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KR101219972B1 - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

태양전지 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR101219972B1
KR101219972B1 KR1020110113292A KR20110113292A KR101219972B1 KR 101219972 B1 KR101219972 B1 KR 101219972B1 KR 1020110113292 A KR1020110113292 A KR 1020110113292A KR 20110113292 A KR20110113292 A KR 20110113292A KR 101219972 B1 KR101219972 B1 KR 101219972B1
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light absorbing
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molybdenum oxide
molybdenum
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박기곤
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시예는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다. 실시예에 따른 태양전지는 지지기판 상에 배치되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상에 배치되는 산화몰리브덴층; 상기 산화화몰리브덴층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함한다.

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL AND PREPARING METHOD OF THE SAME}
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 심각한 환경 오염 문제와 화석 에너지 고갈로 인해, 신·재생에너지에 대한 필요성 및 관심이 고조되고 있다. 그 중에서도 태양전지는 공해가 적고, 자원이 무한하며 반 영구적인 수명을 가지고 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 무공해 에너지 원으로 기대되고 있다.
태양전지는 p-n 접합 다이오드에 빛을 쪼이면 전자가 생성 되는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 소자로 정의할 수 있다. 태양전지는 접합 다이오드로 사용되는 물질에 따라, 실리콘 태양전지, I-III-VI족 또는 III-V족 화합물로 대표되는 화합물 반도체 태양전지, 염료감응 태양전지, 유기물 태양전지로 나눌 수 있다.
I-III-VI족 Chalcopyrite계 화합물 반도체 중 하나인 CIGS(CuInGaSe) 태양전지는 광 흡수가 뛰어나고, 얇은 두께로도 높은 광전 변환효율을 얻을 수 있으며, 전기 광학적 안정성이 매우 우수하여 기존 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 태양전지로 부각되고 있다.
CIGS 박막 태양전지는 나트륨을 포함하는 기판, 후면 전극층, 광 흡수층, 윈도우층의 박막을 순차적으로 형성시켜 제조된다. 광 흡수층으로는 상기 언급한 바와 같이 CIGS 화합물이 사용되며, CIGS 화합물이 후면 전극층 상에 형성될 때, 후면 전극층과 광 흡수층 사이에는 이셀렌화몰리브덴층(MoSe2)이 형성된다.
이셀렌화몰리브덴층은 후면 전극층과 광 흡수층 사이의 계면 접착력을 증가시키는 장점을 가지고 있으나, 후면 전극층에 비해 저항이 높기 때문에 윈도우층과 후면 전극층 사이의 접촉 저항을 증가시키며, 이는 태양전지의 전체 효율을 감소시키는 문제가 있다.
실시예는 직렬저항(Rs)이 감소되어 향상된 광-전 변환 효율을 가지는 태양전지를 제공하고자 한다.
제 1 실시예에 따른 태양전지는 지지기판 상에 배치되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상에 배치되는 산화몰리브덴층; 상기 산화화몰리브덴층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함한다.
제 2 실시예에 따른 태양전지는 지지기판 상에 형성되고, 상기 지지기판의 상면의 일부를 노출시키는 관통홈이 형성된 후면 전극층; 상기 관통홈에 의해 노츨된 후면 전극층의 적어도 어느 한쪽 측면에 형성되는 전류차단부; 상기 후면 전극층 상에 배치되는 산화몰리브덴층; 상기 산화몰리브덴층 상에 형성되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 지지기판 상에 상기 지지기판의 상면의 일부를 노출시키는 관통홈이 형성된 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층의 상면에 산화몰리브덴층을 형성하는 단계; 상기 산화몰리브덴층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양전지는 컨택저항층보다 반응성이 우수한 산화몰리브덴층을 형성함으로써, 컨택저항층의 생성을 최소화 할 수 있다. 이에 따라, 컨택 저항층으로 인해 직렬 저항(Rs)이 증가하는 것을 방지할 수 있고, 태양전지의 광-전 변환 효율은 향상될 수 있다.
도 1 내지 도 5는 제 1 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도들이다.
도 6 내지 도 11은 제 2 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도들이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1 내지 도 5는 제 1 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 지지기판(100) 상에 후면 전극층(200)이 형성된다. 상기 후면 전극층(200)은 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금의 방법으로 형성될 수 있다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 후면 전극층(200), 산화몰리브덴층(300), 컨택저항층(400), 광 흡수층(500), 버퍼층(600), 고저항 버퍼층(700), 전면 전극층(800)을 지지한다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있고, 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 예를 들어, 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 지지기판(100)의 재질로 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 유연성이 있는 고분자 등이 사용될 수 있다.
상기 후면 전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 형성된다. 상기 후면 전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면 전극층(200)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 후면 전극층(200)은 몰리브덴(Mo)으로 형성될 수 있다. 몰리브덴은 다른 원소에 비해 상기 지지기판(100)과 열팽창 계수의 차이가 적기 때문에, 접착성이 우수하여 박리현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 광 흡수층(500)이 상기 산화몰리브덴층(300) 상에 형성된다.
상기 광 흡수층(500)은 예를 들어, 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(500)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다. 이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2; CIGS계)의 광 흡수층(500)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(500)이 형성될 수 있다.
상기 광 흡수층(500)을 형성하는 과정과 동시에, 상기 컨택저항층(400)이 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 컨택저항층(400)은 상기 후면 전극층(200)과 상기 광 흡수층(500)의 상호 반응에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 후면 전극층(200)은 몰리브덴으로 형성되고, 상기 광 흡수층(500)이 구리-인듐/갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2; CIGS계) 또는 구리-인듐/갈륨-황 화합물로 형성될 수 있다. 이 때, 상기 컨택저항층(400)은 상기 후면 전극층(200)의 몰리브덴과 상기 광 흡수층(500)의 셀레늄(Se) 성분 또는 황(S) 성분의 반응에 의하여 제조될 수 있다. 따라서, 상기 컨택저항층(400)은 셀렌화몰리브덴(MoSe2) 또는 황화몰리브덴(MoS2)으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 컨택저항층(400)의 두께는 약 10 nm 내지 약 40 nm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 컨택저항층(400)은 상기 후면 전극층(200)에 비해 저항이 높다. 따라서, 상기 컨택저항층(400)이 두꺼워 질수록, 컨택 저항 및 직렬저항(Rs)은 증가되고, 이는 태양전지의 전체 효율을 감소시키는 문제가 있다.
실시예는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 상기 후면 전극층(200) 상에 산화몰리브덴층(300)을 형성한다. 상기 산화몰리브덴층(300)은 산화물이지만 도전성 물질로써, 상기 컨택저항층(400)보다 저항이 작고, 이에 따라 태양전지의 직렬저항(Rs)을 낮출 수 있다.
상기 산화몰리브덴층(300)은 상기 후면 전극층(200) 상면의 일부 또는 전부분에 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 산화몰리브덴층(300)은 상기 후면 전극층(200)과 상기 광 흡수층(500) 사이에 형성될 수 있다.
상기 산화몰리브덴층(300)은 MoO2 또는 MoO3 일 수 있다. 상기 산화몰리브덴층(300)을 형성하는 몰리브덴(Mo)과 산소(O) 간의 결합에너지는 상기 컨택저항층(400)을 형성하는 몰리브덴(Mo)과 셀레늄(Se) 또는 황(S) 간의 결합에너지보다 크다. 이에 따라, 상기 산화몰리브덴층(300)은 상기 컨택저항층(400)을 형성하기 위한 몰리브덴과 셀레늄의 결합을 방해하고, 결과적으로 상기 컨택저항층(400)의 생성을 최소화할 수 있다.
또한, 상기 산화몰리브덴층(300)의 두께는 약 10 nm 내지 약 50 nm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 한편, 도 3에는 상기 산화몰리브덴층(300) 상에 형성되는 컨택저항층(400)을 개시하고 있으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 즉, 상기 산화몰리브덴층(300)이 매우 두껍게 형성되어 있는 경우, 상기 컨택저항층(400)은 생략될 수 있고, 이에 따라, 상기 광 흡수층(300)은 상기 산화몰리브덴층(300)의 상면과 직접 접촉하여 형성될 수 있다.
상기 산화몰리브덴층(300)은 상기 후면 전극층(200)을 산화시킴으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 후면 전극층(200)이 몰리브덴으로 제조된 경우, 약 300℃ 내지 약 800℃, 산소 분위기하에서 상기 몰리브덴 후면 전극층(200)을 산화시킴으로써 제조될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 산화몰리브덴층(300)은 MoO3 분말 등을 상기 후면 전극층과 접촉시키고, 수소 분위기 하에서 환원 열처리에 의하여 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 광 흡수층(500) 상에 버퍼층(600) 및 고저항 버퍼층(700)을 형성한다. 상기 버퍼층(600)은 상기 광 흡수층(500) 상에 황화 카드뮴이 화학 용액 증착법(chemical bath deposition; CBD)에 의해서 증착 되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(600)은 황화 카드뮴, ZnS, InXSY 및 InXSeYZn(O, OH) 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 버퍼층(600)의 두께는 약 50 ㎚ 내지 약 150 ㎚ 일 수 있으며, 상기 버퍼층(600)의 에너지 밴드갭은 약 2.2 eV 내지 2.4 eV 일 수 있다.
또한, 상기 버퍼층(600) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착 되고, 상기 고저항 버퍼층(700)이 형성된다. 상기 고저항 버퍼층(700)은 불순물이 도핑 되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(700)의 에너지 밴드갭은 약 3.1 eV 내지 약 3.3 eV 일 수 있다. 또한, 상기 고저항 버퍼층(700)은 생략될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 고저항 버퍼층(700) 상에 투명한 도전물질을 적층하여 전면 전극층(800)을 형성한다.
상기 전면 전극층(800)은 n 형 반도체의 특성을 가질 수 있다. 이 때, 상기 전면 전극층(800)은 상기 버퍼층(600)과 함께 n 형 반도체층을 형성하여 p 형 반도체층인 상기 광 흡수층(500)과 pn 접합을 형성할 수 있다. 상기 전면 전극층(800)은, 예를 들어, 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)로 형성될 수 있다. 상기 전면 전극층(800)의 두께는 약 100 nm 내지 약 500 nm 일 수 있다.
예를 들어, 상기 전면 전극층(800)은 RF 스퍼터링 방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착 하는 방법과 Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링, 또는 유기금속화학증착법 등으로 형성될 수 있다.
도 6 내지 도 11은 제 2 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도들이다.
도 6을 참조하면, 상기 지지기판(100) 상에 후면 전극층 형성 물질을 도포하고, 상기 후면 전극층 형성 물질을 분리시키는 제 1 관통홈(P1)을 형성한다. 즉, 상기 후면 전극층(200)은 제 1 관통홈(P1)을 포함하며, 상기 제 1 관통홈(P1)에 의하여, 상기 후면 전극층(200)의 일부는 노출될 수 있다. 또한, 상기 제 1 관통홈(P1)에 의하여, 상기 후면 전극층(200)은 다수개의 후면 전극들로 구분될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 후면 전극층(200) 상에 산화몰리브덴층(300)이 형성된다. 더 자세하게, 상기 후면 전극층(200)의 상면에만 상기 산화몰리브덴층(300)이 선택적으로 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 산화몰리브덴층(300) 상에 광 흡수층(500)이 형성된다. 또한, 상기 광 흡수층(500)은 상기 제 1 관통홈(P1)에도 갭필되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 광 흡수층(500)을 형성하는 과정에서, 상기 컨택저항층(400) 및 전류차단부(410)도 동시에 형성된다. 상기 컨택저항층(400)은 상기 산화몰리브덴층(300)의 상면에 형성되고, 상기 전류차단부(410)은 상기 제 1 관통홈(P1)에 의해 노출된 후면 전극층(200)의 적어도 어느 한쪽 측면에 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 전류차단부(410)은 상기 제 1 관통홈(P1)에 의해 노출된 후면 전극층(200)의 양 측면에 형성될 수 있다. 상기 전류차단부(410)은 상기 제 1 관통홈(P1)에 의해 이격된 후면전극층(200)과 상기 제 1 관통홈들(P1)을 메우는 광 흡수층(300) 간에 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있으므로, 누설전류가 감소할 수 있다.
도한, 상기 전류차단부(410)는 상기 컨택저항층(400)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 전류차단부(410)는 셀렌화몰리브덴 또는 황화몰리브덴을 포함할 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 광 흡수층(500) 상에 버퍼층(600) 및 고저항 버퍼층(700)이 형성되고, 이들을 관통하는 제 2 관통홈(P2)이 형성된다. 즉, 상기 제 2 관통홈(P2)은 상기 광 흡수층(500), 상기 버퍼층(600) 및 상기 고저항 버퍼층(700)을 관통한다. 상기 제 2 관통홈(P2)은 기계적인(mechnical) 방법으로 형성할 수 있으며, 상기 제 2 관통홈(P2)의 폭은 약 80 ㎛ 내지 약 200 ㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 제 2 관통홈(P2)에 의하여, 상기 후면 전극층(200)의 일부가 노출된다.
이어서, 도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 고저항 버퍼층(700) 상에 전면 전극층(600)이 형성되고, 상기 전면전극층(600)은 제 3 관통홈들(P3)에 의해 관통된다. 상기 제 3 관통홈들(P3)은 기계적인(mechnical) 방법으로 형성할 수 있으며, 상기 후면전극층(200)의 일부가 노출된다. 예를 들어, 상기 제 3 관통홈들(P3)의 폭은 약 80 ㎛ 내지 약 200 ㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 제 3 관통홈들(P3)에 의하여, 상기 전면 전극층(800)은 다수개의 전면 전극들로 구분될 수 있고, 복수개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)은 정의될 수 있다.
상기에서 언급한 방법에 의해 제조되는 태양전지는 컨택저항층보다 반응성이 우수한 산화몰리브덴층을 지지기판과 광 흡수층 사이에 형성함으로써, 컨택저항층의 생성을 최소화 할 수 있다. 이에 따라, 컨택 저항층으로 인해 직렬 저항(Rs)이 증가하는 것을 방지할 수 있고, 태양전지의 광-전 변환 효율은 향상될 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (14)

  1. 지지기판 상에 배치되는 후면 전극층;
    상기 후면 전극층 상에 배치되는 산화몰리브덴층;
    상기 산화화몰리브덴층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
    상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하는 태양전지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화몰리브덴층과 상기 광 흡수층 사이에 배치되는 컨택저항층을 추가 포함하고,
    상기 컨택저항층의 두께는 상기 산화몰리브덴층의 두께보다 얇은 태양전지.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 산화몰리브덴층의 두께는 10 nm 내지 50 nm 이고,
    상기 컨택저항층의 두께는 10 nm 내지 40 nm 인 태양전지.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 컨택저항층은 셀렌화몰리브덴 또는 황화몰리브덴을 포함하는 태양전지.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화몰리브덴층은 MoO2 또는 MoO3 인 태양전지.
  6. 지지기판 상에 형성되고, 상기 지지기판의 상면의 일부를 노출시키는 관통홈이 형성된 후면 전극층;
    상기 관통홈에 의해 노츨된 후면 전극층의 적어도 어느 한쪽 측면에 형성되는 전류차단부;
    상기 후면 전극층 상에 배치되는 산화몰리브덴층;
    상기 산화몰리브덴층 상에 형성되는 광 흡수층; 및
    상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하는 태양전지.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 산화몰리브덴층과 상기 광 흡수층 사이에 형성되는 컨택저항층을 추가 포함하는 태양전지.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 컨택저항층 및 상기 전류차단부는 각각 셀렌화몰리브덴 또는 황화몰리브덴을 포함하는 태양전지.
  9. 지지기판 상에 상기 지지기판의 상면의 일부를 노출시키는 관통홈이 형성된 후면 전극층을 형성하는 단계;
    상기 후면 전극층의 상면에 산화몰리브덴층을 형성하는 단계;
    상기 산화몰리브덴층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및
    상기 광 흡수층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 광 흡수층을 형성하는 단계는,
    상기 광 흡수층을 형성함과 동시에, 상기 산화몰리브덴층의 상면에 컨택저항층을 형성하고, 상기 관통홈에 의해 노출된 후면 전극층의 적어도 어느 한쪽 측면에 전류차단부를 형성하는 태양전지의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 컨택저항층은 상기 후면 전극층과 상기 광 흡수층의 상호 반응에 의하여 형성되는 태양전지의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 후면 전극층은 몰리브덴(Mo)으로 형성되고, 상기 광 흡수층은 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 화합물로 형성되며,
    상기 광 흡수층에 대한 셀레니제이션 공정을 통해 상기 컨택저항층은 이셀렌화몰리브덴(MoSe2)층으로 형성되는 태양전지의 제조방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 전류차단부는 셀렌화몰리브덴 또는 황화몰리브덴을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 산화몰리브덴층은 상기 후면 전극층을 산화시켜 형성되는 태양전지의 제조방법.
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