[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR101423455B1 - Led package and method for fabricating the same - Google Patents

Led package and method for fabricating the same Download PDF

Info

Publication number
KR101423455B1
KR101423455B1 KR1020130146244A KR20130146244A KR101423455B1 KR 101423455 B1 KR101423455 B1 KR 101423455B1 KR 1020130146244 A KR1020130146244 A KR 1020130146244A KR 20130146244 A KR20130146244 A KR 20130146244A KR 101423455 B1 KR101423455 B1 KR 101423455B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
housing
led chip
transfer molding
emc
sealing material
Prior art date
Application number
KR1020130146244A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130137113A (en
Inventor
김방현
권혁원
김윤희
이정훈
서은정
박병열
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020130146244A priority Critical patent/KR101423455B1/en
Publication of KR20130137113A publication Critical patent/KR20130137113A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101423455B1 publication Critical patent/KR101423455B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

LED 패키지가 개시된다. 개시된 LED 패키지는, LED칩이 실장되는 베이스와, 상기 LED칩을 봉지하도록 투광성 수지에 의해 형성된 봉지재와, 상기 봉지재의 상부를 노출시키고 상기 봉지재의 측면을 감싸는 형상으로 형성된 하우징을 포함하되, 상기 봉지재는 미리 의도된 형상을 갖도록 금형을 이용한 트랜스퍼몰딩에 의해 형성된다. 또한, 상기 하우징은 투광성을 가질 수 있다. An LED package is disclosed. The disclosed LED package includes a base on which an LED chip is mounted, a sealing material formed by a translucent resin to seal the LED chip, and a housing formed in a shape that exposes an upper portion of the sealing material and surrounds the side surface of the sealing material, The sealing material is formed by transfer molding using a mold so as to have a shape intended in advance. Further, the housing may have transparency.

Description

LED 패키지 및 그 제조방법{LED PACKAGE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an LED package,

본 발명은 LED(Light Emitting Diode) 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, LED칩을 봉지하는 투광성 봉지재와 그 봉지재를 감싸는 구조의 하우징을 포함하는 LED 패키지의 개선에 관한 것이다.The present invention relates to an LED (Light Emitting Diode) package and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an improvement of an LED package including a translucent encapsulant for encapsulating an LED chip and a housing for encapsulating the encapsulant .

LED는 전류 인가에 의해 p-n 반도체 접합(p-n junction)에서 전자와 정공이 만나 빛을 발하는 반도체 발광 장치로서, 통상, LED 칩을 포함하는 패키지 구조로 제작되며, 그와 같은 구조의 발광장치는 흔히 'LED 패키지'라 칭해진다.An LED is a semiconductor light emitting device in which electrons and holes meet at a pn junction due to current application and emit light. Generally, a light emitting device having such a structure is fabricated by a package structure including an LED chip. LED package ".

일반적으로, LED 패키지는, 그것이 실장되는 전기 단자가 구비된 베이스와, LED칩의 보호를 위해 형성된 투광성의 봉지재 등을 포함한다. LED칩이 실장되는 베이스로는 리드프레임이나 PCB(Printed Circuit Board)가 주로 이용되고 있다. 이용되는 베이스의 종류에 따라, LED 패키지는 리드프레임 타입과 PCB 타입으로 구분되기도 한다. 또한, 히트싱크와 같은 추가의 부품이 LED칩이 실장되는 베이스로 이용되기도 한다.In general, an LED package includes a base provided with an electric terminal on which the LED package is mounted, a light-transmitting encapsulant formed for protecting the LED chip, and the like. A lead frame or a printed circuit board (PCB) is mainly used as a base on which the LED chip is mounted. Depending on the type of base used, the LED package may be divided into a lead frame type and a PCB type. Further, additional components such as a heat sink may be used as a base on which the LED chip is mounted.

리드프레임 타입의 LED 패키지는, 봉지재가 형성되는 캐비티를 한정하는 하우징을 포함한다. 그러한 하우징은, 지향각을 좁히기 위해, 즉, 광을 모으기 위한 용도로, 광을 반사시키는 기능을 하는 것이 일반적이며, 그러한 이유로,'리플렉터(reflector)'라 칭해지고 있다. 그와 같은 LED 패키지에 있어서, 액상의 투광성 수지를 하우징의 캐비티 내에 도팅 방식으로 주입하여 봉지재를 형성한다. 또한, 하우징은 불투명의 수지 재료를 이용하여 사출성형에 의해 형성된다. The lead frame type LED package includes a housing defining a cavity in which the encapsulant is formed. Such a housing generally has a function of reflecting light in order to narrow the directing angle, that is, to collect light, and for this reason, it is referred to as a " reflector ". In such an LED package, a liquid transparent resin is injected into the cavity of the housing by a dipping method to form an encapsulating material. Further, the housing is formed by injection molding using an opaque resin material.

위와 같은 종래의 LED 패키지에 있어서, 봉지재는 액상의 수지에 작용하는 표면 장력으로 인해 위쪽으로 볼록한 원치 않은 형상으로 형성된다. 이러한 봉지재의 형상은, 광학적인 측면에서, LED 패키지의 여러 성능을 저해하는 것으로 알려져 있다. 예컨대, 백라이트에 이용되는 경우, 봉지재의 볼록한 부분이 도광판에 면하여, 핫 스팟(hot spot) 현상, 즉, 다른 영역에 비해 점의 형태로 지나치게 밝은 영역이 생기는 현상을 야기할 수 있다. 이때, 위와 같은 봉지재의 볼록한 형상은, 광의 지향각 조절을 위하여 의도한대로 설계된 볼록렌즈의 형상과는 다른 의미라는 것에 유념한다. 반대로, 캐비티에 주입되는 액상 수지의 양을 줄일 경우, 원치 않는 오목한 형상으로 형성되는데, 이는 LED 패키지의 발광효율을 떨어뜨린다.In the above-described conventional LED package, the sealing material is formed into an undesired convex shape due to the surface tension acting on the liquid resin. It is known that the shape of the encapsulant hinders various performance of the LED package from an optical point of view. For example, when used for a backlight, the convex portion of the sealing material faces the light guide plate, causing a hot spot phenomenon, that is, an overly bright region in the form of a point as compared with other regions. Note that the convex shape of the encapsulant as described above has a different meaning from the shape of the convex lens designed as intended for the control of the directivity angle of the light. Conversely, when the amount of the liquid resin injected into the cavity is reduced, it is formed into an undesired concave shape, which lowers the luminous efficiency of the LED package.

또한, 종래의 LED 패키지는, 광의 지향각을 다양하게 설계하는 것이 어려운데, 그 이유는, 봉지재의 형상 설계에 의한 지향각 조절이 어렵다는 것 외에, 하우징(즉, 리플렉터)에 의한 광 지향각 설계가 반사면의 형상(특히, 반사면 각도)에 주로 의존하기 때문이다.   In addition, in the conventional LED package, it is difficult to design the divergent angle of light variously. This is because it is difficult to control the divergence angle by designing the shape of the encapsulant, and the light-divergent angle design by the housing And mainly depends on the shape of the reflecting surface (in particular, the reflecting surface angle).

따라서, 본 발명의 하나의 기술적 과제는, 하우징 내측에서 LED칩을 봉지하는 봉지재의 형상을 원하는 형상으로 설계하는 것이 용이한 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide an LED package and a method of manufacturing the LED package that can easily design the shape of the sealing material for sealing the LED chip inside the housing to a desired shape.

또한, 본 발명의 다른 기술적 과제는, 하우징을 투명도 및 지향각 조절이 가능한 투광성 재질로 형성하여, 그 투명도 조절에 의해 광의 지향각 설계의 폭이 확대된 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.According to another aspect of the present invention, there is provided an LED package in which a housing is formed of a light-transmissive material capable of adjusting the transparency and the divergence angle, and the width of the divergent angle design is enlarged by adjusting the transparency thereof.

본 발명의 일 태양에 따른 LED 패키지는, LED칩이 실장되며, 제1 리드단자 및 제2 리드단자를 포함하는 베이스; 상기 베이스를 지지하고, 상기 LED칩이 수용되는 캐비티를 포함하는 하우징; 및 상기 하우징에 의해 측면이 감싸진 봉지재를 포함하며, 상기 제1 및 제2 리드단자 각각은 상부면 및 바닥면을 포함하며, 상기 제1 및 제2 리드단자는 절곡되지 않은 형상을 갖고, 상기 바닥면은 상기 하우징의 외부로 노출된다.According to one aspect of the present invention, there is provided an LED package comprising: a base, on which an LED chip is mounted, the base including a first lead terminal and a second lead terminal; A housing supporting the base and including a cavity in which the LED chip is received; And an encapsulation member having a side wrapped by the housing, wherein each of the first and second lead terminals includes a top surface and a bottom surface, the first and second lead terminals have a non-bent shape, The bottom surface is exposed to the outside of the housing.

상기 LED칩은 상기 제 1 리드단자의 상면에 위치할 수 있고, 상기 제 2 리드단자와 전기적으로 연결될 수 있다.The LED chip may be positioned on the upper surface of the first lead terminal, and may be electrically connected to the second lead terminal.

또한, 상기 제 1 및 제 2 리드단자의 바닥면은 상기 하우징의 바닥면과 동일 평면상에 있을 수 있다.The bottom surfaces of the first and second lead terminals may be flush with the bottom surface of the housing.

상기 베이스는 PCB일 수 있고, 상기 PCB는 상기 LED칩이 실장되는 영역을 포함할 수 있으며, 상기 제 1 및 제 2 리드단자는 각각 상기 PCB에 형성된 제 1 전극패턴과 제 2 전극패턴일 수 있다.The base may be a PCB, and the PCB may include an area where the LED chip is mounted. The first and second lead terminals may be a first electrode pattern and a second electrode pattern, respectively, formed on the PCB .

상기 하우징은 금형을 이용한 몰딩에 의해 형성된 것일 수 있다.The housing may be formed by molding using a mold.

나아가, 상기 하우징은 트랜스퍼몰딩에 의해 형성된 것일 수 있다.Furthermore, the housing may be formed by transfer molding.

상기 하우징은 EMC(Epoxy Molding Compound)를 포함할 수 있다.The housing may include an epoxy molding compound (EMC).

상기 하우징은 확산제를 더 포함할 수 있고, 상기 확산제는 상기 EMC에 혼합될 수 있다.The housing may further include a diffusing agent, and the diffusing agent may be mixed with the EMC.

상기 확산제는 TiO2, SiO2, ZnO, 또는 Y2O3를 포함할 수 있다.The diffusing agent may comprise TiO2, SiO2, ZnO, or Y2O3.

상기 하우징은 EMC와 TiO2를 포함하여 혼합된 재료를 트랜스퍼몰딩하여 형성된 것일 수 있다.The housing may be formed by transfer molding a mixed material including EMC and TiO2.

상기 제 1 및 제 2 리드단자는 절곡되지 않은 평판 형상을 가질 수 있다.The first and second lead terminals may have a non-bent flat plate shape.

상기 봉지재는 상부면이 편평한 평면일 수 있다.The encapsulation material may have a flat upper surface.

상기 봉지재는 상부면이 볼록할 수 있다.The encapsulation material may have a convex upper surface.

본 발명의 또 다른 태양에 따른 LED 패키지 제조방법은, 제1 리드단자 및 제2 리드단자를 포함하는 베이스에 LED칩을 실장하는 단계; 상기 베이스를 지지하고, 상기 LED칩이 수용되는 캐비티를 포함하도록 하우징을 형성하는 단계; 및 상기 하우징에 의해 측면이 감싸지고, 상기 LED칩을 봉지하는 봉지재를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 및 제2 리드단자 각각은 상부면 및 바닥면을 포함하며, 상기 제1 및 제2 리드단자는 절곡되지 않은 형상을 갖고, 상기 하우징을 형성하는 단계는 금형을 이용하여 상기 바닥면이 상기 하우징의 외부로 노출되도록 상기 하우징을 몰딩 성형하는 것을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an LED package, including: mounting an LED chip on a base including a first lead terminal and a second lead terminal; Forming a housing to support the base and to include a cavity in which the LED chip is housed; And forming an encapsulation material for encapsulating the LED chip, the encapsulation material being enclosed by the housing, the first and second lead terminals each including a top surface and a bottom surface, The two lead terminals have a non-bent shape, and the step of forming the housing includes molding the housing such that the bottom surface is exposed to the outside of the housing using a mold.

상기 하우징의 바닥면은 상기 제1 및 제2 리드단자의 바닥면과 동일 평면상에 있도록 형성될 수 있다.The bottom surface of the housing may be flush with the bottom surfaces of the first and second lead terminals.

상기 하우징을 형성하는 단계는, EMC 분말 재료에 확산제를 혼합한 재료를 이용하여 트랜스퍼몰딩함으로써 상기 하우징을 형성하는 것을 포함할 수 있다.The step of forming the housing may include forming the housing by transfer molding using a material mixed with a diffusing agent into the EMC powder material.

상기 트랜스퍼몰딩은 분말형의 EMC 재료에 확산제를 첨가한 것을 태블릿 형태로 만든 고형 EMC를 이용할 수 있다.The transfer molding may use a solid-state EMC made by adding a diffusing agent to powdered EMC material into a tablet form.

상기 확산제는 TiO2, SiO2, ZnO, 또는 Y2O3를 포함할 수 있다.The diffusing agent may comprise TiO2, SiO2, ZnO, or Y2O3.

상기 봉지재는 트랜스퍼몰딩에 의해 형성될 수 있다.The encapsulation material may be formed by transfer molding.

상기 봉지재는 상부면이 편평한 평면이 형성될 수 있다.The encapsulating material may have a flat upper surface.

상기 봉지재는 상부면이 볼록하게 형성될 수 있다.The encapsulation material may have a convex upper surface.

본 발명의 일 실시예에 따르면, LED 패키지의 광 지향각 조절 폭이 넓어지며, 원하는 광 지향각으로 LED 패키지를 설계하는 것이 보다 용이해진다. 또한, 제조시 의도하지 않았던 봉지재의 형상으로 야기되는 여러 문제점들, 예컨대, 백라이트에 이용될 때, 도광판과 LED 패키지의 봉지재가 접한 부분이 지나치게 밝아지는 핫 스팟 현상이나 봉지재의 오목한 형상으로 야기되는 발광 효율의 저하와 같은 문제점을 해결할 수 있다. 또한, 본 발명의 한 실시예에 따르면, 봉지재와 하우징은 트랜스퍼몰딩에 의해 형성되는데, 이는, 몰딩 설비는 그대로 두고 금형만 교체하여 봉지재와 하우징을 모두 형성할 수 있으므로 종래에 비해 경제적이다. 또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 도팅방식을 이용하여 봉지재를 개별적으로 형성했던 기존의 기술과 달리, 봉지재가 형성을 위한 다수의 공간을 갖는 하나의 금형을 이용하고, 그 다수의 공간에 액상화된 수지를 한번에 채우고 그것을 급속하게 경화시킴으로써, 다수의 LED 패키지를 빠른 시간 안에 제작가능하며, 이에 따라, LED 패키지의 생산성이 크게 좋아질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the width of adjustment of the light directing angle of the LED package is widened, and it becomes easier to design the LED package with a desired light directing angle. In addition, various problems caused by the shape of the encapsulant, which is not intended during manufacturing, such as a hot spot phenomenon in which the portion of the light guide plate and the LED package contacting the encapsulant are excessively bright when used for a backlight, It is possible to solve problems such as deterioration of efficiency. Also, according to the embodiment of the present invention, the encapsulant and the housing are formed by transfer molding, which is economical compared to the conventional one because the encapsulant and the housing can be formed by replacing only the mold with the molding equipment left intact. Also, according to the embodiment of the present invention, unlike the existing technology in which the sealing members are separately formed by using the dipping method, a single mold having a plurality of spaces for forming the sealing material is used, By filling the liquefied resin at once and rapidly curing it, it is possible to produce a large number of LED packages in a short period of time, thereby greatly improving the productivity of the LED package.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 다른 LED 패키지를 도시한 사시도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 다른 LED 패키지를 도시한 단면도.
도 3a 내지 도 3c는 투광성 하우징의 확산제 함량에 따라 투명도가 조절되는 LED 패키지를 보여주는 사진들.
도 4의 (a) 및 (b)는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 LED 패키지를 도시한 단면도들.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지 제조공정을 설명하기 위한 도면.
도 6은 도 5에 도시된 LED 패키지 제조공정에서의 하우징과 봉지재의 트랜스퍼몰딩 공정을 설명하기 위한 도면.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지 제조공정을 설명하기 위한 도면.
도 8은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 봉지재의 트랜스퍼몰딩 공정을 설명하기 위한 도면으로서, 두께가 얇은 하우징을 구비한 LED 패키지의 봉지재 형성에 적합한 방식의 트랜스퍼몰딩 공정을 보여주는 도면.
도 9는 본 발명의 또 따른 한 실시예에 따른 봉지재의 트랜스퍼몰딩 공정을 설명하기 위한 도면.
도 10은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 LED 패키지를 도시한 도면.1 is a perspective view illustrating an LED package according to an embodiment of the present invention;
2 is a cross-sectional view of another LED package according to an embodiment of the present invention.
3A to 3C are photographs showing an LED package whose transparency is adjusted according to the diffuser content of the light transmitting housing.
4 (a) and 4 (b) are cross-sectional views illustrating an LED package according to other embodiments of the present invention.
5 is a view for explaining a manufacturing process of an LED package according to an embodiment of the present invention.
6 is a view for explaining a transfer molding process of the housing and the sealing material in the LED package manufacturing process shown in FIG.
7 is a view for explaining a manufacturing process of an LED package according to another embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a view for explaining a transfer molding process of an encapsulating material according to another embodiment of the present invention, showing a transfer molding process in a manner suitable for forming an encapsulation material of an LED package having a thin-walled housing.
9 is a view for explaining a transfer molding process of an encapsulating material according to another embodiment of the present invention.
10 illustrates an LED package according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, and the like of the components may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view illustrating an LED package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an LED package according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 LED 패키지(1)는, LED칩(2)이 실장되는 베이스로, 제 1 및 제 2 리드단자(12, 14)를 포함하는 리드프레임(10)을 포함한다. 상기 리드프레임(10)은 제 1 및 제 2 리드단자(12, 14)를 제공하도록 패터닝된 하나의 큰 금속박판으로부터 절단되어 형성된 것이며, 그 금속박판으로부터는 다수의 리드프레임(10)들이 얻어질 수 있다. 그리고, 상기 리드프레임(10)의 절단은 이하 설명되는 하우징(20)과 봉지재(30)의 형성 후에 이루어진다.1 and 2, the LED package 1 according to the present embodiment is a base on which the LED chip 2 is mounted. The lead frame 1 includes first and second lead terminals 12 and 14 10). The lead frame 10 is formed by cutting from one large metal sheet patterned to provide the first and second lead terminals 12 and 14 and a plurality of lead frames 10 are obtained from the sheet metal . The cutting of the lead frame 10 is performed after the formation of the housing 20 and the sealing material 30, which will be described below.

상기 리드프레임(10)의 제 1 리드단자(12)의 상면에는 LED칩(2)이 다이어태칭(die attaching)되며, 상기 제 1 리드단자(12) 상의 LED칩(2)은 본딩와이어에 의해 제 2 리드단자(14)와 전기적으로 연결된다.The LED chip 2 is attached to the upper surface of the first lead terminal 12 of the lead frame 10 and the LED chip 2 on the first lead terminal 12 is bonded to the upper surface of the first lead terminal 12 by the bonding wire And is electrically connected to the second lead terminal 14.

또한, 본 실시예의 LED 패키지(1)는 하우징(20)과 봉지재(30)를 포함한다. 상기 봉지재(30)는, 투광성 재질로 이루어진 채, 상기 LED칩(2) 등을 보호할 수 있도록 상기 LED칩(2)을 봉지한다. 상기 하우징(20)은, 리플렉터의 기능을 할 수 있는 것으로, 상기 봉지재(30)의 측면을 감싸고 상기 봉지재(30)의 상부를 노출시키는 형상으로 형성된다. 본 실시예에서, 상기 하우징(20)은 리드프레임(10), 즉, 제 1 및 제 2 리드단자(12, 14)를 지지하는 기능을 한다.In addition, the LED package 1 of the present embodiment includes the housing 20 and the sealing material 30. The encapsulant 30 encapsulates the LED chip 2 so as to protect the LED chip 2 and the like while being made of a light transmitting material. The housing 20 can function as a reflector and is formed to have a shape that surrounds the side surface of the sealing material 30 and exposes an upper portion of the sealing material 30. In this embodiment, the housing 20 serves to support the lead frame 10, that is, the first and second lead terminals 12 and 14.

이하 자세히 설명되는 바와 같이, 상기 봉지재(30)와 하우징(20)은 트랜스퍼몰딩에 의해 형성된다. 본 실시예에서, 상기 하우징(20)은, 상기 봉지재(30)의 형성 전에, 리드프레임(10)을 지지하도록 EMC(Epoxy Molding Compound)를 이용한 트랜스퍼몰딩에 의해 형성된다. 이때, 상기 하우징(20)은 그것의 바닥면이 상기 리드프레임(10)의 바닥면과 실질적으로 동일 평면 상에 있으며, 이에 따라, 상기 리드프레임(10)의 제 1 및 제 2 리드단자(12, 14)는 절곡 공정 없이도 하우징(20) 바닥면 부근에서 외부로 노출된다. As will be described in detail below, the sealing material 30 and the housing 20 are formed by transfer molding. In this embodiment, the housing 20 is formed by transfer molding using an epoxy molding compound (EMC) so as to support the lead frame 10 before the encapsulation material 30 is formed. At this time, the bottom surface of the housing 20 is substantially flush with the bottom surface of the lead frame 10, so that the first and second lead terminals 12 And 14 are exposed to the outside in the vicinity of the bottom surface of the housing 20 without a bending process.

상기 하우징(20)은, 리플렉터로서의 기능을 위해, 투명 EMC 분말 재료에, 백색, 유백색 및/또는 회백색 등을 갖는 확산제(21; 도 2에 나타냄)인 TiO2 또는 SiO2, ZNO, Y2O3를 혼합한 재료를 이용하여 트랜스퍼몰딩되어 형성된다. 이에 따라, 상기 하우징(20)에는 확산제(21)가 포함된다. 투명 EMC에 혼합되는 확산제(21)의 양에 따라, 하우징(20)의 투명도와 LED 패키지(1)의 지향각이 조절될 수 있다. The housing 20 is made of a transparent dielectric material such as TiO 2 or SiO 2, ZNO, Y 2 O (shown in FIG. 2) having a white color, milky white color and / 3 by a transfer molding method using a mixed material. Accordingly, the housing 20 includes the diffusion agent 21. The transparency of the housing 20 and the directivity angle of the LED package 1 can be adjusted according to the amount of the diffusing agent 21 mixed into the transparent EMC.

도 3a 내지 도 3c는 확산제 양에 따라 하우징의 투명도가 달라진 LED 패키지의 실제 제품 사진들이다. 도 3a에 나타낸 LED 패키지는, TiO2 확산제를 전혀 포함하지 않은 투명 EMC에 의해 형성된 하우징을 포함하는 LED 패키지로서, 하우징의 실질적으로 투명이며, 하우징을 통한 광 방출량이 많아 지향각이 상대적으로 넓다. 도 3b에 나타낸 LED 패키지는, TiO2 확산제가 0.3% 혼합된 EMC에 의해 형성된 하우징을 포함하는 LED 패키지로서, 하우징은 반투명이며, 그 하우징의 내측면에서 봉지재를 향해 광을 반사시키는 양이 많으므로, 도 3a에 나타낸 LED 패키지보다 지향각이 상대적으로 좁다. 도 3c에 나타낸 LED 패키지는, TiO2 확산제가 3% 혼합된 EMC에 의해 형성된 하우징을 포함하는 LED 패키지로서, 투명도가 가장 낮으며, 백라이트 유닛에 적합한 대략 120도의 좁은 광 지향각으로 광을 방출할 수 있다.3A to 3C are photographs of actual products of the LED package in which the transparency of the housing is changed according to the amount of diffusion agent. LED package shown in Figure 3a, TiO 2 An LED package comprising a housing formed by a transparent EMC that does not include a diffusing agent at all, the housing being substantially transparent and having a large amount of light emission through the housing, resulting in a relatively wide steering angle. LED package shown in Figure 3b, TiO 2 An LED package including a housing formed by an EMC mixed with a diffusing agent of 0.3%, wherein the housing is translucent and has a large amount of reflecting light toward the sealing material from the inner side of the housing, Angle is relatively narrow. The LED package shown in FIG. 3C is an LED package including a housing formed by EMC mixed with 3% of TiO 2 diffusers. The LED package has the lowest transparency and emits light at a narrow light directing angle of approximately 120 degrees suitable for the backlight unit .

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 하우징(20)은, 봉지재(30)의 측면을 전체적으로 감싸고, 봉지재(30)의 상부 노출을 허용하는 형상을 갖는다. 본 실시예에서는, 리드프레임(10)을 지지하는 하우징(20)이 봉지재(30)보다 먼저 형성되므로, 하우징(20)은 다음에 형성될 봉지재(30)의 위치를 한정하는 캐비티를 포함하는 구조이다. 본 실시예에서, 상기 봉지재(30)는, 에폭시 또는 실리콘 등의 투광성 수지를 이용하여 몰딩 형성되는 것으로, 원하는 형상을 얻기 위해, 금형을 이용한 몰딩, 특히, 트랜스퍼몰딩에 의해 형성된 것이다.1 and 2, the housing 20 has a shape that entirely covers the side surface of the sealing material 30 and permits the upper portion of the sealing material 30 to be exposed. In this embodiment, since the housing 20 supporting the lead frame 10 is formed before the encapsulant 30, the housing 20 includes a cavity defining the position of the encapsulant 30 to be formed next . In the present embodiment, the encapsulant 30 is formed by molding using a light-transmitting resin such as epoxy or silicone, and is formed by molding using a mold, in particular transfer molding, to obtain a desired shape.

상기 봉지재(30)는 광의 방출이 주로 이루어지는 상부면(31)이 편평한 평면을 갖는다. 이러한 평면 형상은 트랜스퍼몰딩에 의해 가능하며, 하우징의 캐비티에 액상의 수지를 주입하여 봉지재를 형성하는 종래기술의 경우, 표면장력에 의해, 전술한 것과 같은, 의도된 평면 형상을 얻을 수 없다. 또한, 상기 봉지재(30) 내에는 특정 파장의 광에 의해 여기되어 다른 파장의 광을 발하는 형광체가 포함될 수 있다.The encapsulant 30 has a flat top surface 31 on which light is mainly emitted. Such a planar shape can be achieved by transfer molding, and in the case of the prior art in which a liquid material is injected into the cavity of the housing to form the sealing material, the intended planar shape as described above can not be obtained by the surface tension. The encapsulant 30 may include a phosphor that is excited by light of a specific wavelength and emits light of a different wavelength.

상기 봉지재(30)를 트랜스퍼몰딩하는 것에 의해, 상부면(31)이 평면인 봉지재(30)의 형성이 가능하다. 또한, 상기 봉지재(30)를 트랜스퍼몰딩하는 것에 의해, 예를 들면, 반구형의 볼록 또는 오목한 렌즈 형상, 또는, 프레즈넬 패턴을 갖는 다양한 렌즈 형상의 봉지 봉지재(30)를 형성하는 것이 가능하다. 이때 프레즈넬 패턴은 거칠기가 존재하는 패턴일 수 있으며, 이러한 패턴의 렌즈는 지향각을 넓히는데 기여한다. 도 4의 (a) 상부면이 반구형인 렌즈형 봉지재(30)를 트랜스퍼몰딩 방식으로 형성한 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지(1)의 구조를 잘 보여준다.By performing the transfer molding of the sealing material 30, it is possible to form the sealing material 30 in which the upper surface 31 is flat. Further, by transfer molding the encapsulation material 30, it is possible to form, for example, a semi-spherical convex or concave lens shape or various lens-shaped encapsulation encapsulation materials 30 having a Fresnel pattern . At this time, the Fresnel pattern may be a pattern in which roughness exists, and the lens of such a pattern contributes to widening the directivity angle. 4 (a) shows a structure of an LED package 1 according to another embodiment of the present invention in which a lenticular encapsulant 30 having a hemispherical top surface is formed by a transfer molding method.

한편, LED칩(2)이 실장되는 베이스는 앞선 실시예의 리드프레임(10)이 아닌 다른 베이스일 수 있는데, 일예로, 도 4의 (b)에 도시된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 LED 패키지(1)는, LED칩(2)이 실장되는 베이스로 PCB(Printed Circuit Board; 100)을 이용한다. 도 4의 (b)를 참조하면, PCB(100)는, 그 중앙에 LED칩(2)이 실장되는 영역이 제공되는 한편, 본딩와이어에 의해 LED칩(2)과 전기적으로 연결되는 제 1 및 제 2 전극패턴(102, 103)이 도금에 의해 형성되어 있다. 앞선 실시예와 마찬가지로, 봉지재(30)와 하우징(20)은 모두 트랜스퍼몰딩에 의해 형성된다.On the other hand, the base on which the LED chip 2 is mounted may be a base other than the lead frame 10 of the previous embodiment. For example, the LED according to another embodiment of the present invention shown in Fig. 4 (b) The package 1 uses a PCB (Printed Circuit Board) 100 as a base on which the LED chip 2 is mounted. 4 (b), the PCB 100 is provided with an area where the LED chip 2 is mounted at the center thereof, and the first and second LED chips 2 and 3, which are electrically connected to the LED chip 2 by the bonding wire, The second electrode patterns 102 and 103 are formed by plating. As in the previous embodiment, both the encapsulant 30 and the housing 20 are formed by transfer molding.

위에서, 하우징(20)을 먼저 트랜스퍼몰딩하고, 다음 봉지재(30)를 트랜스퍼몰딩하는 것에 대해서만 설명이 이루어졌지만, 봉지재(30)를 먼저 트랜스퍼몰딩하고, 하우징(20)을 나중에 트랜스퍼몰딩하는 것도 고려될 수 있다. 순서에 상관없이, 하우징과 봉지재를 개별적으로 트랜스퍼몰딩하는 것은, 하우징과 봉지재 모두를 에폭시 또는 실리콘과 같은 열경화성 수지를 이용할 때 특히 용이하며, 이는 먼저 형성될 부분이 나중 형성될 부분의 용융 온도에 의해 영향을 받지 않기 때문이다.Although only the transfer molding of the housing 20 and the transfer molding of the next encapsulant 30 have been described above, the encapsulating material 30 may be transferred before the transfer molding and the housing 20 later may be transfer molded Can be considered. Regardless of the order, transfer molding of the housing and the sealing material separately is particularly easy when both the housing and the sealing material are made of a thermosetting resin such as epoxy or silicone, As shown in FIG.

트랜스퍼몰딩을 이용하면, 하우징 형성시, 2회 이상 트랜스퍼몰딩하여, 복수의 부분적인 하우징이 적층된 구조의 통합된 하우징(20)을 만드는 것이 가능하다. 또한, 상기 트랜스퍼몰딩을 이용하면, 2회 이상 트랜스퍼몰딩하여 복수의 부분적인 봉지재가 적층된 구조의 통합된 봉지재(30)를 만드는 것도 가능하다. 위와 같이 2회 이상 행해지는 트랜스퍼몰딩을 다중 트랜스퍼몰딩이라 정의한다.
When transfer molding is used, it is possible to make an integrated housing 20 having a structure in which a plurality of partial housings are stacked by transfer molding at least two times at the time of forming the housing. Also, by using the transfer molding, it is possible to make an integrated encapsulant 30 having a structure in which a plurality of partial encapsulating materials are laminated by transfer molding at least twice. The transfer molding performed twice or more as above is defined as a multiple transfer molding.

이제 위에서 설명한 LED 패키지를 제조하는 방법의 여러 실시예들에 대해 설명하기로 한다.
Various embodiments of the method for manufacturing the LED package described above will now be described.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지의 제조방법을 공정별로 설명하기 위한 평면도들이다.5 is a plan view illustrating a method of fabricating an LED package according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 5의 (a)에 도시된 것과 같이 제 1 및 제 2 리드단자(12, 14)로 구성된 리드프레임(10)이 준비된다. 이때, 리드프레임(10)은 LED칩이 실장되고, 본딩와이어가 연결되는 것이지만, 도시의 편의를 위해, LED칩과 본딩와이어는 도면에서 생략한다. 또한, 실제 LED 패키지의 제조 공정에서는, 상기 리드프레임(10)은 절단 안 된 상태의 많은 리드프레임들을 포함하는 패턴형 금속박판의 일부이지만, 도시 및 설명의 편의를 위해, 하나의 리드프레임(10)을 절단된 상태로 도시하였다.First, as shown in Fig. 5A, a lead frame 10 composed of first and second lead terminals 12 and 14 is prepared. At this time, the LED chip is mounted on the lead frame 10 and the bonding wire is connected. However, for convenience of illustration, the LED chip and the bonding wire are omitted in the drawing. Further, in a manufacturing process of an actual LED package, the lead frame 10 is a part of a patterned metal thin plate including a large number of lead frames in an uncut state, but for ease of illustration and explanation, one lead frame 10 ) Are shown in a cut state.

다음, 도 5의 (b)에 도시된 것과 같이, 리드프레임(10)에는 하우징(20)이 트랜스퍼몰딩에 의해 형성된다. 상기 하우징(20)은 자신의 캐티비를 통해 제 1 및 제 2 리드단자(12, 14)를 상측으로 노출시킨다. 그리고, 상기 리드프레임(10) 상에 형성된 하우징(20)은 상기 리드프레임(10)을 지지한다. 이때, 상기 하우징(20)의 트랜스퍼몰딩에 사용되는 몰딩 재료는, 분말형의 투명 EMC 재료에 확산제를 첨가한 것을 태블릿 형태로 만든 고형 EMC인 것이 바람직하다. 하지만, 에폭시를 주성분으로 하지 않고 실리콘과 같은 투광성 수지가 이용될 수 있다.Next, as shown in Fig. 5 (b), the lead frame 10 is formed with a housing 20 by transfer molding. The housing 20 exposes the first and second lead terminals 12 and 14 upward through its own cavity. The housing 20 formed on the lead frame 10 supports the lead frame 10. At this time, it is preferable that the molding material used for transfer molding of the housing 20 is a solid EMC obtained by adding a diffusing agent to a transparent transparent EMC material in the form of a tablet. However, a light transmitting resin such as silicon can be used without using epoxy as a main component.

다음, 도 5의 (c)에 도시된 것과 같이, LED칩(도 5에서는 도시하지 않음)을 봉지하는 에폭시 또는 실리콘 재질의 봉지재(30)가 트랜스퍼몰딩에 의해 하우징(20)이 캐비티 내측에 형성된다. 상기 봉지재(30)의 트랜스퍼몰딩은, 고상 EMC(특히, 태블릿 형태의 EMC)를 이용한다. 금형을 이용한 다른 몰딩 성형도 고려될 수 있으며, 예컨대, 액상 에폭시 또는 액상 실리콘 등을 이용한 인젝션 몰딩이 상기 봉지재의 형성에 이용될 수 있다. 또한, 금형을 이용하여 성형된 봉지재(30)는 미리 설계된 금형에 의해 그 형상이 미리 정해지며, 그 형상은 평면 또는 렌즈형인 것이 바람직하다. 이때, 상기 봉지재(30)의 형성은 상기 하우징(20)의 캐비티 내에서 이루어지므로, 상기 하우징(20)은 상기 봉지재(30)의 측면을 전체적으로 감싸는 형상을 갖게 된다.Next, as shown in Fig. 5 (c), the encapsulating material 30 of epoxy or silicon material for encapsulating the LED chip (not shown in Fig. 5) is transferred by transfer molding to the inside of the cavity . The transfer molding of the sealing material 30 uses a solid-state EMC (in particular, a tablet-shaped EMC). Other molding using a mold may be considered, and injection molding using, for example, liquid epoxy or liquid silicone may be used for forming the sealing material. In addition, the shape of the encapsulant 30 molded using the mold is preliminarily determined by a mold designed in advance, and it is preferable that the encapsulant 30 has a flat or lenticular shape. At this time, since the sealing material 30 is formed in the cavity of the housing 20, the housing 20 has a shape that entirely covers the side surface of the sealing material 30.

도 6의 (a)는 하우징(20)의 트랜스퍼몰딩 공정을 설명하기 위한 도면이며, 도 6의 (b)는 봉지재(30)의 트랜스퍼몰딩 공정을 설명하기 위한 도면이다.6 (a) is a view for explaining a transfer molding process of the housing 20, and FIG. 6 (b) is a view for explaining a transfer molding process of the sealing material 30. FIG.

도 6의 (a)를 참조하면, 주입구(I)를 포함하는 하우징 형성용 금형(M1) 내에 고온 고압 조건으로 수지를 주입하여 그 금형(M1) 내로 수지를 충전하고, 그 충전된 수지가 경화되는 것에 의해, 상기 하우징(20)을 만든다. 이때, 상기 하우징(20)에는 다음 수행될 봉지재(30)의 트랜스퍼몰딩 성형에 이용되는 게이트(G; 도 6 (b) 참조)가 미리 형성될 수 있다. 또한, 상기 게이트(G) 대신에 하우징(20)의 캐비티 상단에 미리 형성된 홈을 수지 주입용 게이트로 이용할 수 있다.6A, a resin is injected into a mold M1 for forming a housing containing an injection port I under a high-temperature and high-pressure condition, the resin is filled into the mold M1, Thereby forming the housing 20. At this time, the gate 20 (see FIG. 6 (b)) used for transfer molding of the encapsulant 30 to be performed next may be formed in advance in the housing 20. In addition, instead of the gate G, a groove previously formed in the upper end of the cavity of the housing 20 can be used as a resin injection gate.

도 6의 (b)를 참조하면, 수지는, 봉지재용 금형(M2)의 주입구(I)와 하우징(20)에 미리 형성된 게이트(G)를 통해, 하우징(20)의 캐비티와 금형(M2)에 의해 한정된 공간 내로 주입된다. 이때, 봉지재의 상부면은 금형(M2)에 의해 그 형상이 예를 들면, 평면형 또는 렌즈형으로 결정된다.6B, the resin is injected into the cavity of the housing 20 and the mold M2 through the injection port I of the sealing material mold M2 and the gate G formed in advance in the housing 20, As shown in FIG. At this time, the upper surface of the sealing material is determined by the mold M2, for example, to have a flat shape or a lens shape.

도 5 및 도 6에 도시된 공정은 리드프레임(10)에 대하여 이루어지지만, 리드프레임(10) 대신에 PCB와 같은 다른 종류의 베이스에 대하여 이루어질 수도 있으며, 리드프레임 대신에 다른 종류의 베이스가 이용되는 것 외에는 도 5 및 도 6에 도시된 공정을 그대로 따를 수 있다.
Although the process shown in Figs. 5 and 6 is performed with respect to the lead frame 10, it may be done for other types of bases such as PCB instead of the lead frame 10, The process shown in Figs. 5 and 6 may be followed.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지의 제조방법을 공정별로 설명하기 위한 평면도들이다.FIG. 7 is a plan view illustrating a method of fabricating an LED package according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG.

먼저, 도 7의 (a)에 도시된 것과 같은 제 1 및 제 2 리드단자(12, 14)로 구성된 리드프레임(10)이 준비된다. 이때, 리드프레임(10)은 LED칩이 실장되고, 본딩와이어가 연결되는 것이지만, 도시의 편의를 위해, LED칩과 본딩와이어는 도면에서 생략한다. 또한, 실제 LED 패키지의 제조 공정에서는, 상기 리드프레임(10)은 절단 안 된 상태의 많은 리드프레임들을 포함하는 패턴형 금속박판의 일부이지만, 도시 및 설명의 편의를 위해, 하나의 리드프레임(10)을 절단된 상태로 도시하였다.First, a lead frame 10 composed of first and second lead terminals 12 and 14 as shown in Fig. 7 (a) is prepared. At this time, the LED chip is mounted on the lead frame 10 and the bonding wire is connected. However, for convenience of illustration, the LED chip and the bonding wire are omitted in the drawing. Further, in a manufacturing process of an actual LED package, the lead frame 10 is a part of a patterned metal thin plate including a large number of lead frames in an uncut state, but for ease of illustration and explanation, one lead frame 10 ) Are shown in a cut state.

다음, 도 7의 (b)에 도시된 것과 같이, LED칩(도 7에서는 도시하지 않음)을 봉지하는 봉지재(30)가 하우징(20)의 형성 전에 미리 형성된다. 상기 봉지재(30)는 제 1 및 제 2 리드단자(12, 14)로 구성된 리드프레임(10)을 지지하도록 형성된다. 그리고, 상기 봉지재(30)는 트랜스퍼몰딩용 금형에 의해 미리 정해진 형상으로 형성된다. 상기 봉지재(30)의 트랜스퍼몰딩은, 고상 EMC(특히, 태블릿 형태의 EMC)를 이용하며, 그 고상 EMC에는 형광체가 포함될 수 있다. 대안적으로, 액상 에폭시 또는 액상 실리콘을 금형에 주입하는 방식의 인젝션 몰딩도 봉지재(30) 성형에 이용될 수 있으며, 이 경우, 액상 에폭시나 액상 실리콘에는 형광체가 포함될 수 있다.
Next, as shown in Fig. 7 (b), an encapsulating material 30 for encapsulating the LED chip (not shown in Fig. 7) is formed in advance before the housing 20 is formed. The encapsulant 30 is formed to support the lead frame 10 constituted by the first and second lead terminals 12 and 14. The sealing material 30 is formed in a predetermined shape by a mold for transfer molding. The transfer molding of the encapsulant 30 uses a solid-state EMC (in particular, a tablet-shaped EMC), and the solid-state EMC may include a phosphor. Alternatively, injection molding in which a liquid epoxy or liquid silicon is injected into a mold may be used for molding the encapsulant 30. In this case, the liquid epoxy or the liquid silicone may contain a phosphor.

다음, 도 7의 (c)에 도시된 것과 같이, 봉지재(30)의 측면을 감싸는 형상으로 하우징(20)이 형성되며, 이때에도 트랜스퍼몰딩이 이용될 수 있다. 상기 하우징(20)의 트랜스퍼몰딩에 사용되는 몰딩 재료는, 분말형의 투명 EMC 재료에 확산제를 첨가한 것을 태블릿 형태로 만든 고형 EMC 또는 액상의 에폭시 또는 실리콘이 이용될 수도 있다.
Next, as shown in FIG. 7C, the housing 20 is formed so as to surround the side surface of the sealing material 30, and transfer molding may also be used at this time. The molding material used for transfer molding of the housing 20 may be a solid EMC or a liquid epoxy or silicone which is made into a tabular form in which a diffusing agent is added to a powdery transparent EMC material.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따라, 뒤집어진 하우징(20)의 캐비티 내로 직접 수지를 주입하여 트랜스퍼몰딩하는 공정을 설명하기 위한 도면이다. 금형(M3)은 하우징(20)의 캐비티를 막고 있으며, 또한, 상기 금형(M3)에는 주입구(I)가 상기 하우징(20)의 캐비티와 직접 연결되어 있다. 이러한 트랜스퍼몰딩 공정은 하우징(20)의 두께가 얇아 하우징(20)의 파손이 쉬운 예를 들면, 사이드 뷰 타입 LED 패키지의 봉지재 형성에 바람직하게 이용될 수 있다.
8 is a view for explaining a process of transfer molding by directly injecting resin into a cavity of an inverted housing 20 according to another embodiment of the present invention. The mold M3 blocks the cavity of the housing 20 and the injection port I is directly connected to the cavity of the housing 20 in the mold M3. Such a transfer molding process can be suitably used for forming an encapsulant of a side view type LED package, for example, in which the housing 20 is easily broken because the thickness of the housing 20 is thin.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 봉지재의 몰딩방법을 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 하우징(20)에는 LED칩이 수용되는 캐비티(201)가 형성되어 있으며, 그 캐비티(201)는 상측에 위치한 판형의 금형(M4)에 의해 막혀 있다. 그리고, 캐비티(201)의 모서리(더 바람직하게는, 캐비티의 꼭지점 부근)에는 홈(202)이 형성되며, 그 홈(202)은 금형(M4)에 의해 캐비티(201)가 막힌 상태에서 금형(M4)에 형성된 주입구멍(I)과 일치하여, 캐비티(201) 내로 수지의 주입 통로를 구획 형성한다.9 is a view showing a molding method of an encapsulant according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9, a cavity 201 in which the LED chip is accommodated is formed in the housing 20, and the cavity 201 is closed by a plate-shaped mold M4 located on the upper side. A groove 202 is formed in a corner of the cavity 201 (more preferably in the vicinity of the vertex of the cavity). The groove 202 is formed in the mold 201 with the cavity 201 closed by the mold M4. M4, and the injection passage of the resin is formed in the cavity 201. [

상기 주입구멍(G)과 홈(202)을 통해 수지가 주입되고 그 주입된 수지가 경화되면, 상기 캐비티(201) 내에는 봉지재(30)가 형성된다. 상기 봉지재(30)의 상부 형상은 금형(M4)에 의해 정해지게 되는데, 예컨대, 캐비티(201)를 막는 면이 평면인 금형(M4)을 이용하는 경우, 상부가 평면인 봉지재(30)가 형성된다. 만일, 캐비티(30)를 막는 금형(M4)의 일면을 구형, 요철형(거칠기), 또는 기타 다른 형상으로 하면, 그에 상응하는 구형의 렌즈, 요철형의 플레즈넬 렌즈, 또는 기타 다른 형상에 상응하는 렌즈의 구조로 형성될 수 있다. 상기 렌즈의 요철 또는 거칠기는 규칙적이거나 또는 비규칙적일 수 있다.When the resin is injected through the injection hole G and the groove 202 and the injected resin is cured, the encapsulant 30 is formed in the cavity 201. For example, in the case of using the mold M4 in which the surface of the cavity 201 is flat, the sealing material 30 having the flat upper surface is used as the upper portion of the sealing material 30. [ . If one surface of the mold M4 for blocking the cavity 30 is formed into a spherical shape, a concavo-convex shape (roughness), or any other shape, a spherical lens corresponding to the spherical lens, a concave-convex type Plznel lens, The lens structure may be formed by a structure of a lens. The roughness or roughness of the lens may be regular or irregular.

도시하지는 않았지만, 하우징 또는 그것을 포함하는 LED 패키지와, 상기 몰딩에 이용되는 금형(M4)을 함께 수용하여 지지하는 상부 금형과 하부 금형이 상기 금형(M4)과 한 세트를 이루어 상기 봉지재의 몰딩 성형에 이용될 수 있다.
Although not shown, an upper mold and a lower mold, which house and support the housing or the LED package including the mold and the mold M4 used for the molding together, form a set with the mold M4, Can be used.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 LED 패키지를 도시한 평면도이다. 도 10을 참조하면, 리드프레임, PCB 또는 기타 다른 기판일 수 있는 베이스(10) 상에 LED칩(102)을 수용하는 복수의 오목부(102)가 형성된다. 더 나아가, 상기 베이스(10) 상에는 본딩와이어의 본딩패드(또는, 와이어볼)를 수용하는 다른 복수의 오목부(103)가 더 형성된다. 상기 오목부(102, 103)는 LED칩(102) 또는 본딩패드(또는, 와이어볼)의 두께 추가에 의해 LED 패키지가 슬림화(또는 콤팩트화)가 저해되는 막아준다. 특히, 상기 LED칩(102)이 수용된 오목부(102)에는 열화 방지용 및/또는 형광체를 포함한 수지(바람직하게는, 실리콘 수지)가 채워질 수 있다. 그리고, 상기 오목부(102, 103)는 봉지재(30)와 베이스(10) 사이의 접합력을 높이는데 기여할 수 있다. 상기 접합력을 높이는 측면에서는, LED칩 위치 및 본딩패드의 위치에 관계 없이, 상기 베이스(10) 상에 봉지재와 접하여 접합력을 높이는 복수의 오목부를 형성하는 것이 고려될 수 있다.
10 is a plan view showing an LED package according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 10, a plurality of recesses 102 are formed on a base 10, which may be a lead frame, a PCB or other substrate, to receive the LED chip 102. Furthermore, another plurality of recesses 103 are formed on the base 10 to accommodate the bonding pads (or wire balls) of the bonding wires. The concave portions 102 and 103 prevent the LED package from becoming slimmer (or compact) by adding the thickness of the LED chip 102 or the bonding pad (or the wire ball). Particularly, the recess 102 in which the LED chip 102 is accommodated may be filled with a resin (preferably a silicone resin) for preventing deterioration and / or containing a phosphor. The concave portions 102 and 103 can contribute to increase the bonding force between the sealing material 30 and the base 10. [ It is conceivable to form a plurality of recesses on the base 10 in contact with the sealing material to increase the bonding force regardless of the positions of the LED chips and the bonding pads.

본 발명은, 위 실시예에 한정되지 않고, 봉지재와 하우징을 갖는 모든 종류의 LED 패키지에 적용가능한 것으로, 예컨대, 탑형(top type) LED 패키지는 물론이고, 사이드 뷰 타입(side view type) LED 패키지, PCB 타입 또는 칩 LED 패키지, 램프형(lamp type) LED 패키지 또는 하이플럭스 LED 패키지 등에 적용가능한 것이다.
The present invention is not limited to the above embodiments and can be applied to all kinds of LED packages having an encapsulant and a housing. For example, a top view LED package, a side view type LED A package type, a PCB type or a chip LED package, a lamp type LED package, or a high flux LED package.

Claims (21)

LED칩이 실장되며, 제1 리드단자 및 제2 리드단자를 포함하는 베이스;
상기 베이스를 지지하고, 상기 LED칩이 수용되는 캐비티를 포함하는 하우징; 및
상기 하우징에 의해 측면이 감싸진 봉지재를 포함하며,
상기 제1 및 제2 리드단자 각각은 상부면 및 바닥면을 포함하며, 상기 제1 및 제2 리드단자는 절곡되지 않은 평판 형상을 갖고,
상기 바닥면은 상기 하우징의 외부로 노출되는 LED 패키지.
A base on which an LED chip is mounted, the base including a first lead terminal and a second lead terminal;
A housing supporting the base and including a cavity in which the LED chip is received; And
And an encapsulation member enclosing the side surface by the housing,
Wherein each of the first and second lead terminals includes a top surface and a bottom surface, the first and second lead terminals each have a non-bent flat plate shape,
And the bottom surface is exposed to the outside of the housing.
청구항 1에 있어서,
상기 LED칩은 상기 제 1 리드단자의 상면에 위치하며, 상기 제 2 리드단자와 전기적으로 연결되는 LED 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the LED chip is located on an upper surface of the first lead terminal and is electrically connected to the second lead terminal.
청구항 2에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 리드단자의 바닥면은 상기 하우징의 바닥면과 동일 평면상에 있는 LED 패키지.
The method of claim 2,
And the bottom surfaces of the first and second lead terminals are flush with the bottom surface of the housing.
청구항 1에 있어서,
상기 베이스는 PCB이며, 상기 PCB는 상기 LED칩이 실장되는 영역을 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 리드단자는 각각 상기 PCB에 형성된 제 1 전극패턴과 제 2 전극패턴인 LED 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the base is a PCB, and the PCB includes a region where the LED chip is mounted,
Wherein the first and second lead terminals are respectively a first electrode pattern and a second electrode pattern formed on the PCB.
청구항 1에 있어서,
상기 하우징은 금형을 이용한 몰딩에 의해 형성된 LED 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the housing is formed by molding using a mold.
청구항 5에 있어서,
상기 하우징은 트랜스퍼몰딩에 의해 형성된 LED 패키지.
The method of claim 5,
Wherein the housing is formed by transfer molding.
청구항 1에 있어서,
상기 하우징은 EMC(Epoxy Molding Compound)를 포함하는 LED 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the housing comprises an epoxy molding compound (EMC).
청구항 7에 있어서,
상기 하우징은 확산제를 더 포함하고, 상기 확산제는 상기 EMC에 혼합된 LED 패키지.
The method of claim 7,
The housing further comprises a diffusing agent, wherein the diffusing agent is mixed with the EMC.
청구항 8에 있어서,
상기 확산제는 TiO2, SiO2, ZnO, 또는 Y2O3를 포함하는 LED 패키지.
The method of claim 8,
Wherein the diffusing agent comprises TiO2, SiO2, ZnO, or Y2O3.
청구항 9에 있어서,
상기 하우징은 EMC와 TiO2를 포함하여 혼합된 재료를 트랜스퍼몰딩하여 형성된 LED 패키지.
The method of claim 9,
Wherein the housing is formed by transfer molding a mixed material including EMC and TiO2.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 봉지재는 상부면이 편평한 평면인 LED 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the encapsulating material has a flat upper surface.
청구항 1에 있어서,
상기 봉지재는 상부면이 볼록한 LED 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the sealing material has a convex upper surface.
제1 리드단자 및 제2 리드단자를 포함하는 베이스에 LED칩을 실장하는 단계;
상기 베이스를 지지하고, 상기 LED칩이 수용되는 캐비티를 포함하도록 하우징을 형성하는 단계; 및
상기 하우징에 의해 측면이 감싸지고, 상기 LED칩을 봉지하는 봉지재를 형성하는 단계를 포함하되,
상기 제1 및 제2 리드단자 각각은 상부면 및 바닥면을 포함하며, 상기 제1 및 제2 리드단자는 절곡되지 않은 평판 형상을 갖고,
상기 하우징을 형성하는 단계는 금형을 이용하여 상기 바닥면이 상기 하우징의 외부로 노출되도록 상기 하우징을 몰딩 성형하는 것을 포함하는 LED 패키지 제조방법.
Mounting an LED chip on a base including a first lead terminal and a second lead terminal;
Forming a housing to support the base and to include a cavity in which the LED chip is housed; And
And forming an encapsulating material for encapsulating the LED chip with the side surface being enclosed by the housing,
Wherein each of the first and second lead terminals includes a top surface and a bottom surface, the first and second lead terminals each have a non-bent flat plate shape,
Wherein the step of forming the housing includes molding the housing such that the bottom surface is exposed to the outside of the housing using a mold.
청구항 14에 있어서,
상기 하우징의 바닥면은 상기 제1 및 제2 리드단자의 바닥면과 동일 평면상에 있도록 형성되는 LED 패키지 제조방법.
15. The method of claim 14,
Wherein a bottom surface of the housing is flush with a bottom surface of the first and second lead terminals.
청구항 14에 있어서,
상기 하우징을 형성하는 단계는,
EMC 분말 재료에 확산제를 혼합한 재료를 이용하여 트랜스퍼몰딩함으로써 상기 하우징을 형성하는 것을 포함하는 LED 패키지 제조방법.
15. The method of claim 14,
Wherein forming the housing comprises:
And forming the housing by transfer molding using a material in which an EMC powder material is mixed with a diffusing agent.
청구항 16에 있어서,
상기 트랜스퍼몰딩은 분말형의 EMC 재료에 확산제를 첨가한 것을 태블릿 형태로 만든 고형 EMC를 이용하는 LED 패키지 제조방법.
18. The method of claim 16,
Wherein the transfer molding uses a solid-state EMC in which a diffusing agent is added to a powder-type EMC material in a tablet form.
청구항 16에 있어서,
상기 확산제는 TiO2, SiO2, ZnO, 또는 Y2O3를 포함하는 LED 패키지 제조방법.
18. The method of claim 16,
Wherein the diffusing agent comprises TiO2, SiO2, ZnO, or Y2O3.
청구항 14에 있어서,
상기 봉지재는 트랜스퍼몰딩에 의해 형성되는 LED 패키지 제조방법.
15. The method of claim 14,
Wherein the sealing material is formed by transfer molding.
청구항 19에 있어서,
상기 봉지재는 상부면이 편평한 평면이 형성되는 LED 패키지 제조방법.
The method of claim 19,
Wherein the sealing material has a flat upper surface.
청구항 19에 있어서,
상기 봉지재는 상부면이 볼록하게 형성되는 LED 패키지 제조방법.
The method of claim 19,
Wherein the sealing material has a convex upper surface.
KR1020130146244A 2013-11-28 2013-11-28 Led package and method for fabricating the same KR101423455B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130146244A KR101423455B1 (en) 2013-11-28 2013-11-28 Led package and method for fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130146244A KR101423455B1 (en) 2013-11-28 2013-11-28 Led package and method for fabricating the same

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20070126436A Division KR101488448B1 (en) 2007-12-06 2007-12-06 Led package and method for fabricating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130137113A KR20130137113A (en) 2013-12-16
KR101423455B1 true KR101423455B1 (en) 2014-07-29

Family

ID=49983510

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130146244A KR101423455B1 (en) 2013-11-28 2013-11-28 Led package and method for fabricating the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101423455B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200383148Y1 (en) 2004-12-28 2005-05-03 주식회사 티씨오 Light Emitting Diode and its Method of Making With Rrflecting
JP2005353914A (en) * 2004-06-11 2005-12-22 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof, and semiconductor light emitting unit
JP2007288198A (en) 2006-04-17 2007-11-01 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Light emitting diode package and its manufacturing method
JP2007294890A (en) 2006-03-31 2007-11-08 Toshiba Lighting & Technology Corp Light emitting device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005353914A (en) * 2004-06-11 2005-12-22 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof, and semiconductor light emitting unit
KR200383148Y1 (en) 2004-12-28 2005-05-03 주식회사 티씨오 Light Emitting Diode and its Method of Making With Rrflecting
JP2007294890A (en) 2006-03-31 2007-11-08 Toshiba Lighting & Technology Corp Light emitting device
JP2007288198A (en) 2006-04-17 2007-11-01 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Light emitting diode package and its manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130137113A (en) 2013-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101488448B1 (en) Led package and method for fabricating the same
US7714342B2 (en) Chip coated light emitting diode package and manufacturing method thereof
TWI441350B (en) Resin-sealed light emitting device and its manufacturing method
KR101766299B1 (en) Light emitting device package and method of manufacturing the light emitting device package
US11569410B2 (en) Light emitting diode packaging device
KR20120094279A (en) Light emitting device package and method of fabricating the same
TWI509848B (en) Led package and method for manufacturing the same
JP5286122B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device
JP2006278924A (en) Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit
JP2015510277A (en) Semiconductor laser chip package having encapsulated indentations molded on a substrate and method for forming the same
TWI509834B (en) Led package and method for manufacturing the same
KR20090073598A (en) Led package
KR101423455B1 (en) Led package and method for fabricating the same
KR20120050283A (en) Led package
KR101549383B1 (en) Led package and method for fabricating the same
CN115547945A (en) Packaging structure and packaging method
US10873015B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
KR101633046B1 (en) Light emitting device package
KR20080087405A (en) Light emitting diode package and method for fabricating the same diode
JP3474841B2 (en) Manufacturing method of surface mount components
JP2020021784A (en) Led and manufacturing method
KR20110102655A (en) Led package and method for manufacturing the same
CN118431218A (en) Package structure of semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20120068788A (en) Led package
KR20130039094A (en) Led package of indirect illumination and method of manufacturing thereof, and illuminator using of the same

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190701

Year of fee payment: 6