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KR101211884B1 - 스퍼터링 타겟용 산화아연 소결체의 제조방법 - Google Patents

스퍼터링 타겟용 산화아연 소결체의 제조방법 Download PDF

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KR101211884B1
KR101211884B1 KR1020070109516A KR20070109516A KR101211884B1 KR 101211884 B1 KR101211884 B1 KR 101211884B1 KR 1020070109516 A KR1020070109516 A KR 1020070109516A KR 20070109516 A KR20070109516 A KR 20070109516A KR 101211884 B1 KR101211884 B1 KR 101211884B1
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KR
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sintering
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sintered
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양승민
방정식
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주식회사 엘지화학
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Abstract

본 발명은 a)산화아연(ZnO)을 포함하는 원료 분말을 혼합하는 단계; b)상기 혼합된 분말을 성형하여 성형체를 제조하는 단계; 및 c)상기 성형체를 소결하는 단계; 를 포함하여 산화아연을 포함하는 소결체를 제조하는 방법으로서, 상기 소결시 공기를 0.5 ~ 5 L/min (로내 용적 0.1m3당) 범위의 유량으로 흘려주는 것이 특징인 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조된 산화아연을 포함하는 소결체로 된 스퍼터링 타겟을 제공한다.
본 발명은 산화아연 소결체의 소결시 소량의 공기 흐름(air flow) 중에서 소결함으로써, 고밀도의 스퍼터링 타겟용 산화아연 소결체를 제작할 수 있으며, 소결시 성형체 표면을 동종의 원료 혼합 분말로 덮어줌으로서 소결체 표면의 이상반응을 억제하여 균일한 표면의 소결체를 얻을 수 있다.
산화아연 소결체, 스퍼터링 타겟, 공기 흐름(air flow)

Description

스퍼터링 타겟용 산화아연 소결체의 제조방법{METHOD FOR PREPARING SINTERED BODY OF ZINC OXIDE FOR SPUTTERING TARGET}
본 발명은 스퍼터링 타겟으로 사용될 수 있는 고밀도의 산화아연 소결체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
투명전극은 각종 디스플레이의 전극, 태양전지 등의 광전 변환 소자 및 터치 패널 등에 다양하게 사용되고 있으며, 유리, 투명필름 등의 투명 기판 위에 투명 도전성 박막을 형성하여 제조된다. 현재 주로 사용되고 있는 투명 도전성 재료는 주석(Sn)이 도핑된 인듐산화물(ITO, Indium tin oxide)로서, 투명도가 우수하고 낮은 비저항 (1×10-4 ~ 2×10-4 Ω㎝)을 갖는 것으로 알려져 있다.
투명 도전성 박막을 제조하는 방법은 스퍼터링(sputtering), 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD), 이온빔 증착(ion beam deposition), 펄스레이저 증착(pulsed laser deposition) 등의 진공 증착 방법과 스프레이 코팅(spray coating), 스핀 코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating)과 같은 습식방법 등의 다양한 방법이 있다. 이러한 방법들 중 스퍼터링과 같은 진공 증착 방식이 좀 더 선호되고 있으며, 진공 증착 방식은 플라즈마를 이용하기 때문에 높은 입자 에너지를 가진 막을 성장시킬 수 있어, 다른 방식보다 높은 밀도를 가지는 양질의 막을 얻을 수 있다. 또한, 추가적인 열처리 없이 낮은 온도에서도 양질의 박막을 성장시킬 수 있다는 장점도 있다.
최근, 평면 디스플레이 시장이 커지면서 ITO에 대한 수요가 급속하게 증가하고 있지만, 인듐의 높은 가격으로 인한 수급 불안정 및 인체에의 유해성 때문에, ITO를 대체할 수 있는 저가의 투명 도전성 재료의 개발이 요구되는 실정이다.
그러한 대체물로서는 산화주석(SnO2) 및 산화아연(ZnO) 등이 고려되고 있다. 이와 관련하여, 산화아연에 알루미늄(Al)을 도핑하여 낮은 비저항(2×10-4 ~ 3×10-4 Ω㎝)을 가지는 도전성 박막을 제조하려는 시도 등이 있었다. 산화아연(ZnO)의 경우 넓은 밴드갭(~3.3ev)을 가지는 반도체 물질로서, 도핑을 통해 우수한 투과도(85% 이상)와 낮은 비저항을 가질 수 있다는 것이 알려졌으며, 도핑된 산화아연의 경우 비교적 저가이고, 인체에 무해한 재료이므로, ITO를 대체할 수 있는 재료로서 큰 관심을 받고 있다. 현재로서는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 규소(Si) 및/또는 인듐(In)이 첨가된 산화아연(ZnO)을 재료로 한 투명전극용 재료에 대해 주로 연구가 집중되고 있으나, 전기전도성 측면에서는 아직 ITO에 미치지 못하기 때문에, 이를 해결해야 하는 문제점 이 있다.
한편, 산화아연계 투명도전막을 스퍼터링 방법으로 제조하는 경우, 스퍼터링 타겟으로 사용되는 산화아연 소결체의 특성, 특히 소결 밀도는 증착되는 막의 물성 에 큰 영향을 끼침은 종래부터 알려져 왔다. 타겟의 밀도가 낮은 경우에는 타겟 자체의 수명이 짧아짐은 물론, 노듈(nodule)이라는 파티클(particle)의 발생으로 말미암아 이상방전이 생길 수 있고, 박막 중에 혼입되어 박막 불량의 원인이 되기도 하므로, 이러한 타겟의 밀도를 높이려는 노력이 계속되어 왔다.
본 발명자들은 산화아연 소결체의 소결시 종래와 같이 대기중에서 소결하거나 또는 산소가스 흐름(flow) 중에서 소결하지 않고, 특정 유량 범위로 조절된 공기 흐름(air flow) 중에서 소결하는 경우, 고밀도의 산화아연 소결체를 제조할 수 있다는 것을 밝혀 내었다. 또한, 성형체와 동일 성분의 원료 혼합 분말로 성형체의 표면을 덮어 소결하는 경우, 소결체 표면의 이상반응을 억제할 수 있어 균일한 표면의 소결체를 얻을 수 있고, 이에 의해 양질의 투명도전막을 얻을 수 있었다.
본 발명은 이에 기초한 것이다.
본 발명은 a)산화아연(ZnO)을 포함하는 원료 분말을 혼합하는 단계; b)상기 혼합된 분말을 성형하여 성형체를 제조하는 단계; 및 c)상기 성형체를 소결하는 단계; 를 포함하여 산화아연을 포함하는 소결체를 제조하는 방법으로서, 상기 소결시 공기를 0.5 ~ 5 L/min (로내 용적 0.1m3당) 범위의 유량으로 흘려주는 것이 특징인 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기의 방법으로 제조되고, 5.60 g/cm3 이상의 소결밀도를 갖는, 산화아연을 포함하는 소결체로 된 스퍼터링 타겟을 제공한다.
본 발명은 산화아연 소결체의 소결시 소량의 공기 흐름(air flow) 중에서 소 결함으로써, 고밀도의 스퍼터링 타겟용 산화아연 소결체를 제작할 수 있으며, 소결시 성형체 표면을 동종의 원료 혼합 분말로 덮어줌으로서 소결체 표면의 이상반응을 억제하여 균일한 표면의 소결체를 얻을 수 있다.
따라서, 이러한 타겟을 이용하여 스퍼터링 증착된 산화아연계 투명도전막을 제조하는 경우, 비저항이 낮고 균일한 고품질의 박막을 얻을 수 있으며, 생산비용을 절감할 수 있고, 생산공정의 안정성을 기대할 수 있다.
본 발명에 의한 산화아연을 포함하는 소결체의 제조방법은 다음과 같이
a)산화아연(ZnO)을 포함하는 원료 분말을 혼합하는 단계;
b)상기 혼합된 분말을 성형하여 성형체를 제조하는 단계; 및
c)상기 성형체를 소결하는 단계;
를 포함하며, 상기 c)단계에서 이루어지는 성형체의 소결시 공기를 0.5 ~ 5 L/min (로내 용적 0.1m3당) 범위의 유량으로 흘려 주는 것이 특징이다.
금속 산화물 소결체의 소결은 1000℃ 이상의 고온에서 행하여지는 것이 일반적이며, 박스로(box furnace), 튜브로(tube furnace), 연속식 터널킬른(tunnel kiln)등의 가열장치 내에 시편을 넣고 전기를 이용하는 발열체 또는 가스를 이용하는 화염 등의 방법으로 가열하게 된다. 이 때, 소결온도와 함께 소결체의 물성에 영향을 미치는 또 하나의 인자로서 로(furnace) 내의 분위기를 들 수 있으며, 일반적으로 대기 중에서 행하는 것이 보통이나, 소결체의 종류 및 특성에 따라 질 소(N2), 아르곤(Ar) 등의 불활성 기체를 흘려주거나, 산소(O2) 기체를 흘려주는 경우도 있다. 특히, 스퍼터링 타겟용으로 제작되는 산화아연 소결체의 경우에는 소결체의 밀도를 높이고, 스퍼터링되는 박막의 특성을 향상시키기 위해 다량의 산소 기체를 흘려주는 방식이 종래 사용되어왔다.
그러나, 본 발명에서는 산소 기체가 아닌, 공기를 0.5 ~ 5 L/min (로내 용적 0.1m3당) 범위로 흘려주며 소결함으로써, 소결밀도 5.60 g/cm3 이상의 고밀도를 갖는 산화아연 소결체를 얻을 수 있다.
소결시 공기 흐름(air flow)의 유량범위가 상기 범위 미만인 경우에는 산화아연 소결체의 소결밀도가 5.60 g/cm3 이하로 낮아지는 문제점이 있으며, 상기 범위를 초과하는 경우에도 역시 소결밀도가 낮아지는 문제점이 있다.
산화아연의 이론적인 상대밀도 5.67 g/cm3 에 가까울수록 산화아연 타겟의 수명이 증가하며, 이러한 타겟으로 스퍼터링된 박막의 품질 역시 향상된다. 종래기술의 경우, 5.20 g/cm3 이상의 밀도를 갖도록 하는 제조방법은 존재하나, 5.60 g/cm3 이상의 높은 밀도를 갖도록 하는 제조방법은 거의 찾아보기 힘들다.
또한, 공기 중 산소의 농도는 일반적으로 약 21 vol%로 알려져 있으므로, 본 발명에서 사용되는 산소의 유량은 공기 유량의 약 1 / 5 인 0.1 ~ 1.0 L/min (로내 용적 0.1m3당) 범위일 수 있고, 이는 종래 산화아연 소결체의 소결시 일반적으로 사 용되던 유량 범위보다 훨씬 작은 것일 수 있다. 그리고, 이러한 산소 유량이 작은 것 이외에 흐름 기체(flow gas)로서 산소 대신에 공기를 사용함으로써, 로내의 분위기 제어(atmosphere control)가 용이하며, 연속식 터널로(tunnel kiln)에서의 적용도 가능하다.
한편, 본 발명의 제조방법은 산화아연 소결체의 소결시 성형체의 외부를 성형체와 동일 성분의 혼합 원료분말로 덮는 것이 바람직하다.
소결시 성형체는 세터(setter) 위에 올려지게 되며, 1)세터와 성형체 간의 반응을 방지하기 위해 성형체 아래 부분에 성형체와 동일 성분의 혼합 원료분말을 얇게 깔고 그 위에 성형체를 올려 놓음으로써 세터와의 반응을 방지할 수 있으며, 2)성형체를 세터위에 올려놓은 후, 성형체를 상기 혼합 원료분말로 완전히 덮음으로써 대기 또는 로 내 가스 분위기에 노출된 성형체 표면에서의 예기치 않은 이상 반응을 억제할 수 있고, 3)상기 두 가지 방법을 함께 병용할 수도 있다.
상기 성형체를 원료 혼합 분말로 덮는 경우라도 로 내의 공기와 접촉하는 것을 완전히 차단하는 것은 아니며, 얇은 두께로 덮어지기 때문에 원료 혼합 분말 사이로 공기와의 접촉이 가능한 상태이다. 따라서, 이는 공기와 성형체와의 접촉을 차단하기 위한 것이 아니라, 성형체 표면에서 아연(Zn)과 산소(O)의 휘발을 방지하고, 휘발 부분에 대한 보충이 가능하도록 하기 위한 것이다.
본 발명에서 제조된 산화아연 소결체는 순수한 산화아연(ZnO)만으로 된 것일 수도 있으나, 산화갈륨(Ga2O3), 산화알루미늄(Al2O3), 산화규소(SiO2), 산화게르마 늄(GeO2) 또는 산화티타늄(TiO2) 등을 도판트로서 더 포함하는 것일 수도 있으며, 이러한 도판트 물질은 상기 a)단계의 원료 혼합단계에서 분말상태로 혼합될 수도 있고, 산화아연 분말의 최초 제조시에 예를 들어 공침법 등에 의해 복합산화물로서 포함되도록 하는 것일 수도 있다.
상기 도판트를 포함함으로써, 스퍼터링으로 증착된 산화아연계 투명도전성 박막의 비저항을 낮출 수 있다. 본 발명에서는 상기 도판트 물질 중 어느 하나로 한정하지는 않으나, 바람직하게는 산화갈륨(Ga2O3)을 산화아연 100중량부 대비 2중량부 내지 8중량부 범위로 포함하는 것일 수 있다. 도핑량이 상기 범위보다 작을 경우에는 도핑에 의한 전기전도성 향상 효과를 기대하기 힘들며, 상기 범위보다 클 경우에는 산화아연 결정의 구조가 유지되기 힘들고, 전자의 이동도 감소에 따라 박막의 전기전도성이 저해될 수 있다.
본 발명의 제조방법에서 상기 a)단계의 원료분말은 산화아연(ZnO)를 포함하는 분말 형태의 것이면 특별히 제한되지 않으며, 바람직하게는 10 nm ~ 1.0 ㎛ 범위의 평균입경을 갖는 것일 수 있다.
만일 원료 분말의 평균 입경이 상기 범위를 초과하는 경우에는 고밀도의 산화아연 소결체를 제조하기 힘들며, 상기 범위 미만인 경우에도 원료분말의 혼합이 어려워 결국 소결체의 고밀도화가 힘들 수 있다.
상기 원료분말은 산화아연 분말 뿐 만 아니라, 전술한 도판트로서 사용되는 금속산화물 분말이 포함되어 함께 혼합될 수 있다.
본 발명의 제조방법에서 원료 분말의 혼합방법은 특별히 제한되지 않으며, 분말 혼합 방법으로 당업자에게 알려진 것을 사용할 수 있고, 그 비제한적인 예로는 볼밀(ball mill), 블렌딩(blending), 브이믹서(V-mixer) 및 제트밀(Jet mill)등이 있다.
본 발명의 제조방법에서 원료 분말을 혼합하는 방법의 일 예로는 직경 1.0~3.9mm, 4.0~7.9mm 및 8.0~12.0mm 범위를 갖는 이트륨 안정화 지르코니아(Yttrium Stabilized Zirconia, YSZ) 볼(ball)이 각각 중량비로서 3.5~4.5 : 2.5~3.5 : 2.5~3.5 범위를 갖도록 사용하고, 분산용매가 혼합원료분말 100중량부 대비 300 내지 500 중량부가 되도록 하며, 분산용매의 부피가 혼합용기 부피의 60 내지 80 vol%가 되도록 하는 습식 볼밀(ball mill)을 사용하는 것일 수 있다.
본 발명의 제조방법에서 혼합된 분말을 성형하여 성형체를 제조하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 분말 성형 방법으로 당업자에게 알려진 것을 사용할 수 있고, 그 비제한적인 예로는 일축성형(uniaxial pressing), 냉간등압성형(Cold Isostatic Pressing), 핫프레싱(Hot pressing), 압출성형 및 사출성형 등이 있다.
본 발명의 제조방법에서 성형체를 제조하는 방법의 일 예로는 150 ~ 300 bar의 압력을 가하고, 가압 후 2분 내지 1시간 유지한 후 탈형하는 일축성형(uniaxial pressing)일 수 있으며, 또 다른 예로는 2000 ~ 3000 bar의 압력을 가하는 냉간등압성형(Cold Isostatic Pressing, CIP) 일 수 있다.
본 발명의 제조방법에서 성형체를 소결하는 방법은 전술한 바와 같이, 소결 시 공기를 0.5 ~ 5 L/min (로내 용적 0.1m3당) 범위의 유량으로 흘려 주는 것이 특징이며, 이를 제외하고는 당업자에게 알려진 열처리에 의한 세라믹 소결방법을 사용할 수 있다.
본 발명의 제조방법에서 성형체를 소결하는 방법의 일 예로는, 승온속도 2 ~ 10 ℃/min, 소결온도 1300 ~ 1600 ℃, 유지시간 1 ~ 5 hr. 범위에서 열처리하는 것일 수 있다.
상기와 같이 제조된 산화아연 소결체는 5.60 g/cm3 이상의 소결밀도를 가질 수 있다.
한편, 본 발명의 방법에 의해 제조된, 산화아연을 포함하는 소결체의 용도는 특별히 한정되지는 않으며, 스퍼터링 타겟으로 이용되는 것일 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 보다 자세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명이 이로써 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
평균입경이 1.0㎛ 이하의 산화아연(ZnO)분말 및 산화갈륨(Ga2O3)분말을 100 : 5.5의 중량비율로 혼합 용기(Mill Jar)에 넣고, 습식 혼합을 행하였다. 습식 혼합(Wet Milling)은 이트륨 안정화 지르코니아(YSZ) 볼(ball)을 직경3mm, 5mm, 10mm φ가 각각 4 : 3 : 3의 중량비가 되도록 추가하였으며, 24시간 동안 밀링한 후, 혼합된 분말을 오븐에서 건조하였다.
상기 건조된 원료분말은 금속몰드를 이용하여 220bar로 일축성형 한 뒤, CIP 를 이용하여 3000bar로 등압 성형하여 성형체로 제조되었다. 상기 제조된 성형체를 알루미나(Al2O3)재질로 된 세터(setter)위에 놓고, 박스로(box furnace)에서 소결하여 갈륨이 도핑된 산화아연 소결체를 제조하였다. 소결시 승온속도는 3 ℃/min로 하여 1550 ℃의 소결온도에서 3 hr유지한 후, 3 ℃/min로 감온하였다. 소결시 공기(Air)를 0.5 L/min (로내 용적 : 0.1 m3당)으로 흘려주었다. 또한 세터(setter)바닥과 성형체 위에 상기 혼합 원료 분말을 덮어 주었다.
[실시예 2]
소결시 로 내에 흘려주는 공기의 유량을 2.0 L/min (로내 용적 : 0.1 m3당)으로 한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 갈륨이 도핑된 산화아연 소결체를 제조하였다.
[실시예 3]
소결시 로 내에 흘려주는 공기의 유량을 5.0 L/min (로내 용적 : 0.1 m3당)으로 한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 갈륨이 도핑된 산화아연 소결체를 제조하였다.
[실시예 4]
소결시 성형체 위에 혼합 원료 분말을 덮지 않은 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 갈륨이 도핑된 산화아연 소결체를 제조하였다.
[비교예 1]
소결시 로 내에 별도의 공기를 흘려주지 않고, 대기 중에서 소결한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 갈륨이 도핑된 산화아연 소결체를 제조하였다.
[비교예 2]
소결시 공기의 영향을 파악하기 위해, 상기 성형체를 알루미나(Al2O3) 재질로 된 도가니에 장입하고, 뚜껑을 덮어 공기를 차단한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 갈륨이 도핑된 산화아연 소결체를 제조하였다.
[비교예 3]
소결시 로 내에 흘려주는 공기의 유량을 7 L/min (로내 용적 : 0.1 m3당)으로 한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 갈륨이 도핑된 산화아연 소결체를 제조하였다.
[표 1]
구분 L/min
(로내용적: 0.1m3 당)		 도가니
cap		 소결온도
(℃)		 소결밀도
(g/cm3)		 상대밀도
(%)
실시예1 0.5 open 1550 5.60 98.7
실시예2 2.0 open 1550 5.61 98.9
실시예3 5.0 open 1550 5.63 99.2
실시예4 0.5 open 1550 5.60 98.7
비교예1 - open 1550 5.54 97.7
비교예2 - closed 1550 4.50 79.1
비교예3 7.0 open 1550 5.59 98.5
상기 표1은 각각 실시예1 내지 4 및 비교예1 내지 3에서 제조된 소결체의 소결밀도를 나타낸 것이다. 표1에서 알 수 있듯이 소결시 도가니 뚜껑을 닫아 공기와의 접촉을 방지한 소결체는 4.5 g/cm3의 낮은 소결밀도를 보이는 것에 비해, 도가니 뚜껑을 열고 공기를 5.0 L/min의 유량으로 흘려준 경우에는 5.63 g/cm3의 고밀도를 나타냄을 알 수 있다. 또한 공기를 0.5 L/min, 2.0 L/min로 흘려준 경우에도 5.60 g/cm3 이상의 소결 밀도를 얻어 소량의 공기 흐름(air flow)으로도 뚜렷한 소결밀도 향상을 보임을 알 수 있다.
이에 비해 공기를 7.0 L/min의 유량으로 흘려준 경우 5.60 g/cm3 이하의 소결밀도를 보였다.
도1과 도2는 각각 실시예1에 대한 소결체 표면 사진과 XRD data이며, 도3과 도4는 실시예4에 대한 소결체 표면 사진과 XRD data이다. 도3에서 보는 바와 같이 소결시 원료 혼합 분말을 덮지않은 경우는 부분적으로 소결체 표면에 유리질(Glassy) 부분이 나타남을 알 수 있다. 상기 유리질 부분에 대한 XRD 분석결과 Ga2O3 인 것으로 나타났다. 그에 비해 원료 혼합 분말을 성형체 위에 덮은 실시예 1의 경우, 도1에서 보는 바와 같이 소결체 표면이 균일할 뿐 아니라, 표면에서도 상대적으로 Ga2O3가 균일하게 분포하는 갈륨 도핑된 산화아연 소결체를 얻을 수 있었다.
도1은 실시예 1에서 제조된 산화아연 소결체의 표면 사진이다.
도2는 실시예 1에서 제조된 산화아연 소결체의 XRD 분석결과이다.
도3은 실시예 4에서 제조된 산화아연 소결체의 표면 사진이다.
도4는 실시예 4에서 제조된 산화아연 소결체의 XRD 분석결과이다.

Claims (11)

  1. a)산화아연(ZnO)을 포함하는 원료 분말을 혼합하는 단계;
    b)상기 혼합된 분말을 성형하여 성형체를 제조하는 단계; 및
    c)상기 성형체를 소결하는 단계;
    를 포함하여 산화아연을 포함하는 소결체를 제조하는 방법으로서, 상기 소결시 공기를 0.5 ~ 5 L/min (로내 용적 0.1m3당) 범위의 유량으로 흘려주는 것이 특징인 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 소결시 상기 성형체의 외부를 상기의 혼합된 원료분말로 덮는 것이 특징인 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 a)단계는 산화갈륨(Ga2O3), 산화알루미늄(Al2O3), 산화규소(SiO2), 산화게르마늄(GeO2) 및 산화티타늄(TiO2)으로 구성된 군에서 선택된 산화물 분말을 원료 분말에 함께 포함하거나 또는 산화아연 분말 자체에 Ga, Al, Si, Ge 및 Ti로 구성된 군에서 선택된 원소가 도판트로서 포함되는 것이 특징인 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 원료 분말은 산화갈륨(Ga2O3)을 산화아연 100중량부 대비 2중량부 내지 8중량부 범위로 포함하는 것이 특징인 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 원료분말은 10 nm ~ 1.0 ㎛ 범위의 평균입경을 갖는 것이 특징인 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 소결체는 5.60 g/cm3 이상의 소결밀도를 갖는 것이 특징인 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 직경 1.0~3.9mm, 4.0~7.9mm 및 8.0~12.0mm 범위를 갖는 이트륨 안정화 지르코니아(Yttrium Stabilized Zirconia, YSZ) 볼(ball)이 각각 중량비로서 3.5~4.5 : 2.5~3.5 : 2.5~3.5 범위를 갖도록 사용하고, 분산용매가 혼합원료분말 100중량부 대비 300 내지 500 중량부가 되도록 하며, 분산용매의 부피가 혼합용기 부피의 60 내지 80 vol%가 되도록 하는 습식 볼밀(ball mill)을 사용하여 원료분말을 혼합하는 것이 특징인 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서, 150 ~ 300 bar의 압력을 가하고, 가압 후 2분 내지 1시간 유지한 후 탈형하는 일축성형(uniaxial pressing)에 의해 성형체를 제조하는 것이 특징인 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서, 2000 ~ 3000 bar의 압력을 가하는 냉간등압성형(Cold Isostatic Pressing, CIP)에 의해 성형체를 제조하는 것이 특징인 제조방법.
  10. 제 1항에 있어서, 승온속도 2 ~ 10 ℃/min, 소결온도 1300 ~ 1600 ℃, 유지시간 1 ~ 5 hr. 범위에서 성형체를 소결하는 것이 특징인 제조방법.
  11. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조되고, 5.60 g/cm3 이상의 소결밀도를 갖는, 산화아연을 포함하는 소결체로 된 스퍼터링 타겟.
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