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KR101212067B1 - 액정표시장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

액정표시장치 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR101212067B1
KR101212067B1 KR1020060011111A KR20060011111A KR101212067B1 KR 101212067 B1 KR101212067 B1 KR 101212067B1 KR 1020060011111 A KR1020060011111 A KR 1020060011111A KR 20060011111 A KR20060011111 A KR 20060011111A KR 101212067 B1 KR101212067 B1 KR 101212067B1
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윤여건
김혁진
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 컬럼 스페이서의 이동으로 인한 화소전극 모서리 주변의 텍스쳐 불량에 의한 표시불량을 방지한 액정표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
이를 위하여, 본 발명에 따른 액정표시장치는 교차구조로 화소영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과, 상기 화소영역에 형성되고, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차부와 인접한 일측변이 경사지게 형성된 화소전극과, 상기 게이트 라인과 나란하게 형성되어 스토리지 전압을 공급하는 스토리지 라인 및 상기 스토리지 라인에서 돌출되어 상기 데이터 라인과 인접한 상기 화소전극의 일측부와 중첩되게 형성된 스토리지 돌출부를 포함하며, 상기 스토리지 돌출부의 일측변이 상기 화소전극의 경사진 일측변과 평행하게 형성된 것을 특징으로 한다.

Description

액정표시장치 및 이의 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 I-I'선을 따라 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 순차적으로 설명하기 위하여 도시된 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 도시한 평면확대도이다.
도 5은 도 4에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 6a 내지 도 6e 는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 설명하기 위하여 도시된 단면도들이다.
<도면부호의 간단한 설명>
10: 기판 20: 게이트 전극
21: 게이트 라인 22: 스토리지 라인
23: 스토리지 돌출부 30: 게이트 절연막
31: 반도체층 32: 오믹 접촉층
40: 드레인 전극 50: 소스 전극
60: 데이터 라인 70: 화소 콘택홀
80, 81: 제1 및 제2 콘택홀 90: 보호막
100: 화소전극 101, 102: 슬릿
110: 브리지 전극
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 컬럼 스페이서의 이동으로 인한 화소전극 모서리 주변의 텍스쳐 불량에 의한 표시불량을 방지한 액정표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 평판형 표시장치의 하나인 액정표시장치(LCD;Liquid Crystal Display)는 음극선관(CRT;Cathode Ray Tube)와 대비해서 소형, 경량화 및 저소비전력 등의 장점이 있어, 최근 휴대폰, 컴퓨터의 모니터 및 TV 등으로 많이 사용되고 있고 액정표시장치의 수요는 계속적으로 증가되고 있는 실정이다.
액정 표시 장치는 일반적으로 공통전극과 컬러필터 등이 형성되어 있는 컬러필터 기판과 박막 트랜지스터와 화소 전극 등이 형성되어 있는 컬러필터 기판 사이에 액정을 주입하고 화소 전극과 공통전극에 서로 다른 전위를 인가함으로써 전계를 형성하여 액정 분자들의 배열을 변경시키고, 이를 통해 빛의 투과율을 조절함으로써 화상을 표현하는 장치이다.
그 중에서도 전계가 인가되지 않은 상태에서 액정 분자의 장축을 상하 기판에 대하여 수직을 이루도록 배열한 수직 배향 모드 액정 표시 장치는 대비비가 크고 광시야각 구현이 용이하여 각광받고 있다.
수직 배향 모드 액정 표시 장치에서 광시야각을 구현하기 위한 수단으로는 전극에 절개 패턴을 형성하는 방법과 돌기를 형성하는 방법 등이 있다. 이들 모두는 프린지 필드(Fringe Field)를 형성하여 액정의 기우는 방향을 4방향으로 고르게 분산시킴으로써 광시야각을 확보하는 방법이다. 이중에서 전극에 절개 패턴을 형성하는 PVA(Patterned Vertically Aligned) 모드는 IPS(In Plane Switching) 모드를 대체할 수 있는 광시야각 기술로 인정받고 있다.
또한 PVA 모드는 액정 분자의 거동에 비틀림이 없고 전계 방향에 수직한 방 향으로 스플레이 하거나 또는 구부러지는 탄력성에 의한 움직만 있으므로 TN(Twisted nematic) 방식에 비하여 상대적으로 빠른 응답 특성을 갖는다.
그러나, 컬러필터가 형성된 상부기판과 박막 트랜지스터가 형성된 하부기판의 셀갭을 유지하기 위하여 형성된 컬럼 스페이서가 외부의 물리적 충격에 의하여 이동되면 화소전극의 모서리 영역에서 텍스쳐(Texture) 제어불량으로 인하여 액정 표시장치의 표시불량이 발생한다. 특히, 청색의 화소영역과 인접한 컬럼스페이서에 충격이 가해지면 이러한 텍스쳐 불량이 발생하고 컬럼 스페이서가 원위치로 회복되어도 청색 화소영역은 텍스쳐 불량이 복원되지 않아 휘도가 저하되어 가로선 불량 및 노란색으로 시인되는 옐로위쉬(Yellowish)가 발생한다.
따라서, 상기의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 기술적 과제는 컬럼 스페이서가 형성되는 영역의 스토리지 돌출부 또는 스토리지 돌출부와 스토로지 라인을 연결하는 브리지 전극의 형상을 변형하여 표시불량을 방지한 액정표시장치 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 교차구조로 화소영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과, 상기 화소영역에 형성되고, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차부와 인접한 일측변이 경사지게 형성된 화소전극과, 상기 게이트 라인과 나란하게 형성되어 스토리지 전압을 공급하는 스토리지 라인 및 상기 스토리지 라인에서 돌출되어 상기 데이터 라인과 인접한 상기 화소전극의 일측부와 중첩되게 형성된 스토리지 돌출부를 포함하며, 상기 스토리지 돌출부의 일측변이 상기 화소전극의 경사진 일측변과 평행하게 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치를 제공한다.
그리고, 본 발명에 따른 액정표시장치는 상기 스토리지 돌출부와 다음단 스토리지 라인과 전기적으로 연결하는 브리지 전극을 더 구비한다.
여기서, 상기 브리지 전극의 일측변이 상기 화소전극의 경사진 일측변과 평행하게 형성된다.
또한, 상기 화소전극은 다수의 슬릿을 더 구비한다.
그리고 상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 교차구조로 화소영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 형성하는 단계와, 상기 화소영역에 형성되고, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차부와 인접한 일측변이 경사지게 형성된 화소전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 라인과 나란하게 형성되어 스토리지 전압을 공급하는 스토리지 라인을 형성하는 단계와, 상기 스토리지 돌출부의 일측변이 상기 화소전극의 경사진 일측변과 평행하게 형성되며, 상기 스토리지 라인에서 돌출되어 상기 데이터 라인과 인접한 상기 화소전극의 일측부와 중첩되게 형성된 스토리지 돌출부를 형성하는 단계를 포함한다.
그리고, 상기 스토리지 돌출부와 다음단 스토리지 라인을 접속하는 브리지 전극을 형성하는 단계를 더 포함한다.
여기서, 상기 브리지 전극의 일측변이 상기 화소전극의 경사진 일측변과 평행하게 형성되는 단계를 더 포함한다.
또한, 상기 화소전극을 형성하는 단계는 상기 화소전극에 다수의 슬릿을 형성하는 단계를 더 포함한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발 명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 I-I'선을 따라 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 교차구조로 화소영역을 정의하는 게이트 라인(21) 및 데이터 라인(60)과, 화소영역에 형성되고, 게이트 라인(21) 및 데이터 라인(60)의 교차부와 인접한 일측변이 경사지게 형성된 화소전극(100)과, 게이트 라인(21)과 나란하게 형성되어 스토리지 전압을 공급하는 스토리지 라인(22) 및 스토리지 라인(22)에서 돌출되어 데이터 라인(60)과 인접한 화소전극(100)의 일측부와 중첩되게 형성된 스토리지 돌출부(23)를 포함하며, 스토리지 돌출부(23)의 일측변이 화소전극(100)의 경사진 일측변과 평행하게 형성된다.
구체적으로, 게이트 라인(21)은 스캔 신호를 공급하고, 데이터 라인(60)은 화상 데이터 신호를 공급한다. 이러한 게이트 라인(21) 및 데이터 라인(60)은 게이트 절연막(30)을 사이에 두고 교차하여 화소 영역을 정의한다. 그리고 화소영역에는 게이트 라인(21) 및 데이터 라인(60)과 접속된 박막 트랜지스터가 형성된다.
박막 트랜지스터는 게이트 라인(21)과 접속된 게이트 전극(20), 데이터 라인(60)과 접속된 소스 전극(50), 화소전극(100)과 접속된 드레인 전극(40), 게이트 전극(20)과 게이트 절연막(30)을 사이에 두고 중첩되어 소스 전극(50)과 드레인 전극(40) 사이에 채널을 형성하는 반도체층(31)을 구비한다. 또한, 박막 트랜지스터는 소스 전극(50) 및 드레인 전극(40)과 반도체층(31) 사이의 오믹 접촉을 위한 오믹 접촉층(32)을 더 구비한다. 이러한 박막 트랜지스터는 게이트 라인(21)의 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인(60)의 화상 데이터 신호를 화소전극(100)에 공급한다.
화소전극(100)은 박막 트랜지스터를 덮는 보호막(90) 위에 형성되고, 보호막(90)을 관통하는 화소 콘택홀(70)를 경유하여 드레인 전극(40)과 접속된다. 화소전극(100)은 박막 트랜지스터로부터의 화상 데이터 신호가 공급되면 컬러 필터 기판의 공통 전극과의 전압차로 액정을 구동하여 광 투과율이 조절되게 한다. 이러한 화소전극(100)은 화소영역을 다수의 도메인으로 분할하기 위해 다수의 슬릿(101, 102)을 구비한다. 다수의 슬릿은 화소전극(100)의 단축방향을 기준으로 상부 및 하부에 각각 대칭되며 경사각을 갖고 형성된 제1 및 제2 슬릿(101, 102)을 포함한다. 이때, 제1 및 제2 슬릿(101, 102)은 서로 수직을 이루며 형성된다. 제1 및 제2 슬릿(101, 102)은 프린지 필드의 방향을 다수의 방향으로 고르게 분산하여 하나의 화소에 다수개의 도메인을 형성하도록 한다. 여기서, 화소전극(100)은 게이트 라인(21) 및 데이터 라인(60)의 교차부와 인접한 일측변이 경사지게 형성된다. 즉, 화소전극(100)의 코너부 일측변이 경사지게 형성되어 스토리지 돌출부(23)와 다음단 스토리지 라인(22)을 연결하는 브리지 전극(110과의 중첩을 회피하고, 박막 트랜지스터와의 중첩을 회피된다.
스토리지 라인(22)은 게이트 라인(21)과 평행하게 형성되어 스토리지 전압을 공급한다. 그리고 스토리지 라인(22)에서 돌출되어 데이터 라인(60)과 평행하게 형성된 스토리지 돌출부(23)를 구비한다. 그리고, 스토리지 라인(22) 및 스토리지 돌출부는 화소전극(100)과 중첩된다.
스토리지 돌출부(23)는 데이터 라인(60)과 인접한 화소전극(100)의 일측과 중첩되어 데이터 라인(60)과 나란하게 형성된다. 스토리지 돌출부(23)의 끝단은 다음 스토리지 라인(22)과 브리지 전극(110)을 통해 접속된다. 여기서, 스토리지 돌출부(23)의 일측변은 화소전극(100)의 경사진 일측변과 평행하게 형성되어 화소전극(100) 사이에 프린지 필드를 형성한다. 이에 따라, 컬럼 스페이서가 형성되는 영역(A)에서 외부의 물리적 충격에 의한 컬럼 스페이서의 유동이 발생하여도 스토리지 돌출부 끝단의 일측변과 화소전극(100)의 모서리의 일측변 사이에 형성된 프린지 필드에 의해 텍스쳐 불량이 발생되지 않는다. 이에 따라, 액정표시장치의 표시품질이 향상된다. 특히, 청색 화소와 인접하여 컬럼 스페이서가 위치하고, 컬럼 스페이서의 이동에 의한 옐로위시의 발생을 방지할 수 있다.
스토리지 돌출부(23)의 끝단은 다음단 스토리지 라인(22)과 접속을 위해 제1 콘택홀(80)을 더 구비하고, 다음단 스토리지 라인(22)의 소정영역에 제2 콘택홀(81)을 구비한다. 그리고, 스토리지 돌출부(23)와 다음단 스토리지 라인(22)은 브리지 전극(110)을 통해 전기적으로 접속된다.
브리지 전극(110)은 제1 및 제2 콘택홀(80, 81)을 경유하여 스토리지 돌출부(23)와 다음단 스토리지 라인(22)과 접속된다. 이러한 브리지 전극(110)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명전극으로 형성된다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 제1 마스크 공정을 통해 기판(10) 위에 게이트 라인(21)과 게이트 전극(20)과, 스토리지 라인(22) 및 일측변이 경사지게 형성된 스토리지 돌출부(23)를 포함하는 제1 도전 패턴군이 형성된다.
구체적으로, 기판(10) 위에 제1 도전층을 스퍼터링과 같은 증착 방법을 통해 형성한다. 제1 도전층은 알루미늄, 크롬, 구리 및 몰리브덴 등과 같은 금속 또는 그들의 합금이 단일층으로 형성되거나, 그들의 조합으로 이루어진 다층 구조로 형성된다. 이어서, 제1 마스크를 이용한 포토리소그라피 공정과 식각 공정으로 제1 도전층을 패터닝함으로써 게이트 라인(21), 게이트 전극(20), 스토리지 라인(22) 및 스토리지 돌출부(23)를 포함하는 제1 도전 패턴군이 형성된다. 특히, 스토리지 돌출부(23)는 그 끝단이 추후 형성될 화소전극(100)의 경사진 일측변과 평행한 일측변을 갖도록 형성된다.
도 3b를 참조하면, 제2 마스크 공정을 통해 제1 도전 패턴군이 형성된 기판상에 게이트 절연막(30), 반도체층 및 오믹 콘택층이 차례로 적층된다.
구체적으로, 게이트 라인(21)과, 게이트 전극(20)과, 스토리지 라인(22)과 및 스토리지 돌출부(23)가 형성된 기판(10) 상에 게이트 절연막(30), 비정질 실리콘층 및 고농도 도핑된 비정질 실리콘층이 플라즈마 화학증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PEVCD) 등의 증착 방법을 통해 순차적으로 적층된다. 이어서, 제2 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 비정질 실리콘층 및 고농도 도핑된 비정질 실리콘층이 패터닝됨으로써 반도체층 및 오믹 콘택층이 형성된다. 게이트 절연막(30)으로는 SiNx, SiOx 등의 무기 절연 물질이 이용된다.
도 3c를 참조하면, 제3 마스크 공정을 통해 반도체층 및 오믹 콘택층이 형성된 게이트 절연막(30) 위에 데이터 라인(60), 소스 전극(50) 및 드레인 전극(40)을 포함한 제2 도전 패턴군이 형성된다.
구체적으로, 데이터 라인(60)은 스토리지 돌출부(23)와 나란하게 게이트 절연막(30) 상에 형성되고, 드레인 전극(40)은 반도체층(31) 및 오믹 접촉층(32)이 형성된 게이트 절연막(30) 위에 형성되며 소스 전극(50)은 데이터 라인(60)에서 돌출되어 드레인 전극(40)과 대항되게 반도체층(31) 및 오믹 접촉층(32)이 형성된 게이트 절연막(30) 위에 형성된다. 이러한 제2 도전패턴군은 스퍼터링 등의 증착 방법을 통해 제2 도전층을 형성한 다음, 제3 마스크 공정을 이용한 포토리소그라피 공정 및 식각 공정으로 제2 도전층을 패터닝함으로써 형성된다. 제2 도전층으로는 알루미늄, 크롬, 구리 및 몰리브덴 등의 금속 또는 그들의 합금이 단일층으로 형성되거나, 그들의 조합으로 이루어진 다층 구조로 형성된다.
도 3d를 참조하며, 제4 마스크 공정을 통해 제2 도전 패턴군이 형성된 게이트 절연막(30) 위에 화소 콘택홀(70)과 제1 및 제2 콘택홀(80, 81)을 갖는 보호막(90)이 형성된다.
상세하게는, 보호막(90)은 제2 도전 패턴군이 형성된 기판 상에 PECVD, 스핀 코팅 등의 증착 방법을 통해 형성되고, 제4 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 보호막(90)을 관통하여 드레인 전극(40)을 노출시키는 화소 콘택홀(70)과, 게이트 절연막(30) 및 보호막(90)을 관통하여 스토리지 돌출부(23)의 끝단을 노출시키는 제1 콘택홀(80) 및 다음단 스토리지 라인(22)의 소정영역에 제2 콘택홀(81)이 형성된다. 보호막(90)으로는 게이트 절연막(30)과 같은 무기 절연 물질이 이용되거나, 유기 절연 물질이 이용된다.
도 3e를 참조하면, 제5 마스크 공정을 통해 보호막(90) 위에 화소전극(100) 및 브리지 전극(110)이 형성된다.
구체적으로, 화소전극(100) 및 브리지 전극(110)은 보호막(90) 위에 스퍼터링 등의 방법을 통해 투명 도전층의 형성된 다음, 제5 마스크를 이용한 포토리소그래피 및 식각 공정으로 투명 도전층을 패터닝하여 형성된다. 이 때, 화소전극(100)에는 제1 및 제2 슬릿(101, 102)이 패터닝 된다. 그리고, 스토리지 돌출부(23)의 끝단과 다음단 스토리지 라인(22)을 접속하는 브리지 전극(110)이 패터닝된다. 여기서, 화소전극(100)의 각각의 코너부는 박막 트랜지스터 및 브리지 전극(110)과의 중첩을 회피하기 위하여 일측변이 경사지게 형성된다. 투명 도전층으로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zicn Oxide) 및 TO(Tin Oxide) 등과 같은 투명 도전 물질이 이용된다. 화소전극(100)은 화소 콘택홀(70)을 통해 드레인 전극(40)과 접속되고, 브리지 전극은 제1 및 제2 콘택홀(80, 81)을 통해 스토리지 돌출부(23) 및 다음단 스토리지 라인(22)과 각각 접속된다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 도시한 평면 도이고, 도 5는 도 4에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 도 1 및 도2와 대비하여 스토리지 돌출부(23)의 끝단과 접속되는 브리지 전극(110)의 형상이 변경된 것을 제외하고 동일한 구성요소를 구비하므로, 동일한 구성요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 교차구조로 화소영역을 정의하는 게이트 라인(21) 및 데이터 라인(60)과, 화소영역에 형성되고, 게이트 라인(21) 및 데이터 라인(60)의 교차부와 인접한 일측변이 경사지게 형성된 화소전극(100)과, 게이트 라인(21)과 나란하게 형성되어 스토리지 전압을 공급하는 스토리지 라인(22) 및 스토리지 라인(22)에서 돌출되어 데이터 라인(60)과 인접한 화소전극(100)의 일측부와 중첩되게 형성된 스토리지 돌출부(23)를 포함하며, 스토리지 돌출부(23)와 다음단 스토리지 라인(22)을 접속하는 브리지 전극(110)을 구비하며, 브리지 전극(110)의 일측변은 화소전극(100)의 경사진 일측변과 평행하게 형성된다.
구체적으로, 브리지 전극(110)은 스토리지 돌출부(23)와 다음단 스토리지 라인(22)을 전기적으로 접속한다. 그리고 브리지 전극(110)은 화소전극(100)과 동일한 투명금속으로 형성된다. 화소전극(100)은 게이트 라인(21) 및 데이터 라인(60)의 교차부와 인접한 일측변이 경사지게 형성된다. 이 때, 브리지 전극(110)은 화소전극(100)의 경사진 일측변과 나란한 일측변을 갖고 형성된다. 이에 따라 브리지 전극(110)과 화소전극(100) 사이에 프린지 필드가 형성되어 화소전극(100)의 코 너부에 형성된 액정을 제어할 수 있다.
추후, 액정표시장치는 게이트 라인(21) 및 브리지 전극(110)과 중첩되는 영역(A)에 컬럼스페이서가 위치한다. 이 때, 외부의 물리적인 충격이 발생하여 컬럼 스페이서가 이동하여도 브리지 전극(110)과 화소전극(100) 사이에 프린지 필드가 형성되어 이상 텍스쳐의 발생을 방지하고, 이에 따라 액정표시장치의 표시품질이 향상된다. 특히, 청색 화소와 인접하여 컬럼 스페이서가 위치하고, 컬럼 스페이서의 이동에 의한 옐로위시의 발생을 방지할 수 있다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 6a 내지 도 6e는 도 3a 내지 도 3e와 대비하여 스토리지 돌출부(23)의 끝단을 화소전극(100)의 모서리와 나란하게 형성하지 않고, 브리지 전극(110)의 일단을 화소전극(100)의 모서리와 나란하게 형성한 것을 제외하고 방법으로 제조되므로 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 6a를 참조하면, 제1 마스크 공정을 통해 기판(10) 위에 게이트 라인(21)과, 게이트 전극(20)과, 스토리지 라인(22) 및 스토리지 돌출부(23)를 포함하는 제1 도전 패턴군이 형성된다.
구체적으로, 기판(10) 위에 제1 도전층을 스퍼터링과 같은 증착 방법을 통해 형성한다. 제1 도전층은 알루미늄, 크롬, 구리 및 몰리브덴 등과 같은 금속 또는 그들의 합금이 단일층으로 형성되거나, 그들의 조합으로 이루어진 다층 구조로 형성된다. 이어서, 제1 마스크를 이용한 포토리소그라피 공정과 식각 공정으로 제1 도전층을 패터닝함으로써 게이트 라인(21), 게이트 전극(20), 스토리지 라인(22) 및 스토리지 돌출부(23)를 포함하는 제1 도전 패턴군이 형성된다.
도 6b 내지 도 6d는 상술한 공정과 동일하므로 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 6e를 참조하면, 제5 마스크 공정을 통해 보호막(90) 위에 화소전극(100) 및 브리지 전극(110)이 형성된다.
구체적으로, 화소전극(100) 및 브리지 전극(110)은 보호막(90) 위에 스퍼터링 등의 방법을 통해 투명 도전층의 형성된 다음, 제5 마스크를 이용한 포토리소그래피 및 식각 공정으로 투명 도전층을 패터닝하여 형성된다. 이 때, 화소전극(100)에는 제1 및 제2 슬릿(101, 102)이 패터닝 된다. 여기서, 화소전극(100)의 모서리는 브리지 전극(110)과의 중첩을 회피하기 위하여 사선으로 절단 형태로 형성된다. 그리고, 스토리지 돌출부(23)의 끝단과 다음단 스토리지 라인(22)을 접속하는 브리지 전극(110)이 패터닝된다. 특히, 브리지 전극(110)의 일측변은 화소전극(100)의 모서리와 평행하도록 패터닝되어 형성된다. 이를 통해 브리지 전극(110)과 화소전극(100) 사이에 프린지 필드가 형성된다. 여기서, 투명 도전층으로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zicn Oxide) 및 TO(Tin Oxide) 등과 같은 투명 도전 물질이 이용된다. 화소전극(100)은 화소 콘택홀(70)을 통해 드레인 전극(40)과 접속되고, 브리지 전극(110)은 제1 및 제2 콘택홀(80, 81)을 통해 스토리지 돌출부(23) 및 다음단 스토리지 라인(22)과 각각 접속된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 액정표시장치 및 이의 제조방법은 수직배향형 액정표시장치에서 스토리지 돌출부 또는 이와 접속되는 브리지 전극 중 적어도 어느 하나가 화소전극의 모서리에 나란하게 형성되어 프린지 필드를 형성하므로써, 컬럼 스페이서의 유동에도 텍스쳐 불량이 방지되어 표시품질을 향상시킬 수 있다.
이상에서 상술한 본 발명은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다 할 것이다. 따라서 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정하지 않고 청구범위에 의해 그 권리가 정해져야 할 것이다.

Claims (9)

  1. 교차구조로 화소영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과;
    상기 화소영역에 형성되고, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차부와 인접한 일측변이 경사지게 형성된 화소전극과;
    상기 게이트 라인과 동일한 층 상에 나란하게 형성되어 스토리지 전압을 공급하는 스토리지 라인; 및
    상기 동일한 층 상에서 상기 스토리지 라인으로부터 돌출되어 상기 데이터 라인과 인접한 상기 화소전극의 일측부와 중첩되게 형성된 스토리지 돌출부를 포함하며,
    상기 스토리지 돌출부의 일측변이 상기 화소전극의 경사진 일측변과 평행하게 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스토리지 돌출부와 다음단 스토리지 라인과 전기적으로 연결하는 브리지 전극을 더 구비한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스토리지 돌출부는 상기 게이트 라인과 동일한 금속으로 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소전극은 다수의 슬릿을 더 구비한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 교차구조로 화소영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 형성하는 단계와;
    상기 화소영역에 형성되고, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차부와 인접한 일측변이 경사지게 형성된 화소전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 라인과 나란하게 형성되어 스토리지 전압을 공급하는 스토리지 라인을 형성하는 단계와;
    일측변이 상기 화소전극의 경사진 일측변과 평행하게 형성되며, 상기 스토리지 라인으로부터 돌출되어 상기 데이터 라인과 인접한 상기 화소전극의 일측부와 중첩되게 형성된 스토리지 돌출부를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 게이트 라인, 상기 스토리지 라인, 및 상기 스토리지 돌출부는 동일한 층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 스토리지 돌출부와 다음단 스토리지 라인을 접속하는 브리지 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 게이트 라인, 상기 스토리지 라인, 및 상기 스토리지 돌출부는 동일한 금속으로 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 화소전극을 형성하는 단계는
    상기 화소전극에 다수의 슬릿을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 스토리지 돌출부는,
    상기 데이터 라인과 인접한 상기 화소전극의 일측부와 중첩되게 형성된 막대부; 및
    상기 막대부에 연결되며, 상기 화소전극의 경사진 일측변과 평행하는 상기 스토리지 돌출부의 일측변을 구비한 삼각형부를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
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