KR101421166B1 - 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents
액정표시장치의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101421166B1 KR101421166B1 KR1020070021116A KR20070021116A KR101421166B1 KR 101421166 B1 KR101421166 B1 KR 101421166B1 KR 1020070021116 A KR1020070021116 A KR 1020070021116A KR 20070021116 A KR20070021116 A KR 20070021116A KR 101421166 B1 KR101421166 B1 KR 101421166B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photoresist pattern
- electrode
- gate
- forming
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/01—Manufacture or treatment
- H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
- H10D86/0231—Manufacture or treatment of multiple TFTs using masks, e.g. half-tone masks
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
- G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
Claims (20)
- 화소부와 데이터패드부 및 게이트패드부로 구분되는 제 1 기판을 제공하는 단계;제 1 마스크공정을 통해 상기 제 1 기판의 화소부에 게이트전극과 게이트라인 및 박스형태의 공통전극을 형성하는 동시에 상기 공통전극과 직접 전기적으로 접속하는 공통라인을 형성하는 단계;상기 게이트전극, 게이트라인, 공통전극 및 공통라인이 형성된 제 1 기판 위에 게이트절연막을 형성하는 단계;제 2 마스크공정을 통해 상기 게이트절연막이 형성된 제 1 기판의 화소부에 액티브패턴과 소오스/드레인전극을 형성하며, 상기 게이트라인과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터라인을 형성하는 단계;상기 액티브패턴과 소오스/드레인전극 및 데이터라인이 형성된 제 1 기판 위에 보호막을 형성하는 단계;제 3 마스크공정을 통해 상기 보호막 위에 제 1 두께의 제 1 감광막패턴과 제 2 두께의 제 2 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 감광막패턴과 제 2 감광막패턴을 마스크로 상기 보호막의 일부영역을 선택적으로 제거하여 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 제 1 콘택홀을 형성하는 단계;애싱공정을 통해 상기 제 2 감광막패턴을 제거하는 동시에 상기 제 1 감광막패턴을 상기 제 2 감광막패턴의 두께만큼 제거하여 제 3 두께의 제 3 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 제 3 감광막패턴이 형성된 제 1 기판 전면에 투명한 도전막을 형성하는 단계;리프트-오프공정을 통해 상기 제 3 감광막패턴을 제거하는 동시에 상기 제 3 감광막패턴 상부의 도전막을 제거하여 상기 화소영역 내에 다수개의 슬릿을 가진 박스형태로 이루어지며, 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 전기적으로 접속하는 화소전극을 형성하는 단계; 및상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며,상기 제 1 두께의 제 1 감광막패턴은 상기 애싱공정을 통해 상기 제 3 두께의 제 3 감광막패턴이 형성되도록 상기 제 2 감광막패턴보다 상기 제 2 두께만큼 두꺼운 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 마스크공정을 이용하여 상기 제 1 기판의 게이트패드부에 게이트패드라인을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 마스크공정을 이용하여 상기 제 1 기판의 데이터패드부에 데이터패드라인을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 감광막패턴과 제 2 감광막패턴을 마스크로 상기 보호막의 일부영역을 선택적으로 제거하여 상기 데이터패드라인의 일부를 노출시키는 제 2 콘택홀을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 감광막패턴과 제 2 감광막패턴을 마스크로 상기 보호막의 일부영역을 선택적으로 제거하여 상기 게이트패드라인의 일부를 노출시키는 제 3 콘택홀을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 3 감광막패턴을 제거하는 동시에 상기 제 3 감광막패턴 상부의 도전막을 제거하여 상기 제 2 콘택홀을 통해 상기 데이터패드라인과 전기적으로 접속하는 데이터패드전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제 3 감광막패턴을 제거하는 동시에 상기 제 3 감광막패턴 상부의 도전막을 제거하여 상기 제 3 콘택홀을 통해 상기 게이트패드라인과 전기적으로 접속하는 게이트패드전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 게이트전극과 게이트라인 및 공통라인은 불투명한 도전물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 공통전극은 투명한 도전물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 화소전극의 슬릿은 상기 공통라인을 기준으로 소정의 기울기를 가지며 서로 대칭이 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 감광막패턴과 제 2 감광막패턴은 하프-톤 마스크를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 리프트-오프공정은 스트리퍼를 이용하여 상기 도전막이 형성된 제 3 감광막패턴을 상기 도전막과 함께 제거하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070021116A KR101421166B1 (ko) | 2007-03-02 | 2007-03-02 | 액정표시장치의 제조방법 |
US12/005,631 US8603914B2 (en) | 2007-03-02 | 2007-12-28 | Liquid crystal display device and fabrication method thereof |
CN2007103073771A CN101256984B (zh) | 2007-03-02 | 2007-12-29 | 液晶显示装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070021116A KR101421166B1 (ko) | 2007-03-02 | 2007-03-02 | 액정표시장치의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080080855A KR20080080855A (ko) | 2008-09-05 |
KR101421166B1 true KR101421166B1 (ko) | 2014-07-18 |
Family
ID=39733251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070021116A Expired - Fee Related KR101421166B1 (ko) | 2007-03-02 | 2007-03-02 | 액정표시장치의 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8603914B2 (ko) |
KR (1) | KR101421166B1 (ko) |
CN (1) | CN101256984B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160069022A (ko) * | 2014-12-05 | 2016-06-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 와이어 그리드 편광자, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조방법 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI352235B (en) * | 2007-09-05 | 2011-11-11 | Au Optronics Corp | Method for manufacturing pixel structure |
CN101718950B (zh) * | 2008-10-09 | 2011-12-28 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜构图方法及制造液晶显示装置的方法 |
CN101963727B (zh) * | 2009-07-24 | 2012-02-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | Ffs型tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
KR101323408B1 (ko) * | 2009-12-07 | 2013-10-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 제조방법 |
KR101179386B1 (ko) * | 2010-04-08 | 2012-09-03 | 성균관대학교산학협력단 | 패키지 기판의 제조방법 |
KR101695022B1 (ko) * | 2010-04-09 | 2017-01-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 방식의 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
CN102148195B (zh) * | 2010-04-26 | 2013-05-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
CN102270604B (zh) * | 2010-06-03 | 2013-11-20 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板的结构及其制造方法 |
KR101747341B1 (ko) * | 2010-11-02 | 2017-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법 |
US8659734B2 (en) * | 2011-01-03 | 2014-02-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
KR101811358B1 (ko) * | 2011-01-03 | 2017-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20120108336A (ko) | 2011-03-23 | 2012-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101887371B1 (ko) * | 2011-07-22 | 2018-08-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시장치와 이의 제조방법 |
CN102253522A (zh) * | 2011-08-08 | 2011-11-23 | 信利半导体有限公司 | 一种液晶显示装置及其制造方法 |
KR101863153B1 (ko) * | 2011-09-27 | 2018-06-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시장치와 이의 제조방법 |
US9720295B2 (en) | 2011-09-27 | 2017-08-01 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
KR101863148B1 (ko) * | 2011-09-27 | 2018-06-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시장치와 이의 제조방법 |
KR101881895B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2018-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 |
CN102890922B (zh) * | 2012-10-11 | 2014-12-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种加压驱动系统及其加压方法 |
CN103000627A (zh) * | 2012-12-06 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
KR20140088810A (ko) * | 2013-01-03 | 2014-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
CN103107133B (zh) * | 2013-01-04 | 2015-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和显示装置 |
KR102087197B1 (ko) * | 2014-01-13 | 2020-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN103928406B (zh) * | 2014-04-01 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制备方法、阵列基板、显示装置 |
CN104409418B (zh) | 2014-11-13 | 2018-02-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置 |
KR102264037B1 (ko) | 2014-12-11 | 2021-06-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 전극 패턴, 그 제조 방법 및 이를 포함한 터치 센서 |
CN105487285B (zh) * | 2016-02-01 | 2018-09-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及阵列基板的制备方法 |
CN105914183B (zh) * | 2016-06-22 | 2019-04-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft基板的制造方法 |
CN106229294A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft基板的制作方法 |
CN108538855B (zh) * | 2018-03-30 | 2020-06-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板的制作方法 |
US10720454B2 (en) * | 2018-06-05 | 2020-07-21 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Manufacturing method for array substrate and liquid crystal display device |
CN110993619B (zh) * | 2019-12-04 | 2022-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法和显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050068979A (ko) * | 2003-12-30 | 2005-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
KR20050122465A (ko) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR20060015171A (ko) * | 2004-08-13 | 2006-02-16 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR20060036243A (ko) * | 2004-10-25 | 2006-04-28 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100556702B1 (ko) * | 2003-10-14 | 2006-03-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
US7172913B2 (en) * | 2004-03-19 | 2007-02-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
KR101121620B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2012-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101107682B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR20070001652A (ko) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정 표시 장치 |
CN100517075C (zh) | 2006-03-09 | 2009-07-22 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板的制作方法 |
CN100466182C (zh) * | 2007-01-04 | 2009-03-04 | 北京京东方光电科技有限公司 | 金属导线、电极及薄膜晶体管阵列基板的制造方法 |
-
2007
- 2007-03-02 KR KR1020070021116A patent/KR101421166B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-28 US US12/005,631 patent/US8603914B2/en active Active
- 2007-12-29 CN CN2007103073771A patent/CN101256984B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050068979A (ko) * | 2003-12-30 | 2005-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
KR20050122465A (ko) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR20060015171A (ko) * | 2004-08-13 | 2006-02-16 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR20060036243A (ko) * | 2004-10-25 | 2006-04-28 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160069022A (ko) * | 2014-12-05 | 2016-06-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 와이어 그리드 편광자, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조방법 |
KR102305200B1 (ko) * | 2014-12-05 | 2021-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 와이어 그리드 편광자, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080080855A (ko) | 2008-09-05 |
US20080213472A1 (en) | 2008-09-04 |
US8603914B2 (en) | 2013-12-10 |
CN101256984A (zh) | 2008-09-03 |
CN101256984B (zh) | 2010-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101421166B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
KR101320494B1 (ko) | 수평전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR100978263B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101522241B1 (ko) | 시야각 제어가 가능한 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
EP1939674A2 (en) | Liquid crystal display device and fabrication method thereof | |
KR101631620B1 (ko) | 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101553940B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101887691B1 (ko) | 프린지 필드형 액정표시장치의 제조방법 | |
US8357937B2 (en) | Thin film transistor liquid crystal display device | |
KR101898624B1 (ko) | 프린지 필드형 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
KR101333594B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101680134B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20100069432A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20120133130A (ko) | 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101432570B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101331905B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
KR101697587B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101369258B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법 | |
KR20100010286A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
CN101207092B (zh) | 液晶显示器件及其制造方法 | |
KR20110012111A (ko) | 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법 | |
KR101432571B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101358221B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101604271B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101594863B1 (ko) | 시야각 제어가 가능한 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20070302 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20120302 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20070302 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20130716 Patent event code: PE09021S01D |
|
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event date: 20140120 Patent event code: PE09021S02D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20140702 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20140714 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20140715 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170615 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |