KR101353127B1 - Image Sensor Package - Google Patents
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Abstract
본 발명은 윈도우가 형성되고, 상기 윈도우의 하측에 이미지 센서 칩이 구비되는 제1 기판; 및 상기 윈도우에 구비되어 상기 이미지 센서 칩으로의 적외선 유입을 차단하며, 0.3mm의 두께를 갖는 적외선 차단 부재;를 포함하는 이미지 센서 패키지를 개시한다.
본 발명에 따르면, 기존 칩 온 글라스 방식에 비해 높이를 줄일 수 있고 기존 칩 온 보드 방식으로 설계된 렌즈 조립체의 적용이 가능할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a device, comprising: a first substrate having a window formed thereon and an image sensor chip disposed below the window; And an infrared blocking member provided in the window to block infrared rays from entering the image sensor chip and having a thickness of 0.3 mm.
According to the present invention, it is possible to reduce the height compared to the conventional chip on glass method and to apply the lens assembly designed by the existing chip on board method.
Description
본 발명은 이미지 센서 패키지에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 기존 칩 온 글라스 방식에 비해 높이를 줄일 수 있고 기존 칩 온 보드 방식으로 설계된 렌즈 조립체의 적용이 가능한 이미지 센서 패키지에 관한 것이다.
The present invention relates to an image sensor package, and more particularly, to an image sensor package capable of reducing a height compared to a conventional chip on glass method and applying a lens assembly designed by a conventional chip on board method.
최근의 휴대 기기용 카메라 모듈의 경우 소형화가 주요한 이슈로 떠오르고 있다. 이러한 소형화를 달성하기 위해 기존에 제안된 방식 가운데 하나가 투명 기판(예를 들면 글라스)상에 패턴을 형성하고 이미지 센서 칩을 플립 칩 방식으로 투명 기판의 패턴과 접합하는 칩 온 글라스(chip on glass) 패키지 방식이다.In recent years, miniaturization is a major issue for camera modules for mobile devices. In order to achieve such miniaturization, one of the conventionally proposed methods is to form a pattern on a transparent substrate (for example, glass) and chip on glass in which an image sensor chip is bonded with a pattern of a transparent substrate in a flip chip method. ) Package method.
종래의 칩 온 글라스 방식에서는 입사광으로부터 적외선 영역을 차단하기 위해 보통 0.3mm 두께의 적외선 차단 필터를 보통 0.4mm 두께의 글라스 위에 부착하거나 글라스 상면에 적외선 차단 필름을 코팅하는 것이 일반적이다. 종래 방식에서 전자의 경우 글라스 상면에 적외선 차단 필터를 부착하는 경우 전체 두께는 0.7mm가 되며, 후자와 같이 적외선 차단 필름을 코팅하는 경우는 전체 두께가 0.4mm에서 크게 변하지는 않는다.In the conventional chip-on-glass method, in order to block the infrared region from incident light, an infrared cut filter having a thickness of 0.3 mm is usually attached on a glass having a thickness of 0.4 mm or an infrared cut film is coated on the glass upper surface. In the former method, when the infrared cut filter is attached to the glass upper surface, the total thickness is 0.7 mm, and when the infrared cut film is coated like the latter, the total thickness does not change greatly from 0.4 mm.
반면, 휴대 기기용 카메라 모듈에서 현재 가장 많이 이용되고 있는 칩 온 보드(chip on board) 패키지 방식을 이용한 카메라 모듈의 경우 적외선 차단 필터는 하우징의 하단부에 부착된 후 이미지 센서 패키지가 부착된 인쇄회로 기판상에 하우징과 함께 접착제를 이용해 부착, 고정되는 것이 일반적이다. 상기의 칩 온 보드 패키지 방식에서 이용되는 적외선 차단 필터는 그 두께가 보통 0.3mm인 것이 일반적이다. 낙하 테스트 등 신뢰성 시험 측면에서 이러한 적외선 차단 필터의 두께를 0.3mm 이하로 줄이는 것이 상당히 조심스러운 것이 현실이다.On the other hand, in the case of a camera module using a chip on board package method, which is most commonly used in a camera module for a mobile device, an infrared cut filter is attached to the lower end of the housing and then a printed circuit board with an image sensor package attached thereto. It is common to attach and fix the adhesive together with the housing on the housing. The infrared cut filter used in the chip-on-board package method is usually 0.3mm thick. In terms of reliability test, such as drop test, it is realistic to reduce the thickness of the infrared cut filter to 0.3 mm or less.
따라서, 칩 온 보드 방식에서 적용되는 렌즈 조립체는 이러한 0.3mm 두께의 적외선 차단 필터가 렌즈 조립체와 이미지 센서 사이에 존재한다고 가정한다. 반면에, 칩 온 글라스 방식에서 적용되는 렌즈 조립체는 0.3mm 두께의 적외선 차단 필터 외에 0.4mm 두께의 글라스(투명 기판)를 합한 전체 0.7mm의 글라스가 존재한다고 가정하게 된다. 따라서, 칩 온 보드 방식에서 적용되도록 설계된 렌즈 조립체를 칩 온 글라스 방식에 적용하는 것이 불가능해지며, 칩 온 글라스 방식에서는 신규의 렌즈 설계가 요구된다. 이는 글라스의 두께 차이로 인해 렌즈를 통과한 빛이 이미지 센서면 상에 맺히는 위치가 틀어지게 되며 이로 인해 렌즈의 해상력 즉 초점심도(depth of focus)가 서로 달라지게 되기 때문이다Therefore, the lens assembly applied in the chip on board method assumes that such a 0.3 mm thick infrared cut filter exists between the lens assembly and the image sensor. On the other hand, in the lens assembly applied in the chip-on-glass method, it is assumed that there is a total of 0.7 mm of glass including 0.4 mm thick glass (transparent substrate) in addition to a 0.3 mm thick infrared cut filter. Therefore, it is impossible to apply the lens assembly designed to be applied in the chip on board method to the chip on glass method, and a new lens design is required in the chip on glass method. This is because the position of the light passing through the lens on the image sensor surface is changed due to the difference in the thickness of the glass, which causes the resolution of the lens, that is, the depth of focus, to be different.
종래 칩 온 글라스 방식의 이미지 센서 패키지의 일 예로 대한민국 등록특허 제10-0466243에 개시된 바와 같이 도 1을 참조하면, 투명 기판(글라스:10) 상에 복수의 제 1 솔더 패드(11) 및 복수의 제 2 솔더 패드(12)가 형성되어 있으며, 이미지 센서 칩(20)의 솔더 패드(미도시)에 제 1 솔더 범프(21)를 형성한 후 대응하는 상기 제 1 솔더 패드(11)와 접합하여 대향하는 투명 기판(글라스:10)와 접합한다. 그리고, 상기 제 2 솔더 패드(12)에는 제 2 솔더 범프(12a)가 형성되어 리플로우 공정을 통해 인쇄 회로 기판(30)의 대응 패드(미도시)와 접합하게 된다.As an example of a conventional chip-on-glass image sensor package, as shown in Korean Patent Registration No. 10-0466243, referring to FIG. 1, a plurality of
상기 종래 방식에서는 두께가 0.4mm인 투명 기판(글라스:10)의 상면에 두께가 0.3mm인 적외선 차단 필터(40)를 부착하거나 혹은 필름이 코팅되어 입사광으로부터 적외선 영역을 차단하게 된다. 전자의 경우는 전체 0.7mm의 두께를 갖는 글라스 재질이 중간에 입사광의 경로를 굴절시키는 반면, 후자의 경우는 대략 전체 0.4mm의 두께를 갖는 글라스 재질이 중간에 입사광의 경로를 굴절시키게 된다. 이로 인해 기존의 칩 온 보드 방식에 적용되는 렌즈 조립체를 그대로 칩 온 글라스 방식에 적용하는 경우 렌즈 조립체와 이미지 센서 중간에 삽입된 글라스의 굴절에 의한 광 경로 변화가 차이가 나게 된다.In the conventional method, the
즉, 도 2a 내지 도 2f를 참조하면, 먼저 도 2a는 기존의 칩 온 보드 방식에 적용되도록 설계된 렌즈의 레이 트레이싱(ray tracing)을 나타내고, 도 2c는 도 2a의 렌즈를 0.4mm 두께의 투명 기판을 구비한 칩 온 글라스 방식에 적용하는 경우의 레이 트레이싱(ray tracing)을 나타내며, 도 2e는 도 2a의 렌즈를 0.4mm 두께의 투명 기판 및 0.3mm 두께의 적외선 차단 필터를 별도로 구비한 칩 온 글라스 방식에 적용하는 경우의 레이 트레이싱(ray tracing)을 나타낸다.That is, referring to FIGS. 2A to 2F, first, FIG. 2A illustrates ray tracing of a lens designed to be applied to a conventional chip on board method, and FIG. 2C illustrates a 0.4 mm thick transparent substrate using the lens of FIG. 2A. Ray tracing when applied to a chip-on-glass method having a chip, and FIG. 2E shows the lens of FIG. 2A separately provided with a 0.4 mm-thick transparent substrate and a 0.3 mm-thick infrared cut filter. Ray tracing when applied to the scheme.
도 2d 및 도 2f에 도시한 바와 같이, 칩 온 보드 방식에 적용된 렌즈 조립체를 그대로 칩 온 글라스 방식에 적용하는 경우 렌즈 품질이 열화됨을 확인할 수 있다. 특히, 이미지 센서 주변부의 해상력이 열화하여 전체적으로 초점심도(depth of focus) 품질이 감소함을 확인할 수 있다.As illustrated in FIGS. 2D and 2F, when the lens assembly applied to the chip on board method is applied to the chip on glass method as it is, the lens quality may be deteriorated. In particular, it can be seen that the resolution of the periphery of the image sensor is degraded, thereby reducing the overall depth of focus quality.
결국, 기존의 칩 온 보드 방식에 적용하도록 설계된 렌즈 조립체는 그대로 칩 온 글라스 방식에 적용될 수 없으며, 신규로 칩 온 글라스 방식에 적용되는 렌즈 조립체를 설계해야 하는 손실이 발생하는 문제점이 있었다.
As a result, the lens assembly designed to be applied to the existing chip-on-board method cannot be applied to the chip-on-glass method as it is, and there is a problem in that a loss of designing a lens assembly to be newly applied to the chip-on-glass method occurs.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 기존 칩 온 글라스 방식에 비해 높이를 줄일 수 있고 기존 칩 온 보드 방식으로 설계된 렌즈 조립체의 적용이 가능한 이미지 센서 패키지를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
The present invention has been made to solve the above-described problems, the present invention is to provide an image sensor package that can be applied to the lens assembly designed to reduce the height compared to the existing chip-on-board method and the existing chip-on-glass method. The purpose.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은: 윈도우가 형성되고, 상기 윈도우의 하측에 이미지 센서 칩이 구비되는 제1 기판; 및 상기 윈도우에 구비되어 상기 이미지 센서 칩으로의 적외선 유입을 차단하며, 0.3mm의 두께를 갖는 적외선 차단 부재;를 포함하는 이미지 센서 패키지를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention comprises: a first substrate having a window formed, the image sensor chip is provided below the window; And an infrared blocking member provided in the window to block infrared rays from entering the image sensor chip and having a thickness of 0.3 mm.
상기 이미지 센서 패키지는, 상기 윈도우와 상기 이미지 센서 칩 사이에 구비되어 상기 이미지 센서 칩의 수광 영역으로의 이물 유입을 차단하는 보호 부재를 더 포함할 수 있다.The image sensor package may further include a protection member provided between the window and the image sensor chip to block foreign material from entering the light receiving area of the image sensor chip.
이때, 상기 보호 부재는 투명한 수지재질로 형성될 수 있다.In this case, the protective member may be formed of a transparent resin material.
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한편, 상기 이미지 센서 칩은 상기 제1 기판에 플립 칩 방식으로 접합될 수 있다.The image sensor chip may be bonded to the first substrate by a flip chip method.
이때, 상기 플립 칩 공정은 솔더 리플로우 공정 또는 이방 도전성 페이스트를 이용한 압축 공정으로 이루어질 수 있다.In this case, the flip chip process may be a compression process using a solder reflow process or an anisotropic conductive paste.
한편, 상기 제1 기판은 연성(flexible) 인쇄회로기판 또는 경성(rigid) 인쇄회로기판으로 이루어질 수 있다.The first substrate may be made of a flexible printed circuit board or a rigid printed circuit board.
그리고, 상기 적외선 차단 부재는 상기 이미지 센서 칩의 크기보다 작고 상기 이미지 센서 칩의 수광 영역보다 큰 사이즈를 가질 수 있다.The infrared blocking member may have a size smaller than the size of the image sensor chip and larger than the light receiving area of the image sensor chip.
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이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지에 의하면, 기존 칩 온 글라스 방식에 적용시 패키지의 높이를 줄일 수 있어 소형화가 가능한 이점이 있다.As described above, according to the image sensor package according to the present invention, the height of the package can be reduced when applied to the existing chip-on-glass method has the advantage that can be miniaturized.
또한, 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지에 의하면, 기존 칩 온 보드 방식에 적용되는 렌즈 조립체의 사용이 가능하여 신규 렌즈 설계 개발 및 제작 비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
In addition, according to the image sensor package according to the present invention, it is possible to use the lens assembly applied to the existing chip-on-board method has the advantage of reducing the new lens design development and manufacturing cost.
도 1은 종래 칩 온 글라스 방식의 이미지 센서 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 종래 칩 온 보드 방식의 이미지 센서 패키지에 적용되도록 설계된 렌즈의 광 경로(ray tracing) 및 디포커싱 포지션(defocusing positon)에 대한 변조(modulation)을 나타낸 도면이다.
도 2c 및 도 2d는 도 2a의 렌즈를 0.4mm 두께의 투명 기판을 구비한 칩 온 글라스 방식에 적용하는 경우의 광 경로(ray tracing) 및 디포커싱 포지션(defocusing positon)에 대한 변조(modulation)을 나타낸 도면이다.
도 2e 및 도 2f는 도 2a의 렌즈를 0.4mm 두께의 투명 기판 및 0.3mm 두께의 적외선 차단 필터를 별도로 구비한 칩 온 글라스 방식에 적용하는 경우의 광 경로(ray tracing) 및 디포커싱 포지션(defocusing positon)에 대한 변조(modulation)을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지를 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional chip on glass image sensor package.
2A and 2B illustrate modulation of a ray tracing and defocusing positon of a lens designed to be applied to a conventional chip on board image sensor package.
2C and 2D illustrate modulation of ray tracing and defocusing positon when the lens of FIG. 2A is applied to a chip on glass method having a 0.4 mm thick transparent substrate. The figure shown.
FIG. 2E and FIG. 2F show ray tracing and defocusing positions when the lens of FIG. 2A is applied to a chip on glass method having a 0.4 mm thick transparent substrate and a 0.3 mm thick infrared cut filter. A diagram illustrating modulation for a positon.
3 is a schematic cross-sectional view of an image sensor package according to the present invention.
4 is a plan view schematically showing an image sensor package according to the present invention.
본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 설명된다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 하기에서 생략된다.
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention, in which the object of the present invention can be specifically realized, are described with reference to the accompanying drawings. In describing the present embodiment, the same name and the same reference numerals are used for the same configuration and additional description thereof will be omitted below.
이하, 첨부된 도 3 내지 도 4를 참조하여 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지의 일실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the image sensor package according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이며, 도 4는 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지를 개략적으로 나타낸 평면도이다.3 is a cross-sectional view schematically showing an image sensor package according to the present invention, Figure 4 is a plan view schematically showing an image sensor package according to the present invention.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지의 일실시예(100)는, 크게 윈도우(110a)가 형성되고 하측에 이미지 센서 칩(120)이 구비되는 제1 기판(110)과, 상기 윈도우(110a)에 구비되어 상기 이미지 센서 칩(120)으로의 적외선 유입을 차단하는 적외선 차단 부재(130)를 포함하여 구성될 수 있다.3 and 4, an
여기서, 상기 이미지 센서 칩(120)은 상기 제1 기판(110)의 하부에 플립 칩 방식으로 접합될 수 있다. 이때, 상기 플립 칩 공정은 솔더 리플로우 공정 또는 이방 도전 페이스트를 이용한 압축(압착)공정으로 이루어질 수 있다.Here, the
보다 상세하게, 상기 제1 기판(110)의 하면에는 복수의 제1 솔더 패드(111)가 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 이미지 센서 칩(120)은 제1 솔더 범프(121)를 매개로 상기 제1 솔더 패드(111)에 접합됨으로써 상기 제1 기판(110)의 하부에 접합될 수 있다.In more detail, a plurality of
이때, 상기 제1 솔더 범프(121)를 이용한 상기 이미지 센서 칩(120)의 접합은 솔더 리플로우 공정을 통해 수행되거나 이방성 도전 페이스트를 이용한 압축(압착)공정을 통해 수행될 수 있는 것이다.In this case, the bonding of the
그리고, 상기 적외선 차단 부재(130)는, 상기 윈도우(110a)에 접착제를 통해 접합되어 매립될 수 있으며, 투과되는 광에 포함된 적외선을 차단하는 재질로 형성될 수 있고 실질적으로 0.3mm의 두께를 가질 수 있다.In addition, the infrared
이때, 상기 적외선 차단 부재(130)는 상기 이미지 센서 칩(120)의 크기보다 작고 상기 이미지 센서 칩(120)의 수광 영역(미도시)보다 큰 사이즈를 가지는 것이 바람직하다.In this case, the
한편, 본 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(100)는, 상기 제1 기판(110)의 하부에 접합되는 제2 기판(140)을 더 포함하여 구성될 수 있다.Meanwhile, the
이때, 상기 제1 기판(110)은 연성(flexible) 인쇄회로기판 또는 경성(rigid) 인쇄회로기판으로 이루어질 수 있으며, 상기 제2 기판(140) 역시 상기 제1 기판(110)과 마찬가지로 연성(flexible) 인쇄회로기판 또는 경성(rigid) 인쇄회로기판으로 이루어질 수 있다.In this case, the
여기서, 상기 제1 기판(110)의 하면에는 복수의 제2 솔더 패드(112)가 형성될 수 있고 상기 이미지 센서 칩(120)의 플립 칩 공정 즉, 솔더 리플로우 공정을 통해 상기 제2 솔더 패드(112)에는 제2 솔더 범프(113)가 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 제2 기판(140)은 제2 솔더 범프(113)를 매개로 상기 제1 기판(110)의 하부에 접합될 수 있다.Here, a plurality of
결론적으로, 본 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(100)는, 상기 이미지 센서 칩(120)의 광 검출 영역 즉 수광 영역과 대향하는 위치에 적외선 차단 부재(130)가 구비되고 상기 적외선 차단 부재(130)는 상기 제1 기판(110)의 중앙에 형성된 윈도우(110a)에 삽입 구비됨으로써, 이미지 센서 패키지의 전체 높이를 줄일 수 있게 되며, 결과적으로 카메라 모듈의 전체 높이를 줄일 수 있다.In conclusion, the
또한, 본 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(100)는, 0.3mm 두께의 적외선 차단 부재(130)만이 상기 이미지 센서 칩(120)의 광 검출 영역 즉 수광 영역의 상부에 구비됨으로써, 입사하는 빛의 광 경로 측면에서는 기존의 칩 온 보드 방식과 동일하게 0.3mm 두께의 글라스 층만을 광이 경유하게 된다. 따라서, 기존에 칩 온 보드 방식에 적용을 위해 설계된 렌즈를 그대로 변경없이 칩 온 글라스 방식에 적용이 가능해지며, 결과적으로 신규 렌즈 설계가 불필요해지고 제작비용을 절감할 수 있다.In addition, in the
한편, 본 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(100)는, 상기 윈도우(110a)와 상기 이미지 센서 칩(120) 사이에 구비되어 상기 이미지 센서 칩(120)의 수광 영역으로의 이물 유입을 차단하는 보호 부재(150)를 더 포함할 수 있다.On the other hand, the
여기서, 상기 보호 부재(150)는 투명한 수지재질로 형성될 수 있다.Here, the
또한, 상기 보호 부재(150)는, 상기 제1 기판(110)의 중앙에 위치한 윈도우(110a)의 테두리를 따라 형성되기 때문에 상기 이미지 센서 칩(120)의 수광 영역으로의 이물 유입을 손쉽고 용이하게 차단할 수 있는 구조를 가질 수 있다.
In addition, since the
이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이나, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, and that various changes, substitutions and alterations can be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. However, it should be understood that such substitutions, changes, and the like fall within the scope of the following claims.
110: 제1 기판 110a: 윈도우
111: 제1 솔더 패드 112: 제2 솔더 패드
113: 제2 솔더 범프 120: 이미지 센서 칩
121: 제1 솔더 범프 130: 적외선 차단 부재
140: 제2 기판 150: 보호 부재110:
111: first solder pad 112: second solder pad
113: second solder bump 120: image sensor chip
121: first solder bump 130: infrared blocking member
140: second substrate 150: protective member
Claims (9)
상기 윈도우에 구비되어 상기 이미지 센서 칩으로의 적외선 유입을 차단하며, 0.3mm의 두께를 갖는 적외선 차단 부재;
를 포함하는 이미지 센서 패키지.
A first substrate having a window formed thereon and having an image sensor chip under the window; And
An infrared ray blocking member provided in the window to block infrared rays from entering the image sensor chip and having a thickness of 0.3 mm;
Image sensor package comprising a.
상기 윈도우와 상기 이미지 센서 칩 사이에 구비되어 상기 이미지 센서 칩의 수광 영역으로의 이물 유입을 차단하는 보호 부재를 더 포함하는 이미지 센서 패키지.
The method of claim 1,
And a protection member disposed between the window and the image sensor chip to block foreign material from entering the light receiving area of the image sensor chip.
상기 보호 부재는 투명한 수지재질로 형성되는 이미지 센서 패키지.
3. The method of claim 2,
The protective member is an image sensor package formed of a transparent resin material.
상기 이미지 센서 칩은 상기 제1 기판에 플립 칩 방식으로 접합되는 이미지 센서 패키지.
3. The method according to claim 1 or 2,
And the image sensor chip is bonded to the first substrate by a flip chip method.
상기 플립 칩 공정은 솔더 리플로우 공정 또는 이방 도전성 페이스트를 이용한 압축 공정으로 이루어지는 이미지 센서 패키지.
The method of claim 5,
The flip chip process is an image sensor package consisting of a solder reflow process or a compression process using an anisotropic conductive paste.
상기 제1 기판은 연성(flexible) 인쇄회로기판 또는 경성(rigid) 인쇄회로기판으로 이루어지는 이미지 센서 패키지.
3. The method according to claim 1 or 2,
And the first substrate comprises a flexible printed circuit board or a rigid printed circuit board.
상기 적외선 차단 부재는 상기 이미지 센서 칩의 크기보다 작고 상기 이미지 센서 칩의 수광 영역보다 큰 사이즈를 갖는 이미지 센서 패키지.
3. The method according to claim 1 or 2,
The infrared blocking member has a size smaller than the size of the image sensor chip and larger than the light receiving area of the image sensor chip.
상기 적외선 차단 부재는, 투과되는 광에 포함된 적외선을 차단하는 재질로 형성되며 0.3mm의 두께를 갖는 이미지 센서 패키지.
9. The method of claim 8,
The infrared blocking member is formed of a material for blocking the infrared rays included in the transmitted light, the image sensor package having a thickness of 0.3mm.
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