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KR101305682B1 - 태양광 발전 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

태양광 발전 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR101305682B1
KR101305682B1 KR1020120022934A KR20120022934A KR101305682B1 KR 101305682 B1 KR101305682 B1 KR 101305682B1 KR 1020120022934 A KR1020120022934 A KR 1020120022934A KR 20120022934 A KR20120022934 A KR 20120022934A KR 101305682 B1 KR101305682 B1 KR 101305682B1
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KR
South Korea
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polymer resin
solar cell
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layer
forming
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Inventor
이호민
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엘지이노텍 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H—ELECTRICITY
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    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
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    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

실시예에 따른 태양광 발전 장치는, 지지 기판 상에 순차적으로 배치되는 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 포함하는 태양전지; 상기 태양전지 상에 배치되며, 복수 개의 압착 자국(compressive mark)을 포함하는 고분자 수지층; 및 상기 고분자 수지층 상에 배치되는 보호 패널을 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전 장치 제조 방법은, 지지 기판 상에 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 순차적으로 형성하여 태양전지를 형성하는 단계; 상기 태양 전지 상에 복수 개의 관통홀을 포함하는 고분자 수지층을 형성하는 단계; 및상기 고분자 수지층 상에 보호 패널을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

태양광 발전 장치 및 이의 제조 방법{SOLAR CELL APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양광 발전 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
태양전지는 p-n 접합 다이오드에 빛을 쪼이면 전자가 생성되는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 소자로 정의할 수 있다. 태양전지는 접합 다이오드로 사용되는 물질에 따라, 실리콘 태양전지, Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ족 또는 Ⅲ-Ⅳ족 화합물로 대표되는 화합물 반도체 태양전지, 염료감응 태양전지, 유기물 태양전지로 나눌 수 있다.
태양전지의 최소단위를 셀이라고 하며, 보통 태양전지 셀 1개로부터 나오는 전압은 약 0.5V 내지 약 0.6V로 매우 작다. 따라서, 여러 개의 태양전지 셀을 기판 상에 직렬로 연결하여 수 V에서 수백 V 이상의 전압을 얻도록 패널 형태로 제작한 것을 모듈이라고 하며, 여러 개의 모듈을 프레임 등에 설치한 것을 태양광 발전 장치라고 한다.
일반적으로, 태양광 발전장치는 유리/충진재(ethylene vinyl acetate, EVA)/태양전지/충진재(EVA)/표면재(백시트)의 형태로 구성된다. 일반적으로 유리는 저철분 강화유리를 사용하는데 광 투과도가 높을 것, 표면 광반사 손실을 낮추기 위한 처리가 되어 있을 것 등이 요구된다.
충진재는 깨지기 쉬운 태양전지를 보호하기 위해 태양전지의 전후면과 표면재 사이에 삽입하는 물질이다. 일반적으로, 충진재는 EVA와 같은 열가소성 고분자 또는 열경화성 고분자를 사용한다. 이와 같은 충진재는 태양전지 상에 고분자를 도포하고 열과 압력을 동시에 진행함으로써 제조되는데, 가열 과정에서 기포가 발생하고, 초기 투자 비용이 많이 필요하며, 불량 발생시 재작업이 곤란하다는 문제점이 있다.
실시예는 관통홀을 포함하는 고분자 접착층을 사용하는 태양광 발전 장치 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양광 발전 장치는, 지지 기판 상에 순차적으로 배치되는 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 포함하는 태양전지; 상기 태양전지 상에 배치되며, 복수 개의 압착 자국(compressive mark)을 포함하는 고분자 수지층; 및 상기 고분자 수지층 상에 배치되는 보호 패널을 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전 장치 제조 방법은, 지지 기판 상에 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 순차적으로 형성하여 태양전지를 형성하는 단계; 상기 태양 전지 상에 복수 개의 관통홀을 포함하는 고분자 수지층을 형성하는 단계; 및상기 고분자 수지층 상에 보호 패널을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전 장치는 상기 고분자 수지층에 상기 고분자 수지층을 관통하는 관통홀을 포함하고, 실시예에 따른 태양광 발전 장치 제조 방법은 상기 태양 전지 상에 복수 개의 관통홀을 포함하는 고분자 수지층을 형성하는 단계를 포함한다.
이에따라, 상기 라미네이션 공정 중 발생할 수 있는 기포를 상기 고분자 수지층의 외부로 배출시킬 수 있다. 또한, 상기 고분자 수지층에 형성된 상기 관통홀은 상기 기포 등을 배출과 함께, 상기 고분자 수지층에 가해지는 압력에 의해 압칙되므로, 상기 관통홀의 구멍을 메울 수 있다. 즉, 상기 라미네이션 공정 후 실시예에 따른 고분자 수지층은 상기 관통홀이 모두 메워지고, 상기 고분자 수지층에는 상기 관통홀에 의한 압착 자국이 남을 수 있다.
이에 따라, 실시예에 따른 태양광 발전 장치는, 상기 고분자 수지층을 상기 태양전지 상에 압착하는 공정 중에 발생할 수 있는 기포를 상기 관통홀(31)을 통해 외부로 배출할 수 있다.
또한, 압착 공정 후에는 상기 관통홀은 서로 압착되어 상기 관통홀이 완전히 메어진 압착 자국으로 형성되므로, 최종적인 제품의 효율에도 영향을 주지 않는다.
따라서, 압착 공정 중 발생할 수 있는 기포에 의한 불량률을 감소시킬 수 있으므로, 공정 비용의 절감 및 공정 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1 및 도 2는 실시예에 따른 태양광 발전 장치의 단면을 도시한 단면도이다.
도 3 및 도 4는 실시예에 따른 고분자 수지층의 단면을 도시한 단면도이다.
도 5 내지 도 9는 실시예에 따른 태양전지 발전 장치의 제조 방법을 설명하는 단면도들이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막,또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1 및 도 2는 실시예에 따른 태양광 발전 장치의 단면을 도시한 단면도이다. 도 1을 참조하면, 실시예에 따른 태양광 발전 장치는 지지 기판(10), 태양전지(20), 고분자 접착층(30), 보호 패널(40) 및 프레임(50)을 포함한다.
상기 지지 기판(10)은 상기 태양전지(20), 상기 고분자 수지층(30), 상기 보호 패널(40)을 지지한다.
상기 지지 기판(10)은 리지드(rigid) 패널 또는 플렉서블(flexible) 패널일 수 있다. 또한, 상기 지지 기판(10)은 절연체일 수 있다. 예를 들어, 상기 지지 기판(10)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 지지 기판(10)의 재질로 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인리스 스틸, 유연성이 있는 고분자 등이 사용될 수 있다.
상기 태양전지(20)는 상기 지지 기판(10) 상에 형성된다. 상기 태양전지(20)는 다수 개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)을 포함하며, 상기 다수 개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)은 서로 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 상기 태양전지(20)는 태양광을 전기 에너지로 변환시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 다수 개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)은 서로 직렬로 연결될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 다수 개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)은 일 방향으로 서로 나란히 연장되는 형상을 포함할 수 있다.
상기 태양전지(20)는 각각 CIGS계 태양전지 등과 같은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ족계 반도체 화합물을 포함하는 태양전지, 실리콘계 태양전지 도는 염료 감응 태양전지 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
더 자세하게, 상기 태양전지(20)는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ족계 반도체 화합물을 포함하는 태양전지일 수 있다. 도 2를 참조하면, 상기 태양전지(20)는 상기 지지 기판(10) 상에 배치되는 후면 전극층(200), 상기 후면 전극층(200) 상에 배치되는 광 흡수층(300), 상기 광 흡수층(300) 상에 배치되는 버퍼층(400), 상기 버퍼층(400) 상에 배치되는 고저항 버퍼층(500), 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치되는 전면 전극 층(600) 등을 포함할 수 있다.
상기 고분자 수지층(30)은 상기 태양전지(20) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 고분자 수지층(30)은 상기 태양전지(20)와 보호 패널(40) 사이에 배치된다. 예를 들어, 상기 고분자 수지층(30)은 상기 태양전지(20)의 상면 및/또는 측면에 직접 접촉하여 배치될 수 있다. 상기 고분자 수지층(30)은 상기 태양전지(20)와 상기 보호 패널(40) 간의 접착력을 향상시킬 뿐만 아니라, 외부의 충격으로부터 상기 태양전지(20)를 보호할 수 있다.
상기 고분자 수지층(30)은 투명하며 플렉서블(flexible) 할 수 있다. 예를 들어, 상기 고분자 수지층(30)은 투명한 아크릴 계열, 멜라민, 폴리스티렌, 에폭시, 폴리비닐부티랄(PVB), 또는 에틸렌비닐아세테이트(EVA)를 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 고분자 수지층(30)은 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 필름으로 이루어 질 수 있다.
이하, 도 3 및 도 4를 참조하여, 실시예에 따른 고분자 수지층(30)을 상세하게 설명한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 상기 고분자 수지층(30)은 상기 고분자 수지층(30)을 관통하는 관통홀(31)을 포함할 수 있다. 상기 고분자 수지층(30)은 일정한 간격으로 이격하는 다수 개의 상기 관통홀(31)을 포함할 수 있다. 상기 관통홀(31)은 상기 고분자 수지층(30)이 상기 태양전지(20) 상에 배치되기 전에 형성될 수 있다.
일반적으로, 상기 고분자 수지층은 라미네이션 공정에 의하여 제조될 수 있다. 일례로, 상기 고분자 수지층은 상기 태양전지 상에 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 필름과 강화유리를 적층하고, 이를 약 100℃ 내지 약 200℃에서 약 1시간 내지 약 2시간 동안 라미네이션 함으로써 제조될 수 있다.
이러한 라미네이션 공정은 열과 압력을 동시에 상기 고분자 수지층과 상기 태양전지를 압착하게 되는데, 이때, 압착 과정에서 공기 방울 등과 같은 기포가 발생할 수 있어 불량품이 제조될 수 있는 문제점이 있었다.
그러나, 실시예에 따른 고분자 수지층(30)은 상기 고분자 수지층(30)을 관통하는 관통홀(31)을 포함하여, 상기 라미네이션 공정 중 발생할 수 있는 기포를 상기 고분자 수지층(30)의 외부로 배출시킬 수 있다. 또한, 상기 고분자 수지층(30)에 형성된 상기 관통홀(31)은 상기 기포 등을 배출과 함께, 상기 고분자 수지층(30)에 가해지는 압력에 의해 압칙되므로, 상기 관통홀(31)의 구멍을 메울 수 있다. 즉, 상기 라미네이션 공정 후 실시예에 따른 고분자 수지층(30)은 상기 관통홀(31)이 모두 메워지고, 상기 고분자 수지층(30)에는 상기 관통홀(31)에 의한 압착자국(32)이 남을 수 있다.
이에 따라, 실시예에 따른 태양광 발전 장치는, 상기 고분자 수지층(30)을 상기 태양전지(20) 상에 압착하는 공정 중에 발생할 수 있는 기포를 상기 관통홀(31)을 통해 외부로 배출할 수 있다. 또한, 압착 공정 후에는 상기 관통홀(31)은 서로 압착되어 상기 관통홀(31)이 완전히 메어진 압착 자국(32)으로 형성되므로, 최종적인 제품의 효율에도 영향을 주지 않는다.
따라서, 압착 공정 중 발생할 수 있는 기포에 의한 불량률을 감소시킬 수 있으므로, 공정 비용의 절감 및 공정 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
상기 보호 패널(40)은 상기 고분자 수지층(30) 상에 배치된다. 상기 보호 패널(40)은 외부의 물리적인 충격 및/또는 이물질로부터 상기 태양전지(20)를 보호한다. 상기 보호 패널(40)은 투명하며, 예를 들어, 강화 유리 등을 포함할 수 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저(low) 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다.
상기 프레임(50)은 상기 태양전지(20)를 둘러 감싼다. 더 자세하게, 상기 프레임(50)은 상기 태양전지(20)의 측면을 둘러 감싼다. 예를 들어, 도 1을 참조하면, 상기 지지 기판(10), 상기 태양전지(20), 상기 고분자 수지층(30) 및 상기 보호 패널(40) 각각의 측면은 동일한 절단면을 가질 수 있으며, 상기 프레임(50)은 상기 동일 절단면을 둘러 감싸게 형성될 수 있다.
한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 프레임(50)과 상기 태양전지(20) 사이에는 실링 부재가 추가로 형성될 수 있다. 상기 실링 부재는 높은 접착력과 내구성을 가질 수 있다.
상기 프레임(50) 및 상기 실링 부재는 상기 태양전지 패널(20) 내부로 이물질이 침투하는 것을 방지한다. 더 자세하게, 상기 프레임(50) 및 상기 실링 부재는 상기 태양전지 패널(20)의 측면을 통하여, 외부의 습기 또는 먼지와 같은 이물질이 유입되는 것을 방지한다.
이하, 도 6 내지 도 10을 참조하여, 실시예에 따른 태양광 발전 장치 제조 방법을 상세하게 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위하여 앞서 설명한 태양광 발전 장치와 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
도 6 내지 도 10을 참조하면, 실시예에 따른 태양광 발전 장치의 제조 방법이 순차적으로 도시되어 있다.
실시예에 따른 태양광 발전 장치 제조 방법은, 지지 기판 상에 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 순차적으로 형성하여 태양전지를 형성하는 단계; 상기 태양 전지 상에 복수 개의 관통홀을 포함하는 고분자 수지층을 형성하는 단계; 및상기 고분자 수지층 상에 보호 패널을 형성하는 단계를 포함한다.
도 6 내지 도 10을 참조하면, 지지기판(10) 상에 태양전지(20)를 형성한다. 먼저, 상기 지지기판(10) 상에 후면 전극층(200)을 형성한다. 상기 후면 전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면 전극층(200)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 후면 전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 후면 전극을 형성하고, 상기 후면 전극을 분리하는 제 1 패턴(P1)을 형성함으로써 제조될 수 있다. 상기 제 1 패턴(P1)은 포토리소그라피(photo-lithography) 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 전극층(200)은 상기 제 1 패턴(P1)에 의해서 서로 이격된다. 즉, 상기 후면 전극층(200)은 상기 제 1 패턴(P1)에 의하여 다수개의 후면전극들로 구분된다.
도 7을 참조하면, 상기 후면 전극층(200) 상에는 상기 광 흡수층(300), 상기버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)이 순차적으로 형성된다.
상기 광 흡수층(300)는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광흡수층(300)는 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)(Se,S)2; CIGSS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수있다. 더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서, 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하여, 상기 후면전극층(200) 상에 CIG계 금속 프리커서 막이 형성된다. 이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레니제이션 공정에 의해서, 셀레늄과 반응하여 CIGS계 광 흡수층(300)이 형성된다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 황화 카드뮴이 화학 용액 증착법(chemical bath deposition; CBD)에 의해서 증착되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다. 이어서, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)에는 제 2 패턴(P2)이 형성된다.
도 8을 참조하면, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 투명한 도전물질을 적층하여 전면 전극층(600)을 형성한다. 상기 전면 전극층(600)은 상기 광 흡수층(300) 상에 전면 전극을 형성하고, 상기 전면 전극을 분리하는 제 3 패턴(P3)을 형성함으로써 제조될 수 있다.
상기 제 3 패턴(P3)은 기계적인(mechnical) 방법으로 형성할 수 있으며, 상기 후면 전극층(300)의 일부가 노출된다. 예를 들어, 상기 제 3 패턴들(P3)의 폭은약 80 ㎛ 내지 약 200 ㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 9를 참조하면, 상기와 같은 방법에 의하여 제조되는 태양전지(20) 상에 고분자 수지층(30)을 형성한다. 상기 고분자 수지층을 형성하는 단계는, 상기 고분자 수지층에 관통홀을 형성하는 단계; 및 상기 태양전지 상에 상기 관통홀이 형성된 고분자 수지층을 적층하는 단계를 포함한다.
상기 고분자 수지층에 관통홀을 형성하는 단계에서는, 상기 고분자 수지층(30)에 일정한 간격으로 다수 개의 관통홀(31)을 형성할 수 있다.
상기 관통홀(31)은 상기 고분자 수지층(30)의 상면에 대하여 경사지도록 형성될 수 있다. 바람직하게는, 상기 관통홀(31)은 상기 고분자 수지층(30)의 상면에 대하여 5°내지 85°의 각도 범위로 경사지도록 형성될 수 있다. 상기 각도 범위 미만이거나, 이를 초과하는 경우에는, 상기 압착 공정 후에도, 상기 관통홀(30)이 완전히 메꾸어지지 않아, 상기 고분자 수지층(30) 상에 홀이 있게 되므로, 또 다른 문제점이 발생할 수 있다.
또한, 상기 관통홀(31)의 직경은 0.05㎜ 내지 2㎜ 내지 일 수 있다. 상기 관통홀(31)의 직경이, 상기 직경 범위 미만이거나, 이를 초과하는 경우에는, 상기 압착 공정 중 상기 관통홀(31)을 통한 기포의 원활한 배출을 저해할 수 있고, 압착 공정 중 상기 관통홀(31)이 완전히 메워지지 않을 수 있다.
또한, 상기 관통홀(31)의 간격은 1㎜ 내지 20㎜ 일 수 있다. 자세하게, 상기 고분자 수지층의 장축은 약 1200㎜ 이고, 단축은 600㎜일 때, 상기 장축 기준으로 상기 관통홀(31)의 간격은 5㎜ 내지 20㎜ 일 수 있고, 상기 단축 기준으로 상기 관통홀(31)의 간격은 1㎜ 내지 10㎜ 일 수 있다. 상기 관통홀의 간격이 상기 간격 범위 미만이거나, 이를 초과하는 경우에는, 상기 압착 공정 중 상기 관통홀(31)을 통한 기포의 원활한 배출을 저해할 수 있다.
이어서, 상기 고분자 수지층 상에 보호 패널을 형성하는 단계에서는, 상기 고분자 수지층(30)을 상기 태양전지(20) 상에 압착 후 상기 고분자 수지층(30) 상에 상기 보호 패널(40)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 태양전지를 둘러 감싸는 프레임(50)도 형성될 수 있다.
더 자세하게, 상기 프레임(50)은 상기 태양전지(20)의 측면을 둘러 감싼다. 예를 들어, 도 10을 참조하면, 상기 지지기판(10), 상기 태양전지(20), 상기 고분자 접착층(30) 및 상기 보호 패널(40) 각각의 측면은 동일 절단면을 가질 수 있으며, 상기 프레임(50)은 상기 동일 절단면을 둘러 감싸게 형성될 수 있다.
앞서 설명한 것과 같이 실시예에 따른 태양광 발전 장치 제조 방법은, 상기 고분자 수지층(30)을 상기 태양전지(20) 상에 압착하는 공정 중에 발생할 수 있는 기포를 상기 관통홀(31)을 통해 외부로 배출할 수 있다. 또한, 압착 공정 후에는 상기 관통홀(31)은 서로 압착되어 상기 관통홀(31)이 완전히 메어진 압착 자국(32)으로 형성되므로, 최종적인 제품의 효율에도 영향을 주지 않는다.
이에 따라, 압착 공정 중 발생할 수 있는 기포에 의한 불량률을 감소시킬 수 있으므로, 공정 비용의 절감 및 공정 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (9)

  1. 지지 기판 상에 순차적으로 배치되는 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 포함하는 태양전지;
    상기 태양전지 상에 배치되며, 복수 개의 압착 자국(compressive mark)을 포함하는 고분자 수지층; 및
    상기 고분자 수지층 상에 배치되는 보호 패널을 포함하고,
    상기 압착자국은 상기 고분자 수지층의 상면에 대하여 5°내지 85°의 각도로 경사지는 태양광 발전 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 압착 자국은 상기 고분자 수지층에 포함된 복수 개의 관통홀이 압착되어 형성되는 태양광 발전 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 지지 기판, 상기 태양전지, 상기 고분자 수지층 및 상기 보호 패널 각각의 측면은 동일 절단면을 형성하며,
    상기 동일 절단면을 둘러싸는 프레임을 더 포함하는 태양광 발전 장치.
  4. 지지 기판 상에 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 순차적으로 형성하여 태양전지를 형성하는 단계;
    상기 태양 전지 상에 복수 개의 관통홀을 포함하는 고분자 수지층을 형성하는 단계; 및
    상기 고분자 수지층 상에 보호 패널을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 관통홀은 상기 고분자 수지층의 상면에 대하여 5°내지 85°의 각도로 경사지는 태양광 발전 장치의 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 고분자 수지층을 형성하는 단계는,
    상기 고분자 수지층에 관통홀을 형성하는 단계; 및
    상기 태양전지 상에 상기 관통홀이 형성된 고분자 수지층을 적층하는 단계를 포함하는 태양광 발전 장치의 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 관통홀의 간격은,
    상기 고분자 수지층의 장축을 기준으로 5㎜ 내지 20㎜ 이고,
    상기 고분자 수지층의 단축을 기준으로 1㎜ 내지 10㎜ 인 태양광 발전 장치의 제조 방법.
  9. 제 4항에 있어서,
    상기 관통홀의 직경은 0.05㎜ 내지 2㎜ 인 태양광 발전 장치의 제조 방법.
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