[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR101233629B1 - Large capacity depositing apparatus for forming thin film - Google Patents

Large capacity depositing apparatus for forming thin film Download PDF

Info

Publication number
KR101233629B1
KR101233629B1 KR1020110034340A KR20110034340A KR101233629B1 KR 101233629 B1 KR101233629 B1 KR 101233629B1 KR 1020110034340 A KR1020110034340 A KR 1020110034340A KR 20110034340 A KR20110034340 A KR 20110034340A KR 101233629 B1 KR101233629 B1 KR 101233629B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
raw material
vaporization chamber
material container
vaporized
heater
Prior art date
Application number
KR1020110034340A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120116719A (en
Inventor
송기철
조황신
정승철
안우정
Original Assignee
에스엔유 프리시젼 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스엔유 프리시젼 주식회사 filed Critical 에스엔유 프리시젼 주식회사
Priority to KR1020110034340A priority Critical patent/KR101233629B1/en
Priority to JP2012090746A priority patent/JP2012219377A/en
Priority to CN2012101203644A priority patent/CN102732843A/en
Priority to TW101113255A priority patent/TW201244223A/en
Publication of KR20120116719A publication Critical patent/KR20120116719A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101233629B1 publication Critical patent/KR101233629B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/543—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/548—Controlling the composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 대용량 박막형성용 증착장치에 관한 것으로서, 기판상에 증착되는 원료 물질이 고체 또는 액체 상태로 수용되는 복수의 원료 용기; 상기 원료 용기의 상측에 상기 원료 용기와 연통되게 결합되고, 상기 원료 용기로부터 기화된 원료 물질이 통과하는 기화 챔버; 상기 기화 챔버의 상부에 형성되며, 상기 기화 챔버를 통과한 기화된 원료 물질을 상측으로 분사하는 분사구; 상기 기화 챔버의 내부에서 상기 원료 용기의 상측에 설치되며, 상기 원료 용기에 수용된 원료 물질을 기화시키기 위하여 상기 원료 용기에 열을 공급하는 제1히터; 상기 기화 챔버에 설치되며, 상기 기화 챔버를 통과하는 기화된 원료 물질의 양을 감지하는 센서; 및 상기 센서로부터 상기 기화 챔버 내의 기화된 원료 물질의 양을 피드백받아, 상기 원료 용기로부터 기화되는 원료 물질의 양을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a deposition apparatus for forming a large-capacity thin film, comprising: a plurality of raw material containers in which a raw material deposited on a substrate is accommodated in a solid or liquid state; A vaporization chamber coupled to an upper side of the raw material container in communication with the raw material container, through which the raw material vaporized from the raw material container passes; An injection hole formed in an upper portion of the vaporization chamber, and spraying the vaporized raw material passed through the vaporization chamber upwards; A first heater installed above the raw material container in the vaporization chamber and supplying heat to the raw material container to vaporize the raw material contained in the raw material container; A sensor installed in the vaporization chamber, the sensor sensing an amount of vaporized raw material passing through the vaporization chamber; And a control unit which receives the amount of vaporized raw material in the vaporization chamber from the sensor and controls the amount of raw material vaporized from the raw material container.

Figure R1020110034340
Figure R1020110034340

Description

대용량 박막형성용 증착장치{LARGE CAPACITY DEPOSITING APPARATUS FOR FORMING THIN FILM}Evaporation apparatus for large-capacity thin film formation {LARGE CAPACITY DEPOSITING APPARATUS FOR FORMING THIN FILM}

본 발명은 대용량 박막형성용 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 물질을 기화시켜 기판상에 박막 형태로 증착시킬 수 있는 대용량 박막형성용 증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus for forming a large-capacity thin film, and more particularly, to a deposition apparatus for forming a large-capacity thin film that can be deposited in a thin film form on a substrate by vaporizing an organic material.

유기발광 표시장치는 자체발광 특성을 갖는 차세대 표시장치로서, 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)에 비해 시야각, 콘트라스트(contrast), 응답속도, 소비전력 등의 측면에서 우수한 특성을 가진다.The organic light emitting display device is a next generation display device having self-luminous characteristics, and has excellent characteristics in terms of viewing angle, contrast, response speed, power consumption, etc., compared to a liquid crystal display device (LCD).

유기발광 표시장치는 주사 라인(scan line)과 데이터 라인(data line) 사이에 매트릭스 방식으로 연결되어 화소를 구성하는 유기발광 소자를 포함한다. 유기발광 소자는 애노드(anode) 전극 및 캐소드(cathode) 전극과, 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 형성되고 정공 수송층, 유기발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기 박막층으로 구성되며, 애노드 전극과 캐소드 전극에 소정의 전압이 인가되면 애노드 전극을 통해 주입되는 정공과 캐소드 전극을 통해 주입되는 전자가 유기발광층에서 재결합하게 되고, 이 과정에서 발생하는 에너지 차이에 의해 빛을 방출한다.The organic light emitting diode display includes an organic light emitting diode that is connected between a scan line and a data line in a matrix to form a pixel. The organic light emitting device is composed of an anode electrode and a cathode electrode, and an organic thin film layer formed between the anode electrode and the cathode electrode and including a hole transport layer, an organic light emitting layer, and an electron transport layer, and is predetermined on the anode electrode and the cathode electrode. When a voltage of is applied, holes injected through the anode and electrons injected through the cathode are recombined in the organic light emitting layer, and light is emitted by the energy difference generated in the process.

유기 박막층을 증착하는 공정에서 사용되는 유기 재료는 무기 재료와 달리 높은 증기압이 필요치 않고, 고온에서 분해 및 변성이 용이하다. 이러한 소재의 특성으로 인해 종래의 유기 박막은 텅스텐 재질의 원료 용기에 유기 재료를 충진하고, 원료 용기를 가열하여 유기 재료를 기화시켜서 기판상에 증착시켰다.The organic material used in the process of depositing the organic thin film layer does not require high vapor pressure, unlike the inorganic material, and is easily decomposed and modified at high temperatures. Due to the characteristics of these materials, a conventional organic thin film is filled with an organic material in a tungsten raw material container, and the raw material container is heated to vaporize the organic material and deposited on a substrate.

그러나, 원료 용기 내에 저장할 수 있는 유기 재료의 양이 한정되기 때문에 증착 공정 도중 유기 재료를 자주 재충진해야 하고, 충진하는 과정에서 매번 박막형성용 증착장치의 가동을 정지하여야 하는 문제점이 있었다.However, since the amount of organic materials that can be stored in the raw material container is limited, there is a problem in that the organic materials must be frequently refilled during the deposition process, and the operation of the thin film forming deposition apparatus must be stopped every time during the filling process.

또한, 최근 대면적 기판에 박막을 증착하기 위하여, 대용량의 원료 용기를 설치하여 유기 재료의 충진량을 증대시키는 방법이 제안되었지만, 증대된 원료 용기를 가열하여 유기 재료를 기화시키는데, 원료 용기에 더 많은 열량이 공급됨에 따라 유기 재료가 변성되는 문제가 발생하였다.In addition, recently, in order to deposit a thin film on a large-area substrate, a method of increasing a filling amount of organic materials by installing a large-capacity raw material container has been proposed, but the expanded raw material container is heated to vaporize the organic material. The problem is that the organic material is denatured as heat is supplied.

따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 복수의 원료 용기를 사용하여 수용 가능한 원료 물질의 양을 증가시킴에 따라, 박막을 증착하기 위한 장치의 가동 정지주기를 연장하고, 원료 물질의 기화 속도는 높이면서 원료 물질의 기화 온도는 낮춤으로써, 장치의 사용효율을 높일 수 있는 대용량 박막형성용 증착장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve such a conventional problem, and by increasing the amount of acceptable raw materials using a plurality of raw material containers, prolonging the downtime of the apparatus for depositing thin films and In addition, by increasing the vaporization rate of the raw material while lowering the vaporization temperature of the raw material, it is to provide a deposition apparatus for forming a large-capacity thin film that can increase the use efficiency of the device.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 대용량 박막형성용 증착장치는, 기판상에 증착되는 원료 물질이 고체 또는 액체 상태로 수용되는 복수의 원료 용기; 상기 원료 용기의 상측에 상기 원료 용기와 연통되게 결합되고, 상기 원료 용기로부터 기화된 원료 물질이 통과하는 기화 챔버; 상기 기화 챔버의 상부에 형성되며, 상기 기화 챔버를 통과한 기화된 원료 물질을 상측으로 분사하는 분사구; 상기 기화 챔버의 내부에서 상기 원료 용기의 상측에 설치되며, 상기 원료 용기에 수용된 원료 물질을 기화시키기 위하여 상기 원료 용기에 열을 공급하는 제1히터; 상기 기화 챔버에 설치되며, 상기 기화 챔버를 통과하는 기화된 원료 물질의 양을 감지하는 센서; 상기 센서로부터 상기 기화 챔버 내의 기화된 원료 물질의 양을 피드백받아, 상기 원료 용기로부터 기화되는 원료 물질의 양을 제어하는 제어부; 상기 원료 용기 각각에 결합되며, 상기 원료 용기 내의 원료 물질을 상기 제1히터에 가까워지는 방향 또는 상기 제1히터로부터 멀어지는 방향으로 이송시키는 복수의 이송유닛; 및 상기 기화 챔버 내부에 설치되며, 상기 제1히터에 의해 상기 원료 용기에 열이 공급되는 동안 상기 원료 용기에 수용된 원료 물질 또는 불순물이 튀어서 상기 분사구에 부착되는 것을 차단하는 차단판;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a large-capacity thin film forming deposition apparatus of the present invention comprises: a plurality of raw material containers in which a raw material deposited on a substrate is accommodated in a solid or liquid state; A vaporization chamber coupled to an upper side of the raw material container in communication with the raw material container, through which the raw material vaporized from the raw material container passes; An injection hole formed in an upper portion of the vaporization chamber, and spraying the vaporized raw material passed through the vaporization chamber upwards; A first heater installed above the raw material container in the vaporization chamber and supplying heat to the raw material container to vaporize the raw material contained in the raw material container; A sensor installed in the vaporization chamber, the sensor sensing an amount of vaporized raw material passing through the vaporization chamber; A control unit for receiving an amount of the vaporized raw material in the vaporization chamber from the sensor and controlling an amount of the raw material vaporized from the raw material container; A plurality of transfer units coupled to each of the raw material containers and transferring raw material materials in the raw material containers in a direction approaching the first heater or away from the first heater; And a blocking plate installed inside the vaporization chamber, and blocking the raw material or impurities contained in the raw material container from splashing and being attached to the injection hole while heat is supplied to the raw material container by the first heater. It features.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 대용량 박막형성용 증착장치는, 기판상에 증착되는 원료 물질이 고체 또는 액체 상태로 수용되는 복수의 원료 용기; 상기 원료 용기의 상측에 상기 원료 용기와 연통되게 결합되고, 상기 원료 용기로부터 기화된 원료 물질이 통과하는 기화 챔버; 상기 기화 챔버의 상부에 형성되며, 상기 기화 챔버를 통과한 기화된 원료 물질을 상측으로 분사하는 분사구; 상기 기화 챔버의 내부에서 상기 원료 용기의 상측에 설치되며, 상기 원료 용기에 수용된 원료 물질을 기화시키기 위하여 상기 원료 용기에 열을 공급하는 제1히터; 상기 원료 용기에 설치되며, 상기 원료 용기로부터 유출되는 기화된 원료 물질의 양을 감지하는 복수의 센서; 상기 센서로부터 상기 원료 용기 내의 기화된 원료 물질의 양을 피드백받아, 상기 원료 용기로부터 기화되는 원료 물질의 양을 제어하는 제어부; 상기 원료 용기 각각에 결합되며, 상기 원료 용기 내의 원료 물질을 상기 제1히터에 가까워지는 방향 또는 상기 제1히터로부터 멀어지는 방향으로 이송시키는 복수의 이송유닛; 및 상기 기화 챔버 내부에 설치되며, 상기 제1히터에 의해 상기 원료 용기에 열이 공급되는 동안 상기 원료 용기에 수용된 원료 물질 또는 불순물이 튀어서 상기 분사구에 부착되는 것을 차단하는 차단판;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in order to achieve the above object, a large-capacity thin film forming deposition apparatus of the present invention, a plurality of raw material container in which the raw material deposited on the substrate is accommodated in a solid or liquid state; A vaporization chamber coupled to an upper side of the raw material container in communication with the raw material container, through which the raw material vaporized from the raw material container passes; An injection hole formed in an upper portion of the vaporization chamber, and spraying the vaporized raw material passed through the vaporization chamber upwards; A first heater installed above the raw material container in the vaporization chamber and supplying heat to the raw material container to vaporize the raw material contained in the raw material container; A plurality of sensors installed in the raw material container and detecting an amount of vaporized raw material flowing out of the raw material container; A control unit which receives the amount of vaporized raw material in the raw material container from the sensor and controls the amount of raw material vaporized from the raw material container; A plurality of transfer units coupled to each of the raw material containers and transferring raw material materials in the raw material containers in a direction approaching the first heater or away from the first heater; And a blocking plate installed inside the vaporization chamber, and blocking the raw material or impurities contained in the raw material container from splashing and being attached to the injection hole while heat is supplied to the raw material container by the first heater. It features.

삭제delete

삭제delete

삭제delete

본 발명에 따른 대용량 박막형성용 증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 제어부는, 상기 센서로부터 기화되는 원료 물질의 양을 피드백받아, 기화되는 원료 물질의 양이 미리 설정된 기준량보다 적으면 원료 물질을 상기 제1히터에 가까워지는 방향으로 이송시키도록 상기 이송유닛에 신호를 전송하거나 상기 제1히터의 온도를 상승시키는 신호를 전송하고, 기화되는 원료 물질의 양이 미리 설정된 기준량보다 많으면 원료 물질을 상기 제1히터로부터 멀어지는 방향으로 이송시키도록 상기 이송유닛에 신호를 전송하거나 상기 제1히터의 온도를 하강시키는 신호를 전송한다.In the vapor deposition apparatus for forming a large-capacity thin film according to the present invention, preferably, the controller receives feedback of the amount of the raw material vaporized from the sensor, and if the amount of the raw material vaporized is less than a predetermined reference amount, Sending a signal to the transfer unit or a signal for raising the temperature of the first heater to transfer in a direction closer to the first heater, and if the amount of the vaporized raw material is more than a predetermined reference amount, the raw material is A signal is transmitted to the transfer unit to transfer in a direction away from the one heater, or a signal for lowering the temperature of the first heater.

삭제delete

본 발명에 따른 대용량 박막형성용 증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 차단판은, 평판 형태로 마련되며, 상기 기화 챔버의 내벽으로부터 일정 거리 이격되게 배치된다.In the deposition apparatus for forming a large-capacity thin film according to the present invention, preferably, the blocking plate is provided in the form of a flat plate and is spaced apart from the inner wall of the vaporization chamber by a predetermined distance.

본 발명에 따른 대용량 박막형성용 증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 기화 챔버의 상면 및 측면에 설치되며, 상기 기화 챔버를 통과하는 기화된 원료 물질이 액체 또는 고체 상태로 상변화되는 것을 방지하기 위하여 상기 기화 챔버에 열을 공급하는 제2히터;를 더 포함한다.In the vapor deposition apparatus for forming a large-capacity thin film according to the present invention, it is preferably provided on the upper and side surfaces of the vaporization chamber, in order to prevent the vaporized raw material passing through the vaporization chamber into a liquid or solid state. And a second heater for supplying heat to the vaporization chamber.

본 발명에 따른 대용량 박막형성용 증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 원료 용기와 상기 기화 챔버는 탈부착 가능하게 결합된다.In the deposition apparatus for forming a large-capacity thin film according to the present invention, preferably, the raw material container and the vaporization chamber are detachably coupled.

본 발명의 대용량 박막형성용 증착장치에 따르면, 원료 물질을 가열하는데 필요한 열량을 줄여 원료 용기에 수용된 원료 물질의 변성을 방지할 수 있고, 복수의 원료 용기로부터 원료 물질의 기화 속도를 증가시켜 기판에 박막을 증착시키는 속도 또한 높일 수 있다.According to the vapor deposition apparatus for forming a large-capacity thin film of the present invention, it is possible to reduce the amount of heat required to heat the raw material to prevent denaturation of the raw material contained in the raw material container, and to increase the evaporation rate of the raw material from the plurality of raw material containers, thereby reducing the thin film on the substrate. The rate of deposition can also be increased.

또한, 본 발명의 대용량 박막형성용 증착장치에 따르면, 원료 용기와 제1히터 사이의 거리 또는 제1히터의 온도를 조절하여 원료 용기로부터 기화되는 원료 물질의 양을 제어함으로써, 기화되는 원료 물질의 양을 안정되게 유지할 수 있다.Further, according to the vapor deposition apparatus for forming a large-capacity thin film of the present invention, the amount of raw material vaporized by controlling the amount of raw material vaporized from the raw material container by controlling the distance between the raw material container and the first heater or the temperature of the first heater. Can be kept stable.

또한, 본 발명의 대용량 박막형성용 증착장치에 따르면, 원료 용기로부터 튀어 올라가는 원료 물질 또는 불순물이 분사구에 부착되는 것을 차단하여 분사구의 막힘 현상을 방지함으로써, 생산이 중단되는 상황을 방지하여 장시간 동안 연속생산을 가능하게 한다.In addition, according to the vapor deposition apparatus for forming a large-capacity thin film of the present invention, by preventing the raw material or impurities that stick out from the raw material container to adhere to the injection hole to prevent clogging of the injection hole, the production stops to prevent a situation in which the production is stopped for a long time continuous production. To make it possible.

또한, 본 발명의 대용량 박막형성용 증착장치에 따르면, 제1히터의 온도 제어에 의한 원료 용기 내의 원료 물질의 온도 반응이 빠르게 이루어질 수 있고, 원료 용기 내의 원료 물질의 온도 또한 큰 변동 없이 원하는 목표 온도를 일정하게 유지할 수 있으며, 원료 물질이 안정되게 기화되어 균일한 증착 및 대면적 증착을 할 수 있다.In addition, according to the deposition apparatus for forming a large-capacity thin film of the present invention, the temperature reaction of the raw material in the raw material container by the temperature control of the first heater can be made quickly, and the temperature of the raw material in the raw material container is also maintained at a desired target temperature without large fluctuations. It can be kept constant, and the raw material can be stably evaporated to achieve uniform deposition and large area deposition.

또한, 본 발명의 대용량 박막형성용 증착장치에 따르면, 기화 챔버를 통과하는 기화된 원료 물질이 액체 또는 고체 상태로 상변화되는 것을 방지할 수 있고, 기판상에 증착되지 않고 남은 기화된 원료 물질이 분사구에 부착되어 분사구를 막히게 하는 현상을 방지할 수 있다.In addition, according to the deposition apparatus for forming a large-capacity thin film of the present invention, the vaporized raw material passing through the vaporization chamber can be prevented from being phase-changed into a liquid or solid state, and the vaporized raw material remaining without being deposited on the substrate is sprayed. It can be attached to the to prevent the phenomenon that clogs the injection port.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 대용량 박막형성용 증착장치를 간략하게 도시한 도면이고,
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 대용량 박막형성용 증착장치를 간략하게 도시한 도면이고,
도 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 대용량 박막형성용 증착장치를 간략하게 도시한 도면이고,
도 4는 본 발명의 제4실시예에 따른 대용량 박막형성용 증착장치를 간략하게 도시한 도면이고,1 is a view briefly showing a deposition apparatus for forming a large-capacity thin film according to a first embodiment of the present invention,
2 is a view briefly showing a deposition apparatus for forming a large-capacity thin film according to a second embodiment of the present invention.
3 is a view briefly showing a deposition apparatus for forming a large capacity thin film according to a third embodiment of the present invention,
4 is a view briefly showing a deposition apparatus for forming a large capacity thin film according to a fourth embodiment of the present invention,

이하, 본 발명에 따른 대용량 박막형성용 증착장치의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of a large-capacity thin film forming deposition apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 대용량 박막형성용 증착장치를 간략하게 도시한 도면이다.1 is a view briefly showing a deposition apparatus for forming a large-capacity thin film according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예의 대용량 박막형성용 증착장치(100)는, 유기 물질을 기화시켜 기판상에 박막 형태로 증착시킬 수 있는 장치로서, 원료 용기(110)와, 기화 챔버(120)와, 분사구(130)와, 제1히터(140)와, 냉각부(146)와, 센서(150)와, 제어부(160)와, 이송유닛(170)과, 차단판(180)과, 제2히터(190)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the deposition apparatus 100 for forming a large-capacity thin film according to the present exemplary embodiment is a device capable of vaporizing an organic material and depositing a thin film on a substrate, including a raw material container 110, a vaporization chamber 120, and the like. , Injection hole 130, first heater 140, cooling unit 146, sensor 150, control unit 160, transfer unit 170, blocking plate 180, and second A heater 190.

본 발명은 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Device: OLED)를 제조하는 장치를 제시한 것으로서, 본 발명에 제시되는 원료 물질은 예를 들어 유기 재료가 사용되는 것이 바람직하다.The present invention provides an apparatus for manufacturing an organic light emitting device (OLED), and it is preferable that, for example, an organic material is used as the raw material presented in the present invention.

상기 원료 용기(110)는, 기판(10)상에 증착되는 원료 물질(1)이 고체 또는 액체 상태로 수용되는 것으로서, 일측이 개구되는 원통 형상으로 형성된다. 본 실시예에서는 복수 개의 원료 용기(110)가 마련되어, 기화 챔버(120)의 하측에 각각 결합된다. 일반적으로 원료 용기(110)는 텅스텐 재질로 제작되며, 원료 용기(110) 내부는 기판(10)에 증착되는 원료 물질(1)인 유기 재료가 충진된다.The raw material container 110, as the raw material 1 to be deposited on the substrate 10 is accommodated in a solid or liquid state, is formed in a cylindrical shape that one side is opened. In this embodiment, a plurality of raw material containers 110 are provided and coupled to the lower side of the vaporization chamber 120, respectively. In general, the raw material container 110 is made of a tungsten material, and the inside of the raw material container 110 is filled with an organic material, which is the raw material 1 deposited on the substrate 10.

복수의 원료 용기(110)를 마련하여 원료 용기(110)에 수용되는 원료 물질(1)의 양을 분산함에 따라, 단일의 대용량의 원료 용기를 이용하는 것과 비교하여 원료 물질(1)을 가열하는데 필요한 열량을 줄일 수 있다. 따라서, 공급되는 열에 의해 원료 용기(110)에 수용된 원료 물질의 변성을 방지할 수 있다. 또한, 복수의 원료 용기(110)로부터 기화되는 원료 물질의 기화 속도를 증가시킬 수 있으므로, 기판(10)에 박막을 증착시키는 속도 또한 높일 수 있다.By providing a plurality of raw material containers 110 to disperse the amount of raw material 1 contained in the raw material container 110, it is necessary to heat the raw material 1 in comparison with using a single large-capacity raw material container. Calories can be reduced. Therefore, it is possible to prevent denaturation of the raw material contained in the raw material container 110 by the heat supplied. In addition, since the vaporization rate of the raw material vaporized from the plurality of raw material containers 110 can be increased, the rate of depositing a thin film on the substrate 10 can also be increased.

이때 원료 용기(110)에는 도시되지 않았지만 증착 공정이 이루어지는 동안 원료 용기(110) 내부를 진공 압력의 환경으로 유지시키기 위한 진공 라인이 연결될 수 있다. 원료 물질(1)의 변성은 원료 용기(110) 내의 높은 온도 및 압력에 의해서 발생된다. 따라서 원료 물질(1)의 변성을 방지하기 위해서는 원료 용기(110) 내의 온도 및 압력을 낮게 유지해야 한다. 또한, 원료 물질(1)의 기화 온도는 진공도의 영향을 많이 받으며, 진공도가 낮아질수록 기화 온도 역시 낮아지는 경향이 있기 때문에 원료 용기(110) 내의 진공도를 낮게 유지하는 것이 원료 물질(1)의 변성을 방지하는데 더욱 효율적이다.At this time, although not shown in the raw material container 110, a vacuum line for maintaining the inside of the raw material container 110 in a vacuum pressure environment during the deposition process may be connected. Degeneration of the raw material 1 is caused by the high temperature and pressure in the raw material container 110. Therefore, in order to prevent denaturation of the raw material 1, it is necessary to keep the temperature and pressure in the raw material container 110 low. In addition, since the vaporization temperature of the raw material 1 is much influenced by the degree of vacuum, and the lower the vacuum degree, the vaporization temperature also tends to be lowered, so that the lower the vacuum degree in the raw material container 110 is, the more denatured the raw material 1 is. Is more efficient to prevent.

상기 기화 챔버(120)는, 원료 용기(110)로부터 기화된 원료 물질이 통과하는 공간을 제공하는 것으로서, 원료 용기(110)의 상측에서 각각의 원료 용기(110)와 연통되게 결합된다. 후술할 제1히터(140)에 의해 원료 용기(110)에 수용되어 있던 고체 상태 또는 액체 상태의 원료 물질(1)이 가열되고, 가열된 원료 물질(1)은 기화되어 상측으로 증발된다. 증발되는 원료 물질(1)은 원료 용기(110)의 상측에 배치된 기화 챔버(120) 내부로 유입되고, 기화된 원료 물질은 기화 챔버(120)를 통과하여 후술할 분사구(130)를 통해 기판(10) 측으로 분사된다.The vaporization chamber 120 is to provide a space for the raw material vaporized from the raw material container 110 to pass through, and is coupled to communicate with each raw material container 110 on the upper side of the raw material container 110. The raw material 1 in the solid state or the liquid state, which is accommodated in the raw material container 110 by the first heater 140 to be described later, is heated, and the heated raw material 1 is evaporated and evaporated upward. The evaporated raw material 1 is introduced into the vaporization chamber 120 disposed above the raw material container 110, and the vaporized raw material passes through the vaporization chamber 120 and passes through the injection hole 130 to be described later. It is injected to the (10) side.

기화 챔버(120)는 상당한 양의 기화된 원료 물질(1)을 수용할 수 있을 정도의 부피로 형성된다. 원료 용기(110)로부터 기화된 원료 물질(1)이 기화 챔버(120) 내부에 충분하게 수용됨으로써, 분사구(130)를 통해 기판(10) 측으로 분사되는 원료 물질의 양이 안정되게 유지될 수 있다. 충분한 내부 공간을 가지도록 기화 챔버(120)가 형성됨으로써, 기화 챔버(120)는 일종의 어큐뮬레이터 기능을 수행할 수 있다.The vaporization chamber 120 is formed in a volume large enough to accommodate a substantial amount of vaporized raw material 1. Since the raw material 1 vaporized from the raw material container 110 is sufficiently accommodated in the vaporization chamber 120, the amount of the raw material injected into the substrate 10 through the injection hole 130 may be stably maintained. . Since the vaporization chamber 120 is formed to have sufficient internal space, the vaporization chamber 120 may perform a kind of accumulator function.

기화 챔버(120)는 원료 용기(110)와 탈부착 가능하게 결합된다. 원료 용기(110)의 내부에 기판(10)에 증착시킬 원료 물질, 즉 유기 재료를 충진하고자 하는 경우, 증착 공정을 중단하고 원료 용기(110)를 기화 챔버(120)로부터 분리시킨다. 이후, 원료 용기(110) 내에 원료 물질의 충진이 완료되면 다시 원료 용기(110)를 기화 챔버(120)에 결합시키고, 증착 공정을 수행한다.The vaporization chamber 120 is detachably coupled with the raw material container 110. When the raw material to be deposited on the substrate 10, ie, the organic material, is to be filled in the raw material container 110, the deposition process is stopped and the raw material container 110 is separated from the vaporization chamber 120. Thereafter, when the filling of the raw material in the raw material container 110 is completed, the raw material container 110 is coupled to the vaporization chamber 120 again, and a deposition process is performed.

상기 분사구(130)는, 기화 챔버(120)를 통과한 기화된 원료 물질을 상측으로, 즉 기판(10) 측으로 분사하는 개구부로서, 기화 챔버(120)의 상부에 형성된다. 분사구(130)는 기판(10)의 폭 방향으로 일직선으로 배열되고, 기판(10)과 대향되도록 배치된다.The injection hole 130 is an opening that injects the vaporized raw material passed through the vaporization chamber 120 upwards, that is, toward the substrate 10, and is formed on the vaporization chamber 120. The injection holes 130 are arranged in a straight line in the width direction of the substrate 10 and are disposed to face the substrate 10.

분사구(130)는 노즐 형태의 별도의 부품으로 제작되어 기화 챔버(120)의 상부에 결합될 수도 있고, 기화 챔버(120)의 상부벽에 관통홀의 형태로 일체로 성형될 수도 있다.The injection hole 130 may be manufactured as a separate component in the form of a nozzle and may be coupled to the upper portion of the vaporization chamber 120, or may be integrally formed in the upper wall of the vaporization chamber 120 in the form of a through hole.

상기 제1히터(140)는, 원료 용기(110)에 수용된 원료 물질을 기화시키기 위하여 원료 용기(110)에 열을 공급하는 것으로서, 기화 챔버(120)의 내부에서 원료 용기(110)의 상측에 설치된다.The first heater 140 supplies heat to the raw material container 110 in order to vaporize the raw material contained in the raw material container 110, and is located above the raw material container 110 in the vaporization chamber 120. Is installed.

제1히터(140)는 원료 물질(1)을 기화시킬 수 있는 열에너지를 공급할 수 있는 다양한 형태로 구현될 수 있는데, 예를 들어 코어히터 또는 램프히터 등이 사용될 수 있다. 본 실시예에서는 코어히터가 사용된다. 제1히터(140)는 기화 챔버(120) 내부에서 플레이트에 저항열선이 감겨서 형성된다. 이때 사용되는 저항열선은 Ta, W, Mo 금속 또는 이것들의 합금선으로 이루어진다.The first heater 140 may be implemented in various forms capable of supplying thermal energy capable of vaporizing the raw material 1. For example, a core heater or a lamp heater may be used. In this embodiment, a core heater is used. The first heater 140 is formed by winding a resistance heating wire around the plate in the vaporization chamber 120. The resistance heating wire used at this time consists of Ta, W, Mo metal, or these alloy wires.

본 발명에서는 원료 용기(110)와 연통된 기화 챔버(120)에 제1히터(140)가 설치됨으로써, 매개 부재를 거치지 않고 제1히터(140)의 열을 원료 용기(110)에 직접적으로 전달할 수 있는 특징이 있다. 따라서, 제1히터(140)의 온도 제어에 의한 원료 용기(110) 내의 원료 물질의 온도 반응이 빠르게 이루어질 수 있고, 원료 용기(110) 내의 원료 물질의 온도 또한 큰 변동 없이 원하는 목표 온도를 일정하게 유지할 수 있다.In the present invention, the first heater 140 is installed in the vaporization chamber 120 in communication with the raw material container 110, thereby directly passing the heat of the first heater 140 to the raw material container 110 without passing through the intermediate member. There are features that can be. Therefore, the temperature reaction of the raw material in the raw material container 110 by the temperature control of the first heater 140 can be made quickly, and the temperature of the raw material in the raw material container 110 also maintains a desired target temperature without large fluctuations. I can keep it.

상기 냉각부(146)는, 원료 용기(110)의 내부에 수용된 원료 물질(1)이 제1히터(140)의 열에 의해 변성되는 것을 방지하기 위하여, 원료 용기(110)에 수용된 원료 물질을 냉각시킨다. 냉각부(146)는 원료 용기(110)의 외측에 설치되며, 바람직하게는 원료 용기(110)의 외주면을 둘러싸도록 구비된다.The cooling unit 146 cools the raw material contained in the raw material container 110 to prevent the raw material 1 contained in the raw material container 110 from being denatured by the heat of the first heater 140. Let's do it. The cooling unit 146 is installed outside the raw material container 110, and is preferably provided to surround the outer circumferential surface of the raw material container 110.

냉각부(146)는 원료 물질(1)이 수용된 원료 용기(110)의 내부를 냉각시킬 수 있는 다양한 형태로 구현될 수 있는데, 본 실시예에서는 예컨대, 냉각 재킷이 사용된다. 냉각부(146)는 원료 용기(110)의 외주면에 냉각수가 흐르는 냉각유로가 둘러싸여서 이루어진다.The cooling unit 146 may be implemented in various forms capable of cooling the inside of the raw material container 110 in which the raw material 1 is accommodated. In this embodiment, for example, a cooling jacket is used. The cooling unit 146 is formed by surrounding a cooling passage through which cooling water flows on the outer circumferential surface of the raw material container 110.

상기 센서(150)는, 기화 챔버(120)에 설치되며, 기화 챔버(120)를 통과하는 기화된 원료 물질의 양을 감지한다. 센서(150)에서 측정되는 기화된 원료 물질의 양에 따라 제1히터(140)의 온도 및 이송유닛(170)의 작동 방향 또는 이송 속도를 제어하여 기화되는 원료 물질의 양을 조절한다.The sensor 150 is installed in the vaporization chamber 120 and senses the amount of vaporized raw material passing through the vaporization chamber 120. The amount of raw material to be vaporized is controlled by controlling the temperature of the first heater 140 and the operating direction or transfer speed of the transfer unit 170 according to the amount of vaporized raw material measured by the sensor 150.

상기 제어부(160)는, 센서(150)로부터 기화 챔버(120) 내의 원료 물질의 양을 피드백받아, 제1히터(150) 또는 이송유닛(180)을 제어하여 원료 용기(110)로부터 기화되는 원료 물질(1)의 양을 제어한다.The control unit 160 receives feedback of the amount of the raw material in the vaporization chamber 120 from the sensor 150, and controls the first heater 150 or the transfer unit 180 to vaporize the raw material container 110. The amount of substance 1 is controlled.

즉, 기화 챔버(120) 내의 원료 물질의 양이 기준량보다 적으면 원료 물질(1)을 제1히터(140)에 가까워지는 방향으로 이송시키도록 이송유닛(170)에 신호를 전송하거나 제1히터(140)의 온도를 상승시키는 신호를 전송한다. 따라서, 원료 용기(110)에서 기화되는 원료 물질의 양을 증가시킬 수 있다.That is, when the amount of the raw material in the vaporization chamber 120 is less than the reference amount, the signal is transmitted to the transfer unit 170 or the first heater to transfer the raw material 1 in a direction closer to the first heater 140. Send a signal to raise the temperature of 140. Therefore, the amount of raw material vaporized in the raw material container 110 can be increased.

한편, 기화 챔버(120) 내의 원료 물질의 양이 기준량보다 많으면 원료 물질(1)을 제1히터(140)로부터 멀어지는 방향으로 이송시키도록 이송유닛(170)에 신호를 전송하거나 제1히터(140)의 온도를 하강시키는 신호를 전송한다. 따라서, 원료 용기(110)에서 기화되는 원료 물질의 양을 감소시킬 수 있다.On the other hand, if the amount of the raw material in the vaporization chamber 120 is greater than the reference amount to send a signal to the transfer unit 170 or the first heater 140 to transfer the raw material 1 in a direction away from the first heater 140 Transmits a signal to decrease the temperature. Therefore, the amount of raw material vaporized in the raw material container 110 can be reduced.

이때, 하나의 센서(150)가 기화 챔버(120)에 설치되므로, 제어부(160)는 후술할 복수의 이송유닛(170)을 동시에 제어한다.In this case, since one sensor 150 is installed in the vaporization chamber 120, the controller 160 simultaneously controls a plurality of transfer units 170 to be described later.

상기 이송유닛(170)은, 복수 개가 마련되어 복수의 원료 용기(110)에 각각 결합되며, 원료 용기(110) 내의 원료 물질(1)을 제1히터(140)에 가까워지는 방향 또는 제1히터(140)로부터 멀어지는 방향으로 왕복 이송시킨다. 이송유닛(170)을 이용하여 원료 물질(1)과 제1히터(150) 사이의 거리를 조절함으로써, 원료 용기(110)에서 기화되는 원료 물질의 양을 제어할 수 있다.The transfer unit 170 is provided in plural and coupled to the plurality of raw material containers 110, respectively, in the direction in which the raw material 1 in the raw material container 110 approaches the first heater 140 or the first heater ( Reciprocating in the direction away from 140). By controlling the distance between the raw material 1 and the first heater 150 using the transfer unit 170, it is possible to control the amount of the raw material vaporized in the raw material container 110.

이송유닛(170)은 직선왕복운동을 수행할 수 있는 다양한 형태로 구현될 수 있는데, 공압 실린더, 리니어 모터, 회전모터와 볼 스크류를 조합한 구성 등 통상의 기술자에게 잘 알려진 구성을 채용할 수 있으므로, 더 이상의 상세한 설명은 생략한다.The transfer unit 170 may be implemented in various forms capable of performing a linear reciprocating motion, so a configuration well known to those skilled in the art, such as a combination of a pneumatic cylinder, a linear motor, a rotating motor and a ball screw, may be adopted. The detailed description is omitted.

상기 차단판(180)은, 제1히터(140)에 의해 원료 용기(110)에 열이 공급되는 동안 원료 용기(110)에 수용된 원료 물질 또는 불순물이 튀어서 분사구(130)에 부착되는 것을 차단한다.The blocking plate 180 blocks the raw material or impurities contained in the raw material container 110 from splashing and being attached to the injection hole 130 while heat is supplied to the raw material container 110 by the first heater 140. .

제1히터(140)에 의해 원료 용기(110) 내의 원료 물질이 가열되는 동안, 고체 또는 액체 상태의 원료 물질(1)의 표면에서는 기화된 원료 물질이 증발하는 것이 정상적이지만, 액체 상태의 원료 물질(1) 방울이 갑자기 튀어 오르거나 원료 물질 내에 섞여 있던 불순물이 갑자기 튀어 오르는 현상이 발생할 수 있다.While the raw material in the raw material container 110 is heated by the first heater 140, it is normal for the vaporized raw material to evaporate from the surface of the raw material 1 in the solid or liquid state, but the raw material in the liquid state (1) Drops may suddenly spring up or impurities that have been mixed in the raw material may spring up suddenly.

이때, 튀어 오르는 원료 물질 또는 불순물이 분사구(130)에 달라붙게 되면 분사구(130)가 막히는 문제가 발생한다. 분사구(130)가 막히면 공정을 중지하고, 새로운 분사구(130)로 교체하거나 청소하여 공정을 다시 시작해야 하는데, 이러한 경우 장치의 수율 저하라는 문제가 발생하게 된다.At this time, when the raw material springing out or impurities stick to the injection hole 130, a problem that the injection hole 130 is clogged. If the injection hole 130 is blocked, the process must be stopped and replaced with a new injection hole 130 or cleaned to start the process again. In this case, a problem such as a decrease in yield of the device occurs.

이와 같이, 차단판(180)은 기화되지 않은 상태에서 튀어 올라 분사구(130)에 부착되는 원료 물질(1)이나 불순물을 차단함으로써, 장시간 동안 연속적인 생산을 가능하게 하여 장치의 수율을 향상시킬 수 있다.In this way, the blocking plate 180 is able to improve the yield of the device by allowing the continuous production for a long time by bouncing off the raw material (1) or impurities adhering to the injection hole 130 in the evaporated state have.

한편, 차단판(180) 상부의 열이 연통된 경로를 통해 원료 물질(1)로 전달될 수 있다. 이러한 경우 제1히터(140)와 원료 물질(1) 간의 거리 또는 제1히터(140)의 온도에 의해 제어되던 원료 물질(1)의 기화량이 예기치 못한 외부 변수로 인해 변화될 수 있다. 기화량의 변화는 곧바로 유기발광 소자의 두께에 영향을 미치게 되고, 이는 제품의 불량과 직결되는 문제가 발생한다.On the other hand, the heat of the upper portion of the blocking plate 180 may be transferred to the raw material (1) through a communication path. In this case, the amount of vaporization of the raw material 1 controlled by the distance between the first heater 140 and the raw material 1 or the temperature of the first heater 140 may be changed due to an unexpected external variable. The change in the amount of vaporization immediately affects the thickness of the organic light emitting device, which causes a problem that is directly connected to the product defects.

따라서, 차단판(180)을 이용하여 외부로부터 원료 물질(1)로 전달되는 열을 최대한 차단함으로써, 원료 물질(1)의 기화량에 영향을 미칠 수 있는 외부 변수를 제거할 수 있다.Therefore, by blocking the heat transferred to the raw material 1 from the outside using the blocking plate 180 as much as possible, it is possible to remove external variables that may affect the amount of vaporization of the raw material (1).

차단판(180)은 평판 형태로 형성되어 기화 챔버(120)의 내부에 설치되며, 제1히터(140)의 상측에 배치된다. 또한, 차단판(180)은 기화 챔버(120)의 내벽으로부터 일정 거리 이격되게 배치되어, 차단판(180)과 기화 챔버(120)의 내벽 사이의 공간을 경유하여 기화된 원료 물질이 분사구(130) 측으로 향하게 된다.The blocking plate 180 is formed in a flat plate shape and installed inside the vaporization chamber 120, and is disposed above the first heater 140. In addition, the blocking plate 180 is disposed to be spaced apart from the inner wall of the vaporization chamber 120 by a predetermined distance, and the raw material vaporized through the space between the blocking plate 180 and the inner wall of the vaporization chamber 120 is injected through the injection hole 130 ) To the side.

상기 제2히터(190)는, 기화 챔버(120)를 통과하는 기화된 원료 물질이 액체 또는 고체 상태로 상변화되는 것을 방지하기 위하여 기화 챔버(120)에 열을 공급하는 것으로서, 기화 챔버(120)의 상면 및 측면에 설치된다.The second heater 190 supplies heat to the vaporization chamber 120 in order to prevent the vaporized raw material passing through the vaporization chamber 120 into a liquid or solid phase. ) Is installed on the upper and side surfaces.

제2히터(190)는 예를 들어 코어히터 또는 램프히터 등이 사용될 수 있으며, 기화 챔버(120)의 상면에 저항열선이 나란히 배치되는 형태로 형성된다. 이때 사용되는 저항열선은 Ta, W, Mo 금속 또는 이것들의 합금선으로 이루어진다.For example, a core heater or a lamp heater may be used as the second heater 190. The second heater 190 may be formed in a form in which resistance heating wires are arranged side by side on the upper surface of the vaporization chamber 120. The resistance heating wire used at this time consists of Ta, W, Mo metal, or these alloy wires.

한편, 제2히터(190)는 기판(10)상에 증착되지 않고 기화된 원료 물질이 분사구(130)에 부착되어 분사구(130)를 막히게 하는 현상을 방지한다. 증착 챔버 내에 잔존하는 기화된 원료 물질은 분사구(130) 측에 쌓이게 되고 결국 고체 상태로 상변화하면서 분사구(130)를 막히게 할 수 있는데, 분사구(130) 주위의 온도를 상승시켜 분사구(130) 주위에서는 항상 원료 물질이 기화된 상태로 유지될 수 있도록 한다.Meanwhile, the second heater 190 prevents the vaporized raw material from being deposited on the substrate 10 and attached to the injection hole 130 to block the injection hole 130. The vaporized raw material remaining in the deposition chamber may accumulate on the injection hole 130 side and eventually block the injection hole 130 while phase-changing to a solid state. The temperature around the injection hole 130 is raised to increase the temperature around the injection hole 130. Ensures that the raw material remains vaporized at all times.

상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 대용량 박막형성용 증착장치는, 복수의 원료 용기를 마련하여 원료 용기에 수용되는 원료 물질의 양을 분산함에 따라, 원료 물질을 가열하는데 필요한 열량을 줄여 원료 용기에 수용된 원료 물질의 변성을 방지할 수 있고, 복수의 원료 용기로부터 원료 물질의 기화 속도를 증가시켜 기판에 박막을 증착시키는 속도 또한 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In the vapor deposition apparatus for forming a large-capacity thin film according to the present embodiment configured as described above, a plurality of raw material containers are provided to disperse the amount of raw material contained in the raw material container, thereby reducing the amount of heat required to heat the raw material to the raw material container. It is possible to prevent denaturation of the received raw material and to increase the vaporization rate of the raw material from the plurality of raw material containers, thereby increasing the speed of depositing a thin film on the substrate.

또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 대용량 박막형성용 증착장치는, 원료 물질과 제1히터 사이의 거리 또는 제1히터의 온도를 조절하여 원료 용기로부터 기화되는 원료 물질의 양을 제어함으로써, 기화되는 원료 물질의 양을 안정되게 유지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the large-capacity thin film forming deposition apparatus according to the present embodiment configured as described above, by controlling the distance between the raw material and the first heater or the temperature of the first heater to control the amount of the raw material vaporized from the raw material container, The effect of stably maintaining the amount of raw material to be vaporized can be obtained.

또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 대용량 박막형성용 증착장치는, 원료 용기로부터 튀어 올라가는 원료 물질 또는 불순물이 분사구에 부착되는 것을 차단하여 분사구의 막힘 현상을 방지함으로써, 생산이 중단되는 상황을 방지하여 장시간 동안 연속생산을 가능하게 하는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the high-capacity thin film forming deposition apparatus according to the present embodiment configured as described above prevents clogging of the injection hole by preventing raw material or impurities from sticking out from the raw material container to the injection hole, thereby preventing production. It is possible to obtain the effect of enabling continuous production for a long time by preventing.

또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 대용량 박막형성용 증착장치는, 매개 부재를 거치지 않고 제1히터의 열을 원료 용기에 직접적으로 전달함으로써, 제1히터의 온도 제어에 의한 원료 용기 내의 원료 물질의 온도 반응이 빠르게 이루어질 수 있고, 원료 용기 내의 원료 물질의 온도 또한 큰 변동 없이 원하는 목표 온도를 일정하게 유지할 수 있으며, 원료 물질이 안정되게 기화되어 균일한 증착 및 대면적 증착을 할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, in the vapor deposition apparatus for forming a large-capacity thin film according to the present embodiment configured as described above, the raw material in the raw material container by temperature control of the first heater by directly transferring the heat of the first heater to the raw material container without passing through the intermediate member. The temperature reaction of the material can be made quickly, the temperature of the raw material in the raw material container can also maintain the desired target temperature without large fluctuations, and the raw material can be stably evaporated to achieve uniform deposition and large area deposition. Can be obtained.

또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 대용량 박막형성용 증착장치는, 기화 챔버의 상면에 기화 챔버에 열을 공급하는 제2히터를 설치함으로써, 기화 챔버를 통과하는 기화된 원료 물질이 액체 또는 고체 상태로 상변화되는 것을 방지할 수 있고, 기판상에 증착되지 않고 남은 기화된 원료 물질이 분사구에 부착되어 분사구를 막히게 하는 현상을 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
In addition, in the vapor deposition apparatus for forming a large-capacity thin film according to the present embodiment configured as described above, a second heater for supplying heat to the vaporization chamber is provided on the upper surface of the vaporization chamber, whereby the vaporized raw material passing through the vaporization chamber is a liquid or The phase change to a solid state can be prevented, and the vaporized raw material remaining without being deposited on the substrate may be attached to the injection hole, thereby preventing the phenomenon of clogging the injection hole.

한편, 도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 대용량 박막형성용 증착장치를 간략하게 도시한 도면이다.On the other hand, Figure 2 is a simplified view showing a deposition apparatus for forming a large-capacity thin film according to a second embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 실시예의 대용량 박막형성용 증착장치(200)는, 복수의 센서(250)가 원료 용기(110)에 각각 설치되는 것을 특징으로 한다. 도 2에 있어서, 도 1에 도시된 부재들과 동일한 부재번호에 의해 지칭되는 부재들은 동일한 구성 및 기능을 가지는 것으로서, 그들 각각에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Referring to FIG. 2, the large-capacity thin film forming deposition apparatus 200 according to the present embodiment is characterized in that a plurality of sensors 250 are respectively installed in the raw material container 110. In FIG. 2, members referred to by the same reference numerals as the members shown in FIG. 1 have the same configuration and function, and detailed descriptions of each of them will be omitted.

상기 센서(250)는 복수 개가 마련되어 원료 용기(110) 각각에 설치된다. 센서(250)는 원료 용기(110)로부터 유출되는 기화된 원료 물질의 양을 감지한다.A plurality of sensors 250 are provided and installed in each of the raw material containers 110. The sensor 250 detects the amount of vaporized raw material flowing out of the raw material container 110.

상기 제어부(260)는 센서(250)로부터 원료 용기 내의 기화된 원료 물질의 양을 피드백받아, 원료 용기(110)로부터 기화되는 원료 물질의 양을 제어한다. 센서(250)에서 측정되는 원료 물질의 양에 따라 제1히터(140)의 온도 및 이송유닛(170)의 작동 방향 또는 이송 속도를 제어하여 기화되는 원료 물질의 양을 조절한다.The controller 260 receives feedback of the amount of raw material vaporized in the raw material container from the sensor 250 and controls the amount of raw material vaporized from the raw material container 110. The amount of raw material to be vaporized is controlled by controlling the temperature of the first heater 140 and the operating direction or the feeding speed of the transfer unit 170 according to the amount of the raw material measured by the sensor 250.

이때, 하나의 센서(250)가 각각의 원료 용기(110)에 설치되므로, 제어부(260)는 복수의 이송유닛(170)을 개별적으로 제어한다.In this case, since one sensor 250 is installed in each raw material container 110, the controller 260 individually controls the plurality of transfer units 170.

센서(250)가 각각의 원료 용기(110)에 설치됨에 따라, 제어부(260)가 원료 물질의 기화량을 조절하는 옵션이 다양해진다. 즉, 복수의 원료 용기(110)가 전체적으로 기화량이 부족한 경우, 제1히터(140)의 온도를 높일 수도 있고, 복수의 이송유닛(170)을 동시에 제어하여 원료 물질과 제1히터(140) 사이의 거리를 가깝게 할 수 있다. 반면에, 특정 원료 용기(110)에서의 기화량이 부족한 경우, 제1히터(140)의 온도는 그대로 두고, 해당 원료 용기(110)에 결합된 이송유닛(170)만을 제어하여 원료 물질과 제1히터(140) 사이의 거리를 가깝게 할 수 있다.As the sensor 250 is installed in each raw material container 110, the control unit 260 has various options for adjusting the amount of vaporization of the raw material. That is, when the amount of vaporization of the plurality of raw material containers 110 as a whole is insufficient, the temperature of the first heater 140 may be increased, and the plurality of transfer units 170 may be simultaneously controlled to control the gap between the raw material and the first heater 140. Can close the distance. On the other hand, when the amount of vaporization in the specific raw material container 110 is insufficient, the temperature of the first heater 140 is left as it is, only the transfer unit 170 coupled to the raw material container 110 to control the raw material and the first The distance between the heaters 140 can be made closer.

상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 대용량 박막형성용 증착장치는, 센서가 각각의 원료 용기에 설치됨에 따라, 제어부가 원료 물질의 기화량을 조절하는 옵션을 다양하게 할 수 있어, 각각의 원료 용기에서 균일한 기화량을 유지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
In the vapor deposition apparatus for forming a large-capacity thin film according to the present embodiment configured as described above, as the sensor is installed in each raw material container, the control unit may vary options for controlling the amount of vaporization of the raw material, and thus each raw material container. The effect of maintaining a uniform vaporization amount can be obtained at.

한편, 도 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 대용량 박막형성용 증착장치를 간략하게 도시한 도면이다.On the other hand, Figure 3 is a schematic view showing a deposition apparatus for forming a large-capacity thin film according to a third embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 실시예의 대용량 박막형성용 증착장치(300)는, 복수의 제1히터(340)가 원료 용기(110)에 각각 설치되는 것을 특징으로 한다. 도 3에 있어서, 도 1에 도시된 부재들과 동일한 부재번호에 의해 지칭되는 부재들은 동일한 구성 및 기능을 가지는 것으로서, 그들 각각에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Referring to FIG. 3, in the large-capacity thin film forming deposition apparatus 300 of the present embodiment, a plurality of first heaters 340 are installed in the raw material container 110, respectively. In FIG. 3, members referred to by the same reference numerals as the members shown in FIG. 1 have the same configuration and function, and detailed descriptions of each of them will be omitted.

상기 제1히터(340)는, 복수 개가 마련되어 원료 용기(110) 각각에 설치되며, 원료 용기(110)의 외주면을 감싸면서 냉각부(146)의 상측에 배치된다.A plurality of first heaters 340 are provided in each of the raw material containers 110, and are disposed above the cooling unit 146 while surrounding the outer circumferential surface of the raw material container 110.

상기 제어부(360)는 기화 챔버(120)에 설치된 센서(150)로부터 기화 챔버(120) 내의 원료 물질의 양을 피드백받아, 원료 용기(110)로부터 기화되는 원료 물질의 양을 제어한다.The controller 360 receives feedback of the amount of the raw material in the vaporization chamber 120 from the sensor 150 installed in the vaporization chamber 120, and controls the amount of the raw material vaporized from the raw material container 110.

이때, 원료 물질의 기화량을 감지하는 센서(150)가 기화 챔버(120)에 설치되므로, 제어부(360)는 복수의 이송유닛(170)을 동시에 제어하고, 복수의 제1히터(340)는 개별적으로 제어한다.At this time, since the sensor 150 for detecting the vaporization amount of the raw material is installed in the vaporization chamber 120, the control unit 360 controls the plurality of transfer units 170 at the same time, the plurality of first heaters 340 Individually controlled.

기화 챔버(120) 내의 원료 물질의 기화량이 부족한 경우, 각각의 제1히터(340)의 온도를 높일 수도 있고, 복수의 이송유닛(170)을 동시에 제어하여 원료 물질과 제1히터(340) 사이의 거리를 가깝게 할 수 있다.
When the amount of vaporization of the raw material in the vaporization chamber 120 is insufficient, the temperature of each of the first heaters 340 may be increased, and the plurality of transfer units 170 may be controlled at the same time between the raw material and the first heaters 340. Can close the distance.

한편, 도 4는 본 발명의 제4실시예에 따른 대용량 박막형성용 증착장치를 간략하게 도시한 도면이다.On the other hand, Figure 4 is a simplified view showing a deposition apparatus for forming a large-capacity thin film according to a fourth embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 실시예의 대용량 박막형성용 증착장치(400)는, 복수의 제1히터(440)와 복수의 센서(450)가 원료 용기(110)에 각각 설치되는 것을 특징으로 한다. 도 4에 있어서, 도 1에 도시된 부재들과 동일한 부재번호에 의해 지칭되는 부재들은 동일한 구성 및 기능을 가지는 것으로서, 그들 각각에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.4, the large-capacity thin film formation deposition apparatus 400 of the present embodiment is characterized in that a plurality of first heaters 440 and a plurality of sensors 450 are installed in the raw material container 110, respectively. In FIG. 4, members referred to by the same reference numerals as the members shown in FIG. 1 have the same configuration and function, and detailed descriptions of each of them will be omitted.

상기 제1히터(440)는, 복수 개가 마련되어 원료 용기(110) 각각에 설치되며, 원료 용기(110)의 외주면을 감싸면서 냉각부(146)의 상측에 배치된다.A plurality of first heaters 440 are provided and installed in each of the raw material containers 110, and are disposed above the cooling unit 146 while surrounding the outer circumferential surface of the raw material container 110.

상기 센서(450)는 복수 개가 마련되어 원료 용기(110) 각각에 설치된다. 센서(450)는 원료 용기(110)로부터 유출되는 기화된 원료 물질의 양을 감지한다.A plurality of sensors 450 are provided and installed in each of the raw material containers 110. The sensor 450 detects the amount of vaporized raw material flowing out of the raw material container 110.

상기 제어부(460)는 센서(450)로부터 원료 용기(110) 내의 기화된 원료 물질의 양을 피드백받아, 원료 용기(110)로부터 기화되는 원료 물질의 양을 제어한다.The controller 460 receives the amount of vaporized raw material in the raw material container 110 from the sensor 450 and controls the amount of raw material vaporized from the raw material container 110.

이때, 원료 물질의 기화량을 감지하는 센서(150)가 원료 용기(110) 각각에 설치되므로, 제어부(460)는 복수의 이송유닛(170)을 개별적으로 제어하고, 복수의 제1히터(440)를 개별적으로 제어한다.At this time, since the sensor 150 for detecting the amount of vaporization of the raw material is installed in each of the raw material container 110, the controller 460 individually controls the plurality of transfer units 170, a plurality of first heaters 440 ) To control individually.

센서(450)가 각각의 원료 용기(110)에 설치됨에 따라, 제어부(460)가 원료 물질의 기화량을 조절하는 옵션이 다양해진다. 즉, 복수의 원료 용기(110)가 전체적으로 기화량이 부족한 경우, 모든 제1히터(440)의 온도를 높일 수도 있고, 복수의 이송유닛(170)을 동시에 제어하여 원료 물질과 제1히터(440) 사이의 거리를 가깝게 할 수 있다. 반면에, 특정 원료 용기(110)에서의 기화량이 부족한 경우, 해당 원료 용기(110)에 결합된 제1히터(440)의 온도를 높일 수도 있고, 해당 원료 용기(110)에 결합된 이송유닛(170)만을 제어하여 원료 물질과 제1히터(440) 사이의 거리를 가깝게 할 수도 있다.
As the sensors 450 are installed in the respective raw material containers 110, various options for the controller 460 to control the amount of vaporization of the raw material are varied. That is, when the plurality of raw material containers 110 are insufficient in vaporization as a whole, the temperatures of all the first heaters 440 may be increased, and the raw material and the first heaters 440 may be simultaneously controlled by controlling the plurality of transfer units 170 at the same time. The distance between them can be made closer. On the other hand, when the amount of vaporization in the specific raw material container 110 is insufficient, it is possible to increase the temperature of the first heater 440 coupled to the raw material container 110, the transfer unit coupled to the raw material container 110 ( Only distance 170 may be controlled to close the distance between the raw material and the first heater 440.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예 및 변형례에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, but can be implemented in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. Without departing from the gist of the invention claimed in the claims, it is intended that any person skilled in the art to which the present invention pertains falls within the scope of the claims described herein to various extents that can be modified.

100 : 대용량 박막형성용 증착장치
110 : 원료 용기
120 : 기화 챔버
130 : 분사구
140 : 제1히터
146 : 냉각부
150 : 센서
160 : 제어부100: high capacity thin film deposition apparatus
110: raw material container
120: vaporization chamber
130: injection hole
140: first heater
146: cooling unit
150 sensor
160:

Claims (11)

기판상에 증착되는 원료 물질이 고체 또는 액체 상태로 수용되는 복수의 원료 용기;
상기 원료 용기의 상측에 상기 원료 용기와 연통되게 결합되고, 상기 원료 용기로부터 기화된 원료 물질이 통과하는 기화 챔버;
상기 기화 챔버의 상부에 형성되며, 상기 기화 챔버를 통과한 기화된 원료 물질을 상측으로 분사하는 분사구;
상기 기화 챔버의 내부에서 상기 원료 용기의 상측에 설치되며, 상기 원료 용기에 수용된 원료 물질을 기화시키기 위하여 상기 원료 용기에 열을 공급하는 제1히터;
상기 기화 챔버에 설치되며, 상기 기화 챔버를 통과하는 기화된 원료 물질의 양을 감지하는 센서;
상기 센서로부터 상기 기화 챔버 내의 기화된 원료 물질의 양을 피드백받아, 상기 원료 용기로부터 기화되는 원료 물질의 양을 제어하는 제어부;
상기 원료 용기 각각에 결합되며, 상기 원료 용기 내의 원료 물질을 상기 제1히터에 가까워지는 방향 또는 상기 제1히터로부터 멀어지는 방향으로 이송시키는 복수의 이송유닛; 및
상기 기화 챔버 내부에 설치되며, 상기 제1히터에 의해 상기 원료 용기에 열이 공급되는 동안 상기 원료 용기에 수용된 원료 물질 또는 불순물이 튀어서 상기 분사구에 부착되는 것을 차단하는 차단판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 대용량 박막형성용 증착장치.A plurality of raw material containers in which a raw material deposited on a substrate is received in a solid or liquid state;
A vaporization chamber coupled to an upper side of the raw material container in communication with the raw material container, through which the raw material vaporized from the raw material container passes;
An injection hole formed in an upper portion of the vaporization chamber, and spraying the vaporized raw material passed through the vaporization chamber upwards;
A first heater installed above the raw material container in the vaporization chamber and supplying heat to the raw material container to vaporize the raw material contained in the raw material container;
A sensor installed in the vaporization chamber, the sensor sensing an amount of vaporized raw material passing through the vaporization chamber;
A control unit for receiving an amount of the vaporized raw material in the vaporization chamber from the sensor and controlling an amount of the raw material vaporized from the raw material container;
A plurality of transfer units coupled to each of the raw material containers and transferring raw material materials in the raw material containers in a direction approaching the first heater or away from the first heater; And
And a blocking plate installed inside the vaporization chamber, and blocking the raw material or impurities contained in the raw material container from splashing and being attached to the injection hole while heat is supplied to the raw material container by the first heater. Evaporation apparatus for forming a large capacity thin film. 기판상에 증착되는 원료 물질이 고체 또는 액체 상태로 수용되는 복수의 원료 용기;
상기 원료 용기의 상측에 상기 원료 용기와 연통되게 결합되고, 상기 원료 용기로부터 기화된 원료 물질이 통과하는 기화 챔버;
상기 기화 챔버의 상부에 형성되며, 상기 기화 챔버를 통과한 기화된 원료 물질을 상측으로 분사하는 분사구;
상기 기화 챔버의 내부에서 상기 원료 용기의 상측에 설치되며, 상기 원료 용기에 수용된 원료 물질을 기화시키기 위하여 상기 원료 용기에 열을 공급하는 제1히터;
상기 원료 용기에 설치되며, 상기 원료 용기로부터 유출되는 기화된 원료 물질의 양을 감지하는 복수의 센서;
상기 센서로부터 상기 원료 용기 내의 기화된 원료 물질의 양을 피드백받아, 상기 원료 용기로부터 기화되는 원료 물질의 양을 제어하는 제어부;
상기 원료 용기 각각에 결합되며, 상기 원료 용기 내의 원료 물질을 상기 제1히터에 가까워지는 방향 또는 상기 제1히터로부터 멀어지는 방향으로 이송시키는 복수의 이송유닛; 및
상기 기화 챔버 내부에 설치되며, 상기 제1히터에 의해 상기 원료 용기에 열이 공급되는 동안 상기 원료 용기에 수용된 원료 물질 또는 불순물이 튀어서 상기 분사구에 부착되는 것을 차단하는 차단판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 대용량 박막형성용 증착장치.A plurality of raw material containers in which a raw material deposited on a substrate is received in a solid or liquid state;
A vaporization chamber coupled to an upper side of the raw material container in communication with the raw material container, through which the raw material vaporized from the raw material container passes;
An injection hole formed in an upper portion of the vaporization chamber, and spraying the vaporized raw material passed through the vaporization chamber upwards;
A first heater installed above the raw material container in the vaporization chamber and supplying heat to the raw material container to vaporize the raw material contained in the raw material container;
A plurality of sensors installed in the raw material container and detecting an amount of vaporized raw material flowing out of the raw material container;
A control unit which receives the amount of vaporized raw material in the raw material container from the sensor and controls the amount of raw material vaporized from the raw material container;
A plurality of transfer units coupled to each of the raw material containers and transferring raw material materials in the raw material containers in a direction approaching the first heater or away from the first heater; And
And a blocking plate installed inside the vaporization chamber, and blocking the raw material or impurities contained in the raw material container from splashing and being attached to the injection hole while heat is supplied to the raw material container by the first heater. Evaporation apparatus for forming a large capacity thin film. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 센서로부터 기화되는 원료 물질의 양을 피드백받아, 기화되는 원료 물질의 양이 미리 설정된 기준량보다 적으면 원료 물질을 상기 제1히터에 가까워지는 방향으로 이송시키도록 상기 이송유닛에 신호를 전송하거나 상기 제1히터의 온도를 상승시키는 신호를 전송하고, 기화되는 원료 물질의 양이 미리 설정된 기준량보다 많으면 원료 물질을 상기 제1히터로부터 멀어지는 방향으로 이송시키도록 상기 이송유닛에 신호를 전송하거나 상기 제1히터의 온도를 하강시키는 신호를 전송하는 것을 특징으로 하는 대용량 박막형성용 증착장치.The method according to claim 1 or 2,
The control unit,
Receiving a feedback of the amount of raw material vaporized from the sensor and transmitting a signal to the transfer unit to transfer the raw material in a direction closer to the first heater when the amount of raw material vaporized is less than a predetermined reference amount; Transmitting a signal for raising the temperature of the first heater, and if the amount of the vaporized raw material is more than a predetermined reference amount to send a signal to the transfer unit to transfer the raw material in a direction away from the first heater or the first Deposition apparatus for forming a large capacity thin film, characterized in that for transmitting a signal for decreasing the temperature of the heater. 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 차단판은,
평판 형태로 마련되며, 상기 기화 챔버의 내벽으로부터 일정 거리 이격되게 배치되는 것을 특징으로 하는 대용량 박막형성용 증착장치.The method according to claim 1 or 2,
The blocking plate,
It is provided in the form of a flat plate, the deposition apparatus for forming a large capacity thin film, characterized in that spaced apart from a predetermined distance from the inner wall of the vaporization chamber. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기화 챔버의 상면 및 측면에 설치되며, 상기 기화 챔버를 통과하는 기화된 원료 물질이 액체 또는 고체 상태로 상변화되는 것을 방지하기 위하여 상기 기화 챔버에 열을 공급하는 제2히터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대용량 박막형성용 증착장치.The method according to claim 1 or 2,
A second heater installed at an upper surface and a side of the vaporization chamber and supplying heat to the vaporization chamber to prevent the vaporized raw material passing through the vaporization chamber from being phased into a liquid or solid state; Deposition apparatus for forming a large capacity thin film, characterized in that. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 원료 용기와 상기 기화 챔버는 탈부착 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 대용량 박막형성용 증착장치.The method according to claim 1 or 2,
And the raw material container and the vaporization chamber are detachably coupled. 삭제delete
KR1020110034340A 2011-04-13 2011-04-13 Large capacity depositing apparatus for forming thin film KR101233629B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110034340A KR101233629B1 (en) 2011-04-13 2011-04-13 Large capacity depositing apparatus for forming thin film
JP2012090746A JP2012219377A (en) 2011-04-13 2012-04-12 Large-capacity vapor deposition apparatus for forming thin film
CN2012101203644A CN102732843A (en) 2011-04-13 2012-04-13 High-capacity deposition device for forming a thin film
TW101113255A TW201244223A (en) 2011-04-13 2012-04-13 Large capacity depositing apparatus for forming thin film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110034340A KR101233629B1 (en) 2011-04-13 2011-04-13 Large capacity depositing apparatus for forming thin film

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120116719A KR20120116719A (en) 2012-10-23
KR101233629B1 true KR101233629B1 (en) 2013-02-15

Family

ID=46989130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110034340A KR101233629B1 (en) 2011-04-13 2011-04-13 Large capacity depositing apparatus for forming thin film

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2012219377A (en)
KR (1) KR101233629B1 (en)
CN (1) CN102732843A (en)
TW (1) TW201244223A (en)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103695848B (en) * 2013-12-30 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 Evaporated device and evaporation coating method thereof
WO2015136857A1 (en) * 2014-03-11 2015-09-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ Deposition apparatus, method for controlling same, deposition method using deposition apparatus, and device manufacturing method
CN106148898B (en) * 2015-04-28 2020-02-07 中国建材国际工程集团有限公司 Orifice plate with optimized heat discharge characteristics
US10300634B2 (en) * 2015-11-16 2019-05-28 The Boeing Company Advanced multiple grid heat sources to achieve optimized cure structure and method of making the same
CN106906445B (en) * 2017-03-29 2019-02-12 武汉华星光电技术有限公司 A kind of evaporation source
CN108048797A (en) * 2017-12-29 2018-05-18 上海升翕光电科技有限公司 Three T-shaped OLED vapor depositions line source of one kind
KR102493131B1 (en) * 2018-02-06 2023-01-31 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for deposition a organic material, and deposition method of a organic material using the same
JP6526880B1 (en) * 2018-06-29 2019-06-05 キヤノントッキ株式会社 Evaporation source and evaporation apparatus
CN112899644A (en) * 2021-01-21 2021-06-04 山东欣远新材料科技有限公司 Diamond film boron oxide doping method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003155555A (en) * 2001-11-15 2003-05-30 Eiko Engineering Co Ltd Multiple molecular beam source cell for thin film deposition
KR20040093011A (en) * 2003-04-25 2004-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 An apparatus for forming a film and an electroluminescence device
KR20090041347A (en) * 2007-10-23 2009-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Fabrication method and deposition substrate of light emitting device
JP2009531550A (en) * 2006-03-29 2009-09-03 イーストマン コダック カンパニー Uniform evaporation of metals and organic materials

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7025832B2 (en) * 2002-07-19 2006-04-11 Lg Electronics Inc. Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
JP4139158B2 (en) * 2002-07-26 2008-08-27 松下電工株式会社 Vacuum deposition method
KR100397196B1 (en) * 2002-08-27 2003-09-13 에이엔 에스 주식회사 Organic material point source feeding unit in organic semiconductor device and method thereof
EP1862564B1 (en) * 2006-06-03 2008-09-03 Applied Materials GmbH & Co. KG Apparatus for the evaporation of materials by means of an evaporator tube
JP2008019477A (en) * 2006-07-13 2008-01-31 Canon Inc Vacuum deposition equipment
JP5179739B2 (en) * 2006-09-27 2013-04-10 東京エレクトロン株式会社 Vapor deposition apparatus, vapor deposition apparatus control apparatus, vapor deposition apparatus control method, and vapor deposition apparatus usage method
KR100926437B1 (en) * 2008-11-17 2009-11-13 에스엔유 프리시젼 주식회사 Evaporation material supply apparatus and substrate processing apparatus having the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003155555A (en) * 2001-11-15 2003-05-30 Eiko Engineering Co Ltd Multiple molecular beam source cell for thin film deposition
KR20040093011A (en) * 2003-04-25 2004-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 An apparatus for forming a film and an electroluminescence device
JP2009531550A (en) * 2006-03-29 2009-09-03 イーストマン コダック カンパニー Uniform evaporation of metals and organic materials
KR20090041347A (en) * 2007-10-23 2009-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Fabrication method and deposition substrate of light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012219377A (en) 2012-11-12
CN102732843A (en) 2012-10-17
TW201244223A (en) 2012-11-01
KR20120116719A (en) 2012-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101233629B1 (en) Large capacity depositing apparatus for forming thin film
KR101052435B1 (en) Thin film deposition equipment
KR100926437B1 (en) Evaporation material supply apparatus and substrate processing apparatus having the same
KR101172275B1 (en) Vaporizing apparatus and control method for the same
KR100823508B1 (en) Evaporation source and deposition apparatus having same
KR100936378B1 (en) Unit for supplying source and apparatus for depositioning thin film and method for depositioning thin film
KR101754356B1 (en) Evaporating source, deposition material supply apparatus and deposition apparatus comprising the same
JP2015067847A (en) Vacuum vapor deposition device
KR101284394B1 (en) A molecular beam source for use of thin-film accumulation and a method for controlling volume of molecular beam
KR101109690B1 (en) Downward type linear source and device for depositing thin film using the same
TWI438298B (en) Apparatus for supplying materials
JP5569756B2 (en) Continuous thin film deposition equipment
KR101174633B1 (en) Apparatus for supplying materials
KR101320434B1 (en) Apparatus for controlling supply of materials
JP2015067865A (en) Evaporation source, and vacuum vapor deposition device using the same
KR100646961B1 (en) Control Method of Deposition Source of Deposition System
KR100666571B1 (en) Deposition apparatus using propeller type injection method
KR20150030970A (en) Evaporation unit and Apparatus for deposition including the same
JP2015067866A (en) Evaporation source, vacuum vapor deposition device using the same, and vacuum vapor deposition method
KR100629476B1 (en) Deposition material heating device
KR101633115B1 (en) Source for depositing OLED
KR20150061297A (en) Evaporation source and evaporation apparatus having the same
KR20050090842A (en) Apparatus for heating deposition source material

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20110413

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20120530

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20121205

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20130201

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20130208

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20130208

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160129

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170131

Start annual number: 5

End annual number: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee