KR101396837B1 - 반도체 칩 내장형 인쇄회로기판 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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- 활성면에 복수개의 칩 패드들이 배열되어 있는 반도체 칩;상기 반도체 칩이 비활성면을 통해 삽입되는 1차 오목홈이 형성된 1차 상부면 및 상기 1차 상부면에 반대되는 1차 하부면을 갖는 1차 코어 기판과,상기 1차 상부면으로부터 1차 하부면으로 상기 1차 코어 기판을 관통하는 1차 비아 홀과,상기 칩 패드들 중 소정의 칩 패드로부터 상기 1차 비아 홀과 이격되고 상기 1차 상부면으로 연장되는 제 1 금속 배선층과, 상기 칩 패드들 중 상기 소정의 칩 패드를 제외한 나머지 칩 패드로부터 상기 1차 상부면으로 연장되고 상기 1차 비아 홀과 전기적으로 연결되는 제 2 금속 배선층과, 상기 1차 비아 홀로부터 상기 1차 하부면으로 연장되는 제 3 금속 배선층을 포함하는 1차 금속 배선층을 포함하는 제 1 인쇄회로기판; 및상기 제 1 인쇄회로기판이 1차 하부면을 통해 삽입되는 2차 오목홈이 형성된 2차 상부면 및 상기 2차 상부면에 반대되는 2차 하부면을 갖는 2차 코어 기판과,상기 2차 오목홈으로부터 2차 하부면으로 상기 2차 코어 기판을 관통하며, 상기 제 3 금속 배선층과 전기적으로 연결되는 2차 비아 홀과,상기 2차 상부면과 제 1 인쇄회로기판 상에 형성되며, 상기 제 1 금속 배선층의 일정 폭을 노출시키는 제 1 절연층과, 상기 2차 하부면 상에 형성되며, 상기 2차 비아 홀의 일정 폭을 노출시키는 제 2 절연층을 포함하는 1차 절연층과,상기 노출된 제 1 금속 배선층으로부터 상기 제 1 절연층 상으로 연장되는 제 4 금속 배선층과, 상기 2차 비아 홀로부터 상기 제 2 절연층 상으로 연장되는 제 5 금속 배선층을 포함하는 2차 금속 배선층을 포함하는 제 2 인쇄회로기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 내장형 인쇄회로기판.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 인쇄회로기판은,상기 1차 상부면 및 상기 반도체 칩의 활성면과 상기 제 1 금속 배선층 및 제 2 금속 배선층 사이에 개재되고, 상기 칩 패드들 및 1차 비아 홀을 노출시키는 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 내장형 인쇄회로기판.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 절연층과 상기 제 4 금속 배선층 상에 형성되며, 상기 제 4 금속 배선층의 일정 폭을 노출시키는 제 3 절연층과, 상기 제 2 절연층과 상기 제 5 금속 배선층 상에 형성되며, 상기 제 5 금속 배선층의 일정 폭을 노출시키는 제 4 절연층을 포함하는 2차 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 내장형 인쇄회로기판.
- 활성면에 복수개의 칩 패드들이 배열되어 있는 반도체 칩;상기 반도체 칩이 비활성면을 통해 삽입되는 1차 오목홈이 형성된 1차 상부면 및 상기 1차 상부면에 반대되는 1차 하부면을 갖는 1차 코어 기판과,상기 1차 상부면으로부터 1차 하부면으로 상기 1차 코어 기판을 관통하는 1차 비아 홀과,상기 칩 패드들 중 소정의 칩 패드로부터 상기 1차 비아 홀과 이격되고 상기 1차 상부면으로 연장되는 제 1 금속 배선층과, 상기 칩 패드들 중 상기 소정의 칩 패드를 제외한 나머지 칩 패드로부터 상기 1차 상부면으로 연장되고 상기 1차 비아 홀과 전기적으로 연결되는 제 2 금속 배선층과, 상기 1차 비아 홀로부터 상기 1차 하부면으로 연장되는 제 3 금속 배선층을 포함하는 1차 금속 배선층을 포함하는 제 1 인쇄회로기판; 및2차 상부면 및 상기 2차 상부면에 반대되는 2차 하부면을 갖고, 상기 2차 상부면에서 2차 하부면으로 관통되고 상기 제 1 인쇄회로기판이 삽입되는 삽입 홀이 형성된 2차 코어 기판과,상기 2차 상부면 상에 형성되며, 상기 제 1 금속 배선층의 일정 폭을 노출시키는 제 1 절연층과, 상기 2차 하부면 상에 형성되며, 제 3 금속 배선층의 일정 폭을 노출시키는 제 2 절연층을 포함하는 1차 절연층과,상기 노출된 제 1 금속 배선층으로부터 상기 제 1 절연층 상으로 연장되는 제 4 금속 배선층과, 상기 노출된 제 3 금속 배선층으로부터 상기 제 2 절연층 상으로 연장되는 제 5 금속 배선층을 포함하는 2차 금속 배선층을 포함하는 제 2 인쇄회로기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 내장형 인쇄회로기판.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 인쇄회로기판은,상기 1차 상부면 및 상기 반도체 칩의 활성면과 상기 제 1 금속 배선층 및 제 2 금속 배선층 사이에 개재되고, 상기 칩 패드들 및 1차 비아 홀을 노출시키는 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 내장형 인쇄회로기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 절연층과 상기 제 4 금속 배선층 상에 형성되며, 상기 제 4 금속 배선층의 일정 폭을 노출시키는 제 3 절연층과, 상기 제 2 절연층과 상기 제 5 금속 배선층 상에 형성되며, 상기 제 5 금속 배선층의 일정 폭을 노출시키는 제 4 절연층을 포함하는 2차 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 내장형 인쇄회로기판.
- 활성면에 복수개의 칩 패드들이 배열되는 반도체 칩을 준비하는 단계;상기 반도체 칩보다 큰 크기의 오목홈이 형성된 상부면 및 상기 상부면에 반대되는 하부면을 갖는 코어 기판을 준비하는 단계;상기 상부면으로부터 하부면으로 상기 코어 기판을 관통하는 비아 홀을 형성하는 단계;상기 오목홈에 상기 반도체 칩을 비활성면을 통해 삽입하는 단계;상기 칩 패드들 중소정의 칩 패드로부터 상기 비아 홀과 이격되고 상기 상부면으로 연장되는 제 1 금속 배선층과, 상기 칩 패드들 중 상기 소정의 칩 패드를 제외한 나머지 칩 패드로부터 상기 상부면으로 연장되고 상기 비아 홀과 전기적으로 연결되는 제 2 금속 배선층과, 상기 비아 홀 각각으로부터 상기 하부면으로 연장되는 제 3 금속 배선층을 포함하는 금속 배선층을 형성하는 단계;상기 코어 기판보다 큰 크기의 2차 오목홈이 형성된 2차 상부면 및 상기 2차 상부면에 반대되는 2차 하부면을 갖는 2차 코어 기판을 준비하는 단계;상기 2차 상부면으로부터 2차 하부면으로 상기 2차 코어 기판을 관통하며, 상기 제 3 금속 배선층과 전기적으로 연결되는 2차 비아 홀을 형성하는 단계;상기 2차 상부면 상에 형성되며, 상기 제 1 금속 배선층의 일정 폭을 노출시키는 제 1 절연층과, 상기 2차 하부면 상에 형성되며, 상기 2차 비아 홀의 일정 폭을 노출시키는 제 2 절연층을 포함하는 절연층을 형성하는 단계; 및상기 노출된 제 1 금속 배선층으로부터 상기 제 1 절연층 상으로 연장되는 제 4 금속 배선층과, 상기 2차 비아 홀로부터 상기 제 2 절연층 상으로 연장되는 제 5 금속 배선층을 포함하는 2차 금속 배선층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 내장형 인쇄회로기판 제조 방법.
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- 활성면에 복수개의 칩 패드들이 배열되는 반도체 칩을 준비하는 단계;상기 반도체 칩보다 큰 크기의 오목홈이 형성된 상부면 및 상기 상부면에 반대되는 하부면을 갖는 코어 기판을 준비하는 단계;상기 상부면으로부터 하부면으로 상기 코어 기판을 관통하는 비아 홀을 형성하는 단계;상기 오목홈에 상기 반도체 칩을 비활성면을 통해 삽입하는 단계;상기 칩 패드들 중소정의 칩 패드로부터 상기 비아 홀과 이격되고 상기 상부면으로 연장되는 제 1 금속 배선층과, 상기 칩 패드들 중 상기 소정의 칩 패드를 제외한 나머지 칩 패드로부터 상기 상부면으로 연장되고 상기 비아 홀과 전기적으로 연결되는 제 2 금속 배선층과, 상기 비아 홀 각각으로부터 상기 하부면으로 연장되는 제 3 금속 배선층을 포함하는 금속 배선층을 형성하는 단계;2차 상부면 및 상기 2차 상부면에 반대되는 2차 하부면을 갖고, 상기 2차 상부면에서 2차 하부면으로 관통되고, 상기 코어 기판이 삽입되는 삽입 홀이 형성된 2차 코어 기판을 준비하는 단계;상기 2차 상부면 상에 형성되며, 상기 제 1 금속 배선층의 일정 폭을 노출시키는 제 1 절연층과, 상기 2차 하부면 상에 형성되며, 제 3 금속 배선층의 일정 폭을 노출시키는 제 2 절연층을 포함하는 절연층을 형성하는 단계; 및상기 노출된 제 1 금속 배선층으로부터 상기 제 1 절연층 상으로 연장되는 제 4 금속 배선층과, 상기 노출된 제 3 금속 배선층으로부터 상기 제 2 절연층 상으로 연장되는 제 5 금속 배선층을 포함하는 2차 금속 배선층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 내장형 인쇄회로기판 제조 방법.
- 제 10 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 삽입 단계와 상기 금속 배선층 형성 단계 사이에,상기 상부면 및 반도체 칩의 활성면 상에 형성되며, 상기 칩 패드들 및 비아 홀을 노출시키는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 내장형 인쇄회로기판 제조 방법.
- 제 10 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 제 1 절연층과 상기 제 4 금속 배선층 상에 형성되며, 상기 제 4 금속 배선층의 일정 폭을 노출시키는 제 3 절연층과, 상기 제 2 절연층과 상기 제 5 금속 배선층 상에 형성되며, 상기 제 5 금속 배선층의 일정 폭을 노출시키는 제 4 절연층을 포함하는 2차 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 내장형 인쇄회로기판 제조 방법.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001024092A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-01-26 | Ibiden Co Ltd | パッケージ基板 |
KR20060095813A (ko) * | 2005-02-28 | 2006-09-04 | 삼성전기주식회사 | 칩 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP2007165502A (ja) | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Yamaichi Electronics Co Ltd | 素子内蔵回路基板およびその製造方法 |
KR20070077904A (ko) * | 2006-01-25 | 2007-07-30 | 삼성전기주식회사 | 플립칩 패키지 기판 제조방법 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001024092A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-01-26 | Ibiden Co Ltd | パッケージ基板 |
KR20060095813A (ko) * | 2005-02-28 | 2006-09-04 | 삼성전기주식회사 | 칩 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP2007165502A (ja) | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Yamaichi Electronics Co Ltd | 素子内蔵回路基板およびその製造方法 |
KR20070077904A (ko) * | 2006-01-25 | 2007-07-30 | 삼성전기주식회사 | 플립칩 패키지 기판 제조방법 |
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