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KR101496398B1 - 리소그래피 시스템, 클램핑 방법 및 웨이퍼 테이블 - Google Patents

리소그래피 시스템, 클램핑 방법 및 웨이퍼 테이블 Download PDF

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KR101496398B1
KR101496398B1 KR1020107003385A KR20107003385A KR101496398B1 KR 101496398 B1 KR101496398 B1 KR 101496398B1 KR 1020107003385 A KR1020107003385 A KR 1020107003385A KR 20107003385 A KR20107003385 A KR 20107003385A KR 101496398 B1 KR101496398 B1 KR 101496398B1
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피터 크루이트
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마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
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Abstract

본 발명은 예를 들어 웨이퍼와 같은 타겟(1) 상에 이미지 또는 이미지 패턴을 투사하기 위한 리소그래피 시스템에 관한 것이고, 상기 타겟은 타겟 테이블(2)에 의해 상기 시스템 내에 포함되고, 상기 테이블 상에 상기 타겟을 클램핑하기 위한 클램핑 수단이 제공된다. 상기 클램핑 수단은 타겟(1) 및 타겟 테이블(2)의 각각의 접촉면(A, B)의 재료 및 액체(C)의 재료가 제공되면 압력 강하(ΔPcap)가 발생하는 타겟과 타겟 테이블 사이의 이러한 두께에 포함된 고정 액체(3)의 층을 포함한다.

Description

리소그래피 시스템, 클램핑 방법 및 웨이퍼 테이블{LITHOGRAPHY SYSTEM, METHOD OF CLAMPING AND WAFER TABLE}
본 발명은 웨이퍼와 같은 타겟 표면 상에 이미지 패턴을 투사(projecting)하기 위한 리소그래피 시스템에 관한 것이다.
이러한 시스템은 예를 들어 WO 2004038509호로부터 일반적으로 알려져 있다. 위 출원의 시스템에 의해 제시된 예에서, 패터닝될 타겟은 이온 및 전자와 같은 하전된 입자 또는 광자의 입사를 받게 된다. 타겟의 고정밀 패터닝을 실현하기 위해, 적어도 상기 타겟의 위치 측정이 타겟 테이블을 거쳐 수행되는 경우에, 이 타겟은 타겟 테이블에 견고하게 접합되거나 접속되어야 하고, 이 타겟 테이블에 의해 타겟이 입사 소스에 대해 이동된다. 이러한 이동은 적어도 주 입사 방향에 대해 본질적으로 횡단 방향에서 수행된다. 예를 들어 타겟은, 처리될 위치에 대해 그리고 처리 위치로 타겟을 삽입하고 처리 위치로부터 타겟을 제거하는 동안 타겟을 취급하는 도중에 상기 테이블에 대해 적소에 남아 있는 것이 또한 바람직하고, 타겟과 테이블의 상대 위치가 최종 취급부로서 측정될 수 있다. 더욱이, 이러한 요구는 삽입 및 제거가 진공 환경으로 그리고 진공 환경으로부터 수행되는 경우에 유효하게 지속될 것이다. 예를 들어 전기 화학적 클램핑을 통해 상기 요구에 부합하기 위한 다양한 해결책이 존재한다.
타겟, 통상적으로 웨이퍼가 현대식 리소그래피 시스템 내에서 처리되는 위치는, 여기서 대안적으로 타겟에 대한 기준으로서 나타내는, 통상적으로는 척 또는 웨이퍼 테이블과 같은 타겟 지탱 수단이다. 이러한 기준, 즉 지탱 수단은, 타겟의 리소그래피 노광(lithography exposure) 중에 위치설정의 최소화 및/또는 초점 에러를 지원하기 위해 궁극적으로 평탄하게 성형된다. 이로 인해, 특히 그 내부의 굽힘 및 왜곡의 발생을 배제하고/배제하거나 방지하기 위해, 타겟은 적어도 노광 중에 그 상부의 힘의 인가에 의해 기준에 밀접하게 접촉하여 유지된다. 이 방식으로, 타겟은 또한, 타겟이 포함되는 리소그래피 시스템의 초점 깊이 내에 최적으로 유지된다. 통상적으로, 상기 힘은 상기 타겟 상에 작용하는 정전 수단 및/또는 진공 수단에 의해 발생되는 견인력으로서 실현된다.
그러나, 이러한 해결책은 테이블과 함께 튜브, 케이블 및/또는 배선을 지탱하여, 리소그래피 시스템의 투사 수단에 대해 상기 테이블에 요구되는 고도로 정교한 위치설정의 복잡성을 증가시키는 단점을 가질 수 있다. 이 단점은 또한 타겟이 타겟 테이블과 일체로 취출 및 취입되어 케이블링, 배선 및/또는 도관 상에 이후에 수행될 커플링(coupling) 작용 및 디커플링(decoupling) 작용을 제공하는 시스템에서 나타난다.
타겟을 패터닝하기 위한 리소그래피 시스템에 대한 또 다른 중요한 요구는, 기준에 대해 타겟을 견인함으로써 이루어지는 그 평탄성의 실현, 즉 웨이퍼 굽힘 및 왜곡의 상쇄에 대한 요구를 포함한다. 이 기능을 수행하기 위한 수단은 일반적으로 노광 필드 내에서 상기 테이블 상의 적소에 타겟을 유지하는 기능을 수행하기 위한 수단과 동일하거나 이로써 한정된다.
상기 타겟을 적소에 유지하고/유지하거나 타겟을 평탄한 기준에 견인하기 위한 수단은, 상기 웨이퍼를 평탄화하기 위해 포함되는 것으로서 시스템의 투사 시스템의 에너지 부하에 기인하여 열 팽창 및 수축에 의해 로딩될 수 있다.
따라서, 공지된 리소그래피 시스템에 대한 다른 요구는 실제로 상기 타겟으로부터 시스템의 열 소산 부분을 향해 열을 전도하기 위해 타겟과 타겟 테이블 사이의 열 전도를 실현하는 것이다. 이러한 신속한 열의 전도 및 소산은 타겟의 열 팽창 또는 수축에 의한 위치설정 왜곡을 제한한다. 이러한 위치설정 왜곡의 제한은, 예를 들어 시간당 웨이퍼의 견지에서 높은 처리량을 실현하기 위한 것을 추구하며, 일반적으로 열로 변환되지만 해소되지 않는 경우에 상기 위치설정 왜곡을 발생시킬 수 있는 비교적 높은 에너지 부하가 타겟에 가해지는 현대식 리소그래피 시스템에 있어 특히 중요하다.
열 소산이 열 소산 수단에 의해 처리될 수 있는 경우에, 상기 열 소산 수단을 향한, 상기 타겟에 유도된 열의 운반은 여전히 열 소산에 대한 임의의 해결책에서의 제한 팩터일 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 목적은 사용 시에 실용적으로 유지되고 타겟을 지탱하는 테이블 또는 척의 위치설정 기능을 완전히는 아니더라도 최대한 왜곡하지 않으면서 열 전도의 문제점을 최적으로 처리하는 클램핑 방법 및 클램핑 수단을 실현하는 것이다.
일반적으로 척 상의 웨이퍼와 같은 타겟의 위치설정은 EP 0100648호, JP7237066호 및 JP8064662호와 같은 기계가공 프로세스로부터 알려져 있고, 여기서 웨이퍼는 웨이퍼를 기계가공하기 전에 척 상에 고정된다. JP8064662호의 요약서에 따르면, 웨이퍼는 마이크로 두께를 갖는 순수층(pure water layer)을 통해 웨이퍼 실장면에 실장된다. 이들 리소그래피 시스템에 공지된 개념의 전달의 경우에 요구되는 위치설정 정밀도에 관한 단점은 척을 통해 냉각제를 공급하기 위해 요구되는 배관에 있다.
상기 단점은 리소그래피 시스템의 웨이퍼 클램프를 개시하고 있는 PCT/US01/26772호에 예시되어 있다. 클램프는 또한 타겟 상에서 하전된 입자 빔에 의해 유도된 열의 운반을 위해 사용된다. 타겟의 클램핑 및 해제는 웨이퍼와 지지 구조체 사이에 인가되는 클램핑 성분에 "하나 이상의" 상 전이(phase transition)를 인가함으로써 이 디바이스에서 수행된다. 이들 상 전이는 "프로세스 전체에 걸쳐 다양한 작동을 용이하게 하고", "웨이퍼가 용이하게 적재되고 구조체로부터 해제될 수 있는 것을 보장한다." 클램핑 성분은 액체 또는 기체 형태로 인가되고, 지지 구조체의 능동적인 냉각에 의해 고상이 되어, 상기 구조체로의 웨이퍼의 견고한 클램핑을 성취한다. 여기서 이러한 클램핑 방식은 기본적으로 웨이퍼를 접착하는 것으로서 나타낼 수 있는 것으로 결론짓는다.
리소그래피 시스템을 위한, 전술한 공지된 클램핑 디바이스는 특히 성분과 웨이퍼 사이의 큰 접촉 영역 및 클램핑 성분의 높은 열전도도에 기인하여 진공 내에서 "웨이퍼 냉각을 필요로 하는 프로세스에서 특히 유용한" 것으로 나타나고 있다. 그러나, 이 공지의 시스템의 단점은 지지 구조체의 요구된 온도 변화에 부가하여, 타겟 테이블에 클램핑 성분 및 순환된 냉각 유체를 개별적으로 전달하기 위해 요구되는 복수의 도관에 있다.
미국 특허 공개 제2005/0186517호는 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지에 정렬하는 척에 웨이퍼를 부착시키고 이어서 웨이퍼를 노광하는 리소그래피 시스템용 프로세스에 관한 것이다. 특히, 이 특허 공개는 웨이퍼 척의 초기 응력 완화 팽창 후에 웨이퍼 팽창에 대해 반대 응력을 발생시켜, 이에 의해 웨이퍼와 척 사이의 바람직하지 않은 슬립이 발생하기 전에 웨이퍼의 허용 가열량을 잠재적으로 2배로 하는 것을 개시하고 있다. 부착 프로세스는 정전 클램핑을 사용하는 프로세스에 의해 그리고 진공 클램핑을 사용하는 프로세스에 의해 예시되고, 또한 상기 타겟을 지탱하는 가동 테이블로의 케이블링 또는 도관을 필요로 한다.
타겟의 리소그래피 노광의 분야에서 만나게 되는 진공 환경 이외에, 1991년의 EP 특허 출원 제511928호에 의해 그리고 2005년 6월 4일에 SWTW 2005 컨퍼런스에서 제시된 발표물 "웨이퍼 테스트 시의 액체 계면(Liquid interface at wafer test)"에 의해 공지된 웨이퍼 시험의 기술 영역으로부터, 웨이퍼의 유동 필름에 의한 척으로의 웨이퍼의 클램핑 및 열 전도를 통합하는 것이 알려져 있다. 이 공지의 디바이스에서 고려된 원리는 궁극적으로 작은 두께로, 그러나 웨이퍼 이면에서 통상적으로 조우되는 바와 같은 거칠기(roughness)를 평평하게 하기 위해 충분히 큰 두께로 웨이퍼를 유지함으로써 웨이퍼의 필름을 통해 타겟 유도 열의 전도를 실현하는 것이다. 클램핑은 이 문헌에 따른 원리에서 척의 홈 형성된 평면형 클램핑 섹션의 상부면 상의 유체 전달에 의해 실현된다.
홈이 클램핑 섹션으로부터 생략되어 있는 것으로 보이는 상기 문헌은, 열이 유체 유동에 의해 제거되지 않는 점, 즉 "열이 유체를 통해 척 내로 전도된다는 점"을 주지함으로써 이 설명을 암시적으로 확인하였다. 더욱이, 이 문헌은, 웨이퍼가 진공에 의해 필름 상으로 기밀하게 당겨지고, 이 진공은 척 상에 위치된 웨이퍼의 주위에 있는 척 내의 회수 위치에서 척과 웨이퍼 사이의 액체 필름에 인가되고, 유체는 이에 의해 중앙 개구를 경유하여 진입한다는 것을 지시하고 있다.
리소그래피 노광이 현대식 시스템에 의해 수행되는 진공 환경에 기인하여, 웨이퍼 시험의 분야로부터 웨이퍼 노광의 분야까지 이 공지된 개념을 수행하는 것은 비현실적이다. 그러나, 또한 심각한 진공 조건 하에서 수행하지 않는 리소그래피 시스템에 대해서도, 상기 물의 유동은 일반적으로 바람직하지 않은 현상일 수 있고 특히 물 리드(water lead)가 오염물에 의해 막히게 되는 위험에 기인하여 단점이 존재한다. 요구된 진공 작동의 경우에, 공지의 시스템은 타겟의 상부면에서의 과압의 결여에 기인하여 고장난다. 회수 개구가 소정량의 진공 또는 액체의 유동을 생성하기 위한 대기압 미만의 압력을 필요로 하는 경우에, 유체를 위한 중앙 공급 개구는 회수측에서보다 높은 압력을 전제로 한다. 이 시스템이 진공 환경 내로 진입해야 하면, 타겟은 클램핑되는 경향이 있는 것보다는 오히려 그 위치로부터 상승하는 경향이 있을 것이다.
본 발명은 이제 현대식 리소그래피 시스템용 클램핑 시스템, 즉 타겟과 소스의 상대 위치설정 시에 고도로 정밀한 화소 해상도 및 고도로 정밀한 정확도를 갖는 클램핑 시스템을 실현하는 것을 추구한다. 여기에서의 제한은 진공 작동 가능한 시스템 및 노출된 타겟으로부터 타겟 지탱 수단 또는 척까지의 최적의 열 전도를 포함한다. 이러한 것을 실현하는 데 있어서, 본 발명은 동일한 액체 수단에 의해 상기 열 전도 기능 및 클램핑 기능의 모두를 수행하기 위해 상기 지탱 수단과 상기 타겟 사이에 포함된 고정 액체 필름 모세관을 사용하는 것을 제안한다.
신규한 해결책에 있어서, 케이블 또는 도관 등에 의해, "고정된" 세계로부터 가동 타겟 지탱 수단으로의 안내가 완전히 배제되어, 이에 의해 완전히는 아니더라도 지탱 수단의 위치설정 정확도에 대한 부정적인 영향을 상당히 감소시킨다.
본 발명은 2003년 3월 27일 디스커버(Discover)에 의해 발표된 논문 "네거티브 압력의 물리학(The Physics of negative pressure)"에 설명된 매우 일반적인 표현에서와 같이 그에 대한 조건이 적절하게 설정되면 강한 견인력이 물과 같은 액체에 작용될 수 있다는 사상으로부터 놀랍게도 시작되었다. 리소그래피 시스템의 경우에, 이러한 설정은 액체가 웨이퍼의 타겟의 표면과 타겟 지탱 수단 또는 척 사이에 모세관 방식으로 고정 유지되면 도달될 수 있고, 이 표면은 명백한 이유로 일반적으로 가능한 한 편평하게 유지된다.
이러한 액체의 모세관 함유물에서, 실제로 본 발명의 리소그래피 용례와 같은 2개의 플레이트 또는 플레이트형 구조체 사이의 액체 체적, 즉 플레이트의 표면으로의 액체의 접착성은 상기 2개의 플레이트 사이로 오목하게 연장하는 원주방향 연장 액체 표면을 발생시킨다.
본 발명에 의해 상기 모세관 함유물에 의해, 액체층은 액체가 네거티브 압력에 있을 때에도 예를 들어 물과 같은 액체의 비등이 발생할 수 없는 이러한 작은 크기를 갖는 것이 또한 실현되었다. 이 현상은 또한 열 전도에서 실용값을 갖는다. 따라서, 네거티브 압력에서의 액체는 타겟 또는 웨이퍼를 편평한 기준으로 견인하기 위해 요구되는 힘을 제공하기 위해 인가될 수 있다. 달리 말하면, 상기 기준과 상기 타겟에 의해 형성된 플레이트 사이에서와 같은 작은 간극 내의 액체는 간극을 구성하는 플레이트 상에 힘을 인가한다. 간극의 높이 이외에 액체 및 플레이트의 재료 특성에 의존하는 이 힘은 타겟 및 타겟 테이블을 일체로 유지하기 위한 힘을 실현하기 위해 인가된다.
이러한 신규한 개념에서, 유체 내부의 압력은 0 미만이어서 액체 내에 장력이 있는 것을 암시하지만, 액체는 공동 현상(cavitation)을 발생하지 않는데, 즉 타겟과 기준 사이의 간극의 높이가 수반되는 액체 압력에서 증기 기포의 임계 반경보다 작게 될 때 비등하지 않는 것이 실현되었다. 따라서, 이 관점에서 설명된 고정 모세관 함유물에서 액체가 리소그래피 용례에 충분히 큰 클램핑력을 발생시킬 때 물과 같은 액체의 비등 불가능성이 또한 실현되었다.
본 발명의 원리는 다양한 방식으로 실용화될 수 있다는 것은 명백할 것이다.
본 발명은, 본 발명에 따른 무마스크 리소그래피 시스템에 대한 이하의 실시예에서의 예로부터 더 명료해질 것이다.
본 발명에 따르면, 액체는 공동 현상을 발생하지 않는데, 즉 타겟과 기준 사이의 간극의 높이가 수반되는 액체 압력에서 증기 기포의 임계 반경보다 작게 될 때 비등하지 않는 것이 가능하다. 따라서, 이 관점에서 설명된 고정 모세관 함유물에서 액체가 리소그래피 용례에 충분한 상당한 클램핑력을 발생시킬 때 물과 같은 액체의 비등 불가능성이 또한 가능하다.
도 1은 2개의 플레이트형 구조체, 즉 물질 A의 표면 및 물질 B의 표면 사이에 포함된 액체 모세관을 개략적으로 도시하고 있는 개략도.
도 2는 물을 포함하는 이러한 플레이트 모세관 사이에 간극 높이를 갖는 융착된 실리카 광학 플랫과 실리콘 웨이퍼에 대한 모세관 압력 강하의 관계의 도식적인 도면.
도 3 및 도 4는 본 발명의 기초를 이루는 사상의 구현의 개략도.
도 5는 테이블과 타겟 사이의 모세관 간극 내에 액체를 도입하는 제1 방식의 개략도.
도 6은 모세관 간극으로부터의 액체의 증발을 최소화하기 위한 수단을 개략적으로 도시하고 있는 원주방향 홈통(gutter)의 제공을 도시하고 있는 도면.
도 7은 타겟과 타겟 테이블 사이의 액체층을 실현하는 방식의 도면.
도 8은 본 발명에 따른 리소그래피 시스템의 적어도 일부에 대한 프로세스 흐름도.
도 9는 스페이서의 사용의 개략도.
도 1은 이 도면에는 도시되어 있지 않은 작동식 타겟 테이블 또는 척에 의해, 예를 들어 리소그래피 장치의 하전된 입자 빔 칼럼 또는 다른 종류의 리소그래피용 빔 소스에 대해 수직으로 이동하는, 여기서는 웨이퍼의 형태인, 리소그래피 타겟을 도시하고 있다. 이러한 타겟 테이블(2)의 상부면과 상기 타겟(1) 사이에는, 일정 체적의 액체(3)가 모세관에 포함된다. 이로 인해, 타겟(1) 및 타겟 테이블의 상부면은 상호 공칭 간극 높이(h)의 거리를 갖는다. 액체, 본 발명에 따르면 바람직하게는 물의 체적은, 평면도에서 취한 바와 같이 타겟의 반경이 실질적으로 모세관 포함 액체(3)의 반경(R)에 의해 합치되도록 하는 체적이다. 어느 경우든, 타겟의 내접원의 반경은 타겟의 경계 내에 액체의 체적을 맞추는 외접원의 반경에 의해 적어도 합치된다. 실제로, 액체는 타겟의 경계 내에서 바람직하게는 그에 대해 단지 작은 거리로 잔류한다. 이와 같이 포함된 액체(3)는 그 외주부에서 대안적으로 유체 계면(4)으로 나타낸 액체 표면(4)을 형성하는데, 이 외주부는 도 1에 따른 단면도에서 취한 바와 같이 타겟(1) 및 타겟 테이블(2)의 상부면 각각으로의 액체의 접착 연결에 기인하여 일반적으로 오목하게 성형된다. 이 오목한 표면(4)은 타겟 및 타겟 테이블을 견인시켜 이격할 때 그 형상을 유지하는 경향이 있고, 압력차에 의존한다. 유체 계면(4)의 오목도는 각각의 접촉각(θ1, θ2)에 의존하고, 이때 상기 접촉각은, 본 경우에 각각 물질 A 및 물질 B인, 테이블(2) 및 타겟(1)의 재료에 의존한다.
도 1에서, 모세관 압력(ΔPcap)은 액체(3)의 체적의 에지에서의 유체 계면(4)에 걸친 압력 강하이다. 모세관 압력은 이하의 단순화된 식에 의해 정의되는 본 발명의 기초를 이루는 또 다른 식견에 따를 수 있다.
Figure 112010010058683-pct00001
여기서,
Figure 112014067705611-pct00002
liquid는 [N/m] 단위의 액체의 표면 장력이고, 접촉각(θ1, θ2)은 액체/증기 계면(4)이 각각 물질 A 및 물질 B와 만나는 각도이다. 그러나, 접촉각은 무엇보다도, 액체/증기 계면(4)의 위치에서 액체(3) 그리고 고체 물질 A 및 고체 물질 B의 재료 특성에 의해 주로 결정되지 않더라도 중요하다. 동일한 관점에서 또한 이하의 식이 성립한다.
Figure 112010010058683-pct00003
여기서,
Penv = 분위기 압력
ΔPcap = 액체/증기 계면(4)에서의 모세관 압력
Pliq = 액체(3) 내의 압력
수학식 1 및 수학식 2를 조합하면,
Figure 112014067705611-pct00004
이면, Pliq < 0 bar가 되는 것을 알 수 있다.
Pliq < 0 bar의 상황은 Penv가 0 bar에 접근하거나 ｜ΔPcap｜≥ 1 bar일 때 분위기 압력 하에서 발생한다. 이는, Pliq < 0 bar라는 것은 액체 내부의 압력이 네거티브(-)라는 것을 의미하기 때문이다. Pliq가 액체의 증기압보다 작은 경우에는 유체(3)가 비등하거나 공동 현상이 발생한다는 것이 또한 인식된다. 그러나, 유체(3)의 비등은 간극의 높이를 기포의 임계 반경보다 작게 함으로써 방지된다.
도 2는 전술한 바와 같이 특히 물과 같은 유체를 포함하는 플레이트를 견인 이격할 때에 인가될 수 있는 힘의 양에 대한 지시로서 취한 모세관 압력 강하를 도시하고 있다. 도시되어 있는 곡선은 2개의 플레이트, 즉 하나는 실리콘 웨이퍼이고 다른 하나는 융착 실리카 광학 플랫인, 면 및 물에 접촉하는 2개의 플레이트를 포함하는 계산으로부터 유도된 것이다. 곡선의 유효성은 SiO2 대신에 유리 플레이트를 포함하는 계산 및 측정에 기초하여 시험되었다. 유리와 물의 것을 비교하는 본 발명의 곡선은 충분한 견인력이 공칭적으로 10 ㎛ 이하의 간극 높이에서 발생할 수 있고, 심지어 5 ㎛의 공칭 높이에서도 통상적인 리소그래피 용례에서 양호하다는 것을 지시하고 있다. 특히 관심있는 범위는 대략 1 ㎛ 이하의 간극 높이 아래에 존재하는데, 이는 이 간극 높이에서 압력 강하가 1 bar 초과이고, 간극 액체 내의 음압(negative pressure)이 이미 대기압에서 발생하는 것을 암시하기 때문이다. 그러나, 10 ㎛의 간극 높이에서 발생한 거의 0.2 bar의 사전의 압력 강하는 예를 들어 진공 내로의 삽입과 같이 웨이퍼가 배치된 상태의 웨이퍼 테이블의 안전한 취급이 보장되는 이러한 클램핑에 충분하다.
도 3은 본 발명의 원리에 따른 실용적인 설명을 도시하고 있고, 웨이퍼로 실시된 타겟(1), 웨이퍼 테이블(2) 또는 척 부분의 상부면, 물의 형태의 액체(3) 및 소위 바이톤(viton) 또는 고무 O-링(9)을 포함하는 리소그래피 시스템의 부분을 개략적으로 도시하고 있다. O-링(9)은 웨이퍼 테이블(2)의 감소된 높이의 림 부분에 삽입됨으로써 간극 포함 액체(3)로부터 증발하는 액체 증기를 밀봉한다. 이 수단에 의해, O-링의 상부면은 웨이퍼 테이블(2)의 상부면 상의 마디(7)의 높이에 대응하는, 바람직하게는 마디(7)의 높이보다 약간 높은 레벨로 설정된다. 반경방향 측면, 이 예에서는 반경방향 내향 회전 측면에 절개부를 구비함으로써, O-링은 과도한 힘의 요구 없이, 그러나 이러한 리소그래피 수단이 적용될 수 있는 진공 환경에서 특히 문제가 되는 증기의 누설을 방지하기에 충분하게 테이블과 웨이퍼 사이에 압축될 수 있다. 실제로, 여기서 0 내지 5 mm 직경의 범위의 두께를 갖는 O-링은 이에 따라 C-링을 형성하는데, 이는 O-링을 압축하기 위해 요구되는 압력이 최소로 유지된다는 것을 암시한다. 몇몇 반경방향 거리가 O-링과 테이블 지탱 수단의 중앙의 상승된 테이블 부분 사이에 유지되어, 그 사이에 인가된 유체(3)를 위한 회수 개구와 같은 여기에 도시되어 있지 않은 개구를 허용한다. 바람직하게는, O-링 또는 이러한 종류의 탄성 변형 가능한 수단은 타겟 주위에 원주방향으로 적용된다. 이 방식으로, 더 큰 힘이 타겟과 탄성 변형 가능한 수단 사이에 인가될 수 있고, 이는 실무를 달성하기가 쉽고 비교적 구매 시에 경제적인 더 높은 거칠기를 갖는 탄성 변형 가능한 수단의 사용을 허용한다.
대안으로 도 4에서와 같이, 증기의 누설은 테이블의 마디(7)에 의해 지지된 링(9A)과 타겟(1) 사이에 매우 작은 수직 거리(9B)를 남겨둠으로써 액체 간극의 원주방향 개구를 대부분 폐쇄하는 테이블의 외부 림에 의해 지지된 증기 제한 링(9A)에 의해 방지된다. 특히, 이는 타겟과 타겟 테이블 사이의 간극 높이보다 10 내지 20배 작을 수 있다.
본 발명에 따른 셋업에 부가하여, 그 증기압 미만의 압력에서 액체가 준안정 상태이거나 준안정 상태에 있을 수 있는 원리의 사용이 이루어진다. 임계 반경을 초과하면 이러한 공동이 비제한적으로 성장하는 것인, 공동에 대한 임계 반경이 존재한다는 것을 주목해야 한다. 이제 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 것과 같이 액체 포함 체적의 최소 치수가 이 임계 반경에 대해 매우 작게 또는 심지어 이 임계 반경보다 작게 이루어질 때, 공동 현상이 발생하지 않을 것이다. 압력 강하가 라플라스-압력(Laplace-pressure)으로부터 올 때, 임계 반경은 대략 간극 높이의 2배 이상이다. 높이는 액체와 고체 표면 사이의 재료 특성(접촉각)에 의존한다.
본 발명은, 가스일 수 있는 유체의 도입을 위해 폐쇄될 수 있고 상기 웨이퍼 테이블 내의 유체의 릴리스(release)를 위해 개방되어 테이블로부터의 타겟의 해제를 가능하게 할 수 있는 하나 이상의 개구의 존재를 더 포함할 수 있다. 용량 측정 면에서(volumetrically) 고도로 정밀한 유체 입구 튜브가 바람직하게 중앙에 제공된다. 본 발명은 또한 상기 타겟 테이블과, 즉 그 상부의 다수의 마디(7)와 견고하게 접촉하여 초기에 타겟을 가압하기 위한 가압 수단을 포함할 수 있다. 이러한 가압 수단을 위한 일 실시예는 타겟(1)의 상부면을 향해 수직으로 지향되어 타겟의 임의의 굽힘을 제거하고 모세관 작용이 구현될 수 있게 하는 높은 압력을 수반한다. 본 발명의 다른 양태에 따라 이러한 압력을 실현하는 하나의 적당한 방식은 상기 타겟 상에 바람 및 물과 같은 유체 수단의 스트림을 지향시키는 것이다.
도 5는, 대안으로 척 고정을 나타내는 초기 클램핑, 즉 타겟 내의 굽힘을 없애는 초기 클램프가 제거되고 액체가 다소 조합된 방식으로 타겟과 테이블 사이에 도입되는 바람직한 작동 방식을 도시하고 있다. 이로 인해, 중앙 입구 채널(10)이 밸브(V)를 구비한 상기 타겟 테이블에 제공된다. 웨이퍼는 복수의 원주방향으로 제공된 개구(10B)를 경유하여 인가된 진공 압력(Pvac)에 의해 발생된 진공력에 의해 웨이퍼 테이블에 척 고정된다. 웨이퍼가 웨이퍼 테이블에 정확하게 척 고정될 때, 밸브(V)가 개방되고 액체는 웨이퍼와 웨이퍼 테이블 사이의 간극 내로 흡인될 것이다. 간극 내로 유동하는 물의 충전 속도는 모세관 압력(ΔPcap)과, 채널(10)의 입구에, 즉 도시되지 않은 유체 소스에 존재하거나 인가된 과압(Pcp)과 만연하는 진공 압력(Pvac) 사이의 압력 차이의 합에 의해 결정된다. 과압(Pcp)은 타겟 상부에 만연하는 압력(Penv)보다 높도록 규정된다. 이 과압은 실용적인 이유로 1 bar로 제한되어, 테이블 상의 타겟의 위치를 방해하지 않게 하고, 유효 액체 압력(Pliq)이 계산된다.
도 6은 모세관 간극으로부터, 즉 타겟과 타겟 테이블 사이로부터 액체의 증발을 방지하고, 적어도 액체의 증발을 보다 최소화하는 방식을 도시하고 있다. 타겟 테이블 내에 그리고 탄성 변형 가능한 수단(9)에 의해 밀봉된 영역 또는 최소 간극(9B) 내에서 타겟에 대해 원주방향으로, 모세관 간극 높이보다 상당히 큰 폭의 홈통이 모세관 비포함 액체(3')를 수납하기 위해 형성된다. 바람직하게, 유체(3')는 모세관 포함 유체(3)와 동일한 유형을 갖는다. 그러나, 이는 더 큰 표면 또는 계면 면적을 구비한다. 이 홈통은 채널(10)에 대한 압력(Pcp)으로 액체 소스를 사용하여 충전될 수 있지만, 개별 리드 및 밸브를 경유하여 충전될 수도 있고, 바람직하게는 개별적인 충전 수단, 즉 모세관 포함 유체의 공급부로부터 독립된 개별적인 충전 수단이 제공된다. 충전 수단은 예를 들어 개별 액체 소스, 상기 홈통을 향한 전용 리드 및 밸브 및/또는 유체 펌프를 포함하는 임의의 독립적인 충전 수단일 수도 있다.
도 7은 상기 모세관 층을 도입하는 대안적인 방식을 도식적으로 도시하고 있다. 제1 실시예에서와 같이 중앙 개구를 경유하여 유체를 진입시키기보다는, 유체는 여기서 액적(11)을 퇴적함으로써, 예를 들어 스프레이에 의해 테이블 및 타겟의 하나 또는 모두의 표면에 진입된다. 그러나, 바람직하게는 예를 들어 미리 규정된 위치에 하나 이상의 액적 분배 마우스(mouth)를 갖는 액적 분배 수단에 의해 액적을 배치함으로써, 균등하게 분포된 액체 부분을 성취하기 위해 제어된 방식으로 퇴적이 이루어진다. 이들 퇴적 방식으로, 액체의 신속한 분포가 성취되어, 이에 따라 본 발명의 새로운 클램핑 방법 및 수단의 실용 가능성이 향상된다. 본 예에서, 액적은 타겟 테이블(2) 상에 퇴적된다. 이 실시예에서, 공기가 포함되는 것을 방지하기 위한 다양한 개구(12)가 미리 규정된 방식으로 타겟 테이블의 영역 상에 분포되는데, 바람직하게는 일반적으로 균등하게 분포된다.
상기 개구 이외에, 타겟 테이블의 표면은 마디(7)의 존재에 의해 규정되고, 이 마디는 증가된 분포 밀도를 갖고 포함된 모세관 액체의 클램핑력을 견디기 위한 것이다. 이 방식으로, 흡인된 타겟은 평탄하게 유지될 수 있는데, 즉 이제 모세관 유체의 힘 하에 마디 사이에서 굽혀지지 않을 것이다.
특정 수단으로서, 타겟 및 테이블의 접촉 표면의 하나 또는 모두가 표면 처리될 수 있거나, 또는 특히 원하는 클램핑 압력을 향해, 더 구체적으로는 작동 조건, 즉 진공 내에서 액체와 관련 접촉 표면 사이의 접촉각에 영향을 주기 위한 물질로 코팅될 수 있다. 실제로, 웨이퍼의 경우에 타겟에 대한 현재의 표준이 제공되면, 단지 타겟 테이블만이 코팅될 것이다. 본 발명에 따른 클램프 내의 모세관 압력 강하에 여전히 영향을 주기 위해, 액체 물질, 타겟 및 면 재료와 접촉하는 타겟 테이블의 조건이 주어지면 특정의 원하는 압력 강하로 마디 높이를 적응하는 것이 고려된다. 이러한 적응은 예를 들어 원하는 최소 클램핑력에 합치하고 클램핑력의 특정 조합 또는 마디의 분배 또는 상호 거리에 적응하도록, 특히 타겟 상의 클램핑 압력 및 합력이 주어지면 마디 사이의 타겟의 국부적인 굽힘을 방지하기 위해 이루어질 수 있다. 최소 마디 높이가 이로써 고려되고, 반면 마디 밀도가 적응될 수 있는 것도 또한 고려되는데, 예를 들어 마디 밀도는 원하는 최소 클램핑력에 합치하도록 증가될 수도 있다. 상기 최소 마디 높이는 마디 사이 및 간극 높이 내에 먼지 또는 다른 오염 입자를 수용하도록 측정의 관점에서 고려된다. 물론 간극 높이는 그 사이의 유체의 비등이 발생하지 않는 이러한 최소값으로 간극 높이를 유지하는 본 발명에 따른 조치의 한계 내에 있다.
도 8은 본 발명에 따라 향상된 리소그래피 장치 또는 시스템에 대한 프로세스 흐름의 관련 부분을 도시하고 있고, 여기서 타겟은 웨이퍼에 의해 형성된다. 프로세스 부분은 좌하측 코너에 지시되어 있는 청결한 웨이퍼 테이블의 작용 및 상태로부터 시작한다(CT). 이들로부터 2개의 대안적인 프로세스 경로가 이어질 수 있다. 상부에 도시되어 있는 제1 경로 부분은 타겟 테이블 상에 웨이퍼를 배치하는 제1 단계(WOT), 테이블 내의 도관을 통해 테이블과 웨이퍼 사이의 간극 내로 액체를 유동시키는 제2 단계(LIG), 및 물을 위한 도관, 즉 액체 공급 및 포함된 공기의 제거를 위한 도관을 밀봉하는 제3 단계(CS)를 특징으로 한다. 본 발명에 따른 프로세스를 구현하는 제2 가능성은 먼저 테이블 상에 액체를 인가하는 단계(LOT), 테이블 상에 웨이퍼를 배치하는 단계(WOT), 및 이 경우에 공기 포함 배출부를 밀봉하는 것만을 포함하는 도관 밀봉 단계(CS)를 나타내고 있는 하부 분기에 의해 지시되어 있다. 이러한 밀봉은 바람직하게는 다수의 분기를 경유하여 테이블 표면에 연결된 중앙 배출부 또는 공급 도관 내에서 수행된다.
후속의 단계 IT에서, 테이블 및 웨이퍼는 진공 상태가 되는 리소그래피 시스템의 부분 내에 삽입되고, 웨이퍼는 단계 PW에서 처리되고, 테이블 및 웨이퍼는 단계 RT에서 장치로부터 제거되고, 웨이퍼는 무엇보다도 임의의 도관 밀봉부를 제거하거나 개방시킴으로써 단계 DW에서 테이블로부터 탈착되고, 웨이퍼 테이블이 세척된다.
액체 인가(LIG)의 경우에, 물은, 간극에 공급되는 물이 통과하는 적어도 하나의, 대안으로는 또한 다수의 물 도관에 의해 인가된다. 본 발명의 다른 양태에 따르면, 간극의 충전은 물 또는 임의의 다른 관련 액체가 자체로 간극 내로 견인될 수 있게 하기 위해 충분히 큰 모세관 압력에 의존함으로써 수행된다. 다른 실시예에서, 이 프로세스는 향상되는데, 즉 충전 중에 압력을 증가시키기 위해 외부 압력을 사용하여 더 고속으로 된다. 본 발명의 또 다른 설명에서, 또한 공기 포함 개구가 더 낮은 압력을 공급하는 데 사용된다.
테이블 상의 물 인가(LOT)의 경우에, 물의 인가는 웨이퍼 테이블 또는 웨이퍼의 표면 상에 매우 균등하게 분포된 액적을 인가함으로써 수행된다. 웨이퍼가 웨이퍼 테이블 상에 배치될 때, 액적은 모세관 작용에 기인하여 확산될 것이다. 이 프로세스는 개구 구멍을 통한 흡인에 의해 보조될 수 있다. 밀봉 도관(CS)의 경우에, 간극의 충전을 위해 사용되는 모든 구멍은 웨이퍼 테이블 및 웨이퍼의 조합이 진공 내에 있을 때 증발을 방지하기 위해 액체의 인가 후에 밀봉되어야 한다. 프로세스 단계에서 테이블로부터 웨이퍼를 탈착하는(DW) 경우에, 물을 공급하고 그리고/또는 공기 포함을 방지하는 데 사용되는 개구는 또한 공기 압력을 인가하는 데 사용되고, 본 발명의 또 다른 설명에서, 웨이퍼는 테이블로부터 송풍 제거된다. 공기 압력은 이 경우에 적어도 매우 균등하게 분포되고 인가되어 웨이퍼가 파괴되지 않게 된다.
간극이 더 작을수록, 유동 속도를 동일하게 유지하기 위해 요구되는 압력 강하가 더 커진다는 것이 또한 고려된다. 이러한 요구 압력 강하의 증가는 더 작은 간극으로부터 이용 가능한 모세관 압력으로부터의 압력 증가보다 크다. 따라서, 모세관 압력에 의한 유동은 더 작은 간극에 대해 더 느린데, 실제로 간극은 액체 물질을 포함하고 면 재료와 접촉하는 특정 조건이 주어지면 임계 간극 높이를 초과한다. 매우 작은 간극에서, 전기 점성 효과는 '나노 채널 내에서의 물의 모세관 충전 속도(capillary filling speeds of water in nano channels)'로부터 자체로 알려져 있는 바와 같이 물의 겉보기 점성을 증가시킨다.
마디는 웨이퍼의 이면 상의 입자에 의한 오염의 영향을 감소시키도록 요구된다. 마디의 최대 피치는 모세관 압력에 의해 발생되는 마디 사이의 웨이퍼의 편향에 의해 결정된다. 마디의 피치의 통상적인 값은 3 [mm]이다. 마디의 높이는 간극을 결정하고, 재료 및 치수와 같은 다른 시스템이 주어지면 클램핑 압력을 조절하기 위해, 그리고 클램핑 압력이 주어지면 재료 및 치수와 같은 다른 시스템을 조절하기 위해 본 발명에 따라 사용된다. 마디 당 표면은 모세관 압력 하에서 변형되거나 파괴되지 않기 위해 충분히 형성된다. 마디 당 직경은 대략 25 ㎛ 이상이다. 따라서, 마디는 일반적으로 라운딩되어, 즉 에지가 없이 성형되어 세척 중에 미립자 오염의 가능성을 감소시키는 것이 바람직하다. 이들 미립자는 테이블의 와이핑 중에 조직(tissue)으로부터의 입자이다.
마디(7)에 추가하여 또는 마디(7)를 사용하는 대신에, 스페이서(15)(유리 입자, SiO2 입자 등)가 예를 들어 지탱 수단의 상부로부터 분무됨으로써 또는 스페이서(15)의 분산된 용액을 도포하여, 이에 의해 스페이서를 제공함으로써 도 9에 도시되어 있는 바와 같이 지탱 수단의 상부에 균일하게 분산된다. 일 실시예에서, 스페이서(15)는 액체(3) 내에 분산되어 최종적으로는 고정 액체의 층을 형성한다.
전술한 방법의 실시예에 있어서, 타겟 테이블은 리소그래피 장치 외부에서 처리되며, 이 처리에서는 타겟 테이블의 온도가 조절된다.
전술한 바와 같은 개념 및 모든 관련 상세 이외에, 본 발명은 이하의 청구범위에 규정된 바와 같은 모든 특징뿐만 아니라 첨부 도면에서 당 기술 분야의 숙련자에 의해 직접 명백하게 유도될 수 있는 바와 같은 모든 상세에 관한 것이다. 이하의 청구범위에서, 도면의 구조에 대응하는 임의의 도면 부호는 선행 용어의 의미를 고정하기보다는 선행 용어의 예시적인 의미를 지시하기 위해서만 포함된 것으로서 청구범위의 숙독 시의 지원을 위한 것이고, 따라서 괄호 안에 포함되어 있다.
1: 타겟 2: 타겟 테이블
3: 액체 4: 액체 표면
7: 마디
9: O-링 9A: 링
10: 중앙 입구 채널 10B: 개구
11: 액적 12: 개구

Claims (36)

  1. 타겟(1) 상에 이미지 또는 이미지 패턴을 투사하기 위한 리소그래피 시스템으로서, 상기 타겟은 타겟 테이블(2)에 의해 상기 시스템에 포함되고, 상기 리소그래피 시스템은 상기 타겟 테이블 상에 상기 타겟을 클램핑하기 위한 클램핑 수단을 포함하며, 상기 클램핑 수단은 타겟(1)과 타겟 테이블(2)의 각각의 접촉면(A, B)의 재료와 접촉하는 고정 액체(3)의 층을 포함하고, 상기 액체의 층은 타겟과 타겟 테이블 사이에 모세관 압력 강하(ΔPCap)가 발생하는 두께로 포함되며, 상기 타겟 테이블에는 고정 액체(3)의 층의 두께를 획정하는 스페이서(15) 또는 마디(7)가 마련되는 것인 리소그래피 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 두께는 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛인 것인 리소그래피 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 스페이서(15) 또는 마디(7) 각각의 높이는 상기 두께와 동일한 것인 리소그래피 시스템.
  4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 모세관 압력 강하는 상기 액체의 층에서 증기압 미만인 압력(Pliq)을 생성하는 것인 리소그래피 시스템.
  5. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 진공에서 작동되는 것인 리소그래피 시스템.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고정 액체(3)의 층의 두께는 상기 액체(3)의 증기 기포의 임계 반경보다 작은 것인 리소그래피 시스템.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 타겟과 타겟 테이블 사이에 원주방향 밀봉 수단(9)이 포함되는 것인 리소그래피 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 원주방향 밀봉 수단은 상기 타겟 테이블(2)과 타겟(1) 사이에 배치되는 증기 제한 링(9A)을 포함하고, 상기 증기 제한 링(9A)은 액체(3)의 층의 원주방향 개구를 대부분 폐쇄하도록 배치되는 것인 리소그래피 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 증기 제한 링(9A)은 이 증기 제한 링(9A)과 타겟(1) 사이에 원주방향 간극(9B)을 남겨두도록 배치되고, 상기 타겟 테이블에는 유체를 수용하기 위한 홈통이 마련되며, 홈통은 원주방향 간극(9B)의 높이보다 큰 폭을 갖고, 상기 증기 제한 링(9A)에 의해 획정된 원주 내에서 타겟 테이블의 타겟 지탱부에 대해 원주방향으로 위치되는 것인 리소그래피 시스템.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 타겟 테이블에는 폐쇄 가능한 배출 개구가 마련되는 것인 리소그래피 시스템.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 클램핑 액체는 물로 구성되는 것인 리소그래피 시스템.
  12. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 타겟과 타겟 테이블의 상호 접촉면 중 적어도 하나는 면 베이스와는 상이한 재료의 코팅을 구비하는 것인 리소그래피 시스템.
  13. 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 타겟 테이블은 자장식(self-contained) 디바이스이고, 타겟 테이블에 의해 지탱되는 타겟을 처리하기 위한 리소그래피 장치 내에서 도관의 접속 없이 포함되도록 되어 있는 것인 리소그래피 시스템.
  14. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 타겟과 액체 모두는 디스크 형태를 갖고, 액체 체적은 평면도에서 취했을 때에 타겟의 반경이 모세관 포함 액체의 반경과 동일한 반경에 대응하도록 되어 있는 것인 리소그래피 시스템.
  15. 리소그래피 장치 내부와 같은 진공 환경 내로 삽입하기 위한 웨이퍼 테이블로서, 상기 웨이퍼 테이블 상에 웨이퍼를 클램핑하기 위한 클램핑 수단을 구비하고, 상기 클램핑 수단은 웨이퍼(1)와 웨이퍼 테이블(2)의 각각의 면(A, B)의 재료와 접촉하는 고정 액체(3)의 층을 포함하며, 상기 액체의 층은 웨이퍼와 웨이퍼 테이블 사이에서 모세관 압력 강하(ΔPcap)가 발생하는 두께로 상기 면들 사이에 모세관 방식으로 포함되고, 상기 웨이퍼 테이블에는 고정 액체(3)의 층의 두께를 획정하는 스페이서(7, 15)가 마련되는 것인 웨이퍼 테이블.
  16. 제15항에 있어서, 상기 클램핑 수단은 상기 웨이퍼 테이블에 의해 지탱된 웨이퍼를 처리하기 위해 리소그래피 장치의 진공 격실 내로의 삽입 전에 리소그래피 장치의 진공 공간의 외부에서 상기 클램핑을 실현하도록 되어 있는 것인 웨이퍼 테이블.
  17. 제16항에 있어서, 상기 웨이퍼와 웨이퍼 테이블 사이에 원주방향 밀봉 수단이 포함되는 것인 웨이퍼 테이블.
  18. 제17항에 있어서, 상기 원주방향 밀봉 수단은 상기 웨이퍼 테이블과 웨이퍼 사이에 배치되는 증기 제한 링을 포함하고, 상기 증기 제한 링은 액체의 층의 원주방향 개구를 대부분 폐쇄하도록 배치되는 것인 웨이퍼 테이블.
  19. 제18항에 있어서, 상기 증기 제한 링은 이 증기 제한 링과 웨이퍼 사이에 원주방향 간극을 남겨두도록 배치되고, 상기 웨이퍼 테이블에는 유체를 수용하기 위한 홈통이 마련되며, 홈통은 원주방향 간극의 높이보다 큰 폭을 갖고, 상기 증기 제한 링에 의해 획정된 원주 내에서 웨이퍼 테이블의 웨이퍼 지탱부에 대해 원주방향으로 위치되는 것인 웨이퍼 테이블.
  20. 제15항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이퍼 테이블에는 폐쇄 가능한 배출 개구가 마련되는 것인 웨이퍼 테이블.
  21. 제15항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 웨이퍼 테이블의 외부 림에 의해 지지되는 링을 더 포함하고, 상기 링은 웨이퍼 테이블의 스페이서에 의해 지지되는 링과 웨이퍼 사이의 수직 거리를 남겨둠으로써 액체 간극의 원주방향 개구를 대부분 폐쇄하며, 상기 수직 거리는 웨이퍼와 웨이퍼 테이블 사이의 간극 높이보다 10 내지 20배 작은 것인 웨이퍼 테이블.
  22. 타겟 상에 이미지 또는 이미지 패턴을 투사하기 위한 리소그래피 시스템에서 타겟 테이블 상에 타겟을 클램핑하는 클램핑 방법으로서, 상기 타겟은 타겟 테이블(2)에 의해 상기 리소그래피 시스템에 포함되고, 상기 리소그래피 시스템은 상기 타겟 테이블 상에 상기 타겟을 클램핑하는 클램핑 수단을 포함하며, 상기 클램핑 수단은 타겟(1)과 타겟 테이블(2)의 각각의 접촉면(A, B)의 재료와 접촉하는 고정 액체(3)의 층을 포함하고, 상기 액체의 층은 타겟과 타겟 테이블 사이에 모세관 압력 강하(ΔPCap)가 발생하는 두께로 포함되며, 상기 타겟 테이블에는 고정 액체(3)의 층의 두께를 획정하는 스페이서(7, 15)가 마련되는 것인 클램핑 방법.
  23. 청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제22항에 있어서, 상기 리소그래피 시스템은 진공에서 작동되는 것인 클램핑 방법.
  24. 제22항 또는 제23항에 있어서, 상기 타겟 테이블은 그 상부의 타겟을 교체하기 위해 리소그래피 시스템으로부터 취출되는 것인 클램핑 방법.
  25. 제22항 또는 제23항에 있어서, 리소그래피 장치 내의 타겟 테이블은 상기 리소그래피 장치 내의 타겟을 교환하기 위해 다른 타겟 테이블로 교환되는 것인 클램핑 방법.
  26. 제24항에 있어서, 상기 타겟 테이블은 리소그래피 장치 외부에서 처리되고, 이 처리에서 상기 타겟 테이블의 온도가 조절되는 것인 클램핑 방법.
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