각각에 제1 감광막 패턴들을 형성하고, 상기 화소간 영역에 제2 감광막 패턴들을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 감광막 패턴들 각각의 두께는 상기 제1 감광막 패턴들 각각의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 유기발광층은 상기 베이스기판의 전면에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 마이크로 렌즈들은 상기 유기발광층으로부터 발생되어 상기 대향기판을 투과하여 외부로 출사되는 광을 분산시키는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080089985A KR101532056B1 (ko) | 2008-09-11 | 2008-09-11 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| US12/415,161 US8008855B2 (en) | 2008-09-11 | 2009-03-31 | Organic light emitting display with micro-lenses and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080089985A KR101532056B1 (ko) | 2008-09-11 | 2008-09-11 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100030982A KR20100030982A (ko) | 2010-03-19 |
| KR101532056B1 true KR101532056B1 (ko) | 2015-06-30 |
Family
ID=41798639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080089985A KR101532056B1 (ko) | 2008-09-11 | 2008-09-11 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8008855B2 (ko) |
| KR (1) | KR101532056B1 (ko) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013008663A (ja) * | 2011-05-24 | 2013-01-10 | Canon Inc | 表示装置 |
| KR101758763B1 (ko) | 2011-07-25 | 2017-07-18 | 한국전자통신연구원 | 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 |
| KR101863271B1 (ko) * | 2011-09-09 | 2018-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20140067527A (ko) | 2012-11-26 | 2014-06-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR101990321B1 (ko) * | 2012-12-04 | 2019-06-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR20140117206A (ko) * | 2013-03-26 | 2014-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
| KR102166502B1 (ko) * | 2014-09-16 | 2020-10-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102335812B1 (ko) | 2014-09-19 | 2021-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| KR102425836B1 (ko) * | 2015-03-24 | 2022-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102320691B1 (ko) * | 2015-08-21 | 2021-11-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 패널 및 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 |
| CN114729740B (zh) * | 2019-11-22 | 2024-09-17 | 索尼集团公司 | 发光元件、显示设备和表面发射设备 |
| KR20220077307A (ko) | 2020-12-01 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006318776A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4239499B2 (ja) | 2002-07-12 | 2009-03-18 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた画像形成装置、携帯端末、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| KR100522027B1 (ko) | 2003-11-03 | 2005-10-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반투과형 액정표시장치 |
| WO2006022273A2 (ja) | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Tohoku Device Co Ltd | 有機ｅｌ素子と、有機ｅｌ素子の保護膜及びその製法 |
| JP4367346B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2009-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| KR100712291B1 (ko) | 2005-04-27 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| JP4752341B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2011-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| TWI329767B (en) * | 2005-10-17 | 2010-09-01 | Chiang Hsin Chun | A display apparatus with a self-luminescing device and a non self-luminescing device |
| EP1830421A3 (en) * | 2006-03-03 | 2012-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, manufacturing method of light emitting device, and sheet-like sealing material |
-
2008
- 2008-09-11 KR KR1020080089985A patent/KR101532056B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-03-31 US US12/415,161 patent/US8008855B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006318776A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20100030982A (ko) | 2010-03-19 |
| US20100060149A1 (en) | 2010-03-11 |
| US8008855B2 (en) | 2011-08-30 |
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
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