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KR101455159B1 - plasma reactor with improved sealing structure - Google Patents

plasma reactor with improved sealing structure Download PDF

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KR101455159B1
KR101455159B1 KR1020130039338A KR20130039338A KR101455159B1 KR 101455159 B1 KR101455159 B1 KR 101455159B1 KR 1020130039338 A KR1020130039338 A KR 1020130039338A KR 20130039338 A KR20130039338 A KR 20130039338A KR 101455159 B1 KR101455159 B1 KR 101455159B1
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South Korea
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cylindrical
ring
cylindrical body
plasma reactor
dielectric
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KR1020130039338A
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Inventor
김익년
강성옥
엄민흠
Original Assignee
(주)트리플코어스코리아
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Abstract

반도체 공정 부산물을 플라즈마화된 라디칼로 처리하는 플라즈마 반응기로서, 상기 플라즈마 반응기(100)는, 원통형 바디부(110); 상기 원통형 바디부(110) 내측에 구비되며, 상기 원통형 바디부(110)보다 높은 길이를 갖는 원통형 유전체(120); 상기 원통형 유전체(120)의 외측면과 접촉하여 구비되며, 상기 원통형 바디부(110) 상부에 구비되는 오-링(130);상기 원통형 바디부(110) 및 상기 원통형 유전체(120)에 구비되어, 상기 원통형 유전체(120) 내부에서 발생하는 래디칼이 상기 원통형 유전체(120) 외부로 유출되는 것을 방지하는 캡부(140)를 포함하며, 여기에서 상기 오링(130)은 상기 원통형 유전체(120), 상기 원통형 바디부(110) 및 상기 캡부(140)에 의하여 형성되는 삼각형 공간 내에 안착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기가 제공된다. A plasma reactor for treating a semiconductor process by-product with a plasmaized radical, the plasma reactor (100) comprising: a cylindrical body part (110); A cylindrical dielectric body 120 disposed inside the cylindrical body portion 110 and having a length greater than that of the cylindrical body portion 110; An O-ring 130 provided in contact with the outer surface of the cylindrical dielectric body 120 and provided on the cylindrical body 110, and an O-ring 130 provided on the cylindrical body 110 and the cylindrical dielectric body 120, And a cap portion 140 for preventing radicals generated in the cylindrical dielectric body 120 from flowing out of the cylindrical dielectric body 120. The O ring 130 may be formed on the cylindrical dielectric body 120, And is seated in a triangular space formed by the cylindrical body part (110) and the cap part (140).

Description

개선된 실링 구조를 갖는 플라즈마 반응기{plasma reactor with improved sealing structure}[0001] The present invention relates to a plasma reactor with improved sealing structure,

본 발명은 개선된 실링 구조를 갖는 플라즈마 반응기에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 바디부와 유전체, 그리고 캡부에 의하여 형성되는 삼각형의 공간 내에 저탄성 오링을 안착시킨다. 이로써 삼각 구조의 외부 오-링 공간을 채용함으로써, 삼각 구조로 오-링을 형성시키며, 실링 효과를 극대화한, 개선된 실링 구조를 갖는 플라즈마 반응기에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma reactor having an improved sealing structure, and more particularly to a low elastic O-ring within a triangular space defined by a body, a dielectric, and a cap. Thereby forming an o-ring in a triangular structure, thereby maximizing the sealing effect, by adopting a triangular external o-ring space.

일반적으로 플라즈마는 전기적 극성을 갖는 전자 및 이온으로 구성된 제 4의 물질 상태로 알려져 있으며 전체적으로 음과 양의 전하수가 거의 같은 밀도로 분포되어 전기적으로 거의 중성인 상태이다. 플라즈마는 아크처럼 온도가 높은 고온 플라즈마와 전자의 에너지는 높지만 이온의 에너지가 낮아 실제로 느끼는 온도는 실온에 가까운 저온 플라즈마로 분류되며 대부분 직류, 교류, 초고주파, 전자빔 등의 전기적 방전에 의해 생성된다.Generally, a plasma is known as a fourth material state composed of electrons and ions having electrical polarity, and the electrons and negatively charged electric charges are generally distributed at almost the same density and are electrically almost neutral. Plasma is a high-temperature plasma with a high temperature and high energy of electrons. However, since the energy of ions is low, the actual temperature of the plasma is classified as a low-temperature plasma near room temperature and most of it is generated by electrical discharge such as direct current, alternating current, microwave, or electron beam.

여기서 플라즈마의 발생 압력에 따라 응용처가 달라지는데, 저압에서는 플라즈마를 안정적으로 발생시킬 수 있기 때문에 반도체 부품의 세정과 식각, 증착에 이용되며 대기압 상태의 플라즈마는 표면 세정, 환경 오염물질 처리와 신소재 합성, 의료기기 등 다양한 분야에 사용된다.Since plasma can be generated stably at low pressure, plasma is used for cleaning, etching, and deposition of semiconductor components. Atmospheric pressure plasma is used for surface cleaning, treatment of environmental pollutants, synthesis of new materials, It is used in various fields such as devices.

한편 반도체 공정이 수행되는 공정챔버는 공정 중 발생하는 부산물을 제거하기 위한 진공을 인가하는 펌프와 연결되어 있는데, 반도체 공정 중 발생하는 부산물이 배기 중 상기 펌프에 쌓여 세정 공정의 효율을 떨어뜨리는 문제가 있다. Meanwhile, the process chamber in which the semiconductor process is performed is connected to a pump for applying vacuum to remove by-products generated during the process. The problem that the byproducts generated during the semiconductor process accumulates in the pump during the exhaust process, have.

이러한 펌프 부산물을 제거하기 위하여, 대한민국 공개특허 10-2007-0118419호 등은 고체 침정물을 플라즈마화된 플로린 래디컬로 제거하는 방법을 제공한다. 하지만, 이 경우, 플라마화 가스가 유입되는 반응기로부터 불소 라디칼이 외부로 유출되는 것을 방지하기 위한 러버 재질의 오-링이 사용되는데, 문제는 불소 라디칼에 높은 저항성을 갖는 오-링 러버는 낮은 탄성을 가지므로, 실링 효과가 떨어지는 문제가 있다. In order to remove such by-products of the pump, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2007-0118419 and the like provide a method for removing a solid precipitate with plasma-converted florine radicals. In this case, however, an o-ring made of a rubber material is used to prevent the fluorine radical from flowing out from the reactor into which the flaming gas is introduced. The problem is that the o-ring rubber having high resistance to fluorine radicals has low elasticity There is a problem that the sealing effect is deteriorated.

이에 본 발명은 불소 라디칼이 유입되는 펌프 세정 장치에서, 낮은 탄성의 오-링을 안전하게 실장할 수 있으며, 불소 라디칼의 외부 유출을 효과적으로 방지할 수 있는 새로운 플라즈마 반응기 구조를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a new plasma reactor structure capable of safely mounting low-elasticity o-rings in a pump cleaning apparatus into which fluorine radicals flow, and effectively preventing outflow of fluorine radicals.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 반도체 공정 부산물을 플라즈마화된 라디칼로 처리하는 플라즈마 반응기로서, 상기 플라즈마 반응기(100)는, 원통형 바디부(110); 상기 원통형 바디부(110) 내측에 구비되며, 상기 원통형 바디부(110)보다 높은 길이를 갖는 원통형 유전체(120); 상기 원통형 유전체(120)의 외측면과 접촉하여 구비되며, 상기 원통형 바디부(110) 상부에 구비되는 오-링(130); 상기 원통형 바디부(110) 및 상기 원통형 유전체(120)에 구비되어, 상기 원통형 유전체(120) 내부에서 발생하는 래디칼이 상기 원통형 유전체(120) 외부로 유출되는 것을 방지하는 캡부(140)를 포함하며, 여기에서 상기 오링(130)은 상기 원통형 유전체(120), 상기 원통형 바디부(110) 및 상기 캡부(140)에 의하여 형성되는 삼각형 공간 내에 안착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기를 제공한다. In order to solve the above problems, the present invention is a plasma reactor for treating a semiconductor process by-product with a plasmaized radical, wherein the plasma reactor (100) comprises: a cylindrical body part (110); A cylindrical dielectric body 120 disposed inside the cylindrical body portion 110 and having a length greater than that of the cylindrical body portion 110; An O-ring 130 provided on the cylindrical body 110 in contact with an outer surface of the cylindrical dielectric body 120; And a cap 140 disposed on the cylindrical body 110 and the cylindrical dielectric 120 to prevent radicals generated in the cylindrical dielectric 120 from flowing out of the cylindrical dielectric 120. [ Wherein the O-ring 130 is seated in a triangular space defined by the cylindrical dielectric 120, the cylindrical body 110, and the cap 140. FIG.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 원통형 바디부(110)의 측면에는 플라즈마 생성을 위한 마이크로웨이브가 유입되는 유입부가 구비되며, 상기 세정가스는 불소이다. In an embodiment of the present invention, the side of the cylindrical body 110 has an inlet through which microwaves for generating plasma are introduced, and the cleaning gas is fluorine.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 오링은 상기 불소 라디칼에 대한 저항성을 갖는 내불소 러버로 이루어지며, 상기 캡에는 상기 반도체 공정 부산물이 유입되는 주입부가 구비된다.
In one embodiment of the present invention, the O-ring is made of fluorine rubber having resistance to the fluorine radical, and the cap has an injection unit into which the semiconductor processing by-product flows.

본 발명에 따르면, 퍼플로(per-floro) 러버와 같은 저탄성, 고내식의 러버인 경우, 캡에 대하여 반발하지 않고 내부의 사각 오-링 홈 내부로 들어가서, 상기 안착 홈만을 채우게 되는 문제를 해결하기 위하여, 바디부와 유전체, 그리고 캡부에 의하여 형성되는 삼각형의 공간 내에 저탄성 오링을 안착시킨다. 이로써 삼각 구조의 외부 오-링 공간을 채용함으로써, 삼각 구조로 오-링을 형성시키며, 실링 효과를 극대화한다. According to the present invention, in the case of a low-elasticity and high-corrosion-resistant rubber such as a per-floro rubber, the rubber does not repel against the cap but enters the inside of the rectangular o-ring groove, To solve, the low elastic O-ring is seated in the space of the triangle formed by the body part, the dielectric part and the cap part. By adopting a triangular external o-ring space, o-rings are formed in a triangular structure, maximizing the sealing effect.

도 1a 및 1b는 종래 기술에 의한 플라즈마 반응기의 구성도이다.
도 2 및 3은 종래 기술에 따른 플라즈마 반응기에서의 실링 구조의 확대도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시 조립도이고, 도 5는 단면도이다.
도 6 및 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 실링 구조를 이용한 결합 방식을 설명하는 도면이다.1A and 1B are block diagrams of a conventional plasma reactor.
2 and 3 are enlarged views of a sealing structure in a plasma reactor according to the prior art.
FIG. 4 is a perspective view of a plasma reactor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a sectional view.
6 and 7 are views illustrating a coupling method using a sealing structure of a plasma reactor according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 도면을 참조하여 상세하게 설명하고자 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. 또한, 본 명세서 전반에 걸쳐 표시되는 약어는 본 명세서 내에서 별도의 다른 지칭이 없다면 당업계에서 통용되어, 이해되는 수준으로 해석되어야 한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification. In addition, abbreviations displayed throughout this specification should be interpreted to the extent that they are known and used in the art unless otherwise indicated herein.

도 1a 및 1b는 종래 기술에 의한 플라즈마 반응기의 구성도이다.1A and 1B are block diagrams of a conventional plasma reactor.

도 1a 및 1b를 참조하면, 종래 기술에 의한 플라즈마 반응기는, 원통형 바디(20)와 상기 원통형 바디(20)의 내측에 구비되며, 상기 원통형 바디(10)보다 긴 길이를 갖는 원통형 유전체(10)가 있다. 상기 원통형 유전체는 석영과 같은 재질로서, 내부로 유입되는 반도체 공정 부산물이 내부에서 플라즈마 반응에 따라 형성되는 세정가스 라디칼(예를 들어 불소 라디칼)에 의하여 분해된다. 1A and 1B, a plasma reactor according to the related art includes a cylindrical body 20 and a cylindrical dielectric body 10 disposed inside the cylindrical body 20 and having a length longer than that of the cylindrical body 10, . The cylindrical dielectric is made of a material such as quartz and is decomposed by a cleaning gas radical (for example, fluorine radical) which is formed in the semiconductor reaction by-products introduced into the inside of the cylindrical dielectric.

따라서, 상기 플라즈마 반응기의 원통형 유전체(10)의 측면에는 플라즈마를 생성하기 위한 마이크로웨이브 및 상기 생성된 마이크로웨이브에 의하여 라디칼이 생성되는 불소, 또는 플라즈마 등이 유입되는 별도의 유입부(11)가 구비될 수 있다. Therefore, a side wall of the cylindrical dielectric 10 of the plasma reactor is provided with a microwave for generating plasma and a separate inlet 11 for introducing radicals such as fluorine or plasma generated by the generated microwave. .

또한, 상기 플라즈마 반응기의 상부에는 챔버 등으로부터 발생한 부산물이 유입되는 주입부(31)가 구비된 별도의 캡(30)이 구비된다. 상기 부산물은 가스 또는 고체 형태일 수 있으며, 챔버 등의 포어 라인과 연결된 펌프로 유입되는 경우, 펌프 블레이드 등에 고착화되어, 여러 가지 기계적인 문제를 일으킬 수 있다. In addition, a separate cap 30 having an injection part 31 through which a byproduct generated from a chamber or the like is introduced is provided in the upper part of the plasma reactor. The by-product may be in the form of a gas or a solid, and when it is introduced into a pump connected to a foreline of a chamber or the like, the by-product may stick to a pump blade or the like and cause various mechanical problems.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 상기 부산물을 처리하기 위하여 플라즈마 반응기가 포어 라인에 구비된다. To solve this problem, a plasma reactor is provided in the foreline to treat the byproduct.

종래 기술에 따른 플라즈마 반응기는, 상기 원통형 바디(20)에는 상기 플라즈마 반응기로부터의 라디칼 등이 외부로 유출되는 것을 방지하기 위한 러버 재질의 오-링(O-ring, 40)이 구비되는데, 이를 위하여 별도의 사각 홈이 원통형 바디(20)에 구비된다. 이러한 구성은 통상의 기계 설비에서의 실링 효과를 위한 오-링 기술인데, 문제는 실제로 반도체 부산물을 제거하기 위한 라디칼 종은 매우 반응성이 높은 불소 라디칼이라는 점이다. 이를 위해서는 매우 낮은 탄성의 러버 재질을 사용하여야 하는데, 이 경우, 통상의 높은 탄성을 갖는 오-링을 사용한 종래 기술이 적합하지 않다는 문제가 있다. In the plasma reactor according to the related art, the cylindrical body 20 is provided with an O-ring 40 made of a rubber material for preventing radicals and the like from flowing out from the plasma reactor to the outside. A separate square groove is provided in the cylindrical body 20. [ This configuration is an o-ring technology for sealing effects in normal mechanical equipment. The problem is that the radical species for removing semiconductor by-products is a highly reactive fluorine radical. For this purpose, it is necessary to use a rubber material of very low elasticity. In this case, there is a problem that conventional techniques using an ordinary o-ring having high elasticity are not suitable.

도 2 및 3은 종래 기술에 따른 플라즈마 반응기에서의 실링 구조의 확대도이다.2 and 3 are enlarged views of a sealing structure in a plasma reactor according to the prior art.

도 2 및 3을 참조하면, 상기 사각형의 오-링 안착 홈에 오-링이 안착되며, 상기 오-링의 두께는 사각형의 오-링을 초과하게 된다. 통상의 탄성을 갖는 오-링인 경우, 캡이 눌러짐에 따라 일정 탄성을 갖는 오-링이 이에 반발함으로써 실링 효과가 커지게 되나, 퍼플로(per-floro) 러버와 같은 저탄성, 고내식의 러버인 경우, 캡에 대하여 반발하지 않고 내부의 사각 오-링 홈 내부로 들어가서, 상기 안착 홈만을 채우게 된다. 이 경우, 눌러지는 힘과 이에 반발하는 탄성 재질 사이의 상호 작용으로 인한 실링 효과가 없어지게 된다. Referring to FIGS. 2 and 3, an O-ring is seated in the rectangular O-ring seating groove, and the thickness of the O-ring exceeds a square O-ring. In the case of an o-ring having normal elasticity, an o-ring having a certain elasticity is repelled by the cap as it is pressed, thereby increasing the sealing effect. However, a low elasticity and high corrosion resistance such as a per- In the case of rubber, it does not repel against the cap but enters the inside of the rectangular o-ring groove to fill only the seat groove. In this case, there is no sealing effect due to the interaction between the pressing force and the resilient material repelling thereto.

따라서, 본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위한 것으로서, 원통형 바디 외부에 저탄성, 고내식 재질의 오-링을 구비시키며, 특히 원통형 바디와 원통형 유전체, 그리고 상기 캡부에 의하여 형성되는 삼각형의 오-링 안착 공간에 오-링을 안구비시킨다. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide an o-ring having a low elasticity and a high corrosion resistance and having a cylindrical body, a cylindrical dielectric, and a triangular o- Place the o - ring in the ring seating space.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시 조립도이고, 도 5는 단면도이다.FIG. 4 is a perspective view of a plasma reactor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a sectional view.

도 4 및 5를 참조하면, 반도체 공정 부산물을 플라즈마화된 라디칼로 처리하는 플라즈마 반응기로서, 상기 플라즈마 반응기(100)는, 원통형 바디부(110); 상기 원통형 바디부(110) 내측에 구비되며, 상기 원통형 바디부(110)보다 높은 길이를 갖는 원통형 유전체(120)를 포함한다. 상기 원통형 바디부(110) 및 원통형 유전체(120)의 기능과 재질 등은 상술한 바와 같으므로, 이하 이를 생략한다. 상기 원통형 유전체(120)는 원통형 바디부(110)의 내부를 상하로 관통하여 구비되며, 상기 원통형 바디부(110)의 상하 양단보다 돌출된 상태를 유지한다.Referring to FIGS. 4 and 5, a plasma reactor for treating semiconductor process by-products with a plasmaized radical, the plasma reactor 100 comprising: a cylindrical body 110; And a cylindrical dielectric body 120 disposed inside the cylindrical body 110 and having a length greater than that of the cylindrical body 110. The functions and materials of the cylindrical body 110 and the cylindrical dielectric 120 are the same as those described above. The cylindrical dielectric body 120 is provided so as to pass through the inside of the cylindrical body portion 110 up and down, and maintains a state protruding from both upper and lower ends of the cylindrical body portion 110.

하지만, 본 발명에서 상기 원통형 유전체(120) 및 바디부(110)의 상단에 구비되어, 내부의 반응 공간을 형성시키는 캡부(140)는, 상기 원통형 유전체(120)와 바디부(110)과 접하는 공간에서 소정 각도로 경사진 단면(141)을 갖는다. 이로써 하부의 원통형 바디부(110), 측면의 원통형 유전체(120) 및 상기 캡부(140)의 경가진 단면(141)에 의하여 형성되는 삼각형의 공간을 갖는다. 본 발명에서 상기 삼각형의 공간에는 오-링이 안착되므로, 이하 오-링 안착 공간(s)으로 지칭된다. However, in the present invention, the cap part 140 provided at the upper ends of the cylindrical dielectric body 120 and the body part 110 to form a reaction space therein is formed by the cylindrical dielectric body 120 and the body part 110, And has a cross section 141 inclined at a predetermined angle in space. Thereby having a triangular space defined by the lower cylindrical body portion 110, the cylindrical dielectric body 120 on the side and the tapered end surface 141 of the cap portion 140. In the present invention, since the o-ring is seated in the triangular space, it is hereinafter referred to as an o-ring seating space (s).

본 발명은 도 1 내지 3에서 예시한 종래 기술과 같이 바디부의 내부로 저탄성 재질의 오-링을 안착시키는 대신, 상기 바디부의 외부로 오-링을 안착시킨다. 특히 사각 구조의 내부 공간이 아닌, 삼각 구조의 외부 오-링 공간을 채용함으로써, 삼각 구조로 오-링을 형성시키며, 실링 효과를 극대화한다. The present invention seats the o-ring to the outside of the body part instead of placing the o-ring of low elasticity into the inside of the body part as in the prior art illustrated in Figs. In particular, by adopting a triangular external o-ring space instead of an internal space of a square structure, an o-ring is formed in a triangular structure and the sealing effect is maximized.

도 6 및 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 실링 구조를 이용한 결합 방식을 설명하는 도면이다.6 and 7 are views illustrating a coupling method using a sealing structure of a plasma reactor according to an embodiment of the present invention.

도 6 및 7을 참조하면, 하부의 원통형 바디부(110), 측면의 원통형 유전체(120) 및 상기 캡부(140)의 경사진 단면(141)에 의하여 형성되는 삼각형의 오-링 안착 공간(s)이, 플라즈마 반응기(100)에 형성된다. 최초 캡부(140)가 상기 원통형 유전체(120) 및 원통형 바디부(110)에 의하여 결합되기 전, 상기 원통형 바디부(110)로 오-링(130)이 올려진다. 상기 오-링은 고반응의 불소 라디칼에 대한 저항성을 가지므로, 높은 내식성을 가지나, 매우 낮은 탄성을 갖는 퍼플로 오-링일 수 있다. 6 and 7, a triangular o-ring seating space s (t) formed by the lower cylindrical body portion 110, the cylindrical dielectric body 120 on the side and the inclined end face 141 of the cap portion 140 ) Are formed in the plasma reactor 100. The O-ring 130 is raised to the cylindrical body 110 before the initial cap 140 is joined by the cylindrical dielectric 120 and the cylindrical body 110. The o-ring has a high resistance to fluorine radicals, so it has high corrosion resistance, but it can be a perfluoro ring having very low elasticity.

이후, 상기 캡부(140)가 상기 원통형 유전체(120) 및 원통형 바디부(110)로 결합되며, 이에 따라 상기 삼각형의 오-링 안착 공간(s)이 형성된다. 이에 따라 상기 오-링 안착 공간(s)에 대응되는 오-링은, 상기 캡부(140)가 누름에 따라 상기 오-링 안착 공간(s) 형태로 변형된다. 특히 본 발명에 따른 오-링은 높은 내식성을 갖는 대신 낮은 탄성을 가지므로, 상기 오-링 안착 공간(s) 형태로 변형되며, 이로써 삼각 형태의 오-링이 상기 원통형 바디부 상에 형성되며, 상기 오-링은 원통형 바디부(110), 원통형 유전체(120) 및 캡부(140)와 동시에 접촉한다. 이로써 상기 원통형 바디부(110)와 유전체(120)로 이동하는 불소 라디칼 경로를 상기 오-링(130)이 보다 긴 경로로 블록하게 된다. The cap portion 140 is then coupled to the cylindrical dielectric body 120 and the cylindrical body portion 110 so that the triangular o-ring seating space s is formed. Accordingly, the o-ring corresponding to the o-ring seating space s is deformed into the o-ring seating space s as the cap portion 140 is pressed. In particular, the o-ring according to the present invention is deformed in the shape of the o-ring seating space (s) because it has a low elasticity instead of having high corrosion resistance, whereby a triangular o-ring is formed on the cylindrical body part , The o-ring contacts the cylindrical body portion 110, the cylindrical dielectric body 120 and the cap portion 140 at the same time. This causes the O-ring 130 to block the longer path of the fluorine radical path moving to the cylindrical body 110 and the dielectric 120.

이와 같이 본 발명은 상기 원통형 바디부(110) 외부에 저탄성의 오-링을 구비시키고, 상기 원통형 바디부(110)보다 높은 높이를 갖는 유전체 벽면과, 경사진 단면의 캡부 구조를 통하여, 상기 바디부(110) 외부에 삼각형의 오-링 공간을 형성시킨다. 이로써 저탄성의 오-링의 특성을 활용하여, 우수한 실링 효과를 갖는 플라즈마 반응기가 제조될 수 있다. As described above, according to the present invention, a low-elasticity O-ring is provided on the outside of the cylindrical body 110, a dielectric wall surface having a height higher than that of the cylindrical body 110, Thereby forming a triangular o-ring space outside the body portion 110. By utilizing the characteristics of the low-elasticity o-ring, a plasma reactor having an excellent sealing effect can be manufactured.

더 나아가, 본 발명에 따르면, 이러한 외부 안착 오-링 구조는 상기 바디부(110)와 유전체(120) 사이에 구비되는 밀봉재와의 동시 사용에 따라 실링 효과를 극대화시킬 수 있다. 즉, 종래 기술의 경우, 상기 밀봉재는 사각 형의 오-링 홈 내부로 오-링이 매몰됨에 따라, 밀봉재 자체로만 반응기 사이의 공간을 밀봉하였으나, 본 발명의 경우, 상기 밀봉재는, 반응기 바이부의 외부에 구비되며, 삼각 형상의 오-링 안착 공간 내에서 삼각형으로 변형되는 오-링까지 밀봉하므로, 밀봉 효과가 극대화된다. Furthermore, according to the present invention, the external seating o-ring structure can maximize the sealing effect according to the simultaneous use of the sealing material provided between the body 110 and the dielectric 120. That is, in the case of the prior art, the sealing material seals the space between the reactors only with the sealing material itself as the o-ring is buried into the square-shaped o-ring groove. However, in the case of the present invention, And is sealed to an o-ring which is deformed into a triangle in an o-ring seating space of a triangular shape, thereby maximizing the sealing effect.

이하 나머지 구성은 상기 일 실시예와 동일한 바 상세한 설명을 생략한다. The remaining configuration is the same as that of the above-described embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.

상기와 같이 본 발명을 예시된 도면을 참조로 설명하였으나, 본 발명은 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 한정되지 않고, 본 발명의 기술사상이 보호되는 범위 이내에서 다양한 조합을 통해 당업자에 의해 응용이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, This is possible.

Claims (5)

반도체 공정 부산물을 플라즈마화된 라디칼로 처리하는 플라즈마 반응기로서, 상기 플라즈마 반응기(100)는,
원통형 바디부(110);
상기 원통형 바디부(110)를 상하로 관통하여 구비되며, 상기 원통형 바디부(110)의 상하 양단보다 돌출된 원통형 유전체(120);
상기 원통형 유전체(120)의 돌출된 외측면과 접촉하여 구비되며, 상기 원통형 바디부(110) 상부에 구비되는 오-링(130);
상기 원통형 바디부(110) 및 상기 원통형 유전체(120)에 구비되어, 상기 원통형 유전체(120) 내부에서 발생하는 라디칼이 상기 원통형 유전체(120) 외부로 유출되는 것을 방지하는 캡부(140)를 포함하며, 여기에서 상기 오-링(130)은 상기 원통형 유전체(120), 상기 원통형 바디부(110) 및 상기 캡부(140)에 의하여 형성되는 삼각형 공간 내에 안착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기. 1. A plasma reactor for treating a semiconductor process by-product with a plasmaized radical, the plasma reactor (100)
A cylindrical body portion 110;
A cylindrical dielectric body 120 formed to penetrate the cylindrical body portion 110 up and down and protruding from both upper and lower ends of the cylindrical body portion 110;
An O-ring 130 provided on the cylindrical body 110 in contact with a protruded outer surface of the cylindrical dielectric body 120;
And a cap 140 disposed on the cylindrical body 110 and the cylindrical dielectric 120 to prevent radicals generated in the cylindrical dielectric 120 from flowing out of the cylindrical dielectric 120. [ , Wherein the O-ring (130) is seated within a triangular space formed by the cylindrical dielectric (120), the cylindrical body portion (110) and the cap portion (140). 제 1항에 있어서,
상기 원통형 바디부(110)의 측면에는 플라즈마 생성을 위한 마이크로웨이브가 유입되는 유입부가 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기. The method according to claim 1,
Wherein a side of the cylindrical body part (110) is provided with an inlet part through which a microwave for plasma generation flows. 제 2항에 있어서,
상기 라디칼은 불소 라디칼인 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기. 3. The method of claim 2,
Wherein the radical is a fluorine radical. 제 3항에 있어서,
상기 오-링(130)은 상기 불소 라디칼에 대한 저항성을 갖는 내불소 러버로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기. The method of claim 3,
The O-ring (130) is made of fluorine rubber resistant to the fluorine radical. 제 1항에 있어서,
상기 캡부(140)에는 상기 반도체 공정 부산물이 유입되는 주입부가 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기. The method according to claim 1,
Wherein the cap unit (140) is provided with an injection unit into which the semiconductor process byproduct flows.
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