[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR101501012B1 - High-power laser diode module and fabricating method thereof - Google Patents

High-power laser diode module and fabricating method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR101501012B1
KR101501012B1 KR20130165458A KR20130165458A KR101501012B1 KR 101501012 B1 KR101501012 B1 KR 101501012B1 KR 20130165458 A KR20130165458 A KR 20130165458A KR 20130165458 A KR20130165458 A KR 20130165458A KR 101501012 B1 KR101501012 B1 KR 101501012B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser diode
diode chip
electrode
solder layer
heat sink
Prior art date
Application number
KR20130165458A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
임정운
한수욱
김정호
임주영
김윤현
임영은
박종복
Original Assignee
한국광기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국광기술원 filed Critical 한국광기술원
Priority to KR20130165458A priority Critical patent/KR101501012B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101501012B1 publication Critical patent/KR101501012B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0207—Substrates having a special shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Disclosed are a high-power laser diode module and a manufacturing method thereof. The method according to the present invention includes the steps of: depositing a first solder layer on the upper side of a heat sink for heat dissipation; attaching a first lead and a second lead for supplying electricity; bonding a first laser diode chip on the upper side of the first solder layer to face a first electrode of the first laser diode chip; and bonding a second laser diode chip on the upper side of a second solder layer to face a second electrode of the second laser diode chip after the second solder layer is deposited on the upper side of a second electrode of the first laser diode chip.

Description

고출력 레이저 다이오드 모듈 및 그 제조방법{HIGH-POWER LASER DIODE MODULE AND FABRICATING METHOD THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a high-power laser diode module,

본 발명은 고출력 레이저 다이오드 모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a high power laser diode module and a manufacturing method thereof.

일반적으로, 레이저 다이오드는, 순방향 반도체 접합을 능동매질로 사용하여 레이저를 발생시키는 다이오드로서, n-클래드층, 활성층 및 p-클래드층의 접합구조이다. 도 1은 종래의 레이저 다이오드를 개략적으로 설명하기 위한 구성도이다.Generally, a laser diode is a diode for generating a laser by using a forward semiconductor junction as an active medium, and is a junction structure of an n-clad layer, an active layer and a p-clad layer. 1 is a schematic diagram for explaining a conventional laser diode.

도 1과 같이 구성되는 레이저 다이오드에서, 상부의 n-전극(120)과 하부의 p-전극(130)을 통해 전류를 인가하면, 활성층(110)에서 레이저 빔이 방출된다.1, when a current is applied through the upper n-electrode 120 and the lower p-electrode 130, the laser beam is emitted from the active layer 110.

종래에는, 레이저 다이오드의 출력을 높이기 위해, 광출력이 높은 단일 칩을 패키징하거나 또는 어레이 구조의 칩을 본딩하여 패키징하는 방법을 사용하였다. Conventionally, a method of packaging a single chip having a high optical output, or bonding a chip of an array structure by bonding has been used to increase the output of the laser diode.

그러나, 단일 칩에 의해서는 출력을 높이는데 한계가 있으며, 어레이 구조를 사용하는 경우에는 복수의 레이저 다이오드에서 발생한 레이저 빔을 하나의 공간으로 모이기 위해 광학적 렌즈를 사용하여야 하므로, 크기가 커지는 문제점이 있다.
However, there is a limitation in heightening the output by a single chip. In the case of using an array structure, an optical lens must be used to collect the laser beams generated from a plurality of laser diodes into one space, .

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 두개의 레이저 다이오드의 동일 극성 전극이 전기적으로 연결되게 서로 마주보도록 접합하여, 단일 파장의 레이저를 발생하도록 하는 고출력 레이저 다이오드 모듈 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a high-power laser diode module and a method of manufacturing the same, wherein the same polarity electrodes of two laser diodes are electrically connected to each other to face each other so as to generate a single wavelength laser.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일실시예의 고출력 레이저 다이오드 모듈은, 방열을 위한 히트싱크; 상기 히트싱크 상부에 접합되는 제1레이저 다이오드 칩; 상기 제1레이저 다이오드 칩의 상부에 접합되는 제2레이저 다이오드 칩을 포함하고, 상기 제1레이저 다이오드 칩의 제1전극과 극성이 동일한 상기 제2레이저 다이오드의 제1전극이 서로 마주보도록 접합될 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a high power laser diode module including: a heat sink for heat dissipation; A first laser diode chip bonded to an upper portion of the heat sink; And a second laser diode chip bonded to an upper portion of the first laser diode chip, wherein the first electrodes of the second laser diode having the same polarity as the first electrode of the first laser diode chip can be joined to face each other have.

본 발명의 일실시예에서, 상기 제1레이저 다이오드 칩과 상기 히트싱크는 솔더본딩되고, 상기 제1 및 제2레이저 다이오드 칩은 솔더본딩될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first laser diode chip and the heat sink are solder-bonded, and the first and second laser diode chips may be solder-bonded.

본 발명의 일실시예에서, 상기 제2레이저 다이오드 칩은, 그 길이가 상기 제1레이저 다이오드 칩과 동일하고, 그 넓이는 상기 제1레이저 다이오드 칩보다 좁을 수 있다.In one embodiment of the present invention, the length of the second laser diode chip is the same as that of the first laser diode chip, and the width of the second laser diode chip may be narrower than that of the first laser diode chip.

본 발명의 일실시예에서, 상기 히트싱크는, 구리-텅스텐(CuW)으로 구성될 수 있다.
In one embodiment of the present invention, the heat sink may be composed of copper-tungsten (CuW).

또한, 상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일실시예의 고출력 레이저 다이오드 모듈의 제조방법은, 방열을 위한 히트싱크의 상부에 제1솔더층을 증착하고, 전기공급을 위한 제1 및 제2리드를 부착하는 단계; 상기 제1솔더층 상부에 제1레이저 다이오드 칩의 제1전극이 향하도록 상기 제1레이저 다이오드 칩을 접합하는 단계; 상기 제1레이저 다이오드 칩의 제2전극의 상부에 제2솔더층을 증착하는 단계; 및 상기 제2솔더층 상부에 제2레이저 다이오드 칩의 제2전극이 향하도록 상기 제2레이저 다이오드 칩을 접합하는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a high-power laser diode module including depositing a first solder layer on a heat sink for heat dissipation, Attaching a second lead; Bonding the first laser diode chip so that the first electrode of the first laser diode chip faces the first solder layer; Depositing a second solder layer on top of the second electrode of the first laser diode chip; And bonding the second laser diode chip such that the second electrode of the second laser diode chip faces the second solder layer.

본 발명의 일실시예의 고출력 레이저 다이오드 모듈의 제조방법은, 상기 제1레이저 다이오드 칩의 제2전극과 상기 제1리드, 및 상기 제2레이저 다이오드 칩의 제1전극과 상기 제2리드를 와이어를 이용하여 연결하는 단계를 더 포함할 수 있다.A method of manufacturing a high power laser diode module according to an embodiment of the present invention includes the steps of forming a first electrode on the first laser diode chip and the first lead and a first electrode of the second laser diode chip on the second lead, And a step of connecting using the above-mentioned method.

본 발명의 일실시예에서, 상기 제2레이저 다이오드 칩은, 그 길이가 상기 제1레이저 다이오드 칩과 동일하고, 그 넓이는 상기 제1레이저 다이오드 칩보다 좁을 수 있다.In one embodiment of the present invention, the length of the second laser diode chip is the same as that of the first laser diode chip, and the width of the second laser diode chip may be narrower than that of the first laser diode chip.

본 발명의 일실시예에서, 상기 제2레이저 다이오드 칩의 제1전극과 상기 제1레이저 다이오드 칩의 제1전극은 그 극성이 동일할 수 있다.
In one embodiment of the present invention, the first electrode of the second laser diode chip and the first electrode of the first laser diode chip may have the same polarity.

상기와 같은 본 발명은, 제작이 간단하면서도 열적 및 전기적으로 안정되고 신뢰성있는 단일 파장의 고출력 레이저 다이오드 모듈을 제조가능하게 하는 효과가 있다.
The present invention has the effect of making it possible to fabricate a high power laser diode module having a simple wavelength and stable and thermally and electrically with a single wavelength.

도 1은 종래의 레이저 다이오드를 개략적으로 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예의 고출력 레이저 다이오드 모듈의 개략적인 구성도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 고출력 레이저 다이오드 모듈의 제조방법을 개략적으로 설명하기 위한 구성도이다.
도 4는 본 발명의 고출력 레이저 다이오드 모듈을 개략적으로 설명하기 위한 구성도이다.1 is a schematic diagram for explaining a conventional laser diode.
2 is a schematic configuration diagram of a high power laser diode module according to an embodiment of the present invention.
3A to 3D are schematic views for explaining a method of manufacturing the high power laser diode module of the present invention.
4 is a schematic diagram for explaining the high power laser diode module of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예의 고출력 레이저 다이오드 모듈의 개략적인 구성도이며, 도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 고출력 레이저 다이오드 모듈의 제조방법을 개략적으로 설명하기 위한 구성도이다. FIG. 2 is a schematic diagram of a high-power laser diode module according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3A to 3E are schematic diagrams for explaining a method of manufacturing the high-power laser diode module of the present invention.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 고출력 레이저 다이오드 모듈은, 히트싱크(10), 제1 및 제2리드(lead)(20, 30), 제1솔더층(40), 제1레이저 다이오드 칩(40), 제2솔더층(60), 제2레이저 다이오드 칩(70) 및 와이어(80, 90)를 포함할 수 있다.The high power laser diode module of the present invention includes a heat sink 10, first and second leads 20 and 30, a first solder layer 40, a first laser diode chip A first solder layer 40, a second solder layer 60, a second laser diode chip 70, and wires 80 and 90.

우선, 도 3a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 고출력 레이저 다이오드 모듈의 제조를 위해, 히트싱크(10) 상에 전기공급용 리드(20, 30)가 부착되며, 그 상부에 제1레이저 다이오드 칩(50)의 부착을 위한 제1솔더층(40)이 증착될 수 있다.3A, in order to manufacture the high power laser diode module of the present invention, electrical supply leads 20 and 30 are attached on a heat sink 10, and a first laser diode chip A first solder layer 40 may be deposited for attachment of the first solder layer 50.

일반적으로 고출력 레이저 다이오드의 경우, 공급된 전류의 약 50% 정도만이 빛으로 발산되고, 그 이외의 50%는 열로 발산되기 때문에 매우 높은 열이 발생된다. 이러한 특성상 레이저 다이오드 칩을 적절히 방열하지 않으면, 심각한 열적 스트레스가 가해져, 레이저 다이오드 칩의 신뢰성에 문제가 발생하므로, 고출력 레이저 다이오드 칩에서는 방열이 가장 큰 문제이다.Generally, in the case of a high-power laser diode, only about 50% of the supplied current is emitted to the light, and the other 50% is emitted to the heat, so that very high heat is generated. If the laser diode chip is not properly heat-dissipated due to such characteristics, serious thermal stress is applied to the laser diode chip, which causes a problem in the reliability of the laser diode chip. Therefore, heat dissipation is the biggest problem in the high-output laser diode chip.

따라서, 본 발명의 레이저 다이오드 모듈에는 히트싱크(10)가 제공된다. 본 발명의 히트싱크(10)는, 구리(Cu), 텅스텐-구리(CuW), 다이아몬드, 질화 알루미늄(AlN) 등으로 구성될 수 있으며, 더욱 바람직하게는, CuW으로 구성될 수 있다. CuW는 칩의 물질과 열팽창계수가 비슷하여, 고출력 레이저 다이오드에 기계적인 스트레스를 덜 가하기 때문이다.Therefore, the laser diode module of the present invention is provided with the heat sink 10. The heat sink 10 of the present invention may be composed of copper (Cu), tungsten-copper (CuW), diamond, aluminum nitride (AlN) or the like, and more preferably CuW. CuW is similar in thermal expansion coefficient to that of the material of the chip, which reduces the mechanical stress on the high power laser diode.

히트싱크(10)의 상부에는, 칩을 접합하기 위한 제1솔더층(40)이 증착될 수 있다. 또한, 히트싱크(10)의 상부에는, 각각 (-)극 및 (+)극의 전기공급을 위한 제1 및 제2리드(20, 30)가 접합될 수 있다.On top of the heat sink 10, a first solder layer 40 for bonding chips may be deposited. The first and second leads 20 and 30 for supplying electricity to the negative (-) and negative (+) poles, respectively, may be joined to the top of the heat sink 10.

이후, 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1레이저 다이오드 칩(50)을 제1솔더층(40)에 본딩하여 접착한다. 이때, 제1레이저 다이오드 칩(50)은, n-클래드층, 활성층 및 p-클래드층을 포함하며, 그 일면에 n-전극(51)이, 타면에는 p-전극(52)이 형성될 수 있다. 본 발명의 제조방법에서는, 제1레이저 다이오드 칩(50)의 n-전극(51)을 제1솔더층(40)에 접합할 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 3B, the first laser diode chip 50 is bonded to the first solder layer 40 and adhered thereto. At this time, the first laser diode chip 50 includes an n-cladding layer, an active layer, and a p-cladding layer, and an n-electrode 51 may be formed on one surface thereof and a p- have. In the manufacturing method of the present invention, the n-electrode 51 of the first laser diode chip 50 can be bonded to the first solder layer 40.

이후, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제1레이저 다이오드 칩(50)의 p-전극(52)의 상면에 제2솔더층(60)을 증착할 수 있다.Then, as shown in FIG. 3C, a second solder layer 60 may be deposited on the upper surface of the p-electrode 52 of the first laser diode chip 50.

제1 및 제2솔더층(40, 60)은 금-주석(AuSn)으로 구성될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 물질로 구성될 수 있을 것이다.The first and second solder layers 40 and 60 may be made of gold-tin (AuSn), but the present invention is not limited thereto and may be made of various materials.

이후, 도 3d에 도시된 바와 같이, 제2레이저 다이오드 칩(70)을 제2솔더층(60)의 상부에 접합한다. 이때, 제2레이저 다이오드 칩(70)의 p-전극(72)이 제2솔더층(60)과 접합하도록 배치할 수 있다. 즉, 이와 같은 배치에 의해, 제1레이저 다이오드 칩(50)의 p-전극(52)과 제2레이저 다이오드 칩(70)의 p-전극(72)이 접합되도록 배치될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 제1레이저 다이오드 칩(50)의 p-전극(52)이 제1솔더층(40)과 접합하고, 제2레이저 다이오드 칩(70)의 n-전극(71)이 제2솔더층(60)과 접합하도록 배치되어, 제1레이저 다이오드 칩(50)과 제2레이저 다이오드 칩(70)의 n-전극(51, 71)이 접합되도록 배치될 수도 있을 것이다.Then, as shown in FIG. 3D, the second laser diode chip 70 is bonded to the upper portion of the second solder layer 60. At this time, the p-electrode 72 of the second laser diode chip 70 may be arranged to be bonded to the second solder layer 60. That is, by such arrangement, the p-electrode 52 of the first laser diode chip 50 and the p-electrode 72 of the second laser diode chip 70 can be bonded. The p-electrode 52 of the first laser diode chip 50 is bonded to the first solder layer 40 and the n-electrode 71 of the second laser diode chip 70 is connected to the first solder layer 40. However, The first laser diode chip 50 and the n-electrodes 51 and 71 of the second laser diode chip 70 may be arranged so as to be joined to the second solder layer 60 and bonded to each other.

이러한 구조에 의하면, 두개의 칩(50, 70)이 스택구조로 접합되므로, 단일 파장의 광출력이 두배로 확장될 수 있다.According to this structure, since the two chips 50 and 70 are bonded in a stacked structure, the light output of a single wavelength can be doubled.

이때 제2레이저 다이오드 칩(70)의 길이는 제1레이저 다이오드 칩(50)의 길이와 동일할 수 있고, 제2레이저 다이오드 칩(70)의 넓이는 제1레이저 다이오드 칩(50)의 넓이보다 좁을 수 있다. The length of the second laser diode chip 70 may be equal to the length of the first laser diode chip 50 and the width of the second laser diode chip 70 may be less than the width of the first laser diode chip 50. [ It can be narrow.

마지막으로, 도 3e에 도시된 바와 같이, 제1레이저 다이오드 칩(50)의 상면인 p-전극(52)과 (+) 전극인 제2리드(30)를 복수의 제2와이어(90)를 이용하여 연결하고, 제2레이저 다이오드 칩(70)의 상면인 n-전극(71)과 (-) 전극인 제1리드(20)를 복수의 제1와이어(80)와 연결할 수 있다. 이때 와이어(80, 90)는, 금(Au)으로 구성될 수 있다.
3E, the p-electrode 52, which is the upper surface of the first laser diode chip 50, and the second lead 30, which is the (+) electrode, are connected to the plurality of second wires 90 And the first lead 20 which is the (-) electrode can be connected to the first wires 80 through the n-electrode 71 and the upper surface of the second laser diode chip 70. At this time, the wires 80 and 90 may be made of gold (Au).

도 4는 본 발명의 고출력 레이저 다이오드 모듈을 개략적으로 설명하기 위한 구성도이다.4 is a schematic diagram for explaining the high power laser diode module of the present invention.

본 발명의 고출력 레이저 다이오드는, 두개의 레이저 다이오드 칩(50, 70)을 본딩하며, 이때, 제1레이저 다이오드 칩(50)의 p-전극(52)과 제2레이저 다이오드 칩(70)의 p-전극(72)을 서로 마주보도록 배치하여 솔더를 이용하여 본딩하는 것이다.The high-power laser diode of the present invention bonds two laser diode chips 50 and 70. The p-electrode 52 of the first laser diode chip 50 and the p-electrode 52 of the second laser diode chip 70 -Electrodes 72 are arranged to face each other and bonded using solder.

이와 같은 구성에 의해 제1 및 제2레이저 다이오드 칩(50, 70)이 스택구조를 이루게 되며, 동일한 극성을 가지는 전극이 전기적으로 연결되도록 접합함으로써, 단일 파장의 레이저를 발생하도록 한다.According to this configuration, the first and second laser diode chips 50 and 70 have a stacked structure, and electrodes having the same polarity are electrically connected to each other, thereby generating a single wavelength laser.

이와 같은 구성에 의해, 제작이 간단하면서도 열적 및 전기적으로 안정되고 신뢰성있는 단일 파장의 고출력 레이저 다이오드 모듈을 제조할 수 있다.
With this configuration, it is possible to manufacture a high power laser diode module with a single wavelength that is simple to manufacture, and is thermally and electrically stable and reliable.

이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the following claims.

10: 히트싱크 20, 30: 리드
40, 60: 솔더층 50, 70: 레이저 다이오드 칩
80, 90: 와이어10: Heatsink 20, 30: Lead
40, 60: solder layer 50, 70: laser diode chip
80, 90: wire

Claims (8)

방열을 위한 히트싱크;
상기 히트싱크 상면에 제1전극이 접합되어, 상면에 상기 제1전극과 극성이 반대인 제2전극이 배치되는 제1레이저 다이오드 칩;
상기 제1레이저 다이오드 칩의 넓이보다 좁으며, 상기 제1레이저 다이오드 칩의 상면에 상기 제2전극과 극성이 동일한 제2전극이 직접 접합되고, 상면에 상기 제2전극과 극성이 반대인 제1전극이 배치되는 제2레이저 다이오드 칩;
상기 히트싱크의 상면에 배치되며, 상기 제2레이저 다이오드 칩이 배치되지 않은 영역에 노출되는 상기 제1레이저 다이오드 칩의 제2전극에 복수의 와이어를 통해 전류를 제공하는 제1리드전극; 및
상기 히트싱크의 상면에, 상기 제1 및 제2레이저 다이오드 칩을 중심으로 상기 제1리드전극과 대향하게 배치되며, 상기 제2레이저 다이오드 칩의 제1전극에 복수의 와이어를 통해 전류를 제공하는 제2리드전극을 포함하는 고출력 레이저 다이오드 모듈.
A heat sink for heat dissipation;
A first laser diode chip in which a first electrode is bonded to an upper surface of the heat sink and a second electrode having an opposite polarity to the first electrode is disposed on an upper surface thereof;
A second electrode having a polarity opposite to that of the second electrode is directly bonded to an upper surface of the first laser diode chip, and a second electrode having a first polarity opposite to the polarity of the second electrode, A second laser diode chip in which an electrode is disposed;
A first lead electrode disposed on an upper surface of the heat sink and providing current to a second electrode of the first laser diode chip exposed in an area where the second laser diode chip is not disposed through a plurality of wires; And
And a second electrode disposed on the upper surface of the heat sink and facing the first lead electrode around the first and second laser diode chips, And a second lead electrode.
제1항에 있어서, 상기 제1레이저 다이오드 칩과 상기 히트싱크는 솔더본딩되고, 상기 제1 및 제2레이저 다이오드 칩은 솔더본딩되는 고출력 레이저 다이오드 모듈.
The high power laser diode module according to claim 1, wherein the first laser diode chip and the heat sink are solder-bonded, and the first and second laser diode chips are solder-bonded.
제1항에 있어서, 상기 제2레이저 다이오드 칩은,
그 길이가 상기 제1레이저 다이오드 칩과 동일한 고출력 레이저 다이오드 모듈.
The laser diode chip according to claim 1,
And the length of the laser diode module is the same as that of the first laser diode chip.
제1항에 있어서, 상기 히트싱크는,
구리-텅스텐(CuW)으로 구성되는 고출력 레이저 다이오드 모듈.
The heat sink according to claim 1,
High power laser diode module consisting of copper-tungsten (CuW).
방열을 위한 히트싱크의 상부에 제1솔더층을 증착하고, 상기 제1솔더층을 중심으로 대향하도록, 전기공급을 위한 제1 및 제2리드전극을 부착하는 단계;
상기 제1솔더층 상부에 제1레이저 다이오드 칩의 제1전극이 향하도록 상기 제1레이저 다이오드 칩을 접합하는 단계;
상기 제1레이저 다이오드 칩의 제2전극의 상부에 제2솔더층을 증착하는 단계; 및
상기 제2솔더층 상부에 상기 제1레이저 다이오드 칩의 제2전극과 극성이 동일한 제2레이저 다이오드 칩의 제2전극이 향하도록, 상기 제1레이저 다이오드 칩의 넓이보다 좁은 상기 제2레이저 다이오드 칩을 접합하는 단계; 및
상기 제2레이저 다이오드 칩이 배치되지 않은 영역에 노출되는 상기 제1레이저 다이오드 칩의 제2전극과 상기 제1리드전극을 복수의 와이어를 통해 연결하고, 상기 제2레이저 다이오드 칩의 제1전극과 상기 제2리드전극을 복수의 와이어를 이용하여 연결하는 단계를 포함하는 고출력 레이저 다이오드 모듈의 제조방법.
Depositing a first solder layer on top of a heat sink for heat dissipation and attaching first and second lead electrodes for electrical supply so as to face the first solder layer;
Bonding the first laser diode chip so that the first electrode of the first laser diode chip faces the first solder layer;
Depositing a second solder layer on top of the second electrode of the first laser diode chip; And
And a second electrode of the second laser diode chip having the same polarity as that of the second electrode of the first laser diode chip is directed to the upper portion of the second solder layer, ; And
A second electrode of the first laser diode chip exposed in a region where the second laser diode chip is not disposed is connected to the first lead electrode through a plurality of wires, and the first electrode of the second laser diode chip, And connecting the second lead electrodes using a plurality of wires.
삭제delete 제5항에 있어서, 상기 제2레이저 다이오드 칩은,
그 길이가 상기 제1레이저 다이오드 칩과 동일한 고출력 레이저 다이오드 모듈의 제조방법.6. The laser diode chip according to claim 5,
And the length of the first laser diode chip is the same as that of the first laser diode chip. 삭제delete
KR20130165458A 2013-12-27 2013-12-27 High-power laser diode module and fabricating method thereof KR101501012B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130165458A KR101501012B1 (en) 2013-12-27 2013-12-27 High-power laser diode module and fabricating method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130165458A KR101501012B1 (en) 2013-12-27 2013-12-27 High-power laser diode module and fabricating method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101501012B1 true KR101501012B1 (en) 2015-03-10

Family

ID=53027053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130165458A KR101501012B1 (en) 2013-12-27 2013-12-27 High-power laser diode module and fabricating method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101501012B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5644586A (en) * 1994-09-16 1997-07-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device
KR20030073208A (en) * 2002-03-09 2003-09-19 주식회사 엘지이아이 Semiconductor laser diode array packaged on heat sink
KR20100047527A (en) * 2008-10-29 2010-05-10 (주)레이저웨이브전자 Stacked semiconductor laser diode array

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5644586A (en) * 1994-09-16 1997-07-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device
KR20030073208A (en) * 2002-03-09 2003-09-19 주식회사 엘지이아이 Semiconductor laser diode array packaged on heat sink
KR20100047527A (en) * 2008-10-29 2010-05-10 (주)레이저웨이브전자 Stacked semiconductor laser diode array

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8619825B2 (en) Light-emitting device having a thermal conductive member with wiring function and method of manufacturing the same
KR100631521B1 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
US8537873B2 (en) High power surface mount technology package for side emitting laser diode
US8031751B2 (en) Nitride semiconductor laser device
US20120033702A1 (en) Semiconductor laser apparatus
US20170070028A1 (en) Laser Light Modules
KR20180011024A (en) Laser component
US20110128987A1 (en) High-power semiconductor laser and method for manufacturing the same
JPWO2013150715A1 (en) Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
JP2015513229A (en) Laser diode device
US20080191365A1 (en) Optical semiconductor device
US8138663B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
US10748836B2 (en) Semiconductor laser module and method for manufacturing the same
US6870866B2 (en) Powerpack laser diode assemblies
JPH10308560A (en) Semiconductor light emitting element and light emitting device
JP2019062033A (en) Semiconductor laser device
JP6431617B2 (en) Laser light source module
JP2003198051A (en) Semiconductor laser device and module thereof
JP4573882B2 (en) Semiconductor laser device
KR101501012B1 (en) High-power laser diode module and fabricating method thereof
US20030231674A1 (en) Laser diode
KR101789175B1 (en) Laser diode bar module for excellent heat dissipation
JP2630206B2 (en) High power pulse laser diode module
US20060138444A1 (en) Flip-chip bonding structure of light-emitting element using metal column
KR101327243B1 (en) P-type sub-mount for individual driving of bar shape laser diode array and semiconductor package comprising the same

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee