KR101218631B1 - 나노튜브의 위치제어방법, 나노튜브 위치제어용 유로패턴및 나노튜브를 이용한 전자소자 - Google Patents

Abstract

대향하는 전극(3a 3b)상에, 상기 전극의 대향방향에 따라 유로(5a)를 설치한 유로패턴(5)을 재치하고, 카본나노튜브(7)를 분산시킨 용매를 상기 유로에 안내시켜 한 방향으로 흐르고, 상기 용매를 건조후 상기 유로패턴(5)을 상기 전극으로부터 박리함으로써 나노튜브(7)를 위치 제어한다. 인접하는 상기 전극 사이의 간격(M)과 인접하는 상기 유로간의 간격(N)과의 사이에 일정 관계를 설치한다. 유로패턴(5)은 대향하는 전극상에 재치되는 필름형 재료로 이루어지며, 상기 전극의 대향방향에 따라 다수의 유로를 설치한다. 상기 각 유로는 일정간격으로 평행하게 형성되며, 인접하는 유로간의 간격(N)이 인접하는 상기 전극간의 간격(M)과 일정 간격을 가진다. 상기 필름형 재료의 단부에는 카본나노튜브(7)를 분산시킨 용매를 부여되는 액유부(5b, 5c)를 설치하고, 상기 액유부(液溜部)와 상기 각 유로를 연통한다.

Description

나노튜브의 위치제어방법, 나노튜브 위치제어용 유로패턴 및 나노튜브를 이용한 전자소자{Nanotube position controlling method, nanotube position controlling flow path pattern and electronic element using nanotube}

본 발명은, 나노튜브의 위치제어방법, 나노튜브의 위치제어용 유로(流路) 패턴 및 나노튜브를 이용한 전자소자에 관한 것이다.

나노튜브는 나노미터 단위폭의 일차원적인 구조를 가지고, 그 미세구조 때문에 나노디바이스의 구성소재로서 주목되고 있다. 회로를 구성하는 소재가 미세화되면 집적도가 비약적으로 향상하므로, 예를 들면, 반도체 집적회로의 성능이 비약적으로 향상한다.

그렇지만, 나노튜브는 그 미세구조성 때문에 그 위치나 방향의 제어가 극히 곤란하다.

종래의 문헌으로서는 예를 들면 다음과 같은 것이 있다.

특허문헌1: 특개 2003-332266호 공보

비특허문헌1: 제64회 응용물리학회 학술강연회 예고집(2003년 가을 후쿠오카대학) 3/aE-1

특허문헌1은, 전극과 전극 사이에 카본나노튜브를 분산한 에탄올액을 적하하 고, 전극간에 고주파전압을 인가하고, 전극간에 나노튜브를 배선하는 기술이다. 또 비특허문헌1의 개시기술은, 유기용매에 분산한 카본나노튜브를 절연성 기판상에 적하하고 카본나노튜브를 전극으로 취한다는 것이다.

그러나, 이들 기술은 어느 것도 카본나노튜브를 용매 적하에 의해 기판상에 부여하기 때문에, 전극에 카본나노튜브가 대량으로 모여들어 버리고, 전극간의 가교(架橋)가 우연성에 좌우되며, 안전성이 결여된다고 하는 결점이 있다. 가끔 카본나노튜브에 의한 가교가 있었다고 해도, 위쪽에 떠다니고 있는 다른 카본나노튜브가 아래쪽으로 낙하하여 재가교 해버리는 리스크가 상당히 크기 때문이다. 또, 비특허문헌1의 기술은 대량생산에 적합하지 않다.

본 발명은 상기 결점을 해소하고, 나노튜브에 의한 전극의 가교를 안정적으로 또한 대량생산 가능하게 행하는 것을 목적으로 한다.

도 1은, 본 발명에 의한 나노튜브의 위치제어방법에 관하여, 그 실시형태를 모식적으로 나타내는 평면도이다.

도 2는, 도 1의 일부 확대도이다.

도 3은, 도 2의 Ⅲ-Ⅲ단면도이다.

도 4는, 본 발명에 의한 나노튜브 위치제어용 유로(流路)패턴의 실시형태를 나타내는 평면도이다.

도 5a, 도 5b, 도 5c는, 본 발명에 의한 나노튜브를 이용한 전자소자의 실시예를 나타내고, 전극간에 가교된 나노튜브의 전자현미경사진을 모식적으로 나타낸 도면, 도 5d는 도 5a의 D-D단면도, 도 5e는, 도 5a의 E-E단면도, 도 5f는, 도 5a의 F방향에서 본 축소도이다.

도 6은, 본원 발명에 의한 효과의 설명에 사용한 도면이다.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

1. 기판 2. 간섭방지부

3a, 3b. 전극 4a, 4b. 통합전극

5. 유로패턴 5a. 유로

5b. 액유부 5c. 액유부

5d. 입구 6. 누설방지로

7. 나노튜브 9. 휴즈용 가는선

10. 배선 11. 은페이스트

상기 목적 달성을 위해, 본 발명에 따른 나노튜브의 위치제어방법은, 대향하여 다수 설치된 전극을 갖춘 기판상에, 상기 전극의 대향하는 방향을 따라 다수의 유로(流路)를 설치한 유로 패턴을 재치(載置)하고, 상기 전극과 상기 유로에서 형성된 터널모양의 유로 내에 나노튜브를 분산시킨 용매를 안내시켜 한 방향으로 흐르게 하며, 단일 전자(single electron)로서의 나노튜브를 대향하는 전극간에 차례로 가교(架橋)하게 하고, 상기 용매를 건조 후 상기 유로 패턴을 상기 기판으로부터 박리하는 것을 특징으로 한다.

또, 상기 유로가 직선모양으로 형성되는 것, 상기 나노튜브가 카본나노튜브인 것, 인접하는 상기 전극간의 간격과 인접하는 상기 유로간의 간격과의 사이에 일정 관계가 있는 것을 특징으로 한다. 이것은, 인접하는 상기 전극간의 간격을 인접하는 상기 유로간의 간격에 비하여 작게 하는 것, 인접하는 상기 전극간의 간격을 인접하는 상기 유로간의 간격에 비하여 크게 하는 것, 인접하는 상기 전극간의 간격과 인접하는 상기 유로간의 간격이 동일한 것을 특징으로 한다. 또, 상기 유로의 입구를 상기 유로에 비하여 크게 하는 것, 상기 전극이 원형으로 형성된 간섭방지부에 설치되는 것, 인접하는 상기 전극이 누설방지로에 의해 연결되는 것, 상기 전극과 통합전극 사이에 휴즈용 가는 선을 설치한 것을 특징으로 한다.

또 본 발명은, 대향하여 다수 설치한 전극을 갖춘 기판상에 재치되는 필름형 재료로 이루어지며, 상기 전극의 대향방향을 따라 다수의 유로를 설치하고, 상기 각 유로는 일정 간격으로 평행하게 형성되는 동시에, 상기 전극과 상기 유로에서 터널모양의 유로가 형성되도록, 인접하는 유로간의 간격이 인접하는 상기 전극간의 간격과 일정 관계를 가지고, 상기 필름형 재료의 단부에 나노튜브를 분산시킨 용매가 부여되는 액유부를 설치하고, 상기 액유부와 상기 각 유로를 연통합여 단일 전자로서의 나노튜브를 도입하는 특징으로 하는 것을 나노튜브 위치제어용 유로패턴을 제공한다.

또, 상기한 나노튜브 위치제어용 유로패턴은, 상기 유로가 직선모양으로 형성되는 것, 인접하는 상기 유로간의 간격을 인접하는 상기 전극간의 간격에 비하여 크게 하는 것, 인접하는 상기 유로간의 간격을 인접하는 상기 전극간의 간격에 비하여 작게 하는 것, 인접하는 상기 유로간의 간격과 인접하는 상기 전극간의 간격이 동일한 것, 상기 유로의 입구를 상기 유로에 비하여 크게 하는 것, 상기 필름형 재료가 실리콘 고무로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, 기판과, 이 기판상에 대향하여 설치되는 다수의 전극과, 상기 전극간에 비교차상태로 가교된 단일 전자 나노튜브로 이루어지며, 상기 단일 전자 나노튜브는 용매로 분산된 상태로 상기 전극상에 박리 가능하게 위치된 유로패턴의 유로에 안내되어 하나의 전극에서 다른 전극으로 제공되는 것을 특징으로 하는 나노튜브를 이용한 전자소자를 제공한다.

다음으로, 실시형태를 모식적으로 나타내는 도면에 근거하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 또한, 편의상 동일 기능을 하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 그 설명을 생략한다.

도 1 내지 도 3은, 본 발명에 따른 나노튜브의 위치제어방법을 나타내는 동시에, 본 발명에 따른 나노튜브를 이용한 전자소자의 제조방법을 나타낸다. 본 발명에 따른 나노튜브를 이용한 전자소자의 제조는 다음의 (1) 내지 (3)의 공정을 거친다.

(전극의 작성공정)

〈1〉기판세정

실리콘 기판은 아세톤용액에 적셔 초음파에 의한 5분간 세정 후, 상기 용액으로부터 꺼내어, 질소가스로 기판(1)상의 상기 용액을 불어 날려버린다. 다음으로 상기 기판(1)을 에탄올 용액에 적셔 초음파에 의해 5분간 세정 후, 상기 용액에서 꺼내고, 질소가스로 기판(1)상의 상기 용액을 불어 날려버린다.

〈2〉금속박막증착

진공증착장치에 〈1〉의 실리콘기판을 세트하고, 진공을 뺀다. 이 조건은, 온도:실온, 진공도:10×e-6torr, 증착원:알루미늄(Al) 또는 금(Au), 막두께:3000Å이다. 증착원을 히터로 가열하고, 기판(1)에 금속박막을 증착시킨다. 소정의 막두께로 되었다면 증착 종료로 하고, 챔버를 대기로 되돌리고, 기판(1)을 꺼낸다.

〈3〉 레지스트 도포

〈2〉의 기판(1)을 스피너의 기판 홀더에 세트하고, 기판 홀더를 펌프로 흡인한다. 다음으로, 상기 기판(1)에 적절한 감광성재료로 이루어지는 레지스트(도시생략)를 적량 도포한 후, 처음에는 저속(600회전/초)으로 약 5초, 계속하여 고속(5000회전/초)으로 약 90초 회전한다. 종료 후 기판(1)을 기판 홀더로부터 꺼낸다.

〈4〉레지스트 경화

레지스트를 도포한 〈3〉의 기판(1)을, 오븐에서 180℃×20분간 정도 가열하고, 레지스트를 경화시킨다.

〈5〉패턴묘화

〈4〉의 기판(1)을 전자선 묘화장치(도시생략)의 스테이지에 세트하고, 진공을 뺀다. 포커스를 레지스트 표면에 맞추고, 미리 설정한 패턴을 묘화한다. 종료 후 챔버를 대기로 되돌리고, 기판(1)을 꺼낸다.

〈6〉현상·린스

패턴을 묘화한 〈5〉의 기판(1)을 현상액에 약 3분 30초 적셔 현상한다. 기판(1)을 현상액에서 꺼내고, 기판(1)상에 남은 현상액을 송풍기로 불어 날려버린 다. 다음으로 상기 기판(1)을 린스액으로 약 15초 침지(浸漬) 후, 꺼내어 기판(1)상에 남은 린스액을 송풍기로 날려버린다.

〈7〉웨트 에칭

〈6〉의 기판(1)을 산성액에 침지하고, 웨트 에칭을 행한다. 산성액으로서는, 예를 들면, 인산 1ml, 순수(純水) 98ml로 하고, 침지 조건은 온도: 약30℃, 시간: 약 60초로 한다. 종료 후, 순수에 적셔 산성액을 기판(1)에서 제거한다.

〈8〉레지스트 박리

〈7〉공정 종료 후, 기판(1)을 레지스트 박리액(예를 들면 3-펜타논(pentanone))에 약 10분간 침지하고, 레지스트를 박리한다. 종료 후, 송풍기로 박리액을 날린 후, 에탄올액에 담근다. 그 후, 에탄올액에서 꺼내고, 자연건조시킨다. 이렇게 하여 기판(1)상에 알루미늄(Al)으로 이루어지는 다수의 전극(3a, 3b)이 형성된다.

(2)유로패턴의 작성공정

〈9〉유로패턴 묘화

유로패턴 기판을 전자선 묘화장치(도시생략)에 걸고, 미리 설계한 유로의 패턴을 묘화한다.

〈10〉현상·린스, 웨트에칭, 실리콘 고무도포, 경화 및 박리

(1)과 동일하게 하여 현상·린스 및 웨트 에칭 공정 후, 상기 유로 패턴 기판상에 실리콘고무(PDMS)를 적량 도포한다. 실리콘 고무에는 경화제를 미리 혼합해 둔다. 상기 유로 패턴 기판을 핫플레이트에서 110℃×약 6분 실리콘고무를 경화시킨다. 다음으로, 실리콘고무를 유로 패턴 기판에서 박리하고, 유로 패턴(5)을 작성한다. 유로 패턴(5)은, 유로(5a)의 높이(H)가, 예를 들면, 1㎛보다 작은 정도가 통상이다.

(3)나노튜브에 의한 가교공정

〈11〉배선

상기(1)의 공정에 의해 작성된 기판(1)의 전극에 배선한다. 배선(10)은, 다수의 전극(3a, 3b)에 하나 하나하는 것이 아니라, 전원이 접속되는 통합전극(4a 4b)에 은페이스트(11)로 붙인다.

〈12〉유로패턴장착

공정(1)에서 작성한 기판(1)의 다수의 전극(3a, 3b)상에, 공정(2)에서 작성한 유로패턴(5)을 재치하고, 상기 전극(3a, 3b)과 상기 유로패턴(5)에 의한 각 유로(5a)에서 터널형의 유로(도 3참조)를 형성한다. 상기 유로패턴(5)의 재치는, 실리콘고무가 가지는 흡착력에 의해, 다수의 전극(3a, 3b)상에 틈 없이 밀착한다.

〈13〉용액공급

전극(4a, 4b)간에 전압인가 후, 카본나노튜브가 분산한 디클로로에탄용액을 액유부(5b)에 부여한다. 이때의 조건은 다음과 같다.

전압:대기압(1기압)

온도:실온(23℃)

인가전압:직류 0.01V이하

접속저항:200㏀ 직렬

용액의 양:약 0.01ml

〈14〉위치제어

액유부(5b)에 공급된 용매중 나노튜브(7)는, 전극(3a, 3b)간의 전계에 의하여 상기 터널형의 유로 내를 전기영동(electrophoresis) 하게 되며, 1개씩, 즉, 단일 전자마다 차례로 대향하는 전극(3a, 3b)간에 가교한다. 용액 건조 후, 유로 패턴(5)을 기판(1)에서 박리한다. 이렇게 하여 나노튜브(7)의 위치제어가 종료한다.

도 5는 이렇게 하여 전극(3a, 3b)간에 가교되어 위치제어된 나노튜브(7)를 나타낸다. 즉, 본 발명에 의한 나노튜브를 이용한 전자소자는, 기판(1)상에 증착된 전극(3a, 3b)과, 이 전극(3a, 3b)간에 가교된 카본나노튜브(7)로 이루어지며, 이들이, 예를 들면, 1 평방센티미터당 약 200만개라는 단위로 집적되게 된다. 상기 나노튜브(7)는 전극(3a, 3b)에 하나씩, 즉, 단일 전자마다에 차례로 가교되며, 비교차상태로 되어 있다. 본 발명에 있어서 나노튜브(7)가 「비교차상태」일 때, 완전한 직선모양이 아니더라도 좋고, 도 5a, 도 5b, 도 5c에 나타내는 바와 같이 다소 굴곡이 허용되는 상태를 지칭하고, 뱀이 몸을 서린 상태를 배제하는 취지이며, 또 나노튜브가 2개 이상 동일개소에 가교된 상태를 배제하는 취지이다.

상기 실시형태에 의하면, 다음의 작용효과가 있다. 우선, 용매 중에 분산되어 있는 나노튜브(7)는, 유로(5a)가 직선모양으로 형성되어 있으므로, 그 위치 및 방향성이 교정되어 비교차 상태에서 전극(3a, 3b)간에 차례로 가교되게 된다.

이 점을 도 6에 근거하여 상세하게 설명한다. 용액은 터널형의 유로(5a)에 유입할 때, 입구(5d)가 유로(5a)보다 확대되어 형성되어 있으므로, 층류(層流)의 흐름에 변화가 생긴다. 즉, 입구(5d)부분에서 똑같이 들어온 흐름은 유로(5a)를 따라 화살표로 나타내는 경계층이 발달한다. 그것에 수반하여, 유로(5a)의 중앙부에서는 경계층에서 배제된 유체가 모여서 속도가 증가한다. 하류로 진입함에 따라 경계층의 두께가 증가하고, 중앙부의 속도는 더욱 커지게 된다. 입구(5d)는 흐름의 방향으로 작게 되어 있고, 이러한 경우, 유체역학상 압력에너지에서 속도에너지로의 변환은 쉽게 행해지며, 손실도 무시할 수 있는 정도라고 일컬어지고 있다. 나노튜브(7)는, 이와 같은 상태의 흐름 속에서, 유로(5a) 내에 유입하고, 이른바 끌어 당겨지는 듯한 상태로 유로(5a) 내에 유입한다. 이때, 그 흐름에 의한 힘에 의해 나노튜브(7)의 위치 및 방향이 교정된다. 그리고 유로(5a)가 직선모양으로 형성되어 있는 것과 더불어, 나노튜브(7)의 위치 및 방향은 확실하게 또한 안정적으로 교정되며, 단일 전자로서의 나노튜브(7)가 비교차상태로 전극(3a, 3b)간에 차례로 가교한다.

나노튜브(7)를 분산시킨 용매는, 모세관 현상에 의해 액유부(液溜部)(5b)보다 액유부(5c)방향을 향하여 한 방향으로 흐르기 때문에, 액 적하의 경우와 같이 가교되어 있는 나노튜브(7)상에 더욱 중첩적으로 나노튜브(7)가 공급될 염려가 없다. 따라서 나노튜브(7)에 의한 전극간의 가교가 안정한다.

전극(3a, 3b)은 원형으로 형성된 간섭방지부(2)에 서로 대향하도록 설치되어있기 때문에, 전계는 전극(3a, 3b)의 선단부에 집중하고, 이것에 의해 용매중의 나노튜브(7)가 다른 부분으로는 향하지 않고, 전극(3a, 3b)간에 차례로 부착한다. 따라서 나노튜브(7)의 위치제어에 한층 유리하다.

유로패턴(5)은 다수의 전극(3a, 3b)상에 재치되며, 유로패턴(5)에 다수 형성된 유로(5a)에 의해 단일 전자로서의 나노튜브(7)를 차례로 가교한다. 따라서 유로패턴(5)의 위치결정 정밀도가 낮아도 나노레벨에서의 위치제어를 가능하게 한다.

이 점을 수치모델에 의해 설명한다. 예를 들면, 인접하는 대향전극(3a, 3b)과 대향전극(3a, 3b)간의 간격(M)을 20㎛, 인접하는 유로(5a)와 유로(5a)간의 간격(N)을 19.5㎛, 유로(5a)의 폭(L)을 4㎛로 하는 경우, 유로(5a)와 대향전극(3a, 3b)은,

20㎛/(20㎛-19.5㎛)=40

로 되기 때문에, 40회에 1회 반드시 일치한다. 이것은 M<N의 경우에도 적용할 수 있는 원리이다. 그리고 M,N의 수치는 제조기술의 진보에 의해 상당히 근접하는 것을 가능하게 하고, 근사치로 되는 만큼 나노튜브(7)의 위치제어의 수율이 크게 된다. 논리적으로는 M=N의 경우도 있을 수 있고, 이때는 수율 100%로 된다.

또 전극은 유로패턴과는 분리되어 있기 때문에 전극설계가 용이하게 된다.

또 용매는 액유부(5b)에서 유로(5a)를 진행하고, 유로패턴(5) 밖으로는 액체가 새지 않는다. 따라서 액 적하의 경우와 같이 전극에 부착되는 은페이스트가, 액 적하의 경우와 같이 용해할 염려가 없다.

인접하는 대향전극(3a, 3b)과 대향전극(3a, 3b)이 누설방지로(6)에 의해 연결되기 때문에, 유로(5a)내를 흐르는 나노튜브(7)가 인접하는 대향전극(3a, 3b)에 흐르는 것을 방지한다.

인가되는 전압이 낮기 때문에, 나노튜브의 특성구조를 파괴하지 않고, 전극간(3a, 3b)을 가교할 수 있다.

또 대기중에 있어서 실온에서의 제작이 가능하기 때문에, 특별한 시설이 없어도 좋고, 이 면에서도 생산 코스트가 저하하고, 대량생산에 적합한 효과가 있다.

또한, 대향전극(3a, 3b)과 통합전극(4a, 4b)간에 휴즈용 가는선(9)을 설치한 경우, 과전류에 의해 처음에는 휴즈용 가는선(9)이 단선하므로, 필요 이상의 전류를 흐르게 하지 않고 저전압하에서 가교할 수 있다. 따라서, 나노칩의 특성구조를 유지하는 것이 가능하게 된다. 휴즈용 가는선(9)이 단선한 경우에는, 단선시 열이 용액에서 완화되기 때문에, 이 면에서도 나노칩의 특성구조를 파괴하지 않는다.

본 발명은 상기한 실시의 형태에 한정되지 않는다. 예를 들면, 인접하는 대향전극간의 간격(M), 인접하는 유로간의 간격(N), 유로의 폭(L)의 치수는 적당히 설계할 수 있다. 간섭방지부(2)의 형상도 임의이다. 누설방지로(6)나 휴즈용 가는선(9)을 설치하지 않는 것, 설치하는 경우의 치수, 형상은 적당히 설계할 수 있다.

기판(1), 전극(3a 3b), 유로패턴(5)의 소재, 나노튜브를 분산하는 용매도 임의이다. 나노튜브의 공급방법은 임의이다.

나노튜브에 있어서, 카본나노튜브(CNT)의 동효(同效)물질, 예를 들면, 붕소카본질소나노튜브(BCN 나노튜브)나 붕소질소나노튜브(BN 나노튜브), 여러 가지 화학 수식(修飾)된(chemically-modified) 나노튜브에 대해서도 본 발명을 적용할 수 있다.

유로 패턴(5)은 투명체가 아니어도 좋다.

본 발명에 있어서, 용매중에 분산되어 있는 나노칩은, 용매가 유로패턴의 유로 속을 흘러 이동하고, 그 이동범위가 유로에 따라서 규제되기 때문에, 나노튜브가 구부러진 상태에서 유로 내에 진입해 왔다고 해도, 유로에 의해 교정된다. 그리고 유로는 직선모양으로 형성되어 있으므로, 결국 나노튜브의 위치 및 방향성은 교정되어 비교차 상태로 전극간에 가교되게 된다.

나노튜브를 분산시킨 용매는 한 방향으로 흐르므로, 낙하에 의한 재가교의 염려가 실질상 없고, 가교가 안정화한다.

나노튜브의 상기 위치제어는 유로 패턴에 의해 기판상에 대량으로 행할 수 있으므로, 단위 전극당 수율의 고려를 무시할 수 있다. 따라서, 생산성이 향상하므로, 생산 코스트가 저하하고, 대량생산에 적합한 효과가 있다.

본 발명은, 예를 들면, 반도체소자에 적용된 경우 그 회로의 집적도가 비약적으로 향상하므로, 반도체 집적회로의 성능이 비약적으로 향상한다.

Claims (19)

1. 선단부가 테이퍼 형상으로 형성된 대향 전극을 다수 구비한 기판상에, 상기 다수의 대향 전극의 대향하는 방향에 따라 다수의 유로를 설치한 유로 패턴을 설치하고,

   상기 기판은, 또한 복수의 통합전극을 가지며,

   상기 다수의 대향 전극이 원형을 형성된 복수의 간섭방지부에 설치되며,

   상기 다수의 대향 전극 사이에 전압을 인가하고,

   상기 다수의 대향 전극 중에서 적어도 한 개의 전극과, 상기 유로중 한 개의 유로에 의해 형성된 터널형 유로의 내부에 나노튜브를 분산시킨 용매를 안내시켜 한 방향으로 흐르게 하며,

   각각 연속적으로 다수의 나노튜브를 상기 다수의 대향 전극 사이에 비교차 상태로 가교(架橋)시키고,

   상기 용매를 건조 후에, 상기 유로패턴을 상기 기판으로부터 박리하는 것을 특징으로 하는 나노튜브의 위치제어방법.
2. 선단부가 테이퍼 형상으로 형성된 대향 전극을 다수 구비한 기판상에, 상기 다수의 대향 전극의 대향하는 방향에 따라 다수의 유로를 설치한 유로 패턴을 설치하고,

   상기 기판은, 또한 복수의 통합전극을 가지며,

   인접하는 상기 다수의 대향 전극 중에서 적어도 한 개가, 서로 다르게 굴곡 형성된 누설방지로(leakage preventing path)에 의해 연결되며,

   상기 다수의 대향 전극 사이에 전압을 인가하고,

   상기 다수의 대향 전극 중에서 적어도 한 개의 전극과, 상기 유로중 한 개의 유로에 의해 형성된 터널형 유로의 내부에 나노튜브를 분산시킨 용매를 안내시켜 한 방향으로 흐르게 하며,

   각각 연속적으로 다수의 나노튜브를 상기 다수의 대향 전극 사이에 비교차 상태로 가교(架橋)시키고,

   상기 용매를 건조 후에, 상기 유로패턴을 상기 기판으로부터 박리하는 것을 특징으로 하는 나노튜브의 위치제어방법.
3. 선단부가 테이퍼 형상으로 형성된 대향 전극을 다수 구비한 기판상에, 상기 다수의 대향 전극의 대향하는 방향에 따라 다수의 유로를 설치한 유로 패턴을 설치하고,

   상기 기판은, 또한 복수의 통합전극을 가지며,

   다수의 휴즈용 가는 선이 상기 다수의 대향 전극과 상기 통합 전극 사이에 결합되며, 상기 다수의 휴즈용 가는 선은 상기 다수의 대향 전극과 1대 1의 대응관계를 가지는 동시에, 또한, 상기 다수의 휴즈용 가는 선의 폭은 상기 통합 전극의 폭 보다 작게 형성되며,

   상기 다수의 대향 전극 사이에 전압을 인가하고,

   상기 다수의 대향 전극 중에서 적어도 한 개의 전극과, 상기 유로중 한 개의 유로에 의해 형성된 터널형 유로의 내부에 나노튜브를 분산시킨 용매를 안내시켜 한 방향으로 흐르게 하며,

   각각 연속적으로 다수의 나노튜브를 상기 다수의 대향 전극 사이에 비교차 상태로 가교(架橋)시키고,

   상기 용매를 건조 후에, 상기 유로패턴을 상기 기판으로부터 박리하는 것을 특징으로 하는 나노튜브의 위치제어방법.
4. 제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서,

   상기 다수의 유로의 각각이 직선모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노튜브의 위치제어방법.
5. 제 4항에 있어서,

   상기 나노튜브가 카본나노튜브인 것을 특징으로 하는 나노튜브의 위치제어방법.
6. 제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서,

   인접하는 상기 대향전극간의 간격을 인접하는 상기 유로간의 간격에 비하여 작게 하는 것을 특징으로 하는 나노튜브의 위치제어방법.
7. 제 6항에 있어서,

   인접하는 상기 대향전극간의 간격을 인접하는 상기 유로간의 간격에 비하여 크게 하는 것을 특징으로 하는 나노튜브의 위치제어방법.
8. 제 6항에 있어서,

   인접하는 상기 대향 전극간의 간격과 인접하는 상기 유로간의 간격이 동일한 것을 특징으로 하는 나노튜브의 위치제어방법.
9. 제 6항에 있어서,

   상기 다수의 유로중에서 한 유로의 입구를 상기 다수의 유로에 비하여 크게 하는 것을 특징으로 하는 나노튜브의 위치제어방법.
10. 기판과,

    상기 기판상에 대향하여 설치되는 선단부가 패턴 형태로 형성된 다수의 대향 전극과,

    상기 기판상에 설치된 복수의 통합 전극과,

    상기 다수의 대향 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 상기 대향 전극 사이에 각각 비교차 상태로 가교(架橋)된 다수의 나노 튜브로 구성되며,

    상기 다수의 대향 전극이 원형으로 형성된 간섭 방지부에 설치되며,

    다수의 나노튜브는 용매에 분산된 상태에서, 상기 다수의 대향 전극상에 제거 가능하게 설치된 유로 패턴의 유로에 안내되어, 나노 튜브가 상기 다수의 대향 전극중에서 하나의 전극에서 다른 전극으로 공급되는 것을 특징으로 하는 전자소자를 이용하는 전자 장치.
11. 기판과,

    상기 기판상에 대향하여 설치되는 선단부가 패턴 형태로 형성된 다수의 대향 전극과,

    상기 기판상에 설치된 복수의 통합 전극과,

    상기 다수의 대향 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 상기 대향 전극 사이에 각각 비교차 상태로 가교(架橋)된 다수의 나노 튜브로 구성되며,

    인접하는 상기 다수의 대향 전극 중에서 적어도 한 개가, 서로 다르게 굴곡 형성된 누설방지로(leakage preventing path)에 의해 연결되며,

    다수의 나노튜브는 용매에 분산된 상태에서, 상기 다수의 대향 전극상에 제거 가능하게 설치된 유로 패턴의 유로에 안내되어, 나노 튜브가 상기 다수의 대향 전극중에서 하나의 전극에서 다른 전극으로 공급되는 것을 특징으로 하는 전자소자를 이용하는 전자 장치.
12. 기판과,

    상기 기판상에 대향하여 설치되는 선단부가 패턴 형태로 형성된 다수의 대향 전극과,

    상기 기판상에 설치된 복수의 통합 전극과,

    상기 다수의 대향 전극과 통합 전극의 사이에 연결되며, 상기 다수의 대향 전극과 1대 1의 대응관계를 가지도록 공급된 다수의 휴즈용 가는 선과, 상기 다수의 휴즈용 가는 선의 폭은 상기 통합 전극의 폭 보다 작게 형성되며,

    상기 다수의 대향 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 상기 대향 전극 사이에 각각 비교차 상태로 가교(架橋)된 다수의 나노 튜브로 구성되며,

    다수의 나노튜브는 용매에 분산된 상태에서, 상기 다수의 대향 전극상에 제거 가능하게 설치된 유로 패턴의 유로에 안내되어, 나노 튜브가 상기 다수의 대향 전극중에서 하나의 전극에서 다른 전극으로 공급되는 것을 특징으로 하는 전자소자를 이용하는 전자 장치.
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