[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR101188150B1 - 냉각 장치 - Google Patents

냉각 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101188150B1
KR101188150B1 KR1020110027442A KR20110027442A KR101188150B1 KR 101188150 B1 KR101188150 B1 KR 101188150B1 KR 1020110027442 A KR1020110027442 A KR 1020110027442A KR 20110027442 A KR20110027442 A KR 20110027442A KR 101188150 B1 KR101188150 B1 KR 101188150B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal
laminated
base
brazing
insulator
Prior art date
Application number
KR1020110027442A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110109931A (ko
Inventor
쇼고 모리
에이지 고노
Original Assignee
가부시키가이샤 도요다 지도숏키
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 filed Critical 가부시키가이샤 도요다 지도숏키
Publication of KR20110109931A publication Critical patent/KR20110109931A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101188150B1 publication Critical patent/KR101188150B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4882—Assembly of heatsink parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/4935—Heat exchanger or boiler making
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/4935—Heat exchanger or boiler making
    • Y10T29/49366—Sheet joined to sheet
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12903—Cu-base component
    • Y10T428/1291—Next to Co-, Cu-, or Ni-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12903—Cu-base component
    • Y10T428/12917—Next to Fe-base component
    • Y10T428/12924—Fe-base has 0.01-1.7% carbon [i.e., steel]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12951—Fe-base component
    • Y10T428/12972—Containing 0.01-1.7% carbon [i.e., steel]
    • Y10T428/12979—Containing more than 10% nonferrous elements [e.g., high alloy, stainless]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24893—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including particulate material
    • Y10T428/24909—Free metal or mineral containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

상부판, 상부판 으로부터 이격된 하부판, 및 상부판 및 하부판 사이에 위치한 핀을 가지는 히트 싱크, 상기 핀 으로부터 대향면들에 위치한 상부판의 면에 적층되는 제 1 금속 부재 및 상기 제 1 금속 부재에 적층되는 제 1 절연체를 포함하는 냉각 장치. 상기 상부판, 상기 하부판 및 상기 제 1 금속 부재는 각각 베이스 금속과 경납땜용 금속으로 된 클래드 금속으로 형성되어, 상기 핀은 상기 상부판 및 하부판에 경납땜되고, 제 1 금속 부재는 상기 상부판에 경납땜되며, 상기 제 1 절연체는 제 1 금속 부재에 경납땜된다.

Description

냉각 장치 {COOLING DEVICE}
본 발명은, 예를들어 전자장치를 위한 냉각 장치에 관한 것이다.
예를 들어, 승용차 또는 산업용 차량 등의 차량의 전자장치에 사용되는 냉각장치에서, 발열성을 높이도록 반도체 장치가 장착된 금속 기재, 절연판, 응력 완화를 위한 금속층, 및 히트 싱크는 적층된다. 일반적으로 금속 기재, 절연판, 금속층, 히트 싱크는 연납땜 또는 경납땜 등의 수단에 의해 함께 결합된다.
일본 미심사 특허출원 공개 공개 공보 2009-65144 호는 전자장치, 또는 일면에 반도체 칩이 장착되고 다른면에는 히트 싱크가 결합된 회로 기판을 장착한 파워 모듈이 개시되어 있다. 회로 기판은, 질화물계 세라믹 기판, 단일층의 알루미늄으로 형성되어 세라믹 기판의 일면에 적층되는 회로층, 및 순도가 상이한 이중층의 알루미늄으로 형성되어 세라믹 기판의 다른면에 적층되는 발열을 위한 금속층으로 구성되어있다.
구체적으로는 알루미늄-규소계 경납땜용 금속박은 회로층과 세라믹 기판 사이 및 세라믹 기판과 금속층 사이에 설치된다.
회로 기판은, 순서대로 적층되는 회로층, 경납땜용 금속박, 세라믹 기판, 경납땜용 금속박및 금속층이 진공분위기에서 가열 및 가압되어 경납땜용 금속박이 용융되는 방식으로 제조된다. 회로 기판이 제조된 후, 반도체칩은 연납땜에 의해 회로층에 결합되고, 히트 싱크는 연납땜 또는 경납땜함으로써 금속층에 결합된다. 그렇게 함으로써 반도체 모듈은 제조된다.
연납땜에 의한 결합은 땜납재가 장기간에 걸쳐서 온도가 변화하는 환경에서 사용됨으로서 열화되어 열전달 성능이 감소하는 문제점이 알려져 있다. 이를 방지하기위해 공개 공보 2009-65144 호에 개시된 회로 기판는 경납땜용 금속박을 사용한 경납땜에 의해 제조된다.
공개 공보 2009-65144 호에서 개시된 전자 장치에서, 히트 싱크는 경납땜용 금속박보다 낮은 용융점을 갖는 연땜납재를 이용하여 연납땜 함으로써 회로 기판에 접합할 필요가 있다. 이것은 회로 기판와 히트 싱크가 경납땜에 의해 결합하면 회로 보드의 구성부품의 결합을 위해 경납땜용 금속이 용융하게 되어 구성부품의 오배열 및 변형이 생겨 회로 기판을 원하는 형상으로 형성하기 어렵게 되기 때문이다. 그러므로, 회로 기판과 히트 싱크는 일반적으로 경납땜보다 저온에서 수행할 수 있는 연납땜으로 결합하게 된다.
상기 설명한 바와 같이, 공개 공보 2009-65144 에서 개시된 것과 같은 종래의 냉각장치는, 회로 기판을 제조한 후에 연납땜에 의해 히트 싱크가 회로 기판에 결합할 필요가 있고, 그 결과 비효율적인 제조와 장기간 사용에 의한 발열성능의 저하를 일으킨다.
본 발명은 효과적인 제조를 가능하게 하고 또한 발열 성능의 저하를 억제할 수 있는 냉각 장치를 제공하는 것에 관한 것이다.
본 발명의 일양태에 따라서, 냉각 장치는 상부판을 갖는 히트 싱크와 상부판으로부터 이격된 하부판과, 이들 사이에 있은 핀과, 핀과 반대방향에 있는 상부판의 면에 적층된 제 1 금속 부재와, 제 1 금속 부재에 적층된 제 1 절연체로 구성되어있다. 상부판, 하부판과 금속 부재는 베이스 금속과 경납땜용 금속으로 구성된 클래드 금속으로 이루어져 있고, 핀은 상부판 및 하부판에 경납땜 되어있고, 제 1 금속 부재는 상부판에 경납땜 되어있고, 제 1 절연체는 제 1 금속 부재에 경납땜되어있다.
본 발명의 다른 양태와 장점은, 이하 발명의 상세한 설명 및 첨부된 도면과 발명의 원리의 실시형태에 의해 분명해 질 것이다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 냉각장치의 종단면도,
도 2 는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 냉각장치의 종단면도,
도 3 은 도 2 와 유사한, 냉각장치의 제 3 실시형태의 도면 및,
도 4 는 도 2 와 유사한, 냉각장치의 제 4 실시형태의 도면.
본 발명에 첨부된 도면을 참조하여 냉각장치의 실시형태를 설명한다. 도면에서 보이는 바와 같이 상부측 및 하부측은 각각 냉각장치의 상부측 및 하부측에 대응한다.
도 1 을 참조하면, 냉각 장치 (1) 는 히트 싱크 (2), 제 1 및 제 2 금속 부재 (3, 7), 제 1 및 제 2 절연체 (4, 8), 및 금속 기재 (5) 를 포함한다. 제 1 금속 부재 (3), 제 1 절연체 (4) 및 금속 기재 (5) 는 히트 싱크 (2)의 상부면에 적층되어있다. 제 2 금속 부재 (7) 와 제 2 절연체 (8) 는 히트 싱크 (2) 의 하부면에 적층되어있다. 금속 기재 (5) 에는 발열 요소로서 반도체 장치 (6) 가 장착되어있다.
히트 싱크 (2) 는 서로 이격된 상부판 및 하부판 (9, 10) 으로 구성되고, 그 사이에 다수의 핀 (11) 이 간격을 두어 배치된다. 어떠한 2개의 인접한 핀 (11) 사이에는 냉매등의 물이 유동하는 통로 (12) 가 형성된다. 히트 싱크 (2) 는 상부판 및 하부판 (9, 10) 의 둘레에 형성되어 공급 파이프 (14) 와 배출 파이프 (15) 에 각각 연결되는 측면판을 갖는다. 히트 싱크 (2) 의 구성부품인 상부판 및 하부판 (9, 10), 측면판 (13), 핀 (11) 과 공급 파이프 (14), 배출 파이프 (15) 는 알루미늄계의 금속 등의 매우 열전도율이 높은 금속으로 만들어진다.
히트 싱크 (2) 의 상부판 (9) 은 베이스 금속 (16) 과 알루미늄-규소계 경납땜용 금속 (17) 으로 구성된 클래드 금속으로 형성된다. 경납땜용 금속 (17) 은 핀 (11) 에 인접해 있는 하부측의 베이스 금속 (16) 의 면에 적층되어있다. 히트 싱크 (2) 의 하부판 (10) 은 베이스 금속 (18) 과 알루미늄-규소계 경납땜용 금속 (19) 으로 구성된 클래드 금속으로 형성된다. 경납땜용 금속 (19) 은 핀 (11) 에 인접한 상부측의 베이스 금속 (18) 의 면에 적층되어있다. 핀 (11) 은 경납땜용 금속 (17, 19) 으로 상부판 및 하부판 (9, 10) 에 결합되어있다. 히트 싱크 (2) 에서, 물은 공급 파이프 (14) 를 통하여 통로 (12) 에 유입되어 열교환이 일어난다. 열교환후 가열된 물은 배출 파이프 (15) 를 통하여 라디에이터 (20) 에 전달되고 발열에 의해서 냉각된다. 그 후, 물은 펌프 (21) 에 의해 히트 싱크 (2) 로 되돌아오고 공급 파이프 (14) 를 통해 통로 (12) 에 유입된다.
제 1 금속 부재 (3) 는 경납땜 또는 다른 적절한 수단으로 서로 결합된 두 개의 클래드 금속으로 형성된다. 하나의 클래드 금속은, 예를 들어 제 1 베이스 금속 (22) 의 하부면에 적층된는 천공된 알루미늄판과 알루미늄-규소계 경납땜용 금속 (24) 으로 형성되는 제 1 베이스 금속 (22) 으로 구성된다. 다른 클래드 금속은 제 2 베이스 금속 (23) 의 상부면에 적층되는 알루미늄판과 알루미늄-규소계 경납땜용 금속 (25) 으로 형성되는 제 2 베이스 금속 (23) 으로 구성된다.
제 1 금속 부재 (3) 와 함께, 제 2 금속 부재 (7) 는 경납땜 또는 다른 적절한 수단으로 결합된 두개의 클래드 금속으로 형성된다. 하나의 클래드 금속은, 예를들어 제 1 베이스 금속 (26) 의 상부면에 적층되는 천공된 알루미늄판과 알루미늄-규소계 경납땜용 금속 (28) 으로 형성되는 제 1 베이스 금속 부재 (26) 로 구성된다. 다른 하나의 클래드 금속은, 제 2 베이스 금속 (27) 의 하부면에 적층되는 알루미늄판과 알루미늄-규소계 경납땜용 금속 (29) 으로 형성되는 제 2 베이스 금속 (27) 으로 구성된다.
제 1 및 제 2 절연재 (4, 8) 는 질화 알루미늄 (AIN) 또는, 질화 규소 (Si3N4) 등의 질화물계의 세라믹스 또는 알루미나 (Al2O3) 또는 지르코니아 (ZrO2) 등의 산화물계 세라믹스로 형성되어있다. 금속 기재 (5) 은 베이스 금속 (30) 의 하부면에 적층되는 알루미늄과 알루미늄-규소계 경납땜용 금속 (31) 으로 형성되는 베이스 금속 (30) 으로 구성된 클래드 금속으로 형성된다. 반도체 장치 (6) 는 금속 기재 (5) 의 상부면에 장착되어있고, 예를 들어 연납땜 또는 와이어 접착에 의해 전기회로를 형성한다.
히트 싱크 (2) 의 상부판 및 하부판 (9, 10), 제 1 및 제 2 부재 (3, 7) 와 금속 기재 (5) 에 대한 클래드 금속은 롤 접착, 플레이팅, 프린팅 등의 어떠한 공지된 수단 등으로 제조된다. 본 실시형태에 있어 상용된는 경납땜용 금속은 실질적으로 동일한 화학 조성을 갖는다. 다른 화학 조성을 갖는 다른 경납땜용 금속은 그와 같은 경납땜용 금속의 용융점의 차이가 작기만 하다면 사용될 수 있다.
냉각 장치 (1) 의 제조에 있어서, 우선, 제 2 절연체 (8), 제 2 금속 부재 (7) 의 제 1 및 제 2 베이스 금속 (27, 26), 하부판 (10), 핀 (11), 상부판 (9), 제 1 금속 부재 (3) 의 제 1 및 제 2 베이스 금속 (22, 23), 제 1 절연체 (4) 와 금속 기재 (5) 은 작업대 (비도시) 에 이 순서대로 적층된다. 이 적층된 구성부품을 적층 방향으로 가압하면서 진공분위기에서 미리 정해진 온도로 가열하고, 각각 구성부품의 클래드 금속의 경납땜용 금속은 용융된다.
제 1 금속 부재 (3) 는, 경납땜용 금속 (24) 에 의해 상부판 (9) 의 상부면에 경납땜되고, 경납땜용 금속 (25) 에 의해 제 1 절연체 (4) 의 하부면에 경납땜된다. 금속 기재 (5) 은 경납땜용 금속 (31) 에 의해 제 1 절연체의 상부면에 경납땜된다. 제 2 금속 부재 (7) 는, 경납땜용 금속 (28) 에 의해 하부판의 하부면에 경납땜되고, 경납땜용 금속 (29) 에 의해 제 2 절연체 (8) 의 상부면에 경납땜된다. 핀 (11) 은, 핀의 상부 단부에서 경납땜용 금속 (17) 에 의해 상부판 (9) 의 하부면에 경납땜된다.
이러한 방법으로, 냉각 장치 (1) 의 구성부품, 즉, 히트 싱크 (2), 제 1 및 제 2 금속 부재 (3, 7), 금속 기재 (5), 제 1 및 제 2 절연체 (4, 8) 는 한번에 경납땜될 수 있으며, 그렇게 함으로서 냉각 장치 (1) 를 간결하고 효율적으로 제조하게 한다. 나아가, 반도체 장치 (6) 외에 각각의 구성부품의 결합된 표면은 경납땝되며, 이렇게 함으로서 연납땜 결합과 비교하여 장기간의 사용에 따른 냉각 장치 (1) 의 발열 성능의 저하를 방지한다.
히트 싱크 (2) 의 제조시, 예를 들어, 상부판 (9), 하부판 (10) 과 핀 (11) 은 상기 설명한 바와 같이 한번에 납땜 된 후, 측면판 (13), 공급 파이프 (14), 배수판 (15) 은 어떠한 적절한 수단에 의해 장착된다. 대안으로, 상부판 (9), 하부판 (10), 핀 (11), 측면판 (13), 공급 파이프 (14) 및 배출 파이프 (15) 는 한번에 경납땜된다. 반도체 장치 (6) 는, 상기 설명한 바와 같이 제 1 절연체에 이미 경납땜된 금속 기재 (5) 에 장착된다.
도 2 는, 본 발명에 따른 냉각 장치의 제 2 실시형태를 도시하고 있다. 제 2 실시형태는 제 1 및 제 2 금속 부재의 구조면에서 제 1 실시형태와 다르고, E또한, 제 1 절연체 (4) 에서 반도체 모듈 (35) 이 반도체 장치 (6) 를 대체한다. 도면에서, 제 1 및 제 2 실시형태에서 공통의 구성부품 및 구성부품에는 동일한 도면 부호가 사용되고, 제 2 실시형태에서 공통된 구성부품 및 구성 부품의 상세한 설명은 생략한다.
냉각 장치 (32) 에서, 제 1 금속 부재 (33), 제 1 절연체 (4) 및 반도체 모듈 (35) 은 히트 싱크 (2) 의 상부판 (9) 의 상부면에 순서대로 적층된다. 제 2 금속 부재 (34) 와 제 2 절연체 (8) 는 히트 싱크 (2) 의 하부판 (10) 의 하부면에 순서대로 적층된다.
제 1 금속 부재 (33) 는 알루미늄판으로 형성되는 베이스 금속 (36), 베이스 금속 (36) 의 하부면에 적층되는 알루미늄-규소계 경납땜용 금속 (37), 및 베이스 금속 (36) 의 상부면에 적층되는 알루미늄-규소계 경납땜용 금속 (38) 으로 구성되는 클래드 금속으로 형성된다. 제 1 금속 부재 (33) 와 함께, 제 2 금속 부재 (34) 는 알루미늄 판으로 형성되는 베이스 금속 (39), 베이스 금속 (39) 의 상부면에 적층되는 알루미늄-규소계 경납땜용 금속 (40), 및 알루미늄-규소계 경납땜용 금속 (41) 으로 구성되는 클래드 금속 (34) 으로 형성된다. 반도체 모듈 (35) 은 회로 기판 및 이에 장착된 반도체 장치를 가지는 절연 또는 비절연 타입이다.
냉각 장치 (32) 의 제조시, 작업대에 순서대로 적층되는 제 2 절연체 (8), 제 2 금속 부재 (34), 하부판 (10), 핀 (11), 상부판 (9), 제 1 금속 부재 (33) 및 제 1 절연체 (4) 는 제 1 실시형태에서처럼 가압되면서 가열되어 각각의 클래드 금속의 경납땜용 금속은 용융된다. 제 1 금속 부재 (33) 는, 경납땜용 금속 (37) 에 의해 상부판 (9) 의 상부면에 경납땜되고, 경납땜용 금속 (38) 에 의해 제 1 절연체의 하부면에 경납땜된다. 제 2 금속 부재 (34) 는, 경납땜용 금속 (40) 에 의해 하부판 (10) 의 하부면에 경납땜되고, 경납땜용 금속 (41) 에 의해 제 2 절연체 (8) 의 상부면에 경납땜된다. 핀 (11) 은 그 상부 단부에서, 제 1 실시형태에서처럼, 경납땜용 금속 (17) 에 의해 상부판 (9) 의 하부면에 경납땜되고, 그 하단 단부에서 경납땜용 금속 (19) 에 의해 하부판 (10) 의 상부면에 경납땜된다.
제 2 실시형태에 따르면, 히트 싱크 (2) 의 상부판 및 하부판 (9, 10) 및 각각 베이스 금속과 경납땜용 금속으로 구성된 클래드 금속으로 형성된 제 1 및 제 2 금속 부재 (33, 34) 는 한번에 경납땜되어 제 1 실시형태와 유사한 장점을 제공한다. 구성부품의 경납땜 후, 반도체 모듈 (35) 은 나사와 같은 적절한 수단에 의해 제 1 절연체 (4) 에 쉽게 장착될 수 있다.
도 3 에서 본 발명에 따른 냉각 장치의 제 3 실시형태를 도시하고 있다. 제 3 실시형태는 금속판 (43) 이 제 2 금속 부재 (34) 와 제 2 절연체 (8) 를 대체하고 있다는 점에서 제 2 실시형태와 다르다. 도면에서, 제 2 및 제 3 실시형태에서의 공통의 구성요소 및 구성부품에는 동일한 도면 부호가 사용되고, 이러한 제 3 실시형태의 공통된 구성요소 및 구성부품의 상세한 설명은 생략한다.
냉각 장치 (42) 에 있어서, 제 1 금속 부재 (33), 제 1 절연체 (4) 및 반도체 모듈 (35) 은 히트 싱크 (2) 의 상부판 (9) 의 상부면에 이 순서대로 적층된다. 금속판 (43) 은 히트 싱크 (2) 의 하부판 (10) 의 하부면에 적층된다. 상기 금속판 (43) 은 알루미늄 코팅된 강철판, 구체적으로는 플레이팅으로 코팅된 강철판 (44) 에 의해 제공된다. 하부판 (10) 은 베이스 금속 (18), 베이스 금속 (18) 의 상부면에 적층되는 알루미늄-규소계 경납땜용 금속 (19) 및 베이스 금속 (18) 의 하부면에 적층되는 알루미늄-규소계 경납땜용 금속 (46) 으로 구성된 클래드 금속으로 형성된다.
냉각 장치 (42) 의 제조시, 작업대에 순서대로 적층되는 금속판 (43), 하부판 (10), 핀 (11), 상부판 (9), 제 1 금속 부재 (33) 및 제 1 절연체 (4) 는, 제 1 및 제 2 실시형태에서처럼 가압되면서 가열되어, 각각의 클래드 금속의 경납땜용 금속은 용융된다. 제 1 금속 부재 (33) 는, 경납땜용 금속 (37) 에 의해 상부판 (9) 의 상부면에 경납땜되고, 경납땜용 금속 (38) 에 의해 제 1 절연체 (4) 의 하부면에 경납땜된다. 금속판 (43) 은 경납땜용 금속 (46) 에 의해 하부판 (10) 의 하부면에 경납땜된다. 핀 (11) 은, 제 2 실시형태에서처럼, 그 상부 단부에서 경납땜용 금속 (17) 에 의해 상부판 (9) 의 하부면에 경납땜되고, 그 하부 단부에서 경납땜용 금속 (19) 에 의해 하부판 (10) 의 상부면에 경납땜된다.
제 3 실시형태에 따르면, 히트 싱크 (2) 의 상부판 및 하부판 (9, 10) 과 각각 베이스 금속과 경납땜용 금속으로 구성된 클래드 금속으로 형성된 제 1 금속 부재 (33) 는 금속 부재 (43) 와 한번에 서로 경납땜될 수 있고, 그렇게 함으로써 제 1 및 제 2 실시형태에서처럼 냉각 장치 (42) 의 제조를 간단하고 효율적으로 하게 한다. 나아가, 금속판 (43) 의 제공은 히트 싱크 (2) 와 다른 적층된 구조의 휨 을 방지한다. 경납땜에 의한 결합은 장기간의 사용에 따른 냉각 장치 (42) 의 발열 성능의 저하를 방지한다.
제 3 실시형태는, 히트 싱크 (2) 의 하부판 (10) 이 베이스 금속 (18) 과 이 베이스 금속 (18) 의 상부면에 적층되는 알루미늄-규소계 경납땜용 금속 (19) 으로 형성되는 클래드 금속으로 구성되고, 또한 경납땜용 금속이 클래드 금속을 형성하도록 금속판 (43) 의 상부면에 적층되도록, 변경될 수 있다..
도 4 에서는 본 발명에 따른 냉각 장치의 제 4 실시형태를 도시한다. 제 4 실시형태는 히트 싱크 (2) 의 구조 및 제 2 금속 부재와 제 2 절연체가 제거되었다는 점에서 제 2 실시형태와 다르다. 도면에서, 제 2 및 제 4 실시형태에서 공통의 구성부품 및 구성부품에는 동일한 도면 부호가 사용되고, 그와 같은 제 4 실시형태에의 공통된 구성부품 및 구성 부품의 상세한 설명은 생략한다.
냉각 장치 (47) 에서, 제 1 금속 부재 (33), 제 1 절연체 (4) 및 반도체 모듈 (35) 은 히트 싱크 (48) 의 상부판 (9) 의 상단부에 순서대로 적층된다. 히트 싱크 (48) 는 서로 이격된 상부판 및 하부판 (9, 10) 을 구비하고, 그 사이에 핀 (11) 은 그 사이에서 냉매가 유동하는 통로 (12) 를 통해 형성한다. 상부판 (9) 은 알루미늄과 같은 베이스 금속 (16) 과 이 베이스 금속 (16) 의 하부면에 적층되는 경납땜용 금속 (19) 으로 구성되는 클래드 금속 (17) 으로 형성된다. 하부판 (10) 은 알루미늄과 같은 베이스 금속 (18) 과 이 베이스 금속 (16) 의 하부면에 적층되는 경납땜용 금속 (19) 으로 구성되는 클래드 금속 (17) 으로 형성된다. 히트 싱크 (48) 는, 상부판 및 하부판 (9, 10) 의 주변에 제공되는 수지제 측면판 (49) 을 가지고 또한 수지 공급 파이프 (50) 와 수지 배출 파이프 (51) 에 각각 연결된다. 수지제판 (52) 은 히트 싱크 (48) 의 하부판 (10) 의 하부면에 장착된다.
도면에서 간단한 형태로 도시되더라도, 히트 싱크 (48) 의 통로의 일부를 형성하는, 측면판 (49), 공급 파이프 (50) 와 배출 파이프 (51) 는 사실상 복잡한 형상을 가지고, 그러므로 금속으로 그와 같은 구성 부품을 형성하기 어렵다. 제 4 의 실시형태에서, 금속으로 형성되는, 상부판 (9), 하부판 (10) 및 핀은 양호한 발열효과를 제공하고, 측면판 (49), 수지판 (52), 흡입 파이프 (50) 에 대한 재료로서 수지의 사용은, 상기 구성 요소를 복잡한 형상으로 구현하는데 도움을 준다.
제 4 실시형태에서, 수지판 (52) 는 제거될 수 있다. 이러한 경우에 하부판 (10) 의 하부면에 적층되는 구성부품들은 제 1 실시형태의 제 2 금속 부재 (7) 와 제 2 절연체 (8), 제 2 실시형태의 제 2 금속 부재 (34) 와 제 2 절연체, 또는 제 3 실시형태의 금속판 (43) 으로부터 선택될 수 있다. 제 4 실시형태는 이전 실시형태와 유사한 장점을 제공할 수 있을 뿐 아니라, 히트 싱크를 쉽게 형성하게끔 한다.
상기 실시형태들은 아래와 같이 다양한 방법으로 변경될 수 있다.
(1) 제 1 실시형태의 제 1 금속 부재 (3) 에 대한 클래드 금속은, 경납땜용 금속이 제 1 및 제 2 베이스 금속 (22, 23) 중 하나의 상부면 또는 하부면 양쪽에 적층되고, 경납땜용 금속은 처음 언급한 베이스 금속의 대향면들 제 1 및 제 2 베이스 금속 (22, 23) 의 다른면에 적층되도록 변경될 수 있다. 유사하게, 제 2 금속 부재 (7) 에 대한 클래드 금속은, 경납땜용 금속이 제 1 및 제 2 베이스 금속 (26, 27) 중 하나의 상부면 및 하부면 양쪽에 적층되고, 경납땜용 금속은 처음 언급한 베이스 금속의 대향면들 제 1 및 제 2 베이스 금속 (26, 27) 의 다른면에 적층되도록 변경될 수 있다.
(2) 제 1 실시형태에서, 제 1 금속 부재 (3) 는, 제 1 베이스 금속 (22), 및 이 제 1 베이스 금속 (22) 에 결합되고 또한 제 2 베이스 금속 (23) 과 제 2 베이스 금속 (23) 의 상부면에 적층된 경납땜용 금속 (25) 으로 구성되는 클래드 금속으로 형성될 수 있고, 히트 싱크 (2) 의 상부판 (9) 은 베이스 금속 (16) 과 베이스 금속 (16) 의 상부면 양쪽에 적층된 경납땜용 금속으로 된 클래드 금속으로 형성된다. 유사하게, 제 2 금속 부재 (7) 는, 제 1 베이스 금속 (26), 및 이 제 1 베이스 금속 (26) 에 결합되고 또한 제 2 베이스 금속 (27) 과 제 2 베이스 금속 (27) 의 하부면에 적층된 경납땜용 금속 (29) 으로 구성되는 클래드 금속으로 형성될 수 있으며, 히트 싱크 (2) 의 하부판 (10) 은 베이스 금속 (18) 과 이 베이스 금속 (18) 의 상부 및 하부면의 양쪽에 적층된 경납땜용 금속으로 된 클래드 금속으로 형성될 수 있다. 상기 경우의 조합도 역시 가능하다.
(3) 제 2 실시형태에서, 제 1 금속 부재 (33) 는, 베이스 금속 (36) 과 이 베이스 금속 (36) 의 상부면에 적층된 경납땜용 금속으로 된 클래드 금속으로 형성될 수 있으며, 히트 싱크 (2) 의 상부판 (9) 은 베이스 금속 (16) 과 이 베이스 금속 (16) 의 상부 및 하부면의 양쪽에 적층된 경납땜용 금속으로 된 클래드 금속으로 구성된다. 유사하게, 제 2 금속 부재 (34) 는 베이스 금속 (39) 과 이 베이스 금속 (39) 의 하부면에 적층된 경납땜용 금속으로 된 클래드 금속으로 형성될 수 있고, 히트 싱크 (2) 의 하부판 (10) 은 베이스 금속 (18) 과 이 베이스 금속 (18) 의 상부 및 하부면 양쪽에 적층된 경납땜용 금속으로 된 클래드 금속으로 형성될 수 있다. 상기 경우의 조합도 역시 가능하다.
(4) 제 1 및 제 2 실시형태에서, 히트 싱크 (2) 의 아래에 형성되는 제 2 금속 부재(7, 34) 와 절연체 (8) 는 제거될 수 있다.
(5) 히트 싱크 (2, 48) 는 수냉식 타입 뿐만 아니라 공냉식 타입도 가능하다.
(6) 제 1 및 제 2 실시형태에서, 알루미늄으로 형성되는 제 1 금속 부재 (3, 33) 의 베이스 금속, 제 2 금속 부재 (7, 34) 와 금속 기재 (5) 는 구리와 같은 높은 열전도율을 갖는 어떠한 금속으로도 형성될 수 있다. 이러한 경우에, 구리 또는 은 경납땜용 금속 등 적절한 경납땜용 금속이 선택될 수 있다.
(7) 제 1 실시형태에서, 반도체 장치 (6) 은 레지스터 또는 커패시터와 같은 어떠한 다른 발열 구성부품으로 대체될 수 있다.
(8) 본 발명은 차량용 전자 장치 뿐만 아니라 소비자용 전자 장치 또는 비교적 소형의 전자 장치에도 적용가능하다.

Claims (7)

  1. 상부판 (9), 상부판 (9) 으로부터 이격된 하부판 (10), 및 상부판 및 하부판 (9, 10) 사이에 위치한 핀 (11) 을 가지는 히트 싱크 (2, 48).
    상기 핀 (11) 으로부터 대향면들에 위치한 상부판 (9) 의 면에 적층되는 제 1 금속 부재 (3, 33), 및
    상기 제 1 금속 부재 (3, 33) 에 적층되는 제 1 절연체 (4) 를 포함하는 냉각 장치 (1, 32, 42, 47) 에 있어서,
    상기 상부판 (9), 상기 하부판 (10) 및 상기 제 1 금속 부재 (3, 33) 는 각각 베이스 금속 (22, 23, 36) 과 경납땜용 금속 (24, 25, 37, 38) 으로 된 클래드 금속으로 형성되어, 상기 핀 (11) 은 상기 상부판 및 하부판 (9, 10) 에 경납땜되고 제 1 금속 부재 (3, 33) 는 상기 상부판 (9) 에 경납땜되며, 상기 제 1 절연체 (4) 는 제 1 금속 부재 (3, 33) 에 경납땜되는 것을 특징으로 하는 냉각 장치 (1, 32, 42, 47).
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속 부재 (33) 는 베이스 금속 (36) 과 상기 베이스 금속 (36) 의 대향면들에 적층되는 경납땜용 금속 (37, 38) 으로 구성되고, 상기 상부판 및 하부판 (9, 10) 은 이 베이스 금속 (16, 18) 과, 상기 핀 (11) 에 인접한 베이스 금속 (16, 18) 의 면에 적층되는 경납땜용 금속 (17, 19) 으로 각각 구성되는 것을 특징으로 하는 냉각장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 제 2 금속 부재 (7, 34) 와 제 2 절연체 (8) 를 더 포함하고, 상기 제 2 금속 부재 (7, 34) 는 핀 (11) 의 대향면들에 위치한 하부판 (10) 의 면에 적층되고, 상기 제 2 금속 부재 (7, 34) 는 제 1 금속 부재 (3, 33) 용 클래드 금속과 동일한 화학 조성을 가지는 클래드 금속으로 형성 되고, 상기 제 2 절연체 (8) 는 제 2 금속 부재 (3, 33) 에 적층되며, 상기 제 2 절연체 (8) 는 제 1 절연체 (4) 용 클래드 금속과 동일한 화학 조성을 가지는 클래드 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 냉각장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연체 (4) 에 적층되는 금속 기재 (5) 를 더 포함하고, 상기 금속 기재 (5) 는 베이스 금속 (30) 과, 제 1 절연체 (4) 에 인접한 베이스 금속 (30) 의 면에 적층되는 경납땜용 금속 (31) 으로 구성되는 클래드 금속으로 형성되고, 금속 기재 (5) 에 발열 구성부품 (6) 이 장착되는 것을 특징으로 하는 냉각 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 핀 (11) 으로부터 대향면들의 하부판 (10) 의 면에 적층되는 알루미늄 코팅된 강철판 (43) 을 더 포함하고, 상기 하부판 (10) 은 베이스 금속 (18) 과 이 베이스 금속 (18) 의 대향면들에 적층되는 경납땜용 금속 (19, 46) 으로 구성되는 것을 특징으로 하는 냉각장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연체 (4) 에 반도체 모듈 (35) 이 장착되는 것을 특징으로 하는 냉각장치.
  7. 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 절연체 (8) 에 반도체 모듈 (35) 이 장착되는 것을 특징으로 하는 냉각장치.
KR1020110027442A 2010-03-29 2011-03-28 냉각 장치 KR101188150B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010075175A JP5515947B2 (ja) 2010-03-29 2010-03-29 冷却装置
JPJP-P-2010-075175 2010-03-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110109931A KR20110109931A (ko) 2011-10-06
KR101188150B1 true KR101188150B1 (ko) 2012-10-08

Family

ID=44343137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110027442A KR101188150B1 (ko) 2010-03-29 2011-03-28 냉각 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8391011B2 (ko)
EP (1) EP2372758A3 (ko)
JP (1) JP5515947B2 (ko)
KR (1) KR101188150B1 (ko)
CN (1) CN102208378B (ko)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8472193B2 (en) * 2008-07-04 2013-06-25 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Semiconductor device
IN2012DN02727A (ko) * 2009-09-09 2015-09-11 Mitsubishi Materials Corp
KR101255935B1 (ko) * 2011-07-08 2013-04-23 삼성전기주식회사 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법
WO2013147240A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 京セラ株式会社 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体装置
JP5947090B2 (ja) * 2012-04-13 2016-07-06 昭和電工株式会社 絶縁基板の製造方法
KR101540146B1 (ko) * 2012-06-22 2015-07-28 삼성전기주식회사 전력 모듈용 방열 시스템
JP2014072395A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Toyota Industries Corp 冷却装置
CN104704629A (zh) * 2012-10-16 2015-06-10 富士电机株式会社 冷却构造体和发热体
JP2015153869A (ja) * 2014-02-13 2015-08-24 三菱マテリアル株式会社 絶縁層付冷却器、およびその製造方法、冷却器付パワーモジュール
US10433413B2 (en) * 2014-08-15 2019-10-01 Unimicron Technology Corp. Manufacturing method of circuit structure embedded with heat-dissipation block
US9875953B2 (en) * 2014-10-29 2018-01-23 International Business Machines Corporation Interlayer chip cooling apparatus
JP6681660B2 (ja) * 2015-03-09 2020-04-15 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
JP6503796B2 (ja) * 2015-03-09 2019-04-24 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
DE102015113873B3 (de) * 2015-08-21 2016-07-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Baugruppe mit Kondensatoreinrichtung
JP6775385B2 (ja) * 2015-11-10 2020-10-28 昭和電工株式会社 パワーモジュール用ベース
DE102017202066A1 (de) 2017-02-09 2018-08-09 Mahle International Gmbh Kühlvorrichtung, Elektronikanordnung und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE102017205813A1 (de) * 2017-04-05 2018-10-11 Mahle International Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Kühlvorrichtung, eine Kühlvorrichtung und eine Kühlanordnung
JP7116576B2 (ja) * 2018-04-02 2022-08-10 富士電機株式会社 冷却装置、半導体モジュールおよび車両
DE102019105483A1 (de) * 2019-03-05 2020-09-10 Avl Software And Functions Gmbh Bauelementvorrichtung sowie Verfahren zum Betreiben einer Bauelementvorrichtung
US11614289B2 (en) * 2020-01-21 2023-03-28 Dana Canada Corporation Aluminum heat exchanger with solderable outer surface layer
CN113571424B (zh) * 2021-07-07 2024-11-05 上海富乐华半导体科技有限公司 一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006310486A (ja) 2005-04-27 2006-11-09 Toyota Industries Corp 絶縁回路基板及びパワーモジュール用基板
JP2009065144A (ja) 2007-08-16 2009-03-26 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板及びその製造方法並びにパワーモジュール

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2519508A1 (fr) * 1981-12-31 1983-07-08 Thomson Csf Dispositif de refroidissement pour carte de circuit imprime et procede de fabrication d'un tel dispositif
JPH071271Y2 (ja) * 1987-12-22 1995-01-18 東洋刃物株式会社 連続帯状物の切断装置における動力伝達機構
US5754403A (en) * 1989-09-29 1998-05-19 Texas Instruments Incorporated Constraining core for surface mount technology
US5395679A (en) * 1993-03-29 1995-03-07 Delco Electronics Corp. Ultra-thick thick films for thermal management and current carrying capabilities in hybrid circuits
JP2001148451A (ja) * 1999-03-24 2001-05-29 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板
EP1122780A3 (en) * 2000-01-31 2004-01-02 Ngk Insulators, Ltd. Laminated radiation member, power semiconductor apparatus and method for producing the same
WO2002013267A1 (fr) * 2000-08-09 2002-02-14 Mitsubishi Materials Corporation Module de puissance pouvant comporter un dissipateur thermique
FR2843450B1 (fr) * 2002-08-07 2006-05-12 Denso Corp Dispositif de transport de chaleur a ecoulement oscillant en mode de contre-courant
US20040168447A1 (en) * 2003-01-23 2004-09-02 Hajime Sugito Cooling apparatus boiling and condensing refrigerant with low height and easily assembled
WO2005061167A1 (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Neomax Materials Co., Ltd. ろう付け方法及びろう付け構造物
WO2005098942A1 (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Mitsubishi Materials Corporation Ａi／ａiｎ接合体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール並びにａi／ａiｎ接合体の製造方法
DE112005000748T5 (de) * 2004-04-06 2007-05-16 Honda Motor Co Ltd Halbleiterelementmontagesubstrat, Halbleitermodul und Elektrofahrzeug
JP4621531B2 (ja) * 2005-04-06 2011-01-26 株式会社豊田自動織機 放熱装置
JP2006294971A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Toyota Industries Corp パワーモジュール用基板及びその製造方法
JP4617209B2 (ja) 2005-07-07 2011-01-19 株式会社豊田自動織機 放熱装置
CN101273450A (zh) * 2005-09-28 2008-09-24 日本碍子株式会社 散热模块及其制造方法
EP2006895B1 (en) * 2006-03-08 2019-09-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component module
WO2007105580A1 (ja) 2006-03-13 2007-09-20 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki パワーモジュール用ベース
JP2008006480A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Sumitomo Light Metal Ind Ltd 熱交換器用ブレージングフィン材並びに熱交換器及びその製造方法
US7755185B2 (en) * 2006-09-29 2010-07-13 Infineon Technologies Ag Arrangement for cooling a power semiconductor module
ATE505067T1 (de) * 2006-10-27 2011-04-15 Agie Charmilles Sa Leiterplatteneinheit und verfahren zur herstellung dazu
US8030760B2 (en) 2006-12-05 2011-10-04 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof
JP5061717B2 (ja) * 2007-05-18 2012-10-31 富士電機株式会社 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
JP5067187B2 (ja) * 2007-11-06 2012-11-07 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール
ES2895384T3 (es) 2007-11-16 2022-02-21 Divx Llc Encabezado de fragmentos que incorpora indicadores binarios y campos de longitud variable correlacionados
JP5070014B2 (ja) * 2007-11-21 2012-11-07 株式会社豊田自動織機 放熱装置
JP2009130060A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Toyota Industries Corp 放熱装置
US8472193B2 (en) 2008-07-04 2013-06-25 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Semiconductor device
JP5120284B2 (ja) * 2009-02-04 2013-01-16 株式会社豊田自動織機 半導体装置
JP4881971B2 (ja) 2009-03-26 2012-02-22 株式会社豊田自動織機 半導体装置
US8064198B2 (en) * 2009-06-29 2011-11-22 Honda Motor Co., Ltd. Cooling device for semiconductor element module and magnetic part
JP2011119652A (ja) * 2009-09-09 2011-06-16 Mitsubishi Materials Corp ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
JP5493762B2 (ja) * 2009-11-20 2014-05-14 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006310486A (ja) 2005-04-27 2006-11-09 Toyota Industries Corp 絶縁回路基板及びパワーモジュール用基板
JP2009065144A (ja) 2007-08-16 2009-03-26 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板及びその製造方法並びにパワーモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
JP5515947B2 (ja) 2014-06-11
US20110235279A1 (en) 2011-09-29
EP2372758A2 (en) 2011-10-05
CN102208378A (zh) 2011-10-05
CN102208378B (zh) 2015-01-21
JP2011210822A (ja) 2011-10-20
US8391011B2 (en) 2013-03-05
KR20110109931A (ko) 2011-10-06
EP2372758A3 (en) 2012-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101188150B1 (ko) 냉각 장치
EP2306512B1 (en) Heat radiator and power module
KR102300972B1 (ko) 파워 모듈용 기판 유닛 및 파워 모듈
US7813135B2 (en) Semiconductor device
KR101610973B1 (ko) 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 및 그 제조 방법, 그리고 히트 싱크가 부착된 파워 모듈, 파워 모듈용 기판
US10068829B2 (en) Power-module substrate unit and power module
TWI690041B (zh) 具有散熱片的電源模組用基板及電源模組
EP2228820A2 (en) Double side cooled power module with power overlay
JP2012531728A (ja) 電子装置
JP2013197246A (ja) 放熱器一体型基板の製造方法および放熱器一体型基板
WO2011065457A1 (ja) 積層材およびその製造方法
CN107078111B (zh) 冷却装置、用于加工冷却装置的方法和功率电路
JP5164962B2 (ja) 電力変換装置
JPWO2016158020A1 (ja) 半導体モジュール
JP2005011922A (ja) ヒートシンクを備えた両面銅貼り基板、およびこれを用いた半導体装置
JP5914968B2 (ja) ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法
WO2016042903A1 (ja) 半導体モジュール
JP5772088B2 (ja) パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板
JP2008124187A (ja) パワーモジュール用ベース
JP2008124187A6 (ja) パワーモジュール用ベース
JP6139331B2 (ja) パワーモジュール
JP6561883B2 (ja) 回路基板の製造方法
JP2005328087A (ja) パワーモジュール用基板
JP2007128935A (ja) パワーモジュール用ベースの製造方法
JP2014082398A (ja) パワー・モジュール装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150827

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee