KR101252084B1 - Method for manufacturing LCD - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
- G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
본 발명은 액정표시소자의 제조시에 코팅 및 베이킹 공정과 상압 프라즈마를 이용한 애슁 공정을 동일 챔버 내에서 수행할 수 있는 액정표시소자의 제조 방법을 제공하는 것으로, 제 1 챔버 내에서, 기판 상에 포토레지스트를 도포하여 코팅시키는 제 1 단계; 상기 제 1 챔버 내에서, 상기 코팅된 포토레지스트를 경화시키는 제 2 단계; 및 상기 제 1 챔버 내에서, 상기 경화된 포토레지스트를 상압 프라즈마를 이용하여 애슁하는 제 3 단계를 포함한다.The present invention provides a method for manufacturing a liquid crystal display device capable of performing a coating and baking process and an ashing process using an atmospheric pressure plasma in the same chamber at the time of manufacturing the liquid crystal display device, in the first chamber, on the substrate A first step of applying and coating a photoresist; In the first chamber, a second step of curing the coated photoresist; And a third step of ashing the cured photoresist using an atmospheric pressure plasma in the first chamber.
액정표시소자, 코팅, 상압, 프라즈마, 챔버 LCD, Coating, Atmospheric Pressure, Plasma, Chamber
Description
도 1은 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing an active matrix type liquid crystal display device.
도 2는 종래의 액정표시소자의 제조 방법을 설명하기 위한 예시도이다.2 is an exemplary view for explaining a method of manufacturing a conventional liquid crystal display device.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 제조 방법을 설명하기 위한 예시도이다.3 is an exemplary view for explaining a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명에 사용되는 코팅 공정장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the coating process apparatus used in the present invention.
도 5는 본 발명에 사용되는 상압 프라즈마 애슁 공정장치의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of an atmospheric pressure plasma ashing apparatus used in the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
600: 코팅 공정장치 610: 유리 기판600: coating process equipment 610: glass substrate
620: 진공척 630: 로터 컵620: vacuum chuck 630: rotor cup
640: 에어 실린더 650: 타이밍 벨트640: air cylinder 650: timing belt
660: 모터 700: 베이킹 공정장치660: motor 700: baking process equipment
800: 상압 프라즈마 애슁 공정장치 900: 이송장치800: atmospheric plasma ashing process equipment 900: feeder
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 액정표시소자의 제조시에 코팅 및 베이킹 공정과 상압 프라즈마를 이용한 애슁 공정을 동일 챔버 내에서 수행할 수 있는 액정표시소자의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a method for manufacturing a liquid crystal display device capable of performing a coating and baking process and an ashing process using an atmospheric pressure plasma in the same chamber.
최근의 정보화 사회에서 표시소자는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 어느 때보다 강조되고 있다. 현재 주류를 이루고 있는 음극선관(Cathode Ray Tube) 또는 브라운관은 무게와 부피가 큰 문제점이 있다. In today's information society, display elements are more important than ever as visual information transfer media. Cathode ray tubes or cathode ray tubes, which are currently mainstream, have problems with weight and volume.
평판표시소자에는 액정표시소자(Liquid Crystal Display : LCD), 전계 방출 표시소자(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP) 및 전계발광소자(Electroluminescence : EL) 등이 있고 이들 대부분이 실용화되어 시판되고 있다.The flat panel display device includes a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an electroluminescence (EL). Most are commercially available and commercially available.
액정표시소자는 전자제품의 경박단소 추세를 만족할 수 있고 양산성이 향상되고 있어 많은 응용분야에서 음극선관을 빠른 속도로 대체하고 있다. Liquid crystal display devices can meet the trend of light and short and short of electronic products and mass production is improving, and are rapidly replacing cathode ray tubes in many applications.
특히, 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, "TFT"라 한다)를 이용하여 액정셀을 구동하는 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자는 화질이 우수하고 소비전력이 낮은 장점이 있으며, 최근의 양산기술 확보와 연구개발의 성과로 대형화와 고해상도화로 급속히 발전하고 있다. In particular, an active matrix type liquid crystal display device that drives a liquid crystal cell using a thin film transistor (hereinafter referred to as "TFT") has the advantages of excellent image quality and low power consumption, and secures the latest mass production technology. As a result of research and development, it is rapidly developing into larger size and higher resolution.
이러한 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자는 도 1과 같이 액정층(15)을 사이에 두고 합착되는 컬러필터 기판(22)과 TFT 어레이 기판(23)을 구비한다. 도 1에 도시된 액정표시소자는 전체 유효화면의 일부를 나타낸 것이다. The active matrix type liquid crystal display device includes a
컬러필터 기판(22)에는 상부 유리기판(12)의 배면 상에 도시하지 않은 블랙 매트릭스, 컬러필터(13)와 공통전극(14)이 형성된다. 상부 유리기판(12)의 전면 상에는 편광판(11)이 부착된다. 컬러필터(13)는 적(R), 녹(G) 및 청(B) 색의 컬러필터를 포함하여 특정 파장대역의 가시광을 투과시킴으로써 컬러표시를 가능하게 한다. In the
TFT 어레이 기판(23)에는 하부 유리기판(16)의 전면에 데이터라인들(19)과 게이트라인들(18)이 상호 교차되며, 그 교차부에 TFT들(20)이 형성된다. 그리고 하부 유리기판(16)의 전면에는 데이터라인(19)과 게이트라인(18) 사이의 셀 영역에 화소전극(21)이 형성된다. TFT(20)는 게이트라인(18)으로부터의 스캐닝신호에 응답하여 데이터라인(19)과 화소전극(21) 사이의 데이터 전송패스를 절환함으로써 화소전극(21)을 구동하게 된다. TFT 어레이 기판(23)의 배면에는 편광판(17)이 부착된다. In the
액정층(15)은 자신에게 인가된 전계에 의해 TFT 어레이 기판(23)을 경유하여 입사되는 빛의 투과량을 조절한다. The
컬러필터 기판(22)과 TFT 기판(23) 상에 부착된 편광판들(11,17)은 어느 한 방향으로 편광된 빛을 투과시키게 되며, 액정(15)이 90°TN 모드일 때 그들의 편광방향은 서로 직교하게 된다. The polarizing
컬러필터 기판(22)과 어레이 TFT 기판(23)의 액정 대향면들에는 도시하지 않은 배향막이 형성된다. An alignment film (not shown) is formed on the liquid crystal facing surfaces of the
액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자를 제조하기 위한 제조공정은 기판 세정, 기판 패터닝 공정, 배향막형성/러빙 공정, 기판합착/액정주입 공정, 실장 공정, 검사 공정, 리페어(Repair) 공정 등으로 나뉘어진다. 기판세정 공정은 액정표시소자의 기판 표면에 오염된 이물질을 세정액으로 제거한다. 기판 패터닝 공정은 컬러필터 기판의 패터닝 공정과 TFT 어레이 기판의 패터닝 공정으로 나뉘어 실시된다. 배향막형성/러빙 공정은 컬러필터 기판과 TFT 어레이 기판 각각에 배향막을 도포하고 그 배향막을 러빙포 등으로 러빙하게 된다. 기판합착/액정주입 공정은 실재(Sealant)를 이용하여 컬러필터 기판과 TFT 어레이기판을 합착하고 액정주입구를 통하여 액정과 스페이서를 주입한 다음, 그 액정주입구를 봉지한다. 실장공정은 게이트 드라이브 집적회로 및 데이터 드라이브 집적회로 등의 집적회로가 실장된 테이프 케리어 패키지(Tape Carrier Package : 이하, "TCP"라 한다)를 기판 상의 패드부에 접속시키게 된다. 이러한 드라이브 집적회로는 전술한 TCP를 이용한 테이프 오토메이티드 본딩(Tape Automated Bonding) 방식 이외에 칩 온 글라스(Chip On Glass, COG) 방식 등으로 기판 상에 직접 실장될 수도 있다. 검사 공정은 TFT 어레이 기판에 데이터라인과 게이트라인 등의 신호배선과 화소전극이 형성된 후에 실시되는 전기적 검사와 기판합착/액정주입 공정 후에 실시되는 전기적검사 및 육안검사를 포함한다. 리페어 공정은 검사 공정에 의해 리페어가 가능한 것으로 판정된 기판에 대한 복원을 실시한다. 검사 공정에서 리페어가 불가능한 기판들은 폐기처분된다. A manufacturing process for manufacturing an active matrix liquid crystal display device is divided into a substrate cleaning, a substrate patterning process, an alignment film forming / rubbing process, a substrate bonding / liquid crystal injection process, a mounting process, an inspection process, a repair process, and the like. In the substrate cleaning process, foreign substances contaminated on the substrate surface of the liquid crystal display device are removed with a cleaning liquid. The substrate patterning process is divided into a patterning process of a color filter substrate and a patterning process of a TFT array substrate. In the alignment film formation / rubbing process, an alignment film is applied to each of the color filter substrate and the TFT array substrate, and the alignment film is rubbed with a rubbing cloth or the like. In the substrate bonding / liquid crystal injection process, a color filter substrate and a TFT array substrate are bonded together using a sealant, a liquid crystal and a spacer are injected through the liquid crystal injection hole, and then the liquid crystal injection hole is sealed. In the mounting process, a tape carrier package (hereinafter referred to as "TCP") in which integrated circuits such as a gate drive integrated circuit and a data drive integrated circuit are mounted is connected to a pad portion on a substrate. Such a drive integrated circuit may be directly mounted on a substrate by a chip on glass (COG) method in addition to the tape automated bonding method using the aforementioned TCP. The inspection process includes an electrical inspection performed after signal wiring such as data lines and gate lines and pixel electrodes are formed on the TFT array substrate, and an electrical inspection and a visual inspection performed after the substrate bonding / liquid crystal injection process. The repair process restores the substrate that is determined to be repairable by the inspection process. Non-repairable substrates are discarded in the inspection process.
상기한 바와 같은 액정표시소자를 포함한 대부분의 평판 표시소자를 제조함 에 있어, 기판 상에 적층되는 박막 물질은 포토리소그래피(Photorithography) 공정으로 패터닝되는데, 이러한 포토리소그래피 공정은 일반적으로 포토레지스트(Photoresist) 코팅, 코팅된 포토레지스트의 경화, 마스크 정렬, 노광, 현상 및 세정을 포함하는 일련의 사진공정이다.In manufacturing most flat panel display devices including the liquid crystal display device as described above, the thin film material laminated on the substrate is patterned by a photolithography process, which is generally a photoresist (Photoresist) A series of photographic processes including coating, curing of coated photoresist, mask alignment, exposure, development and cleaning.
이러한 포토레지스트 코팅 및 베이킹(Baking) 공정이 수행된 후 진공 프라즈마를 이용한 애슁(Ashing) 공정이 수행되는데, 여기서 애슁 공정은 하나의 챔버 내에서 수행되는 반면에 애슁 공정은 다른 챔버에서 진공 프라즈마에 의해 수행된다.After the photoresist coating and baking process is performed, an ashing process using vacuum plasma is performed, where the ashing process is performed in one chamber, while the ashing process is performed by vacuum plasma in another chamber. Is performed.
도 2를 참조하여 종래의 액정표시소자의 제조 방법을 살펴보면, 하나의 챔버 내에서 코팅 공정장치(100)를 이용해 포토레지스트를 기판 상에 코팅하여 코팅된 기판을 이송장치(200)로 베이킹 공정장치(300)까지 이송한 후 베이킹 공정장치(200)를 이용해 기판 상에 코팅된 포토레지스트를 베이킹하여 경화시킨다. 이렇게 하나의 챔버 내에서 코팅 및 베이킹 공정이 수행되고 나면, 자동반송장치(AGV : Auto Guided Vehicle)(400)를 이용하여 경화된 기판을 다른 챔버에 구비된 진공 프라즈마 애슁 공정장치(500)로 이송시켜 진공 프라즈마에 의한 애슁 공정을 수행한다.Referring to FIG. 2, a method of manufacturing a conventional liquid crystal display device is described. In one chamber, a photoresist is coated on a substrate using a
이와 같이 종래의 액정표시소자의 제조 방법을 통해 기판을 코팅 및 애슁하는 경우, 자동반송장치(400)에 의해 기판이 하나의 챔버로부터 다른 챔버로 반송되는 과정에서 이물질이 혼입되는 문제점이 있었다.As described above, in the case of coating and ashing the substrate through the conventional method of manufacturing the liquid crystal display device, there is a problem in that foreign matter is mixed in the process of transferring the substrate from one chamber to the other chamber by the
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 액정표시소자의 제조시에 코팅 및 베이킹 공정과 상압 프라즈마를 이용한 애슁 공정을 동일 챔버 내에서 수행할 수 있는 액정표시소자의 제조 방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of performing a coating and baking process and an ashing process using an atmospheric pressure plasma in the same chamber in the manufacture of the liquid crystal display device. It is providing the manufacturing method of the.
본 발명의 목적은 액정표시소자의 제조시에 코팅 및 베이킹 공정과 상압 프라즈마를 이용한 애슁 공정을 동일 챔버 내에서 수행함으로써, 하나의 챔버에서 다른 챔버로 기판을 반송하는 중에 이물질이 혼입되는 것을 방지할 수 있는 액정표시소자의 제조 방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to perform a coating and baking process and an ashing process using atmospheric pressure plasma in the same chamber in manufacturing a liquid crystal display device, thereby preventing foreign matters from being mixed while transferring the substrate from one chamber to another chamber. It is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device that can be.
본 발명의 목적은 액정표시소자의 제조시에 코팅 및 베이킹 공정과 상압 프라즈마를 이용한 애슁 공정을 동일 챔버 내에서 수행함으로써, 반송시간을 절감할 수 있는 액정표시소자의 제조 방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, which can reduce a transportation time by performing a coating and baking process and an ashing process using an atmospheric pressure plasma in the same chamber in manufacturing the liquid crystal display device.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 제 1 챔버 내에서, 기판 상에 포토레지스트를 도포하여 코팅시키는 제 1 단계; 상기 제 1 챔버 내에서, 상기 코팅된 포토레지스트를 경화시키는 제 2 단계; 및 상기 제 1 챔버 내에서, 상기 경화된 포토레지스트를 상압 프라즈마를 이용하여 애슁하는 제 3 단계를 포함한다.The present invention for achieving the above object, in the first chamber, a first step of coating and coating a photoresist on a substrate; In the first chamber, a second step of curing the coated photoresist; And a third step of ashing the cured photoresist using an atmospheric pressure plasma in the first chamber.
본 발명은 상기 제 1 단계에서 기판 상에 포토레지스트를 도포한 후 기판을 회전시켜 도포된 포토레지스트를 코팅하는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that after coating the photoresist on the substrate in the first step to coat the applied photoresist by rotating the substrate.
본 발명은 상기 제 2 단계에서 상기 코팅된 포토레지스트에 열을 가하여 경 화시키는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that the curing by applying heat to the coated photoresist in the second step.
본 발명은 상기 제 3 단계에서 상기 경화된 포토레지스트에 상압 프라즈마를 가격하여 기판 상에서 포토레지스트를 제거하는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that in the third step to remove the photoresist on the substrate by applying an atmospheric pressure plasma to the cured photoresist.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 제조 방법을 설명하기 위한 예시도이다.3 is an exemplary view for explaining a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명에서는, 상압에서 공정이 수행되는 하나의 챔버 내에, 코팅 공정장치(600), 베이킹 공정장치(700) 및 상압 프라즈마 애슁 공정장치(800)를 설치하며, 그리고 상기 챔버 내에는 코팅 공정장치(600)에 의해 코팅된 기판을 베이킹 공정장치(700)로 이송하기 위한 이송장치(900)가 구비된다.Referring to FIG. 3, in the present invention, a
코팅 공정장치(600)는 상기 챔버 내에 반입된 기판 상에 포토레지스트를 도포한 후 기판을 회전시켜 포토레지스트를 코팅하는 것으로, 이에 관한 보다 구체적인 설명은 다음에 첨부된 도 4를 참조하여 설명한다.The
베이킹 공정장치(700)는 기판 상에 코팅된 포토레지스트에 열을 가하여 코팅된 포토레지스트를 경화시킨 후 상압 프라즈마 애슁 공정장치(800)로 이송신킨다.The
상압 프라즈마 애슁 공정장치(800)는 코팅 및 경화 공정이 수행된 기판을 상압 프라즈마스를 이용해 애슁하여 기판 상의 포토레지스트를 제거하는 것으로, 이에 관한 상세 설명은 다음에 첨부된 도 5를 참조하여 설명한다. 특히, 플라즈마 처리를 하는 챔버 내의 두 전극 중 일측 전극을 절연 특성이 좋은 유전체 물질로 절 연한 후, 타측에 무선주파수(RF : Radio Frequency)를 인가하면 대기압 상태에서도 상기 두 전극 사이에 사일런트(silent) 방전이 일어나고, 캐리어 가스(Carrier gas)로 준안정 상태(meta-stable state)인 불활성 기체(inert gas), 예를 들어 He, Ar를 이용하면 대기압 중에서도 균일하고 안정된 상태의 플라즈마를 얻을 수 있다.The atmospheric plasma
이와 같이 본 발명에서는 코팅 공정장치(600) 및 베이킹 공정장치(700)와 상압 프라즈마를 이용한 애슁 공정장치(800)를 하나의 챔버 내에 설치하고, 동일 챔버 내에서 기판을 코팅 및 경화시킨 후 상압 프라즈마를 이용하여 애슁함으로써, 자동반송장치(200)에 의한 반송 과정을 생략한다. 이에 따라, 본 발명은 하나의 챔버에서 다른 챔버로 기판을 반송하는 중에 이물질이 혼입되는 것을 방지함과 아울러 반송시간을 절감할 수 있다.As described above, in the present invention, the
도 4는 본 발명에 사용되는 코팅 공정장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the coating process apparatus used in the present invention.
도 4를 참조하면, 코팅 공정장치(600)는, 유리 기판(610)과, 유리 기판(610)을 진공에 의한 흡착력으로 고정시켜 주기 위한 진공척(620)과, 유리 기판(610)이 로딩된 진공척(620)을 안치시키기 위한 로터 컵(Rotor Cup)(630)과, 로터(630)의 회전축을 이루는 에어 실린더(Air Cylinder)(640)와, 에어 실린더(640)에 회전력을 제공하기 위한 타이밍 벨트(Timing Belt)(650)와, 타이밍 벨트(650)를 회전시키기 위한 모터(660)를 구비한다.Referring to FIG. 4, the
여기서, 진공척(620)에는 진공에 의한 흡착력을 발생시키는 진공라인들이 형성되되, 일정간격으로 이격되어 형성되며, 특히 진공라인들은 원형 평면을 이루는 진공척 상에 다수의 홈 형태로 형성된다.Here, the
이와 같은 구성을 갖는 코팅 공정장치(600)를 이용하여 유리 기판(610)을 코팅하는 과정에 대하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the process of coating the
먼저 로터 컵(630)에 진공척(620)을 안치시킨 다음, 진공척(620) 상단에 유리 기판(610)을 고정시킨다. 이때, 진공척(620) 상단에 유리 기판(610)을 부착시킨 다음, 진공척(620)의 진공라인들 내에 분포된 공기를 모두 제거하여 흡착력을 발생시킴으로써, 이 흡착력에 의해 유리 기판(610)이 진공척(620) 상부에 고정되도록 한다.First, the
이와 같이 유리 기판(610)을 고정시킨 진공척(620)이 로터 컵(630)에 안치된 상태에서, 관리자나 별도의 자동제어기기 등이 모터(660)를 회전시킨다. 이때, 모터(660)는 타이밍 벨트(650)를 회전시켜 에어 실린더(640)가 회전되도록 한다.In such a state that the
이렇게 로터 컵(630)의 회전축을 이루는 에어 실린던(640)가 회전됨으로써, 로터 컵(630) 내에 안치된 유리 기판(610)이 회전되어 도포된 포토레지스트가 코팅된다.As the
도 5는 본 발명에 사용되는 상압 프라즈마 애슁 공정장치의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of an atmospheric pressure plasma ashing apparatus used in the present invention.
도 5를 참조하면, 상압 프라즈마 애슁 공정장치(800)는, 가스 유입 개구부(811)와 가스 유출 개구부(812, 813)를 구비한 챔버(810)와, 챔버(810) 내에 배치되어 기판(820)이 장착되는 스테이지(830)와, 스테이지(830) 표면 및 스테이지(853)로부터 일정간격 이격되어 서로 대향되도록 형성되는 제 1 및 제 2 플레이트(840, 850)와, 챔버(810) 외부에 설치되어 제 2 플레이트(850)에 무선주파수(RF)를 발생시켜 인가하는 RF 파워 소오스(860)와, 챔버(810)의 가스 유입 개구부(811)를 통해 반응 가스 또는 분위기 가스를 공급하는 가스 공급부(870)와, 가스 공급부(870)에서 챔버(810)로 공급되는 반응 가스 또는 분위기 가스를 필터링하는 필터(880)를 구비하여 구성된다. 여기서, 제 1 플레이트(840)는 접지되고, 제 1 및 제 2 플레이트(840, 850)의 표면은 절연체(미도시)에 의해 보호되어 있다.Referring to FIG. 5, the atmospheric plasma
제 1 플레이트(840) 위에 기판(820)을 위치시키고, 가스 공급부(870)로부터 필터(880)를 통해 챔버(810)에 가스를 공급함과 동시에 제 2 플레이트(850)에 무선주파수(RF)를 인가하면, 제 1 및 제 2 플레이트(840, 850) 사이의 공급 가스는 플라즈마 상태가 된다.The
이때, 가스 공급부(870)로부터 공급되는 반응 가스 또는 분위기 가스의 성분과 제 2 플레이트(850)에 인가되는 무선주파수(RF) 파워의 세기 및 파형에 따라 기판(820) 상에 임의의 물질이 증착되거나 기판(820) 상에 형성된 물질이 애슁된다.In this case, any material is deposited on the
여기서, 가스 유출 개구부(812, 813)는 기판(820) 상의 플라즈마 표면 처리 이후 남은 가스들의 배출구이다.Here, the
이러한 상압 플라즈마 애슁 공정장치(800)는 무선주파수(RF) 파워 인가시 전계(Electric field)에 의해 가속된 이온의 분사물(bombardment)도 이용하므로 강한 세정력을 가지며, 유기물의 세정 및 배향막 등도 가능하다. 이 경우, 세정 유지는 7일 이상까지 가능하다. 또한, 강한 무선주파수(RF) 파워가 인가되기 때문에, 진공 방식과 동일하게 챔버(810)의 가스 유출 개구부(812, 813)를 통해 부산물(By-Product)이 배기되므로, 기판(820)에 파티클(particle)이 발생하거나 기판(820)이 오염되는 현상이 없다.The atmospheric plasma
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은, 하나의 챔버 내에서 포토레지스트 코팅 및 베이킹 공정을 수행한 후 상압 프라즈마를 이용한 애슁 공정을 수행함으로써, 하나의 챔버에서 다른 챔버로 기판을 반송하는 중에 이물질이 혼입되는 것을 방지함과 아울러 반송시간을 절감할 수 있다.As described above, the present invention performs a photoresist coating and baking process in one chamber, and then performs an ashing process using atmospheric pressure plasma, whereby foreign matter is mixed during the transfer of the substrate from one chamber to the other chamber. It is possible to reduce the conveyance time as well as to prevent it.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050130770A KR101252084B1 (en) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | Method for manufacturing LCD |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050130770A KR101252084B1 (en) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | Method for manufacturing LCD |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070068782A KR20070068782A (en) | 2007-07-02 |
KR101252084B1 true KR101252084B1 (en) | 2013-04-12 |
Family
ID=38504647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050130770A KR101252084B1 (en) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | Method for manufacturing LCD |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101252084B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106873200B (en) * | 2017-03-28 | 2020-01-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | Photoresist baking equipment |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050097530A (en) * | 2003-02-06 | 2005-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Display manufacturing method |
-
2005
- 2005-12-27 KR KR1020050130770A patent/KR101252084B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050097530A (en) * | 2003-02-06 | 2005-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Display manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070068782A (en) | 2007-07-02 |
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