KR101457290B1 - Ald system with dual purging line - Google Patents
Ald system with dual purging line Download PDFInfo
- Publication number
- KR101457290B1 KR101457290B1 KR1020130025411A KR20130025411A KR101457290B1 KR 101457290 B1 KR101457290 B1 KR 101457290B1 KR 1020130025411 A KR1020130025411 A KR 1020130025411A KR 20130025411 A KR20130025411 A KR 20130025411A KR 101457290 B1 KR101457290 B1 KR 101457290B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- outlet
- gas
- valve
- atomic layer
- closed
- Prior art date
Links
- 238000010926 purge Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 title 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 24
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 ALD 장치 구성에 관한 것으로,반응성이 큰 물질을 이용하여 원자층의 물질층을 형성할 경우, 배출구가 오염되거나 막혀 지속적인 공정을 실시하지 못하고 수리보수를 하여야 하는 문제를 해결하고자 안출 되었다.
본 발명에 따르면, 배출구를 2 개로 설치하고 제1 배출구와 제2 배출구에 각각 밸브를 달아 한 종류의 원료가스를 공급하고 퍼징하는 동안은 제1 배출구의 밸브만 개방하고 제2 배출구의 밸브는 폐쇄하고, 반응성이 큰 다른 원료 가스를 공급하고 퍼징하는 동안은 제2 배출구의 밸브만 개방하고 제1 배출구의 밸브는 폐쇄하는 식으로 운용하게 하였으며, CIGS 태양전지에서 Zn 전구체와 H2S를 원자층 증착법으로 ZnS 층을 만들 때 특히 유용하다. The present invention relates to an ALD apparatus, and aims at solving the problem that a material layer of an atomic layer is formed using a material having high reactivity.
According to the present invention, while two outlets are provided and valves are provided to the first outlet and the second outlet to supply and purge one kind of source gas, only the valve of the first outlet is opened and the valve of the second outlet is closed In the CIGS solar cell, a Zn precursor and H 2 S were injected into the atomic layer. In the CIGS solar cell, the Zn precursor and H 2 S were injected into the atomic layer This is particularly useful when making ZnS layers by evaporation.
Description
본 발명은 ALD 장치 구성에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 CIGS 태양전지의 버퍼층인 ZnO 및 ZnOS층을 제조하는 ALD 장치 구성에 관한 것이다. The present invention relates to an ALD device configuration, and more particularly, to an ALD device configuration for manufacturing ZnO and ZnOS layers, which are buffer layers of CIGS solar cells.
CIGS 태양전지는 실리콘 태양전지에 비해 제조단가가 낮고 효율도 그 못지 않은 차세대 박막태양전지라 할 수 있다. 이러한 CIGS 태양전지는 유리/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/TCO 층상구조로 제작되며(도 1 참조), 이중 CdS 버퍼층은 CIGS층 위에 형성되어 태양전지의 광전변환효율을 향상시키게 된다. 종래, CdS 버퍼층의 형성은 CBD(Chemical Bath Deposition)과 같은 습식(wet) 코팅에 의하거나, ALD 법으로 실시하고 있다. 그러나, 태양전지의 광전변환효율의 향상이라는 긍정적 역할에도 불구하고 CdS 버퍼층은 Cd의 독성으로 인하여 친환경적이지 않다는 문제가 있다. 그에 따라 Cd가 들어가지 않은 친환경적인 물질로 버퍼층을 형성하고자 하여 ZnS 또는 ZnOS 와 같은 Cd-free 버퍼 층을 사용하고 있다. 이러한 ZnS 또는 ZnOS 버퍼 층의 두께는 가능한 한 얇은 것이 바람직하며, 약 10 nm 두께를 형성하고 있다. 이와 같이 두께가 극히 얇은 박막을 균일하게 형성하는 데에는 ALD법을 사용하는 것이 유리하다. 대한민국특허공개번호 제10-2011-0097256호에도 CIGS 박막 태양전지 제조 방법으로 ALD법을 이용함이 바람직하다고 기재하고 있다. CIGS solar cells are the next generation thin film solar cells with lower manufacturing cost and less efficiency than silicon solar cells. Such a CIGS solar cell is fabricated with a glass / Mo / CIGS / CdS / i-ZnO / TCO layer structure (see FIG. 1), and a double CdS buffer layer is formed on the CIGS layer to improve the photoelectric conversion efficiency of the solar cell. Conventionally, the CdS buffer layer is formed by wet coating such as CBD (Chemical Bath Deposition) or ALD method. However, despite the positive role of photoelectric conversion efficiency of the solar cell, the CdS buffer layer is not environmentally friendly due to the toxicity of Cd. Therefore, a Cd-free buffer layer such as ZnS or ZnOS is used to form a buffer layer made of an environment-friendly material containing no Cd. The thickness of the ZnS or ZnOS buffer layer is preferably as thin as possible, and is about 10 nm thick. It is advantageous to use the ALD method to uniformly form a thin film having such a small thickness. Korean Patent Publication No. 10-2011-0097256 also discloses that it is preferable to use the ALD method as a method of manufacturing CIGS thin film solar cells.
그러나, 상기와 같은 CIGS 태양전지의 ZnS 또는 ZnOS 와 같은 Cd-free 버퍼 층을 ALD법으로 형성할 경우, 다음과 같은 문제가 발생한다.However, when a Cd-free buffer layer such as ZnS or ZnOS of the CIGS solar cell is formed by the ALD method, the following problems arise.
즉, 일반적인 ALD 장치를 나타내는 도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(100) 안에 놓인 기판에 Zn 전구체 물질을 공급하고, 비활성 가스나 질소를 주입하여 퍼징하고, H2S를 공급하고, 다시 비활성 가스나 질소를 주입하여 퍼징하여, ZnS 층을 형성하는 과정에서, H2S의 반응성이 매우 크기 때문에 가스를 배출하는 배출구(400)에 잔류하는 Zn 전구체 물질 등과 반응하게 되고, 이로 인해 배출구가 단시간 내 막혀 배출구를 교체하거나 수리보수해야만 한다. 따라서 필요한 만큼 연속공정을 진행하지 못하게 되는 문제와 더불어 수리보수의 번거로움이 문제된다. 이와 같은 문제는 반응성이 큰 두 종류의 원소를 이용한 원자층 증착법 적용시 항상 문제될 수 있다.
2, which shows a general ALD apparatus, a Zn precursor material is supplied to a substrate placed in a
따라서 본 발명의 목적은, 반응성이 큰 두 종류의 원소를 반응물로 하여 원자층 증착법(ALD)으로 물질층을 형성할 경우, 배출구 막힘 현상 없이 장치를 지속적으로 사용하게 할 수 있는 ALD 장치 구조를 제공하고자 함이며, 특히, CIGS 태양전지의 ZnS 또는 ZnOS 와 같은 Cd-free 버퍼 층을 ALD법으로 형성하는 공정을 실시함에 있어 개선된 ALD 장치를 제공하고자 하는 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to provide an ALD device structure capable of continuously using an apparatus without clogging a discharge port when a material layer is formed by atomic layer deposition (ALD) using two kinds of reactive elements as reactants In particular, it is an object of the present invention to provide an improved ALD apparatus for performing a process of forming a Cd-free buffer layer such as ZnS or ZnOS of a CIGS solar cell by an ALD method.
상기 목적에 따라 본 발명은,According to the present invention,
반응성이 큰 활성 원료 가스를 포함한 원료가스를 공급하여 원자층 박막을 형성하는 원자층 증착 장치에 있어서,1. An atomic layer deposition apparatus for atomic layer deposition by supplying a source gas containing an active material gas having a high reactivity,
가스 유입구; Gas inlet;
개폐 밸브를 포함한 제1 배출구; 및A first outlet including an on-off valve; And
개폐 밸브를 포함한 제2 배출구;를 포함하고,And a second outlet including an on-off valve,
한 종류의 원료가스를 공급하고 퍼징하는 동안은 제1 배출구의 밸브만 개방하고 제2 배출구의 밸브는 폐쇄하고,During the supply and purging of one kind of source gas, only the valve of the first outlet is opened and the valve of the second outlet is closed,
반응성이 큰 다른 활성 원료 가스를 공급하고 퍼징하는 동안은 제2 배출구의 밸브만 개방하고 제1 배출구의 밸브는 폐쇄하는 식으로 운용하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치를 제공한다.And the valve of the first outlet is closed while the valve of the second outlet is closed while the other active source gas having a high reactivity is supplied and purged.
또한, 본 발명은, 상기에 있어서, 상기 원료가스는 금속을 포함한 전구체와 H2S 가스인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치를 제공한다.Further, the present invention provides an atomic layer deposition apparatus characterized in that the source gas is a precursor including a metal and a H 2 S gas.
또한, 본 발명은, 상기에 있어서, 상기 원료가스는 Zn을 포함한 전구체와 H2S 가스인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치를 제공한다.The present invention also provides an atomic layer deposition apparatus characterized in that the source gas is a precursor containing Zn and an H 2 S gas.
본 발명에 따르면, 반응성이 큰 H2S의 공급과 퍼징 시에는 Zn 전구체가 공급된 배출구가 아닌 별개의 배출구를 통해 H2S가 흘러가므로 종래와 같이 배출구 막힘 현상을 예방할 수 있어 잦은 수리보수가 필요 없이 장기간 지속 사용할 수 있다. According to the present invention, at the time of supplying and purging H 2 S having high reactivity, H 2 S flows through a separate outlet, not a discharge outlet to which a Zn precursor is supplied, so that clogging of the outlet can be prevented, It can be used for a long time without need.
도 1은 CIGS 태양전지 소자의 구성을 나타내는 층상 단면도이다.
도 2는 종래 ALD 장치 구조를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명에 따른 ALD 장치 구조를 나타내는 개략도이다.1 is a cross-sectional view showing the structure of a CIGS solar cell element.
2 is a schematic diagram showing a conventional ALD device structure.
3 is a schematic diagram showing an ALD device structure according to the present invention.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명은 도 3과 같이 두 개의 별도로 된 가스 배출구(500, 600)를 설치하였다. 챔버(100)는 반응성이 큰 활성의 제1 원료 가스와 제2 원료가스를 각각 유입구(200, 300)를 통해 공급하고 이들을 퍼징 가스로 퍼징 함에 있어, 배출구를 제1 배출구(500)와 제2 배출구(600)로 구성하여, 제1 원료 가스 주입 및 퍼징 시에는 제1 배출구(500)만 열고 제2 배출구(600)는 닫아두며, 제2 원료가스 주입 및 퍼징 시에는 이와 반대로 제2 배출구(600)는 열고 제1 배출구(500)는 닫아, 배출구 막힘 현상을 예방한다. 상기에서 반응성이 큰 활성 가스는 극성 분자구조를 갖는 경우를 포함한다. The present invention has two
CIGS 태양전지의 ZnS, ZnOS 층 형성에 상기와 같은 구조의 원자층 증착 장치를 적용하는 것은 특히 바람직하다. It is particularly preferable to apply an atomic layer deposition apparatus having the above structure to the ZnS and ZnOS layer formation of the CIGS solar cell.
즉, 챔버(100) 안에 CIGS층이 형성된 기판을 넣고, Zn 전구체 물질인 디에틸아연, 염화아연, 디메틸아연 등의 어느 하나 이상을 주입구(200)로 공급한 후 질소나 아르곤 등의 비활성가스로 1차 퍼징 하여 CIGS층 위에 흡착시킨다. 이때 제1 배출구(500)는 열고, 제2 배출구(600)는 닫아놓는다. Zn 흡착을 마친 후, H2S 가스를 주입구(300)로 공급한 후 질소나 아르곤 등의 비활성가스로 2차 퍼징 하여 CIGS층 위에 흡착된 Zn과 결합하여 ZnS층을 형성시킨다. 이때에는 제1 배출구(500)는 닫고, 제2 배출구(600)를 열어 H2S의 통로가 되게 한다. 따라서 Zn이 잔류하는 제1 배출구(500)로 반응성이 큰 H2S 가스가 통과하지 않게 되어, 배출구 막힘 현상이나 오염을 방지할 수 있다. That is, a substrate on which a CIGS layer is formed is placed in the
이와 같은 구성은 반응성이 큰 H2S를 공급하여 원자층 물질층을 형성하는 경우이면, 반드시 Zn 전구체를 공급하지 않는 경우에도 적용될 수 있으며, 나아가 반응성이 큰 두 종류의 원료가스를 공급하여 원자층 물질층을 형성함에 있어 모두 적용될 수 있다.
Such a configuration can be applied to a case where a Zn precursor is not necessarily supplied in the case of forming an atomic layer material layer by supplying H 2 S having high reactivity, and further, by supplying two kinds of source gases with high reactivity, It can be applied to both the formation of the material layer.
본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.
It is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiment, but is capable of many modifications and variations within the scope of the appended claims. It is self-evident.
100: 챔버
200, 300: 유입구
400, 500, 600: 배출구100: chamber
200, 300: inlet
400, 500, 600: outlet
Claims (3)
하나 이상의 가스 유입구;
개폐 밸브를 포함한 제1 배출구; 및
개폐 밸브를 포함한 제2 배출구;를 포함하고,
한 종류의 원료가스를 공급하고 퍼징하는 동안은 제1 배출구의 밸브만 개방하고 제2 배출구의 밸브는 폐쇄하고,
반응성이 큰 다른 활성 원료 가스를 공급하고 퍼징하는 동안은 제2 배출구의 밸브만 개방하고 제1 배출구의 밸브는 폐쇄하여 배출구 막힘 현상을 예방할 수 있도록 배출구 개폐를 운용하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.1. An atomic layer deposition apparatus for atomic layer deposition by supplying a source gas containing an active material gas having a high reactivity,
At least one gas inlet;
A first outlet including an on-off valve; And
And a second outlet including an on-off valve,
During the supply and purging of one kind of source gas, only the valve of the first outlet is opened and the valve of the second outlet is closed,
Characterized in that the valve of the second discharge port is closed and the valve of the first discharge port is closed to open and close the outlet so as to prevent clogging of the discharge port during the supply and purging of the other active raw material gas having a high reactivity. .
The atomic layer deposition apparatus according to claim 1, wherein the source gas is a precursor containing Zn and an H 2 S gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130025411A KR101457290B1 (en) | 2013-03-11 | 2013-03-11 | Ald system with dual purging line |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130025411A KR101457290B1 (en) | 2013-03-11 | 2013-03-11 | Ald system with dual purging line |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140112134A KR20140112134A (en) | 2014-09-23 |
| KR101457290B1 true KR101457290B1 (en) | 2014-11-04 |
Family
ID=51757202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130025411A KR101457290B1 (en) | 2013-03-11 | 2013-03-11 | Ald system with dual purging line |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101457290B1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220126375A (en) | 2021-03-09 | 2022-09-16 | 한국에너지기술연구원 | Solar cell with improved buffer layer structure |
| KR20230137714A (en) | 2022-03-22 | 2023-10-05 | 한밭대학교 산학협력단 | Deposition Apparatus and a Deposition Method using the Deposition Apparatus |
| KR20240079519A (en) | 2022-11-29 | 2024-06-05 | 한국에너지기술연구원 | Passivation layer and solar cell having the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030028986A (en) * | 2001-10-05 | 2003-04-11 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for atomic layer deposition and method for operating the same |
| KR20040049174A (en) * | 2002-12-05 | 2004-06-11 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for atomic layer deposition with preventing powder generation in exhaust paths |
| KR20070032091A (en) * | 2002-03-26 | 2007-03-20 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Substrate processing device and substrate processing method |
| KR20120009285A (en) * | 2010-07-23 | 2012-02-01 | 한국에너지기술연구원 | ZnS/ZnO/ZnS MULTI-LAYER THIN-FILM WITH ENHANCED PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES |
-
2013
- 2013-03-11 KR KR1020130025411A patent/KR101457290B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030028986A (en) * | 2001-10-05 | 2003-04-11 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for atomic layer deposition and method for operating the same |
| KR20070032091A (en) * | 2002-03-26 | 2007-03-20 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Substrate processing device and substrate processing method |
| KR20040049174A (en) * | 2002-12-05 | 2004-06-11 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for atomic layer deposition with preventing powder generation in exhaust paths |
| KR20120009285A (en) * | 2010-07-23 | 2012-02-01 | 한국에너지기술연구원 | ZnS/ZnO/ZnS MULTI-LAYER THIN-FILM WITH ENHANCED PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220126375A (en) | 2021-03-09 | 2022-09-16 | 한국에너지기술연구원 | Solar cell with improved buffer layer structure |
| KR20230137714A (en) | 2022-03-22 | 2023-10-05 | 한밭대학교 산학협력단 | Deposition Apparatus and a Deposition Method using the Deposition Apparatus |
| KR20240079519A (en) | 2022-11-29 | 2024-06-05 | 한국에너지기술연구원 | Passivation layer and solar cell having the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140112134A (en) | 2014-09-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20110214725A1 (en) | Photovoltaic device with graded buffer layer | |
| US20050186342A1 (en) | Formation of CIGS absorber layer materials using atomic layer deposition and high throughput surface treatment | |
| KR20130092352A (en) | Doping method of atomic layer deposition | |
| US20050115504A1 (en) | Method and apparatus for forming thin films, method for manufacturing solar cell, and solar cell | |
| KR20140003776A (en) | Preparation of a high resistivity zno thin film | |
| DE602005025293D1 (en) | Magnetron sputtering | |
| WO2008100616A3 (en) | Atomic layer deposition of strontium oxide via n-propyltetramethyl cyclopentadienyl precursor | |
| CN102194925A (en) | Method of manufacturing thin-film light-absorbing layer, and method of manufacturing thin-film solar cell using the same | |
| KR101457290B1 (en) | Ald system with dual purging line | |
| TW201415654A (en) | Method of manufacturing of absorber of thin film solar cell | |
| MY159272A (en) | Silicon thin film solar cell having improved haze and methods of making the same | |
| CN103866288A (en) | Reaction unit and method for atom layer film deposition | |
| CN103794658A (en) | Composite membrane efficient crystalline silicon solar cell and manufacturing method of composite membrane efficient crystalline silicon solar cell | |
| KR101284704B1 (en) | Thermal Processing Apparatus and Method for Manufacturing Solar Cell and Method for Manufacturing Solar Cell using the same | |
| CN105047750A (en) | Method for increasing conversion efficiency of thin-film solar cell | |
| KR102541657B1 (en) | Repeated Cycle Type Substrate Processing Apparatus | |
| KR101299189B1 (en) | Inline system apparatus for high speed manufacturing of large-sized CIGS thin film on glass substrate using multi-stage process and Methods mnufacturing large-sized CIGS thin film | |
| KR20100082915A (en) | Method for fabricating cigs thin layer by ald | |
| KR102090184B1 (en) | Solar cell including CIGS light absorbing layer and manufacturing method thereof | |
| CN203794984U (en) | Reaction device for atomic layer film deposition | |
| CN102214735A (en) | Method for preparing absorbed layer of CIGS (copper indium gallium selenide)/sulfur solar cell | |
| CN105118875B (en) | Atomic layer deposition preparation method of cadmium-free buffer layer of copper indium gallium selenium thin film solar cell | |
| CN203721736U (en) | Composite membrane high-efficiency crystalline silicon solar cell | |
| KR20110097256A (en) | Method for fabricating buffer layer of thin film type solar cell | |
| JP6899731B2 (en) | Manufacturing method of photoelectric conversion element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170929 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180928 Year of fee payment: 5 |