KR101245769B1 - 화학기상증착장치, 화학기상증착장치용 가이드부재 및 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법 - Google Patents
화학기상증착장치, 화학기상증착장치용 가이드부재 및 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101245769B1 KR101245769B1 KR1020090068831A KR20090068831A KR101245769B1 KR 101245769 B1 KR101245769 B1 KR 101245769B1 KR 1020090068831 A KR1020090068831 A KR 1020090068831A KR 20090068831 A KR20090068831 A KR 20090068831A KR 101245769 B1 KR101245769 B1 KR 101245769B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- guide member
- vapor deposition
- susceptor
- chemical vapor
- deposition apparatus
- Prior art date
Links
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 47
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 3
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45572—Cooled nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
가스배출유로상에서 재순환현상이 발생하는 경우에 화학기상증착장치의 전체 설계 및 제작을 다시 하지 않더라도 서셉터와 반응실의 벽체 사이의 유로단면을 조절할 수 있는 구성이 필요하다. 본 발명에 따른 화학기상증착장치는, 내측에 반응실이 위치하고 배출구가 형성된 챔버와, 반응실에 마련되고 기판이 로딩되는 서셉터와, 기판을 향하여 공정가스를 배출하는 샤워헤드 및 공정가스의 배출유로를 형성하여 공정가스를 배출구까지 안내하는 가이드부재를 포함하고, 가이드부재는 서셉터의 외주와 챔버 사이에 마련된 외주벽을 포함한다. 본 발명에 따른 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법은, 배출유로의 단면적을 조절하도록 상이한 반경을 가지는 가이드부재로 교체하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법은, 배출유로의 단면적을 조절하도록 서셉터의 외주와 가이드부재 사이에 보조가이드부재를 삽입하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 화학기상증착장치, 화학기상증착장치용 가이드부재 및 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법에 관한 것이다.
유기금속화학기상증착법(MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor deposition)은 예컨대 III족 유기 금속을 기화시켜, 그것을 기판 표면에서 열분해시키고 V족 가스와 반응시켜 박막을 형성하는 방법이다. 이 방법은 막 두께나 조성의 제어가 가능하고, 또한 생산성이 우수하기 때문에 반도체 등을 제조할 때 이용되고 있다.
반응실에서 박막을 형성한 후 남은 가스는 반응실 외부로 배출된다. 배출되는 과정에서 가스가 기화온도 이하로 떨어지게 되면 원료가 파티클로 석출될 수 있다. 파티클이 석출되어 기판에 낙하되면 형성된 박막이 균일한 막질 또는 균일한 막두께 분포를 가지기 어렵다.
또한, 가스배출유로에 석출된 파티클이 부착되어 축적될 수 있으며, 이렇게 축적된 파티클은 보온효과를 가져오게 된다. 이러한 보온효과에 따라 기설정된 반응실의 온도에 차이가 발생할 수 있고, 이러한 온도 차이는 박막의 품질에 영향을 미칠 수 있다.
예를 들어, 기설정된 반응실의 온도에서 섭씨 1도 정도가 증가하더라도 제조되는 박막의 발광파장에 변화가 유발될 수도 있다.
배출가스가 균일한 흐름 분포를 이루지 못하는 경우, 즉 가스배출유로상에서 재순환유동현상, 또는 와류(vortex)가 발생하는 경우에는 파티클이 더많이 축적될 수 있다.
이러한 재순환현상이 발생하는 원인중의 하나는 서셉터와 반응실의 벽체 사이의 유로단면적이 적절하지 않기 때문이다.
기존의 유기금속화학기상증착장치의 경우, 서셉터와 반응실의 벽체 사이의 유로단면은 조절할 수 없는 고정요소이다. 따라서, 가스의 흐름 분포가 적절하지 않은 경우에 장치의 전체 설계 및 제작을 다시 해야 하는 문제가 있다.
석출된 파티클이 가스배출유로에 축적되지 않도록 할 필요가 있다. 이를 위하여 배출가스가 균일한 흐름 분포 또는 균일한 농도 분포를 이루어도록 하는 것이 필요하다. 즉, 가스배출유로상에서 재순환현상이 발생하지 않도록 하는 것이 필요하다.
화학기상증착장치의 전체 설계 및 제작을 다시 하지 않더라도 서셉터와 반응실의 벽체 사이의 유로단면은 조절할 수 있는 구성이 필요하다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자가 명확하게 이해할 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 화학기상증착장치는, 내측에 반응실이 위치하고 배출구가 형성된 챔버; 상기 반응실에 마련되고 기판이 로딩되는 서셉터; 상기 기판을 향하여 공정가스를 배출하는 샤워헤드; 및 상기 공정가스의 배출유로를 형성하여 상기 공정가스를 상기 배출구까지 안내하는 가이드부재를 포함하고, 상기 가이드부재는 상기 서셉터의 외주와 상기 챔버 사이에 마련된 외주벽을 포함한다.
또한, 상기 가이드부재는 상기 외주벽의 하단에서 상기 서셉터 방향으로 소 정의 곡률을 가지도록 굴곡연장되어 마련된 곡면부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 가이드부재는 상기 서셉터의 외주에 접하거나 근접하게 마련된 내주벽을 더 포함하고, 상기 내주벽의 하단은 상기 곡면부와 연결될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 화학기상증착장치용 가이드부재는, 내측에 반응실이 위치하고 배출구가 형성된 챔버와, 상기 반응실에 마련되고 기판이 로딩되는 서셉터와, 상기 기판을 향하여 공정가스를 배출하는 샤워헤드를 포함하는 화학기상증착장치에 사용되는 가이드부재에 있어서, 상기 가이드부재는 상기 기판을 거친 공정가스를 상기 배출구까지 안내하도록 상기 서셉터의 외주와 상기 챔버 사이에 위치하는 외주벽을 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법은, 상기 배출유로의 단면적을 조절하도록 상이한 반경을 가지는 가이드부재로 교체하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 반응실에서 재순환유동이 발생하는 경우, 상기 단계는 반경이 더 작은 가이드부재로 교체하는 단계를 포함할 수 있다.
또한. 상기 반응실에서 배출되는 가스배기압력 또는 가스배기속도가 과다한 경우, 상기 단계는 반경이 더 큰 가이드부재로 교체하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법은, 상기 배출유로의 단면적을 조절하도록 상기 서셉터의 외주와 상기 가이드부재 사이에 보조가이드부재를 삽입하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 반응실에서 재순환유동이 발생하는 경우, 상기 단계는 기존에 설 치된 가이드부재 또는 보조가이드부재의 반경보다 작은 반경의 보조가이드부재를 삽입하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 반응실에서 배출되는 가스배기압력 또는 가스배기속도가 과다한 경우, 상기 단계는 기존에 설치된 가이드부재 또는 보조가이드부재의 반경보다 큰 반경의 보조가이드부재로 교체하는 단계를 포함할 수 있다.
가스배출유동이 원활하게 됨에 따라 배출유로에서 파티클의 형성 및 축적현상이 예방 또는 감소된다.
또한, 가스배출유로의 설계가 적절하지 않더라도 전체 장치를 재설계 및 재조립하지 않고 가이드부재만을 교체하거나 추가 삽입함으로써 가스배출유로를 적정하게 조절할 수 있는 효과가 있다.
이에 따라, 장치의 재설계 및 재조립에 따른 비용 및 공수가 절감되는 효과가 있다.
본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태 로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다.
도 1은 제1실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 단면도로서, 가이드부재를 교체하기 이전의 구성이다.
본 실시예는 일반적인 유기금속화학기상증착(MOCVD)장치 등을 비롯하여 기타 다양한 화학기상증착장치에 적용가능하다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 제1챔버(100), 제2챔버(200), 샤워헤드(300), 비활성가스커튼부(400), 서셉터(500) 및 가이드부재(610)를 포함한다.
제1챔버(100)와 제2챔버(200)는 서로 합착되어 반응실(800)을 구성한다. 반응실(800) 내부에서 박막형성이 이루어진다. 제1챔버(100) 상측에는 박막을 형성하는 공정가스(G1)가 유입되는 공정가스유입구(101)가 마련될 수 있다. 제1챔버(100) 측면에는 비활성가스커튼부(400)로 비활성가스(G2)를 공급하는 비활성가스유입구(102)가 마련될 수 있으며, 경우에 따라 제1챔버(100)의 상면에 마련될 수도 있다.
제2챔버(200)의 하부측벽에는 박막을 형성하고 남은 가스(G1+G2)가 배출되는 제1배출구(201)가 마련될 수 있으며, 경우에 따라 제2챔버(200)의 바닥면에 마련될 수도 있다.
샤워헤드(300)에서는 박막의 원료가 되는 공정가스(G1)가 기판(S)을 향하여 분출된다. 비활성가스커튼부(400)에서는 비활성가스(G2)를 분사하여 가스의 배기작용을 촉진하게 된다.
서셉터(500) 상부에는 기판(S)이 로딩되어 그 상부에 박막을 형성한다. 서셉터(500) 내측에는 히터(미도시)가 마련될 수 있다.
균일한 박막형성을 위하여 서셉터(500)의 하부에는 기판(S)을 회전시킬 수 있는 회전부재(501)가 마련될 수 있다. 본 실시예에서는 기판(S)과 서셉터(500)가 일체로 회전하는 구성을 예시하였다.
가이드부재(610)는 외주벽(611), 곡면부(612), 내주벽(613) 및 제2배출구(615)를 포함한다.
외주벽(611)은 서셉터(500)의 외주와 제2챔버(200)의 벽체 사이에 위치한다. 외주벽(611)은 박막을 형성하고 남은 가스(G1+G2)를 가스배출구(201)로 유도한다.
내주벽(613)은 곡면부(612)에 의하여 외주벽(611)과 연결된다. 내주벽(613)과 외주벽(611) 사이의 거리는 d1 만큼 이격된다.
가이드부재(610)은 석영으로 제작될 수 있다.
서셉터(500) 전체가 회전하는 구성이기 때문에 마찰이 생기지 않도록 내주벽(613)은 서셉터(500)와 소정 거리 이격되어 있다. 그러나 그 이격된 틈으로 가스가 거의 들어가지 않도록 그 이격 거리는 근접 거리로 유지되는 것이 바람직하다.
외주벽(611)에 마련된 제2배출구(615)는 제2챔버(200)에 마련된 제1배출구(201)에 대응되는 위치에 마련될 수 있다.
도 1에서는 내주벽(613)과 외주벽(611) 사이의 거리가 d1 만큼 이격된 경우 에 재순환 현상이 발생하는 상황을 도시하고 있다. 이러한 경우 배출유로에 파티클이 흡착되어 축적될 수 있다.
축적된 파티클은 보온효과를 가져올 수도 있다. 이에 따라 반응실(800)의 온도가 기설계치보다 높아질 수 있고 생성되는 박막의 품질에 영향을 미칠 수 있다.
이러한 경우 장치설계시에 내주벽(613)과 외주벽(611) 사이의 거리를 d1보다 작은 거리로 설계했어야 함을 보여준다.
도 2는 제1실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 단면도로서, 가이드부재를 교체한 이후의 구성이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 내주벽(623)과 외주벽(621) 사이의 거리가 d2로 마련된 가이드부재(620)를 제외하고 다른 구성은 도 1에서 도시한 바와 유사하다.
도 2는 내주벽(623)과 외주벽(621) 사이의 거리가 d2로 마련된 가이드부재(620)를 적용한 경우에는 재순환현상이 발생하지 않음을 도시하고 있다.
가이드부재(620)는 박막을 형성하고 남은 가스(G1+G2)를 제2배출구(625)로 유도하며 연장부(624)를 지나서 제2챔버(200)의 제1배출구(201)로 배출시킨다.
도 3은 제2실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 단면도로서, 보조가이드부재를 삽입한 이후의 구성이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 제1챔버(100), 제2챔버(200), 샤워헤드(300), 비활성가스커튼부(400), 서셉터(500), 가이드부재(610) 및 보조가이드부재(700)를 포함한다.
보조가이드부재(700)를 제외한 다른 구성요소들은 제1실시예와 유사하므로 설명을 생략한다.
보조가이드부재(700)는 배출가스유로의 폭을 d3만큼 좁힌다. 이에 따라 d1일 때에는 재순환현상이 발생했으나 보조가이드부재(700)를 삽입함으로 인하여 재순환현상이 발생하지 않음을 도 3에서 도시하고 있다.
보조가이드부재(700)는 원통형상의 보조가이드몸체(701)와, 상기 보조가이드몸체(701)의 측면에 가스를 배출하는 보조배출구(703)가 마련될 수 있다. 상기 보조배출구(703)는 제2배출구(615)에 대응되는 위치에 마련될 수 있다. 보조배출구(703)와 제2배출구(615) 사이를 연결하도록 연장부(702)가 보조가이드몸체(701)의 측면에 마련될 수 있다.
도 4는 제1실시예에 따른 화학기상증착장치를 나타낸 개략적인 단면도로서, 제1챔버를 제거하는 단계의 모습을 도시하고 있다.
도 4에서 보듯이, 반응실(800) 내부에서 재순환현상이 발생하는 경우에는 가스배출유로의 단면적을 감소시킬 필요가 있으며, 이 경우에 제1챔버(100)를 열고 가이드부재(610)를 제거할 수 있다.
제1챔버와 제2챔버가 서로 일측에 힌지결합되어 제1챔버가 상방으로 힌지축을 기준으로 회동개방되는 구성으로 마련될 수도 있다. 이러한 구성을 채택한 경우에는 개방하는 단계가 보다 용이하게 실시될 수 있다.
도 5는 제1실시예에 따른 화학기상증착장치를 나타낸 개략적인 단면도로서, 가이드부재를 제거하는 단계의 모습을 도시하고 있다.
도 6은 제1실시예에 따른 화학기상증착장치를 나타낸 개략적인 단면도로서, 보다 작은 크기의 가이드부재를 설치하는 단계의 모습을 도시하고 있다.
도 6에서 보듯이, 내주벽(623)과 외주벽(621) 사이의 거리가 d2로 마련된 가이드부재(620)를 서셉터(500)의 외주와 반응실(800)의 외주 사이에 설치할 수 있다. 다음 단계에서는 제거했던 제1챔버(100)를 다시 재조립하게 된다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법에 대한 플로우차트이다.
먼저, 화학기상증착장치를 구동시켰을 때 재순환유동이 발생하는 여부를 판단하는 단계(S10)를 실시할 수 있다.
만약, 재순환유동이 발생한다고 판단하면 제1챔버를 개방하는 단계(S11)를 실시할 수 있다.
다음으로, 기존의 가이드부재를 제거하고 보다 작은 크기의 가이드부재로 교체하는 단계(S12)를 실시할 수 있다. 또는 보다 작은 크기의 보조가이드부재를 삽입하는 단계로 실시할 수도 있다. 왜냐하면, 가스배출유로의 단면적이 과다하다고 볼 수 있기 때문이다.
다음으로, 제거한 제1챔버를 재조립하는 단계(S13)를 실시할 수 있다.
다음으로, 장치를 재작동시키는 단계(S14)를 실시할 수 있다.
이 경우에, 다시 재순환유동이 발생하는지 판단하여서 재순환유동이 발생하지 않는다면 가스배기압력 또는 가스배기속도 등이 과다한지 여부를 판단하는 단계(S20)를 실시할 수 있다. 물론, 그밖에 가스배출유로의 단면적이 과소한지를 판단하는 다른 검출방법을 사용할 수도 있다.
만약, 가스배기압력 또는 가스배기속도 등이 과다하다고 판단하면, 제1챔버를 개방하는 단계(S21)를 실시할 수 있다.
다음으로, 기존의 가이드부재보다 큰 가이드부재로 교체하는 단계(S22)를 실시할 수 있다. 왜냐하면, 가스배기압력 또는 가스배기속도 등이 설계치보다 과다하다면 가스배출유로의 단면적이 과소하다고 판단할 수 있기 때문이다.
다음으로, 제거했던 제1챔버를 재조립하는 단계(S23)와 장치를 재작동하는 단계(S24)를 실시할 수 있다. 다시 가스배기압력 또는 가스배기속도 등이 과다한지 여부를 판단하는 단계(S20)를 실시한 다음 과다하지 않다면 적정한 수준으로 가스배출유로가 형성되었다고 볼 수 있다.
물론, 가스배기압력이 과다한지 여부를 판단하는 단계(S20)를 재순환유동이 발생하는 여부를 판단하는 단계(S10)보다 먼저 실시할 수도 있을 것이다.
도 1은 제1실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 단면도로서, 가이드부재를 교체하기 이전의 구성이다.
도 2는 제1실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 단면도로서, 가이드부재를 교체한 이후의 구성이다.
도 3은 제2실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 단면도로서, 보조가이드부재를 삽입한 이후의 구성이다.
도 4는 제1실시예에 따른 화학기상증착장치를 나타낸 개략적인 단면도로서, 제1챔버를 제거하는 단계의 모습을 도시하고 있다.
도 5는 제1실시예에 따른 화학기상증착장치를 나타낸 개략적인 단면도로서, 가이드부재를 제거하는 단계의 모습을 도시하고 있다.
도 6은 제1실시예에 따른 화학기상증착장치를 나타낸 개략적인 단면도로서, 보다 작은 크기의 가이드부재를 설치하는 단계의 모습을 도시하고 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법에 대한 플로우차트이다.
Claims (10)
- 내측에 반응실이 위치하고 배출구가 형성된 챔버;상기 반응실에 마련되고 기판이 로딩되는 서셉터;상기 기판을 향하여 공정가스를 배출하는 샤워헤드; 및상기 공정가스의 배출유로를 형성하여 상기 공정가스를 상기 배출구까지 안내하는 가이드부재;를 포함하고,상기 가이드부재는 상기 서셉터의 외주와 상기 챔버 사이에 설치되는 외주벽을 포함하며, 상기 서셉터의 외주와 상기 외주벽 사이의 거리를 조절하도록 상기 서셉터의 외주와 상기 외주벽 사이에 착탈가능하게 설치되는 보조가이드부재를 포함하는 화학기상증착장치.
- 제1항에 있어서,상기 가이드부재는 상기 외주벽의 하단에서 상기 서셉터 방향으로 소정의 곡률을 가지도록 굴곡연장되어 마련된 곡면부를 더 포함하는 화학기상증착장치.
- 제2항에 있어서, 상기 가이드부재는상기 서셉터와 상기 보조가이드부재 사이에 위치하며 상기 서셉터와 마찰이 생기지 않도록 상기 서셉터와 이격되는 내주벽을 더 포함하고, 상기 내주벽의 하단은 상기 곡면부와 연결된 화학기상증착장치.
- 내측에 반응실이 위치하고 배출구가 형성된 챔버와, 상기 반응실에 마련되고 기판이 로딩되는 서셉터와, 상기 기판을 향하여 공정가스를 배출하는 샤워헤드를 포함하는 화학기상증착장치에 사용되는 가이드부재에 있어서,상기 가이드부재는 상기 서셉터의 외주와 상기 챔버 사이에 설치되는 외주벽을 포함하며, 상기 서셉터의 외주와 상기 외주벽 사이의 거리를 조절하도록 상기 서셉터의 외주와 상기 외주벽 사이에 착탈가능하게 설치되는 보조가이드부재를 포함하는 화학기상증착장치용 가이드부재.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항의 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법에 있어서,상기 배출유로의 단면적을 조절하도록 상기 서셉터의 외주와 상기 외주벽 사이에 상기 보조가이드부재를 삽입하는 단계를 포함하는 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 가이드부재 및 상기 보조가이드부재는 원통형상으로 마련되며,상기 반응실에서 상기 공정가스의 재순환유동이 발생하는 경우, 상기 단계는 기존에 설치된 가이드부재 또는 기존에 설치된 보조가이드부재의 반경보다 작은 반경의 다른 보조가이드부재를 삽입하는 단계를 포함하는 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 반응실에서 배출되는 가스배기압력 또는 가스배기속도가 설계치보다 큰 경우, 상기 단계는 기존에 설치된 가이드부재 또는 기존에 설치된 보조가이드부재의 반경보다 큰 반경의 보조가이드부재로 교체하는 단계를 포함하는 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090068831A KR101245769B1 (ko) | 2009-07-28 | 2009-07-28 | 화학기상증착장치, 화학기상증착장치용 가이드부재 및 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법 |
US12/843,681 US8876974B2 (en) | 2009-07-28 | 2010-07-26 | Chemical vapor deposition apparatus capable of controlling discharging fluid flow path in reaction chamber |
TW099124739A TWI393802B (zh) | 2009-07-28 | 2010-07-27 | 能夠控制反應腔室中排放流體之流徑的化學氣相沉積設備 |
CN2010102748733A CN101985746A (zh) | 2009-07-28 | 2010-07-28 | 能够控制反应室内的排放流体流动路径的化学气相沉积装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090068831A KR101245769B1 (ko) | 2009-07-28 | 2009-07-28 | 화학기상증착장치, 화학기상증착장치용 가이드부재 및 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110051579A Division KR101146494B1 (ko) | 2011-05-30 | 2011-05-30 | 화학기상증착장치, 화학기상증착장치용 가이드부재 및 화학기상증착장치를 이용한 화학기상증착방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110011268A KR20110011268A (ko) | 2011-02-08 |
KR101245769B1 true KR101245769B1 (ko) | 2013-03-20 |
Family
ID=43525786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090068831A KR101245769B1 (ko) | 2009-07-28 | 2009-07-28 | 화학기상증착장치, 화학기상증착장치용 가이드부재 및 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8876974B2 (ko) |
KR (1) | KR101245769B1 (ko) |
CN (1) | CN101985746A (ko) |
TW (1) | TWI393802B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170006214A (ko) * | 2015-07-07 | 2017-01-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 장치 |
Families Citing this family (297)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
CN102560429B (zh) * | 2012-03-13 | 2014-12-03 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 金属有机气相沉积装置 |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
TWI480417B (zh) * | 2012-11-02 | 2015-04-11 | Ind Tech Res Inst | 具氣幕之氣體噴灑裝置及其薄膜沉積裝置 |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
KR102231596B1 (ko) * | 2013-02-06 | 2021-03-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 가스 주입 장치 및 가스 주입 장치를 포함한 기판 프로세스 챔버 |
CN103397309A (zh) * | 2013-08-02 | 2013-11-20 | 光垒光电科技(上海)有限公司 | 进气装置及反应腔室 |
JP6158025B2 (ja) * | 2013-10-02 | 2017-07-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置及び成膜方法 |
CN104746042A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室及等离子体加工设备 |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10167552B2 (en) * | 2015-02-05 | 2019-01-01 | Lam Research Ag | Spin chuck with rotating gas showerhead |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10358721B2 (en) * | 2015-10-22 | 2019-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor manufacturing system including deposition apparatus |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
DE102017203255B4 (de) * | 2016-03-02 | 2024-06-13 | Veeco Instruments Inc. | Reaktor zur Verwendung bei einem System einer chemischen Dampfabscheidung und Verfahren zum Betreiben eines Systems einer chemischen Dampfabscheidung |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US20200291523A1 (en) * | 2016-06-02 | 2020-09-17 | Applied Materials, Inc. | Continuous chemical vapor deposition (cvd) multi-zone process kit |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
USD876504S1 (en) | 2017-04-03 | 2020-02-25 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20210024462A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
TWI756590B (zh) | 2019-01-22 | 2022-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TWI851767B (zh) | 2019-07-29 | 2024-08-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
KR20210089077A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR20210093163A (ko) | 2020-01-16 | 2021-07-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
JP2022155065A (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
KR102489015B1 (ko) * | 2021-11-10 | 2023-01-13 | 신정훈 | 질화갈륨 단결정 성장을 위한 하이드라이드 기상 증착 장비 |
CN114807904A (zh) * | 2022-04-27 | 2022-07-29 | 无锡先为科技有限公司 | Cvd反应器及其应用的导流组件 |
CN115101400B (zh) * | 2022-08-25 | 2022-11-15 | 拓荆科技(上海)有限公司 | 半导体加工装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030190804A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Glenn W. Benjamin | Simultaneous cyclical deposition in different processing regions |
US20040144311A1 (en) * | 2002-11-14 | 2004-07-29 | Ling Chen | Apparatus and method for hybrid chemical processing |
JP2005054252A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造装置及び製造方法 |
KR100673003B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 증착 장치 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5865896A (en) * | 1993-08-27 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling |
US5834371A (en) * | 1997-01-31 | 1998-11-10 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for preparing and metallizing high aspect ratio silicon semiconductor device contacts to reduce the resistivity thereof |
US6176929B1 (en) * | 1997-07-22 | 2001-01-23 | Ebara Corporation | Thin-film deposition apparatus |
JP2000349078A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置および半導体装置の製造方法 |
JP4583591B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2010-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
US7378127B2 (en) * | 2001-03-13 | 2008-05-27 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods |
US6784096B2 (en) * | 2002-09-11 | 2004-08-31 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming barrier layers in high aspect ratio vias |
FR2851258B1 (fr) * | 2003-02-17 | 2007-03-30 | Commissariat Energie Atomique | Procede de revetement d'une surface, fabrication d'interconnexion en microelectronique utilisant ce procede, et circuits integres |
JP3940095B2 (ja) * | 2003-05-08 | 2007-07-04 | 忠弘 大見 | 基板処理装置 |
TW200508413A (en) * | 2003-08-06 | 2005-03-01 | Ulvac Inc | Device and method for manufacturing thin films |
CN100369192C (zh) | 2005-12-26 | 2008-02-13 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 半导体加工系统反应腔室 |
CN100573816C (zh) | 2006-12-06 | 2009-12-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室内衬及包含该内衬的反应腔室 |
US8123902B2 (en) * | 2007-03-21 | 2012-02-28 | Applied Materials, Inc. | Gas flow diffuser |
CN101441982A (zh) | 2007-11-20 | 2009-05-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 腔室内衬及等离子体加工装置 |
KR101161407B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2012-07-09 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학기상 증착장치 |
-
2009
- 2009-07-28 KR KR1020090068831A patent/KR101245769B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-07-26 US US12/843,681 patent/US8876974B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-27 TW TW099124739A patent/TWI393802B/zh active
- 2010-07-28 CN CN2010102748733A patent/CN101985746A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030190804A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Glenn W. Benjamin | Simultaneous cyclical deposition in different processing regions |
US20040144311A1 (en) * | 2002-11-14 | 2004-07-29 | Ling Chen | Apparatus and method for hybrid chemical processing |
JP2005054252A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造装置及び製造方法 |
KR100673003B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 증착 장치 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170006214A (ko) * | 2015-07-07 | 2017-01-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 장치 |
KR102417934B1 (ko) * | 2015-07-07 | 2022-07-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110011268A (ko) | 2011-02-08 |
US20110027480A1 (en) | 2011-02-03 |
US8876974B2 (en) | 2014-11-04 |
TW201114943A (en) | 2011-05-01 |
CN101985746A (zh) | 2011-03-16 |
TWI393802B (zh) | 2013-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101245769B1 (ko) | 화학기상증착장치, 화학기상증착장치용 가이드부재 및 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법 | |
KR102312248B1 (ko) | 화학 증착 장치 | |
TW201945580A (zh) | 基材製程裝置及方法 | |
US20010012697A1 (en) | Apparatus for manufacturing a semiconductor device in a CVD reactive chamber | |
JP5121787B2 (ja) | Cvdを用いて半導体ウェハに層を堆積させる方法及び前記方法を実施するためのチャンバ | |
JP5527954B2 (ja) | Pecvdシステムにおけるソースガス流路の制御によるチャンバ内部での副生成物の膜堆積制御 | |
KR20120118416A (ko) | 공정 가스에서 발생된 재료 층을 기판 웨이퍼상에 증착하는 방법 및 장치 | |
CN107615459B (zh) | 等离子体原子层生长装置 | |
KR20040081124A (ko) | 단일 웨이퍼 챔버 내의 방사율 불변 펌핑 플레이트 키트 | |
KR20200018269A (ko) | 성막 장치 및 성막 방법 | |
KR100840897B1 (ko) | 기판 지지 어셈블리와 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20060117613A (ko) | 반도체 제조 장치 | |
KR101146494B1 (ko) | 화학기상증착장치, 화학기상증착장치용 가이드부재 및 화학기상증착장치를 이용한 화학기상증착방법 | |
KR101357171B1 (ko) | 화학기상증착장치 | |
KR101362440B1 (ko) | 화학기상증착장치 | |
KR20120051413A (ko) | 화학기상증착장치 | |
JP2665177B2 (ja) | 気相成長装置 | |
KR20070069122A (ko) | 반도체 제조 장치 | |
JP5498291B2 (ja) | Cvd装置 | |
KR101208006B1 (ko) | 서셉터 및 이를 가지는 화학기상증착장치 | |
KR102695925B1 (ko) | 반도체 제조 장치 | |
JP3407400B2 (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
KR101060755B1 (ko) | 화학 기상 증착장치 | |
JP7584887B2 (ja) | 基材処理装置および方法 | |
KR101060756B1 (ko) | 화학 기상 증착 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20110530 Effective date: 20121130 |
|
S901 | Examination by remand of revocation | ||
GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160314 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |