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KR101267306B1 - 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물 및 이로부터 성형된광학 부품 - Google Patents

경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물 및 이로부터 성형된광학 부품 Download PDF

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KR101267306B1
KR101267306B1 KR1020087002244A KR20087002244A KR101267306B1 KR 101267306 B1 KR101267306 B1 KR 101267306B1 KR 1020087002244 A KR1020087002244 A KR 1020087002244A KR 20087002244 A KR20087002244 A KR 20087002244A KR 101267306 B1 KR101267306 B1 KR 101267306B1
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KR
South Korea
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group
component
organopolysiloxane resin
resin composition
curable organopolysiloxane
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고지 나카니시
마코토 요시타케
다카시 사가와
가스미 다케우치
마사시 무라카미
Original Assignee
다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드
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Abstract

본 발명은 25℃에서의 점도가 0.001 내지 5,000Paㆍs이고, JIS K 2501 (1992)로 측정한 총 산가가 0.0001 내지 0.2㎎/g이고, 경화된 상태에서의 투광도가 80% 이상인, 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물 및 상기 언급된 조성물의 경화체로 이루어진 광학 부품에 관한 것이다. 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물은 우수한 투명도, 고온에 노출시 투과도의 낮은 감소 및, 필요한 때, 훌륭한 접착력으로 특징지어진다.
경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물, 투광도, 광학 부품

Description

경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물 및 이로부터 성형된 광학 부품{Curable organopolysiloxane resin composition and optical part molded therefrom}
본 발명은 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물 및 상기 언급된 조성물의 경화체로부터 제조된 광학 부품에 관한 것이다.
경화성 실리콘 수지 조성물은 내열성 및 내한성, 전기 절연 특성, 내후 특성, 방수성, 투명도 등과 같은 이의 훌륭한 특성에 대해 공지되어 있다. 이러한 특성들로 인해, 상기 조성물은 다양한 산업에서 널리 이용되고 있다. 경화성 실리콘 수지 조성물은 이의 색상 변화 및 물성의 열화에 대한 저항성과 관련하여 다른 유기 수지 재료에 비해 우수하므로, 상기 조성물은 광학 부품용 재료로서 사용될 수 있는 것으로 예상된다. 예를 들면, 일본 공개특허공보 제H11-1619호에는 알케닐 및 페닐 그룹, 오가노하이드로겐폴리실록산 및 첨가 반응 촉매를 포함하는 오가노폴리실록산 수지의 첨가 반응 경화성 실리콘 수지 조성물이 기재되어 있고, 일본 공개특허공보 제2004-186168호(미국 공개특허공보 제2004116640A1호에 상응)에는 알케닐-함유 실리콘 수지, 오가노하이드로겐폴리실록산 및 첨가 반응 촉매로 이루어진 발광 다이오드(LED)용의 광학 실리콘 수지 조성물이 기재되어 있다.
최근까지도, 상기 언급된 실리콘 수지 조성물로부터 제조된 광학 부품은 내열성 및 내광성이 훌륭한 재료인 것으로 사료된다. 최근 광학 부품의 소형화 경향 및 광원의 주파수의 증가와 관련하여, 상기 언급된 조성물은 투광도를 감소시키는 착색으로 인해 이들 조성물로부터 제조된 광학 부품의 신뢰도 감소와 관련하여 문제점을 갖는다.
본 발명자들이 본원에서 페닐 그룹을 포함하는 매우 투명한 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 착색 공급원의 발견에 대해 수행한 심오한 연구를 기본으로 하여, 본 발명자들은 염소, 아세트산 또는 출발 물질 제조의 상이한 단계에서 불순물로서 존재하는 기타 산성 물질의 효과를 이해하고 상기 언급된 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 산가를 낮은 수준으로 유지시킴으로써 상기 문제점을 해결하였다.
본 발명의 목적은 가열에도 불구하고 내황변성인 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물을 제공하는 것이다. 또 다른 목적은 상기 언급된 조성물의 경화체로부터 제조된 광학 부품을 제공하는 것이다.
본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물은 25℃에서의 점도가 0.001 내지 5,000Paㆍs이고, JIS K 2501 (1992)로 측정한 총 산가가 0.0001 내지 0.2㎎/g이고, 경화된 상태에서의 투광도가 80% 이상인 것으로 특징지어진다.
본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 조성물은
(A) 적어도 알케닐 그룹 및 페닐 그룹을 포함하는 화학식 1의 오가노폴리실록산 수지 100중량부,
(B) 하나의 분자에 2개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 화학식 2의 오가노하이드로겐폴리실록산 10 내지 100중량부 및
(C) 촉매량의 하이드로실릴화 반응 촉매를 포함한다.
R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
HcR3 dSi0(4-c-d)/2
위의 화학식 1 및 화학식 2에서
R1은 탄소수 2 내지 10의 알케닐 그룹이고,
R2는 임의로 치환된 탄소수 1 내지 10의 1가 탄화수소 그룹(알케닐 그룹 제외)이고, R2의 20몰% 이상은 페닐 그룹을 포함하고,
R3은 임의로 치환된 탄소수 1 내지 10의 1가 탄화수소 그룹(알케닐 그룹 제외)이고,
첨자 "a"는 0.05 내지 0.5의 수이고,
첨자 "b"는 0.80 내지 1.80의 수이고,
첨자 "c"는 0.35 내지 1.0의 수이고,
첨자 "d"는 0.90 내지 2.0의 수이다.
경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 성분(B)는 (B1) 하나의 분자에 2개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 오가노하이드로겐폴리실록산 또는 상기 언급된 성분(B1)과 (B2) 하나의 분자에 3개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 오가노하이드로겐폴리실록산과의 혼합물을 포함할 수 있다.
추가로, 상기 언급된 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물은 (D) 적어도 알케닐 그룹 및 페닐 그룹을 갖는 화학식 3의 오가노올리고실록산 2 내지 50중량부를 포함할 수도 있다.
R6 eR7 fSiO(4-e-f)/2
위의 화학식 3에서,
R6은 탄소수 2 내지 10의 알케닐 그룹이고,
R7은 임의로 치환된 탄소수 1 내지 10의 1가 탄화수소 그룹(알케닐 그룹 제외)이고, R7의 10몰% 이상은 페닐 그룹이고,
첨자 "e"는 0.40 내지 0.80의 수이고,
첨자 "f"는 1.50 내지 2.10의 수이다.
상기 언급된 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물은 에폭시-함유 유기 규소 화합물(E) 0.01 내지 20중량부를 포함할 수도 있다.
상기 언급된 성분(E)은 화학식 4의 화합물이다.
R8 hR9 iSi0(4-h-i)/2
위의 화학식 4에서,
R8은 에폭시-함유 유기 그룹이고,
R9는 에폭시 그룹을 갖거나 갖지 않는 임의로 치환된 탄소수 1 내지 10의 1가 탄화수소 그룹이고,
성분 E의 모든 치환체의 1몰% 이상은 알케닐 그룹을 포함하고,
첨자 "h"는 0.05 내지 1.8의 수이고,
첨자 "i"는 0.10 내지 1.80의 수이다.
본 발명의 광학 부품은 상기 언급된 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 경화체를 포함함을 특징으로 한다. 본 발명의 광학 부품은 광학 반도체 장치 위에 상기 언급된 오가노폴리실록산 수지 조성물로부터 제조한 피막을 구성할 수 있다.
본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물이, JIS K 2501 (1992)로 측정할 때, 0.0001 내지 0.2㎎/g의 총 산가를 가지므로, 고온에 노출 후에도 이의 투명도를 잃지 않는다. 추가로, 본 발명의 광학 부품은 고온 노출 후에 이의 투명도를 잃지 않는 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지의 경화체로 이루어지므로, 이는 훌륭한 신뢰도를 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 장치의 예로서 도시된 단일 LED의 단면도이다.
[명세서 및 도면에 사용된 참조 번호]
A 표면-탑재형 발광 다이오드(LED)
1 폴리프탈아미드 수지(PPA)로부터 제조된 케이스
2 LED 반도체 부재
3 납 전극
4 결합 와이어
5 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 경화체
본 발명을 실행하기 위한 최선의 양태
우선, 경화 전에 액체 상태로 존재하고, JIS K 2501 (1992)로 측정할 때, 총 산가가 0.0001 내지 0.2㎎/g인 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물을 생각해보자.
본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 점도는 25℃에서 0.001 내지 5,000Paㆍs, 바람직하게는 0.01 내지 1,000Paㆍs, 보다 바람직하게는 1 내지 1,000Paㆍs이다. 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 25℃에서의 점도가 상기 언급된 범위 내에 있으면, 다양한 성형 공정에 적합한 유동성을 갖는 조성물을 수득할 수 있다.
본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물은, JIS K 2501 (1992)로 측정할 때, 0.0001 내지 0.2㎎/g, 바람직하게는 0.0001 내지 0.040㎎/g의 총 산가를 갖는다. 총 산가가 권장된 상한치를 초과하면, 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물을 경화시켜 수득한 경화체는, 가열될 때, 색상을 획득하고, 이의 투광 특성은 감소될 수 있다. 보다 자세하게는, 가열된 경화체를 통한 단파장 밴드에서의 투광도 감소를 최소화하기 위해, 상기 언급된 총 산가를 0.0001 내지 0.010㎎/g의 범위로 제공하는 것이 가장 바람직하다.
본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물을 경화시켜 수득한 경화체는 광학적으로 투명하고, 이의 투광도는 80%, 바람직하게는 90%, 보다 바람직하게는 95% 초과이어야 한다. 이러한 투광도는 상기 언급된 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물을 경화시켜 수득한 두께 1㎜의 경화체를 통해 555㎚ 파장의 가시광이 투과되게 한다. 555㎚ 파장은 사람 눈이 가장 감각적으로 인지할 수 있는 파장으로 공지된 가시광의 평균값 파장 부근이다.
추가로, 본 발명의 오가노폴리실록산 수지 조성물을 경화시켜 수득한 경화체는 단파장 밴드에서 가장 높은 투광도를 제공한다. 초기 상태에서, 즉 가속 열화 시험 동안 가열과 같은 열 처리 전에, 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 두께 1㎜의 경화체를 통한 400㎚ 파장의 투광도는 80%, 바람직하게는 90%, 보다 바람직하게는 95%를 초과하는 것이 권장된다. 일반적으로, 유기 물질을 포함하는 광학 부품이 고온에 노출될 때, 대부분의 경우에 이는 점점 황변이 되고 색상을 띄게 된다. 청색 내지 자색과 같은 단파장 범위에서의 투광도는 다른 가시광 파장에서보다 투광도가 얼마나 손실되는지로 특징지어지는 것으로 이해된다. 따라서, 예를 들면, 상기 언급된 광학 부품을 통한 400㎚의 투광도를 측정하여 단파장의 투광도를 비교함으로써 광학 부품의 착색도를 평가할 수 있다. 광학 부품의 착색도의 허용 정도는 특정 분야에 좌우된다. 예를 들면, 200℃에서 14일 동안 시효처리 후, 400㎚ 파장의 투광도는 40%, 바람직하게는 50%를 초과하는 것이 바람직할 수 있다.
본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물은 다양한 공정을 사용하여 성형될 수 있고, 이의 경화체는 광학적으로 투명하므로, 수득한 경화체는 광학 부품으로서 사용할 수 있다.
본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물은 하기 기재된 성분들을 포함할 수 있다. 적어도 알케닐 그룹 및 페닐 그룹을 포함하는 화학식 1의 오가노폴리실록산 조성물(A)은 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 주성분이다.
화학식 1
R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
하기 기재된 성분(C)의 촉매 작용하에, 성분(A)의 알케닐 그룹은 하기 기재된 성분(B)의 규소-결합된 수소 원자와의 첨가 반응을 통해 상호작용한다. 상기 화학식에서, R1은 2 내지 10의 알케닐 그룹이다. 이러한 그룹의 예로는 비닐, 알릴, 부테닐, 헥세닐 또는 데세닐 그룹이 있다. 비닐 그룹이 첨가 반응 및 상기 언급된 오가노폴리실록산 수지의 가공의 관점에서 가장 바람직하다. 상기 화학식에서, R2는 임의로 치환된 탄소수 1 내지 10의 1가 탄화수소 그룹(알케닐 그룹 제외)이다. 이러한 그룹의 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 사이클로헥실 또는 유사한 알킬 그룹; 페닐, 톨릴, 나프틸 또는 유사한 아릴 그룹; 3-클로로프로필, 3,3,3-트리플루오로프로필, 2-(노나플루오로부틸) 에틸 또는 유사한 할로알킬 그룹; 에틸벤질, 1-펜에틸 또는 유사한 아르알킬 그룹이 있다. 이들 중에서 알킬 및/또는 아릴 그룹, 특히 페닐 및 메틸 그룹이 가장 바람직하다. 상기 언급된 성분(A)의 분자에서 R2의 20몰% 이상, 바람직하게는 30몰% 초과, 보다 바람직하게는 40몰% 초과는 페닐 그룹인 것이 권장된다. 나머지 그룹은 알킬, 특히 메틸 그룹인 것이 추가로 바람직하다. 이는 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물로부터 수득된 경화체의 개선된 투명도 및 물리적인 강도를 제공하기 위해 바람직하다.
상기 화학식에서, 첨자 "a"는 성분(A)의 하나의 규소 원자당 알케닐 그룹의 평균 수이다. 첨자 "a"가 0.05 내지 0.5, 바람직하게는 0.05 내지 0.30, 보다 바람직하게는 0.09 내지 0.18인 것이 권장된다. 상기 화학식에서, 첨자 "b"는 알케닐 그룹 이외의 성분(A)의 하나의 규소 원자당 임의로 치환된 1가 C1 내지 C10 탄화수소 그룹의 평균 수이다. 첨자 "b"는 0.80 내지 1.80, 바람직하게는 1.00 내지 1.80, 보다 바람직하게는 1.10 내지 1.50인 것이 권장된다. 이들 범위를 벗어나면, 목적하는 특성을 갖는 본 발명의 오가노폴리실록산 수지 조성물의 경화체를 수득하는 것이 어려울 수 있다.
성분(A)의 폴리스티렌-표준 중량-평균 분자량(겔-투과 크로마토그래피로 측정)이 2,000 초과인 것이 권장된다. 이는 높은 경도를 오가노폴리실록산 수지 조성물의 경화체에 부여하기 위해 바람직하다. 25℃에서, 성분(A)는 고체일 수 있거나 점성 액체를 구성할 수 있다. 액체 상태에서, 이의 25℃에서의 점도는 일반적으로 10Paㆍs 이상이다. 당해 성분은 일반적으로 분지된 망상 구조 또는 3차원 분자 구조를 갖는다.
성분(A)는 일반적으로 산성 촉매 또는 염기성 촉매의 존재하에 클로로실란을 가수분해하거나 알콕시실란을 가수분해하여 수득한다. 각각의 경우, 산성 물질이 형성되거나 사용된다. 상기 언급된 산성 물질의 충분한 정도의 제거는 본 발명의 수득된 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 총 산가가 낮아지게 하여, 경화체의 열 탈색을 억제할 수 있다. JIS K2501 (1992)로 측정한 성분(A)의 총 산가는 0.0001 내지 0.100㎎/g, 바람직하게는 0.0001 내지 0.050㎎/g, 가장 바람직하게는 0.0001 내지 0.010㎎/g의 범위인 것이 권장된다.
산성 물질의 제거에 바람직한 하나의 특정한 방법은 클로로실란을 강염기로 가수분해함으로써 이의 제조에서 수득된 성분(A)를 처리함을 포함한다. 당해 방법은 물만으로의 가수분해 수행이 다량의 규소-결합된 염소 원자를 잔류시킬 수 있으므로 바람직하다. 추가로, 강염기는 휘발성 산성 물질을 사용하여 중화시킬 수 있다. 이는 과량의 휘발성 산성 물질이 증류로 용이하게 제거될 수 있으므로 유리하다. 생성된 염은 물로 용리시킬 수 있다. 성분(A)가 촉매 특성을 갖는 산성 물질, 예를 들면, 아세트산, 설폰산 등의 사용을 기본으로 한 알콕시 실란의 가수분해로 제조되는 경우, 상기 공정에서 사용된 산성 촉매는 물에 의한 용리로 충분하게 제거되어야만 하는 것이 권장된다. 몇몇 경우에, 상기 언급된 산성 물질이 유기 층 속에 용이하게 용해될 수 있고 성분(A)의 총 산가를 높은 수준에서 유지할 수 있으므로 성분(A)의 총 산가는 여전히 높을 수 있다.
상기 언급된 성분(A)는 ViMe2SiO1 /2; ViMePhSiO1 /2; Me3SiO; Me2SiO2 /2; ViMeSiO2/2; PhMeSiO2 /2; PhSiO3 /2; MeSiO3 /2; ViSiO3 /2 및 SiO4 /2의 실록산 단위로 이루어질 수 있다. 상기 화학식에서, Me는 메틸 그룹이고, Vi는 비닐 그룹이고, Ph는 페닐 그룹이다. 이하, 동일한 표기가 사용된다.
적어도 알케닐 및 페닐 그룹을 포함하는 평균 구조 화학식의 형태로 도시된 적절한 실록산 단위로 이루어진 오가노폴리실록산 수지의 특정한 예가 하기 기재되어 있고, 하기 실록산 단위는 또한 하나의 분자를 구성하는 모든 실록산 단위의 몰 수당 각각의 실록산 단위의 몰 수를 나타낸다.
(ViMe2Si01 /2)0.25(PhSiO3 /2)0.75, Vi0 .25Me0 .50Ph0 .75SiO1 .25
a = 0.25, b = 1.25, Ph/R2(몰%) = 50, Mw = 2,300;
(ViMe2SiO1/2)0.10(PhSiO3/2)0.90, Vi0.10Me0.20Ph0.90SiO1.4
a = 0.10, b = 1.10, Ph/R2(몰%) = 82, Mw = 4,300;
(ViMe2SiO1/2)O.14(PhSi03/2)0.86, Vi0.14Me0.28Ph0.86Si01.34
a = 0.14, b = 1.14, Ph/R2(몰%) = 75, Mw = 3,200;
(ViMe2Si02/2)0.10(PhSi03/2)0.90, Vi0.10Me0.10Ph0.90SiO1.45
a = 0.10, b = 1.00, Ph/R2(몰%) = 90, Mw = 8,700;
(ViMe2Si02/2)0.10(Me2SiO2/2)0.15(PhSiO3/2)0.75, Vi0.10Me0.40Ph0.75SiO1.375
a = 0.10, b = 1.15, Ph/R2(몰%) = 65, Mw = 7,200;
(ViMe2SiO1/2)0.15(PhSiO3/2)0.75(SiO4/2)0.10, Vi0.15Me0.3OPh0.75SiO1.40
a = 0.15, b = 1.05, Ph/R2(몰%) = 62.5, Mw = 6,500.
R2는 Me와 Ph의 총 몰 수이고, Mw는 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌-표준 중량-평균 분자량이다.
하나의 분자에 2개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 성분(B)의 화학식 2의 오가노하이드로겐폴리실록산은 성분(A)의 규소-결합된 알케닐 그룹과 첨가 반응으로 반응한다. 즉, 하이드로실릴화에 의해 성분(A)의 가교결합을 야기한다. 추가로, 상기 언급된 규소-결합된 수소 원자는 성분(D)의 알케닐 그룹에 첨가 반응에 의해 첨가된다.
화학식 2
HcR3 dSi0(4-c-d)/2
위의 화학식 2에서,
H는 수소 원자이고,
R3은 알케닐 그룹 이외의 임의로 치환된 C1 내지 C10 1가 탄화수소 그룹이다.
R3은 상기 언급된 그룹 R2와 동일한 그룹으로 예시될 수 있다. 페닐 그룹의 포함은 R3에 대한 필수불가결 조건은 아니지만, 성분(B)가 상대적으로 낮은 중량-평균 분자량을 가질 때, R3이 성분(A)와 상용성이더라도, 시간이 지남에 따라 페닐 그룹의 부재는 마이크로상 분리 또는 휘발성을 유발할 수 있고, 이는 결국 성형 제품 표면의 거침 또는 경화 조건이 공기에 노출될 때 성분(B)의 증발과 같은 문제점을 유발할 수 있다. 첨자 "c"는 성분(B)에서 규소-결합된 수소 원자의 수이고, 이의 범위는 0.35 내지 1.0이고, 첨자 "d"는 성분(B)의 하나의 규소 원자당 성분(B)의 알케닐 그룹 이외의 임의로 치환된 C1-C10 1가 탄화수소 그룹의 평균 수이다. 마지막에 언급된 수는 0.90 내지 2.0이다. 25℃에서 성분(B)는 고체 또는 액체 상태로 존재할 수 있지만, 액체 상태가 조성물의 제조를 촉진할 수 있으므로 바람직하다. 25℃에서의 점도는 100Paㆍs 미만, 바람직하게는 1 내지 1,000mPaㆍs이어야 한다. 성분(B)는 직쇄형, 사이클릭형, 측쇄형의 망상 또는 3차원 분자 구조를 가질 수 있다. 성분(B)의 2개 이상의 상이한 형태는 배합되어 사용될 수 있다.
성분(B)는, 예를 들면, 클로로실란을 가수분해함으로써 또는 알콕시실란을 산성 촉매의 존재하에 가수분해함으로써 수득한다. 그러나, 둘 다의 경우에, 산성 물질이 생성되거나 사용된다. 상기 언급된 산성 물질을 충분한 정도로 제거함으로써, 수득된 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 총 산가를 낮출 수 있고 조성물로부터 수득된 경화체의 가열 동안에 탈색을 제한할 수 있다. 상기 언급된 방법으로 수득한 성분(B)의 JIS K2501 (1992)에 따르는 총 산가는 0.0001 내지 1,000㎎/g, 바람직하게는 0.0001 내지 0.200㎎/g, 보다 바람직하게는 0.0001 내지 0.050㎎/g인 것이 바람직하다. 본 발명의 경화성 실리콘 조성물의 예로서 제시된 열 변색의 억제는 수득된 조성물에서의 산가의 제한으로부터 유발된다.
산성 물질을 제거하기 위한 특정한 방법은 염기성 그룹을 중화시킨 후 여과시키고, 산성 물질을 흡수제, 예를 들면, 분말화 활성탄, 수산화마그네슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 규산마그네슘, 산화알루미늄, 규산알루미늄 등에 의해 흡수시키고, 후속적으로 여과시키고 물로 세척함을 포함할 수 있다. 상기 방법들 중에서, 일반적으로 염기성 조건은 성분(B)의 규소-결합된 수소 원자의 가수분해를 촉진시키므로, 물에 의한 세척 또는 흡수제와 배합된 세척이 가장 바람직하다. 세척 에 의한 산성 물질의 제거 효과는 세척 시간을 연장시키거나, 세척 사이클의 수를 증가시킴으로써 개선된다. 성분(B)가 저분자량이고 증류될 수 있다면, 몇몇 경우에, 산성 물질은 비점 차이로 인해 분리될 수 있다.
상기 언급된 성분(B)는 실록산 단위 및 하기 평균 구조 화학식으로 표현되는 메틸하이드로겐폴리실록산 및 메틸페닐하이드로겐폴리실록산으로 예시될 수 있다.
(HMe2SiO1 /2)0.65(PhSi03 /2)0.35, H0 .65Me1 .30Ph0 .35SiO0 .85
c = 0.65, d = 1.65, Ph/R3(몰%) = 21;
(HMe2SiO1/2)0.60(PhSi03/2)0.40, H0.60Me1.2Ph0.40SiO0.90
c = 0.60, d = 1.60, Ph/R3(몰%) = 25;
(HMe2SiO1/2)0.40(PhSi03/2)0.60, H0.40Me0.80Ph0.60SiO1.10
c = 0.40, d = 1.40, Ph/R3(몰%) = 43;
(HMe2Si01/2)0.35(PhSiO3/2)0.65, H0.35Me0.70Ph0.65SiO1.15
c = 0.35, d = 1.05, Ph/R3(몰%) = 48;
(HMe2Si02/2)0.65(PhSi03/2)0.35, H0.65Me0.65Ph0.35SiO1.75
c = 0.65, d = 1.00, Ph/R3(몰%) = 35;
(HMeSi02/2)0.50(PhSi03/2)0.50, H0.5Me0.50Ph0.50SiO1.25
c = 0.50, d = 1.00, Ph/R3(몰%) = 50;
(HMe2Si02/2)0.35(PhSiO3/2)0.65, H0.35Me0.35Ph0.65SiO1.325
c = 0.35, d = 1.00, Ph/R3(몰%) = 65;
(HMe2Si01/2)0.60(PhSiO3/2)0.40, H0.65Me0.60Ph1.00SiO0.90
c = 0.60, d = 1.60, Ph/R3(몰%) = 63;
(HMe2SiO1/2)0.40(PhSiO3/2)0.60, H0.4Me0.40Ph1.00SiO1.10
c = 0.40, d = 1.40, Ph/R3(몰%) = 71;
(HMe2SiO1/2)0.66(Ph2SiO2/2)0.33, H0.66Me1.32Ph0.66SiO0.66
c = 0.66, d = 1.15, Ph/R3(몰%) = 33;
(HMe2SiO1/2)0.75(PhSi03/2)0.25, H0.75Me1.50Ph0.25SiO0.75
c = 0.66, d = 1.15, Ph/R3(몰%) = 14.
Figure 112008006893514-pct00001
상기 화학식에서,
Et는 에틸 그룹이고,
R3은 Me와 Ph의 총 몰 수이다.
성분(B)는, 성분(A)의 100중량부당, 10 내지 100중량부로 첨가한다. 경화체의 개선된 경화 특성 및 물성의 관점으로부터, 성분(A)의 하나의 알케닐 그룹당 성분(B)에서 규소-결합된 수소 원자의 양은 0.5 내지 3몰, 바람직하게는 0.7 내지 1.5몰인 것이 권장된다.
성분(B1)을 하나의 분자에 2개의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 화학식 2의 오가노하이드로겐폴리실록산의 형태로 포함하는 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물(B)은 경화 동안 다양한 기판에 개선된 접착력을 제공하므로, 상기 조성물은 다양한 광학 반도체 부품을 위한 경화 코팅제로서 광학 반도체 장치의 제조에 사용할 수 있다. 성분(B)을, 성분(B1)의 상기 언급된 오가노하이드로겐폴리실록산과 하나의 분자에 3개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 오가노하이드로겐폴리실록산인 성분(B2)와의 배합물로서 사용할 수도 있다. 성분(B1)과 성분(B2)를 배합하여 사용하면 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 경화체를, 성분(B)가 성분(B1)만으로 이루어질 때보다 높은 경도로 수득할 수 있게 하므로, 상기 언급된 성분(B1)과 성분(B2)와의 배합물은 높은 경도를 갖는 경화체를 수득할 필요가 있을 때 사용할 수 있다. 성분(B1) 대 (B2)의 비율은 (100:0) 내지 (10:90), 바람직하게는 (100:0) 내지 (50:50), 보다 바람직하게는 (100:0) 내지 (70:30)이다.
하이드로실릴화 촉매(C)는 성분(A)에 포함된 비닐 그룹을 성분(B) 속에 포함된 규소-결합된 수소 원자에 첨가하는 반응, 즉 하이드로실릴화 반응에 대한 촉매이다. 이러한 촉매의 특정한 예로는 미세 백금 분말, 백금 블랙, 염화백금산, 백금 테트라클로라이드, 알코올-개질 염화백금산, 백금-올레핀 착물, 백금-알케닐실록산 착물, 백금-카보닐 착물; 메틸메타크릴레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리스티렌 수지, 실록산 수지 또는 상기 언급된 백금계 촉매를 포함하는 분말 형태의 유사한 열가소성 유기 수지; 화학식 [Rh(O2CCH3)2]2, Rh(O2CCH3)3, Rh2(C8H15O2)4, Rh(C5H7O2)3, Rh(C5H7O2)(CO)2, Rh(CO)[Ph3P](C5H7O2), RhX3[(R4)2S]3, (R5 3P)2Rh(CO)X, (R5 3P)2Rh(CO)H, Rh2X2Y4, Rh[O(CO)R4]3-n(OH)n 및 HmRhp(En)qClr의 로듐계 촉매(여기서, X는 수소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자이고, Y는 메틸 그룹, 에틸 그룹 또는 유사한 알킬 그룹, CO, C8H14 또는 0.5C8H12이고, R4는 알킬 그룹, 사이클로알킬 그룹 또는 아릴 그룹이고, R5는 알킬 그룹, 아릴 그룹, 알킬옥시 그룹 또는 아릴옥시 그룹이고, En은 올레핀이고, "n"은 0 또는 1이고, "m"은 0 또는 1이고, "p"는 1 또는 2이고, "q"는 1 내지 4의 정수이고, "r"은 2, 3 또는 4이다); 또는 화학식 Ir(OOCCH3)3, Ir(C5H7O2)3, [Ir(Z)(En)2]2 또는 [Ir(Z)(디엔)]2의 이리듐계 촉매(여기서, Z는 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 또는 알콕시 그룹이고, En은 올레핀이고, 디엔은 사이클로옥타디엔이다)가 있다. 가장 바람직한 예는 백금계 촉매이다.
특히, 저농도의 염소를 갖는 백금-알케닐실록산 착물을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 언급된 알케닐실록산의 예로는 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산 및 알케닐실록산(여기서, 이의 메틸 그룹의 일부는 에틸 그룹, 페닐 그룹 등으로 치환된다) 또는 알케닐실록산(여기서, 비닐 그룹은 알릴 그룹, 헥세닐 그룹 등으로 치환된다)이 있다. 백금-알케닐실록산 착물의 높은 안정성으로 인해, 1,3-디비닐-1,3,3-테트라메틸디실록산을 사용하는 것이 권장된다. 추가로, 백금-알케닐실록산 착물의 안정성을 추가로 개선시키기 위해, 이들은 1,3-디비닐-1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디알릴-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디비닐-1,3-디메틸-1,3-디페닐디실록산, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라페닐디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산 또는 유사한 알케닐실록산 또는 메틸실록산 올리고머, 예를 들면, 오가노실록산 올리고머, 특히 알케닐 올리고머와 배합할 수 있다.
하이드로실릴화 반응 촉매(C)는 소위 촉매량으로 사용되고, 금속 성분의 면에서 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 조성물의 총 중량당, 1 내지 500ppm, 바람직하게는 2 내지 100ppm의 범위이다. 상기 언급된 촉매량을 제공하기 위해, 하이드로실릴화 반응 촉매와 관련하여 JIS K2501 (1992)로 측정된 최종 경화성 오가노폴리실록산 조성물에서의 총 산가는 0.0001 내지 0.2㎎/g, 바람직하게는 0.0001 내지 100㎎/g, 보다 바람직하게는 0.0001 내지 10㎎/g의 범위이어야 한다.
성분(A) 내지 성분(C)로 이루어진 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물은 성분(D)와 배합될 수 있고, 적어도 알케닐 그룹 및 페닐 그룹을 함유하는 오가노올리고실록산으로 이루어진다. 성분(D)는 화학식 3으로서 나타내어지고, 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지의 점도를 감소시키고, 이의 성형성 및 유동성을 개선시키고 조성물로부터 수득된 경화체의 물성을 조정하기 위해 반응성 희석액 성분으로서 첨가된다.
화학식 3
R6 eR7 fSiO(4-e-f)/2
위의 화학식 3에서, R6은 C2 내지 C10 알케닐 그룹, 비닐 그룹, 알릴 그룹, 부테닐 그룹, 헥세닐 그룹 또는 데세닐 그룹이다. 첨가 반응의 관점으로부터 및 상기 언급된 오가노폴리실록산 수지의 처리를 촉진시키기 위해, 비닐 그룹이 가장 바람직하다. 위의 화학식 3에서, R7은 알케닐 그룹 이외의 임의로 치환된 C1 내지 C10 1가 탄화수소이고, R7은 상기 언급된 그룹 R2와 동일 그룹으로 예시될 수 있다. 하나의 분자에서 모든 R7의 10몰% 이상은 페닐 그룹이고, 나머지는 알킬 그룹이다. 바람직하게는, 그룹 R7은 오직 페닐 그룹 또는 메틸 그룹과 배합된 페닐 그룹이다. 이는 성분(A)와 성분(B) 사이의 개선된 상용성을 제공하고 경화체에서 내열성 및 투명도를 개선시키기 위해서 바람직하다. 첨자 "e"는 성분(D)의 하나의 규소 원자당 알케닐 그룹의 평균 수이다. 첨자 "e"가 0.40 내지 0.80, 바람직하게는 0.60 내지 0.80의 범위인 것이 권장된다. 첨자 "f"는 성분(D)의 하나의 실리콘 원자당 알케닐 그룹 이외의 임의로 치환된 1가 탄화수소 그룹의 평균 수이다. 첨자 "f"는 1.50 내지 2.10, 바람직하게는 1.50 내지 2.00의 범위인 것이 권장된다.
실온에서 고체인 성분(A)를 용해시킴으로써 이를 액체로 전환시키기 위해 또는 매우 점성 액체일 때의 성분(A)의 점도를 감소시키기 위해, 성분(D)는 실온에서 액체이어야 하고, 이의 25℃에서의 점도가 10Paㆍs 이하, 바람직하게는 1mPaㆍs 내지 100mPaㆍs인 것이 권장된다. JIS K2501 (1992)로 측정한 총 산가는 0.0001 내지 0.2㎎/g, 바람직하게는 0.0001 내지 0.04㎎/g인 것이 권장된다.
성분(D)의 바람직한 예는 화학식(R6R7 2SiO)gSiR7 (4-g)의 알케닐-관능성 오가노올리고실록산이 있다(여기서, R6 및 R7은 상기 정의한 바와 동일하고, "g"는 2 또는 3이다).
성분(D)의 특정한 예로는 실록산 단위 화학식 및 하기 평균 구조 화학식으로 표시된 메틸페닐비닐올리고실록산의 형태로 하기 기재되어 있다.
(ViMe2SiO)3SiPh, Vi0 .75Me1 .50Ph0 .25SiO0 .75;
c = 0.75, d = 1.75, Ph/R7(몰%) = 14;
(ViMe2SiO)2SiPh2, Vi0.67Me1.33Ph0.67SiOO.67;
c = 0.67, d = 2.00, Ph/R7(몰%) = 33;
(ViMe2SiO)3SiPh, Vi0.75MeO.75Ph1.00SiOO.75;
c = 0.75, d = 1.75, Ph/R7(몰%) = 57;
(ViMe2SiO)2SiPh2, Vi0 .67Me0 .67Ph1 .33SiO0 .67;
c = 0.67, d = 2.00 Ph/R7(몰%) = 67;
(ViMe2SiO)2SiMePh, Vi0 .67Me1 .67Ph0 .33SiO0 .67;
c = 0.67, d = 2.00 Ph/R7(몰%) = 17.
R7은 Me와 Ph의 총 몰 수이다. 상이한 형태의 2개 이상의 성분(D)은 배합하여 사용할 수 있다.
필요한 경우, 성분(A) 내지 성분(C) 또는 성분(A) 내지 성분(D)로부터 제조된 본 발명의 경화성 실리콘 조성물은 추가로 에폭시-함유 규소 화합물인 성분(E)와 배합될 수 있다. 상기 언급된 에폭시-함유 규소 화합물(E)은 다양한 기판에 대한 개선된 접착력을 본 발명의 경화성 실리콘 조성물에 부여한다. JIS K2501 (1992)로 측정한 성분(E)의 총 산가와 관련하여 특별한 제한은 없지만, 당해 산가는 0.0001 내지 0.2㎎/g의 범위인 것이 권장된다. 이러한 에폭시-함유 유기 규소 화합물로는 글리시독시프로필트리메톡시실란, 글리시독시프로필트리에톡시실란, 글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 에폭시사이클로헥실에틸트리메톡시실란, 에폭시사이클로헥실에틸트리에톡시실란 또는 유사한 에폭시-함유 실란 화합물; 글리시독시프로필트리알콕시실란과 분자 말단에서 실란올 그룹으로 캡핑된 디메틸폴리실록산과의 축합반응 생성물; 글리시독시프로필트리알콕시실란과 분자 말단에서 실란올 그룹으로 캡핑된 메틸비닐폴리실록산과의 축합반응 생성물; 글리시독시프로필트리알콕시실란과, 메틸 비닐실록산과 분자 말단에서 실란올 그룹으로 캡핑된 페닐메틸실록산의 공중합체와의 축합반응 생성물; 또는 에폭시-함유 실란 화합물과 디오가노폴리실록산과의 축합반응의 유사한 생성물이 있다.
상기 기재된 화합물들 중에서, 다양한 기판에의 훌륭한 접착력의 관점으로부터, 에폭시 그룹 및 알케닐 그룹을 포함하는 화학식 4의 오가노폴리실록산이 특히 바람직하다.
화학식 4
R8 hR9 iSi0(4-h-i)/2
위의 화학식 4에서, R8은 에폭시-함유 유기 그룹, 예를 들면, 글리시독시프로필 그룹, 에폭시사이클로헥실에틸 그룹 또는 유사한 에폭시-함유 알킬 그룹이고, R9는 에폭시 그룹을 포함하지 않는 임의로 치환된 C1 내지 C10 1가 탄화수소 그룹이고, R9의 1몰% 이상, 바람직하게는 3몰% 이상, 보다 바람직하게는 10몰% 이상은 알케닐 그룹이다. 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물과의 개선된 상용성의 관점으로부터, R9의 페닐 그룹이 모든 치환체의 3몰% 이상, 바람직하게는 10몰% 이상을 구성하는 것이 권장된다. 첨자 "h"는 0.05 내지 1.8, 바람직하게는 0.05 내지 0.7, 보다 바람직하게는 0.1 내지 0.6의 범위이고, 첨자 "i"는 0.10 내지 1.80, 바람직하게는 0.20 내지 1.80의 범위이고, 첨자 "h" 및 첨자 "i"는 함께 (h + i ≥ 2)의 조건을 만족시키는 것이 권장된다. 에폭시 및 알케닐 그룹을 포함하는 상기 언급된 오가노폴리실록산은 에폭시-함유 알콕시실란과 알케닐-함유 알콕시실란을 공가수분해함으로써 용이하게 수득할 수 있다. 에폭시-함유 오가노폴리실록산은 이의 원료 물질로부터 유도된 소량의 알콕시 그룹을 포함할 수 있다.
하기 화합물은 에폭시 그룹 및 알케닐 그룹을 포함하는 화학식 4의 오가노폴리실록산의 예이다.
(ViMe2Si01 /2)25(PhSiO3 /2)75(EpMeSiO2 /2)40;
[Vi0 .18Me0 .64Ep0 .29Ph0 .54SiO1 .18];
(ViMe2Si01 /2)50(PhSiO3 /2)50(EpMeSi02 /2)60;
[Vi0.31Me1.00Ep0.38Ph0.31SiO1.00];
(ViMe2Si01 /2)25(PhSi03 /2)75(EpSi03 /2)40;
[Vi0 .18Me0 .36Ep0 .29Ph0 .54SiO1 .32];
(ViMe2Si01 /2)25(PhSiO3 /2)75(EpSiO3 /2)40(OMe)50 및
[Vi0 .18Me0 .36Ep0 .29Ph0 .54SiO1 .32(OMe)0.36]
상기 화학식에서, Ep는 글리시독시프로필 그룹이다.
에폭시-함유 유기 규소 화합물은, 성분(A)인 오가노폴리실록산 수지 100중량부당 0.01 내지 20중량부, 바람직하게는 0.1 내지 8중량부의 양으로 사용된다. 상기 언급된 화합물이 권장된 상한치를 초과하는 양으로 사용되는 경우, 이는 경화체의 내후 특성을 감소시키거나 열 처리 후 경화체의 색상을 변화시킬 것이다.
실온에서 경화를 억제하고 가사 시간(pot life)을 연장시키기 위해, 성분(A) 내지 성분(C), 성분(A) 내지 성분(D), 성분(A) 내지 성분(E)를 배합함으로써 또는 성분(A), 성분(B), 성분(C) 및 성분(E)를 배합함으로써 제조된 본 발명의 경화성 실리콘 조성물은 하이드로실릴화 반응 지연제와 추가로 배합할 수 있다. 추가로, 필요한 경우 및 본 발명의 효과에 악영향을 미치지 않는 경우, 당해 조성물은 퓸드 실리카, 석영 분말 또는 유사한 미세 분말화 실리카, 산화티탄, 산화아연 또는 염료의 유사한 무기 충전제, 및 난연제, 내열제, 산화 억제제 등을 혼입할 수도 있다.
본 발명의 조성물이 발광 다이오드(LED)의 반도체 부품에 대한 보호제로서 사용될 때, 이는 인광 물질, 예를 들면, 이트륨-알루미늄-가넷 시스템(YAG)의 화합물을 포함할 수 있다. 이러한 형광 물질이 첨가될 수 있는 양과 관련하여 어떠한 제한도 없지만, 이들은 조성물의 1 내지 20중량%, 바람직하게는 5 내지 15중량%로 첨가되는 것이 권장될 수 있다. 추가로, 본 발명의 목적과 반대되지 않는 제한으로, 당해 조성물은 기타 임의의 첨가제, 예를 들면, 실리카, 유리, 알루미나, 산화아연 또는 유사한 무기 충전제; 폴리메타크릴레이트 수지 또는 유사한 미세 분말화 유기 수지; 내열제, 염료, 안료, 난연제, 용매 등을 혼입할 수 있다.
본 발명의 첨가 반응 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물은 성분(A) 내지 성분(C), 성분(A) 내지 성분(D), 성분(A) 내지 성분(E) 또는 성분(A), 성분(B), 성분(C) 및 성분(E)를, 필요한 경우, 상기 언급된 임의의 첨가제와 배합함으로써 용이하게 제조한다. 성분(A) 내지 성분(C)의 혼합이 실온에서도 경화 반응을 개시시킬 수 있으므로, 이의 가사 시간은 혼합물에 하이드로실릴화 반응 지연제를 첨가함으로써 연장될 수 있다. 또는, 성분(A) 및 성분(B)과, 필요한 경우, 성분(C)의 부재하에 성분(D) 및/또는 성분(E)와의 혼합 및 적어도 성분(A) 및 성분(C)와, 필요한 경우, 성분(B)의 부재하에 성분(D) 및/또는 성분(E)와의 혼합은 개별적으로 저장한 후, 사용 직전에 함께 균일하게 혼합할 수 있다.
본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물은, 이를 실온에서 덜 활성으로 유지시킴으로써 경화될 수 있거나, 경화는 가열에 의해 촉진될 수 있거나, 사출 성형, 압축 성형, 캐스팅 성형될 수 있거나, 적절한 형태, 예를 들면, 피막으로 경화될 수 있다. 상기 언급된 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물은 단독으로 경화될 수 있고, 또 다른 부품으로의 접착을 위해 경화될 수 있거나, 또 다른 기판과 통합체(integral body)를 형성하기 위해 경화될 수 있다.
또 다른 기판과 통합체를 형성할 필요가 있을 때, 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 성분(B)은 성분(B1)과 성분(B2)로 이루어질 수 있거나, 상기 언급된 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물은 에폭시-함유 유기 규소 화합물(E)과 배합될 수 있다. 그러나, 또 다른 기판에 경화시킴으로써 보다 효과적인 결합을 위해, 성분(B1) 및 성분(B2)를 화합물(E)와 함께 사용하는 것이 바람직하다. 상기 언급된 기판은 폴리프탈아미드(PPA), 폴리아미드 수지, 폴리에스테르 수지, 비스-말레이미드-트리아진 수지(BT) 또는 유사한 엔지니어링 플라스틱; 철, 알루미늄, 은, 구리, 스테인레스 강철, 금 또는 유사한 금속으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물이 가열로 경화될 때, 경화 온도는 일반적으로 100℃ 내지 200℃이고, 경화 시간은 30분 내지 1초이다. 경화 후 소량 내지 미량으로 포함될 수 있는 휘발성 성분을 제거하기 위해, 생성물을 10분 내지 2시간 동안 150℃ 내지 250℃에서 후-경화시키는 것이 권장된다.
본 발명의 광학 부품은 가시광, 적외선광, 자외선, 근자외선, X-선, 레이저선 또는 상기 언급된 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물을 경화시킬 수 있는 유사한 선에 투과성인 부품을 포함할 수 있다. 본 발명의 광학 부품은 광학 렌즈, 프리즘, 투광 플레이트, 광-굴절 플레이트, 광 가이드, 시트, 필름 또는 유사한 광-빔 형성 물품; 광학 반도체 장치의 반도체 부재용의 또는 형성 물품 이외의 유사한 분야에서의 성형제, 실링제, 캐스팅제, 코팅제, 접착제, 보호제가 예시될 수 있다. 추가로, 본 발명의 광학 부품은 실온 초과, 예를 들면, 50 내지 200℃의 온도에 노출된 부품으로 또는 직접 접촉으로 또는 고강도 광원에 가깝게 작동되는 광학 부품으로 표현될 수 있다.
본 발명의 광학 부품의 우수한 예는 광학 반도체 장치로서 사용되는 것이다. 이러한 장치는 상기 언급된 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 경화체로 직접적으로 또는 간접적으로 피복된 반도체 부재를 갖음을 특징으로 할 수 있다. 이러한 광학 반도체 부재의 예로는 광 다이오드, 광 트랜지스터, 광 달링톤, CdS 전지, 광 도체, 광 사이리스터, 광 트라이액, 광전 부재, 광전 센서 또는 유사한 광-수신 부재; 및 발광 다이오드(LED) 또는 유사한 발광 부재가 있다. 광학 반도체 장치의 예로는 발광 다이오드(LED); 광 아이솔레이터, 광 차단기 또는 유사한 광 커플러; 광 리레이, 광 IC; 상보적인 금속 산화물 반도체(CMOS), 전하-커플링된 장치 또는 유사한 고체-상태의 영상 부재가 있다. 상기 언급된 것들 중에서, 발광 다이오드(LED)가 가장 일반적인 예이다.
도 1은 본 발명의 장치의 예로서 도시된 단일 LED의 단면도이다. 도 1에서 LED는 납 전극(3)에 다이-결합된 LED 반도체 부재(2)를 포함한다. 상기 언급된 반도체 부재(2) 및 납 전극(3)은 결합 와이어(4)에 의해 와이어-결합된다. 이러한 반도체 부재(2)는 5 내지 15중량%의 발광 물질(YAG)을 포함하는 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 경화체(5)로 피복된다.
도 1에 도시된 LED의 제조를 위해, LED 반도체 부재(2)는 납 전극(3)에 다이-결합되고, 반도체 부재(2)는 금 결합 와이어(4)로 납 전극(3)에 와이어-결합된다. 다음 단계에서, 5 내지 15중량%의 형광 물질(YAG)을 포함하는 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물을 반도체 부재(2)에 피복시킨 후, 당해 조성물을 50 내지 200℃에서 가열로 경화시킨다.
[응용 실시예]
본 발명은 추가로 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물 및 본 발명의 반도체 장치의 응용 예와 관련하여 하기에 상세하게 기재되어 있다. 하기 기재된 실시예에서, 점도 값은 25℃에서 수득한다. 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물 및 이의 경화체의 하기 특성을 측정한다.
[총 산가]
총 산가는 JIS K2501 (1992)에 따라 인디케이터 적정 방법에 의해 측정한다.
[경화체의 경도]
경화체는 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물을 1시간 동안 150℃에서 열풍-순환형 오븐 속에서 경화시킴으로써 제조한다. 수득된 경화체의 경도는 JIS K6253에 따라 D형 듀로미터로 측정한다.
[경화된 오가노폴리실록산 조성물 및 경화체의 굴절율]
경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 25℃에서의 굴절율은 ABBE형 굴절계로 측정한다. 측정에 사용된 광원은 파장 589㎚의 가시광이다.
[경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물로부터의 경화체의 투광도 특성]
경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물을 1시간 동안 150℃에서 열풍-순환형 오븐 속에서 경화시킴으로써 수득한 경화체(광학 경로 길이: 1.0㎜)의 투광도 특성은 파장 400㎚ 내지 555㎚의 광으로 25℃에서 측정한다. 이후에, 가속 열화 시험으로 유도된 착색을 연구하기 위해, 투광도 특성은 25℃에서 경화체를 열풍-순환형 오븐 속에서 200℃에서 가열함으로써 14일 동안 시효처리 후 400㎚ 내지 555㎚의 광을 사용하여 동일한 방식으로 측정한다.
[경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물로부터 제조된 경화체의 접착력]
두께 2㎜ 및 직경 5㎜의 오프닝을 갖는 불소 수지로부터 제조된 스페이서를 다양한 접착 시험 패널에 위치시키고, 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물을 상기 언급된 스페이서 오프닝에 붓고, 유닛을 1시간 동안 열풍-순환형 오븐 속에서 150℃에서 유지시키고, 이에 의해 다양한 시험 패널에 결합된 높이 2㎜ 및 직경 5㎜의 실린더형 시험편을, 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물을 경화시킴으로써 수득한다. 다양한 시험 패널에 단단히 결합된 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 상기 언급된 실린더형 경화체를, 다이-전단-강도 테스터에서 속도 50㎜/min에서 부하하에 필링을 수행함으로써 접착력에 대해 시험한다.
[경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물로부터 수득한 경화체의 표면 상태의 평가]
첨가 반응 경화성 실리콘의 경화체를 포함하는 상기 언급된 직경 5㎜ 및 높이 2㎜의 실린더형 접착력 시험편의 상부에서 평활도를 체크함으로써 표면 상태를 평가한다. 하기 기준을 사용한다: 평활한 표면: O; 거친 표면: X.
[합성 실시예 1]
교반기, 환류 냉각기, 도입부 및 온도계가 장착된 4구 플라스크에 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 82.2g, 물 143g, 트리플루오로메탄설폰산 0.38g 및 톨루엔 50Og을 충전한다. 성분들을 혼합하고 성분들을 교반하면서, 페닐트리메톡시실란 524.7g을 1시간 동안 적가한다. 페닐트리메톡시실란을 첨가한 후, 생성물을 가열하면서 1시간 환류시킨다. 냉각 후, 하층을 분리시키고 톨루엔 용액 층을 물로 3회 세척한다. 이후에, 수산화칼륨 0.40g을 세척된 톨루엔 용액 층에 첨가하고 물을 물 분리 관을 통해 제거하면서 용액을 환류시킨다. 물 분리 완료 후, 고체의 농도가 75중량%에 도달할 때까지 생성물을 농축시키고 환류를 5시간 동안 수행한다. 냉각 후, 아세트산 0.6g을 첨가함으로써 생성물을 중화시키고 수득된 여과된 톨루엔 용액을 물로 3회 세척한다. 생성물을 감압하에 농축시킨 후, 하기 평균 단위 화학식 및 평균 구조 화학식으로 표시된 고체 메틸페닐비닐폴리실록산 수지(폴리오가노실록산 수지 A) 420g을 수득한다. 수득된 생성물의 폴리스티렌-재계산 중량-평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피로 측정하면 2,300의 값이 나타나고, 0.001㎎/g에 해당하는 총 산가가 JIS K2501 (1992)에 따라 측정된다:
(ViMe2Si01 /2)0.25(PhSi03 /2)0.75, Vi0 .25Me0 .5 OPh0 .75SiO1 .25
[합성 실시예 2]
교반기, 환류 냉각기, 도입부 및 온도계가 장착된 4구 플라스크에 톨루엔 100g, 물 50g 및 이소프로필 알코올 50g을 충전한다. 성분들을 혼합하고 성분들을 교반하면서, 메틸비닐디클로로실란 14.11g, 디메틸디클로로실란 19.37g과 페닐트리클로로실란 158g과의 액체 혼합물을 1시간 동안 적가한다. 첨가 완료 후, 생성물을 1시간 동안 실온에서 교반한다. 하층을 분리시키고 톨루엔 용액 층을 물로 3회 세척한다. 이후에, 수산화칼륨 0.12g을 세척된 톨루엔 용액 층에 첨가하고 물을 물 분리 관을 통해 제거하면서 용액을 환류시킨다. 물 분리 완료 후, 고체의 농도가 70중량%에 도달할 때까지 생성물을 농축시키고 환류를 5시간 동안 수행한다. 냉각 후, 아세트산 0.2g을 첨가함으로써 생성물을 중화시키고 수득된 여과된 톨루엔 용액을 물로 6회 세척한다. 생성물을 감압하에 농축시킨 후, 하기 평균 단위 화학식 및 평균 구조 화학식으로 표시된 고체 메틸페닐비닐폴리실록산 수지(폴리오가노실록산 수지 B) 115g을 수득한다. 수득된 생성물의 폴리스티렌-재계산 중량-평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피로 측정하면 7,200의 값이 나타나고, 0.002㎎/g에 해당하는 총 산가가 JIS K2501 (1992)에 따라 측정된다:
(ViMeSi02 /2)0.10(Me2Si02 /2)0.15(PhSi03 /2)0.75, Vi0 .10Me0 .40Ph0 .75SiO1 .375
[합성 실시예 3]
교반기, 환류 냉각기, 도입부 및 온도계가 장착된 4구 플라스크에 페닐트리메톡시실란 194.6g과 트리플루오로메탄설폰산 0.22g과의 혼합물을 충전한다. 성분들을 혼합하고 성분들을 교반하면서, 물 13.3g을 15분 동안 적가한다. 첨가 완료 후, 생성물을 1시간 동안 가열하면서 환류시킨다. 실온으로 냉각시킨 후, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 118.6g을 첨가하고, 혼합물을 교반하고, 아세트산 88.4g을 30분 동안 적가한다. 첨가를 완료한 후, 혼합물을 교반 조건하에 5O℃로 가열하고, 반응을 3시간 동안 수행한다. 실온으로 냉각시킨 후, 톨루엔 및 물을 첨가하고, 혼합물을 잘 혼합하고, 잠시 정치시키고 물 층을 분리시킨다. 톨루엔 용액 층을 물로 3회 세척한 후, 생성물을 감압하에 농축시키고 하기 실록산 단위 화학식 및 평균 구조 화학식으로 표시된 메틸페닐하이드로겐올리고실록산(가교결합제 A) 220g을 수득한다. 수득된 생성물의 점도는 25mPaㆍs이다. 1.20㎎/g에 해당하는 총 산가가 JIS K2501 (1992)에 따라 측정된다:
(HMe2SiO1 /2)0.60(PhSiO3 /2)0.40, H0 .60Me1 .20Ph0 .40SiO0 .90
[합성 실시예 4]
하기 실록산 단위 화학식 및 평균 구조 화학식으로 표시된 메틸페닐하이드로겐올리고실록산(가교결합제 B) 220g을, 톨루엔 용액 층을 물로 6회 세척함을 제외하고는, 합성 실시예 3에서와 동일한 방식으로 수득한다. 수득된 생성물의 점도는 25mPaㆍs이다. 0.06㎎/g에 해당하는 총 산가가 JIS K2501 (1992)에 따라 측정된다:
(HMe2SiO1 /2)O.6O(PhSiO3 /2)O.4O, H0 .6 OMe1 .2 OPh0 .4 OSiO0 .90
[합성 실시예 5]
하기 실록산 단위 화학식 및 평균 구조 화학식으로 표시된 메틸페닐하이드로겐폴리실록산(가교결합제 C) 215g을, 톨루엔 용액 층을 물로 6회 세척한 후, 생성물을 감압하에 농축시키고, 활성탄 1.0g을 첨가하고 1시간 동안 교반한 후, 생성물을 여과시킴을 제외하고는, 합성 실시예 3에서와 동일한 방식으로 수득한다. 수득된 생성물의 점도는 25mPaㆍs이다. 0.008㎎/g에 해당하는 총 산가가 JIS K2501 (1992)에 따라 측정된다:
(HMe2SiO1 /2)O.60(PhSiO3 /2)O.40, H0 .60Me1 .20Ph0 .40SiO0 .90
[합성 실시예 6]
교반기, 환류 냉각기, 도입부 및 온도계가 장착된 4구 플라스크에 디페닐디메톡시실란 220g과 트리플루오로메탄설폰산 0.59g과의 혼합물을 충전한다. 성분들을 혼합하고, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 147g과 배합하고 성분들을 교반하면서, 아세트산 108g을 30분 동안 적가한다. 첨가를 완료한 후, 액체 혼합물을 교반 조건하에 5O℃로 가열하고, 반응을 3시간 동안 수행한다. 실온으로 냉각시킨 후, 톨루엔 및 물을 첨가하고, 혼합물을 잘 혼합하고, 잠시 정치시키고 물 층을 분리시킨다. 톨루엔 용액 층을 3회 물로 세척한 후, 생성물을 감압하에 농축시키고 디페닐하이드로겐폴리실록산(가교결합제 D) 295g을 수득한다. 수득된 생성물의 점도는 4mPaㆍs이다. 1.700㎎/g에 해당하는 총 산가는 JIS K2501 (1992)에 따라 측정한다:
(HMe2SiO1/2)(Ph2SiO2/2)(SiO1/2Me2H).
[합성 실시예 7]
하기 화학식의 디페닐하이드로겐폴리실록산(가교결합제 E) 295g을, 톨루엔 용액 층을 물로 6회 세척함을 제외하고는, 합성 실시예 6에서와 동일한 방식으로 수득한다. 수득된 생성물의 점도는 4mPaㆍs이다. 0.115㎎/g에 해당하는 총 산가가 JIS K2501 (1992)에 따라 측정된다:
(HMe2SiO1/2)(Ph2SiO2/2)(SiO1/2Me2H)
[합성 실시예 8]
하기 화학식의 디페닐하이드로겐폴리실록산(가교결합제 F) 293g을, 톨루엔 용액 층을 물로 6회 세척하고 활성탄 1.5g을 교반 조건하에 첨가하고, 생성물을 여과시키고 감압하에 농축시킴을 제외하고는, 합성 실시예 6에서와 동일한 방식으로 수득한다. 수득된 생성물의 점도는 4mPaㆍs이다. 0.020㎎/g에 해당하는 총 산가가 JIS K2501 (1992)에 따라 측정된다:
(HMe2SiO1/2)(Ph2SiO2/2)(SiO1/2Me2H)
[합성 실시예 9]
교반기, 환류 냉각기, 도입부 및 온도계가 장착된 4구 플라스크에 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 82.2g, 물 143g, 트리플루오로메탄설폰산 0.38g과 톨루엔 500g과의 혼합물을 충전한다. 성분들을 혼합하고 성분들을 교반하면서, 페닐트리메톡시실란 524.7g을 1시간 동안 적가한다. 첨가 완료 후, 생성물을 1시간 동안 가열하면서 환류시킨다. 냉각시킨 후, 하층을 분리시키고 톨루엔 용액 층을 물로 3회 세척한다. 세척된 톨루엔 용액 층을 메틸글리시독시프로필디메톡시실란 314g, 물 13Og 및 수산화칼륨 0.5Og과 배합한다. 혼합물을 1시간 동안 가열하면서 환류시킨다. 이후에, 메탄올을 제거하고 초과량의 물을 공비 탈수로 제거한다. 생성물을 가열하면서 4시간 환류시킨다. 반응 완료 후, 톨루엔 용액을 냉각시키고, 아세트산 0.55g으로 중화시키고 물로 3회 세척한다. 물을 제거한 후, 하기 평균 단위 화학식 및 평균 구조 화학식으로 표시된 액체 메틸페닐비닐에폭시폴리실록산 수지(첨가제 A) 664g을 수득한다. 폴리스티렌-표준 중량-평균 분자량은 겔-투과 크로마토그래피로 측정하고 2,100에 해당한다. 0.002㎎/g에 해당하는 총 산가가 JIS K2501 (1992)에 따라 측정된다. 수득된 생성물의 점도는 8,500mPaㆍs이다.
(ViMe2Si01 /2)25(Ph2SiO3 /2)75(EpMeSiO2 /2)40,
[Vi0 .18Me0 .64Ep0 .29Ph0 .54SiO1 .18].
(여기서, Ep는 글리시독시프로필 그룹이다)
[합성 실시예 10]
교반기, 환류 냉각기, 도입부 및 온도계가 장착된 4구 플라스크에 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 82.2g, 물 143g, 트리플루오로메탄설폰산 0.38g과 톨루엔 500g과의 혼합물을 충전한다. 성분들을 혼합하고 성분들을 교반하면서, 페닐트리메톡시실란 524.7g을 1시간 동안 적가한다. 첨가 완료 후, 생성물을 1시간 동안 가열하면서 환류시킨다. 냉각시킨 후, 하층을 분리시키고 톨루엔 용액 층을 물로 3회 세척한다. 세척된 톨루엔 용액 층을 글리시독시프로필트리메톡시실란 336g, 물 6g 및 수산화칼륨 0.50g과 배합한다. 이후에, 메탄올을 제거하고 가열하면서 환류를 4시간 동안 계속한다. 반응 완료 후, 톨루엔 용액을 냉각시키고, 아세트산 0.55g으로 중화시키고 3회 물로 세척한다. 물을 제거하고 톨루엔을 증류시키고 감압하에 농축시킨 후, 하기 평균 단위 화학식 및 평균 구조 화학식으로 표시된 액체 메틸페닐비닐에폭시폴리실록산 수지(첨가제 B) 670g을 수득한다. 폴리스티렌-표준 중량-평균 분자량은 겔-투과 크로마토그래피로 측정하고 1,700에 해당한다. 0.005㎎/g에 해당하는 총 산가가 JIS K2501 (1992)에 따라 측정된다. 수득된 생성물의 점도는 700mPaㆍs이다.
(ViMe2Si01 /2)25(Ph2SiO3 /2)75(EpSi03 /2)40(OMe)50,
[Vi0 .18Me0 .36Ep0 .29Ph0 .54Si01 .32(OMe)0.36].
(여기서, Ep는 글리시독시프로필 그룹이다)
[조성물에서 사용된 다른 화합물]
가교결합제 G
메틸에틸실록산과 메틸수소실록산과의 공중합체가 하기 기재되어 있다.
Figure 112008006893514-pct00002
상기 화학식에서, Me는 메틸 그룹이고, Et는 에틸 그룹이다.
JIS K2501 (1992)에 따른 총 산가는 0.004㎎/g이다. 가교결합제 G는 가스상 에틸렌과 규소-결합된 수소 원자를 갖는 화학식 (HMeSiO2/2)4의 사이클릭 오가노올리고실록산 사이의 첨가 반응을 수행하여 수득하고, 반응은 백금 촉매의 존재하에 수행하고, 이어서 수득된 생성물을 정제를 위해 증류시킨다.
지연제
사이클로테트라메틸테트라비닐테트라실록산
백금 촉매
백금과 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과의 착물(금속 백금의 함량은 4중량%이다).
희석제 A
디페닐비스(디메틸비닐실록시)실란
희석제 B
페닐트리스(디메틸비닐실록시)실란
첨가제 C
글리시독시프로필트리메톡시실란과, 메틸 비닐실록산과 하기 화학식의 분자 말단에서 실란올 그룹으로 캡핑된 디메틸실록산과의 공중합체와의 축합반응 생성물.
CH30(CH3O(Ep)SiO0.5)x(MeViSiO0.5)x(Me2SiO0 .5)xOCH3:
상기 화학식에서, Ep는 글리시독시프로필 그룹이고, 첨자 "x"는 축합반응 생성물의 점도와 관련되고, 이는 30mPaㆍs이다.
[응용 실시예 1]
합성 실시예 3에서 수득한 가교결합제 B를 합성 실시예 1에서 수득한 폴리오가노실록산 수지 A에 첨가하고 성분들을 균일하게 혼합하여 점성 액체를 형성한다. 수득한 액체를 상기 언급된 지연제 및 백금 촉매와 추가로 배합하고 성분들을 혼합하여 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물을 생성시킨다. 수득한 경화성 실리콘 조성물을 점도, 총 산가, 굴절율 및 투광도에 대해 시험한다. 당해 조성물을 10MPa의 압력하에 15분 동안 150℃에서 경화시킨다. 수득한 경화체의 경도 및 투광도를 측정한다. 수득한 성형 제품의 투광도 특성을 성형 제품을 28일 동안 200℃에서 가열한 후 제2 시간 동안 측정한다. 추가로, 수득한 조성물의 은-도금된 강철 판, PPA(폴리프탈아미드 수지) 패널 및 BT 수지(비스말레이미드-트리아진 수지) 패널에의 접착력을 평가하기 위해, 조성물로부터 성형된 제품을 다이-전단 시험한다. 성형 제품의 표면을 육안으로 관찰한다. 사용된 조성물은 표 1에 기재되어 있고, 결과는 표 5에 기재되어 있다.
[응용 실시예 2 내지 응용 실시예 5 및 응용 실시예 7 내지 응용 실시예 14]
응용 실시예 1과 유사하게, 표 1 내지 표 3에 기재된 수지, 가교결합제, 지연제, 백금 촉매 및 다른 첨가제를 적절한 오가노폴리실록산 수지 조성물의 제조를 위해 배합한다. 응용 실시예 1에서와 동일한 형태의 특성을 평가한다. 평가 결과가 표 5 내지 표 7에 기재되어 있다.
[비교 실시예 1 및 비교 실시예 2]
응용 실시예 1과 유사하게, 표 4에 기재된 수지, 가교결합제, 지연제 및 백금 촉매를 적절한 오가노폴리실록산 수지 조성물의 제조를 위해 배합한다. 응용 실시예 1에서와 동일한 형태의 특성을 평가한다. 평가 결과가 표 8에 기재되어 있다.
Figure 112011031406606-pct00012
Figure 112012098319861-pct00016
Figure 112012098319861-pct00017
Figure 112011031406606-pct00015
Figure 112008006893514-pct00007
Figure 112012098319861-pct00018
Figure 112008006893514-pct00009
Figure 112008006893514-pct00010
산업상 이용가능성
본 발명의 경화성 실리콘 조성물로부터 수득된 경화체는 고온에 노출되더라도 투명하고 투광도 특성이 현저하게 감소되지 않으므로, 당해 조성물은 광학 부품, 즉 실온, 예를 들면, 50 내지 200℃보다 높은 온도에서 작동되는 부품, 예를 들면, 고강도 광원 위에 또는 그 근처에 직접적으로 설치되는 부품을 제조하기에 적합하다. 추가로, 당해 조성물은 목적하는 접착제 특성으로 용이하게 제조될 수 있으므로, 당해 조성물은 실란트, 접착제 물질, 팟팅제(potting agent), 보호 코팅제, 언더충전제, 또는 광학 반도체 부재 및 광-가이딩 부품과 관련하여 사용하기 위한 유사한 물질로서 사용하기에 적합하다. 본 발명의 광학 부품은 고온에 노출될 때 투광도 특성이 감소하지 않고, 제조 동안 발생할 수 있는 고온의 효과하에 투광도 특성의 미미한 감소로 인해, 상기 언급된 부품은 장기간 신뢰도로 특징지어지고 고강도의 발광 부재 또는 유사한 광학 반도체 장치 및 고강도 광원 근처에서 작동되는 부품으로서 사용하기에 특히 적합하다.

Claims (9)

  1. 25℃에서의 점도가 0.001 내지 5,000Paㆍs이고, JIS K 2501 (1992)로 측정한 총 산가가 0.0001 내지 0.2㎎/g이고, 경화된 상태에서 555㎚ 파장에서의 투광도가 80% 이상이며,
    (A) 적어도 알케닐 그룹 및 페닐 그룹을 포함하는 화학식 1의 오가노폴리실록산 수지 100중량부,
    (B) 하나의 분자에 2개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 화학식 2의 오가노하이드로겐폴리실록산 10 내지 100중량부 및
    (C) 촉매량의 하이드로실릴화 반응 촉매
    를 포함하는, 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물.
    화학식 1
    R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
    화학식 2
    HcR3 dSi0(4-c-d)/2
    위의 화학식 1 및 화학식 2에서
    R1은 탄소수 2 내지 10의 알케닐 그룹이고,
    R2는 C1-6 알킬 그룹, C3-6 사이클로알킬 그룹, C6-10 아릴 그룹, C1-6 할로알킬 그룹, 또는 C6-10 아르알킬 그룹이고, R2의 20몰% 이상은 페닐 그룹을 포함하고,
    R3은 C1-6 알킬 그룹, C3-6 사이클로알킬 그룹, C6-10 아릴 그룹, C1-6 할로알킬 그룹, 또는 C6-10 아르알킬 그룹이고,
    첨자 "a"는 0.05 내지 0.5의 수이고,
    첨자 "b"는 0.80 내지 1.80의 수이고,
    첨자 "c"는 0.35 내지 1.0의 수이고,
    첨자 "d"는 0.90 내지 2.0의 수이다.
  2. 제1항에 있어서, JIS K 2501 (1992)로 측정한 총 산가가 0.0001 내지 0.100㎎/g인, 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 성분(B)가 (B1) 하나의 분자에 2개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 오가노하이드로겐폴리실록산 또는 상기 언급된 성분(B1)과 (B2) 하나의 분자에 3개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 오가노하이드로겐폴리실록산과의 혼합물을 포함하는, 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, (D) 적어도 알케닐 그룹 및 페닐 그룹을 갖는 화학식 3의 오가노올리고실록산 2 내지 50중량부를 추가로 포함하는, 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물.
    화학식 3
    R6 eR7 fSiO(4-e-f)/2
    위의 화학식 3에서,
    R6은 탄소수 2 내지 10의 알케닐 그룹이고,
    R7은 C1-6 알킬 그룹, C3-6 사이클로알킬 그룹, C6-10 아릴 그룹, C1-6 할로알킬 그룹, 또는 C6-10 아르알킬 그룹이고, R7의 10몰% 이상은 페닐 그룹이고,
    첨자 "e"는 0.40 내지 0.80의 수이고,
    첨자 "f"는 1.50 내지 2.10의 수이다.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, (E) 에폭시-함유 유기 규소 화합물 0.01 내지 20중량부를 추가로 포함하는, 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물.
  6. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제5항에 있어서, 에폭시-함유 유기 규소 화합물(E)이 화학식 4의 화합물인, 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물.
    화학식 4
    R8 hR9 iSi0(4-h-i)/2
    위의 화학식 4에서,
    R8은 에폭시-함유 유기 그룹이고,
    R9는 C1-6 알킬 그룹, C2-6 알케닐 그룹, C6-10 아릴 그룹, 또는 C6-10 아르알킬 그룹이고,
    성분(E)의 모든 치환체의 1몰% 이상은 알케닐 그룹을 포함하고,
    첨자 "h"는 0.05 내지 1.8의 수이고,
    첨자 "i"는 0.10 내지 1.80의 수이다.
  7. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제6항에 있어서, 화학식 4에서, 첨자 "h"가 0.10 내지 1.80의 수이고, (h + i)가 2 이상이고, 성분(E)의 치환체 총 수의 3몰% 이상이 알케닐 그룹이고, 성분(E)의 치환체 총 수의 3몰% 이상이 페닐 그룹인, 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물.
  8. 제1항 또는 제2항에 따르는 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 경화체로부터 제조된 광학 부품.
  9. 제8항에 있어서, 광학 반도체 장치를 경화성 오가노폴리실록산 수지 조성물의 경화체로 피복된 광학 반도체 부재로서 포함하는, 광학 부품.
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