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KR101316478B1 - 멜라민 수지칩을 포함하는 인조대리석 및 그 제조 방법 - Google Patents

멜라민 수지칩을 포함하는 인조대리석 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR101316478B1
KR101316478B1 KR1020080023258A KR20080023258A KR101316478B1 KR 101316478 B1 KR101316478 B1 KR 101316478B1 KR 1020080023258 A KR1020080023258 A KR 1020080023258A KR 20080023258 A KR20080023258 A KR 20080023258A KR 101316478 B1 KR101316478 B1 KR 101316478B1
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artificial marble
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melamine resin
chips
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최상훈
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(주)엘지하우시스
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Abstract

본 발명은 베이스 수지 및 멜라민 수지칩을 포함하는 인조대리석 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 표면 강도가 우수한 멜라민 수지를 사용하여 제조되는 칩을 적용하여, 인조대리석에 뛰어난 내마모성을 부여함으로써, 장기간 안정적인 사용이 가능한 인조대리석을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 별도의 추가적인 공정 및/또는 설비가 없이, 기존 제조 설비 및 공정을 그대로 이용하여 상기와 같은 인조대리석을 제조할 수 있으므로, 탁월한 물성을 갖는 인조대리석을 저비용으로 제조할 수 있다는 이점이 있다.
인조대리석, 베이스 수지, 멜라민 수지칩, 아크릴 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 프레스 성형

Description

멜라민 수지칩을 포함하는 인조대리석 및 그 제조 방법{An artificial marble comprising melamine resin chips and a preparation method thereof}
본 발명은 베이스 수지 및 멜라민 수지칩을 포함하는 인조대리석 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래의 아크릴계 수지 등으로 제조되는 인조대리석은 수지 자체의 은은한 투명성 및 고급스러운 질감 등의 장점을 가져 싱크대, 세면대, 화장대 또는 은행이나 일반 매장의 접수대와 같은 각종 카운터의 상판 등 다양한 용도로 사용되고 있다. 일반적으로 인조대리석은 베이스 수지에 무기 충전제, 색깔 및 패턴을 구현하는 칩 및 각종의 첨가제를 혼합하고, 이를 경화시키는 단계를 거쳐서 제조된다.
이러한 인조대리석을 제조할 때 사용되는 칩의 종류는 매우 다양하지만, 주로 베이스 수지와 동일한 수지에 안료 등의 첨가제를 혼합하여 경화시킨 후 이를 분쇄하여 제조되는 수지 칩 또는 돌 가루나 석영과 같은 천연석으로 되는 칩 등이 사용되고 있다.
상기에서 수지 칩의 경우 베이스 수지와의 상용성이 우수하다는 장점이 있다. 그러나, 표면 강도가 떨어져 내스크래치성 등의 내마모성이 열악하기 때문에, 장기간 사용할 경우에는 대리석의 외부 패턴이나 질감이 쉽게 손상된다는 단점이 있다. 또한 돌 가루나 석영과 같은 강도가 높은 천연석의 칩을 사용할 경우에는, 수지 칩의 단점인 약한 내마모성은 어느 정도 개선되나, 천연석의 경도 특성으로 인해 표면 연마 등의 후가공이 필요하며, 절단 시에 석재 가공용 공구를 사용해야 하는 등 기존의 인조대리석의 제조설비를 활용할 수 없어 제조비용이 크게 증가한다는 단점이 있다.
그러므로 기존의 설비를 사용할 수 있어서 추가의 비용이 발생하지 않으면서도, 인조대리석의 표면 강도 등의 내마모성을 향상시킬 수 있는 기술의 개발이 요망되고 있다.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 고려하여 이루어진 것으로, 기존의 설비 및 공정을 그대로 적용할 수 있어, 추가적인 비용 상승 없이 제조가 가능하고, 내마모성 등의 물성이 현저히 탁월한 인조대리석 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는 상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 베이스 수지; 및 멜라민 수지칩을 포함하는 인조대리석을 제공한다.
상기 인조대리석에서 베이스 수지는 아크릴 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지 또는 멜라민 수지인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 인조대리석에 포함되는 멜라민 수지칩은 입자 직경이 0.5 mm 내지 7 mm인 것이 바람직하고, 상기 멜라민 수지칩은 베이스 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 30 중량부의 양으로 포함되는 것이 바람직하다.
상기 인조대리석은 또한 수지칩 또는 천연소재칩을 추가로 포함할 수 있으며, 이 때 수지칩은 아크릴 수지칩, 에폭시 수지칩 및 불포화 폴리에스테르 수지칩로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, 천연소재칩은 자개, 돌, 석분, 석영 및 거울 가루로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 다른 수단으로서, 멜라민 수지칩을 베이스 수지용 조성물에 첨가하는 제 1 단계; 및 멜라민 수지칩이 첨가된 베이스 수지용 조성물을 경화시키는 제 2 단계를 포함하는 인조대리석의 제조 방법을 제공한다.
상기 본 발명의 방법에서 멜라민 수지칩은, (1) 프레스 공법에 의해 멜라민 수지 평판을 제조하는 단계; 및 (2) 단계 (1)에서 제조된 수지 평판을 분쇄하는 단계를 포함하는 방법으로 제조될 수 있고, 이 때 단계 (1)의 프레스 공법은 180℃ 내지 220℃의 온도에서 40 Kg/cm2 내지 100 Kg/cm2의 압력으로 수행될 수 있다.
본 발명에서는 표면 강도가 우수한 멜라민 수지를 사용하여 제조되는 칩을 인조대리석에 적용함으로써, 뛰어난 내마모성을 가지고, 장기간 안정적인 사용이 가능한 인조대리석을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 별도의 추가적인 공정 및/또는 설비가 없이, 기존 인조대리석 제조 설비 및 공정을 그대로 이용하여 상기와 같은 인조대리석을 제조할 수 있으므로, 뛰어난 내마모성을 갖는 인조대리석을 저비용으로 제조할 수 있다는 이점이 있다.
본 발명은, 베이스 수지; 및
멜라민 수지칩을 포함하는 인조대리석에 관한 것이다.
이하, 본 발명의 인조대리석을 보다 상세히 설명한다.
본 발명에서 사용될 수 있는 베이스 수지의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않는다. 즉, 본 발명에서는 아크릴계 인조대리석, 폴리에스테르계 인조대리석, 에폭시계 인조대리석 및 E-스톤 계열의 인조대리석 등을 포함한, 이 분야에서 공지된 각종의 인조대리석의 제조를 위해 사용되는 베이스 수지를 제한 없이 사용할 수 있다. 상기에서 사용된 용어 『E-스톤』은 천연 석분, 석영, 유리, 거울 및 수산화 알루미늄 등을 주재료로 하고, 10 중량% 이하의 수지 성분을 포함하는 인조대리석을 의미한다.
본 발명에서 사용될 수 있는 상기와 같은 베이스 수지의 예로는 아크릴 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지 및 멜라민 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있다.
상기에서 아크릴 수지의 구체적인 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 벤질 (메타)아크릴레이트 및 글리시딜 (메타)아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 아크릴계 단량체를 포함하는 중합체를 사용할 수 있다.
또한, 상기 불포화 폴리에스테르의 종류 역시 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 α,β-불포화 이염기산 또는 상기 이염기산 및 포화 이염기산의 혼합물과 다 가 알코올의 축합 반응을 통해 제조되는 것으로서, 산가가 5 내지 40이고, 분자량이 1,000 내지 5,000인 폴리에스테르 수지를 사용할 수 있다. 이 때 상기 폴리에스테르 수지를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 상기 이염기산 등을 다가 알코올과 특정 비율(ex. 알콜성 수산기 몰수/카르복실기 몰수 = 0.8 내지 1,2)로 혼합한 후, 탄산가스 및/또는 질소가스 등의 불활성 가스 기류 하 140℃ 내지 250℃의 온도에서 상기 혼합물을 축합 반응시키면서 생성수를 제거하고 반응 진행 정도에 따라서 온도를 서서히 상승시키는 방법으로 제조할 수 있다.
상기에서 사용되는 α,β-불포화 이염기산 또는 포화 이염기산의 예로는 무수 말레산(maleic anhydride), 시트라콘산(citraconic acid), 푸마르산(fumaric acid), 이타콘산(itaconic acid), 프탈산(phthalic acid), 무수 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산(terephthalic acid), 호박산(succinic acid), 아디프산(aipic acid), 세바스산(sebacic acid) 및/또는 테트라히드로프탈산 등을 들 수 있고; 다가 알코올의 예로는 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 1,3-부틸렌 글리콜, 수소화 비스페놀 A, 트리메틸롤 프로판 모노아릴 에테르, 네오펜틸 글리콜, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 및/또는 글리세린 등을 들 수 있다. 상기 폴리에스테르 수지는 또한, 필요에 따라서는, 아크릴산, 프로피온산(propionic acid) 및/또는 안식향산(benzoic acid) 등의 일염기산; 또는 트리멜리트산(trimellitic acid) 및/또는 벤졸의 테트라카본산 등의 다염기산 등을 추가로 포함할 수 있다.
또한, 상기에서 사용될 수 있는 에폭시 수지의 종류 역시 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 이관능 또는 다관능성 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 상기 이관능 또는 다관능성 에폭시 수지의 예로는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 테트라페닐 에탄 에폭시 수지 및 페놀 노볼락형 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 선택 하나 이상의 것을 들 수 있다.
본 발명의 인조대리석은 상기와 같은 베이스 수지와 함께 멜라민 수지칩을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서 사용하는 용어 『멜라민 수지칩』은 멜라민 수지를 사용하여 제조되는 칩을 의미하며, 이 때 본 발명에서는 멜라민 및 포름알데히드의 축합 반응을 주반응으로 하여 제조되는 일반적인 멜라민 수지를 제한 없이 사용할 수 있다. 전술한 바와 같이, 인조대리석을 제조하는 기존 발명에서는 베이스 수지와 동일한 수지로 제조되는 수지칩을 주로 사용하였고, 이 경우 대리석의 내마모성이 떨어져 장기간 안정적인 사용이 곤란하거나, 제조 비용이 지나치게 상승하는 문제점이 있었다. 이에 본 발명에서는 아미노계 열경화성 수지로서, 표면 경도가 높고, 내열성, 내약품성 및 내수성 등의 내구성이 탁월한 멜라민 수지로 제조되는 칩을 사용하여 상기 문제점을 해결하였다. 이와 같은 멜라민 수지칩을 포함하는 인조대리석은 내마모성 등의 내구성이 탁월하여, 장기간 사용에도 표면 패턴 및 질감의 악화가 방지된다. 본 발명에서 사용될 수 있는 멜라민 수지의 구체적인 종류로는 에테르화된 멜라민 수지를 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 멜라민 수지칩은 또한 유색 재료를 추가로 포함할 수 있으며, 상 기 유색 재료의 종류로는 인조대리석 제조 분야에서 통상적인 염료 또는 안료를 들 수 있다. 이와 같은 유색 재료는 멜라민 수지칩의 내부에 함유되거나, 코팅 또는 증착 처리 등을 통해 상기 수지칩의 표면(외주부)의 일부 또는 전부에 형성된 상태로 존재할 수도 있다. 즉, 본 발명에서는 후술하는 멜라민 수지칩의 제조 과정에서 멜라민 수지에 염료 또는 안료와 같은 유색 재료를 포함시키거나, 또는 코팅이나 증착에 의해 처리함으로써, 각종 색상을 갖는 칩을 제조할 수 있고, 이에 따라 보다 우수한 외관 효과를 구현할 수 있게 된다.
상기와 같은 멜라민 수지칩은 0.5 mm 내지 7 mm의 입자 직경을 갖는 것이 바람직하다. 상기 직경이 0.5 mm 미만이면, 수지칩 첨가로 인한 외관 효과 및/또는 내구성 개선 효과가 저하될 우려가 있고, 7 mm를 초과하면, 인조대리석의 가공성 및 취급성이 저하되거나, 외관 효과에 악영향을 미칠 우려가 있다.
또한, 상기 멜라민 수지칩은 베이스 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 30 중량부의 양으로 인조대리석에 포함되는 것이 바람직하다. 상기 함량이 5 중량부보다 작으면, 목적하는 내마모성 및/또는 외관 효과가 얻어지지 않을 우려가 있고, 30 중량부를 초과하면, 강도가 지나치게 높아져서, 가공성 및 취급성이 떨어지거나, 대리석의 외관 효과를 해칠 우려가 있다.
본 발명의 인조대리석은 또한 상기 멜라민 수지칩에 추가로, 이 분야에서 공지된 일반적인 수지칩 및 천연소재칩의 일종 또는 이종 이상을 포함할 수 있다. 이 때 상기 수지칩의 예로는 아크릴 수지칩, 에폭시 수지칩 또는 (불포화) 폴리에스테르 수지칩 등을 들 수 있고, 천연소재칩의 예로는 자개, 돌, 석분, 석영 및 거 울 가루로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있다. 상기와 같은 수지칩 및/또는 천연소재칩의 함량은 특별히 한정되지 않으며, 목적하는 내마모성 향상 효과 및 외관을 해치지 않는 범위에서 적절히 첨가되면 된다. 또한, 상기 수지칩 및 천연소재칩 역시 내부에 유색 재료를 함유하거나, 외부의 전부 또는 일부가 유색재료로 처리(코팅 또는 증착)되어 있을 수 있음은 물론이다.
본 발명의 인조대리석은 또한 상기 베이스 수지 100 중량부에 대하여, 100 내지 200 중량부의 무기 충전제를 추가로 포함할 수 있다. 이 때 무기 충진제의 구체적인 예로는 탄산칼슘, 알루민산 칼슘, 실리카, 수산화 금속(ex. 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘) 및 알루미나로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 무기 충진제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 100 내지 200 중량부의 양으로 포함되는 것이 바람직하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서는 또한 분산성, 대리석 강도 및 침전 방지 등의 관점에서 상기 무기 충전제를 실란 커플링제 또는 티타네이트계 커플링제 등의 커플링제로 표면 처리하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 인조대리석은 또한 가교제를 추가로 포함할 수 있다. 이 때 사용될 수 있는 가교제의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 분자 내에 공중합 가능한 이중결합을 가져, 전술한 아크릴 수지 및/또는 폴리에스테르 수지와 같은 베이스 수지와 가교 결합이 가능하다면 어느 것이나 사용될 수 있다. 이와 같은 가교제의 예로는 다관능성 아크릴계 단량체, 보다 구체적으로는 에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트(EDMA), 디에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트(2EDMA), 트리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트(3EDMA), 테트라 에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트(4EDMA), 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트(TMPMA), 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 폴리부틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트 및 네오펜틸글리콜 디(메타) 아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있다. 본 발명에서는 상기 중 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트 (TMPMA) 및/또는 에틸렌클리콜 디(메타)아크릴레이트(EDMA) 등을 사용하는 것이 보다 바람직하지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 가교제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 0.2 내지 5 중량부의 양으로 사용하는 것이 바람직하다. 상기 함량이 0.2 중량부보다 작으면, 인조대리석 표면에 요철이 발생하거나, 상부와 하부에 기포가 발생하고, 원료들의 결합력, 내열성 및/또는 내열변색성 등의 물성이 저하될 우려가 있다. 또한, 상기 함량이 5 중량부를 초과하면, 칩들의 상분리가 일어나게 되어서 인조대리석 패턴이 저하될 우려가 있다.
본 발명의 인조대리석은 또한 경화제를 추가로 포함할 수 있으며, 이는 제조 공정에서 수지 조성물의 중합 및 경화 반응을 촉진시키는 역할을 한다. 이와 같은 경화제의 종류로는 유기 과산화물을 들 수 있고, 구체적으로는 벤조일 퍼옥사이드 및 디쿠밀 퍼옥사이드 등의 디아실 퍼옥사이드; 부틸히드로 퍼옥사이드 및 쿠밀 히드로 퍼옥사이드 등의 히드로 퍼옥사이드; t-부틸퍼옥시 말레인산; t-부틸 히드로퍼옥사이드; t-부틸히드로퍼옥시 부틸레이트; 아세틸 퍼옥사이드; 라우로일 퍼옥사이드; 아조비스 이소부티로니트릴; 아조비스 디메틸발레로 니트릴; t-부틸퍼옥시 네오데카노에이트; 및 t-아밀퍼옥시-2-에틸 헥사노에이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있다. 본 발명에서는 상기 중 t-부틸히드로퍼옥시 부틸레이트 및/또는 벤조일 퍼옥사이드 등을 사용하는 것이 바람직하고, 경우에 따라서는 아민의 퍼옥사이드 및 술폰산의 혼합물; 또는 퍼옥사이드 및 코발트 화합물의 혼합물을 사용하여 중합 및 경화가 실온에서 수행되도록 할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기와 같은 경화제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 0.2 내지 3 중량부의 양으로 사용하는 것이 바람직하다. 상기 함량이 0.2 중량부보다 작으면, 제조 공정 시에 경화속도가 느려지거나, 충분한 경화가 일어나지 않을 우려가 있고, 3 중량부를 초과하면, 경화속도가 오히려 지연되거나, 부분적인 미경화가 발생할 우려가 있다.
본 발명의 인조대리석에는 상기 외에도 발명의 효과에 영향을 미치지 않는 범위에서 소포제; 유기 또는 무기 안료나 염료; 자외선 흡수제; 인계 또는 무기 금속계 난연제; 스테아린산계 또는 실리콘계 이형제; 카테콜계 또는 하이드로퀴논류의 중합억제제; 및 페놀계, 아민계, 퀴논계, 유황계 또는 인계 산화 방지제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 첨가제가 적절히 첨가될 수 있다.
본 발명은 또한, 멜라민 수지칩을 베이스 수지용 조성물에 첨가하는 제 1 단계; 및
멜라민 수지칩이 첨가된 베이스 수지용 조성물을 경화시키는 제 2 단계를 포함하는 인조대리석의 제조 방법에 관한 것이다.
상기 본 발명의 제 1 단계에서 사용되는 멜라민 수지칩을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 이 분야의 일반적인 방법으로 제조할 수 있으며, 예를 들면,
(1) 프레스 공법에 의해 멜라민 수지 평판을 제조하는 단계; 및 (2) 단계 (1)에서 제조된 수지 평판을 분쇄하는 단계를 포함하는 방법으로 제조될 수 있다.
상기에서 멜라민 수지 평판을 제조할 때에 사용되는 원료는 전술한 멜라민 수지이며, 이 단계에서 상기 수지 내에 유색 재료를 적절히 포함시킬 수도 있다.
상기와 같은 멜라민 수지를 사용한 프레스 성형의 조건은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 180℃ 내지 220℃의 온도에서 40 kg/cm2 내지 100 kg/cm2의 성형 압력으로 수행할 수 있다. 이 때 프레스 성형 시간 역시 조성물의 충분한 경화가 일어날 수 있을 정도로 수행된다면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 2분 내지 4분 동안 수행할 수 있다.
상기 단계 (2)에서는 제조된 멜라민 수지 평판을 분쇄하여 수지칩을 제조한다. 이 때 분쇄 수단으로는 볼밀, 로드밀 또는 롤러밀 등을 들 수 있다. 본 발명에서는 또한 상기 단계 (2)의 분쇄 전의 수지 평판 또는 분쇄 후의 칩의 표면의 일부 또는 전부를 유색 재료로 처리(ex. 코팅 또는 증착)하는 단계를 추가로 수행할 수도 있다.
본 발명의 제 1 단계에서는 상기와 같이 제조된 멜라민 수지칩을 베이스 수 지용 조성물에 첨가한다. 이 때 베이스 수지용 조성물의 구체적인 종류는 전술한 바와 같으며, 구체적으로는 전술한 각 수지를 이루는 단량체 및 고분자량체(ex. 올리고머 또는 중합체)를 포함하는 수지 시럽을 사용할 수 있다. 또한, 상기와 같은 베이스 수지용 조성물에는 전술한 무기 충전제, 가교제, 경화제, 소포제, 안료, 염료, 자외선 흡수제, 난연제, 이형제, 중합억제제 및 산화 방지제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 첨가제가 함유되어 있을 수 있다.
본 발명의 제 1 단계에서는 또한 상기와 같은 베이스 수지용 조성물에 아크릴계 및/또는 폴리에스테르계 수지칩 및 천연소재칩이 일종 또는 이종 이상을 첨가하는 공정을 추가로 수행할 수도 있다.
본 발명의 제 2 단계에서는 상기 제 1 단계에서 제조된 조성물을 경화시키는 단계이다. 이 때 상기 조성물을 경화시키는 방법으로는 이 분야에서 일반적으로 채용되고 있는 방법을 사용할 수 있으며, 이는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 발명에서는 칩이 첨가된 조성물을 이송 벨트에서 이송시키면서 서서히 경화시키는 방법 또는 인조대리석용 주형에 넣은 후 열풍 건조 등으로 경화시키는 방법 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 인조대리석의 제조공정에서는 상기 제 2 단계 후에 경화된 조성물을 재단 및 샌딩(연마)하는 후처리 공정을 적절히 수행할 수 있다.

Claims (14)

  1. 베이스 수지; 및
    멜라민 수지칩을 포함하며
    상기 멜라민 수지칩은 유색 재료를 함유하고, 상기 베이스 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 30 중량부의 양으로 포함되는 인조대리석.
  2. 제 1 항에 있어서,
    베이스 수지가 아크릴 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지 또는 멜라민 수지인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    멜라민 수지칩의 입자 직경이 0.5 mm 내지 7 mm인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    수지칩 또는 천연소재칩을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  7. 제 6 항에 있어서,
    수지칩은 아크릴 수지칩, 에폭시 수지칩 및 불포화 폴리에스테르 수지칩으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  8. 제 6 항에 있어서,
    천연소재칩은 자개, 돌, 석분, 석영 및 거울 가루로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  9. 제 1 항에 있어서,
    무기 충전제, 가교제, 경화제, 소포제, 안료, 염료, 자외선 흡수제, 난연제, 이형제, 중합 억제제 및 산화 방지제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  10. 멜라민 수지칩을 베이스 수지용 조성물에 첨가하는 제 1 단계; 및
    멜라민 수지칩이 첨가된 베이스 수지용 조성물을 경화시키는 제 2 단계를 포함하는 제 1 항에 따른 인조대리석의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    멜라민 수지칩은, (1) 프레스 공법에 의해 멜라민 수지 평판을 제조하는 단계; 및 (2) 단계 (1)에서 제조된 수지 평판을 분쇄하는 단계를 포함하는 방법으로 제조되는 것으로 특징으로 하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    단계 (1)의 프레스 공법을 180℃ 내지 220℃의 온도에서 40 Kg/cm2 내지 100 Kg/cm2의 압력으로 수행하는 것을 특징으로 하는 인조대리석의 제조 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    제 1 단계에서 수지칩 및 천연소재칩으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 베이스 수지용 조성물에 첨가하는 공정을 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    제 2 단계에서 경화된 조성물을 재단 및 샌딩하는 공정을 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
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