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KR101355505B1 - 정전척 및 정전척 제조방법 - Google Patents

정전척 및 정전척 제조방법 Download PDF

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KR101355505B1
KR101355505B1 KR1020110121546A KR20110121546A KR101355505B1 KR 101355505 B1 KR101355505 B1 KR 101355505B1 KR 1020110121546 A KR1020110121546 A KR 1020110121546A KR 20110121546 A KR20110121546 A KR 20110121546A KR 101355505 B1 KR101355505 B1 KR 101355505B1
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KR
South Korea
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insulating layer
layer
aluminum
electrostatic chuck
forming
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KR1020110121546A
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Inventor
손형규
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엘아이지에이디피 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명에 따른 정전척은 알루미늄 몸체, 상기 몸체의 측면과 상측면에 양극 산화로 알루미나 코팅된 제 1절연층, 상기 제 1절연층 상부에 형성되는 금속 전극층, 상기 금속 전극층 상부에 형성되는 알루미늄층, 상기 알루미늄층을 양극 산화로 형성한 제 2절연층을 구비하는 것으로, 이러한 본 발명에 따른 정전척 및 정전척 제조방법은 절연층을 형성하기 위하여 종래와 같이 용사 코팅을 수행하지 않고, 양극 산화, 즉 아노다이징으로 절연층을 형성한다. 따라서 대면적이면서 고성능의 정전척의 제조가 가능하도록 한다. 더욱이 용사 코팅에 의한 절연층의 형성시 발생하는 절연층이 두께 불균일 문제와 용사 코팅으로 절연층을 형성한 후 실링공정을 위한 폴리머 확산과 같은 공정이 필요하지 않으므로 정전척의 제조효율 또한 매우 향상되는 효과가 있다.

Description

정전척 및 정전척 제조방법{Electro static chuck and method for electro static chuck}
본 발명은 정전척 및 정전척 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 양극 산화로 절연층을 형성한 정전척 및 정전척 제조방법에 관한 것이다.
정전척(ESC: Electro Static Chuck)은 반도체 제조공정 및 디스플레이 제조공정에서 웨이퍼 또는 유리기판을 지지하기 위하여 사용된다. 이 정전척은 적층 구조로 되어 있으며, 최상부에는 절연층이 형성되고, 절연층의 하부에는 도전체층이 형성된다. 그리고 도전체층의 하부에는 다른 절연층이 형성된다. 그리고 절연층의 재질은 주로 알루미나(Al203)가 사용된다.
이 절연층으로 사용되는 알루미나의 증착 방법은 용사 코팅 방법이 주로 이용된다. 용사 코팅 방법을 이용하여 정전척에 절연층을 코팅하는 방법은 용사 코팅 장치로 한번에 15마이크로미터 두께의 알루미나 막을 기판 상에 반복적으로 용사하여 수백 마이크로미터 두께까지 코팅하는 공정이다.
그런데, 용사코팅장치는 한 번에 기판 전면적에 대하여 코팅하는 것이 불가능하다. 따라서 기판의 일측 모서리 부분부터 타측 모서리 부분까지 코팅하는 공정을 수회 반복함으로써 설정된 두께의 절연층을 코팅한다. 그러나 이와 같은 코팅방법은 기판에 대한 코팅 시작부분과 끝부분에서의 코팅막 두께를 균일하게 형성하는 것이 거의 불가능하다. 더욱이 디스플레이 제조용 대면적 기판의 경우에는 두께 오차가 현저하게 발생하여 고성능의 정전척으로써 기능을 하지 못하는 문제점이 있다.
또한 용사 코팅시에 코팅되는 알루미나 입자는 매우 거친 표면을 가진다. 따라서 용사 코팅 후에 절연층을 형성하는 알루미나 입자들 사이에는 상당한 기공이 형성된다. 이 기공은 정전척의 동작 중 절연파괴를 일으켜 정전척의 동작에 치명적인 장애요인이 되는 문제점이 된다. 따라서 종래에는 기공을 제거하기 위하여 별도로 폴리머 확산 공정을 수행하기도 한다.
한국등록특허 제 10-0997374호 "정전척 및 이의 제조방법", 2010. 11. 30.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로 본 발명의 목적은 양극 산화로 절연층을 형성하도록 한 정전척 및 정전척 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 정전척은 알루미늄 몸체, 상기 몸체의 측면과 상측면에 양극 산화로 알루미나 코팅된 제 1절연층, 상기 제 1절연층 상부에 형성되는 금속 전극층, 상기 금속 전극층 상부에 형성되는 알루미늄층, 상기 알루미늄층을 양극 산화로 형성한 제 2절연층을 구비한다.
상기 제 2절연층 상에는 알루미나 재질의 엠보싱이 될 수 있다. 상기 알루미늄 몸체에는 니켈과 알루미늄이 혼합된 혼합층이 형성될 수 있다.
상기 몸체에는 상기 몸체의 하부로부터 상기 금속 전극층까지 연장된 홀과 상기 홀에 채춰지는 유전체와 상기 유전체에 삽입되어 상기 금속 전극층과 접속되는 전극부를 구비할 수 있다.
상기 금속 전극층은 구리, 니켈, 텅스텐 중의 선택된 하나가 100 ~ 1000마이크로미터 두께로 형성될 수 있다.
상기 알루미늄층은 50 ~ 300 마이크로미터 두께로 형성될 수 있다.
상기 몸체에는 상기 몸체를 관통하는 냉각홀이 형성되고, 상기 냉각홀의 상기 몸체와 상기 알루미늄층이 위치하는 내경에 양극 산화로 알루미나 절연층이 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 정전척 제조방법은 알루미늄 몸체의 측면과 상측면에 양극 산화로 알루미나 재질로 제 1절연층을 형성하는 단계, 상기 제 1절연층 상부에 금속 전극층을 형성하는 단계, 상기 금속 전극층 상부에 형성되는 알루미늄층을 형성하는 단계, 상기 알루미늄층을 양극 산화하여 알루미나 재질로 된 제 2절연층을 형성하는 단계를 구비한다.
상기 제 2절연층 상에는 알루미나 재질의 엠보싱이 형성될 수 있다.
상기 제 1절연층 형성 단계 이전에 상기 알루미늄 몸체에 니켈과 알루미늄이 혼합된 혼합층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제 2절연층이 형성된 이후에 상기 몸체의 하부로부터 상기 금속 전극층까지 관통하는 홀을 형성하고, 상기 홀에 유전체를 채우고, 상기 유전체에 상기 금속 전극층과 접속되는 전극이 설치될 수 있다.
상기 금속 전극층은 구리, 니켈, 텅스텐 중의 선택된 하나가 100 ~ 1000 마이크로미터의 두께로 형성될 수 있다.
상기 알루미늄층은 50 ~ 300 마이크로미터의 두께로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 정전척 및 정전척 제조방법은 절연층을 형성하기 위하여 종래와 같이 용사 코팅을 수행하지 않고, 양극 산화, 즉 아노다이징으로 절연층을 형성한다. 따라서 대면적이면서 고성능의 정전척의 제조가 가능하도록 한다. 더욱이 용사 코팅에 의한 절연층의 형성시 발생하는 절연층이 두께 불균일 문제와 용사 코팅으로 절연층을 형성한 후 실링공정을 위한 폴리머 확산과 같은 공정이 필요하지 않으므로 정전척의 제조효율 또한 매우 향상되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 정전척을 도시한 단면도이다.
도 2는 제 1절연층을 양극 산화로 형성하는 단계를 도시한 도면이다.
도 3은 제 1절연층을 양극 산화로 형성한 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 제 1절연층 상에 금속 전극층을 형성한 상태를 도시한 도면이다.
도 5는 금속 전극층 상에 알루미늄층을 형성한 상태를 도시한 도면이다.
도 6은 제 2절연층을 양극 산화로 형성하는 단계를 도시한 도면이다.
도 7은 제 2절연층을 양극 산화로 형성한 상태를 도시한 도면이다.
도 8은 제 2절연층 상에 엠보싱을 형성한 상태를 도시한 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 이하에서 개시하는 실시예에서의 정전척은 기판에 박막을 형성하는 반도체 및 디스플레이 제조장치에 설치되어 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 정전척을 도시한 단면도이다. 본 발명의 실시예에 따른 정전척(10)은 도 1에 도시된 바와 같이 알루미늄 몸체(100)를 구비하고, 알루미늄 몸체(100)에는 냉매가 하부로부터 상부로 공급되도록 상하로 관통한 다수개의 냉각홀(190)이 형성되어 있다. 그리고 알루미늄 몸체(100)는 하부를 제외하고, 측면과 상부면에 알루미나(alumina; Al2O3)로 된 제 1절연층(110)이 형성되어 있다. 제 1절연층(110)은 양극 산화(Anodizing)로 형성된다.
한편, 양극 산화는 금속 표면에 전기 화학적 방법으로, 피막을 형성하는 방법으로, 금속 표면의 내마모성, 내식성 그리고 전기적 절연성이 용사 코팅에 비하여 매우 우수하다. 그리고 양극 산화를 위한 전해액으로는 황산, 수산 또는 황산/옥살산 중의 어느 하나를 선택하여 사용할 수 있다.
황산을 이용한 양극 산화 방법은 이하의 반응식 1과 같은 반응으로 알루미늄 몸체에 알루미나 재질의 제 1절연층(110)을 형성한다.
(반응식 1)
2Al + 3HSO4 + 16H2O ↔ Al2(SO4)3 + 16H2O + 3H2 ↔ Al2O3 + 3H2SO4 + 13H2O
한편, 도면에 도시되지 않았지만, 알루미늄 몸체(100)의 상부면에는 제 1절연층(110)이 형성되기 전에 알루미늄과 니켈이 혼합된 혼합층이 형성될 수 있다.
이 혼합층에는 니켈이 90% 이상 포함되고, 나머지가 알루미늄으로 구성될 수 있다. 이 혼합층이 형성되는 이유는 제 1절연층(110)을 형성하는 알루미나가 보다 잘 코팅되도록 하기 위한 것이다. 이 혼합층은 선택적인 실시예이다.
그리고 알루미늄 몸체(100)의 상부, 즉 제 1절연층(110)의 상부에는 금속 전극층(120)이 증착된다. 그리고 금속 전극층(120)과 접촉하는 전극(170)과 이 전극(170)을 감싸는 유전체(160)가 알루미늄 몸체(100)의 중앙부분에 형성된 홀에 삽입되어 설치되어 있다.
금속 전극층(120)은 스트라이프 형상으로 배선될 수 있다. 이 금속 전극층(120)은 스퍼터링 또는 용사 코팅으로 형성될 수 있으며, 두께는 100 ~ 1000 마이크로미터 두께로 형성될 수 있다.
한편, 금속 전극층(120)의 상부에는 알루미늄층(130)이 형성된다. 이 알루미늄층(130)은 50 ~ 300 마이크로미터 두께로 형성될 수 있으며, 스퍼터링 또는 용사로 형성될 수 있다.
그리고 정전척(10)이 완성된 상태에서 이 알루미늄층(130)의 두께는 최초 증착되었을 때의 절반 정도의 두께가 될 수 있다. 그 이유는 후술하는 제 2절연층(140)을 형성하기 위한 2차 양극 산화에 의하여 이 알루미늄층(130)의 표면 일부가 양극 산화 되어 순수 알루미늄층(130)의 두께가 얇아지기 때문이다.
그리고 알루미늄층(130)의 상부에는 양극산화로 제 2절연층(140)이 형성된다. 이 제 2절연층(140)은 제 1절연층(110)과 마찬가지로 양극 산화로 알루미늄층(130)에 형성된다.
따라서 몸체(100)와 금속 전극층(120)은 제 1절연층(110)과 제 2절연층(140)에 의하여 표면 절연 상태를 유지하고, 몸체(100)의 측벽은 제 1절연층(110)을 형성할 때의 양극 산화 공정의 수행으로, 절연층이 함께 형성된 상태가 된다. 또한 냉각홀(190)의 내면 중에서, 알루미늄 몸체(100) 부분과 알루미늄층(130)이 위치하는 부분의 내면에는 각각 내측 절연층(111)(141)이 형성되어 있다.
이 내측 절연층(111)(141)은 제 1절연층(110)과 제 2절연층(140)을 형성할 때 함께 형성된다. 그리고 제 2절연층(140)의 상부에는 용사 코팅, 기계적 가공 또는 메싱처리(Meshing)로 엠보싱(150)이 형성된다.
이하에서는 전술한 바와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 제조방법에 대한 실시예를 설명한다.
도 2에서 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 정전척을 제조하기 위한 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
본 발명의 실시예에 따른 정전척 제조방법은 제 1절연층(110)을 형성하는 단계, 제 1절연층(110) 상부에 금속 전극층(120)을 형성하는 단계, 금속 전극층(120) 상부에 알루미늄층(130)을 형성하는 단계, 알루미늄층(130) 상에 양극 산화로 알루미나 재질로 된 제 2절연층(140)을 형성하는 단계로 진행된다.
도 2는 제 1절연층을 양극 산화로 형성하는 단계를 도시한 도면이고, 도 3은 제 1절연층을 양극 산화로 형성한 상태를 도시한 도면이다.
도 2와 도 3에 도시된 바와 같이 제 1절연층(110)을 형성하는 단계를 진행하기 위하여 알루미늄 몸체(100)의 하측면에만 페인트 등의 비산화물질 및 절연물을 도포하여 마스크(180) 처리한다. 그리고 알루미늄 몸체(100)의 상부에 10 ~ 100 마이크로미터 두께의 니켈과 알루미늄이 혼합된 혼합층을 형성할 수 있다. 이 혼합층에 포함되는 니켈의 조성율을 90% 이상일 수 있다. 하지만 이 혼합층의 형성은 선택적인 단계이다. 또한 유전체(160)에 삽입된 전극(170)의 상하부 노출부분을 마스크 처리할 수 있다.
이후 전해액이 저장된 양극 산화용 베스(bath;200)에 알루미늄 몸체(100)를 투입한다. 이때 알루미늄 몸체(100)는 완전히 수몰되도록 베스(200)에 투입된다. 또한 알루미늄 몸체(100)에는 미리 양극(210)이 연결되어 있고, 베스(200)에는 음극(220)이 연결되어 있다.
이와 같은 상태에서 전원을 인가하면 알루미늄 몸체(100)의 하부면을 제외한 상부면과 측면 그리고 냉각홀(190)의 내면에서는 양극 산화가 발생하여 도 3에 도시된 바와 같이 알루미나 재질의 제 1절연층(110)과 내측 절연층(111)이 형성된다.
도 4는 제 1절연층 상에 금속 전극층을 형성한 상태를 도시한 도면이다. 도 4에 도시된 바와 같이 제 1절연층(110)을 형성한 후 제 1절연층(110)이 형성된 알루미늄 몸체(100)를 스퍼터링 장비, 또는 용사 코팅 장비로 옮겨 제 1절연층(110) 상부에 금속 전극층(120)을 형성하는 단계를 수행한다.
이때 냉각홀(190)이 금속 전극층(120)에 의하여 막히지 않도록 냉각홀(190) 부분에 포토리소그래피 공정을 이용하여 포토 마스크(photoresist mask)를 형성하고, 금속 전극층(120)이 형성된 후에 포토 마스크를 식각으로 제거한다. 또한 알루미늄 몸체(100)의 상부로 노출된 전극(170)의 상단을 폴리싱 처리한 후 금속 전극층(120)을 형성하여 전극(170)과 금속 전극층(120)이 접촉되도록 한다.
그리고 금속 전극층(120)을 형성하기 위한 재료로는 구리(Copper), 니켈(Nickel), 텅스텐(Tungsten) 중에서 선택된 하나의 재질을 이용하여 형성한다. 또한, 금속 전극층(120)의 두께는 100 ~ 1000 마이크로미터로 형성할 수 있다.
도 5는 금속 전극층 상에 알루미늄층을 형성한 상태를 도시한 도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이 금속 전극층(120)이 형성된 이후 이 금속 전극층(120)의 상부면, 즉 금속 전극층(120)의 노출된 상부면과 양측면에 알루미늄층(130)을 형성한다. 이 알루미늄층(130)은 스퍼터링 또는 용사코팅으로 형성할 수 있다.
그리고 알루미늄층(130)의 증착 두께는 50 ~ 300 마이크로미터일 수 있다. 또한 알루니늄층(130)의 형성시에 냉각홀(190)이 알루미늄층(130)에 의하여 막히지 않도록 냉각홀(190) 부분에 포토리소그래피 공정을 이용하여 포토 마스크를 형성하고, 알루미늄층(130)이 형성된 후에 포토 마스크를 식각으로 제거한다.
도 6은 제 2절연층을 양극 산화로 형성하는 단계를 도시한 도면이고, 도 7은 제 2절연층을 양극 산화로 형성한 상태를 도시한 도면이다.
알루미늄층(130)을 형성한 후 도 6에 도시된 바와 같이 알루미늄층(130) 상에 양극 산화로 알루미나 재질로 된 제 2절연층(140)을 형성하는 단계를 진행한다. 이를 위하여 제 1절연층(110)이 형성된 부분에는 페인트 등의 비산화물질 및 절연물을 도포하여 마스크(180) 처리한다. 이 마스크(180)는 정전척(10) 제조가 이루어진 후에 제거될 수 도 있고, 도포된 상태로 사용될 수 도 있다.
이후에 양극 산화 베스(200)에 수몰되도록 알루미늄 몸체(100)를 투입한 후 2차 양극 산화를 진행한다. 이와 같이 양극 산화를 진행하게 되면 금속 전극층(120) 상부의 알루미늄층(130)에 알루미나 재질로 된 제 2절연층(140)이 도 7에 도시된 바와 같이 양극 산화로 형성된다. 제 2절연층(140)의 형성시에 알루미늄층 (130)의 냉각홀(190)의 내측 부분에도 절연층(141)이 함께 형성된다. 이후 제 2절연층(140)의 상부로 도 8에 도시된 바와 같이 엠보싱을 형성한다.
도 8은 제 2절연층 상에 엠보싱을 형성한 상태를 도시한 도면이다. 도 8에 도시된 바와 같이 양극 산화로 제 2절연층(140)이 형성되면 몸체(100)를 외부로 인출한 후 제 2절연층(140)의 상부에 알루미나 재질로 된 엠보싱(150)을 형성한다. 엠보싱(150)은 50 ~ 70마이크로 높이 정도로 형성할 수 있다.
그리고 엠보싱(150)의 형성방법은 용사 코팅 또는 메쉬 또는 기계적 가공으로 형성할 수 있다. 엠보싱(150)의 형성시에도 냉각홀(190)이 막히지 않도록 냉각홀(190) 부분에 포토리소그래피 공정을 이용하여 포토 마스크를 형성하고, 알루미늄층(130)이 형성된 후에 포토 마스크를 식각으로 제거할 수 있고, 엠보싱(150)을 형성한 후에 기계적 가공으로 냉각홀(190)을 개통시킬 수 있다. 이후 알루미늄 몸체(100)의 하부면에 최초 도포된 마스크(180)를 제거하면 정전척의 제조가 완료된다.
이와 같은 본 발명의 실시예에 따른 정전척과 이 정전척 제조방법은 절연층을 형성하기 위하여 종래와 같이 용사 코팅을 수행하지 않고, 양극 산화, 즉 아노다이징으로 절연층을 형성한다. 따라서 대면적이면서 고성능의 정전척(10)의 제조가 가능하도록 한다.
더욱이 용사 코팅에 의한 절연층의 형성시 발생하는 절연층이 두께 불균일 문제와 용사 코팅으로 절연층을 형성한 후 실링공정을 위한 폴리머 확산과 같은 공정이 필요하지 않으므로 정전척의 제조효율 또한 매우 향상된다.
상기한 바와 같은, 본 발명의 실시예들에서 설명한 기술적 사상들은 각각 독립적으로 실시될 수 있으며, 서로 조합되어 실시될 수 있다. 또한, 본 발명은 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 실시예를 통하여 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서 본 발명의 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
100...알루미늄 몸체
110...제 1절연층
120...금속 전극층
130...알루미늄층
140...제 2절연층
150...엠보싱

Claims (12)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 알루미늄 몸체의 측면, 상측면 및 상기 알루미늄 몸체를 상하로 관통하는 복수개의 냉각홀 내측면에 양극 산화로 알루미나 재질의 제 1절연층을 형성하는 단계;
    상기 복수개의 냉각홀에 포토 마스크를 형성하고 상기 알루미늄 몸체의 상측면에 형성되는 상기 제 1절연층 상부에 금속 전극층을 형성한 뒤 상기 포토 마스크를 제거하는 단계;
    상기 복수개의 냉각홀에 포토 마스크를 형성하고 상기 금속 전극층 상부에 알루미늄층을 형성한 뒤 상기 포토 마스크를 제거하는 단계; 및
    상기 알루미늄층과 상기 알루미늄층의 상기 다수개의 냉각홀 내면에 양극 산화로 알루미나 재질의 2절연층을 형성하는 단계를 구비하는 정전척 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 알루미늄층에 형성되는 상기 제 2절연층 상에는 알루미나 재질의 엠보싱이 형성되는 정전척 제조방법.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 제 1절연층 형성 단계 이전에 상기 알루미늄 몸체에 니켈과 알루미늄이 혼합된 혼합층을 형성하는 단계를 포함하는 정전척 제조방법.
  11. 제 8항에 있어서, 상기 금속 전극층은 구리, 니켈, 텅스텐 중의 선택된 하나가 100 ~ 1000 마이크로미터의 두께로 형성되는 정전척 제조방법.
  12. 제 8항에 있어서, 상기 알루미늄층은 50 ~ 300 마이크로미터의 두께로 형성되는 정전척 제조방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0737971A (ja) * 1992-11-20 1995-02-07 Texas Instr Inc <Ti> ウエハチャック
US20050105243A1 (en) * 2003-11-17 2005-05-19 Samsung Electronics Co., Ltd Electrostatic chuck for supporting a substrate
US20060121195A1 (en) * 2003-02-24 2006-06-08 Ryujiro Udo Plasma processing apparatus and method for manufacturing electrostatic chuck
KR20110020269A (ko) * 2008-05-19 2011-03-02 엔테그리스, 아이엔씨. 정전 척

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0737971A (ja) * 1992-11-20 1995-02-07 Texas Instr Inc <Ti> ウエハチャック
US20060121195A1 (en) * 2003-02-24 2006-06-08 Ryujiro Udo Plasma processing apparatus and method for manufacturing electrostatic chuck
US20050105243A1 (en) * 2003-11-17 2005-05-19 Samsung Electronics Co., Ltd Electrostatic chuck for supporting a substrate
KR20110020269A (ko) * 2008-05-19 2011-03-02 엔테그리스, 아이엔씨. 정전 척

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