KR101427460B1 - Organic Light Emitting Device And Method for Manufacturing The Same - Google Patents
Organic Light Emitting Device And Method for Manufacturing The Same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101427460B1 KR101427460B1 KR1020120020645A KR20120020645A KR101427460B1 KR 101427460 B1 KR101427460 B1 KR 101427460B1 KR 1020120020645 A KR1020120020645 A KR 1020120020645A KR 20120020645 A KR20120020645 A KR 20120020645A KR 101427460 B1 KR101427460 B1 KR 101427460B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide
- electrode
- organic light
- silicon
- refractive index
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 12
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 11
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/20—Light sources comprising attachment means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
- F21Y2115/15—Organic light-emitting diodes [OLED]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 기판, 상기 기판 상에 구비된 제1 전극과 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 제1 전극은 투명하고, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 소자 특성 안정화층이 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 및 이의 제조방법을 제공한다.An organic light emitting device comprising a substrate, a first electrode and a second electrode provided on the substrate, and at least one organic layer provided between the first electrode and the second electrode, And a device characteristic stabilizing layer is provided between the substrate and the first electrode, and a method of manufacturing the same.
Description
본 발명은 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 소자 특성이 안정화된 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to an organic light emitting device having stabilized device characteristics and a method of manufacturing the same.
유기 발광 소자(OLED)는 통상 두 개의 전극 및 이들 전극 사이에 위치하는 한 층 이상의 유기물 층으로 구성된다. 구체적으로, 유기 발광 소자는 도 1에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있다. 이와 같은 구조의 유기 발광 소자에 있어서, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 전압을 인가하면, 제1 전극으로부터는 정공이, 제2 전극으로부터는 전자가 각각 유기물 층으로 유입되고, 이들이 재결합하여 여기자(exciton)를 형성하며, 이 여기자가 다시 기저 상태로 떨어지면서 에너지 차이에 해당하는 광자를 방출하게 된다. 이와 같은 원리에 의하여 유기 발광 소자는 가시 광선을 발생하며, 이를 이용하여 정보 표시 소자 또는 조명 소자를 제조할 수 있다.The organic light emitting device OLED typically comprises two electrodes and one or more organic layers positioned between the electrodes. Specifically, the organic light emitting device may have a structure as shown in FIG. When a voltage is applied between the first electrode and the second electrode, holes from the first electrode and electrons from the second electrode flow into the organic material layer, respectively, in the organic light emitting device having such a structure, which excitons fall back to the ground state and emit photons corresponding to energy differences. According to such a principle, the organic light emitting element generates visible light, and an information display element or an illumination element can be manufactured using the same.
일반적으로, 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극을 증착하고 1층 이상의 유기물 층을 증착한 후, 제2 전극을 증착하는 방법에 의해서 제조될 수 있다. 따라서, 유기물 층에서 발생된 빛을 방출하기 위해서 빛을 방출하고자 하는 방향의 전극은 투명해야 하며, 제1 전극 방향으로 빛을 방출하고자 할 때는 제1 전극뿐만 아니라 기판 또한 투명해야 한다. Generally, an organic light emitting device can be manufactured by depositing a first electrode on a substrate, depositing an organic layer of one or more layers, and then depositing a second electrode. Accordingly, in order to emit light generated in the organic layer, the electrode in a direction to emit light must be transparent. In order to emit light toward the first electrode, not only the first electrode but also the substrate must be transparent.
본 발명자는 유기 발광 소자의 제작 공정에서 발생하는 다층 구조의 두께 산포에도 불구하고, 휘도, 색온도 및 각도 의존성 등의 특성 변화가 최소화되고, 소자 기본적인 특성이 안정화된 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 대한 연구를 거듭한 끝에 본 발명에 이르렀다.The present inventors have found that, despite the thickness distribution of a multilayer structure occurring in the process of manufacturing an organic light emitting device, the organic light emitting device in which changes in characteristics such as brightness, color temperature and angle dependency are minimized, device basic characteristics are stabilized, After repeated research, the present invention has been accomplished.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 구비된 제1 전극과 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 제1 전극은 투명하고, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 소자 특성 안정화층이 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting device including a substrate, a first electrode and a second electrode provided on the substrate, and at least one organic layer provided between the first electrode and the second electrode, Wherein the first electrode is transparent and an element characteristic stabilization layer is provided between the substrate and the first electrode.
또한, 본 발명은 In addition,
기판 상에 소자 특성 안정화층을 제공하는 단계;Providing a device characteristic stabilizing layer on the substrate;
상기 소자 특성 안정화층 상에 투명한 제1 전극을 형성하는 단계; Forming a transparent first electrode on the device characteristic stabilizing layer;
상기 투명한 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및Forming at least one organic layer on the transparent first electrode; And
상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법을 제공한다. And forming a second electrode on the organic material layer.
또한, 본 발명은 상기 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다. Further, the present invention provides a lighting apparatus including the organic light emitting element.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판과 투명 전극 사이에 소자 특성 안정화층을 구비함으로써 제작 공정에서 유기 발광 소자의 다층 구조의 두께에 산포가 발생하는 경우에도 휘도, 색온도 및 각도 의존성 등의 특성 변화가 최소화되고, 소자 기본적인 특성이 안정화될 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention includes the device characteristic stabilizing layer between the substrate and the transparent electrode, so that even when scattering occurs in the thickness of the multilayer structure of the organic light emitting device in the fabrication process, characteristics such as luminance, color temperature, And the basic characteristics of the device can be stabilized.
도 1은 종래기술에 따른 유기 발광 소자의 단면 구조를 예시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 단면 구조를 예시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 캐버티 길이(L)를 나타낸 것이다.
도 4 및 도 5는 실시예 및 비교예에서 측정한 소자 특성 안정화층의 유무에 따른 소자 특성의 차이를 나타내는 도시한 그래프이다. 1 illustrates a cross-sectional structure of an organic light emitting device according to the related art.
2 illustrates a cross-sectional structure of an organic light emitting diode according to the present invention.
3 shows the cavity length (L) of the organic light emitting device according to the present invention.
FIGS. 4 and 5 are graphs showing differences in device characteristics depending on the presence or absence of the device characteristic stabilizing layer measured in Examples and Comparative Examples. FIG.
이하에서 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판, 상기 기판 상에 구비된 제1 전극과 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 것으로서, 상기 제1 전극은 투명하고, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 소자 특성 안정화층이 구비되는 것을 특징으로 한다. The organic light emitting device according to the present invention includes a substrate, a first electrode and a second electrode provided on the substrate, and at least one organic layer provided between the first electrode and the second electrode, Wherein the electrode is transparent and an element characteristic stabilization layer is provided between the substrate and the first electrode.
종래기술에는 도 1에 예시한 바와 같이 기판과 제1 전극이 접하는 구조를 갖는 반면, 본 발명에서는 도 2에 예시한 바와 같이 기판과 제1 전극 사이에 소자 특성 안정화층이 구비된다. 도 1 및 도 2에서는 기판의 종류가 유리이고, 제1 전극이 애노드, 제2 전극이 금속 캐소드로 도시되어 있으나, 이들은 예시일 뿐이며 본 발명의 범위가 상기 재료 및 구조로 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 기판 및 제2 전극의 재료는 후술하는 바와 같이 상기 재료들로 한정되지 아니한다. 또한, 제1 전극과 제2 전극은 각각 애노드와 캐소드일 수도 있으나, 반대로 각각 캐소드와 애노드로 구성될 수도 있다. In the prior art, as illustrated in FIG. 1, the substrate and the first electrode are in contact with each other. In contrast, in the present invention, the device characteristic stabilizing layer is provided between the substrate and the first electrode, as illustrated in FIG. In FIGS. 1 and 2, the type of the substrate is glass, the first electrode is the anode, and the second electrode is the metal cathode. However, these are merely examples, and the scope of the present invention is not limited thereto. In the present invention, the materials of the substrate and the second electrode are not limited to these materials as described below. Also, the first electrode and the second electrode may be an anode and a cathode, respectively, but they may alternatively be composed of a cathode and an anode, respectively.
유기 발광 소자는 여러 가지 종류의 물질들이 각각 또는 2종 이상의 물질을 포함하는 박막 형태로 증착되어 형성된 다층구조를 갖는다. 유기 발광 소자의 다층 구조의 증착 과정에 있어서, 각 층의 목표로 한 두께와의 오차는 정도의 차이가 있으나, 유기 발광 소자의 다층 구조에서는 각 층에서의 두께의 오차의 누적에 의하여 목표로 한 두께와는 상당한 차이가 발생할 수 있다. 이러한 두께의 변화는 휘도, 색온도 및 각도 의존성 등의 특성을 변화시킨다. The organic light emitting device has a multi-layer structure formed by depositing various kinds of materials in the form of thin films each containing two or more kinds of materials. In the deposition process of the multilayer structure of the organic light emitting device, there is a difference in the degree of deviation from the target thickness of each layer. However, in the multi-layer structure of the organic light emitting device, There can be significant differences from the thickness. This change in thickness changes properties such as luminance, color temperature and angle dependency.
따라서, 증착 공정에 따른 다층 구조의 두께의 산포는 각 소자마다 특성 차를 유발하여, 유기 발광 소자의 제작시 심각한 수율 하락 및 불량을 야기할 수 있다. Accordingly, the scattering of the thickness of the multilayer structure depending on the deposition process causes a characteristic difference for each device, which may cause a serious decrease in yield and defects in manufacturing the organic light emitting device.
본 발명의 유기 발광 소자는 유기 발광 소자의 제작 공정에서 발생하는 다층 구조의 두께 산포에도 불구하고, 휘도, 색온도 및 각도 의존성 등의 특성 변화가 최소화되고, 소자 기본적인 특성이 안정화된다. INDUSTRIAL APPLICABILITY The organic light emitting device of the present invention minimizes changes in properties such as brightness, color temperature, and angle dependency, and stabilizes basic characteristics of the device, despite the thickness distribution of the multilayer structure generated in the manufacturing process of the organic light emitting device.
상기 소자 특성 안정화층은 유기 발광 소자에서 캐버티(cavity) 길이를 조절함으로써, 유기 발광 소자의 제작 공정 중 소자들 간에 다층 구조의 두께 산포가 발생하는 경우에도 각 소자에서 휘도, 색온도 및 각도 의존성 등의 특성 변화가 최소화되고, 소자 기본적인 특성이 안정화될 수 있다.The device characteristic stabilization layer adjusts the cavity length in the organic light emitting device so that even when the thickness of the multi-layer structure is scattered among the devices during the manufacturing process of the organic light emitting device, brightness, color temperature and angle dependency The characteristic change of the device can be minimized, and the basic characteristics of the device can be stabilized.
구체적으로 설명하면, 캐버티 길이는 유기 발광 소자 내에서 빛이 공진하는 길이를 의미한다. 제2 전극이 불투명한 경우, 캐버티 길이(L)는, 도 3에 예시한 바와 같이, 기판과 소자 특성 안정화층의 경계면과 제2 전극과 유기물층의 경계면 사이의 길이를 의미한다. 다만, 제2 전극이 반드시 불투명한 것으로 한정되지 않으며, 제2 전극이 투명한 경우, 캐버티 길이(L)는 기판과 소자 특성 안정화층의 경계면과 제2 전극과 공기층의 경계면 사이의 길이를 의미한다. Specifically, the cavity length means a length at which light resonates in the organic light emitting element. When the second electrode is opaque, the cavity length L means the length between the interface between the substrate and the device characteristic stabilizing layer and the interface between the second electrode and the organic layer, as illustrated in Fig. However, the second electrode is not necessarily opaque. When the second electrode is transparent, the cavity length L means the length between the interface between the substrate and the device characteristic stabilizing layer and the interface between the second electrode and the air layer .
공진 조건에서 상기 캐버티 길이(L)은 하기 식 1과 같이 표시될 수 있다. In the resonance condition, the cavity length L can be expressed by the following equation (1).
[식 1][Formula 1]
L=(2m-1)λ/4 L = (2m-1) lambda / 4
상기 식 1에 있어서, m은 정수이고, λ는 방출되는 빛이 공진할 때의 파장이다. In Equation (1), m is an integer, and? Is a wavelength when the emitted light resonates.
유기 발광 소자를 제작할 때, 공정상의 한계로 인하여 소자간에 생기게 되는 두께의 변화값(ΔL)은 하기 식 2와 같이 표시될 수 있다. In fabricating the organic light emitting device, the thickness change value DELTA L caused between the devices due to process limitations can be expressed by the following equation (2).
[식 2][Formula 2]
ΔL=(2m-1)Δλ/4 DELTA L = (2m-1) DELTA lambda / 4
상기 식 2에 있어서, m은 정수이고, Δλ는 두께의 변화값(ΔL)로 인한, 방출되는 빛이 공진할 때의 파장의 변화값이다. In Equation 2, m is an integer, and DELTA lambda is a change value of the wavelength when the emitted light resonates due to the thickness variation value DELTA L.
상기 식 2로부터 Δλ은 하기 식 3과 같이 계산된다. From the above equation (2),? Is calculated as shown in the following equation (3).
[식 3][Formula 3]
Δλ=4ΔL/(2m-1)?? = 4? L / (2m-1)
상기 식 3에 도시된 바와 같이 Δλ는 m의 증가에 따라 감소한다. 즉, m은, 상기 식 1에 표시된 바와 같이, L이 커질수록 커지는 정수인데, 소자 특성 안정화층을 삽입함으로써 L값이 커지므로 m도 증가하게 되고, 따라서 Δλ은 감소하게 되는 것이다. As shown in Equation 3, DELTA lambda decreases with an increase in m. That is, m is an integer increasing as L increases as shown in the above-mentioned formula 1. Since the value of L is increased by inserting the element characteristic stabilization layer, m is also increased, and accordingly, DELTA lambda is decreased.
공정상의 한계로 인하여 소자간에 생기게 되는 두께의 변화값(ΔL)은 소자 특성 안정화층의 유무와 관계없이 동일하게 발생하는 값이므로, m값이 커지게 되면 소자로부터 방출되는 빛의 파장의 변화가 작아지게 되어 소자 특성의 변화가 적어지는 것이다. Since the change value DELTA L of the thickness caused by the limitations of the process is the same value regardless of the presence or absence of the device characteristic stabilization layer, the change in the wavelength of the light emitted from the device is small The change of the device characteristics is reduced.
상기 소자 특성 안정화층은 소자의 공진 조건에서의 캐버티 길이를 증가시키는 것이라면 그 재료가 특별히 한정되지 않는다. The material of the device characteristic stabilizing layer is not particularly limited as long as it can increase the cavity length under the resonance condition of the device.
본 발명에서는 소자의 캐버티 길이를 증가시키기 위한 소자 특성 안정화층을 기판과 제1 전극 사이에 구비시킴으로써 소자의 다른 특성에는 영향을 주지 않으면서 캐버티 길이만을 증가시키므로, 소자의 특성을 안정화시키는데 유리하다. In the present invention, since the device characteristic stabilizing layer for increasing the cavity length of the device is provided between the substrate and the first electrode, only the cavity length is increased without affecting other characteristics of the device, Do.
상기 소자 특성 안정화층은 고굴절 재료를 포함할 수 있다. The device characteristic stabilizing layer may include a high-refraction material.
상기 고굴절 재료는 굴절율이 기판의 굴절율보다 클 수 있다. 구체적으로, 재료 선택의 관점에서, 상기 고굴절 재료의 굴절율은 1.5 내지 2.5일 수 있다. The refractive index of the high refractive index material may be greater than the refractive index of the substrate. Specifically, in view of material selection, the refractive index of the high refractive index material may be 1.5 to 2.5.
상기 소자 특성 안정화층의 굴절율은 기판의 굴절율보다 클 수 있다. 구체적으로, 제1 전극의 굴절율과 같을 수 있다. The refractive index of the device characteristic stabilizing layer may be larger than the refractive index of the substrate. Specifically, it may be equal to the refractive index of the first electrode.
상기 소자 특성 안정화층은 투명할 수 있다. 여기서 투명하다는 것은 광흡수율이 적은 것을 의미하며, 광흡수율이 적으면 적을수록 바람직하고, 광흡수가 없는 것이 가장 바람직하다. 예컨대, 상기 소자 특성 안정화층의 광흡수율은 50% 이하, 구체적으로 30% 이하, 더욱 구체적으로 10% 이하, 더욱 구체적으로 0% 초과, 5% 이하일 수 있다.The device characteristic stabilizing layer may be transparent. The term "transparent" means that the light absorptivity is low, and the smaller the light absorptivity is, the more preferable the smaller the light absorptivity is. For example, the light absorption rate of the device characteristic stabilizing layer may be 50% or less, specifically 30% or less, more specifically 10% or less, more specifically 0% or more, or 5% or less.
예컨대, 본 발명의 소자 특성 안정화층은 굴절율이 1.5 내지 2.5이며, 광흡수율이 5% 이하일 수 있다. For example, the device characteristic stabilizing layer of the present invention may have a refractive index of 1.5 to 2.5 and a light absorptivity of 5% or less.
또한, 본 발명의 소자 특성 안정화층은 굴절율이 제1 전극의 굴절율과 같으며, 광흡수율이 0% 초과, 5% 이하일 수 있다. Further, the refractive index of the device characteristic stabilizing layer of the present invention is equal to the refractive index of the first electrode, and the light absorptance may be more than 0% and less than 5%.
상기 소자 특성 안정화층의 재료로서 상기와 같은 굴절율 및 투명성을 갖는 재료라면 특별히 한정되지 않는다. The material of the device characteristic stabilizing layer is not particularly limited as long as it has the same refractive index and transparency as described above.
본 발명의 소자 특성 안정화층은 규소가 함유된 고분자를 포함하는 코팅액 또는 상기 규소가 함유된 고분자에 고굴절 필러가 분산된 코팅액을 기판 상에 코팅하여 제조하거나, 이산화티탄, 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride, SiON), 질화규소(silicon nitride, SiN), 산화 인듐, 산화 인듐 주석, 산화 주석 등의 무기 산화물을 기판 상에 증착하여 제조할 수 있다. The device characteristic stabilization layer of the present invention may be prepared by coating a coating solution containing a polymer containing silicon or a coating solution in which a high refractive index filler is dispersed in the silicon-containing polymer, on a substrate, or by coating a substrate such as titanium dioxide, silicon oxynitride , Silicon nitride (SiON), silicon nitride (SiN), indium oxide, indium tin oxide, tin oxide, and the like.
상기 규소가 함유된 고분자는 무기 또는 유무기 복합체 고분자일 수 있다. 상기 무기 또는 유무기 복합체 고분자는 유기 고분자에 비해 내열성 및 내화학성이 우수하며, 소자의 성능 특히 수명이 증가되는 효과가 있다. 소자 제작 과정에 있을 수 있는 150도 이상의 고온 공정, 포토 공정 및 식각 공정 등에서도 열화가 일어나지 않기 때문에, 다양한 소자 제작에 유리하다는 장점이 있다. The silicon-containing polymer may be an inorganic or organic composite polymer. The inorganic or organic composite polymer is superior in heat resistance and chemical resistance to organic polymers and has an effect of improving the performance of the device, particularly the lifetime. There is no deterioration even in a high-temperature process, a photolithography process, and an etching process at a temperature of 150 degrees or more, which may be in the device fabrication process.
예컨대, 상기 규소가 함유된 고분자는 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드(silicon nitride), 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride), 알루미나(alumina) 및 실록산(siloxane) 결합(Si-O)을 포함하는 무기 또는 유무기 복합체 고분자 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있으나, 이를 한정하지 않는다. For example, the silicon-containing polymer may be selected from the group consisting of inorganic or non-inorganic materials including silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, alumina, and siloxane bonding (Si-O) Polymer complex, and the like, but is not limited thereto.
상기 실록산(siloxane) 결합을 포함하는 무기 또는 유무기 복합체 고분자는 실록산을 이용하여 축중합시켜 실록산 결합(Si-O)을 포함하는 무기 고분자이거나, 상기 실록산 결합(Si-O)에서 알킬기가 완전히 제거되지 않은 유무기 복합체 고분자일 수 있다. The inorganic or organic complex polymer containing the siloxane bond is an inorganic polymer containing a siloxane bond (Si-O) by condensation polymerization using siloxane, or the alkyl group is completely removed from the siloxane bond (Si-O) Or non-organic polymer.
상기 실록산(siloxane) 결합을 포함하는 무기 또는 유무기 복합체 고분자는 실록산(siloxane) 결합을 기반으로 축중합되었다면, 이를 한정하지 않는다. The inorganic or organic complex polymer containing the siloxane bond is not limited thereto if it is condensation-polymerized based on siloxane bond.
상기 고굴절 필러는 소자 특성 안정화층 내에 분산되어 굴절율을 높일 수 있는 경우라면 특별히 제한되지 않으며, 예컨대, 알루미나, 알루미늄 나이트라이드, 산화지르코늄, 산화 티탄, 산화 세륨, 주석, 산화 하프늄, 오산화 니오븀, 오산화 탄탈, 산화 인듐, 산화 주석, 산화 인듐 주석, 산화 아연, 규소, 황아연, 탄산칼슘, 황산바륨, 이산화티탄 및 실리콘 나이트라이드로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있으나, 이를 한정하지 않는다. 상기 고굴절 필러로서, 이산화티탄을 선택할 수 있다. The high refractive index filler is not particularly limited as long as it can be dispersed in the device characteristic stabilizing layer to increase the refractive index. Examples of the high refractive index filler include alumina, aluminum nitride, zirconium oxide, titanium oxide, cerium oxide, tin, hafnium oxide, , Indium oxide, tin oxide, indium tin oxide, zinc oxide, silicon, zinc sulfide, calcium carbonate, barium sulfate, titanium dioxide and silicon nitride. As the high refractive index filler, titanium dioxide can be selected.
상기 고굴절 필러의 평균 입경은 5 내지 30nm, 구체적으로는 15 내지 25nm일 수 있다. 상기 고굴절 필러의 입경이 지나치게 작으면 굴절율을 높이는 효과가 미비하고, 반대의 경우에는 광투과율을 저하시킬 수 있다. The average particle diameter of the high refractive index filler may be 5 to 30 nm, specifically 15 to 25 nm. If the particle diameter of the high refractive index filler is too small, the effect of increasing the refractive index is insufficient, and in the opposite case, the light transmittance can be lowered.
상기 소자 특성 안정화층의 두께는 이 층에 의한 광흡수가 없다면 두꺼울수록 바람직하다. 예컨대, 상기 소자 특성 안정화층의 재료 선택의 관점에서, 상기 소자 특성 안정화층의 두께는 0.5 마이크로미터 이상일 수 있고, 1마이크로미터 이상일 수 있다. The thickness of the device characteristic stabilization layer is preferably as thick as there is no light absorption by the layer. For example, from the viewpoint of material selection of the device characteristic stabilizing layer, the thickness of the device characteristic stabilizing layer may be 0.5 micrometer or more, and may be 1 micrometer or more.
본 발명에 있어서, 기판, 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극은 당기술분야에 알려진 재료를 이용하여 형성될 수 있다. In the present invention, the substrate, the first electrode, the organic layer, and the second electrode may be formed using materials known in the art.
상기 기판은 투명한 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 기판은 광투과율이 50% 이상, 구체적으로 70% 이상, 더욱 구체적으로 85% 이상일 수 있다. 상기 기판은 단단한 기판일 수도 있고, 플렉서블 기판일 수도 있다. 상기 기판으로서 유리, 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름이 사용될 수 있다. The substrate is preferably transparent. For example, the substrate may have a light transmittance of 50% or more, specifically 70% or more, more specifically 85% or more. The substrate may be a rigid substrate or a flexible substrate. As the substrate, a glass substrate, a plastic substrate, or a plastic film may be used.
상기 제1 전극은 투명한 것으로서, 광투과율이 50% 이상, 구체적으로 70% 이상, 더욱 구체적으로 85% 이상인 것이 바람직하다. 투명성과 전도성을 갖는 재료라면 특별히 한정되지 않는다. 예컨대 IZO(indium doped zinc-oxide) 또는 ITO(indium doped tin-oxide) 등과 같이 가시광선 영역에서 투명한 전도성 산화 물질이나, Al, Ag, Au, Ni, Pd, Ti, Mo, Mg, Ca, Zn, Te, Pt, Ir 또는 이들 중 하나 이상을 포함하는 합금 물질로 형성할 수 있다. 상기 제1 전극이 불투명한 금속으로 이루어지는 경우 투명성을 위하여 박막으로 형성될 수 있다. The first electrode is preferably transparent and has a light transmittance of 50% or more, specifically 70% or more, more specifically 85% or more. And is not particularly limited as long as it is a material having transparency and conductivity. Ag, Au, Ni, Pd, Ti, Mo, Mg, Ca, Zn, or the like in a visible light region, such as indium doped zinc oxide (IZO) Te, Pt, Ir, or an alloy material containing at least one of them. When the first electrode is made of an opaque metal, it may be formed as a thin film for transparency.
상기 유기물층은 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함할 수 있다. 발광층 이외에, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층 등 중 한 층 이상을 더 포함할 수 있으며, 전자블록킹층, 정공블록킹층, 버퍼층 등을 더 포함할 수도 있다. The organic layer may include one or more organic layers including a light emitting layer. A hole transporting layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer, and the like, and may further include an electron blocking layer, a hole blocking layer, a buffer layer, and the like.
상기 제2 전극은 투명 또는 불투명 전극으로 형성될 수 있다. 도전성 재료로서 당 기술분야에 알려져 있는 재료를 이용하여 형성할 수 있다. The second electrode may be formed as a transparent or opaque electrode. And can be formed using a material known in the art as a conductive material.
본 발명에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 각각 애노드와 캐소드로 구성될 수도 있고, 그 반대로 각각 캐소드와 애노드로 구성될 수 있다. In the present invention, the first electrode and the second electrode may be composed of an anode and a cathode, respectively, and conversely, the first electrode and the second electrode may be constituted of a cathode and an anode, respectively.
또한, 본 발명은 상기 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다. Further, the present invention provides a lighting apparatus including the organic light emitting element.
이하에서는 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 그러나, 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이들에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the examples are for illustrating the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.
실시예Example
유리 기판 상에 고굴절 필러로서 평균 입경이 평균 입경이 약 10nm인 이산화티탄과 실록산 바인더와 8:2의 비로 분산되어 있는 코팅액(건조 후 굴절율은 약 1.8)을 코팅 후, 150도에서 30분동안 건조하여 평탄한 두께 0.5 마이크론의 소자 특성 안정화층을 형성하였다. Coating liquid (refractive index after drying: about 1.8) coated with titanium dioxide and siloxane binder having an average particle size of about 10 nm and a ratio of 8: 2 as a high refractive index filler on a glass substrate was dried at 150 degrees for 30 minutes Thereby forming a device characteristic stabilizing layer having a flat thickness of 0.5 micron.
이어서, 상기 소자 특성 안정화층 상에 유기물층으로서, 하기 표에 기재된 ITO층으로부터 Al전극층까지의 층을 순차적으로 형성하여 2×2 mm2의 발광 영역을 가지는 2 스택(stack) 백색 OLED를 제작하였다. (즉, 상기 소자 특성 안정화층 상에 하기 표의 1번 층에서 13번층까지를 순차적으로 형성)Subsequently, a layer from the ITO layer to the Al electrode layer described in the following table was sequentially formed as an organic material layer on the device characteristic stabilizing layer to prepare a 2-stack OLED having a light emitting region of 2 x 2 mm 2 . (That is, the layers 1 to 13 in the following table are sequentially formed on the device characteristic stabilization layer)
상기 유기물층을 형성하는 과정에서, 정공주입층(HIL), 정공수소층(HTL), 발광층(EML), 전하발생층(CGL), 정공블록킹층(HBL), 전자수송층(ETL) 또는 전자주입층(EIL)의 소재는 백색 OLED의 제조 분야에서 통상적으로 사용되는 소재를 사용하였으며, 상기 유기물층은 당업계에서 일반적으로 사용되는 방식으로 제조되었다. In the process of forming the organic material layer, a hole injecting layer (HIL), a hole transporting layer (HTL), a light emitting layer (EML), a charge generating layer (CGL), a hole blocking layer (HBL), an electron transporting layer (EIL), a material commonly used in the manufacture of white OLEDs was used, and the organic layer was prepared in a manner commonly used in the art.
비교예Comparative Example
소자 특성 안정화층을 형성하지 않은 것을 제외하고는 실시예와 동일하게 실시하였다.
Except that the device characteristic stabilizing layer was not formed.
실시예 및 비교예에 따라 제조된 소자의 특성을 도 4 및 도 5에 나타내었다. 도 4에 도시된 바와 같이, 특성 안정화 층을 적용함으로써 소자의 특성 산포를 줄일 수 있다. 소자를 보는 각도에 따라서 관찰되는 색좌표가 동일한지를 측정하여 도 5에 도시하였다. 도 5에 도시된 바와 같이, 특성 안정화 층을 적용하는 경우, 그렇지 않은 경우에 비하여, 정면방향으로부터 보는 각도를 증가시키는 경우에도 색좌표의 변화가 상당히 감소함을 확인할 수 있었다.
The characteristics of the device fabricated according to Examples and Comparative Examples are shown in FIGS. 4 and 5. FIG. As shown in Fig. 4, application of the characteristic stabilization layer can reduce the characteristic scattering of the device. The measured color coordinates are measured according to the viewing angle of the device and are shown in Fig. As shown in FIG. 5, when the characteristic stabilizing layer is applied, it is confirmed that the change of the color coordinate is significantly reduced even when the angle of view from the front direction is increased, as compared with the case where the characteristic stabilizing layer is applied.
Claims (16)
상기 소자 특성 안정화층은 투명하고, 규소가 함유된 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.1. An organic light emitting diode comprising a substrate, a first electrode and a second electrode provided on the substrate, and at least one organic layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein the first electrode is transparent, A device characteristic stabilizing layer is provided between the substrate and the first electrode,
Wherein the device characteristic stabilizing layer comprises a transparent, silicon-containing polymer.
상기 소자 특성 안정화층 상에 투명한 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 투명한 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 소자 특성 안정화층은 투명하고, 규소가 함유된 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항 1, 3 내지 10 중 어느 하나의 항에 따른 유기 발광 소자의 제조방법.Providing a device characteristic stabilizing layer on the substrate;
Forming a transparent first electrode on the device characteristic stabilizing layer;
Forming at least one organic layer on the transparent first electrode; And
And forming a second electrode on the organic material layer,
The method for manufacturing an organic light emitting diode according to any one of claims 1 to 3, wherein the device characteristic stabilizing layer comprises a transparent and silicon-containing polymer.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20110018041 | 2011-02-28 | ||
| KR1020110018041 | 2011-02-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120101307A KR20120101307A (en) | 2012-09-13 |
| KR101427460B1 true KR101427460B1 (en) | 2014-08-07 |
Family
ID=47110508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120020645A KR101427460B1 (en) | 2011-02-28 | 2012-02-28 | Organic Light Emitting Device And Method for Manufacturing The Same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101427460B1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2908358B1 (en) | 2012-11-30 | 2018-07-11 | LG Chem, Ltd. | Substrate for organic electronic element |
| CN104823298B (en) * | 2012-11-30 | 2017-03-08 | 株式会社Lg化学 | Substrates for organic electronic devices |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030042932A (en) * | 2001-11-26 | 2003-06-02 | 엘지전자 주식회사 | Wettable transmission repression method for organic electro luminescence device |
| KR20050015820A (en) * | 2003-08-07 | 2005-02-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | Transparent organic electro luminescence display |
| KR20050095099A (en) * | 2004-03-25 | 2005-09-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electro-luminescent display device comprising optical micro-cavity |
| KR20080060827A (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
-
2012
- 2012-02-28 KR KR1020120020645A patent/KR101427460B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030042932A (en) * | 2001-11-26 | 2003-06-02 | 엘지전자 주식회사 | Wettable transmission repression method for organic electro luminescence device |
| KR20050015820A (en) * | 2003-08-07 | 2005-02-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | Transparent organic electro luminescence display |
| KR20050095099A (en) * | 2004-03-25 | 2005-09-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electro-luminescent display device comprising optical micro-cavity |
| KR20080060827A (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120101307A (en) | 2012-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5656176B2 (en) | Organic electronic device and method for producing organic electronic device | |
| US9825258B2 (en) | Layered structure for OLED device, method for manufacturing the same, and OLED device having the same | |
| CN101901876B (en) | Organic light emitting apparatus | |
| US9448339B2 (en) | Substrate for an organic electronic element and a production method therefor | |
| US20110073897A1 (en) | Organic led and manufacturing method thereof | |
| TWI506836B (en) | Transparent conductive film and organic light-emitting device therewith | |
| WO2012057043A1 (en) | Organic el device, translucent substrate, and method for manufacturing organic el device | |
| CN104584253A (en) | Organic light emitting device and method for manufacturing organic light emitting device | |
| JP7576663B2 (en) | Organic Electroluminescent Devices | |
| KR100494557B1 (en) | Efficient LED having highly refractive cover layer | |
| KR101427460B1 (en) | Organic Light Emitting Device And Method for Manufacturing The Same | |
| KR100755478B1 (en) | Light Emitting Device and Fabrication Method The same and Organic Light Emitting Device Passivation film having Multiple layers | |
| KR101974089B1 (en) | Organic light emitting device | |
| KR20240043513A (en) | Method of manufacturing flexible transparent electrodes, flexible transparent electrodes manufactured by the method, and electrofield light emitting device having the flexible transparent electrode | |
| KR101528663B1 (en) | Organic light emitting device and method for preparing the same | |
| KR20160056598A (en) | Organic Light Emitting Device Having Improved Out-coupling Efficiency And Manufacturing Method Thereof | |
| WO2012176692A1 (en) | Organic electroluminescent element and method for producing same | |
| KR101957265B1 (en) | Organic light emitting device | |
| KR102054528B1 (en) | Transparent conducting film and organic light emitting device comprising the same | |
| CN203746913U (en) | Organic Light Emitting Diode Structure | |
| WO2019002819A1 (en) | Organic light emitting device | |
| KR20120023421A (en) | Organic light emitting diode |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20120228 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20130618 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event date: 20140109 Patent event code: PE09021S02D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20140509 |
|
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20140731 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20140731 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170615 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20180615 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190617 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190617 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200617 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210614 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220615 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240617 Start annual number: 11 End annual number: 11 |