KR101236501B1 - Switching mode power supply and the driving method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스위칭 모드 파워 서플라이에 관한 것이다.
본 발명의 한 특징에 따르는 스위칭 모드 파워 서플라이는 입력 교류 전압을 정류하여 입력 직류 전압을 생성하고, 입력 직류 전압을 변환하는 트랜스포머의 1차 코일에 커플링되는 스위칭 트랜지스터를 포함한다. 스위칭 모드 파워 서플라이는 스위칭 트랜지스터의 동작에 따라 트랜스포머의 2차측에 전력을 공급하는 전력 공급부, 및 트랜스포머의 2차측의 전압에 대응하는 피드백 전압 및 스위칭 트랜지스터에 흐르는 전류에 대응하는 감지 신호 및 스위칭 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극간의 전압차에 대응하는 제1 신호를 입력받아, 스위칭 트랜지스터의 온/오프를 제어하는 스위칭 제어부를 포함한다. 스위칭 제어부는, 스위칭 트랜지스터의 턴오프 후, 제1 신호의 전압 레벨과 기준 전압이 동일해지는 횟수를 감지하여 카운트하고, 카운트된 제1 횟수와 가변 기준 횟수가 동일한 시점 이후, 스위칭 트랜지스터를 턴온시킨다.
유사 공진형 컨버터, 주파수, 스위치
The present invention relates to a switched mode power supply.
A switching mode power supply according to one aspect of the invention includes a switching transistor coupled to a primary coil of a transformer that rectifies the input alternating voltage to generate an input direct voltage and converts the input direct voltage. The switching mode power supply includes a power supply for supplying power to the secondary side of the transformer according to the operation of the switching transistor, a sense signal corresponding to a feedback voltage corresponding to the voltage on the secondary side of the transformer and a current flowing through the switching transistor and the switching transistor. And a switching controller configured to receive a first signal corresponding to a voltage difference between the first electrode and the second electrode to control on / off of the switching transistor. The switching controller detects and counts the number of times that the voltage level of the first signal and the reference voltage are the same after turning off the switching transistor, and turns on the switching transistor after a point in time at which the counted first number and the variable reference number are the same.
Quasi-Resonant Converters, Frequency, Switches
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 SMPS의 전체 구성을 나타내는 도면이다. 1 is a view showing the overall configuration of an SMPS according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 각 구성에서 발생되는 신호를 나타내는 도면이다. FIG. 2 is a diagram illustrating a signal generated in each configuration of FIG. 1.
도 3은 PWM 신호 발생부의 구성을 나타낸 도면이다.3 is a diagram illustrating a configuration of a PWM signal generator.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 스위칭 전압 검출부를 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating a switching voltage detector according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따라 발생하는 신호를 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating a signal generated according to a second embodiment of the present invention.
본 발명은 스위칭 모드 파워 서플라이(switching mode power supply : 이하 'SMPS')에 관한 것으로, 특히 유사 공진형(Quasi-Resonant) 스위칭 방식(switching method)의 SMPS 및 그 구동 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a switching mode power supply (hereinafter referred to as SMPS), and more particularly to an SMPS of a quasi-resonant switching method and a driving method thereof.
SMPS는 입력 교류 전압을 입력 직류 전압(dc-link 전압)으로 정류하고, 입력 직류 전압을 다른 레벨을 갖는 직류 출력 전압으로 변환하는 장치이다. 이때, 직류 출력 전압은 입력 직류 전압보다 크거나 또는 작은 크기를 갖는다. 이와 같은 SMPS는 파워 전자 장치들, 특히 이동 전화, 랩탑 컴퓨터 등과 같은 밧데리 파워 공급 장치들에 주로 사용된다. SMPS is a device that rectifies the input AC voltage into an input DC voltage (dc-link voltage), and converts the input DC voltage into a DC output voltage having a different level. In this case, the DC output voltage has a magnitude greater or smaller than the input DC voltage. Such SMPS is mainly used for power electronic devices, especially battery power supplies such as mobile phones, laptop computers and the like.
한편, 유사 공진형 스위칭 방식의 SMPS는 유사 공진형 컨버터를 포함하는데,유사 공진형 컨버터는 메인 스위치 역할을 수행하는 트랜지스터의 드레인 전압값이 최소일 때, 턴온되므로, 스위칭 손실이 감소한다. 유사 공진형 컨버터에서, 입력 직류 전압의 리플(ripple)에 의한 스위칭 주파수의 변화로 유사 공진형 컨버터의 EMI(Electromagnetic Interference) 스펙트럼(spectrum)은 분산된 형태를 보인다. 그러나, 입력 교류 전압 값이 증가하면, dc-link 전압 리플이 감소한다. dc-link 전압 리플이 감소하면, 스위칭 주파수의 변조 범위가 감소하고, EMI는 증가한다. On the other hand, the SMPS of the quasi-resonant switching method includes a quasi-resonant converter. Since the quasi-resonant converter is turned on when the drain voltage value of the transistor serving as the main switch is minimum, the switching loss is reduced. In the quasi-resonant converter, the electromagnetic interference (EMI) spectrum of the quasi-resonant converter is dispersed due to a change in switching frequency caused by the ripple of the input DC voltage. However, as the input AC voltage value increases, the dc-link voltage ripple decreases. As the dc-link voltage ripple decreases, the modulation range of the switching frequency decreases and EMI increases.
일반적으로 EMI는 같은 전원을 사용하는 다른 장치에 노이즈를 발생시킨다. EMI를 방지하기 위해서 각종 EMI 규제가 있다. 각종 EMI 규제 중 일례로, 각 주파수를 중심으로 일정한 대역 폭에서의 EMI 평균값을 상한선으로 책정한 규제 및 EMI의 평균 값을 상한선으로 책정한 규제가 있다. 일반적으로, SMPS는, 이 규제를 만족하기 위해서 필터가 추가되거나, 외부적인 장치를 추가해야 한다. 따라서 생산 비용을 증가시키는 원인이 된다.In general, EMI creates noise in other devices that use the same power supply. There are various EMI regulations to prevent EMI. As an example of various EMI regulations, there are regulations in which an average value of EMI at a constant bandwidth is set as an upper limit around each frequency and a regulation that an average value of EMI is set as an upper limit. In general, SMPS requires adding a filter or adding an external device to satisfy this regulation. Therefore, it increases the production cost.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 입력 교류 전압에 관계 없이 스위칭 트랜지스터의 스위칭 주파수를 변화시켜 EMI를 감소시키는 SMPS 및 그 구동 방법을 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides an SMPS and a driving method thereof to reduce EMI by changing a switching frequency of a switching transistor regardless of an input AC voltage.
본 발명의 한 특징에 따르는 스위칭 모드 파워 서플라이는, 입력 교류 전압을 정류하여 입력 직류 전압을 생성하고, 상기 입력 직류 전압을 변환하는 트랜스포머의 1차 코일에 커플링되는 스위칭 트랜지스터를 포함하며, 상기 스위칭 트랜지스터의 동작에 따라 상기 트랜스포머의 2차측에 전력을 공급하는 전력 공급부, 및 상기 트랜스포머의 2차측의 전압에 대응하는 피드백 전압 및 상기 스위칭 트랜지스터에 흐르는 전류에 대응하는 감지 신호 및 상기 스위칭 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극간의 전압차에 대응하는 제1 신호를 입력받아, 상기 스위칭 트랜지스터의 온/오프를 제어하는 스위칭 제어부를 포함하고, 상기 스위칭 제어부는, 상기 스위칭 트랜지스터의 턴오프 후, 상기 제1 신호의전압 레벨과 기준 전압이 동일해지는 횟수를 감지하여 카운트하고, 카운트된 횟수와 가변 기준 횟수가 동일한 시점 이후, 상기 스위칭 트랜지스터의 턴온시점을 결정한다. 이 때, 스위칭 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극간의 전압차가 최저 전압을 가질 때, 상기 스위칭 트랜지스터를 턴온시킨다.According to one aspect of the present invention, a switching mode power supply includes a switching transistor which rectifies an input AC voltage to generate an input DC voltage, and is coupled to a primary coil of a transformer for converting the input DC voltage, wherein the switching A power supply unit supplying power to the secondary side of the transformer according to an operation of the transistor, a sense signal corresponding to a feedback voltage corresponding to a voltage on the secondary side of the transformer and a current flowing through the switching transistor, and a first of the switching transistor And a switching controller configured to receive a first signal corresponding to a voltage difference between an electrode and a second electrode to control on / off of the switching transistor, wherein the switching controller is configured to, after turning off the switching transistor, the first signal. Detects the number of times the signal's voltage level and reference voltage are equal, Agent, and after the counted number of times with the same time varying the reference frequency, and determines the turn-on time of the switching transistor. At this time, when the voltage difference between the first electrode and the second electrode of the switching transistor has the lowest voltage, the switching transistor is turned on.
이 때, 상기 가변 기준 횟수는 적어도 각각 다른 값을 갖는 제1 기준 횟수 또는 제2 기준 횟수를 포함하고, 스위칭 제어부는, 상기 스위칭 트랜지스터의 턴온 횟수를 카운트하여, 카운트 결과에 따라 상기 가변 기준 횟수를 변경한다. In this case, the variable reference number includes at least a first reference number or a second reference number having different values, and the switching controller counts the number of turn-on times of the switching transistor, and determines the variable reference number according to a count result. Change it.
그리고, 스위칭 모드 파워 서플라이는 스위칭 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극간의 전압차에 대응하는 제1 신호를 생성하는 스위칭 전압 검출부를 더 포함하고, 상기 스위칭 제어부는, 상기 제1 신호의 전압과 기준 전압을 비교하여, 제1 기 준 횟수만큼 상기 기준 전압과 상기 제1 신호의 전압이 동일하면, 지연 시간후에, 상기 스위칭 트랜지스터를 턴온시키는 동작을 적어도 한 번 수행한 후, 상기 제1 신호의 전압과 기준 전압을 비교하여, 상기 제2 기준 횟수만큼 상기 기준 전압과 상기 제1 신호의전압이 동일하면, 상기 지연 시간 후에 상기 스위칭 트랜지스터를 턴온시키는 동작을 수행한다. The switching mode power supply further includes a switching voltage detector configured to generate a first signal corresponding to a voltage difference between the first electrode and the second electrode of the switching transistor, wherein the switching controller comprises: a voltage and a reference of the first signal; By comparing the voltages, if the reference voltage and the voltage of the first signal are the same as the first reference number, after the delay time, the operation of turning on the switching transistor is performed at least once, and then the voltage of the first signal. And comparing the reference voltage with each other, if the reference voltage is equal to the voltage of the first signal by the second reference number of times, turning on the switching transistor after the delay time.
또는, 상기 스위칭 제어부는, 소정의 시간이 경과하면, 상기 기준 횟수를 변경한다. 상기 스위칭 제어부와 상기 스위칭 트랜지스터는 하나의 팩으로 형성되거나, 상기 스위칭 제어부와 상기 스위칭 트랜지스터는 각각 구별된 팩으로 형성된다. Alternatively, the switching control unit changes the reference number of times when a predetermined time elapses. The switching control unit and the switching transistor are formed in one pack, or the switching control unit and the switching transistor are each formed in a separate pack.
본 발명의 다른 특징에 따른 스위칭 모드 파워 서플라이는, 입력 교류 전압을 정류하여 입력 직류 전압을 생성하고, 상기 입력 직류 전압을 변환하는 트랜스포머의 1차 코일에 커플링되는 스위칭 트랜지스터를 포함하며, 상기 스위칭 트랜지스터의 동작에 따라 상기 트랜스포머의 2차측에 전력을 공급하는 전력 공급부, 및 상기 트랜스포머의 2차측의 전압에 대응하는 피드백 전압 및 상기 스위칭 트랜지스터에 흐르는 전류에 대응하는 감지 신호 및 상기 스위칭 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극간의 전압차에 대응하는 제1 전압과 기준 전압에 의해 발생하는 제1 신호를 입력받아, 상기 스위칭 트랜지스터의 온/오프를 제어하는 스위칭 제어부를 포함하고, 상기 스위칭 제어부는, 상기 스위칭 트랜지스터의 턴오프 후, 상기 제1 신호가 제1 레벨을 갖는 구간을 카운트하고, 카운트된 횟수와 가변 기준 횟수가 동일한 시점 이후, 상기 스위칭 트랜지스터의 턴온 시점을 결정한다. 이때, 스위칭 트랜지 스터의 제1 전극 및 제2 전극간의 전압차가 최저 전압을 가질 때, 상기 스위칭 트랜지스터를 턴온시킨다. According to another aspect of the present invention, a switching mode power supply includes a switching transistor configured to rectify an input AC voltage to generate an input DC voltage, and to be coupled to a primary coil of a transformer that converts the input DC voltage. A power supply unit supplying power to the secondary side of the transformer according to an operation of the transistor, a sense signal corresponding to a feedback voltage corresponding to a voltage on the secondary side of the transformer and a current flowing through the switching transistor, and a first of the switching transistor And a switching controller configured to receive a first signal corresponding to a voltage difference between an electrode and a second electrode and a first signal generated by a reference voltage to control on / off of the switching transistor. After turning off the switching transistor, the first signal has a first level. And a turn-on time point of the switching transistor is determined after a point in time at which the counted number and the variable reference number are the same. At this time, when the voltage difference between the first electrode and the second electrode of the switching transistor has the lowest voltage, the switching transistor is turned on.
이 때, 상기 가변 기준 횟수는 적어도 각각 다른 값을 갖는 제1 기준 횟수 또는 제2 기준 횟수를 포함하고, 상기 스위칭 제어부는, 상기 스위칭 트랜지스터의 턴온 횟수를 카운트하여, 카운트 결과에 따라 상기 가변 기준 횟수를 변경한다. In this case, the variable reference number includes a first reference number or a second reference number having at least a different value, and the switching controller counts the number of turn-on times of the switching transistor, and according to the count result, the variable reference number Change
그리고, 스위칭 모드 파워 서플라이는 상기 제1 전압과 기준 전압차에 의해 발생하는 제1 전류를 기준 전류와 비교하여, 상기 제1 전류가 상기 기준 전류보다 높은 값을 갖는 구간동안 상기 제1 레벨의 제1 신호를 생성하는 스위칭 전압 검출부를 더 포함한다. 상기 스위칭 제어부는, 상기 제1 신호가 상기 제1 레벨을갖는 구간을 카운트하고, 상기 제1 기준 횟수만큼 카운트된 후, 상기 제1 신호가 최초로 상기 제1 레벨로 변하는 시점으로부터 지연 시간후에, 상기 스위칭 트랜지스터를 턴온시키는 동작을 적어도 한 번 수행한 후, 상기 제1 신호가 상기 제1 레벨을갖는 구간을 카운트하고, 상기 제2 기준 횟수만큼 카운트된 후, 상기 제1 신호가 최초로 상기 제1 레벨로 변하는 시점으로부터 상기 지연 시간후에, 상기 스위칭 트랜지스터를 턴온시키는 동작을 수행한다.The switching mode power supply compares the first current generated by the first voltage and the reference voltage difference with a reference current, so that the first level of the first level is increased during a period in which the first current has a higher value than the reference current. The apparatus further includes a switching voltage detector configured to generate one signal. The switching controller is further configured to count a section in which the first signal has the first level, count the first reference number of times, and then, after a delay time from the time when the first signal first changes to the first level, After performing an operation of turning on a switching transistor at least once, after counting the interval in which the first signal has the first level, and counting the second reference number of times, the first signal is first the first level. After the delay time from the time point to change, to turn on the switching transistor.
또는, 소정의 시간이 경과하면, 상기 기준 횟수를 변경한다. 상기 스위칭 제어부와 상기 스위칭 트랜지스터는 하나의 팩으로 형성되거나, 상기 스위칭 제어부와 상기 스위칭 트랜지스터는 각각 구별된 팩으로 형성된다.Or, when the predetermined time passes, the reference number of times is changed. The switching control unit and the switching transistor are formed in one pack, or the switching control unit and the switching transistor are each formed in a separate pack.
본 발명의 또 다른 특징에 따른 스위칭 모드 파워 서플라이의 구동 방법으로서, 입력 교류 전압을 정류하여 입력 직류 전압을 생성하고, 스위칭 트랜지스터의 온/오프에 따라 상기 입력 직류 전압을 변환하여 출력 직류 전압을 생성하는 스위칭 모드 파워 서플라이의 구동 방법에 있어서, According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of driving a switched mode power supply, the method comprising: rectifying an input AC voltage to generate an input DC voltage, and converting the input DC voltage according to on / off of a switching transistor to generate an output DC voltage. In the driving method of the switching mode power supply,
a)상기 출력 직류 전압에 대응하는 피드백 전압 및 상기 스위칭 트랜지스터에 흐르는 전류에 대응하는 감지 신호 및 상기 스위칭 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극간의 전압차에 대응하는 제1 신호를 생성하는 단계,a) generating a feedback signal corresponding to the output DC voltage and a sensing signal corresponding to a current flowing through the switching transistor and a first signal corresponding to a voltage difference between the first electrode and the second electrode of the switching transistor,
b) 상기 스위칭 트랜지스터의 턴오프 후, 상기 제1 신호의전압 레벨과 기준 전압이 동일해지는 제1 횟수를 감지하여 카운트하는 단계,b) detecting and counting a first number of times that the voltage level of the first signal is equal to the reference voltage after the switching transistor is turned off;
c) 카운트된 제1 횟수와가변 기준 횟수가 동일한 시점 이후, 상기 스위칭 트랜지스터의 턴온시점을 결정하는 단계, 및c) determining a turn-on time of the switching transistor after a time point at which the counted first number and the variable reference number are the same; and
d) 상기 c) 단계를 설정된 변조 기준 횟수만큼 반복하면, 상기 가변 기준 횟수를 변경하는 단계를 포함한다.and d) changing the variable reference number of times after repeating step c) by a predetermined number of modulation references.
본 발명의 또 다른 특징에 따른 스위칭 모드 파워 서플라이의 구동방법으로서, 입력 교류 전압을 정류하여 입력 직류 전압을 생성하고, 스위칭 트랜지스터의 온/오프에 따라 상기 입력 직류 전압을 변환하여 출력 직류 전압을 생성하는 스위칭 모드 파워 서플라이의 구동 방법에 있어서,According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of driving a switched mode power supply, the method comprising: rectifying an input AC voltage to generate an input DC voltage, and converting the input DC voltage according to on / off of a switching transistor to generate an output DC voltage. In the driving method of the switching mode power supply,
a)상기 출력 직류 전압에 대응하는 피드백 전압 및 상기 스위칭 트랜지스터에 흐르는 전류에 대응하는 감지 신호 및 상기 스위칭 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극간의 전압차에 대응하는 제1 전압과 기준 전압에 의해 발생하는 제1 신호를 생성하는 단계,a) generated by a feedback voltage corresponding to the output DC voltage and a sensing signal corresponding to a current flowing through the switching transistor and a first voltage and a reference voltage corresponding to a voltage difference between the first electrode and the second electrode of the switching transistor Generating a first signal to perform,
b) 상기 스위칭 트랜지스터의 턴오프 후, 상기 제1 신호가제1 레벨을 갖는 제1 횟수를감지하여 카운트하는 단계,b) after turning off the switching transistor, detecting and counting a first number of times the first signal has a first level;
c) 카운트된 제1 횟수와가변 기준 횟수가 동일한 시점 이후, 상기 스위칭 트랜지스터를 턴온을 결정하는 단계, 및c) determining to turn on the switching transistor after a point in time at which the counted first number is equal to the variable reference number, and
d) 상기 c) 단계를 설정된 변조 기준 횟수만큼 반복하면, 상기 가변 기준 횟수를 변경하는 단계를 포함한다.and d) changing the variable reference number of times after repeating step c) by a predetermined number of modulation references.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another part in between . Also, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise.
이하 본 발명의 실시예에 따른 유사 공진형 컨버터 및 이를 사용하는 SMPS에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, a quasi-resonant converter and an SMPS using the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 SMPS의 전체 구성을 나타내는 도면이다. 1 is a view showing the overall configuration of an SMPS according to an embodiment of the present invention.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 SMPS는 전력 공급 부(100), 출력부(200), 바이어스 전압 공급부(300), 스위칭 제어부(400) 및 스위치 전압 검출부(500)를 포함한다.As shown in FIG. 1, an SMPS according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
전력 공급부(100)는 교류 입력(AC)를 정류하는 브리지 다이오드(BD), 정류된 전압을 평활화하기 위한 커패시터(Cin), 커패시터(Cin)에 일단이 연결되는 트랜스 포머의 1차 코일(L1)을 포함한다. 전력 공급부(100)는 브리지 다이오드(BD) 및 커패시터(Cin)에 의해 교류 전압(AC)을 직류 전압(Vin)으로 변환하고, 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 듀티(duty)에 따라 트랜스 포머의 2차측, 즉 출력부(200)에 전력을 공급한다. 또한, 전력 공급부(100)는 입력 교류 전압의 레벨에 따라 스위칭 제어부(400)에서 스위칭 주파수 변조를 위한 동작을 수행할 여부를 결정하는 변조 판단부(110)를 포함한다. 변조 판단부(110)는 입력 교류 전압이 정류되어 생성되는 직류 전압(Vin)이 변조 기준 전압 이하의 값을 갖으면, 충분한 리플이 발생하므로, 스위칭 제어부(400)에서 별도의 주파수 변조가 필요하지 않은 것으로 판단한다. 그러면, 스위칭 제어부(400)로 주파수 변조를 정지 시키는 주파수 변조 제어 신호(FMS)를 스위칭 제어부(400)의 입력단자(in5)로 전달한다. 이와 달리, 직류 전압(Vin)이 변조 기준 전압을 초과하는 경우, EMI를 방지하기 위한 스위칭 주파수 변조를 위해, 주파수 변조 제어 신호(FMS)를 스위칭 제어부(400)의 입력단자(in5)로 전달한다. 본 발명의 실시예에 따른 변조 기준 전압은 입력 교류 전압의 리플에 의해 스위칭 트랜지스터의 주파수 변조가 발생하고, 발생된 주파수 변조에 의해 EMI 규제에 따를 때, 입력되는 입력 교류 전압 중 가장 높은 입력 교류 전압에 대응하는 직류 전압(Vin)으로 설정할 수 있다. The
출력부(200)는 트랜스 포머의 2차코일(L2), 트랜스 포머의 2차 코일(L2)의 일단에 애노드가 연결되는 다이오드(D1), 다이오드(D1)의 캐소드와 접지 사이에 연결되는 커패시터(C1)를 포함한다. 여기서 커패시터(C1)의 양단에 걸리는 전압이 출력 전압(Vo)이다. The
바이어스 전압 공급부(300)는 트랜스 포머의 2차 코일(L3), 트랜스 포머의 2차 코일(L3)의 일단에 애노드가 연결되는 다이오드(D2) 및 다이오드(D2)의 캐소드와 접지 사이에 연결되는 커패시터(C2)를 포함한다. 스위칭 제어부(400)는 일반적으로 IC를 통해 구현가능하며, 바이어스 전압 공급부(300)는 IC를 동작시키기 위한 바이어스 전압(Vcc)을 공급한다. 즉, 스위칭 트랜지스터(Qsw)가 스위칭을 시작하는 경우에 트랜스 포머의 2차 코일(L3) 및 다이오드(D2)가 동작하여, 커패시터(C2)의 양단에 바이어스 전압(Vcc)이 충전된다. The bias
스위치 전압 검출부(500)는 트랜스 포머의 2차 코일(L3)의 전압 신호(VL)를 이용하여 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인-소스 전압에 대응하는 싱크 신호(VS)를 생성하여 스위칭 제어부(400)에 전송한다. 스위치 전압 검출부(500)는 저항(R1, R2), 및 커패시터(C3)를 포함한다. 트랜스 포머의 2차 코일(L3)과 접지 사이에 저항(R1), 저항(R2)가 직렬로 연결되며, 저항(R1)과 저항(R2)의 접점과 접지 사이에 병렬로 커패시터(C3)가 연결된다. 트랜스 포머의 2차 코일(L3)은 1차 코일(L1)의 양단 전압을 반영하며, 1차 코일(L1)의 양단 전압은 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인-소스 전압(Vds)를 Vin 전압만큼 뺀 전압이다. 이에 따라 트랜스 포머의 2차 코일(L3)의 양단 전압(VL)은 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인-소스 전압을 반영한 다. 여기서, 저항(R1, R2) 및 커패시터(C3)는 RC 필터 역할(즉, 지연 회로 역할)을 하며, 싱크 신호(VS)의 전압은 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인 소스 전압(Vds)에 대응한다. The
스위칭 제어부(400)는 PWM(Pulse With Modulator) 신호 발생부(410), 제로 교차 검출부(zero crossing detection unit)(420), 카운터(430), 및 오실레이터(oscillator)(440)를 포함한다. 스위칭 제어부(400)는 피드백 신호(Vfb), 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 통해 흐르는 전류(Ids)를 감지한 신호(이하 '센싱 신호'이라 함)(Vsense) 및 싱크 신호(VS)를 입력받아, 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프를 제어하는 게이트 제어 신호(VGS)를 출력한다. 여기서, 피드백 신호(Vfb)는 출력 전압(Vo)에 대응하는 정보를 가지는 신호로서 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 턴오프 시점을 결정하는데 사용된다. 이 피드백 신호(Vfb)를 생성하는 방법은 포토 커플링 된 포토 다이오드와 트랜지스터를 이용할 수 있으며, 본발명이 속하는 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있으므로 구체적 설명은 생략한다. The switching
PWM 신호 발생부(410)는 오실레이터(430)로부터 전송되는 클록 신호(CLK), 센싱 신호(Vsense), 피드백 신호(Vfb)을 입력 받아, 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 턴온/턴오프를 제어하는 신호(VGS)를 출력한다. 구체적인 설명은 도 3을 참조하여 후술한다. The
제로 교차 검출부(420)는 바이어스 전압 공급부(300)의 싱크 신호(VS)를 입력받아, 제2 기준 전압(Vref2)과 동일한 값을 갖는 포인트를 검출하고, 검출된 포인트를 카운트한다. 카운트 결과, 기준 횟수(CR)만큼 싱크 신호(VS)와 제2 기준 전 압(Vref2)이 동일한 포인트가 카운트 되면, 지연 시간(Td)만큼 지연된 후에 오실레이터(440)로 검출 신호(DS)를 출력한다. 본 발명의 실시예에 따른 기준 횟수(CR)는 카운터(430)에 의해 제어된다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 제로 교차 검출부(420)에서, 지연 시간(Td)는 사용자에 의해 설정될 수 있으며, 싱크 신호(VS)의 파형이 제2 기준 전압(Vref2)과 교차하는 시점 및 최저점(valley)을 고려하여 설정될 수 있다. 구체적으로, 싱크 신호(VS)와 제2 기준 전압(Vref2)이 교차하는 포인트와 공진 파형의 최저점(valley)과의 차이를 보상하기 위한 것이다. 지연 시간(Td)은 스위칭 트랜지스터의 드레인-소스 전압의 공진 파형 주기에 따라 미리 설정될 수 있으며, 가장 짧은 공진 파형 주기의 1/4에 해당하는 기간보다 작은 시간 간격으로, 지연 시간(Td)을 설정할 수 있다. 제로 교차 검출부(420)는 변조 판단부(110)로부터 전달되는 주파수 변조 제어 신호(FMS)에 따라 기준 횟수를 결정한다. 주파수 변조 제어신호(FMS)가 주파수 변조를 지시하면, 카운터(430)가 설정한 기준 횟수만큼 싱크 신호(VS)와 제2 기준 전압(Vref2)이 교차하는 포인트를 카운트한 후, 지연 시간(Td)만큼 지연 후, 검출신호(AS)를 오실레이터(440)로 전달한다. 주파수 변조 제어신호(FMS)가 주파수 변조를 지시하지 않으면, 설정된 기준 횟수만큼 싱크 신호(VS)와 제2 기준 전압(Vref2)이 교차하는 포인트를 카운트한 후, 지연 시간(Td)만큼 지연 후, 검출신호(DS)를 오실레이터(440)로 전달한다. 이 때, 설정된기준 횟수는 카운터(430)에 의해 정해지지 않으며, 일정한 값으로 사용자가 미리 정해놓은 값일 수 있다. The zero
오실레이터(440)는 검출신호(DS)가 감지되면, 하이 레벨의 펄스를 갖는 클록 신호(CLK)를 생성하여 PWM 신호 발생부(410)로 전달한다. When the
카운터(430)는 주파수 변조 제어 신호(FMS)에 따라 기준 횟수 변경여부를 결정한다. 카운터(430)는 오실레이터(440)로부터 출력되는 클록 신호(CLK)가 스위칭 트랜지스터를 턴온시키는 횟수를 카운트하여, 카운트 결과에 따라 기준 횟수를 설정한다. 본 발명의 실시예에 따른 스위칭 제어부(400)는 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 주파수 변조를 위해 제로 교차 검출부(420)의 기준 횟수를 변화시킨다. 이 때, 기준 횟수는 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 턴온하는 매 시점마다 변경될 수 있으며, 일정한 횟수만큼 클록 신호(CLK)가 카운트 될 때마다, 기준 횟수를 변경할 수 있다. 불규칙적으로, 랜덤(random) 변수를 생성하고, 랜던 변수와 클록 신호(CLK)가 카운트되는 횟수를 비교하여, 동일할 때, 기준 횟수를 변경할 수 있다. 그리고, 소정의 시간이 경과한 후, 기준 횟수를 변경할 수 있으며, 소정의 시간은 불규칙적으로 정해질 수 있다. The
한편, 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인은 트랜스 포머의 1차 코일(L1)의 타단에 연결되며, 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 소스와 접지 사이에 센싱 저항(Rsense)이 연결된다. 그리고 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인과 소스 사이에 공진 커패시터(CR)가 별도로 연결될 수 있으며, 공진 커패시터(CR)를 사용하지 않을 경우에는 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인-소스 간의 기생 커패시턴스가 공진에 사용된다. 이하에서는 편의상 공진 커패시터(CR)를 사용하는 경우를 가정하여 설명한다. 도 1에서는 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 N 채널 타입의 MOSFET으로 나타내었으나 스위치 역할을 하는 다른 스위칭 트랜지스터로 대체될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 스위칭 트랜지스터(Qsw)는 제1 및 제2 전극으로 각각 드레인 전극 및 소스 전극을 갖으며, 제어 전극으로 게이트 전극을 갖는다. PWM 신호 발생부(410)의 출력 신호(VGS)는 게이트 전극으로 입력되며, 스위칭 트랜지스터(Qsw)는 출력 신호(VGS)에 의해 제어되어 턴온/턴오프된다. Meanwhile, the drain of the switching transistor Qsw is connected to the other end of the primary coil L1 of the transformer, and the sensing resistor Rsense is connected between the source and the ground of the switching transistor Qsw. In addition, the resonant capacitor CR may be separately connected between the drain and the source of the switching transistor Qsw, and when the resonant capacitor CR is not used, the parasitic capacitance between the drain and the source of the switching transistor Qsw is used for resonance. do. In the following description, it is assumed that a resonant capacitor CR is used for convenience. In FIG. 1, the switching transistor Qsw is represented as an N-channel MOSFET, but may be replaced by another switching transistor serving as a switch. The switching transistor Qsw according to the embodiment of the present invention has a drain electrode and a source electrode as first and second electrodes, and a gate electrode as a control electrode. The output signal VGS of the
이하에서는 도 2 를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 SMPS의 구동 방법에 대해서 설명한다. Hereinafter, a driving method of an SMPS according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2.
도 2는 도 1의 각 구성에서 발생되는 신호를 나타내는 도면이다. FIG. 2 is a diagram illustrating a signal generated in each configuration of FIG. 1.
먼저, T1 시점에 PWM 신호 발생부(410)의 출력신호(VGS)가 하이(High)로 되면, 스위칭 트랜지스터(Qsw)가 턴온된다. 이때 도 2의 (a)에 나타낸 바와 같이 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 통해 흐르는 전류(Ids)가 소정의 기울기(Vin/L1)를 가지며 증가한다. 이와 같은 전류(Ids)는 센싱 저항(Rsense)에 의해 센싱 신호(Vsense)로 변환되어 PWM 신호 발생부(410)로 전송되며, PWM 신호 발생부(410)는 피드백 신호(Vfb)와 센싱 신호(Vsense)를 비교하여 T2 시점에 VGS 신호를 하이(High)상태에서 로우(Low)상태로 변경한다. 이에 따라 T2 시점에 스위칭 트랜지스터(Qsw)는 턴오프된다. First, when the output signal VGS of the
T2 시점에 스위칭 트랜지스터(Qsw)가 턴오프되면, 도 2의 (b)에 나타낸 바와같이 다이오드(D1)를 통해 흐르는 전류(Is)는 -Vo/L2의 기울기를 가지며 영(zero)으로 감소한다. 한편, 스위칭 트랜지스터(Qsw)가 턴오프되면 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인-소스 전압(Vds)은 [Vin+Vo*Np/Ns](여기서, Np와 Ns는 트랜스 포머의 1차측과 2차측의 턴비를 나타냄)까지 상승한다. When the switching transistor Qsw is turned off at the time T2, as shown in FIG. 2B, the current Is flowing through the diode D1 decreases to zero with a slope of -Vo / L2. . On the other hand, when the switching transistor Qsw is turned off, the drain-source voltage Vds of the switching transistor Qsw is [Vin + Vo * Np / Ns] (where Np and Ns are the primary and secondary sides of the transformer. To turn ratio).
전류(Is)가 영(zero)가 되는 시점, 즉 T3에서 다이오드(D1)는 턴오프되며 2차코일(L2)은 높은 임피던스(High Impedance)상태로 변환된다. 이에 따라 트랜스 포머의 1차코일(L1)과 공진 커패시터(CR)간에 공진이 발생하며, 공진 주기는 1차 코일(L1)의 인덕턴스와 공진 커패시터(CR)의 커패시턴스 값에 의해 정해진다. 이와 같이 트랜스 포머의 1차코일(L1)과 공진 커패시터(CR)간에 공진이 발생하는 경우, Vds 신호가 Vin 전압을 기준으로 코사인 커브(cosine curve)를 그리며 변동된다. 도 2의 (c)에 나타낸 바와 같이, 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인-소스 전압(Vds)에 대응하는 전압 신호(VL)도 제1 기준 전압(Vref1)을 기준으로 코사인 커브(cosine curve)를 그리며 변동된다. 전압 신호(VL)은 2차 코일(L3)에 발생하는 전압에 따라 결정되는데, 이 전압은 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인-소스 전압(Vds) 신호를 그대로 반영하고 있다.At a time when the current Is becomes zero, that is, at T3, the diode D1 is turned off and the secondary coil L2 is converted into a high impedance state. Accordingly, resonance occurs between the primary coil L1 of the transformer and the resonance capacitor CR, and the resonance period is determined by the inductance of the primary coil L1 and the capacitance value of the resonance capacitor CR. As described above, when resonance occurs between the primary coil L1 of the transformer and the resonance capacitor CR, the Vds signal is fluctuated by drawing a cosine curve based on the Vin voltage. As shown in FIG. 2C, the voltage signal VL corresponding to the drain-source voltage Vds of the switching transistor Qsw also has a cosine curve based on the first reference voltage Vref1. And it fluctuates. The voltage signal VL is determined according to the voltage generated in the secondary coil L3, and this voltage reflects the drain-source voltage Vds signal of the switching transistor Qsw as it is.
한편, 스위치 전압 검출부(500)에 의해, 도 2의 (d)와 같은 싱크 신호(VS)가생성된다. 즉, 스위치 전압 검출부(500)의 저항(R1, R2) 및 커패시터(C5)에 의해 도 2의 (d)와 같은 싱크 신호(VS)가 생성된다. 여기서, RC 시정수에 의해 싱크 신호(VS)는 전압 신호(VL)보다 조금 늦게 상승하거나 하강한다. 이에 따라 Vds 신호가 최소가 되는 지점과 싱크 신호(VS)가 최소가 되는 지점이 약간 어긋나게 된다. 즉, 스위치 전압 검출부(500)의 저항(R1, R2) 및 커패시터(C5)는 전압 신호(VL)를 지연하여 싱크 신호(VS)를 생성하는 지연회로(delay circuit) 역할을 한다. On the other hand, the
제로 교차 검출부(420)는 도 2의 (e)에 나타낸 바와 같이 싱크 신호(VS)가 제2 기준전압(Vref2)와 교차하는 시점, C1, C2, C3, C4, 및 C5 시점을 검출한다. 그리고, 제로 교차 검출부(420)는 교차하는 횟수를 카운트하여, 기준 횟수와 비교한다. 도 2에서는 먼저 기준횟수가 5회인 경우에 대해서 설명한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제로 교차 검출부(420)는 교차하는 시점마다 하이 레벨 펄스(HP)를 생성하여 카운트할 수 있으며, 다섯번째 하이 레벨 펄스(HP)가 생성된 후, 지연 시간(Td)만큼 지연 후, 하이 레벨의 펄스를 갖는 검출신호(AS)를 생성하여, 오실레이터(440)로 전송한다. As illustrated in FIG. 2E, the zero
그러면, 도 2의 (f)에 나타낸 바와 같이, 시점 T4에서, 오실레이터(440)는 하이 레벨의 펄스를 갖는 클록 신호(CLK)를 생성하여, PWM 신호 발생부(410)로 전송한다. Then, as shown in (f) of FIG. 2, at time point T4, the
PWM 신호 발생부(410)는 도 2의 (g)에 나타낸 바와 같이, 클록 신호(CLK)의 폴링 타이밍(T5)에 VGS 신호를 하이(High) 레벨로 변경시킨다. 이에 따라 스위칭 트랜지스터(Qsw)는 싱크 신호(VS)가 제2 기준 전압(Vref2)과 다섯 번 교차된 후, 가장 낮은 시점인 T5에서 턴온된다. As shown in FIG. 2G, the
본 발명의 실시예에 따른 제로 교차 검출부(420)의 기준 횟수는 5번으로 설정하였으나, 이에 한정되지 않는다. 이와 같은 방법으로, 변조 기준 횟수(k)만큼 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프를 제어하는 동안, 카운터(430)는 오실레이터(440)로부터 출력되는 클록 신호(CLK)가 하이 레벨의 펄스를 갖는 횟수를 카운트하여 설정된 변조 기준 횟수(k)만큼 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프를 제어하였는지 판단한다. 카운터(430)는 설정된 변조 기준 횟수(k)만큼 하이 레벨의 펄스를 갖는 클록 신호(CLK)를 카운트하면, 기준 횟수를 3번으로 변경시킨다. 이 때, 변조 기준 횟수(k)는 위에서도 언급한 바와 같이, 일정한 주기를 갖고 변하거나, 일정한 시간이 지나면 변하는 등, 불규칙적으로 변할 수 있다. The reference count of the zero
이하, 기준 횟수가 3번으로 변경되었을 때의 동작에 대해서 설명한다. 시점 T6에서 턴온된 후, 시점 T7에서 턴오프되고, 그 후, 전압 신호(VL)가 공진되는 것은 앞에서 설명한 것과 동일하다.The operation when the reference number is changed to three will be described below. After being turned on at the time point T6, it is turned off at the time point T7, and then the voltage signal VL is resonated as described above.
제로 교차 검출부(420)는 도 2의 (e)에 나타낸 바와 같이 싱크 신호(VS)가 제2 기준전압(Vref2)와 교차하는 시점, C6, C7 및 C8 시점을 검출한다. 그리고, 제로 교차 검출부(420)는 교차하는 횟수를 카운트하여, 기준 횟수와 비교한다. 기준 횟수가 3번이므로, 제로 교차 검출부(420)는 교차하는 시점마다 하이 레벨 펄스를 생성하여 카운트하고, 세번째 하이 레벨 펄스가 생성된 후, 지연 시간(Td)만큼 지연 후, 하이 레벨의 펄스를 갖는 검출신호(AS)를 생성하여, 오실레이터(440)로 전송한다. As illustrated in (e) of FIG. 2, the zero
그러면, 도 2의 (f)에 나타낸 바와 같이, 시점 T8에서, 오실레이터(440)는 하이 레벨의 펄스를 갖는 클록 신호(CLK)를 생성하여, PWM 신호 발생부(410)로 전송한다. Then, as shown in (f) of FIG. 2, at time point T8, the
PWM 신호 발생부(410)는 도 2의 (g)에 나타낸 바와 같이, 클록 신호(CLK)의 폴링 타이밍(T9)에 VGS 신호를 하이(High) 레벨로 변경시킨다. 이에 따라 스위칭 트랜지스터(Qsw)는 싱크 신호(VS)가 제2 기준 전압(Vref)와 세 번 교차된 후, 가장 낮은 시점인 T9에서 턴온된다. As shown in FIG. 2G, the
이와 같은 방법으로, 설정된 횟수(k)만큼 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프 를 제어하는 동안, 카운터(430)는 오실레이터(440)로부터 출력되는 클록 신호(CLK)가 하이 레벨의 펄스를 갖는 횟수를 카운트하여 설정된 횟수(k)만큼 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프를 제어하였는지 판단한다. 카운터(430)는 설정된 횟수(k)만큼 하이 레벨의 펄스를 갖는 클록 신호(CLK)를 카운트하면, 기준 횟수를 3번이 아닌 다른 값으로 변경시킨다.In this manner, while controlling the on / off of the switching transistor Qsw by the set number k, the
이하, 도 3을 참조하여 PWM 신호 발생부(410)에 대해서 설명한다.Hereinafter, the
도 3은 PWM 신호 발생부(410)의 구성을 나타낸 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, PWM 신호 발생부(410)는 PWM 비교기(411), PWM 플립플롭(412), NOR 게이트(413) 및 게이트 드라이버(414)를 포함한다.3 is a diagram illustrating a configuration of the
PWM 비교기(411)는 피드백 신호와 감지 신호를 비교하여, 피드백 신호보다 감지 신호가 더 높은 레벨을 갖는 경우, 하이 레벨의 신호를 PWM 플립플롭(412)의 리셋 단(R)으로 출력한다. The
PWM 플립플롭(412)의 리셋 단에 하이 레벨의 신호가 입력되면, PWM 플립플롭(412)의 반전 출력단(/Q)에서 하이 레벨의 신호가 NOR 게이트(413)로 출력된다. 그러면, 오실레이터(440)의 클록 신호(CLK)의 레벨에 관계 없이 NOR 게이트(413)는 로우 레벨의 신호를 출력하고, 이 때, 게이트 드라이버(414)는 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 턴오프 시킨다.When the high level signal is input to the reset terminal of the PWM flip-
그 후, 도 2의 (d)에 나타낸 바와 같이, 클록 신호(CLK)가 하이 레벨의 펄스가 되면, PWM 플립플롭(412)의 셋단(S)에 입력되고, PWM 플립플롭(412)의 반전 출력단자(/Q)로 로우 레벨의 신호가 출력되어 NOR 게이트(413)로 입력된다. 그리고, 시점 T1, T5, T6 및 T9와 같이, 클록신호의 폴링 타이밍에 NOR 게이트(413)는 입력 신호가 모두 로우 레벨이므로, 하이 레벨의 신호를 게이트 드라이버(414)로 출력한다.Thereafter, as shown in FIG. 2D, when the clock signal CLK becomes a high level pulse, the clock signal CLK is input to the set terminal S of the PWM flip-
그러면, 게이트 드라이버는 시점 T1, T5, T6 및 T9에서 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 턴온시킨다. The gate driver then turns on the switching transistor Qsw at points T1, T5, T6, and T9.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 스위칭 모드 파워 서플라이 및 그 구동방법은 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인-소스 전압(Vds)에 대응하는 싱크 신호(VS)가 제2 기준 전압이 되는 횟수를 카운트하고, 기준 횟수와 비교하며, 기준 횟수를 임의의 간격(변조 기준 횟수)으로 변경시키면서 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프를 제어한다. 따라서, 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 주파수 변조 범위가 입력 교류 전압의 레벨에 관계없이 유지된다. 그러면 입력 교류 전압이 상승하고, 그에 따라dc-link 전압의 리플 폭이 감소하여 발생하는 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 주파수 변조 범위가 감소하는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, EMI를 감소시킬 수 있다. As described above, in the switching mode power supply and the driving method thereof, the number of times that the sink signal VS corresponding to the drain-source voltage Vds of the switching transistor Qsw becomes the second reference voltage is counted. The on / off of the switching transistor Qsw is controlled while changing the reference number at an arbitrary interval (modulation reference number). Thus, the frequency modulation range of the switching transistor Qsw is maintained regardless of the level of the input AC voltage. As a result, the input AC voltage increases, thereby reducing the frequency modulation range of the switching transistor Qsw due to the decrease in the ripple width of the dc-link voltage. Therefore, EMI can be reduced.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 전류 센싱에 의해 스위칭 트랜지스터의 주파수 변조를 수행하는 SMPS를 설명한다.Hereinafter, an SMPS for performing frequency modulation of a switching transistor by current sensing according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 스위칭 전압 검출부(500')를 도시한 것이다. 4 illustrates a switching
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 스위칭 전압 검출부(500')는 전류-미러(current-mirror) 방식을 이용하여, 스위칭 트랜지스터(Qsw) 의 드레인-소스 전압을 검출한다.As shown in FIG. 4, the switching
스위칭 전압 검출부(500')는 기준 전류원(Ir), 전원(Vcc), 저항(R4), 저항(R5), 제1 BJT(B1), 다이오드 연결되어 있는 제2 BJT(B2), 검출 트랜지스터(M) 및 비교기(510)를 포함한다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 검출 트랜지스터(M)는 N 채널 타입의 MOSFET이며, 드레인 전극, 소스 전극 및 게이트 전극을 제1 전극, 제2 전극 및 제어전극으로 갖는다. 스위칭 전압 검출부(500')와 2차 코일(L3) 사이에는 저항(R3)가 연결되어 있어, 전압(VC)과 전압신호(VL)의 전압차에 따라 발생하는 전류 신호(i)를 조절한다.The switching voltage detector 500 'includes a reference current source Ir, a power supply Vcc, a resistor R4, a resistor R5, a first BJT (B1), a diode-connected second BJT (B2), and a detection transistor ( M) and
비교기(510)의 비반전단자(+)에는 기준전압(Vr)이 입력되고, 전압(VC)은 바전단자(-)에 입력된다. 전압(VC)이 기준전압(Vr)보다 크면, 트랜지스터가 턴오프되어, 전압(VC)이 기준전압(Vr)보다 작으면, 트랜지스터가 턴온되어 전압(VC)는 상승한다. 따라서 전압(VC)는 기준전압(Vr)과 동일한 값으로 유지된다.The reference voltage Vr is input to the non-inverting terminal + of the
전압 신호(VL)가 전압(VC)보다 작을 때, 전압 신호(VL)의 전압값과 전압(VC)의 전압차에 따라 발생하는 전류(i)는 다이오드 연결된 제2 BJT에 흐르고, 전류-미러에 의해 전류(i)는 제1 BJT(B1)의 에미터 단자를 통해 흐른다. 이때, 전류(i)가 기준 전류원(Ir)보다 작으면, 로우 레벨의 싱크 신호(VS')가 출력되고, 전류(i)가 기준 전류원(Ir)보다 크면, 하이 레벨의 싱크 신호(VS')가 출력된다. 본 발명의 실시예에 따라 발생하는 전류(i)가 기준 전류원(Ir)보다 큰 값을 갖게 되어, 하이 레벨의 싱크 신호(VS')를 출력할 때, 전압 신호(VL)의 값을 센싱 기준 전압(Vref3)으로 설정한다. 따라서, 전압 신호(VL)가 센싱 기준 전압(Vref3) 이하인 구간에서, 싱크 신호(VS')는 하이 레벨이 된다. When the voltage signal VL is smaller than the voltage VC, a current i generated according to the voltage value of the voltage signal VL and the voltage difference of the voltage VC flows in the diode-connected second BJT, and the current-mirror The current i flows through the emitter terminal of the first BJT B1. At this time, when the current i is smaller than the reference current source Ir, a low level sink signal VS 'is output. When the current i is larger than the reference current source Ir, the high level sink signal VS' is output. ) Is output. When the current i generated according to the embodiment of the present invention has a larger value than the reference current source Ir, and outputs the high level sync signal VS ', the value of the voltage signal VS is sensed based on the sensing reference. Set to voltage Vref3. Therefore, in the period where the voltage signal VS is less than or equal to the sensing reference voltage Vref3, the sink signal VS ′ becomes a high level.
제로 교차 검출부(420')는 하이 레벨의 싱크 신호(VS')가 출력되는 구간을 카운트하여, 기준 횟수와 비교한다. 제로 교차 검출부(420')는 비교 결과 기준 횟수와 동일하면, 그 이후에 싱크 신호(VS')가 하이 레벨로 변하는 라이징 타이밍이 감지되는 순간부터, 지연 시간(Td')만큼 지연시킨 후 검출신호(AS')를 오실레이터(440)에 전달한다.The zero crossing detection unit 420 'counts a section in which the high level sync signal VS' is output and compares it with the reference number of times. When the zero crossing detection unit 420 'is equal to the reference number of times as a result of the comparison, the detection signal is delayed by the delay time Td' from the moment when the rising timing at which the sink signal VS 'changes to a high level is detected thereafter. AS 'to the
그러면, 오실레이터(440)는 검출신호(AS')를 입력받으면, 그 때 하이 레벨의 펄스를 갖는 클록 신호(CLK)를 생성하여, PWM 신호 발생부(410)로 전달한다.When the
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 SMPS에서 발생하는 신호를 도시한 것이다. 5 illustrates a signal generated in an SMPS according to a second embodiment of the present invention.
T11 시점에 PWM 신호 발생부(410)의 출력신호(VGS)가 하이(High)로 되면, 스위칭 트랜지스터(Qsw)가 턴온된다. 이때 도 5의 (a)에 나타낸 바와 같이 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 통해 흐르는 전류(Ids)가 소정의 기울기(Vin/L1)를 가지며 증가한다. 이와 같은 전류(Ids)는 센싱 저항(Rsense)에 의해 센싱 신호(Vsense)로 변환되어 PWM 신호 발생부(410)로 전송되며, PWM 신호 발생부(410)는 피드백 신호(Vfb)와 센싱 신호(Vsense)를 비교하여 T12 시점에 VGS 신호를 하이(High)상태에서 로우(Low)상태로 변경한다. 이에 따라 T2 시점에 스위칭 트랜지스터(Qsw)는 턴오프된다. When the output signal VGS of the
T12 시점에 스위칭 트랜지스터(Qsw)가 턴오프되면, 도 5의 (b)에 나타낸 바와같이 다이오드(D1)를 통해 흐르는 전류(Is)는 -Vo/L2의 기울기를 가지며 영(zero)으로 감소한다. When the switching transistor Qsw is turned off at the time T12, as shown in FIG. 5B, the current Is flowing through the diode D1 decreases to zero with a slope of -Vo / L2. .
전류(Is)가 영(zero)가 되는 시점 T13에서 트랜스 포머의 1차코일(L1)과 공진 커패시터(CR)간에 공진이 발생하며, 공진 주기는 1차 코일(L1)의 인덕턴스와 공진 커패시터(CR)의 커패시턴스 값에 의해 정해진다. 이와 같이 트랜스 포머의 1차 코일(L1)과 공진 커패시터(CR)간에 공진이 발생하는 경우, Vds 신호가 Vin 전압을 기준으로 코사인 커브(cosine curve)를 그리며 변동된다. 도 5의 (c)에 나타낸 바와 같이, 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인-소스 전압(Vds)에 대응하는 전압 신호(VL)도 제1 기준 전압(Vref1)을 기준으로 코사인 커브(cosine curve)를 그리며 변동된다. 전압 신호(VL)는 2차 코일(L3)에 발생하는 전압에 따라 결정되는데, 이 전압은 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인-소스 전압(Vds) 신호를 그대로 반영하고 있다.At the time T13 when the current Is becomes zero, resonance occurs between the primary coil L1 of the transformer and the resonant capacitor CR, and the resonant period is the inductance of the primary coil L1 and the resonant capacitor ( It is determined by the capacitance value of CR). As described above, when resonance occurs between the primary coil L1 of the transformer and the resonance capacitor CR, the Vds signal is fluctuated by drawing a cosine curve based on the Vin voltage. As shown in FIG. 5C, the voltage signal VL corresponding to the drain-source voltage Vds of the switching transistor Qsw also has a cosine curve based on the first reference voltage Vref1. And it fluctuates. The voltage signal VL is determined according to the voltage generated in the secondary coil L3, and this voltage reflects the drain-source voltage Vds signal of the switching transistor Qsw as it is.
한편, 스위치 전압 검출부(500)에 의해, 도 5의 (c)에서 구간T14 및 구간 T15동안 하이레벨의 싱크 신호(VS')가 생성된다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 기준 횟수를 2번으로 가정하면, 제로 교차 검출부(420)는 하이 레벨의 싱크 신호(VS')가 기준 횟수 만큼 감지된 후, 최초의 싱크 신호(VS') 라이징 타임이 발생하는 시점 T16으로부터 지연 시간(Td')후에 검출신호(AS')를 생성하여, 오실레이터(440)로 전달한다. 그러면, 오실레이터(440)는 하이 레벨의 펄스를 갖는 클록 신호(CLK)를 생성하여, 시점 T17에 PWM 신호 발생부(410)로 전달한다. 도 5에서는 먼저 기준횟수가 두번인 경우에 대해서 설명한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. On the other hand, the
PWM 신호 발생부(410)는 도 5의 (e)에 나타낸 바와 같이, 클록 신호(CLK)의 폴링 타이밍(T18)에 VGS 신호를 하이(High) 레벨로 변경시킨다. 이에 따라 스위칭 트랜지스터(Qsw)는 싱크 신호(VS')가 하이 레벨인 구간이 두 번 감지된 후, 전압 신호(VL)가 가장 낮은 시점인 T18에서 턴온된다. As shown in FIG. 5E, the
본 발명의 제2 실시예에 따른 제로 교차 검출부(420)의 기준 횟수는 두번으로 설정하였으나, 이에 한정되지 않는다. 이와 같은 방법으로, 변조 기준 횟수(k')만큼 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프를 제어하는 동안, 카운터(430)는 오실레이터(440)로부터 출력되는 클록 신호(CLK)가 하이 레벨의 펄스를 갖는 횟수를 카운트하여 설정된 변조 기준 횟수(k')만큼 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프를 제어하였는지 판단한다. 카운터(430)는 설정된 변조 기준 횟수(k')만큼 하이 레벨의 펄스를 갖는 클록 신호(CLK)를 카운트하면, 기준 횟수를 한번으로 변경시킨다. 이 때, 변조 기준 횟수(k)는 위에서도 언급한 바와 같이, 일정한 주기를 갖고 변하거나, 일정한 시간이 지나면 변하는 등, 불규칙적으로 변할 수 있다. Although the reference number of the zero
이하, 기준 횟수가 한번으로 변경되었을 때의 동작에 대해서 설명한다. 시점 T21에서 턴온된 후, 시점 T22에서 턴오프되고, 그 후, 전압 신호(VL)가 공진되는 것은 앞에서 설명한 것과 동일하다.The operation when the reference count is changed once is described below. After being turned on at the time point T21, it is turned off at the time point T22, and then the voltage signal VL is resonated as described above.
제로 교차 검출부(420)는 싱크 신호(VS')가 구간 T23에서 하이 레벨을 갖고, 최초의 싱크 신호(VS') 라이징 타임이 발생하는 시점 T24로부터 지연 시간(Td')후에 검출신호(AS')를 생성하여, 오실레이터(440)로 전달한다. 그러면, 오실레이터(440)는 하이 레벨의 펄스를 갖는 클록 신호(CLK)를 생성하여, 시점 T25에 PWM 신호 발생부(410)로 전달한다. The zero
PWM 신호 발생부(410)는 도 5의 (e)에 나타낸 바와 같이, 클록 신호(CLK)의 폴링 타이밍(T26)에 VGS 신호를 하이(High) 레벨로 변경시킨다. 이에 따라 스위칭 트랜지스터(Qsw)는 싱크 신호(VS')가 하이 레벨인 구간이 한 번 감지된 후, 전압 신호(VL)이 가장 낮은 시점인 T26에서 턴온된다. As shown in FIG. 5E, the
이와 같은 방법으로, 변조 기준 횟수(k')만큼 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프를 제어하는 동안, 카운터(430)는 오실레이터(440)로부터 출력되는 클록 신호(CLK)가 하이 레벨의 펄스를 갖는 횟수를 카운트하여 변조 기준 횟수(k')만큼 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프를 제어하였는지 판단한다. 카운터(430)는 변조 기준 횟수(k')만큼 하이 레벨의 펄스를 갖는 클록 신호(CLK)를 카운트하면, 기준 횟수를 한번이 아닌 다른 값으로 변경시킨다.In this manner, while controlling the on / off of the switching transistor Qsw by the modulation reference number k ', the
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 스위칭 모드 파워 서플라이 및 그 구동방법은 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인-소스 전압(Vds)에 대응하는 전압 신호(VL)가 제3 기준 전압보다 작은 구간을 카운트하고, 기준 횟수와 비교하며, 기준 횟수를 임의의 간격(변조 기준 횟수)으로 변경시키면서 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프를 제어한다. 따라서, 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 주파수 변조 범위가 입력 교류 전압의 레벨에 관계없이 유지된다. 그러면 입력 교류 전압이 상승하고, 그에 따라 dc-link 전압의 리플 폭이 감소하여 발생하는 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 주파수 변조 범위가 감소하는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, EMI를 감소시킬 수 있다.As described above, in the switching mode power supply and the driving method thereof, the voltage signal VL corresponding to the drain-source voltage Vds of the switching transistor Qsw is smaller than the third reference voltage. The on / off of the switching transistor Qsw is controlled while changing the reference number at an arbitrary interval (modulation reference number). Thus, the frequency modulation range of the switching transistor Qsw is maintained regardless of the level of the input AC voltage. As a result, the input AC voltage increases, thereby reducing the frequency modulation range of the switching transistor Qsw due to the decrease in the ripple width of the dc-link voltage. Therefore, EMI can be reduced.
지금까지 설명한 본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예는 스위칭 트랜지스터와 스위칭 제어부를 하나의 팩으로 형성한 SMPS 및 스위칭 트랜지스터와 스위칭 제어부가 구분되어 각각 다른 팩으로 형성된 SMPS에서 모두 적용될 수 있다. The first and second embodiments of the present invention described so far can be applied to both a SMPS in which the switching transistor and the switching control unit are formed in one pack, and SMPS in which the switching transistor and the switching control unit are divided and formed in different packs.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 특징에 따르면, 전압 또는 전류 신호를 센싱하여, 스위칭 주파수 변조 범위를 외부 장치없이 내부적으로 조절할 수 있는 스위칭 모드 파워 서플라이 및 그 구동 방법을 제공한다.As described above, according to an aspect of the present invention, there is provided a switching mode power supply and a driving method thereof capable of sensing a voltage or current signal to internally adjust a switching frequency modulation range without an external device.
이에 따라, 스위칭 주파수 변조 범위를 입력 전압에 관계없이 일정하게 유지하여, EMI를 줄일 수 있는 스위칭 모드 파워 서플라이 및 그 구동 방법을 제공한다. Accordingly, the present invention provides a switching mode power supply and its driving method capable of reducing EMI by maintaining a constant switching frequency modulation range regardless of an input voltage.
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