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KR101439279B1 - Heater and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

Heater and substrate processing apparatus having the same Download PDF

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Publication number
KR101439279B1
KR101439279B1 KR1020130080828A KR20130080828A KR101439279B1 KR 101439279 B1 KR101439279 B1 KR 101439279B1 KR 1020130080828 A KR1020130080828 A KR 1020130080828A KR 20130080828 A KR20130080828 A KR 20130080828A KR 101439279 B1 KR101439279 B1 KR 101439279B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
receiving groove
wire
heater
heating
substrate
Prior art date
Application number
KR1020130080828A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김경희
이경선
임현준
Original Assignee
(주)티티에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)티티에스 filed Critical (주)티티에스
Priority to KR1020130080828A priority Critical patent/KR101439279B1/en
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Abstract

The present invention relates to a heater and a substrate processing apparatus having the same. The present invention includes a heating line which is arranged to heat an object having an area and includes multiple patterns, a wire which is connected to the heating line, a connection part which connects the wire and the heating line, a first receiving groove which receives the heating line, a second receiving groove which receives the wire, and a receiving plate which has a slope in a region where the first receiving groove is connected to the second receiving groove. The heating line and the wire are stably received in the heater. The durability of the heater is stable. Therefore, the productivity of a substrate processing apparatus can be improved.

Description

가열기 및 이를 구비하는 기판 처리 장치{Heater and substrate processing apparatus having the same}HEATER AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME

본 발명은 가열기 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 내구성을 향상시킬 수 있는 가열기 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heater and a substrate processing apparatus having the same, and more particularly, to a heater capable of improving durability and a substrate processing apparatus having the heater.

일반적으로 반도체 소자, 유기 소자 그리고 솔라셀 소자는 복수의 박막을 증착하고, 식각하여 원하는 특성의 소자를 제작한다. 이러한 박막을 증착하거나 식각하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치의 경우, 고온에서 공정이 진행된다. 이때, 기판은 진공 분위기에서 처리된다. 이러한 기판 처리 장치에서 기판을 처리하기 위하여, 공정 챔버 내측에는 기판이 유입되고, 기판을 지지하며 고온으로 가열하는 기판 가열 장치가 위치한다.In general, a semiconductor device, an organic device, and a solar cell device deposit a plurality of thin films and etch them to fabricate devices of desired characteristics. In the case of a substrate processing apparatus that performs a process of depositing or etching such a thin film, the process proceeds at a high temperature. At this time, the substrate is processed in a vacuum atmosphere. In order to process the substrate in such a substrate processing apparatus, a substrate is introduced into the process chamber, and a substrate heating apparatus for supporting the substrate and heating it to a high temperature is located.

이때, 기판을 가열하기 위해 기판 가열 장치에 가열기가 구비될 수 있다. 가열기는 내부에 서로 연결되는 발열선과 도선을 포함하고 있다. 그러나 가열기의 내부 형상 때문에, 발열선이나 도선이 가열기에 안정적으로 수납되지 못할 수 있다. 즉, 발열선을 수납하는 영역과 도선을 수납하는 영역 사이에 존재하는 단턱 때문에 발열선이나 도선 등이 들뜨게 될 수 있다. 이에, 발열선이나 도선을 무리하게 가열기에 수납하려고 하면, 가열기가 파손되거나 발열선과 도선의 연결된 부분이 끊어지는 문제가 생길 수 있고, 후에 가열기 고장의 원인이 될 수 있다. 또한, 상기의 문제로 인해 가열기의 제작시간이 길어질 수 있다.At this time, a heater may be provided in the substrate heating apparatus to heat the substrate. The heater includes a heating wire and a wire connected to each other inside. However, due to the internal shape of the heater, the heating wire or the wire may not be stably stored in the heater. That is, a heating line or a lead wire can be lifted due to a step that exists between a region for accommodating the heating wire and an area for accommodating the wire. Therefore, if the heating wire or the wire is unreasonably stored in the heater, the heater may be broken or the connecting portion of the heating wire and the wire may break, which may cause the heater to break down later. Further, the manufacturing time of the heater can be prolonged due to the above problems.

한국등록특허공보 10-0949115Korean Patent Publication No. 10-0949115

본 발명은 발열선과, 도선, 등이 안정적으로 수납될 수 있는 가열기 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a heater capable of stably holding a heating wire, a wire, and the like, and a substrate processing apparatus having the heater.

본 발명은 내구성을 향상시키고, 제작시간을 단축할 수 있는 가열기 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a heater capable of improving durability and shortening a manufacturing time, and a substrate processing apparatus having the heater.

본 발명의 실시 형태에 따른 가열기는 면적을 갖는 피처리물을 가열하는 장치로서,A heater according to an embodiment of the present invention is an apparatus for heating an object to be processed having an area,

상기 면적을 가열하도록 배치되고, 복수의 턴을 포함하는 발열선과;A heating line arranged to heat the area, the heating line including a plurality of turns;

상기 발열선과 연결되는 도선; A wire connected to the heating wire;

상기 발열선과 상기 도선을 연결시켜주는 연결부; 및A connecting portion connecting the heating wire and the lead wire; And

상기 발열선이 수납되는 제1 수납홈과, 상기 도선이 수납되는 제2 수납홈, 및 상기 제1 수납홈과 상기 제2 수납홈이 연결되는 영역에 경사면을 구비하는 수납플레이트를 포함한다.And a receiving plate having a first receiving groove for receiving the heating wire, a second receiving groove for receiving the wire, and a slope in a region where the first receiving groove and the second receiving groove are connected.

상기 발열선의 턴의 직경이 상기 도선의 직경 보다 크게 형성된다.The diameter of the turn of the heating wire is larger than the diameter of the wire.

상기 제1 수납홈 바닥면의 높이가 상기 제2 수납홈 바닥면의 높이보다 낮게 형성되고, 상기 경사면이 제2 수납홈에서 제1 수납홈을 향하여 하향경사진다.The height of the bottom surface of the first receiving groove is formed to be lower than the height of the bottom surface of the second receiving groove and the inclined surface is inclined downward from the second receiving groove toward the first receiving groove.

상기 경사면은 제2 수납홈보다 제1 수납홈에 근접하게 구비된다.The inclined surface is provided closer to the first receiving groove than the second receiving groove.

상기 경사면의 기울기 각도는 10도 이상 30도 이하이다.The tilt angle of the inclined surface is not less than 10 degrees and not more than 30 degrees.

상기 경사면이 곡면으로 형성된다.The inclined surface is formed into a curved surface.

본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버;A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a chamber in which a processing space is formed;

상기 챔버 내부에 구비되어 기판을 가열하는 가열기;를 포함하고,And a heater provided inside the chamber to heat the substrate,

상기 가열기는 발열선이 수납되는 제1 수납홈, 도선이 수납되는 제2 수납홈, 및 상기 제1 수납홈과 상기 제2 수납홈이 연결되고 위치에 따라 깊이가 다른 연결면이 형성되는 연결 영역을 구비하는 수납플레이트를 포함한다.The heater includes a first receiving groove in which a heating wire is received, a second receiving groove in which a lead wire is received, and a connecting region in which the first receiving groove and the second receiving groove are connected, And includes a receiving plate.

상기 제1 수납홈의 폭은 상기 제2 수납홈의 폭 보다 크고, 상기 연결 영역은 곡면을 구비하며, 상기 발열선과 상기 도선은 상기 연결 영역에서 연결된다.The width of the first receiving groove is larger than the width of the second receiving groove, and the connecting region has a curved surface, and the heating wire and the lead wire are connected in the connecting area.

상기 제1 수납홈의 깊이는 상기 제2 수납홈의 깊이보다 크고, 상기 연결면은 상기 제2 수납홈에서 상기 제1 수납홈을 향하여 기울어지게 형성된다.The depth of the first receiving groove is larger than the depth of the second receiving groove, and the connecting surface is formed to be inclined from the second receiving groove toward the first receiving groove.

상기 수납플레이트의 상부에 기판이 안착되는 덮개가 구비된다.And a lid on which the substrate is placed is provided on the upper portion of the storage plate.

상기 수납플레이트는 기판을 지지하는 지지플레이트 내부 또는 하부에 구비된다.The storage plate is provided inside or below the support plate for supporting the substrate.

본 발명의 실시 형태에 따른 가열기 및 이를 구비하는 기판 처리 장치는 발열선, 도선, 및 이들의 연결부가 배치되는 수납홈을 상기 선들이 용이하게 수납될 수 있도록 가공한다. 즉, 가열기 내부의 발열선을 수납하는 영역과 도선을 수납하는 영역 사이에 존재하는 단턱을 경사진 형태로 가공할 수 있다. 이에, 발열선, 도선, 및 이들의 연결부가 가열기 내부로 수납되는 것을 방해할 수 있는 단턱의 높이를 낮추거나 단턱을 없앨 수 있다.The heater and the substrate processing apparatus having the heater according to the embodiments of the present invention process the heating wires, the wires, and the receiving grooves in which the connecting portions are disposed so that the wires can be easily accommodated. That is, the step that exists between the area for accommodating the heating wire inside the heater and the area for accommodating the wire can be processed to be inclined. Accordingly, it is possible to lower the height of the step or the step that can prevent the heating wire, the wire, and the connecting portion of the heating wire, the wire, and the connecting portion from being housed in the heater.

이처럼 단턱이 가공되면, 발열선이나 도선 등이 가열기 내부로 안정적으로 수납될 수 있다. 이로부터, 단턱을 피해 발열선이나 도선 등을 무리하게 가열기 내부로 수납하지 않아도 되기 때문에, 가열기의 내구성이 향상될 수 있고, 가열기의 제작시간도 단축될 수 있다. 또한, 가열기의 내구성이 안정됨으로써 기판 처리 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.When the step is machined in this way, the heating wire or the wire can be stably stored in the heater. Accordingly, since the heating wire and the wire are not forced to be housed in the heater in a step-by-step manner, the durability of the heater can be improved and the manufacturing time of the heater can be shortened. Further, since the durability of the heater is stabilized, the productivity of the substrate processing apparatus can be improved.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 가열기를 나타내는 평면도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 수납플레이트의 부분 단면도.
도 4a는 종래의 수납플레이트의 부분 사시도.
도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 수납플레이트의 부분 사시도.
도 4c는 본 발명의 변형 예에 따른 수납플레이트의 부분 사시도.
도 4d는 본 발명의 다른 변형에 따른 수납플레이트의 부분 사시도.1 is a sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
2 is a plan view showing a heater according to an embodiment of the present invention;
3 is a partial cross-sectional view of a receiving plate according to an embodiment of the present invention.
4A is a partial perspective view of a conventional receiving plate;
FIG. 4B is a partial perspective view of a storage plate according to an embodiment of the present invention. FIG.
4C is a partial perspective view of a storage plate according to a modification of the present invention.
Figure 4d is a partial perspective view of a receiving plate according to another variant of the invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장될 수 있고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. To illustrate the invention in detail, the drawings may be exaggerated and the same reference numbers refer to the same elements in the figures.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 가열기를 나타내는 평면도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 수납플레이트의 부분 단면도이고, 도 4a는 종래의 수납플레이트의 부분 사시도이고, 도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 수납플레이트의 부분 사시도이고, 도 4c는 본 발명의 변형 예에 따른 수납플레이트의 부분 사시도이고, 도 4d는 본 발명의 다른 변형에 따른 수납플레이트의 부분 사시도이다.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a heater according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a partial cross-sectional view of a storage plate according to an embodiment of the present invention 4A is a partial perspective view of a conventional receiving plate, FIG. 4B is a partial perspective view of a receiving plate according to an embodiment of the present invention, FIG. 4C is a partial perspective view of a receiving plate according to a modification of the present invention, Fig. 6 is a partial perspective view of a receiving plate according to another modification of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 기판의 처리 공간을 형성하는 챔버(100), 기판이 처리되는 공간에 위치하여 기판(s)을 지지하고 가열하는 기판 가열 장치(200), 기판 가열 장치의 상측에 기판 가열 장치와 마주보며 배치되는 가스 공급부(500), 및 진공형성부(미도시)를 포함한다. 이때, 기판 처리 장치는 기판 상에 박막을 형성하는 장치, 기판을 열처리하는 장치, 또는 기판 위에 박막을 식각하는 장치일 수 있다.1, a substrate processing apparatus includes a chamber 100 forming a processing space for a substrate, a substrate heating apparatus 200 for supporting and heating the substrate s located in a space where the substrate is processed, A gas supply part 500 disposed on the upper side facing the substrate heating device, and a vacuum forming part (not shown). At this time, the substrate processing apparatus may be an apparatus for forming a thin film on a substrate, an apparatus for heat-treating the substrate, or an apparatus for etching a thin film on a substrate.

챔버(100)는 기판(s)이 내부에 배치되어 공정이 수행될 수 있는 공간을 형성하고 이에 내부공간을 갖는 중공형의 통 형상으로 제작된다. 챔버(100)의 적어도 어느 한 면에는 기판(s)을 챔버(100) 내부로 로딩 또는 언로딩 할 수 있는 한 개 이상의 게이트 밸브(미도시)가 마련될 수 있다. 또한 챔버(100)는 일체형으로 제작되거나, 챔버(100)와 챔버(100) 내부의 장비들을 유지보수하기 위한 작업을 수행할 수 있도록 여러 부분으로 분리될 수 있게 제작될 수도 있다. 그러나, 챔버(100)의 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The chamber 100 is formed into a hollow cylindrical shape having a space in which a substrate s can be disposed and a process can be performed and has an internal space therein. At least one side of the chamber 100 may be provided with one or more gate valves (not shown) capable of loading or unloading the substrate s into the chamber 100. In addition, the chamber 100 may be integrally manufactured or may be manufactured in various parts so as to perform operations for maintaining the chamber 100 and the equipment inside the chamber 100. However, the shape of the chamber 100 is not limited to this and may vary.

가스 공급부(500)는 챔버(100) 내부 상단에 설치되어 공정 가스를 기판 상에 분사하는 가스 분사기(510)와 가스 분사기(510)에 연결되어 챔버(100) 외부에서 공정 가스를 공급하는 원료 저장부(520)를 포함한다. 또한, 가스 공급부(500)에는 가스 저장부(520)에서 가스 분사기(510)에 공급되는 공정 가스의 양을 제어하기 위한 분사량 제어기(미도시)가 설치될 수 있다. 가스 분사기(510)는 샤워헤드 타입으로 기판(s)을 향하여 공정 가스를 분사한다. 물론 가스 분사기(510)는 샤워헤드 타입 외에 인젝터나 노즐 등 다양한 형태로 제작될 수 있다. 또한, 챔버(100) 내에서 수행되는 작업에 따라 기상화된 원료물질, 캐리어 가스, 반응가스, 세정가스 등 다양한 처리가스가 사용될 수 있다. 공정 가스로 단일 원료 가스를 사용할 수도 있고, 복수의 원료를 함께 사용할 수도 있다.The gas supply unit 500 is connected to the gas injector 510 and the gas injector 510 installed at the upper end of the chamber 100 to inject the process gas onto the substrate, (520). In addition, an injection amount controller (not shown) for controlling the amount of process gas supplied from the gas storage part 520 to the gas injector 510 may be installed in the gas supply part 500. The gas injector 510 injects the process gas toward the substrate s in a showerhead type. Of course, the gas injector 510 may be manufactured in various forms such as an injector, a nozzle, etc., in addition to a showerhead type. In addition, various processing gases such as vaporized raw material, carrier gas, reactive gas, cleaning gas, etc. may be used according to the operation performed in the chamber 100. A single raw material gas may be used as the process gas, or a plurality of raw materials may be used together.

챔버(100) 외부에 위치한 진공 형성부(미도시)는 챔버(100) 내부를 진공 상태로 형성하기 위해 챔버(100) 내부의 가스를 챔버(100) 외부로 배기한다. 이때, 진공 형성부는 배관을 통해 챔버(100)의 내부공간과 연결되어 있고, 챔버(100) 내부의 압력을 일정하게 유지시켜주는 압력유지기(미도시)를 포함할 수 있다. 또한, 진공 형성부는 챔버(100) 내에서 공정 중 발생하는 부산물 및 미반응 물질들을 챔버(100)의 외부로 배기할 수 있다. A vacuum forming unit (not shown) located outside the chamber 100 exhausts the gas inside the chamber 100 to the outside of the chamber 100 to form a vacuum state inside the chamber 100. At this time, the vacuum forming unit may include a pressure maintaining unit (not shown) connected to the internal space of the chamber 100 through a pipe and maintaining a constant pressure in the chamber 100. In addition, the vacuum forming part can exhaust the byproducts and unreacted materials generated during the process in the chamber 100 to the outside of the chamber 100.

기판 가열 장치(200)는 기판(s)이 안착되는 지지플레이트(250)와 지지플레이트(250)의 내부나 하부에 설치되어 기판(s)을 가열하는 가열기(210), 및 상기 지지플레이트(250)나 가열기(210)의 하부와 결합하여 지지플레이트(250)와 가열기(210)를 지지해주는 지지축(270)을 포함한다. 지지플레이트(250)는 원형의 판 모양으로 형성되어 기판(s)이 안착될 수 있다. 물론, 지지플레이트(250)의 형상은 한정되지 않고 다양할 수 있다. 가열기(210)에 대해서는 하기에서 자세히 설명하도록 한다. 지지축(270)은 지지플레이트(250)의 하측 중심부분과 결합할 수 있다. 지지축(270)은 내부에 전선이 지나가는 통로를 형성하여, 가열기(210)나 지지플레이트(250)에 구비되는 장치들에 전원을 공급할 수 있다. 이때, 전원 공급 장치(400)는 외부에 구비되어, 기판 가열 장치(200)에 전원을 공급할 수 있다. 또한 지지축(270)에는 구동기가 연결되어, 지지플레이트(250)를 상하로 움직이거나, 회전시킬 수 있다.
The substrate heating apparatus 200 includes a support plate 250 on which the substrate s is placed and a heater 210 installed inside or below the support plate 250 to heat the substrate s, And a support shaft 270 for supporting the support plate 250 and the heater 210 in combination with the lower portion of the heater 210. The support plate 250 is formed in a circular plate shape so that the substrate s can be seated. Of course, the shape of the support plate 250 is not limited and may vary. The heater 210 will be described in detail below. The support shaft 270 can engage with the lower central portion of the support plate 250. The supporting shaft 270 forms a passage through which the electric wire is passed to supply power to the devices provided in the heater 210 and the support plate 250. At this time, the power supply device 400 is provided outside and can supply power to the substrate heating device 200. Further, a driver is connected to the support shaft 270, so that the support plate 250 can be moved up or down or rotated.

도 2를 참조하면, 가열기(210)는 면적을 갖는 피처리물을 가열하는 장치로서, 상기 면적을 가열하도록 배치되고, 복수의 턴을 포함하는 발열선(214)과, 상기 발열선(214)과 연결되는 도선(216), 상기 발열선(214)과 상기 도선(216)을 연결시켜주는 연결부(218), 및 상기 발열선(214)이 수납되는 제1 수납홈(212a)과, 상기 도선이 수납되는 제2 수납홈(212b), 및 상기 제1 수납홈(212a)과 상기 제2 수납홈(212b)이 연결되는 영역에 경사면을 구비하는 수납플레이트(212)를 포함한다.Referring to FIG. 2, a heater 210 is a device for heating an object to be processed having an area, and includes a heating line 214 including a plurality of turns and arranged to heat the area, A connecting portion 218 connecting the heating wire 214 and the wire 216 and a first receiving groove 212a in which the heating wire 214 is received, And a receiving plate 212 having an inclined surface in a region where the first receiving groove 212a and the second receiving groove 212b are connected.

발열선(214)은 기판(s)의 전체 영역에 균일하게 열을 공급할 수 있도록 기판(s)의 면적을 따라 배치된다. 발열선(214)은 길이방향과 교차하는 방향으로 감기거나 굴절되는 복수의 턴을 포함하는 코일형태로 형성될 수 있다. 발열선(214)은 전기를 공급받으면 열을 발생시키는 성질을 가지고 있다. 즉, 발열선(214)은 저항선일 수 있고, 이에 전기를 많이 공급받을수록 열을 더 많이 발생시켜 기판(s)에 열을 공급할 수 있다. 그러나, 발열선(214)의 형태나 발열선(214)이 열을 발생시키는 방법은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The heating line 214 is disposed along the area of the substrate s so as to uniformly supply heat to the entire area of the substrate s. The heating line 214 may be formed in the form of a coil including a plurality of turns that are wound or refracted in the direction crossing the longitudinal direction. The heating line 214 has a property of generating heat when supplied with electricity. That is, the heating line 214 may be a resistance line, and as more electricity is supplied, more heat may be generated to supply heat to the substrate s. However, the shape of the heating line 214 and the method of generating heat by the heating line 214 are not limited to this and may vary.

도선(216)은 발열선(214)과 연결되어 있고, 직선의 형태로 배치될 수 있다. 도선(216)은 일선으로 되어있고, 발열선(214)의 선 굵기보다 더 굵게 형성될 수 있다. 도선(216)은 전기가 인가되는 부분으로 발열선(214)에 비해 발열량이 적거나 열을 거의 발생시키지 않는다. 즉, 도선(216)은 거의 무저항 특성을 가지는 전기 전도성 선일 수 있다. 그러나, 도선(216)의 형상이나 크기, 배치되는 모양은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The wire 216 is connected to the heating wire 214 and may be arranged in a straight line. The conductive line 216 is a line and may be formed thicker than the line width of the heating line 214. The conductive wire 216 is a portion to which electricity is applied, and generates less heat or generates little heat as compared with the heating wire 214. In other words, the conductor 216 may be an electrically conductive line having almost no resistivity characteristics. However, the shapes, sizes, and arrangements of the wires 216 are not limited to these and may vary.

연결부(218)는 발열선(214)과 도선(216) 사이에 배치되어, 상기 발열선(214)과 도선(216)을 연결시켜주는 역할을 한다. 연결부(218)는 발열선(214)과 도선(216)은 연결해주기 위해, 이들이 용접되어 일단은 발열선(214)에 접합되고, 타단은 도선(216)에 접합될 수 있다. 또한, 발열선(214)과 도선(216)은 연장되는 방향이 다르기 때문에, 연결부(218)가 굴절되어 발열선(214)과 도선(216)을 연결해 줄 수 있다. 그러나, 연결부(218)의 형상이나 연결부(218)가 발열선(214)과 도선(216)을 연결해주는 방법은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The connection portion 218 is disposed between the heating wire 214 and the wire 216 to connect the heating wire 214 and the wire 216. The connecting portion 218 may be welded so that one end thereof is connected to the heating wire 214 and the other end is connected to the lead wire 216 so that the heating wire 214 and the wire 216 are connected to each other. Since the heating line 214 and the conductive line 216 extend in different directions, the connection portion 218 may be bent to connect the heating line 214 and the conductive line 216. However, the shape of the connection portion 218 and the way in which the connection portion 218 connects the heating wire 214 and the wire 216 are not limited thereto and may vary.

수납플레이트(212)는 상기의 발열선(214), 및 도선(216) 등이 수납되는 부재로, 지지플레이트(250)의 내부 또는 하부에 구비될 수 있다. 또는, 지지플레이트(250) 없이 수납플레이트(212) 상부에 기판(s)이 안착되는 덮개가 구비될 수 있다. 본 발명의 실시 예는 지지플레이트(250) 하부에 수납플레이트(212)가 구비되는 경우에 대해 예시적으로 서술하지만, 적용범위는 이에 한정되지 않고 다양한 가열기에 적용될 수 있다. 수납플레이트(212)는 원형의 판 모양으로 형성될 수 있고, 퀄츠(Quartz)로 이루어질 수 있다. 그러나, 수납플레이트(212)의 형상이나 재질은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다. 또한, 수납플레이트(212)의 상부면에는 상기 발열선(214)과, 도선(216), 및 연결부(218)를 수납하기 위한 홈이 형성될 수 있다. 즉, 발열선(214)을 수납하는 제1 수납홈(212a)과, 도선(216)을 수납하는 제2 수납홈(212b)이 형성될 수 있다. 연결부(218)는 발열선(214)과 도선(216)을 연결해주기 때문에, 제1 수납홈(212a)과 제2 수납홈(212b)이 만나는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 제1 수납홈(212a)과 제2 수납홈(212b)이 연결되는 연결 영역에 연결부(218)가 배치될 수 있다.The storage plate 212 is a member in which the heating wire 214 and the wire 216 are accommodated. The storage plate 212 may be provided inside or below the support plate 250. Alternatively, a cover may be provided on which the substrate s is seated on the storage plate 212 without the support plate 250. Although the embodiment of the present invention describes the case where the receiving plate 212 is provided under the support plate 250, the application range is not limited thereto and can be applied to various heaters. The accommodating plate 212 may be formed in a circular plate shape, and may be made of Quartz. However, the shape and material of the accommodating plate 212 are not limited to these, and may be various. A groove for receiving the heating wire 214, the wire 216, and the connecting portion 218 may be formed on the upper surface of the accommodating plate 212. That is, the first receiving groove 212a for accommodating the heating wire 214 and the second receiving groove 212b for accommodating the wire 216 can be formed. The connecting portion 218 connects the heating wire 214 and the wire 216 so that the connecting portion 218 can be disposed in a region where the first receiving groove 212a and the second receiving groove 212b meet. That is, the connection portion 218 may be disposed in a connection area where the first and second storage grooves 212a and 212b are connected.

도 2 및 도 3을 참조하면, 발열선(214)의 턴 직경(D1)은 도선(216)의 직경(D2)보다 크다. 따라서, 발열선(214)을 수납하는 제1 수납홈(212a)의 깊이(H1)나 폭(W1)이 도선(216)을 수납하는 제2 수납홈(212b)의 깊이(H2)나 폭(W2)보다 더 크게 형성될 수 있다. 즉, 제1 수납홈(212a)과 제2 수납홈(212b)의 바닥면 높이가 똑같이 형성된다면, 도선(216)의 직경(D2)이 발열선(214)의 턴 직경(D1)보다 작아 수납플레이트(212)에 수납될 때, 안정적으로 안착되지 못하고 들뜨게 될 수 있다. 따라서, 도선(216)을 수납플레이트(212)에 안정적으로 수납하기 위해서는 도선(216)이 들뜨는 높이만큼 도선(216)이 수납되는 제2 수납홈(212b)의 바닥면 높이를 높여준다. 2 and 3, the turn diameter D 1 of the heating wire 214 is larger than the diameter D 2 of the lead wire 216. Accordingly, the depth (H 2) of the first receiving groove (212a), the depth (H 1) and width (W 1), a second receiving groove (212b) which is housed a conductive wire 216 of which accommodates a heating wire (214) or Can be formed larger than the width (W 2 ). The diameter D 2 of the lead wire 216 is smaller than the turn diameter D 1 of the heating wire 214 if the bottom surfaces of the first and second receiving grooves 212a and 212b have the same height When housed in the receiving plate 212, can not be stably stowed and can be floated. Therefore, in order to stably store the lead wire 216 on the receiving plate 212, the height of the bottom surface of the second receiving groove 212b in which the lead wire 216 is received is increased by the height of the lead wire 216.

또한, 발열선(214)과 도선(216)을 흔들림없이 안정적으로 수납플레이트(212)에 수납하기 위해, 발열선(214)의 턴 직경(D1)이나 도선(216)의 직경(D2)에 맞추어 제1 수납홈(212a)과 제2 수납홈(212b)의 폭(W2)을 형성할 수 있다. 이에, 제1 수납홈(212a)과 제2 수납홈(212b)의 깊이(H2)와 폭(W2)이 서로 다르게 형성될 수 있고, 이러한 홈의 깊이 차이로 인해 제1 수납홈(212a)과 제2 수납홈(212b)이 만나는 연결 영역에 단차가 생길 수 있다. 또한, 제1 수납홈(212a)과 제2 수납홈(212b)의 형성되는 방향과 폭이 다르기 때문에, 연결 영역은 제1 수납홈(212a)과 제2 수납홈(212b)이 만날 수 있도록 곡면을 가지면서 형성될 수 있고, 제1 수납홈(212a)에서 제2 수납홈(212b)을 향하면서 폭이 좁아질 수 있다.Further, according to the diameter (D 2) of a heating line 214 and the turn diameter (D 1) or the wire 216, the heating wire 214 for receiving the stable housing plate 212, a wire 216, without shaking the first can be formed with a width (W 2) of the receiving groove (212a) and the second receiving groove (212b). Thus, the first receiving groove depth (H2) and width (W 2) this can be formed differently from each other, due to the depth difference in the groove the first receiving groove (212a) in (212a) and the second receiving groove (212b) And the second receiving groove 212b. Since the direction in which the first receiving groove 212a and the second receiving groove 212b are formed is different from the width of the first receiving groove 212a and the second receiving groove 212b in the first receiving groove 212a and the second receiving groove 212b, And the width can be narrowed from the first receiving groove 212a to the second receiving groove 212b.

이때, 단차가 생기는 영역은 연결부(218)가 수납되는 영역이기도 하다. 따라서, 도 4a와 같이, 수납플레이트(212)에 연결부(218)가 수납될 때, 연결부(218)가 제1 수납홈(212a)과 제2 수납홈(212b) 사이의 단차로 인해 생긴 턱(10)과 충돌할 수 있다. 이처럼, 연결부(218)가 상기의 턱(10)과 충돌하게 되면, 연결부(218)가 수납플레이트(212)에 안정적으로 수납되지 못하고, 연결부(218)와 접합된 발열선(214)의 일부가 제1 수납홈(212a)에 안정적으로 수납되지 못해 들뜨게 될 수 있다.At this time, the area where the step difference occurs is also the area where the connection part 218 is housed. 4A, when the connecting portion 218 is received in the receiving plate 212, the connecting portion 218 is inserted into the jaw (not shown) formed by the step between the first receiving groove 212a and the second receiving groove 212b 10). When the coupling part 218 collides with the jaw 10, the coupling part 218 can not be stably stored in the receiving plate 212, and a part of the heating wire 214 joined to the coupling part 218 1 can not be stably housed in the one receiving groove 212a.

따라서, 도 4b와 같이, 상기 수납플레이트(212)에 형성된 턱(10)을 깎거나 가공하여 제1 수납홈(212a)과 제2 수납홈(212b)이 만나는 연결 영역, 즉, 연결부(218)가 수납되는 영역의 바닥면이 위치에 따라 깊이가 다른 면이 되도록 하는 연결면으로 형성할 수 있다. 예를 들어, 연결면을 경사면으로 형성할 수 있다. 경사면은 바닥면의 높이가 높은 제2 수납홈(212b)에서 바닥면의 높이가 낮은 제1 수납홈(212a)을 향하여 하향경사진 형태로 형성될 수 있다. 경사면의 기울어진 각도는 10도 이상 30도 이하일 수 있다. 즉, 경사면의 기울어진 각도가 10도 이상 30도 이하일 때, 연결부(218)와 가공면이 충돌하지 않으면서, 도선(216)의 일부가 가공된 바닥면으로부터 심하게 들뜨는 것을 방지해줄 수 있다. 만약, 경사면이 10도 미만으로 형성되면, 연결부(218)가 가공면과 충돌하지 않을 수 있지만, 연결부(218)와 연결된 도선(216)을 지지해주어야 할 바닥면의 높이가 너무 낮아지게 되어 도선(216)이 바닥면에 안정적으로 안착되지 못할 수 있다. 또한, 경사면이 30도를 초과하여 형성되면, 경사면이 연결부(218)와 충돌하여 경사면을 구비하는 효과가 떨어질 수 있다. 이에, 연결부(218)가 수납플레이트(212)에 안정적으로 수납되지 못하고, 연결부(218)와 접합된 발열선(212)도 들뜨게 될 수 있다.4b, the jaw 10 formed on the receiving plate 212 is cut or processed so that the connecting area where the first receiving groove 212a and the second receiving groove 212b meet, that is, the connecting portion 218, The bottom surface of the area in which the bottom surface is accommodated may have a depth different from the bottom surface depending on the position. For example, the connecting surface may be formed as an inclined surface. The inclined surface may be formed in a downward inclined shape toward the first receiving groove 212a having a lower height in the second receiving groove 212b having a higher height of the bottom surface. The inclined angle of the inclined surface may be 10 degrees or more and 30 degrees or less. That is, when the tilted angle of the inclined surface is 10 degrees or more and 30 degrees or less, a part of the lead wire 216 can be prevented from being excessively lifted from the machined bottom surface without collision between the connection portion 218 and the machined surface. If the inclined surface is formed to be less than 10 degrees, the connection portion 218 may not collide with the processing surface, but the height of the bottom surface to support the conductive wire 216 connected to the connection portion 218 becomes too low, 216 may not be stably mounted on the floor surface. Also, if the inclined surface is formed to be more than 30 degrees, the inclined surface may collide with the connection portion 218 and the effect of providing the inclined surface may be deteriorated. Therefore, the connecting portion 218 can not be stably stored in the receiving plate 212, and the heating wire 212 bonded to the connecting portion 218 can be also lifted.

이때, 경사면은 폭(W2)이 좁은 제2 수납홈(212b)보다 폭(W1)이 넓은 제1 수납홈(212a)에 근접하게 구비될 수 있다. 경사면을 폭이 넓은 영역에 구비할 때, 턱(10)을 경사면으로 가공하기가 더 용이해질 수 있다. 그러나, 경사면의 기울어진 각도나 구비되는 위치는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다. 이렇게 상기 턱(10)을 가공하여 경사면을 구비하면, 연결부(218)가 수납플레이트(212)에 수납될 때, 연결부(218)와 충돌할 수 있는 턱(10)의 높이를 낮추거나 턱(10)을 제거하여, 연결부(218)가 수납플레이트(212)에 안정적으로 수납될 수 있다. 이에, 연결부(212)와 접합된 발열선(214)도 들뜨는 일 없이, 제1 수납홈(212a)에 안정적으로 수납될 수 있다.At this time, the inclined surface may be provided close to the first receiving groove 212a having a width W 1 wider than the second receiving groove 212b having a narrow width W 2 . When the inclined surface is provided in the wide area, it is easier to process the jaw 10 into the inclined surface. However, the tilted angle of the inclined surface and the position of the inclined surface are not limited to this and may vary. When the jaw 10 is machined so as to have an inclined surface, the height of the jaw 10, which may collide with the connecting portion 218, is lowered or the height of the jaw 10 So that the connecting portion 218 can be stably housed in the receiving plate 212. Therefore, the heating wire 214 bonded to the connecting portion 212 can be stably housed in the first receiving groove 212a without being lifted.

한편, 상기의 턱(10)은 다른 형태로 가공될 수 있다. 즉, 연결면이 경사면 대신 곡면의 형태로 턱(10)을 가공될 수 있다. 예를 들면, 도 4c와 같은 볼록한 형태의 곡면을 구비하도록 할 수 있다. 이때, 가공면과 연결부(218)가 충돌하지 않기 위해서는 볼록한 가공면의 중심부 높이가 경사면을 구비할 경우의 가공면 중심부의 높이 이하로 형성되어야 한다. 즉, 볼록한 가공면의 중심부 높이가 상기의 경사명을 구비한 가공면의 중심부 높이보다 높게 형성되면, 연결부(218)가 수납될 때, 곡면의 볼록한 부분이 연결부(218)와 충돌할 수 있다.On the other hand, the jaw 10 can be processed into another shape. That is, the jaw 10 can be machined in the form of a curved surface instead of the inclined surface. For example, it is possible to provide a convex curved surface as shown in Fig. 4C. At this time, in order to prevent the machining surface from colliding with the connecting portion 218, the central portion height of the convex machining surface should be less than the height of the machining surface center portion when the inclined surface is provided. That is, when the central portion height of the convex machining surface is formed to be higher than the center portion height of the machined surface having the inclined name, the convex portion of the curved surface may collide with the joint portion 218 when the joint portion 218 is housed.

또한, 도 4d와 같이, 연결면은 오목한 형태의 곡면을 구비하도록 가공될 수 있다. 오목한 형태의 곡면은 바닥면 높이가 높은 제2 수납홈(212b)에서 바닥면 높이가 낮은 제1 수납홈(212a)을 향하여 형성된다. 이에, 연결부(218)가 수납플레이트(212)에 수납될 때, 들뜨는 일 없이 안정적으로 수납될 수 있다. 그러나, 연결 영역 혹은 연결면의 형태는 이에 한정되지 않고 연결부(218)와 충돌하지 않는 다양한 형태로 제조될 수 있다.
Further, as shown in Fig. 4D, the connecting surface can be machined to have a concavely curved surface. The curved surface of the concave shape is formed toward the first receiving groove 212a having a lower floor height in the second receiving groove 212b having a higher floor height. Thus, when the connecting portion 218 is housed in the receiving plate 212, it can be stably housed without being lifted. However, the shape of the connection region or the connection surface is not limited thereto, and may be manufactured in various shapes that do not collide with the connection portion 218.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although the present invention has been described in detail with reference to the specific embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be defined by the appended claims, as well as the appended claims.

100: 챔버 200: 기판 가열 장치
210: 가열기 212: 수납플레이트
214: 발열선 300: 샤프트
400: 구동부 500: 원료 공급부100: chamber 200: substrate heating device
210: heater 212: storage plate
214: heating wire 300: shaft
400: driving part 500: raw material supplying part

Claims (11)

면적을 갖는 피처리물을 가열하는 가열기로서,
상기 면적을 가열하도록 배치되고, 복수의 턴을 포함하는 발열선과;
상기 발열선과 연결되는 도선;
상기 발열선과 상기 도선을 연결시켜주는 연결부; 및
상기 발열선이 수납되는 제1 수납홈과, 상기 도선이 수납되는 제2 수납홈, 및 상기 제1 수납홈과 상기 제2 수납홈이 연결되는 영역에 경사면을 구비하는 수납플레이트를 포함하는 가열기.A heater for heating an object to be processed having an area,
A heating line arranged to heat the area, the heating line including a plurality of turns;
A wire connected to the heating wire;
A connecting portion connecting the heating wire and the lead wire; And
And a storage plate having an inclined surface at a region where the first storage groove for storing the heating wire, the second storage groove for storing the lead wire, and the first storage groove and the second storage groove are connected. 청구항 1에 있어서,
상기 발열선의 턴의 직경이 상기 도선의 직경 보다 크게 형성되는 가열기.The method according to claim 1,
Wherein a diameter of a turn of the heating wire is larger than a diameter of the wire. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 수납홈 바닥면의 높이가 상기 제2 수납홈 바닥면의 높이보다 낮게 형성되고, 상기 경사면이 제2 수납홈에서 제1 수납홈을 향하여 하향경사진 가열기.The method according to claim 1,
Wherein the height of the bottom surface of the first receiving groove is lower than the height of the bottom surface of the second receiving groove and the inclined surface is inclined downward from the second receiving groove toward the first receiving groove. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 경사면은 제2 수납홈보다 제1 수납홈에 근접하게 구비되는 가열기.The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the inclined surface is provided closer to the first receiving groove than the second receiving groove. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 경사면의 기울기 각도는 10도 이상 30도 이하인 가열기.The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the inclination angle of the inclined surface is not less than 10 degrees and not more than 30 degrees. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 경사면이 곡면으로 형성되는 가열기.The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the inclined surface is formed into a curved surface. 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버;
상기 챔버 내부에 구비되어 기판을 가열하는 가열기;를 포함하고,
상기 가열기는 발열선이 수납되는 제1 수납홈, 도선이 수납되는 제2 수납홈, 및 상기 제1 수납홈과 상기 제2 수납홈이 연결되고 위치에 따라 깊이가 다른 연결면이 형성되는 연결 영역을 구비하는 수납플레이트를 포함하는 기판 처리 장치.A chamber in which a processing space is formed;
And a heater provided inside the chamber to heat the substrate,
The heater includes a first receiving groove in which a heating wire is received, a second receiving groove in which a lead wire is received, and a connecting region in which the first receiving groove and the second receiving groove are connected, And a storage plate provided with the storage plate. 청구항 7에 있어서,
상기 제1 수납홈의 폭은 상기 제2 수납홈의 폭 보다 크고, 상기 연결 영역은 곡면을 구비하며, 상기 발열선과 상기 도선은 상기 연결 영역에서 연결되는 기판 처리 장치.The method of claim 7,
Wherein the width of the first receiving groove is larger than the width of the second receiving groove, the connecting region has a curved surface, and the heating wire and the lead wire are connected in the connecting region. 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,
상기 제1 수납홈의 깊이는 상기 제2 수납홈의 깊이보다 크고, 상기 연결면은 상기 제2 수납홈에서 상기 제1 수납홈을 향하여 기울어지게 형성된 기판 처리 장치.The method according to claim 7 or 8,
Wherein the depth of the first receiving groove is larger than the depth of the second receiving groove and the connecting surface is inclined from the second receiving groove toward the first receiving groove. 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,
상기 수납플레이트의 상부에 기판이 안착되는 덮개가 구비되는 기판 처리 장치.The method according to claim 7 or 8,
And a lid on which the substrate is placed is provided on the upper portion of the accommodating plate. 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,
상기 수납플레이트는 기판을 지지하는 지지플레이트 내부 또는 하부에 구비되는 기판 처리 장치.The method according to claim 7 or 8,
Wherein the accommodating plate is provided inside or below a support plate for supporting the substrate.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170040617A (en) * 2015-10-05 2017-04-13 주식회사 미코 Substrate heating apparatus with enhanced temperature uniformity characteristic

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950004450A (en) * 1993-07-09 1995-02-18 김주용 Wafer heating device in the reaction chamber
JP3418842B2 (en) * 1993-02-11 2003-06-23 セラマスピード・リミテッド Radiant electric heater and method of manufacturing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3418842B2 (en) * 1993-02-11 2003-06-23 セラマスピード・リミテッド Radiant electric heater and method of manufacturing the same
KR950004450A (en) * 1993-07-09 1995-02-18 김주용 Wafer heating device in the reaction chamber

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170040617A (en) * 2015-10-05 2017-04-13 주식회사 미코 Substrate heating apparatus with enhanced temperature uniformity characteristic
US11133202B2 (en) 2015-10-05 2021-09-28 Mico Ceramics Ltd. Substrate heating apparatus with enhanced temperature uniformity characteristic
KR102348108B1 (en) * 2015-10-05 2022-01-10 주식회사 미코세라믹스 Substrate heating apparatus with enhanced temperature uniformity characteristic

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