KR101399022B1

KR101399022B1 - 전자파 흡수시트 및 그의 제조방법과 이를 포함하는 전자기기

Info

Publication number: KR101399022B1
Application number: KR1020120155203A
Authority: KR
Inventors: 장길재; 이동훈; 김기철
Original assignee: 주식회사 아모센스
Priority date: 2012-12-27
Filing date: 2012-12-27
Publication date: 2014-05-27
Anticipated expiration: 2032-12-27
Also published as: CN104885587B; US20150342099A1; US9832917B2; WO2014104816A1; CN104885587A

Abstract

본 발명은 박막이고 저렴하면서도 전자파 흡수율이 우수한 전자파 흡수시트 및 그의 제조방법과 이를 포함하는 전자기기에 관한 것이다.
본 발명의 전자파 흡수시트는 다수의 미세 조각으로 분리된 비정질 리본으로 이루어진 적어도 1층의 박판 자성시트; 상기 비정질 리본의 일면에 접착되는 보호필름; 및 상기 비정질 리본의 타면에 접착되는 양면 테이프를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

전자파 흡수시트 및 그의 제조방법과 이를 포함하는 전자기기{Sheet for Absorbing Electromagnetic Wave, Manufacturing Method thereof and Electronic Equipment Including the Same}

본 발명은 전자파 흡수시트 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 박막이고 저렴하면서도 전자파 흡수율이 우수한 전자파 흡수시트 및 그의 제조방법과 이를 포함하는 전자기기에 관한 것이다.

최근 디지털 전자기기와 관련하여 전자 장치의 회로 신호처리 속도의 고속화, 고기능화, 소형화 그리고 제품 형태의 박형화에 대한 요구가 더욱 가속화되고 있다. 인쇄회로기판(PCB)에 실장되는 각종 반도체 소자들의 데이터 처리속도가 고속화되고 있어서, 인쇄회로기판(PCB)에 실장되는 능동소자와 수동소자의 부품 장착밀도도 높아져 가고 있다.

이와 같은 소자들은 고속신호에 의해 전압, 전류의 급격한 변화를 동반하기 때문에 유도성 노이즈를 발생시켜 고주파 노이즈의 발생원이 되고 있다. 이들 능동소자 및 수동소자 같은 부품들은 인쇄 배선들 인쇄 회로 상에서 매우 가깝게 위치하고 있어서 소형 디지털 전자기기 내부 소자들 간 또는 소자와 배선간의 전자 결합에 의한 누화(cross talk) 문제를 일으키거나, 기기 밖으로 전자파를 방사시켜 다른 기기에 영향을 주는 EMI(Electro Magnetic Interference: 전자파 장해 또는 전자파 간섭) 문제를 일으킬 수 있다.

또한, 전자기기에서 발생되는 전자파가 인체에 장기 노출될 경우 녹내장, 생식능력의 저하 등의 인체에 영향을 미치게 된다.

상기 EMI에 대한 대책으로 제안되는 전자파 차폐(Electro Magnetic Shielding)는 전자 기기 내부에서 발생하는 전자파 노이즈를 케이스 밖으로 방사시키지 않고 또한 외부에서 침입하는 전자파 노이즈를 흡수하거나 차단하는 것을 말한다.

기기 내부에 공간적 여유가 있는 디지털 전자기기의 경우에는 유도성 노이즈를 발생시키는 회로에 필터를 접속하여 노이즈를 제거하거나 회로간의 거리를 멀리 떨어뜨리거나, 전자파 차폐재로 실드(shield)하여 그라운딩(grounding)을 하는 등의 EMI 대책이 취해지고 있다.

그러나, 소형 디지털 전자기기들의 경우 인쇄회로기판(PCB) 위에 전자부품이 고밀도로 장착되어 있어서 앞에서 언급한 필터 등에 의한 노이즈 대책 방법으로는 실장 공간이 필요할 뿐만 아니라 소형화, 박형화를 위해 설계 단계에서부터의 고려가 필요하기 때문에, 제품수명이 짧은 제품에 대한 시급한 노이즈 대책으로는 적합하지 않다.

이러한 이유로 인해 최근에는 소형 디지털 전자기기의 회로기판에서 주요 노이즈원이 되는 능동 부품들에 의해 발생하는 유도성 전자파 노이즈를 억제하기 위해 입/출력단에 약 0.2mm 이상의 비교적 두꺼운 연자성 복합 자성체 시트(sheet)가 사용되고 있다.

이 같은 복합 자성체 시트 재료의 투자율은 실수부 투자율과 허수부 투자율 성분으로 구성되며, 노이즈의 억제 효율은 억제하고자 하는 전자파 노이즈 주파수 대역에서 허수부 투자율이 클수록, 또한 복합자성체의 두께가 두꺼울수록 억제 효과가 크다.

한편, 디지털 전자기기의 크기가 더욱 소형화되는 추세이기 때문에 이 같은 복합 자성체의 두께가 더욱 얇으면서도 전자파의 억제 효과가 우수한 제품이 요망되고 있다. 또한, 전자기기의 소형화 추세에 따라 전술한 준 마이크로파 대역에 사용하는 노이즈 대책용 복합 자성체 시트의 박형화가 요구되고 있다.

복합 자성체 시트의 경우 자성 손실에 의한 노이즈 감소효과를 이용하는 것으로 박형화하기 위하여는 허수부 투자율이 더 커져야 한다. 현재의 자성 재료는 약 10 ~ 100 MHz 보다 낮은 주파수 대역 또는 그 보다 높은 주파수 대역에서, 얇은 두께와 전도 노이즈 억제효과를 동시에 만족시키지 못한다는 문제점이 있다.

한국 등록특허 10-0755775호에는 두께가 약 25 내지 100 ㎛의 박형이면서도 전자기파 감소 효과를 증대시키기 위해, 절연성 고분자 기지 내에 판상의 저항체 분말과 판상의 연자성체 분말이 배향되어 형상이방성을 나타내도록 하고 저항 손실과 자성 손실에 의해 전자기파 감소효과가 있으며, 1GHz 이상의 주파수에서 전자기파 감소효과가 월등하게 향상된 복합 구조의 노이즈 억제 필름과 그 제조방법이 제안되어 있다.

상기 한국 등록특허 10-0755775호는 저항체 분말인 판상의 탄소 분말과 연자성체 분말인 판상의 샌더스트(Sendust) 분말이 절연성 고분자 기지 내에 배향된 구조이므로, 두께를 줄이는 데 한계가 있고, 다른 종류의 자성시트와 비교할 때 상대적으로 투자율이 낮아 허수부 투자율도 낮기 때문에 전자파 흡수체로서 흡수율이 낮으며, 고가의 연자성 분말을 사용하기 때문에 시트 가격이 상승하게 된다.

또한, 상기한 연자성 분말을 함유한 폴리머 자성시트의 경우 낮은 자기 투자율을 개선하고자 시트의 두께를 증가시키는 경우 두께의 증가에 따라 재료비용도 더욱 증가하는 문제와 함께 얇아지는 단말기 추세에 대응하기 어려운 부분이 있다. 더욱이, 상기 노이즈 억제 필름은 0.2mm 이상의 후막으로 상용화되고 있어 용도에 제한이 있다.

또한, 한국 공개특허공보 10-2011-92833호에도 Fe계 나노 결정립 연자성 분말 및 탄소계 도전체 분말을 함유하는 전자파 흡수 시트가 제안되어 있으며, Fe계 나노 결정립 연자성 분말은 비정질 합금으로서, Fe-Si-B-Nb-Cu계 합금을 사용하며, 이 합금을 350℃~500℃의 온도에서 45분~90분 동안 예비 열처리하여 분말을 1차 및 2차 파쇄하여, 파쇄된 분말의 입자크기가 270mesh 이하가 되도록 체거름한 나노크기의 결정립을 갖는 Fe계 나노 결정립 연자성 분말을 사용하고 있다.

그러나, 상기 전자파 흡수 시트는 나노 크기의 결정립을 갖는 Fe계 나노 결정립 연자성 분말을 바인더와 혼합하여 0.5mm 두께로 제작되는 폴리머 시트의 일종으로, 두께가 두껍고, 바인더가 혼합됨에 따라 시트의 투자율이 낮은 문제가 있다.

한국 공개특허공보 10-2005-37015호에는 저주파 자기장의 차폐 기능을 갖는 금속합금인 퍼멀로이, 센더스트 및 급속응고 합금 중 하나를 분말상, 박편상 또는 섬유상 중 어느 하나의 형태로 주성분으로 포함하고, 금속합금이 분산되는 매트릭스로서 연질 고분자물질과, 금속합금과 연질 고분자물질을 복합시키는데 사용되는 첨가제를 포함하는 저주파 자기장의 차폐 기능을 갖는 금속 및 고분자 복합체가 제안되어 있다. 그러나, 상기 한국 공개특허공보 10-2005-37015호에서 제안하는 시트는 폴리머 시트의 일종으로서 투자율이 낮은 문제가 있다.

한국 공개특허공보 10-2003-86122호에는 Ni-Fe-Mo, Fe-Si 및 뮤메탈 중에서 선택되는 비투자율이 1000 이상인 금속 또는 합금을 급냉응고법에 의하여 두께 1㎛에서 900㎛ 이하, 폭 1㎜에서 90㎜의 범위로 금속박 리본을 제조하고, 금속박 리본을 700 ~ 1300℃의 온도범위, 수소 또는 진공 분위기하에서 어닐링하며, 금속박 리본의 적어도 일면에 점착층을 형성하는 단계를 포함하는 고투자율의 금속박 리본을 이용한 전자파 차폐재 제조방법이 제안되어 있다.

또한, 상기 전자파 차폐재 제조방법은 금속박 리본의 적어도 일면에 Cu, Ni, Ag, Al, Au, Sn 또는 이들 금속의 조합의 박막층을 전기 도금 또는 진공증착에 의하여 형성하는 단계를 더 포함하고 있다.

그러나, 상기 한국 공개특허공보 10-2003-86122호의 제조방법에 따라 제조되는 전자파 차폐재는 금속박 리본과 이에 도금 또는 진공 증착되는 금속막에 의해 대부분 전자파를 반사하는 방법으로 전자파를 차폐하는 것이고, 전자파를 흡수하는 방법으로 차폐가 이루어지지 못하는 문제가 있다. 그 결과, 전자기기 내부에 상기 전자파 차폐재가 사용되는 경우 전자파 차폐재로부터 반사된 전자파에 의해 인접한 다른 회로소자에 영향을 미치는 문제가 발생하게 된다.

또한, 한국 공개특허공보 10-2009-123776호에는 전자파 차폐 개스킷의 재료로 사용될 수 있는 전도성 발포 시트를 제조하는 방법이 개시되어 있다.

상기 전자파 차폐 개스킷용 전도성 발포 시트는 커플링제에 의해 극성이 부여된 발포시트; 상기 발포 시트 상에 1000Å 내지 3000Å 두께로 무전해 도금 방식으로 형성된 니켈 도금층; 및 상기 니켈 도금층상에 1.3 내지 5.0 A/dm²의 전류 밀도 조건 하에서 0.5∼3.0㎛ 두께로, 표면저항치가 0.02 내지 0.08 Ω/square로 전해 도금 방식으로 형성된 구리도금층;을 포함하고 있다.

그러나, 상기 한국 공개특허공보 10-2009-123776호는 니켈 및 구리 도금층에 의해 대부분 전자파를 반사하는 방법으로 전자파를 차폐하는 것이고, 전자파를 흡수하는 방법으로 차폐가 이루어지지 못하는 문제가 있다. 그 결과, 전자기기 내부에 상기 전도성 발포 시트가 사용되는 경우 발포 시트로부터 반사된 전자파에 의해 인접한 다른 회로소자에 영향을 미치는 문제가 발생하게 된다.

한국 공개특허공보 10-2009-78620호에는 합성수지 필름으로 형성되는 기재 시트와, 기재 시트의 표면에 스퍼터링되는 금속 증착층으로 구성되고, 금속 증착층은 구리(Cu), 니켈(Ni), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 및 망간(Mn)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 성분을 포함하는 전자파 차폐시트가 개시되어 있다.

하지만, 상기 한국 공개특허공보 10-2009-78620호의 전자파 차폐시트는 한국 공개특허공보 10-2009-123776호와 동일하게 금속 증착층으로부터 반사된 전자파에 의해 인접한 다른 회로소자에 영향을 미치는 문제가 발생하게 된다.

기재 시트가 합성수지 필름으로 형성되기 때문에 차폐시트의 두께가 두꺼워지고, 이에 따라 휴대 전자기기의 전체 두께가 증가하는 문제점이 있다. 그 결과, 일반적으로 경박 단소화를 추구하는 휴대 단말기에서는 시트의 두께가 0.5mm를 초과하는 경우 적용이 불가능한 것으로 알려져 있다.

또한, 합성수지 필름의 표면에 도전성 금속을 증착할 경우 도전성 금속층의 박리가 발생되어 전자파 차폐성능이 저하되는 문제점이 있다.

한국 등록특허 10-0755775호 한국 공개특허공보 10-2011-92833호 한국 공개특허공보 10-2005-37015호 한국 공개특허공보 10-2003-86122호 한국 공개특허공보 10-2009-123776호 한국 공개특허공보 10-2009-78620호

따라서, 본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하고자 제안된 것으로, 그 목적은 비정질 합금의 리본을 플레이크 처리하여 다수의 미세 조각으로 분리시킴에 따라 400MHz 이상의 전자파 노이즈 주파수 대역에서 허수부 투자율이 높아 전자파 흡수율이 우수한 전자파 흡수시트 및 그의 제조방법과 이를 포함하는 전자기기를 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 박막이고 제조공정이 간단하여 생산성이 높아 제조비용이 저렴한 전자파 흡수시트 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 박막 자성시트를 플레이크 처리에 의해 표면적을 줄여줌에 따라 교류 자기장에 의해 생성되는 와전류(Eddy Current)에 기인한 발열 문제를 차단할 수 있는 전자파 흡수시트 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 시트의 두께가 300㎛ 미만으로 제작되어 휴대 전자기기에 적용되어도 경박 단소화에 영향을 미치지 않는 전자파 흡수시트 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 다수의 미세 조각으로 분리된 비정질 리본으로 이루어진 적어도 1층의 박판 자성시트; 상기 비정질 리본의 일면에 접착되는 보호필름; 및 상기 비정질 리본의 타면에 접착되는 양면 테이프를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트를 제공한다.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 본 발명은 박막 자성시트의 일측면에 제1접착층이 형성된 보호필름을 부착하고, 타측면에 릴리즈 필름이 부착된 양면 테이프를 부착하여 적층시트를 형성하는 단계; 상기 적층시트를 플레이크 처리하여 상기 박막 자성시트를 다수의 미세 조각으로 분할하는 단계; 및 상기 플레이크 처리된 적층시트를 라미네이트 처리하여 적층시트를 평탄화 및 슬림화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트의 제조방법을 제공한다.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 전자파 흡수시트에서는 비정질 합금의 리본을 플레이크 처리하여 다수의 미세 조각으로 분리시킴에 따라 400MHz 이상의 전자파 노이즈 주파수 대역에서 허수부 투자율이 높아 전자파 흡수율이 우수하다.

그 결과, 본 발명의 전자파 흡수시트는 전자기기의 각종 부품으로부터 발생된 전자파를 흡수하여 다른 부품에 영향을 미치는 것을 차단할 수 있다.

또한, 본 발명의 전자파 흡수시트는 300㎛ 미만의 두께로 박막이고 제조공정이 간단하여 생산성이 높아 제조비용이 저렴하다.

더욱이, 본 발명의 전자파 흡수시트는 비정질 합금의 리본의 플레이크 처리에 의해 다수의 미세 조각으로 분리하여 반자장을 증가시켜서 히스테리시스 로스를 제거함에 따라 시트에 대한 투자율의 균일성을 높고, 리본 표면적을 줄여줌으로써 반자장을 증가시켜 자기 포화가 이루어지지 않으며, 와전류(Eddy Current)에 의한 손실을 줄임에 의해 발열이 이루어지는 것을 최소화한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전자파 흡수시트를 나타내는 단면도,
도 2는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전자파 흡수시트를 나타내는 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 전자파 흡수시트를 제조하는 공정을 설명하기 위한 공정도,
도 4 및 도 5는 각각 본 발명에 따른 적층시트의 플레이크 공정을 나타내는 단면도,
도 6은 본 발명에 따른 적층시트를 플레이크 처리한 상태를 나타내는 공정 단면도,
도 7 및 도 8은 각각 본 발명에 따른 플레이크 처리된 적층시트의 라미네이트 공정을 나타내는 공정 단면도,
도 9는 본 발명의 제1실시예에 따른 전자파 흡수시트를 플레이크 처리 후 라미네이트한 상태를 나타내는 단면도,
도 10a 및 도 10b는 각각 플레이크 처리후 라미네이트 공정을 거치지 않은 전자파 흡수시트의 습도 테스트를 거친 확대 사진과 본 발명에 따른 플레이크 처리 후 라미네이트된 전자파 흡수시트의 습도 테스트를 거친 후 확대 사진,
도 11a 내지 도 11e는 각각 본 발명의 전자파 흡수시트에 사용되는 나노 결정립 리본시트의 열처리 온도 변화에 따른 투자율 변화를 나타낸 그래프,
도 12는 본 발명의 전자파 흡수시트에 사용되는 나노 결정립 리본시트의 열처리 온도 변화에 따른 파워손실(전자파 흡수율) 변화를 나타낸 그래프,
도 13a 내지 도 13c는 각각 본 발명의 전자파 흡수시트에 사용되는 Fe계 리본시트의 열처리 온도 변화에 따른 투자율 변화를 나타낸 그래프,
도 14는 본 발명의 전자파 흡수시트에 사용되는 Fe계 리본시트의 열처리 온도 변화에 따른 파워손실 변화를 나타낸 그래프,
도 15는 본 발명에 따른 전자파 흡수시트와 비교예 흡수시트 사이의 파워손실을 비교하여 나타낸 그래프,
도 16은 본 발명에 따른 전자파 흡수시트의 전자파 흡수율을 측정하는 방법을 설명하기 위한 설명도이다.

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되어 있는 상세한 설명을 통하여 더욱 명확해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.

또한, 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.

첨부된 도 1은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전자파 흡수시트를 나타내는 단면도, 도 2는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전자파 흡수시트를 나타내는 단면도, 도 3은 본 발명에 따른 전자파 흡수시트를 제조하는 공정을 설명하기 위한 공정도이다.

도 1을 참고하면, 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전자파 흡수시트(10)는 비정질 합금 또는 나노결정립 합금의 리본을 열처리한 후 플레이크 처리하여 다수의 미세 조각(細片)(20)으로 분리 및/또는 크랙이 형성된 1층 또는 다층의 박판 자성시트(2), 상기 박판 자성시트(2)의 상부에 접착되는 보호 필름(1), 상기 박판 자성시트(2)의 하부에 접착되는 양면 테이프(3), 상기 양면 테이프(3)의 하부에 접착되는 릴리즈 필름(4)을 포함하고 있다.

상기 박판 자성시트(2)는 예를 들어, 비정질 합금 또는 나노 결정립 합금으로 이루어진 박판의 리본을 사용할 수 있다.

상기 비정질 합금은 Fe계 또는 Co계 비정질 합금을 사용할 수 있으며, 재료비용을 고려할 때 Fe계 비정질 합금을 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명은 Fe계 비정질 합금으로서 Fe-Si-B 합금, 필요에 따라 Fe-Si-B-Co 합금을 사용할 수 있고, Co계 비정질 합금으로서 Co-Fe-Ni-Si-B 또는 Co-Fe-Cr-Si-B 합금을 사용할 수 있다.

Fe-Si-B 합금은, Fe가 70-90atomic%, Si 및 B의 합이 10-30atomic%인 것이 바람직하다. Fe를 비롯한 금속의 함유량이 높을수록 포화자속밀도가 높아지지만 Fe 원소의 함유량이 과다할 경우 비정질을 형성하기 어려우므로, 본 발명에서는 Fe의 함량이 70-90atomic%인 것이 바람직하다. 또한, Si 및 B의 합이 10-30atomic%의 범위일 때 함금의 비정질 형성능이 가장 우수하다. 이러한 기본 조성에 부식을 방지시키기 위해 Cr, Co 등 내부식성 원소를20 atomic% 이내로 첨가할 수도 있고, 다른 특성을 부여하도록 필요에 따라 다른 금속 원소를 소량 포함할 수 있다.

상기 Fe-Si-B 합금은 예를 들어, 결정화 온도가 508℃이고, 큐리온도(Tc)가 399℃인 것을 사용할 수 있다. 그러나, 이러한 결정화 온도는 Si 및 B의 함량이나, 3원계 합금 성분 이외에 첨가되는 다른 금속 원소 및 그의 함량에 따라 변동될 수 있다.

한편, 나노 결정립 합금은, 다음 수학식 1을 만족하는 합금을 사용하는 것이 바람직하다.

[수학식 1]

Fe_{100-c-d-e-f-g}A_cD_dE_eSi_fB_gZ_h

상기 수학식 1에서, A는 Cu 및 Au로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를, D는 Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Ni, Co 및 희토류 원소로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를, E는 Mn, Al, Ga, Ge, In, Sn 및 백금족 원소로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를, Z는 C, N 및 P로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 나타내고, c, d, e, f, g 및 h는 관계식 0.01≤c≤8at%, 0.01≤d≤10at%, 0≤e≤10at%, 10≤f≤25at%, 3≤g≤12at%, 15≤f+g+h≤35at%를 각각 만족하는 수이며, 상기 합금 구조의 면적비로 20% 이상이 입경 50㎚ 이하의 미세구조로 이루어져 있다.

상기한 수학식 1에 있어서, A 원소는 합금의 내식성을 높이고, 결정 입자의 조대화를 방지함과 함께, 철손이나 합금의 투자율 등의 자기 특성을 개선하기 위해 사용된다. A 원소의 함유량이 너무 적으면, 결정립의 조대화 억제 효과를 얻기 곤란하다. 반대로, A 원소의 함유량이 지나치게 많으면, 자기 특성이 열화된다. 따라서, A원소의 함유량은 0.01 내지 8at%의 범위로 하는 것이 바람직하다. D 원소는 결정립 직경의 균일화 및 자기 변형의 저감 등에 유효한 원소이다. D 원소의 함유량은 0.01 내지 10at%의 범위로 하는 것이 바람직하다.

E 원소는 합금의 연자기 특성 및 내식성의 개선에 유효한 원소이다. E 원소의 함유량은 10at% 이하로 하는 것이 바람직하다. Si 및 B는 자성 시트 제조 시에 있어서의 합금의 아몰퍼스화를 조성하는 원소이다. Si의 함유량은 10 내지 25at%의 범위로 하는 것이 바람직하고, B의 함유량은 3 내지 12at%의 범위로 하는 것이 바람직하다. 또한, Si 및 B 이외의 합금의 아몰퍼스화 조성 원소로서 Z 원소를 합금에 포함하고 있어도 된다. 그 경우, Si, B 및 Z 원소의 합계 함유량은 15 내지 35at%의 범위로 하는 것이 바람직하다. 미세 결정 구조는, 입경이 5 내지 30㎚의 결정립이 합금 구조 중에 면적비로 50 내지 90%의 범위로 존재하는 구조를 구현하도록 형성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 박판 자성시트(2)에 사용되는 나노 결정립 합금은 예를 들어, Fe-Si-B-Cu-Nb 합금을 사용할 수 있으며, 이 경우, Fe가 73-80 at%, Si 및 B의 합이 15-26 at%, Cu와 Nb의 합이 1-5 at%인 것이 바람직하다. 이러한 조성 범위가 리본 형태로 제작된 비정질 합금이 후술하는 열처리에 의해 나노상의 결정립으로 쉽게 석출될 수 있다.

상기 보호 필름(1)은 예를 들어, 1 내지 50㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리페닐린설페이드(PPS) 필름, 폴리프로필렌(PP) 필름, 폴리테레프탈레이트(PTFE)와 같은 불소 수지계 필름 등의 수지 필름(11)을 사용할 수 있으며, 제1접착층(12)을 통하여 박판 자성시트(2)의 일측면에 부착된다.

또한, 양면 테이프(3)는 예를 들어, PET(Polyethylene Terephthalate) 필름을 기재(32)로 사용하여 양측면에 제2 및 제3 접착층(31,33)이 형성된 것을 사용하며, 제2 및 제3 접착층(31,33)의 외측면에는 릴리즈 필름(4)이 부착되어 있다. 상기 릴리즈 필름(4)은 양면 테이프(3)의 제조시에 일체로 형성되며, 흡수시트(10)를 전자기기에 부착할 때 박리되어 제거된다.

양면 테이프(3)는 위에서 설명한 바와 같은 기재가 있는 타입과, 기재가 없이 접착층만으로 형성되는 무기재 타입도 적용이 가능하다.

상기 제1 내지 제3 접착층(12,31,33)은 예를 들어, 아크릴계 접착제를 사용할 수 있으며, 다른 종류의 접착제를 사용하는 것도 물론 가능하다.

상기 전자파 흡수시트(10)에 사용되는 박판 자성시트(2)는 1장당 예를 들어, 15 내지 35㎛의 두께를 갖는 것을 사용할 수 있다. 이 경우, 박판 자성시트(2)의 열처리 후의 핸들링 공정을 고려하면 박판 자성시트(2)의 두께는 25 내지 30㎛로 설정되는 것이 바람직하다. 리본의 두께가 얇을수록 열처리 후 핸들링시에 약간의 충격에도 리본의 깨짐 현상이 발생할 수 있다.

비정질 리본(2a)의 다수의 미세 조각(20)은 수십㎛ ~ 3mm 이하의 크기를 갖는 것이 바람직하다.

또한, 보호 필름(1)은 10-30㎛ 범위인 것을 사용할 수 있고, 바람직하게는 20㎛의 두께를 갖는 것이 좋다. 양면 테이프(3)는 10, 20, 30㎛의 두께를 갖는 것을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 10㎛의 두께를 갖는 것이 좋다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 보호 필름(1)과 양면 테이프(3)는 필요에 따라 50㎛-100㎛의 두꺼운 보호 필름을 사용하는 것도 가능하다.

도 1에 도시된 제1실시예의 전자파 흡수시트(10)는 1장의 박판 자성시트(2)를 사용한 것이나, 전자파 흡수율을 높이기 위해 도 2에 도시된 바와 같이, 2 내지 4장의 박판 자성시트(22,24)를 적층하여 사용하는 것도 가능하다.

도 2를 참고하면, 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전자파 흡수시트(10a)는 시트 사이에 제4접착층(3a)이 삽입되어 있는 2층 구조의 박판 자성시트(22,24)의 일측면에 보호필름(1)이 부착되고, 타측면에 양면 테이프(3b) 및 릴리즈 필름(4)이 부착되어 있다.

상기 박판 자성시트(22,24)는 제1실시예와 동일하게 비정질 합금 또는 나노결정립 합금의 리본을 열처리한 후 플레이크 처리하여 다수의 미세 조각(20)으로 분리 및/또는 크랙이 형성된 것을 사용한다.

본 발명에 따른 전자파 흡수시트의 두께는 30 내지 300㎛, 바람직하게는 40 내지 150㎛로 설정되며, 사용 주파수 대역은 400MHz 내지 10GHz이다. 이 경우, 흡수시트의 두께가 500㎛를 초과하는 경우, 박막화 추세를 지향하는 휴대 단말기 등에는 적용이 불가능하다.

이하에 본 발명의 실시예에 따른 전자파 흡수시트(10)의 제조방법을 도 3을 참고하여 설명한다.

먼저, 비정질 합금 또는 나노결정립 합금으로 이루어진 비정질 리본(2a)을 멜트 스피닝에 의한 급냉응고법(RSP)으로 제조한 후(S11), 열처리 후의 후처리를 용이하게 할 수 있도록 먼저 일정한 길이로 컷팅하여 시트 형태로 적층한다(S12).

비정질 리본(2a)이 비정질 합금인 경우, Fe계 비정질 리본, 예를 들어, Fe-Si-B 합금으로 이루어진 30㎛ 이하의 극박형 비정질 리본을 멜트 스피닝에 의한 급냉응고법(RSP)으로 제조하며, 원하는 투자율을 얻을 수 있도록 적층된 비정질 리본을 300℃ 내지 600℃의 온도범위에서 30분 내지 2시간 동안 무자장 열처리를 행한다(S13).

이 경우, 열처리 분위기는 비정질 리본(2a)의 Fe 함량이 높을지라도, 산화가 발생되지 않는 온도 범위에서 이루어지므로 분위기 로에서 이루어질 필요는 없고, 대기 중에서 열처리를 진행하여도 무방하다. 또한, 산화 분위기 또는 질소 분위기에서 열처리가 이루어질지라도 동일한 온도 조건이라면 비정질 리본의 투자율은 실질적으로 차이가 없다.

상기한 열처리 온도가 300℃ 미만인 경우 자성시트 제조 시 발생한 내부 응력의 풀림(stress relief)이 완벽하게 이루어지지 않아 투자율 등의 자기특성의 불균일이 해소되지 않기 때문에 열처리 시간을 길게 해야 하는 문제가 있고, 600℃를 초과하는 경우 과열처리에 의해 자성시트 내부에 결정화가 급격하게 이루어지고 이에 따라 투자율이 현저하게 낮아져서 원하는 투자율을 나타내지 못하는 문제가 있다. 일반적으로 열처리 온도가 낮으면 처리시간이 길게 소요되고 반대로 열처리 온도가 높으면 처리시간은 단축되는 경향을 나타낸다.

또한, 비정질 리본(2a)이 나노결정립 합금으로 이루어진 경우, Fe계 비정질 리본, 예를 들어, Fe-Si-B-Cu-Nb 합금으로 이루어진 30㎛ 이하의 극박형 비정질 리본을 멜트 스피닝에 의한 급냉응고법(RSP)으로 제조하며, 원하는 투자율을 얻을 수 있도록 적층된 리본 시트를 300℃ 내지 700℃의 온도범위에서 30분 내지 2시간 동안 무자장 열처리를 행함으로써 나노 결정립이 형성된 나노 결정립 리본 시트를 형성한다(S13).

이 경우 열처리 분위기는 Fe의 함량이 70at% 이상이므로 대기 중에서 열처리가 이루어지면 산화가 이루어져서 시각적인 측면에서 바람직하지 못하며, 따라서 질소 분위기에서 이루어지는 것이 바람직하다. 그러나, 산화 분위기에서 열처리가 이루어질지라도 동일한 온도 조건이라면 시트의 투자율은 실질적으로 차이가 없다.

이 경우, 열처리 온도가 300℃ 미만인 경우 나노 결정립이 충분히 생성되지 않아 원하는 투자율이 얻어지지 않으며 열처리 시간이 길게 소요되는 문제가 있고, 700℃를 초과하는 경우는 과열처리에 의해 투자율이 현저하게 낮아지는 문제가 있다. 열처리 온도가 낮으면 처리시간이 길게 소요되고, 반대로 열처리 온도가 높으면 처리시간은 단축되는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 비정질 리본(2a)은 두께가 15 ~ 35㎛ 범위를 갖는 것을 사용하며, 비정질 리본(2a)의 투자율은 리본의 두께에 비례하여 증가한다.

더욱이, 상기 비정질 리본은 열처리가 이루어지면 취성이 강하게 되어 후속 공정에서 플레이크 처리를 실시할 때 쉽게 플레이크가 이루어질 수 있게 된다.

이어서, 열처리가 이루어진 비정질 리본(2a)을 1장 또는 2 내지 4층의 다층으로 사용하여, 일측에 보호 필름(1)을 부착하고, 타측에 릴리즈 필름(4)이 부착된 양면 테이프(3)를 부착한 상태로 플레이크 처리를 실시한다(S14).

상기 플레이크 처리는 예를 들어, 보호 필름(1), 비정질 리본(2a) 및 양면 테이프(3)와 릴리즈 필름(4)이 순차적으로 적층된 적층시트(100)를 제1 및 제2 플레이크 장치(110,120)를 통과시킴에 의해 비정질 리본(2a)을 다수의 미세 조각(20)으로 분리시킨다. 이 경우, 분리된 다수의 미세 조각(20)은 양측면에 접착된 제1 및 제2 접착층(12,31)에 의해 분리된 상태를 유지하게 된다.

사용 가능한 제1 플레이크 장치(110)는 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 외면에 복수의 요철(116)이 형성되는 금속롤러(112)와, 금속롤러(112)와 일정 간격을 두고 배치되는 고무롤러(114)로 구성될 수 있고, 제2 플레이크 장치(120)는 도 5에 도시된 바와 같이, 외면에 복수의 구형 볼(126)이 장착되는 금속롤러(122)와, 금속롤러(122)와 일정 간격을 두고 배치되는 고무롤러(124)로 구성될 수 있다.

이와 같이, 적층시트(100)를 제1 및 제2 플레이크 장치(110,120)를 통과시키면 도 6에 도시된 바와 같이, 비정질 리본(2a)이 다수의 미세 조각(20)으로 분리되면서, 미세 조각(20) 사이에는 틈새(20a)가 발생하게 된다.

비정질 리본(2a)의 다수의 미세 조각(20)은 수십㎛ ~ 3mm 범위의 크기를 갖도록 형성되므로 반자장을 증가시켜서 히스테리시스 로스를 제거함에 따라 시트에 대한 투자율의 균일성을 높이게 된다.

또한, 비정질 리본(2a)은 플레이크 처리에 의해 리본의 표면적을 줄여줌에 따라 교류 자기장에 의해 생성되는 와전류(Eddy Current)에 기인한 발열 문제를 차단할 수 있다.

플레이크 처리된 적층시트(200)는 미세 조각(20) 사이에 틈새(20a)가 존재하게 되며, 이 틈새(20a)로 수분이 침투하게 되면 비정질 리본이 산화되어 비정질 리본의 외관이 좋지 못하게 되고 차폐성능이 떨어지게 된다.

또한, 상기 플레이크 처리된 적층시트(200)는 플레이크 처리시에 시트의 표면 불균일이 발생할 수 있고, 플레이크 처리된 리본의 안정화가 필요하다.

따라서, 플레이크 처리된 적층시트(200)는 미세 조각(20) 사이의 틈새(20a)로 수분 침투를 방지하기 위해 틈새(20a)에 접착제를 채움과 동시에 평탄화, 슬림화 및 안정화를 위한 라미네이트 공정을 실시한다(S15).

상기 라미네이트 공정을 위한 라미네이트 장치(400,500)는 도 7과 같이 플레이크 처리된 적층시트(200)가 통과하는 제1가압롤러(210) 및 제1가압롤러(210)와 일정 간격을 두고 배치되는 제2가압롤러(220)로 구성되는 롤 프레스 타입이 적용될 수 있고, 도 8에 도시된 바와 같이, 하부 가압부재(240)와 하부 가압부재(240)의 상측에 수직방향으로 이동 가능하게 배치되는 상부 가압부재(250)로 구성되는 유압 프레스 타입이 사용될 수 있다.

플레이크 처리된 적층시트(200)를 상온 또는 50 내지 80℃의 온도로 열을 가한 후 라미네이트 장치(400,500)를 통과시키면 보호필름(1)의 제1접착층(12)이 가압되면서 제1접착층(12)의 일부 접착제가 틈새(20a)로 유입됨과 아울러 양면 테이프(30)가 가압되면서 제2접착층(31)의 일부 접착제가 틈새(20a)로 유입되어 틈새(20a)를 밀봉하게 된다.

여기에서, 제1접착층(12)과 제2접착층(31)은 상온에서 가압하면 변형이 가능한 접착제가 사용되거나, 열을 가하면 변형되는 열가소성 접착제가 사용될 수 있다.

그리고, 제1접착층(12)과 제2접착층(31)의 두께는 다수의 미세 조각들 사이의 틈새(20a)를 충분히 채울 수 있도록 비정질 리본의 두께 대비 50% 이상의 두께를 갖는 것이 바람직하다.

또한, 제1접착층(12)과 제2접착층(31)의 접착제가 틈새(20a)로 유입될 수 있도록 제1가압롤러(210)와 제2가압롤러(220) 사이의 간격 및 상부 가압부재가 하강한 상태일 때 상부 가압부재(250)와 하부 가압부재(240) 사이의 간격은 2차 차폐시트(200) 두께의 50% 이하로 형성되는 것이 바람직하다.

본 발명에서는 적층시트(100,200)의 압착과 플레이크 처리가 이루어질 수 있는 것이라면, 어떤 장치도 사용할 수 있다.

상기 라미네이트 공정이 완료되면, 본 발명에 따른 전자파 흡수시트(10)는 도 9에 도시된 바와 같이, 비정질 리본(2a)이 다수의 미세 조각(20)으로 분리된 상태로 제1접착층(12)과 제2접착층(31)이 각각 부분적으로 미세 조각(20) 사이의 틈새(20a)를 충진하여 비정질 리본(2a)의 산화를 방지하는 구조를 갖게 된다.

끝으로, 상기 라미네이트가 이루어진 전자파 흡수시트(10)는 전자기기에 사용되는 장소와 용도에 필요한 크기와 형상으로 스탬핑 가공되어 제품화가 이루어진다(S16).

(습도 테스트)

상기에서 얻어진 본 발명에 따른 전자파 흡수시트(10)와 플레이크 처리후 라미네이트 공정을 거치지 않은 적층시트에 대하여 온도 85℃, 습도 85%에서 120시간 습도 테스트를 진행하였다.

그 결과, 플레이크 처리만 된 적층시트(200)의 경우 도 10a에 도시된 바와 같이, 비정질 리본이 다수의 미세 조각으로 분리된 상태일 때 조각들 사이의 틈새로 수분이 침투하여 비정질 리본이 산화되어 외관이 변화된 것을 알 수 있으며, 본 발명에 따른 전자파 흡수시트(10)는 도 10b와 같이 외관이 변화되지 않는 것을 알 수 있다.

이하에서는 본 발명을 실시예를 통하여 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 아래의 실시예는 본 발명의 예시에 불과할 뿐, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.

(실시예 1 내지 7)

Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉ 합금으로 이루어진 비정질 리본을 멜트 스피닝에 의한 급냉응고법(RSP)으로 25㎛ 두께로 제조한 후, 시트 형태로 컷팅하여 각각 320℃, 350℃, 400℃, 450℃, 500℃, 510℃, 600℃에서 N₂ 분위기, 1시간 무자장 열처리하여 얻어진 비정질 리본 시트를, PET 기재를 사용하는 10㎛ 두께의 보호필름과 PET 기재를 사용하는 10㎛ 두께의 양면 테이프(릴리즈 필름 별도) 사이에 삽입하여 두께 45㎛의 적층시트를 준비하고, 도 4의 플레이크 처리장치와 도 7의 라미네이트 장치를 사용하여 플레이크와 라미네이트 처리를 실시하여 최종 두께 40㎛의 실시예 1 내지 7의 샘플(ARS1-320,ARS1-350,ARS1-400,ARS1-450,ARS1-500,ARS1-510,ARS-600)을 제조하였다.

얻어진 실시예 2 내지 5 및 실시예 7의 샘플을 대상으로 주파수(Frequency) 변화에 따른 투자율(Permeability) 값을 구하여 도 11a 내지 도 11e에 그래프로 나타내었다.

또한, 얻어진 실시예 1 내지 7(ARS1-320,ARS1-350,ARS1-400,ARS1-450,ARS1-500,ARS1-510,ARS-600)의 샘플을 대상으로 도 16에 도시된 마이크로 스트립 라인 방법(Micro-strip line method)으로 파워손실(Power loss)을 측정하여 얻어진 그래프를 도 12에 나타내었다.

전자파 흡수시트의 전자파 흡수율은 하기 수학식 2와 같이 파워손실(Power loss)로 정의할 수 있으며, 파워손실은 손실전력(P_loss)과 입력전력(P_in)의 비(P_loss/P_in)로 얻어진다.

[수학식 2]

여기서, S₁₁은 반사계수(Reflection), S₂₁은 투과계수(Transmission)를 나타낸다.

반사계수(Reflection)(S₁₁)와 투과계수(Transmission)(S₂₁)를 측정하기 위해 입력단과 출력단에 각각 50Ω 임피던스의 Cu 마이크로스트립 라인이 형성된 기판 위에 실시예 1 내지 7의 샘플을 장착하고, 마이크로스트립 라인의 입력단자 및 출력단자를 네트웍 아날라이저(Network Analyzer)에 연결한 상태에서 마이크로스트립 라인의 입력단자로 입력신호를 인가하고, 입력단과 출력단에서 얻어지는 반사계수(Reflection)(S₁₁)와 투과계수(Transmission)(S₂₁)를 측정하여 수학식 2에 의해 파워손실을 구하였다.

먼저, 도 11a 내지 도 11e를 참고하면, 실시예 2 내지 5 및 실시예 7의 샘플(ARS1-350,ARS1-400,ARS1-450,ARS1-500,ARS-600)은 400MHz 이상의 전자파 노이즈 주파수 대역에서 허수부 투자율(μ″)이 높아 전자파 흡수율이 우수한 것으로 나타나는 것을 알 수 있다. 특히, 도 11d에 도시된 500℃에서 1시간 열처리한 실시예 4의 경우 1MHz에서 약 500 정도의 투자율을 가지며, 이 때 허수부 투자율(μ″)은 2MHz에서 약 200으로 가장 높은 것으로 나타났다.

또한, 실시예 2 내지 5 및 실시예 7의 샘플은 300MHz에서 허수부 투자율(μ″)이 약 70 이상인 것으로 나타나 매우 우수한 전자파 흡수 특성을 갖는 것을 알 수 있다.

일반적으로, 투자율(μ)은 μ=μ′-iμ″로 표현되며, 허수부 투자율(μ″)이 손실 팩터(loss factor)로서 전자파 흡수시트는 허수부 투자율(μ″)이 큰 것이 바람직하다. 실수부 투자율(μ′)은 자기적 성질을 나타내는 팩터이다.

도 12에 도시된 주파수 변화에 따른 파워손실(Power loss) 그래프를 참고하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 7의 샘플(ARS1-320,ARS1-350,ARS1-400,ARS1-450,ARS1-500,ARS1-510,ARS-600)은 400MHz 내지 1GHz의 전자파 노이즈 주파수 대역에서 25% 내지 37%, 1GHz 내지 8GHz 대역에서 60% 이상의 파워손실을 나타내고 있어, 높은 전자파 흡수율을 나타내고 있다.

(실시예 8 내지 11)

Fe₆₇B₁₄Si₁Co₁₈ 합금으로 이루어진 비정질 리본을 멜트 스피닝에 의한 급냉응고법(RSP)으로 25㎛ 두께로 제조한 후, 시트 형태로 컷팅하여 각각 454℃, 456℃, 457℃, 459℃에서 1시간 무자장 열처리하여 얻어진 비정질 리본 시트를, 상기 실시예 1과 동일하게 두께 45㎛의 적층시트를 준비하고, 플레이크와 라미네이트 처리를 실시하여 최종 두께 40㎛의 실시예 8 내지 11의 샘플(ARS2-454,ARS2-456,ARS2-457,ARS2-459)을 제조하였다.

얻어진 실시예 8 내지 10의 샘플을 대상으로 주파수 변화에 따른 투자율 값을 구하여 도 13a 내지 도 13c에 그래프로 나타내었다.

또한, 얻어진 실시예 8 내지 11의 샘플을 대상으로 도 16에 도시된 마이크로 스트립 라인 방법으로 파워손실을 측정하여 얻어진 그래프를 도 14에 나타내었다.

Fe₆₇B₁₄Si₁Co₁₈ 합금으로 이루어진 비정질 리본을 사용한 실시예 8 내지 10의 샘플은 실시예 1 내지 7과 비교하여 비슷한 투자율이 얻어지며, 또한, 실시예 8 내지 10의 샘플은 300MHz에서 허수부 투자율(μ″)이 약 50 이상인 것으로 나타나 매우 우수한 전자파 흡수 특성을 갖는 것을 알 수 있다.

또한, 400MHz 내지 1GHz의 전자파 노이즈 주파수 대역에서 30% 내지 40%, 1GHz 내지 8GHz 대역에서 52% 이상의 파워손실(Power loss)을 나타내고 있어, 높은 전자파 흡수율을 나타내고 있다. 특히, 실시예 8 내지 11의 샘플(ARS2-454,ARS2-456,ARS2-457,ARS2-459)은 1GHz 내지 10GHz 대역에서 66% 이상의 높은 파워손실을 나타내므로, 높은 전자파 흡수율을 나타내고 있다.

본 발명의 Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉ 합금으로 이루어진 비정질 리본을 사용한 실시예 6(ARS1-500)과 Fe₆₇B₁₄Si₁Co₁₈ 합금으로 이루어진 비정질 리본을 사용한 실시예 9의 샘플(ARS2-456)을 비교예 1 및 2로서 TODA KOGYO사의 전자파 흡수시트(TODA) 및 Sendust(Fe-Si-Al) 합금 분말을 사용하여 제작된 전자파 흡수시트(Sendust)와 비교하여 주파수 변화에 따른 파워손실을 측정하여 얻어진 그래프를 도 15에 나타내었다.

도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 6(ARS1-500) 및 실시예 9(ARS2-456)는 비교예 1(TODA) 및 비교예 2(Sendust)와 비교할 때, 모든 주파수 대역에서 비교예 2(Sendust)보다 월등한 파워손실을 나타냈고, 400MHz 이상의 대역에서 비교예 1(TODA)보다 높거나 동등한 파워손실 특성을 나타내었다.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 전자파 흡수시트는 비정질 합금의 리본을 플레이크 처리하여 다수의 미세 조각으로 분리시킴에 따라 허수부 투자율이 높아 30㎛ 내지 300㎛의 두께로 400MHz 내지 10GHz의 전자파 노이즈 주파수 대역에서 전자파 흡수율이 우수한 것으로 나타났다.

상기 실시예 설명에서는 박판 자성시트로서 가격이 저렴한 Fe계 비정질 리본을 사용한 것을 예시하였으나, Co계 비정질 합금과 같이 다른 종류의 합금으로 이루어진 비정질 리본을 사용하는 것도 가능하다.

이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예를 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.

본 발명은 각종 전자기기에 사용되는 IC칩, 플랫 케이블, PCB 회로, 배터리 팩, RFID 및 NFC 등의 안테나 등의 방사 노이즈(AC 자기장)나 스피커 등의 자석으로부터 발생되는 DC 자기장으로부터 발생되는 전자파를 흡수하여 다른 소자에 미치는 영향을 차단할 수 있는 전자파 흡수시트에 적용될 수 있다.

1: 보호 필름 2,22,24: 박판 자성시트
2a: 비정질 리본 3,3b: 양면 테이프
3a,12,31,33: 접착층 4: 릴리즈 필름
10,10a: 전자파 흡수시트 11: 수지 필름
20: 미세 조각 20a: 틈새
32: 기재 100,200: 적층시트
110,120: 플레이크 장치 112,122: 금속롤러
114,124: 고무롤러 116: 요철
126: 구형 볼 210,220: 가압롤러
240,250: 가압부재 400,500: 라미네이트 장치

Claims

다수의 미세 조각으로 분리된 박판 자성시트;
상기 박판 자성시트의 일면에 접착되는 보호필름; 및
상기 박판 자성시트의 타면에 접착되는 양면 테이프를 포함하며,
허수부 투자율이 300MHz에서 50 이상인 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트.
제1항에 있어서, 상기 박판 자성시트는 Fe계 비정질 합금, Co계 비정질 합금 또는 나노 결정립 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트.
제2항에 있어서, 상기 박판 자성시트가 상기 Fe계 비정질 합금으로 이루어지는 경우, 300℃ 내지 600℃의 온도범위에서 무자장 열처리가 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트.
제2항에 있어서, 상기 박판 자성시트가 상기 나노 결정립 합금으로 이루어지는 경우, 300℃ 내지 700℃의 온도범위에서 무자장 열처리가 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트.
제1항에 있어서, 상기 박판 자성시트는 1 내지 4층으로 적층된 비정질 리본으로 이루어지고,
상기 적층된 비정질 리본 사이에는 접착층이 삽입되는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트.
제1항에 있어서, 상기 다수의 미세 조각은 수십 ㎛ 내지 3mm 크기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트.
제1항에 있어서,
상기 다수의 미세 조각 사이의 틈새는 보호필름의 일면에 구비된 제1접착층과 양면 테이프의 제2접착층의 일부가 충진되는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트.
제2항에 있어서, 상기 Fe계 비정질 합금은 Fe-Si-B 또는 Fe-Si-B-Co 합금으로 이루어지고,
상기 나노 결정립 합금은 Fe-Si-B-Cu-Nb 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트.
제5항에 있어서, 상기 비정질 리본은 15 내지 35㎛ 범위의 두께로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트.
제1항에 있어서, 상기 흡수시트는 30㎛ 내지 300㎛의 두께로 이루어지며, 400MHz 내지 10GHz의 주파수 대역에서 사용되는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트.
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제1항에 있어서, 상기 전자파 흡수시트는 손실전력(P_loss)과 입력전력(P_in) 비(P_loss/P_in)로 정의되는 파워손실이 1GHz 내지 8GHz 대역에서 60% 이상인 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트.
제1항 내지 제10항 및 제12항 중 어느 한 항의 전자파 흡수시트를 포함하는 것을 특징으로 하는 휴대 전자기기.
박판 자성시트의 일측면에 제1접착층이 형성된 보호필름을 부착하고, 타측면에 릴리즈 필름이 부착된 양면 테이프를 부착하여 적층시트를 형성하는 단계;
상기 적층시트를 플레이크 처리하여 상기 박판 자성시트를 다수의 미세 조각으로 분할하는 단계; 및
상기 플레이크 처리된 적층시트를 라미네이트 처리하여 적층시트를 평탄화 및 슬림화하는 단계를 포함하며,
허수부 투자율이 300MHz에서 50 이상인 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트의 제조방법.
제14항에 있어서, 상기 박판 자성시트는 적어도 하나의 비정질 리본으로 이루어지며,
상기 적층시트를 형성하기 전에 박판 자성시트를 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트의 제조방법.
제14항에 있어서, 상기 박판 자성시트는 Fe계 비정질 합금, Co계 비정질 합금 또는 나노 결정립 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트의 제조방법.
제16항에 있어서, 상기 박판 자성시트가 상기 Fe계 비정질 합금으로 이루어지는 경우, 300℃ 내지 600℃의 온도범위에서 무자장 열처리가 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트의 제조방법.
제16항에 있어서, 상기 박판 자성시트가 상기 나노 결정립 합금으로 이루어지는 경우, 300℃ 내지 700℃의 온도범위에서 무자장 열처리가 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트의 제조방법.
제14항에 있어서, 상기 박판 자성시트는 1 내지 4층으로 적층된 비정질 리본으로 이루어지고,
상기 적층된 비정질 리본 사이에는 접착층이 삽입되는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트의 제조방법.
제14항에 있어서, 상기 흡수시트는 30㎛ 내지 300㎛의 두께로 이루어지며, 400MHz 내지 10GHz의 주파수 대역에서 사용되는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수시트의 제조방법.