KR101306525B1 - 태양전지 모듈 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시예는 태양전지 모듈 및 이의 제조방법을 제공한다. 실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판 상에 배치되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하는 다수개의 태양전지 셀들을 포함하고, 상기 다수개의 태양전지 셀들은 각각 상기 지지기판에 대하여 경사지게 형성되는 관통홀에 의해 분리된다.
Description
실시예는 태양전지 모듈 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 p-n 접합 다이오드에 빛을 쪼이면 전자가 생성 되는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 소자로 정의할 수 있다. 태양전지는 접합 다이오드로 사용되는 물질에 따라, 실리콘 태양전지, I-III-VI족 또는 III-V족 화합물로 대표되는 화합물 반도체 태양전지, 염료감응 태양전지, 유기물 태양전지로 나눌 수 있다.
I-III-VI족 Chalcopyrite계 화합물 반도체 중 하나인 CIGS(CuInGaSe) 태양전지는 광 흡수가 뛰어나고, 얇은 두께로도 높은 광전 변환효율을 얻을 수 있으며, 전기 광학적 안정성이 매우 우수하여 기존 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 태양전지로 부각되고 있다.
도 1을 참조하면, 일반적인 CIGS 박막 태양전지는 나트륨을 포함하는 기판(10), 후면 전극층(20), 광 흡수층(30), 버퍼층(40), 고저항 버퍼층(50) 및 전면 전극층(60)을 순차적으로 형성시켜 제조된다. 또한, CIGS 박막 태양전지는 Bulk 태양전지와는 다르게 패터닝 공정(P1 내지 P3)에 의해 직렬 또는 병렬로 연결된 다수개의 태양전지 단위 셀들로 구성된다.
실시예는 경사지게 형성된 관통홀을 포함하는 태양전지 모듈 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
제 1 실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판 상에 배치되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하는 다수개의 태양전지 셀들을 포함하고, 상기 다수개의 태양전지 셀들은 각각 상기 지지기판에 대하여 경사지게 형성되는 관통홀에 의해 분리된다.
제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 제 1 후면 전극, 제 1 광 흡수부 및 제 1 전면 전극을 포함하는 제 1 태양전지 셀; 및 상기 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 제 2 후면 전극, 제 2 광 흡수부 및 제 2 전면 전극을 포함하는 제 2 태양전지 셀을 포함하고, 상기 제 1 태양전지 셀 및 상기 제 2 태양전지 셀은 상기 지지기판에 대하여 경사지게 형성되는 관통홀에 의해 분리된다.
실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법은 지지기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층을 관통하여 상기 후면 전극층의 일부를 노출시키고, 상기 지지기판에 대하여 경사진 관통홀을 형성하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판에 대하여 경사진 관통홀을 포함한다. 상기 관통홀은 태양전지 셀들을 전기적으로 연결하는 통로의 기능을 할 뿐만 아니라, 태양전지 셀들을 분리하는 기능을 할 수 있다.
이에 따라, 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법은 태양전지 셀들을 분리하기 위한 별도의 패터닝 공정 없이도 태양전지 모듈을 제조할 수 있는 바, 공정이 단순화 될 수 있다. 따라서, 공정 시간이 단축될 뿐말 아니라 공정 비용이 절감될 수 있다.
도 1은 종래 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법을 도시한 단면도들이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법을 도시한 단면도들이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도이다. 도 2를 참조하면, 제 1 실시예에 따른 태양전지 모듈은 다수개의 태양전지 셀들(C1, C2)을 포함한다. 또한, 상기 태양전지 셀들은 각각 지지기판(100), 후면 전극층(200), 광 흡수층(300) 및 전면 전극층(400)을 포함한다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면 전극층(200), 광 흡수층(300) 및 전면 전극층(400)을 지지한다. 상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 후면 전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면 전극층(200)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 가운데, 몰리브덴(Mo)은 다른 원소에 비해 상기 지지기판(100)과 열팽창 계수의 차이가 적기 때문에 접착성이 우수하여 박리현상이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 상술한 후면 전극층(200)에 요구되는 특성을 전반적으로 충족시킬 수 있다.
또한, 상기 후면 전극층(200)은 제 1 분리 패턴(P1)을 포함한다. 상기 제 1 분리 패턴(P1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 1 분리 패턴(P1)은 레이저에 의해 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 후면 전극층(200)은 상기 제 1 분리 패턴(P1)에 의하여 다수개의 후면 전극들로 구분될 수 있다. 상기 제 1 분리 패턴(P1)의 폭은 약 50 ㎛ 내지 약 100 ㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 후면 전극층(200) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(300)은 I-III-VI족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 광 흡수층(300)은 관통홀(TH)에 의하여 다수개의 광 흡수부들로 구분될 수 있다.
상기 전면 전극층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 형성된다. 상기 전면 전극층(400)은 n 형 반도체의 특성을 가질 수 있다. 즉, 상기 전면 전극층(400)은 n 형 반도체층을 형성하여, p 형 반도체층인 광 흡수층(300)과 pn 접합을 형성할 수 있다. 상기 전면 전극층(400)은, 예를 들어, 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)로 형성될 수 있다. 또한, 상기 전면 전극층(400)은 관통홀(TH)에 의하여 다수개의 전면 전극들로 구분될 수 있다.
한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 광 흡수층(300)과 상기 전면 전극층 사이에는 버퍼층(미도시) 및 고저항 버퍼층(미도시) 등이 추가로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 황화 카드뮴, ZnS, InXSY 및 InXSeYZn(O,OH) 등을 포함하고, 상기 고저항 버퍼층은 은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 언급한 층들(200, 300, 400)을 포함하는 태양전지 셀들(C1, C2)은 관통홀(TH)에 의해 분리된다. 즉, 상기 관통홀(TH)은 다수개의 태양전지 셀들(C1, C2)을 구분할 수 있다. 종래 태양전지 셀들은 도 1에서와 같이 P2 패턴을 형성하여 태양전지 셀들(C1, C2)을 서로 연결하고, P3 패턴을 형성하여 태양전지 셀들(C1, C2)을 서로 분리하였으나, 실시예는 경사진 관통홀(TH)을 형성함으로써 태양전지 셀들(C1, C2)의 연결과 분리를 동시에 구현하고자 한다.
이하에서는, 도 3을 참조하여 상기 관통홀(TH) 및 상기 태양전지 셀들(C1, C2)에 대하여 보다 상세히 서술하도록 한다.
도 3을 참조하면, 제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈은 제 1 태양전지 셀(C1) 및 제 2 태양전지 셀(C2)을 포함한다. 상기 제 1 태양전지 셀(C1)은 지지기판(100) 상에 순차적으로 배치되는 제 1 후면 전극(210), 제 1 광 흡수부(310) 및 제 1 전면 전극(410)을 포함한다. 또한, 상기 제 2 태양전지 셀(C2)은 상기 지지기판(100) 상에 순차적으로 배치되는 제 2 후면 전극(220), 제 2 광 흡수부(320) 및 제 2 전면 전극(420)을 포함한다. 또한, 상기 제 1 태양전지 셀(C1) 및 상기 제 2 태양전지 셀(C2)은 관통홀(TH)에 의해 분리된다.
상기 관통홀(TH)은 제 1 내측면(301) 및 상기 제 1 내측면(301)과 대향되는 제 2 내측면(302)을 포함한다. 상기 제 1 내측면(301)은 상기 제 1 태양전지 셀(C1)과 접촉된다. 또한, 상기 제 2 내측면(302)은 상기 제 2 태양전지 셀(C2)과 접촉된다.
도 3을 참조하면, 상기 제 1 전면 전극(410)은 상기 관통홀(TH)의 제 1 내측면(TH)을 따라서 하방으로 연장되고, 상기 제 1 전면 전극(410)은 상기 제 2 태양전지 셀(C2)의 제 2 후면 전극(220)과 접촉된다. 이에 따라, 상기 제 1 태양전지 셀(C1)과 상기 제 2 태양전지 셀(C2)은 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 제 1 내측면(TH)을 따라서 하방으로 연장되는 제 1 전면 전극(410)은 상기 제 2 전면 전극(420)과는 접촉되지 않는다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 제 2 내측면(302)에는 상기 제 1 전면 전극(410)이 형성되지 않을 수 있다. 이는 상기 광 흡수층들(310, 320) 상에 상기 전면 전극들(410, 420)이 형성되는 공정에서, 관통홀(TH)의 경사진 제 2 내측면(L2)의 새도우 효과(shadow effect)에 의하여, 상기 제 2 내측면(L2)의 하측이 가려지기 때문이다. 이에 따라, 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법은 태양전지 셀들을 분리하기 위한 P3 패터닝 공정 없이도 태양전지 셀들(C1, C2)을 분리할 수 있는 바, 공정이 단순화 될 수 있다. 따라서, 공정 시간이 단축될 뿐말 아니라 공정 비용이 절감될 수 있다.
상기 관통홀(TH)의 경사각은 상기 태양전지 셀들(C1, C2)을 연결 및 분리하기 위하여 적의 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)과 상기 지지기판(100)의 경사 각도(θ1, θ2)는 약 45° 내지 약 60°일 수 있다.
상기 관통홀(TH)과 상기 지지기판(100)의 경사가 약 45°이하이면 새도우 효과(shadow effect)가 충분하지 않아 전면 전극(410, 420) 간에 쇼트(short)가 발생할 수 있다. 또한, 상기 관통홀(TH)과 상기 지지기판(100)의 경사가 약 60°보다 크면, 상기 관통홀(TH)의 제 2 내측면(302)의 일단이 얇아져 부러질 위험이 있다.
더 자세하게, 상기 관통홀(TH)의 상기 제 1 내측면(301)과 상기 지지기판(100)과의 각도 및 상기 제 2 내측면과(302)과 상기 지지기판(100)과의 각도는 각각 약 45° 내지 약 60° 일 수 있다. 또한, 상기 제 1 내측면(301)과 상기 지지기판(100)과의 각도 및 상기 제 2 내측면과(302)과 상기 지지기판(100)과의 각도는 서로 같거나 다를 수 있다.
또한, 상기 관통홀(TH)이 상기 태양전지 셀들(C1, C2)을 용이하게 분리하기 위하여, 상기 관통홀(TH)의 내측면들(301, 302)의 길이(L1, L2)는 상기 전면 전극들(410, 420)의 두께와 상관하여 조절되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 제 1 내측면(301)의 길이(L1) 및 상기 제 2 내측면(302)의 길이(L2)는 각각 상기 전면 전극들(410, 420) 두께(W1)의 3배 이상일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 전면 전극층의 두께(W1)가 약 0.7 ㎛ 내지 약 1.0 ㎛ 인 경우, 상기 내측면들(301, 302)의 길이(L1, L2)는 약 2.1 ㎛ 내지 약 3.0 ㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이에 따라, 상기 관통홀(TH)은 충분화 새도우 효과(shadow effect)를 가질 수 있으며, 제 1 전면 전극(410)과 상기 제 2 전면 전극(420)은 서로 분리되어 전기적으로 절연될 수 있다.
도 4 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법을 도시한 단면도들이다. 본 제조방법에 대한 설명은 상기 언급한 태양전지 모듈에 대한 설명과 본질적으로 결합될 수 있다.
도 4를 참조하면, 지지기판(100) 상에 후면 전극층(200)이 형성된다. 상기 후면 전극층(200)은 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금의 방법으로 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 후면 전극층(200) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다. 상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다. 이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 광 흡수층(300)을 관통하여 상기 후면 전극층(200)의 일부를 노출시키고, 상기 지지기판(100)에 대하여 경사진 관통홀(TH)을 형성한다.
상기 관통홀(TH)은 기계적 공정 또는 레이저 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)은 스크라이빙 팁 등을 이용하여 기계적으로 상기 광 흡수층(300)을 긁어 내어 형성될 수 있다. 상기 스크라이빙 팁은 상기 지지기판(100)에 대하여 경사지는 방향으로 도입될 수 있고, 이에 따라, 상기 스크라이빙 팁에 의해서 상기 광 흡수층(300)은 경사지는 방향으로 압력이 가해지고, 패터닝 될 수 있다. 이 때, 상기 관통홀(TH)에 의하여 노출되는 후면 전극층(200)의 일부에 스크래치가 발생하지 않도록, 니들 포스(needle force)를 조절하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 관통홀(TH)은 레이저에 의해서 패터닝될 수 있다. 이때, 상기 레이저는 상기 지지기판(100)에 대하여 경사지는 방향으로, 상기 광 흡수층(300)에 조사될 수 있다. 이 때, 상기 관통홀(TH)에 의하여 노출되는 후면 전극층(200)의 일부에 스크래치가 발생하지 않도록, 레이저 파워를 조절하는 것이 바람직하다.
도 7을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 전면 전극층(400)이 형성된다. 상기 전면 전극층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 투명한 도전물질이 적층됨으로써 제조될 수 있다. 상기 투명한 도전물질로는, 예를 들어, 징크 옥사이드(zinc oxide), 인듐 틴 옥사이드(induim tin oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(induim zinc oxide;IZO) 등을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 전면 전극층(400)은 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped zinc oxide; AZO)로 제조될 수 있다.
더 자세하게, 상기 전면 전극층(400)은 스퍼터링 또는 화학기상증착법(chemical vapor deposition)에 의하여 제조될 수 있다. 더 자세하게, 상기 스퍼터링에 의하여 전면 전극층(400)을 형성하기 위하여, RF 스퍼터링방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과 Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링 등이 사용될 수 있다.
상기 전면 전극층(400)은 상기 광 흡수층(300)의 상방 방향으로부터 전면 전극형성 물질을 증착함으로써 형성될 수 있다. 이 때, 상기 관통홀(TH)은 상기 지지기판(100)에 대하여 경사지게 형성되는 바, 상기 관통홀(TH)의 경사진 제 2 내측면(302)의 하측에는 새도우 효과에 의하여 전면 전극형성 물질이 증착되지 않는다. 따라서, 상기 전면 전극층(400)을 구성하는 제 1 전면 전극(410)과 제 2 전면 전극(420)은 서로 분리될 수 있다.
이 때, 도 7a에서와 같이 마스크를 사용하지 않는 경우, 상기 전면 전극층(400)은 상기 관통홀(TH)의 제 2 내측면(302)의 일부를 덮어 형성될 수 있다. 한편, 이 경우에도 상기 제 2 내측면(302)의 하측에는 새도우 효과(shadow effect)에 의하여 전면 전극 형성 물질이 증착 되지 않는다. 이에 따라, 상기 태양전지 셀들(C1, C2)을 용이하게 전기적으로 분리시킬 수 있다.
이와 달리, 도 7b에서와 같이 마스크(M)를 사용하여 상기 전면 전극층(400)을 상기 광 흡수층(300) 상에 증착할 수 있다. 이 때, 상기 마스크(M)는 상기 관통홀(TH) 상에 대응하여 형성하는 것이 바람직하다. 상기 마스크(M)에 의하여, 새도우 효과는 보다 향상될 수 있으며, 상기 태양전지 셀들(C1, C2)을 용이하게 전기적으로 분리시킬 수 있다.
상기 언급한 방법에 의하여 제조되는 태양전지 모듈은 경사진 관통홀(TH)에 의하여 태양전지 셀들(C1, C2)을 연결시킬 뿐만 아니라, 분리시킬 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법은 태양전지 셀들(C1, C2)을 분리하기 위한 P3 패터닝 공정 없이도 태양전지 모듈을 제조할 수 있는 바, 공정이 단순화 될 수 있다. 따라서, 공정 시간이 단축될 뿐만 아니라 공정 비용이 절감될 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (15)
- 지지기판 상에 배치되는 후면 전극층;
상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하는 다수개의 태양전지 셀들을 포함하고,
상기 다수개의 태양전지 셀들은 각각 상기 지지기판에 대하여 경사지게 형성되는 관통홀에 의해 분리되고,
상기 광 흡수층은 경사면을 포함하는 한 층으로 구성되고, I-III-VI족 계 화합물을 포함하는 태양전지 모듈.
- 제 1 항에 있어서,
상기 관통홀은 상기 광 흡수층을 관통하고, 상기 후면 전극층의 일부를 노출시키는 태양전지 모듈.
- 제 1 항에 있어서,
상기 관통홀과 상기 지지기판의 각도는 45° 내지 60° 인 태양전지 모듈.
- 제 1 항에 있어서,
상기 관통홀의 내측면의 길이는 상기 전면 전극층 두께의 3 배 이상인 태양전지 모듈.
- 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 제 1 후면 전극, 제 1 광 흡수부 및 제 1 전면 전극을 포함하는 제 1 태양전지 셀; 및
상기 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 제 2 후면 전극, 제 2 광 흡수부 및 제 2 전면 전극을 포함하는 제 2 태양전지 셀을 포함하고,
상기 제 1 태양전지 셀 및 상기 제 2 태양전지 셀은 상기 지지기판에 대하여 경사지게 형성되는 관통홀에 의해 분리되고,
상기 제 1 광 흡수부 및 상기 제 2 광 흡수부는 경사면을 포함하는 한 층으로 구성되고, I-III-VI족 계 화합물을 포함하는 태양전지 모듈.
- 제 5 항에 있어서,
상기 관통홀은 상기 제 1 태양전지 셀과 접촉되는 제 1 내측면; 및
상기 제 1 내측면과 대향되며, 상기 제 2 태양전지 셀과 접촉되는 제 2 내측면을 포함하는 태양전지 모듈.
- 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 전면 전극은 상기 제 1 내측면을 따라 하방으로 연장되고, 상기 제 2 후면 전극과 전기적으로 연결되는 태양전지 모듈.
- 제 7 항에 있어서,
상기 제 2 내측면의 하측에는 상기 제 1 전면 전극이 형성되지 않는 태양전지 모듈.
- 제 6 항에 있어서,
상기 제 2 전면 전극은 상기 관통홀의 제 2 내측면의 일부를 덮어 형성되는 태양전지 모듈.
- 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 내측면 및 상기 지지기판과의 각도 및 상기 제 2 내측면과 상기 지지기판과의 각도는 각각 45° 내지 60° 인 태양전지 모듈.
- 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 내측면의 길이 및 상기 제 2 내측면의 길이는 각각 상기 전면 전극층의 두께의 3배 이상인 태양전지 모듈.
- 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 전면 전극과 상기 제 2 전면 전극은 전기적으로 분리되는 태양전지 모듈.
- 지지기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계;
상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층을 관통하여 상기 후면 전극층의 일부를 노출시키고, 상기 지지기판에 대하여 경사진 관통홀을 형성하는 단계; 및
상기 광 흡수층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 광 흡수층은 경사면을 포함하는 한 층으로 구성되고, I-III-VI족 계 화합물을 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,
상기 관통홀을 형성하는 단계에서,
상기 지지기판에 대하여 경사지는 방향으로 상기 광 흡수층에 레이저가 조사되는 태양전지 모듈의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,
상기 전면 전극층을 형성하는 단계는,
상기 관통홀 상에 마스크를 형성한 후 전면 전극층 형성 물질을 증착하는 태양전지 모듈의 제조방법.
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