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KR101337599B1 - Light emitting diode - Google Patents

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KR101337599B1
KR101337599B1 KR1020120147334A KR20120147334A KR101337599B1 KR 101337599 B1 KR101337599 B1 KR 101337599B1 KR 1020120147334 A KR1020120147334 A KR 1020120147334A KR 20120147334 A KR20120147334 A KR 20120147334A KR 101337599 B1 KR101337599 B1 KR 101337599B1
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light emitting
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이재홍
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서울반도체 주식회사
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    • H10H20/80—Constructional details
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract

발광 다이오드가 개시된다. 상기 발광 다이오드는, 제1 리드 단자 및 상기 제1 리드 단자로부터 이격된 제2 리드 단자를 포함하는 리드 프레임; 상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자 사이의 공간에 위치하는 연결부; 상기 연결부와 연결되며, 상기 리드 프레임의 둘레 영역에 위치하는 격벽부; 상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자 중 적어도 어느 하나에 실장된 발광 칩; 및 상기 발광 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함하며, 상기 제1 및 제2 리드 단자 중 적어도 하나는 상부면에 형성된 제2 홈을 포함하고, 상기 격벽부의 적어도 일부는 상기 제2 홈 상에 배치된다. 이에 따라, 상기 발광 다이오드의 반사 효율 및 열 방출 효율이 개선될 수 있다.A light emitting diode is disclosed. The light emitting diode may include: a lead frame including a first lead terminal and a second lead terminal spaced apart from the first lead terminal; A connection part positioned in a space between the first lead terminal and the second lead terminal; A partition wall part connected to the connection part and positioned in a circumferential area of the lead frame; A light emitting chip mounted on at least one of the first lead terminal and the second lead terminal; And a molding part encapsulating the light emitting chip, wherein at least one of the first and second lead terminals includes a second groove formed on an upper surface thereof, and at least a portion of the partition wall part is disposed on the second groove. Accordingly, reflection efficiency and heat emission efficiency of the light emitting diode may be improved.

Description

발광 다이오드 {Light emitting diode}Light emitting diodes

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 홈이 형성된 리드 프레임을 포함하는 발광 다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode including a grooved lead frame.

종래 기술에 따른 발광 다이오드는 몸체와, 몸체 상에 배치된 리드 프레임과, 몸체 또는 리드 프레임 상에 실장되는 발광칩과, 발광칩 둘레에 형성된 리플렉터로 구성된다. 이와 같이 종래 기술에 따른 발광 다이오드의 발광칩에서 발생되는 열은 몸체 상에 배치된 리드 프레임을 통해서만 방출되기 때문에, 방열 효과가 떨어지는 문제점이 있다.The light emitting diode according to the prior art comprises a body, a lead frame disposed on the body, a light emitting chip mounted on the body or the lead frame, and a reflector formed around the light emitting chip. As such, the heat generated from the light emitting chip of the LED according to the prior art is only emitted through the lead frame disposed on the body, there is a problem that the heat radiation effect is inferior.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 광 반사효율과 그에 따른 열 방출 성능이 개선된 발광 다이오드를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to overcome the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a light emitting diode having improved light reflection efficiency and heat emission performance.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 제1 리드 단자 및 상기 제1 리드 단자로부터 이격된 제2 리드 단자를 포함하는 리드 프레임; 상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자 사이의 공간에 위치하는 연결부; 상기 연결부와 연결되며, 상기 리드 프레임의 둘레 영역에 위치하는 격벽부; 상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자 중 적어도 어느 하나에 실장된 발광 칩; 및 상기 발광 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함하며, 상기 제1 및 제2 리드 단자 중 적어도 하나는 상부면에 형성된 제2 홈을 포함하고, 상기 격벽부의 적어도 일부는 상기 제2 홈 상에 배치될 수 있다.A light emitting diode according to an embodiment of the present invention includes a lead frame including a first lead terminal and a second lead terminal spaced apart from the first lead terminal; A connection part positioned in a space between the first lead terminal and the second lead terminal; A partition wall part connected to the connection part and positioned in a circumferential area of the lead frame; A light emitting chip mounted on at least one of the first lead terminal and the second lead terminal; And a molding part encapsulating the light emitting chip, wherein at least one of the first and second lead terminals includes a second groove formed on an upper surface thereof, and at least part of the partition wall part may be disposed on the second groove. have.

상기 격벽부는 상기 발광 칩으로부터 출사되는 광을 반사시킬 수 있다.The partition wall part may reflect light emitted from the light emitting chip.

상기 연결부 및 상기 격벽부 중 적어도 어느 하나는 투명 수지를 포함할 수 있다.At least one of the connection part and the partition wall part may include a transparent resin.

상기 연결부 및 상기 격벽부 중 적어도 어느 하나는 불투명 수지를 포함할 수 있다.At least one of the connection portion and the partition portion may include an opaque resin.

나아가, 상기 불투명 수지는 타이타늄 옥사이드를 포함하여 흰색일 수 있다.Furthermore, the opaque resin may be white including titanium oxide.

상기 제1 및 제2 리드 단자 중 적어도 어느 하나는 그것의 둘레 영역에 형성된 관통홀을 포함할 수 있다.At least one of the first and second lead terminals may include a through hole formed in a peripheral area thereof.

또한, 상기 관통홀은 상기 제2 홈과 중첩되는 영역에 형성될 수 있다.In addition, the through hole may be formed in an area overlapping the second groove.

상기 연결부는 상기 제1 및 제2 리드 단자 중 적어도 하나의 상부면 일부를 덮을 수 있다.The connection part may cover a portion of an upper surface of at least one of the first and second lead terminals.

상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자는 상기 연결부와 접촉하는 일 측벽을 가지며, 상기 제1 및 제2 리드 단자 중 적어도 하나는 그것의 일 측벽에 형성된 제1 홈을 포함할 수 있다.The first lead terminal and the second lead terminal may have one sidewall contacting the connection portion, and at least one of the first and second lead terminals may include a first groove formed on one sidewall thereof.

나아가, 상기 제1 홈은 상기 일 측벽의 하단부에 위치할 수 있다.Further, the first groove may be located at the lower end of the one side wall.

또는, 상기 제2 홈과 상기 제1 홈은 평행한 방향으로 형성될 수 있다.Alternatively, the second groove and the first groove may be formed in a parallel direction.

본 발명에 따르면, 리드 프레임 전체를 발광 다이오드의 바디로 사용함으로써, 열 방출 성능을 개선할 수 있게 된다.According to the present invention, by using the entire lead frame as the body of the light emitting diode, it is possible to improve the heat dissipation performance.

또한, 리드 프레임 상에 홈 또는 관통홀을 형성함으로써, 리드 프레임과 리플렉터 간의 접착력을 개선할 수 있게 되어, 기계적 안정성을 향상할 수 있게 된다.In addition, by forming a groove or through-hole on the lead frame, it is possible to improve the adhesive force between the lead frame and the reflector, it is possible to improve the mechanical stability.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 다이오드를 Ⅰ-Ⅰ선에 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 발광 다이오드를 Ⅱ-Ⅱ선에 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 발광 다이오드의 리드 프레임의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략 사시도이다.
도 7 및 도 8은 도 6에 도시된 발광 다이오드를 Ⅲ-Ⅲ선 및 Ⅳ-Ⅳ선에 따라 절단한 단면도이다.
도 9는 도 6에 도시된 발광 다이오드의 리드 프레임의 평면도이다.1 is a schematic perspective view of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 1 taken along line II. FIG.
3 is a schematic perspective view of a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view taken along the line II-II of the light emitting diode shown in FIG. 3.
FIG. 5 is a plan view of a lead frame of the light emitting diode shown in FIG. 3.
6 is a schematic perspective view of a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention.
7 and 8 are cross-sectional views of the light emitting diode shown in FIG. 6 taken along lines III-III and IV-IV.
FIG. 9 is a plan view of a lead frame of the light emitting diode shown in FIG. 6.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 발광 다이오드를 Ⅰ-Ⅰ선에 따라 절단한 단면도이다.FIG. 1 is a schematic perspective view of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 1 taken along the line I-I.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 다이오드는 리드 프레임(100), 리플렉터(200), 발광칩(300), 와이어(400) 및 몰딩부(500)를 포함한다. 1 and 2, the light emitting diode includes a lead frame 100, a reflector 200, a light emitting chip 300, a wire 400, and a molding part 500.

리드 프레임(100)은 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120)를 포함하며, 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120)는 소정 간격 이격되어 배치된다. The lead frame 100 includes a first lead terminal 110 and a second lead terminal 120, and the first lead terminal 110 and the second lead terminal 120 are spaced apart from each other by a predetermined interval.

발광칩(300)은 리드 프레임(100) 상에 실장된다. 즉, 발광칩(300)은 리드 프레임(100)의 제1 리드 단자(110) 상에 실장되며, 와이어(400)를 통하여 제2 리드 단자(120)와 전기적으로 연결된다. The light emitting chip 300 is mounted on the lead frame 100. That is, the light emitting chip 300 is mounted on the first lead terminal 110 of the lead frame 100 and is electrically connected to the second lead terminal 120 through the wire 400.

본 실시예의 경우, 발광칩(300)은 제1 리드 단자(110) 상에 실장되고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 리드 단자(120) 상에 실장될 수도 있다.In the present embodiment, the light emitting chip 300 is mounted on the first lead terminal 110, but is not limited thereto and may be mounted on the second lead terminal 120.

발광칩(300)은 반도체 PN 접합 다이오드로서, P, N 반도체를 접합한 뒤, 전압을 가해주면, P형 반도체의 정공은 N형 반도체 쪽으로 가서 가운데층으로 모이며, 이와는 반대로 N형 반도체의 전자는 P형 반도체 쪽으로 가서 전도대(conduction band)의 가장 낮은 곳인 가운데층으로 모인다. 이 전자들은 가전대(valence band)의 정공으로 자연스럽게 떨어지며, 이 때 전도대와 가전대의 높이 차이 즉, 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지가 빛의 형태로 방출된다. 이외에도 여러 가지 발광 방식의 발광칩을 사용할 수 있다. 또한, 발광칩(300)은 다양한 파장을 갖는 광을 방출시킬 수 있으며, 이를 위하여, 예를 들면 질화물계 발광 다이오드에서 활성층으로 사용되는 인듐(In) 함유량을 조절하거나, 서로 다른 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드를 조합하거나, 또는 자외선 등과 같은 소정 파장대의 광을 방출하는 발광칩과 형광체를 결합하여 사용할 수도 있다. The light emitting chip 300 is a semiconductor PN junction diode. After the P and N semiconductors are bonded and voltage is applied, holes of the P-type semiconductor are directed toward the N-type semiconductor and gathered in the middle layer. Goes to the P-type semiconductor and gathers in the middle layer, the lowest point of the conduction band. These electrons fall naturally into the holes of the valence band. At this time, the electrons emit energy corresponding to the height difference between the conduction band and the electromotive band, that is, the energy gap, and this energy is emitted in the form of light. In addition, various light-emitting chips can be used. In addition, the light emitting chip 300 may emit light having various wavelengths. For this purpose, for example, the indium (In) content used as an active layer in a nitride-based light emitting diode may be adjusted, or light having different wavelengths may be used. A light emitting diode emitting light may be combined, or a light emitting chip emitting light of a predetermined wavelength such as ultraviolet light and a phosphor may be used in combination.

리플렉터(200)는 연결부(210)와 격벽부(220)를 포함하며, 리플렉터(200)의 연결부(210)는 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120)를 연결시키는 역할을 수행하며, 격벽부(220)는 발광칩(300)에서 출사되는 광을 소정 방향으로 반사시키는 역할을 수행한다. The reflector 200 includes a connection part 210 and a partition wall part 220, and the connection part 210 of the reflector 200 serves to connect the first lead terminal 110 and the second lead terminal 120. The barrier rib portion 220 serves to reflect light emitted from the light emitting chip 300 in a predetermined direction.

리플렉터(200)의 연결부(210)는 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120) 사이의 공간에 형성되어, 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120)를 상호 연결시킨다. 연결부(210)와 제1 및 제2 리드 단자(110, 120)간의 접착력을 보다 강화하기 위하여, 제1 리드 단자(110)의 일 측벽과 이러한 제1 리드 단자(110)의 일 측벽에 대향되는 제2 리드 단자(120)의 일 측벽 상에는 각각 제1 홈(130)이 형성된다. 이와 같이, 제1 홈(130)을 형성하면, 제1 및 제2 리드 단자(110, 120)와 연결부(210) 간의 접촉 면적이 증대되어, 접착력이 개선된다. The connecting portion 210 of the reflector 200 is formed in a space between the first lead terminal 110 and the second lead terminal 120 to interconnect the first lead terminal 110 and the second lead terminal 120. Let's do it. In order to further strengthen the adhesive force between the connecting portion 210 and the first and second lead terminals 110 and 120, one sidewall of the first lead terminal 110 and one sidewall of the first lead terminal 110 are opposed to each other. First grooves 130 are formed on one sidewall of the second lead terminal 120, respectively. As such, when the first grooves 130 are formed, the contact area between the first and second lead terminals 110 and 120 and the connecting portion 210 is increased, thereby improving the adhesive force.

한편, 본 실시예의 경우, 제1 홈(130)이 제1 리드 단자(110)의 일 측벽과 이러한 제1 리드 단자(110)의 일 측벽에 대향되는 제2 리드 단자(120)의 일 측벽 모두에 형성되는 것으로 상술하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 리드 단자(110)나 제2 리드 단자(120)중 어느 하나에만 형성될 수도 있다. 또한, 제1 홈이 제1 및 제2 리드 단자의 일 측벽 하단부에 형성되고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 홈의 위치 및 형태는 다양하게 변형될 수 있다.Meanwhile, in the present exemplary embodiment, both the first groove 130 has one sidewall of the first lead terminal 110 and one sidewall of the second lead terminal 120 facing one sidewall of the first lead terminal 110. Although described above, the present invention is not limited thereto and may be formed only in any one of the first lead terminal 110 and the second lead terminal 120. In addition, although the first groove is formed at the lower end of one sidewall of the first and second lead terminals, the present invention is not limited thereto, and the position and shape of the first groove may be variously modified.

연결부(210)는 제1 리드 단자(110)의 상부면 일부와 제2 리드 단자(120)의 상부면 일부에 형성될 수 있다. 즉, 연결부(210)는 제1 리드 단자(110)의 발광칩 실장 영역과 제2 리드 단자(120)의 와이어 본딩 영역을 제외한 나머지 영역 상에 형성될 수 있다. The connection part 210 may be formed on a portion of the upper surface of the first lead terminal 110 and a portion of the upper surface of the second lead terminal 120. That is, the connection part 210 may be formed on the remaining areas except for the light emitting chip mounting area of the first lead terminal 110 and the wire bonding area of the second lead terminal 120.

리플렉터(200)의 격벽부(220)는 연결부(210)와 연결되며, 리드 프레임(100)의 둘레 영역에 소정 높이로 형성된다. 이때, 격벽부(220)와 연결부(210)는 예를 들어, 트랜스퍼 몰딩 방식 등에 의해서 일체로 형성된다. 또한, 리플렉터(200)는 불투명 수지 또는 투명 수지로 이루어질 수 있다. 만약, 광 반사 효율을 증대시키고, 좁은 광 지향각을 원할 경우에는 리플렉터를 불투명 수지로 형성하며, 이와는 반대로 넓은 광 지향각을 원할 경우에는 리플렉터를 투명 수지로 형성할 수 있다. 이때, 불투명 수지는 타이타늄 옥사이드를 포함하여, 흰색 리플렉터를 구현할 수 있으나, 리플렉터의 재료가 이에 한정되는 것은 아니다.The partition wall part 220 of the reflector 200 is connected to the connection part 210 and is formed at a predetermined height in the circumferential region of the lead frame 100. In this case, the partition wall part 220 and the connection part 210 are integrally formed by, for example, a transfer molding method. In addition, the reflector 200 may be made of an opaque resin or a transparent resin. If the light reflection efficiency is increased and a narrow light directivity is desired, the reflector may be formed of an opaque resin. On the contrary, when a wide light directivity is desired, the reflector may be formed of a transparent resin. In this case, the opaque resin may include a titanium oxide to implement a white reflector, but the material of the reflector is not limited thereto.

몰딩부(500)는 리플렉터(200) 내에 형성되어, 발광칩(300)을 봉지하며, 이러한 몰딩부(500)로는 투명 수지 예를 들면, 액상 에폭시 수지나 실리콘 수지등과 같은 재료를 이용한다. 몰딩부(500) 내에는 발광칩(300)으로부터 방출된 광을 흡수하여 각각의 파장으로 광을 파장 전환시키는 형광체(미도시) 또는 광을 골고루 확산시키는 확산제(미도시)가 발광칩 상부에 위치하도록 혼합될 수도 있다.
The molding part 500 is formed in the reflector 200 to encapsulate the light emitting chip 300. The molding part 500 uses a material such as a transparent resin, for example, a liquid epoxy resin or a silicone resin. In the molding part 500, a phosphor (not shown) that absorbs the light emitted from the light emitting chip 300 and converts the light into wavelengths thereof, or a diffusion agent (not shown) that evenly spreads the light is disposed on the light emitting chip. It may be mixed to locate.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략 사시도이며, 도 4는 도 3에 도시된 발광 다이오드를 Ⅱ-Ⅱ선에 따라 절단한 단면도이고, 도 5는 도 3에 도시된 발광 다이오드의 리드 프레임의 평면도이다. 도 3 내지 도 5에 도시된 본 발명의 제2 실시예는 상기에서 살펴본 제1 실시예와 비교하여, 제2 홈이 추가적으로 형성된다는 점이 상이하며, 나머지 구성은 거의 유사한 바, 이하에서는 상이한 구성을 위주로 상술한다. 3 is a schematic perspective view of a light emitting diode according to a second exemplary embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 3 taken along the line II-II, and FIG. 5 is the light emitting shown in FIG. Top view of a lead frame of a diode. The second embodiment of the present invention shown in Figs. 3 to 5 is different from the first embodiment described above, in that a second groove is additionally formed, and the rest of the configuration is almost similar. The details will be mainly described.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 발광 다이오드는 리드 프레임(100), 리플렉터(200), 발광칩(300), 와이어(400) 및 몰딩부(500)를 포함한다. 3 to 5, the light emitting diode includes a lead frame 100, a reflector 200, a light emitting chip 300, a wire 400, and a molding part 500.

리드 프레임(100)은 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120)를 포함하며, 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120)는 소정 간격 이격되어 배치된다. The lead frame 100 includes a first lead terminal 110 and a second lead terminal 120, and the first lead terminal 110 and the second lead terminal 120 are spaced apart from each other by a predetermined interval.

제1 리드 단자(110)의 일 측벽과 이러한 제1 리드 단자(110)의 일 측벽에 대향되는 제2 리드 단자(120)의 일 측벽 상에는 각각 제1 홈(130)이 형성된다. First grooves 130 are formed on one sidewall of the first lead terminal 110 and one sidewall of the second lead terminal 120 facing the sidewall of the first lead terminal 110.

또한, 제1 리드 단자(110)의 일 면 즉, 상부면과 제2 리드 단자(120)의 일 면 즉, 상부면에는 각각 제2 홈(140)이 형성된다. 이때, 제2 홈(140)은 그 단면이 V자 형태로 형성되나, 제2 홈(140)의 단면의 형태는 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 제2 홈(140)은 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120)의 둘레 영역 중 일부에 형성된다 즉, 제2 홈(140)은 제1 홈(130)이 형성된 방향과 평행한 방향으로 제1 리드 단자(110)의 상부면 외측과 제2 리드 단자(120)의 상부면 외측에 형성된다. 그러나, 제2 홈(140)의 형태, 위치 및 개수는 이에 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변형될 수 있다.In addition, a second groove 140 is formed on one surface of the first lead terminal 110, that is, the upper surface and the one surface of the second lead terminal 120. In this case, the second groove 140 has a V-shaped cross section, but the shape of the cross section of the second groove 140 may be variously modified. In addition, the second groove 140 is formed in a portion of the circumferential region of the first lead terminal 110 and the second lead terminal 120, that is, the second groove 140 is the direction in which the first groove 130 is formed It is formed outside the upper surface of the first lead terminal 110 and the upper surface of the second lead terminal 120 in a direction parallel to the. However, the shape, position and number of the second grooves 140 are not limited thereto and may be variously modified.

리플렉터(200)는 연결부(210)와 격벽부(220)를 포함하며, 리플렉터(200)의 연결부(210)는 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120) 사이의 공간에 형성되어, 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120)를 상호 연결시킨다. 또한, 연결부(210)는 제1 리드 단자(110)의 상부면 일부와 제2 리드 단자(120)의 상부면 일부에 형성될 수 있다. 즉, 연결부(210)는 제1 리드 단자(110)의 발광칩 실장 영역과 제2 리드 단자(120)의 와이어 본딩 영역을 제외한 나머지 영역 상에 형성될 수 있다. The reflector 200 includes a connection part 210 and a partition wall part 220, and the connection part 210 of the reflector 200 is formed in a space between the first lead terminal 110 and the second lead terminal 120. The first lead terminal 110 and the second lead terminal 120 are connected to each other. In addition, the connection part 210 may be formed on a portion of the upper surface of the first lead terminal 110 and a portion of the upper surface of the second lead terminal 120. That is, the connection part 210 may be formed on the remaining areas except for the light emitting chip mounting area of the first lead terminal 110 and the wire bonding area of the second lead terminal 120.

리플렉터(200)의 격벽부(220)는 연결부(210)와 연결되며, 격벽부(220)는 리드 프레임(100)의 둘레 영역에 소정 높이로 형성된다. 이때, 격벽부(220)와 연결부(210)는 예를 들어, 트랜스퍼 몰딩 방식 등에 의해서 일체로 형성된다. 또한, 격벽부(220)의 일부는 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120)에 각각 형성된 제2 홈(140) 상에 배치된다. The partition wall part 220 of the reflector 200 is connected to the connection part 210, and the partition wall part 220 is formed at a predetermined height in the circumferential area of the lead frame 100. In this case, the partition wall part 220 and the connection part 210 are integrally formed by, for example, a transfer molding method. In addition, a portion of the partition wall part 220 is disposed on the second groove 140 formed in the first lead terminal 110 and the second lead terminal 120, respectively.

그 결과, 제1 및 제2 리드 단자(110, 120)의 일 측벽에 형성된 제1 홈(130)은 제1 및 제2 리드 단자(110, 120)와 연결부(210) 간의 접촉 면적을 증대시키며, 제1 및 제2 리드 단자(110, 120)의 상부면에 형성된 제2 홈(140)은 제1 및 제2 리드 단자(110, 120)와 격벽부(220) 간의 접촉 면적을 증대시켜, 결과적으로 리드 프레임(100)과 리플렉터(200)간의 접착력을 더욱 개선시킨다.
As a result, the first groove 130 formed on one sidewall of the first and second lead terminals 110 and 120 increases the contact area between the first and second lead terminals 110 and 120 and the connecting portion 210. The second groove 140 formed on the upper surfaces of the first and second lead terminals 110 and 120 increases the contact area between the first and second lead terminals 110 and 120 and the partition wall 220. As a result, the adhesion between the lead frame 100 and the reflector 200 is further improved.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략 사시도이며, 도 7 및 도 8은 도 6에 도시된 발광 다이오드를 Ⅲ-Ⅲ선 및 Ⅳ-Ⅳ선에 따라 절단한 단면도이고, 도 9는 도 6에 도시된 발광 다이오드의 리드 프레임의 평면도이다. 도 6 내지 도 9에 도시된 본 발명의 제3 실시예는 상기에서 살펴본 실시예들과 비교하여, 관통홀이 추가적으로 형성된다는 점이 상이하며, 나머지 구성은 거의 유사한 바, 이하에서는 상이한 구성을 위주로 상술한다. 6 is a schematic perspective view of a light emitting diode according to a third exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 7 and 8 are cross-sectional views taken along line III-III and IV-IV of the light emitting diode shown in FIG. 9 is a plan view of a lead frame of the light emitting diode shown in FIG. 6. 6 to 9 are different in that the through-holes are additionally formed in comparison with the above-described embodiments, and the rest of the configuration is almost similar. do.

도 6 내지 도 9를 참조하면, 리드 프레임(100)은 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120)를 포함하며, 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120)는 소정 간격 이격되어 배치된다. 6 to 9, the lead frame 100 includes a first lead terminal 110 and a second lead terminal 120, and the first lead terminal 110 and the second lead terminal 120 are connected to each other. It is arranged spaced apart by a predetermined interval.

제1 리드 단자(110)의 일 측벽과 이러한 제1 리드 단자(110)의 일 측벽에 대향되는 제2 리드 단자(120)의 일 측벽 상에는 각각 제1 홈(130)이 형성되며, 제1 리드 단자(110)의 일 면 즉, 상부면과 제2 리드 단자(120)의 일 면 즉, 상부면에는 각각 제2 홈(140)이 형성된다. First grooves 130 are formed on one sidewall of the first lead terminal 110 and one sidewall of the second lead terminal 120 facing the sidewall of the first lead terminal 110, respectively. Second grooves 140 are formed on one surface of the terminal 110, that is, the upper surface and the one surface of the second lead terminal 120, that is, the upper surface.

또한, 제1 리드 단자(110) 및 제2 리드 단자(120)의 둘레 영역에는 관통홀(150)이 형성된다. 즉, 관통홀(150)은 제1 리드 단자(110) 및 제2 리드 단자(120)에 형성된 제2 홈(140)과 중첩되는 영역에 형성된다. 한편, 관통홀(150)의 형성 위치가 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 홈(140) 이외의 영역 상에 형성될 수도 있다.In addition, a through hole 150 is formed in the peripheral region of the first lead terminal 110 and the second lead terminal 120. That is, the through hole 150 is formed in an area overlapping the second groove 140 formed in the first lead terminal 110 and the second lead terminal 120. Meanwhile, the formation position of the through hole 150 is not limited thereto, and may be formed on an area other than the second groove 140.

리플렉터(200)는 연결부(210)와 격벽부(220)를 포함하며, 리플렉터(200)의 연결부(210)는 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120) 사이의 공간에 형성되어, 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120)를 상호 연결시킨다. 또한, 연결부(210)는 제1 리드 단자(110)의 상부면 일부와 제2 리드 단자(120)의 상부면 일부에 형성될 수 있다. 즉, 연결부(210)는 제1 리드 단자(110)의 발광칩 실장 영역과 제2 리드 단자(120)의 와이어 본딩 영역을 제외한 나머지 영역 상에 형성될 수 있다. The reflector 200 includes a connection part 210 and a partition wall part 220, and the connection part 210 of the reflector 200 is formed in a space between the first lead terminal 110 and the second lead terminal 120. The first lead terminal 110 and the second lead terminal 120 are connected to each other. In addition, the connection part 210 may be formed on a portion of the upper surface of the first lead terminal 110 and a portion of the upper surface of the second lead terminal 120. That is, the connection part 210 may be formed on the remaining areas except for the light emitting chip mounting area of the first lead terminal 110 and the wire bonding area of the second lead terminal 120.

리플렉터(200)의 격벽부(220)는 연결부(210)와 연결되며, 격벽부(220)는 리드 프레임(100)의 둘레 영역에 소정 높이로 형성된다. 또한, 격벽부(220)의 일부는 제1 리드 단자(110)와 제2 리드 단자(120)에 각각 형성된 제2 홈(140) 및 관통홀(150) 상에 배치된다.The partition wall part 220 of the reflector 200 is connected to the connection part 210, and the partition wall part 220 is formed at a predetermined height in the circumferential area of the lead frame 100. In addition, a portion of the partition wall part 220 is disposed on the second groove 140 and the through hole 150 formed in the first lead terminal 110 and the second lead terminal 120, respectively.

그 결과, 제1 및 제2 리드 단자(110, 120)의 일 측벽에 형성된 제1 홈(130)은 제1 및 제2 리드 단자(110, 120)와 연결부(210) 간의 접촉 면적을 증대시키며, 제1 및 제2 리드 단자(110, 120)의 상부면에 형성된 제2 홈(140) 및 관통홀(150)은 제1 및 제2 리드 단자(110, 120)와 격벽부(220) 간의 접촉 면적을 증대시켜, 결과적으로 리드 프레임(100)과 리플렉터(200)간의 접착력을 더욱 개선시킨다.
As a result, the first groove 130 formed on one sidewall of the first and second lead terminals 110 and 120 increases the contact area between the first and second lead terminals 110 and 120 and the connecting portion 210. The second groove 140 and the through hole 150 formed on the upper surfaces of the first and second lead terminals 110 and 120 may be disposed between the first and second lead terminals 110 and 120 and the partition wall 220. The contact area is increased, and as a result, the adhesion between the lead frame 100 and the reflector 200 is further improved.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 예시적인 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is merely exemplary embodiments according to the present invention, and the present invention is not limited to the above-described embodiments, and as claimed in the following claims, the present invention may be made without departing from the gist of the present invention. Anyone with ordinary knowledge in the field will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

100: 리드 프레임 110: 제1 리드 단자
120: 제2 리드 단자 130: 제1 홈
140: 제2 홈 150: 관통홀
200: 리플렉터 210: 연결부
220: 격벽부 300: 발광칩
400: 와이어 500: 몰딩부100: lead frame 110: first lead terminal
120: second lead terminal 130: first groove
140: second groove 150: through hole
200: reflector 210: connection portion
220: partition portion 300: light emitting chip
400: wire 500: molding part

Claims (11)

제1 리드 단자 및 상기 제1 리드 단자로부터 이격된 제2 리드 단자를 포함하는 리드 프레임;
상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자 사이의 공간에 위치하는 연결부;
상기 연결부와 연결되며, 상기 리드 프레임의 둘레 영역에 위치하는 격벽부;
상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자 중 적어도 어느 하나에 실장된 발광 칩; 및
상기 발광 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함하며,
상기 제1 및 제2 리드 단자 중 적어도 하나는 상부면에 형성된 제2 홈을 포함하며, 상기 격벽부의 적어도 일부는 상기 제2 홈 상에 배치되고,
상기 제1 및 제2 리드 단자 중 적어도 어느 하나는 그것의 둘레 영역에 형성된 관통홀을 포함하는 발광 다이오드.A lead frame including a first lead terminal and a second lead terminal spaced apart from the first lead terminal;
A connection part positioned in a space between the first lead terminal and the second lead terminal;
A partition wall part connected to the connection part and positioned in a circumferential area of the lead frame;
A light emitting chip mounted on at least one of the first lead terminal and the second lead terminal; And
A molding part encapsulating the light emitting chip;
At least one of the first and second lead terminals includes a second groove formed on an upper surface, at least a portion of the partition wall is disposed on the second groove,
At least one of the first and second lead terminals includes a through hole formed in a peripheral region thereof. 청구항 1에 있어서,
상기 격벽부는 상기 발광 칩으로부터 출사되는 광을 반사시키는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The barrier rib portion reflects light emitted from the light emitting chip. 청구항 1에 있어서,
상기 연결부 및 상기 격벽부 중 적어도 어느 하나는 투명 수지를 포함하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
At least one of the connection portion and the partition portion includes a light emitting diode. 청구항 1에 있어서,
상기 연결부 및 상기 격벽부 중 적어도 어느 하나는 불투명 수지를 포함하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
At least one of the connection portion and the partition portion includes an opaque resin. 청구항 4에 있어서,
상기 불투명 수지는 타이타늄 옥사이드를 포함하여 흰색인 발광 다이오드.The method of claim 4,
The opaque resin is a light emitting diode including titanium oxide white. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 관통홀은 상기 제2 홈과 중첩되는 영역에 형성된 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The through hole is formed in the region overlapping the second groove. 청구항 1에 있어서,
상기 연결부는 상기 제1 및 제2 리드 단자 중 적어도 하나의 상부면 일부를 덮는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The connecting part covers a portion of an upper surface of at least one of the first and second lead terminals. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자는 상기 연결부와 접촉하는 일 측벽을 가지며, 상기 제1 및 제2 리드 단자 중 적어도 하나는 그것의 일 측벽에 형성된 제1 홈을 포함하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
And the first lead terminal and the second lead terminal have one sidewall in contact with the connection portion, and at least one of the first and second lead terminals includes a first groove formed in one sidewall thereof. 청구항 9에 있어서,
상기 제1 홈은 상기 일 측벽의 하단부에 위치하는 발광 다이오드.The method of claim 9,
The first groove is a light emitting diode located at the lower end of the one side wall. 청구항 9에 있어서,
상기 제2 홈과 상기 제1 홈은 평행한 방향으로 형성된 발광 다이오드.The method of claim 9,
The second groove and the first groove is a light emitting diode formed in a parallel direction.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100815227B1 (en) * 2006-10-20 2008-03-19 삼성전기주식회사 Surface Mount LED Devices

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100815227B1 (en) * 2006-10-20 2008-03-19 삼성전기주식회사 Surface Mount LED Devices

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10424704B2 (en) 2015-07-16 2019-09-24 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting device package
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