[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR101142939B1 - Luminous Device - Google Patents

Luminous Device Download PDF

Info

Publication number
KR101142939B1
KR101142939B1 KR1020050014830A KR20050014830A KR101142939B1 KR 101142939 B1 KR101142939 B1 KR 101142939B1 KR 1020050014830 A KR1020050014830 A KR 1020050014830A KR 20050014830 A KR20050014830 A KR 20050014830A KR 101142939 B1 KR101142939 B1 KR 101142939B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led chip
node
light emitting
diode
resistor
Prior art date
Application number
KR1020050014830A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060094150A (en
Inventor
이건영
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020050014830A priority Critical patent/KR101142939B1/en
Publication of KR20060094150A publication Critical patent/KR20060094150A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101142939B1 publication Critical patent/KR101142939B1/en

Links

Images

Classifications

    • AHUMAN NECESSITIES
    • A47FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47KSANITARY EQUIPMENT NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; TOILET ACCESSORIES
    • A47K13/00Seats or covers for all kinds of closets
    • A47K13/10Devices for raising and lowering, e.g. tilting or lifting mechanisms; Collapsible or rotating seats or covers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은, 하나의 패키지내에 전파 정류 회로와 다수의 발광 셀이 직렬 연결된 하나 이상의 LED 칩를 AC전원에 연결하여 사용하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to connect and use one or more LED chips in which a full-wave rectifying circuit and a plurality of light emitting cells are connected in series in one package to an AC power source.

본 발명에 의한 교류용 발광 다이오드는, 몸체와 상기 몸체에 실장되는 다수의 발광셀들이 전기적으로 연결된 LED 칩 및 상기 몸체내에서 상기 LED 칩과 인접하게 장착되어 전기적으로 연결된 브릿지 정류회로부 및/또는 저항 또는 PTC를 포함하는 것을 특징으로 한다. The AC LED according to the present invention includes an LED chip electrically connected to a body and a plurality of light emitting cells mounted on the body, and a bridge rectifier circuit part and / or a resistor mounted adjacent to the LED chip in the body and electrically connected thereto. Or PTC.

발광 다이오드 칩, 전파정류회로, 충전 콘덴서, 방전저항 LED chip, full-wave rectifier circuit, charge capacitor, discharge resistor

Description

발광 장치{Luminous Device}Light emitting device

도 1은 종래의 교류용 발광 장치의 회로도.1 is a circuit diagram of a conventional AC light emitting device.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치의 회로도. 2 is a circuit diagram of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치의 사시도.3 is a perspective view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 저항을 설명하기 위한 도면.4 is a view for explaining a resistance according to the first embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정류부를 설명하기 위한 도면.5 is a view for explaining a rectifying unit according to a first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 장치의 사시도. 6 is a perspective view of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention;

도 7은 본 발명의제 2 실시예에 따른 저항부재를 설명하기 위한 도면.7 is a view for explaining a resistance member according to a second embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 장치의 회로도.8 is a circuit diagram of a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 장치의 사시도.9 is a perspective view of a light emitting device according to a third embodiment of the present invention;

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉Description of the Related Art

1 : 전원 변환부 2 : 발광부1 power conversion unit 2 light emitting unit

3 : 전파 정류 회로 4, 200 : 브리지부3: full-wave rectifier circuit 4, 200: bridge portion

100 : LED 칩 210, 220 : 정류부100: LED chip 210, 220: rectifier

230, 240 : 저항부재230, 240: resistance member

본 발명은, 하나의 패키지(Package)내에 전파정류회로와 다수의 발광셀이 직렬로 연결된 하나 이상의 LED칩을 AC전원에 연결하여 사용하는 교류용 발광 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an AC light emitting device using one or more LED chips connected in series with a full-wave rectifying circuit and a plurality of light emitting cells in one package to an AC power source.

발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체의 P-N 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭한다. 이러한 발광 다이오드는 표시 소자 및 백라이트로 이용되고 있으며, 최근에는 일반 조명용도로 적용하기 위한 연구가 활발히 진행중이다. A light emitting diode (LED) refers to a device that generates a small number of carriers (electrons or holes) injected using a P-N junction structure of a compound semiconductor, and emits predetermined light by recombination thereof. Such light emitting diodes have been used as display devices and backlights, and researches for applying them to general lighting applications have recently been actively conducted.

이는 발광 다이오드를 이용한 발광 장치는 기존의 전구 또는 형광등에 비하여 소모 전력이 작고 수명이 수 내지 수십배에 이르러, 소모 전력의 절감과 내구성 측면에서 월등하다. This light emitting device using a light emitting diode is less than the conventional light bulb or fluorescent lamp, power consumption is several to several tens of times, it is superior in terms of power consumption reduction and durability.

일반적으로, 발광 다이오드를 조명용으로 사용하기 위해서는 별도의 패키징 공정을 통해 발광 소자를 형성하고, 다수의 개별 발광소자를 와이어 본딩을 통해 직렬 연결하여, 외부에서 보호 회로 및 교류/직류 변환기 등을 설치하여 램프의 형태로 제작하였다. In general, in order to use a light emitting diode for lighting, a light emitting device is formed through a separate packaging process, a plurality of individual light emitting devices are connected in series through wire bonding, and a protective circuit and an AC / DC converter are installed from the outside. Made in the form of a lamp.

도 1은, 종래의 교류용 발광 장치의 개념도로, 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 전원 변환부(1)와, 다수의 LED(10-1 내지 10-n)가 직렬 연결된 발광부(2)를 포함한다. 1 is a conceptual diagram of a conventional AC light emitting device, in which a power converter 1 for converting AC power into DC power and a light emitting part 2 in which a plurality of LEDs 10-1 to 10-n are connected in series; It includes.

상기 전원 변환부(1)는 AC 220V 또는 110V를 전파 정류하는 전파 정류 회로 (3)와, 전파 정류된 전원을 전압 강하하는 저항(R1)을 포함한다. 전파 정류 회로(3)는 제 1 내지 제 4 노드(N1 내지 N4) 사이에 각기 접속된 제 1 내지 제 4 다이오드(D1 내지 D4)를 포함하고, 제 1 노드(N1) 및 제 3 노드(N3)가 교류 전원에 접속된 브리지부(4)와, 브리지부(4)의 제 2 노드(N2) 및 제 4 노드(N4)에 접속된 커패시터(C1)를 포함한다. 또한, 외부 전원과 제 1 노드(N1) 사이에 접속된 전압 강하 커패시터를 더 포함한다. The power converter 1 includes a full-wave rectifier circuit 3 for full-wave rectification of AC 220V or 110V, and a resistor R1 for voltage dropping the full-wave rectified power source. The full-wave rectifying circuit 3 includes first to fourth diodes D1 to D4 respectively connected between the first to fourth nodes N1 to N4, and the first node N1 and the third node N3. ) Includes a bridge portion 4 connected to an AC power supply, and a capacitor C1 connected to a second node N2 and a fourth node N4 of the bridge portion 4. The apparatus further includes a voltage drop capacitor connected between the external power supply and the first node N1.

발광부(2)는 제 1 내지 제 n LED(10-1 내지 10-n)가 와이어를 통해 저항(R1)과 제 2 노드(N2) 사이에 직렬 접속되어 있다. 여기서, n은 정수이다. 종래에는 약 20여개의 LED를 직렬 연결하여 발광부를 구성한다. 이와 같이 약 20여개의 LED가 직렬 연결될 경우, 이들을 발광 시키기 위해서는 10~20mA 전류와 3.4 × 20 = 68V 의 전압이 요구된다. 따라서, 외부에서 입력된 교류 전원은 전원 변환부(1)에 의해 직류 전원으로 변환되고, 그 접압 레벨은 소정 레벨로 변환되어 발광부(2)에 인가됨으로써 발광부를 발광시킨다. In the light emitting part 2, the first to nth LEDs 10-1 to 10-n are connected in series between the resistor R1 and the second node N2 through a wire. Where n is an integer. Conventionally, about 20 LEDs are connected in series to form a light emitting unit. When about 20 LEDs are connected in series like this, 10 ~ 20mA current and 3.4 × 20 = 68V voltage are required to emit them. Therefore, the AC power input from the outside is converted into the DC power by the power conversion unit 1, and the contact level is converted to a predetermined level and applied to the light emitting unit 2 to emit light.

이와 같은 종래의 발광 장치는 전원 변환부(1)가 제 1 인쇄 회로 기판에 구성된다. 상기 발광부(2)의 개개의 LED도 제 2 인쇄 회로 기판에 실장된 후, 와이어를 통해 직렬 접속된다. 이후, 제 1 및 제 2 인쇄 회로 기판을 전기적으로 연결하여 발광 장치를 구현하였다. In such a conventional light emitting device, the power conversion unit 1 is configured on a first printed circuit board. The individual LEDs of the light emitting portion 2 are also mounted on the second printed circuit board and then connected in series via wires. Subsequently, the light emitting device was implemented by electrically connecting the first and second printed circuit boards.

그러나, 220V의 교류를 필요한 전압으로 강하시키기 위해 구비된 전원 변환부 내의 커패시터는 그 수명이 LED보다도 매우 짧아, 발광 장치의 전체적인 수명을 단축시키는 문제점이 있었다.However, the capacitor in the power conversion unit provided to drop the AC of 220V to the required voltage has a shorter life than the LED, which shortens the overall life of the light emitting device.

또한, 220V의 교류 전원의 전압 강하를 위한 저항이 발광 소자와 전원 사이에 위치하게 됨으로 인해 별도의 접속 노드가 발광 소자와 전원 사이에 존재하게 되어 이들 간의 접속이 불안정해질 수 있고, 노드 자체가 갖고 있는 저항값에 의해 전체적인 저항값이 변화될 수 있는 문제점이 있다. In addition, since the resistance for the voltage drop of the AC power supply of 220V is located between the light emitting device and the power supply, a separate connection node exists between the light emitting device and the power supply, so that the connection between them may become unstable, and the node itself may have There is a problem that the overall resistance value can be changed by the resistance value.

또한, 직렬 접속되는 LED가 다수 개인 경우, 각각의 LED를 연결하기 위한 연결기판이 필요하게 되어, 상기 각각의 LED를 직렬로 연결하기 위한 비용을 증가시키는 문제점이 있었다. 예를 들어, LED의 개수가 20개인 경우, 이들 LED 간을 연결하는 데에도 최소한 19개의 와이어가 사용된다.  In addition, when there are a plurality of LEDs connected in series, a connection board for connecting each LED is required, which increases the cost of connecting each LED in series. For example, if the number of LEDs is 20, at least 19 wires are also used to connect them.

또한, 상기한 연결기판에 구비된 각각의 LED는 발광면적이 커짐으로써 고품질의 광원을 구현하는 데에는 한계가 있었다. In addition, each LED provided in the connection board has a limit in implementing a high quality light source by increasing the light emitting area.

더욱이, 발광 소자 간의 단순한 직선적인 배열은 발광 효율을 증대시키기 위하여 LED의 개수를 증가시키면 제조비용이 상승하게 되는 원인이 되었다. Moreover, the simple linear arrangement between the light emitting elements causes the manufacturing cost to increase when the number of LEDs is increased to increase the light emitting efficiency.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 웨이퍼 레벨에서 다수의 발광 셀이 연결된 LED 칩을 제작하고, 이러한 LED 칩과 정류 회로 간을 연결하고, 소자 내부로 저항을 삽입하여 장치의 외관 및 제작 공정을 단순화시킬 수 있고, 제작 비용 및 불량률을 감소시킬 수 있으며, 대량 생산에 유리한 발광 장치를 제공함을 그 목적으로 한다. Therefore, in order to solve the above problems, the present invention manufactures an LED chip in which a plurality of light emitting cells are connected at the wafer level, connects the LED chip and the rectifier circuit, and inserts a resistor into the device to make the device look and manufacture. It is an object of the present invention to provide a light emitting device which can simplify the process, reduce manufacturing cost and defective rate, and is advantageous for mass production.

본 발명에 따른 몸체와, 상기 몸체의 방열판상에 실장되는 다수의 발광셀들이 전기적으로 연결된 LED 칩과, 상기 LED칩과 인접하여 전기적으로 연결된 정류부와, 상기 LED 칩과 인접하여 상기 정류부와 전기적으로 접속된 적어도 하나 이상의 저항부재 및 상기 저항부재와 접속되는 다수의 내부 전극 단자를 포함하는 발광장치를 제공한다.A body according to the present invention, an LED chip electrically connected to a plurality of light emitting cells mounted on a heat sink of the body, a rectifying unit electrically connected to the LED chip, and electrically connected to the rectifying unit adjacent to the LED chip. A light emitting device including at least one resistance member connected thereto and a plurality of internal electrode terminals connected to the resistance member is provided.

또한, 본 발명에 따른 몸체와, 상기 몸체의 방열판상에 실장되고, 다수의 발광 셀을 포함하는 셀 블록들이 병렬 접속된 교류 LED 칩과, 상기 몸체 내부에 실장되어 상기 교류 LED 칩과 접속된 적어도 하나 이상의 저항부재 및 상기 저항부재와 접속되는 다수의 내부 전극 단자를 포함하는 발광 장치를 제공한다. In addition, the body according to the present invention, an AC LED chip mounted on the heat sink of the body, the cell blocks including a plurality of light emitting cells are connected in parallel, at least mounted inside the body and connected to the AC LED chip Provided is a light emitting device including one or more resistance members and a plurality of internal electrode terminals connected to the resistance members.

상기에서 정류부는, 제 1 다이오드 및 제 4 다이오드가 실장된 제 1 정류부 및 제 2 다이오드 및 제 3 다이오드가 실장된 제 2 정류부를 포함한다. 여기서, 상기 제 1 정류부와 일 내부 전극 단자 사이에 접속된 제 1 저항부재 및 상기 제 2 정류부와 다른 일 내부 전극 단자 사이에 접속된 제 2 저항부재를 포함한다. The rectifier includes a first rectifier mounted with a first diode and a fourth diode, and a second rectifier mounted with a second diode and a third diode. Here, the first resistor member is connected between the first rectifying unit and one internal electrode terminal, and the second resistor member is connected between the second rectifying unit and another internal electrode terminal.

그리고, 상기 교류 LED 칩의 제 1 패드와 일 내부 전극 단자 사이에 접속된 제 1 저항부재 및 상기 교류 LED 칩의 제 2 패드와 다른 일 내부 전극 단자 사이에 접속된 제 2 저항부재를 포함한다. And a first resistor member connected between the first pad of the AC LED chip and one internal electrode terminal, and a second resistor member connected between the second pad of the AC LED chip and the other internal electrode terminal.

상기에서는 제 1 내부 전극 단자와 제 4 내부 전극 단자 상에 접속된 제 1 저항 부재 및 제 2 내부 전극 단자와 제 3 내부 전극 단자 상에 접속된 제 2 저항부재를 포함한다. 이때, 상기 저항부재는 칩 저항, 칩 배리스터 및 PTC 중 적어도 어느 하나이다. The above includes a first resistance member connected on the first internal electrode terminal and the fourth internal electrode terminal, and a second resistance member connected on the second internal electrode terminal and the third internal electrode terminal. In this case, the resistance member is at least one of a chip resistor, a chip varistor, and a PTC.

한편, 상기 LED 칩에서 발생되는 광파장을 변환시키는 형광체를 더 포함한다. On the other hand, it further comprises a phosphor for converting the light wavelength generated in the LED chip.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Like numbers refer to like elements in the figures.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치의 회로도이다. 도 3은 본 발명이 제 1 실시예에 따른 발광 장치의 사시도이다. 2 is a circuit diagram of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention. 3 is a perspective view of a light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 장치는 제 1 내지 제 4 노드(N10 내지 N40) 사이에 각기 브리지 연결된 제 1 내지 제 4 다이오드부(D10 내지 D40)를 포함하는 브리지부(200)와, 상기 제 1 노드(N10)에 접속된 제 1 저항(R10)과, 상기 제 3 노드(N30)에 접속된 제 2 저항(R20)과, 제 2 노드(N20) 및 제 4 노드(N40)에 접속된 다수의 셀(100-1 내지 100-n)이 직렬 연결된 LED 칩(100)을 포함한다. 2 and 3, the light emitting device according to the present exemplary embodiment includes a bridge unit including first to fourth diode units D10 to D40 bridged between the first to fourth nodes N10 to N40, respectively. (200), a first resistor (R10) connected to the first node (N10), a second resistor (R20) connected to the third node (N30), a second node (N20), and a fourth The plurality of cells 100-1 to 100-n connected to the node N40 includes the LED chips 100 connected in series.

여기서, 제 1 저항(R10)과 제 2 저항(R20)은 교류 전원에 접속된다. Here, the first resistor R10 and the second resistor R20 are connected to an AC power source.

브리지부(200)를 좀더 구체적으로 설명하면, 제 1 노드(N10)와 제 2 노드 (N20) 사이에 접속되어 제 1 노드(N10)의 신호를 제 2 노드(N20)에 전송하는 제 1 다이오드부(D10)와, 제 2 노드(N20)와 제 3 노드(N30) 사이에 접속되어 제 3 노드(N30)의 신호를 제 2 노드(N20)에 전송하는 제 2 다이오드부(D20)와, 제 3 노드(N30)와 제 4 노드(N40) 사이에 접속되어 제 4 노드(N40)의 신호를 제 3 노드(N30)에 전송하는 제 3 다이오드부(D30)와, 제 4 노드(N40)와 제 1 노드(N10) 사이에 접속되어 제 4 노드(N40)의 신호를 제 1 노드(N10)에 전송하는 제 4 다이오드부(D40)를 포함한다. 상기 제 1 내지 제 4 다이오드부 각각은 각기 직렬 접속된 1 내지 10개의 다이오드를 포함한다. 상기 다이오드로 발광 다이오드를 사용할 수 있다. The bridge unit 200 will be described in more detail. The first diode is connected between the first node N10 and the second node N20 to transmit a signal of the first node N10 to the second node N20. A second diode unit D20 connected between the unit D10 and the second node N20 and the third node N30 to transmit a signal of the third node N30 to the second node N20; The third diode unit D30 connected between the third node N30 and the fourth node N40 to transmit a signal of the fourth node N40 to the third node N30, and the fourth node N40. And a fourth diode unit D40 connected between the first node N10 and transmitting a signal of the fourth node N40 to the first node N10. Each of the first to fourth diode units includes 1 to 10 diodes each connected in series. A light emitting diode may be used as the diode.

상기 LED 칩(100)은 N형 패드와 P형 패드 사이에 직렬 접속된 다수의 발광 셀(100-1 내지 100-n)을 포함한다. 본 발명의 LED 칩(100)은 웨이퍼 레벨에서 다수의 발광 셀(100-1 내지 100-n) 각각이 직렬 연결된 형태이다. 즉, 제 1 발광 셀(100-1)의 P전극은 P형 패드와 접속되고, N전극은 제 2 발광 셀(100-2)의 P전극과 접속된다. 제 2 발광 셀(100-2)의 N전극은 제 3 발광 셀(100-3)의 P전극과 접속된다. 이렇게 순차적으로 접속하여 제 n-1 발광 셀(100-n-1)의 N전극은 제 n 발광 셀의 P전극에 접속되고, 제 n 발광 셀(100-n)의 N전극은 N형 패드에 접속된다. 물론 이에 한정되지 않고, 본 발명의 LED 칩은 제 1 패드 및 제 2 패드 사이에 다수의 발광 셀이 직렬 접속된 셀 블록이 병렬 접속되어 있을 수도 있다. The LED chip 100 includes a plurality of light emitting cells 100-1 to 100-n connected in series between an N-type pad and a P-type pad. In the LED chip 100 of the present invention, each of the plurality of light emitting cells 100-1 to 100-n is connected in series at a wafer level. That is, the P electrode of the first light emitting cell 100-1 is connected to the P-type pad, and the N electrode is connected to the P electrode of the second light emitting cell 100-2. The N electrode of the second light emitting cell 100-2 is connected to the P electrode of the third light emitting cell 100-3. In this way, the N electrode of the n-th light emitting cell 100-n-1 is connected to the P electrode of the n-th light emitting cell, and the N electrode of the n-th light emitting cell 100-n is connected to the N-type pad. Connected. Of course, the present invention is not limited thereto, and a cell block in which a plurality of light emitting cells are connected in series may be connected in parallel between the first pad and the second pad.

여기서, 상기 LED 칩(100)은 제 2 노드(N20)와 제 4 노드(N40)의 전압차에 의해 발광하고, 상기 LED 칩(100)의 P형 패드는 제 2 노드(N20)에 접속되고, N형 패드는 제 4 노드(N40)에 접속된다. Here, the LED chip 100 emits light by the voltage difference between the second node N20 and the fourth node N40, and the P-type pad of the LED chip 100 is connected to the second node N20. , The N-type pad is connected to the fourth node N40.

앞서 설명한 바와 같이 제 1 노드(N10)와 직류 전원 사이에 저항(R10)이 접속되고, 제 3 노드(N30)와 직류 전원 사이에 저항(R20)이 접속된다. 이러한 저항(R10, R20)을 통해 직류 전원의 전압/전류가 일정 레벨로 강하되고, 강하된 전압/전류가 브리지부(200)에 인가됨으로 인해 브리지부(200)의 수명을 연장시킬 수 있고, LED 칩(100)으로 인가되는 전압/전류의 과도한 상승을 억제할 수 있다. 또한, 상기 저항(R10)은 브리지부(200)와 LED 칩(100) 내부에 배치되어 저항(R10, R20)과 이들간을 연결하기 위한 라인을 단축시킬 수 있다.As described above, the resistor R10 is connected between the first node N10 and the direct current power source, and the resistor R20 is connected between the third node N30 and the direct current power source. Through the resistors R10 and R20, the voltage / current of the DC power supply drops to a certain level, and the dropped voltage / current is applied to the bridge part 200, thereby extending the life of the bridge part 200. Excessive increase in voltage / current applied to the LED chip 100 can be suppressed. In addition, the resistor R10 may be disposed in the bridge unit 200 and the LED chip 100 to shorten a line for connecting the resistors R10 and R20 to them.

상술한 구성을 갖는 본 실시예의 발광 장치의 동작을 가정용 교류 전원을 바탕으로 설명하면 다음과 같다. 제 1 저항(R10)을 통해 제 1 노드(N10)가 양전위(+)로 되고, 제 2 저항(R20)을 통해 제 3 노드(N30)가 음전위(-)로 될 경우, 제 1 노드(N10)의 양전위(+)는 제 1 다이오드부(D10)를 통해 제 2 노드(N20)에 인가되고, 제 2 노드(N20)의 양전위(+)는 LED 칩(100)에 인가되어 LED 칩(100)이 발광하게 된다. The operation of the light emitting device of this embodiment having the above-described configuration will be described based on the home AC power supply. When the first node N10 becomes a positive potential (+) through the first resistor R10 and the third node N30 becomes a negative potential (−) through the second resistor R20, the first node ( The positive potential (+) of N10 is applied to the second node N20 through the first diode unit D10, and the positive potential (+) of the second node N20 is applied to the LED chip 100 so that the LED The chip 100 emits light.

한편, 제 2 저항(R20)을 통해 제 3 노드(N30)가 양전위(+)로 되고, 제 1 저항(R10)을 통해 제 1 노드(N10)가 음전위(-)로 될 경우, 상기 제 3 노드(N30)이 양전위(+)는 제 2 다이오드부(D20)를 통해 제 2 노드(N20)에 인가되고, 상기 제 2 노드(N20)에 인가된 양전위(+)는 LED 칩(100)에 인가되어 LED 칩(100)을 발광시킨다. On the other hand, when the third node N30 becomes the positive potential (+) through the second resistor R20 and the first node N10 becomes the negative potential (−) through the first resistor R10, The positive potential (+) of the three nodes (N30) is applied to the second node (N20) through the second diode unit (D20), and the positive potential (+) applied to the second node (N20) is an LED chip ( 100 is applied to light the LED chip 100.

이와 같이 교류 전원에 접속된 발광 장치의 제 1 노드 및 제 3 노드의 전류 흐름 즉, 그 전위가 바뀌는 경우에도 계속적으로 양전위가 LED 칩에 인가되어 LED 칩이 발광하게 된다. 여기서 LED 칩 내의 LED 칩의 개수는 사용하는 교류 전원의 크기에 따라 다양할 수 있다. In this way, even when the current flow of the first and third nodes of the light emitting device connected to the AC power source, that is, the potential thereof is changed, the positive potential is continuously applied to the LED chip to emit the LED chip. The number of LED chips in the LED chip may vary depending on the size of the AC power source used.

상술한 회로도를 갖는 본 실시예의 발광 장치를 도 3에 도시된 바를 중심으로 설명하면 다음과 같다. The light emitting device of the present embodiment having the above-described circuit diagram will be described below with reference to FIG. 3.

본 실시예의 발광 장치는 몸체(110) 상에 실장된 다수의 발광 셀이 직렬 접속된 LED 칩(100)과, 몸체(110)에 형성된 제 1 내부 전극 단자(121) 내지 제 4 내부 전극 단자(124)와, 상기 제 1 내부 전극 단자(121) 및 제 4 내부 전극 단자(124) 사이에 접속된 제 1 저항(R10)과, 상기 제 2 내부 전극 단자(122) 및 제 3 내부 전극 단자(123) 사이에 접속된 제 2 저항(R20)과, 다수의 다이오드부(D10 내지 D40)를 포함하고, 상기 LED 칩(100)의 인접 영역에 형성되고, 상기 제 1 저항(R10) 및 제 2 저항(R20)에 접속된 정류부(210, 220)와, LED 칩(100) 상에 얇게 코팅된 형광체(150)와, LED 칩(100)을 봉지하는 몰딩부(160)를 포함한다. The light emitting device of the present embodiment includes the LED chip 100 having a plurality of light emitting cells mounted on the body 110 connected in series, and the first internal electrode terminals 121 to the fourth internal electrode terminals formed on the body 110. 124, a first resistor R10 connected between the first internal electrode terminal 121 and the fourth internal electrode terminal 124, and the second internal electrode terminal 122 and the third internal electrode terminal ( The second resistor R20 and the plurality of diodes D10 to D40 connected between the plurality of diodes 123 are formed in an adjacent region of the LED chip 100, and the first resistor R10 and the second resistor are connected to each other. Rectifiers 210 and 220 connected to the resistor R20, a phosphor 150 thinly coated on the LED chip 100, and a molding unit 160 encapsulating the LED chip 100.

또한, 제 1 내부 전극 단자(121)와 접속된 제 1 외부 전극 단자(131)와, 제 3 내부 전극 단자(123)와 접속된 제 2 외부 전극 단자(133)를 더 포함한다. The apparatus further includes a first external electrode terminal 131 connected to the first internal electrode terminal 121, and a second external electrode terminal 133 connected to the third internal electrode terminal 123.

여기서, 상기의 몸체(110)는 도 3에 도시된 바와 같이 원 형상으로 그 둘레가 돌출된 형상을 사용한다. 상기 몸체(110)는, 절연된 PPA(Poly Phthal Amide)수지나 열전도성 수지 등을 사용할 수도 있다. 상기 몸체(110)의 형상은 또한 원 형상에 한정되지 않고, 다양한 형상 변형이 가능하다. 상기 몸체(110)의 중심에는 원 형상의 상기 금속 패턴(111)이 형성되고, 금속 패턴(111)으로부터 연장된 두 축이 원형 몸체(110)의 외부로 노출되어 있다. 상기 금속패턴(111)은 LED 칩(100)에서 발생되는 열을 외부로 방출할 수 있다. 또한, 원 형상의 금속패턴(111) 상부에는 방열판(112)이 형성되고, 방열판(112) 상에 다수의 발광 셀이 직렬 접속된 LED 칩(100)이 실장되고, 제 1 정류부(210) 및 제 2 정류부(220)가 배치된다. 발열판(112) 상에는 얇은 절연막(미도시)이 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 상술한 금속패턴(111) 및/또는 방열판(112)은 메탈 슬러그 형태로 몸체(110) 내에 삽입 장착 될 수도 있다. Here, the body 110 uses a shape in which the circumference protrudes in a circular shape as shown in FIG. 3. The body 110 may use an insulated poly phthalide (PPA) resin, a thermal conductive resin, or the like. The shape of the body 110 is also not limited to the circular shape, various shape modifications are possible. A circular metal pattern 111 is formed at the center of the body 110, and two axes extending from the metal pattern 111 are exposed to the outside of the circular body 110. The metal pattern 111 may emit heat generated from the LED chip 100 to the outside. In addition, a heat sink 112 is formed on the circular metal pattern 111, and the LED chip 100 having a plurality of light emitting cells connected in series on the heat sink 112 is mounted, and the first rectifying unit 210 and The second rectifier 220 is disposed. It is preferable that a thin insulating film (not shown) is formed on the heat generating plate 112. In this case, the above-described metal pattern 111 and / or the heat sink 112 may be inserted into the body 110 in the form of a metal slug.

제 1 내부 전극 단자(121) 내지 제 4 내부 전극 단자(124)는 그 일부가 몸체의 외부로 노출되어 있다. 제 1 내부 전극 단자(121) 및 제 3 내부 전극 단자(123)는 제 1 외부 전극 단자(131) 및 제 3 외부 전극 단자(133)와 접속되어 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 제 2 내부 전극 단자(122) 및 제 4 내부 전극 단자(124)도 별도의 외부 전극 단자와 접속될 수 있다.A portion of the first internal electrode terminal 121 to the fourth internal electrode terminal 124 is exposed to the outside of the body. The first internal electrode terminal 121 and the third internal electrode terminal 123 are connected to the first external electrode terminal 131 and the third external electrode terminal 133. Of course, the present invention is not limited thereto, and the second internal electrode terminal 122 and the fourth internal electrode terminal 124 may also be connected to separate external electrode terminals.

상술한 제 1 저항(R10)과 제 2 저항(R20)은 소정의 저항 성분을 갖는 물질을 사용하되, 본 실시예에서는 칩 저항(Chip Resistor), 칩 배리스터(varistor) 및 칩 PTC(Positive Temperature Co-efficient) 중 적어도 어느 하나를 사용한다. 물론 통상적으로 전기전자기기에서 사용하는 모든 저항을 사용할 수도 있다. As described above, the first resistor R10 and the second resistor R20 use a material having a predetermined resistance component, and in this embodiment, a chip resistor, a chip varistor, and a chip PTC (Positive Temperature Co) at least one of -efficient). Of course, all the resistors typically used in electrical and electronic equipment can also be used.

고정저항은 방열판 온도에 따라 LED 어레이의 순방향 전압강하(VF)가 현격히 낮아져 고정저항만으로 온도가 올라가는 만큼 LED에 투입 전류가 상승하는 것을 방지할 수 없다. 따라서, PTC를 사용함으로써, PTC의 저항값이 방열판 온도에 비례하여 커짐으로써 LED 전류를 안정화시키고 발광 효율을 일정하게 할 수 있다. 제 1 저항(R10) 및 제 2 저항(R20)은 동일한 저항값을 갖도록 하는 것이 바람직하다. 물 론 이에 한정되지 않고 서로 다른 저항값을 갖도록 할 수도 있다. Fixed resistors can not prevent the forward voltage drop (V F) of the LED array significantly lower temperature, the current increases as the input LED rises only by a fixed resistor, depending on the heat sink temperature. Therefore, by using PTC, the resistance value of PTC becomes large in proportion to the heat sink temperature, thereby making it possible to stabilize the LED current and make the luminous efficiency constant. It is preferable that the first resistor R10 and the second resistor R20 have the same resistance value. Of course, the present invention is not limited thereto, and may have different resistance values.

도 4는 본 실시예의 저항을 설명하기 위한 도면으로, 도 4를 참조하여 제 1 저항(R10) 및 제 2 저항(R20)을 자세히 설명한다. 상기 저항(R10, R20)은 저항성 물질(201)과, 저항성 물질(201)의 양단에 형성된 저항 전극(202)과, 상기 저항 전극(202) 하부에 형성된 접속부재(203)를 포함한다. 저항성 물질(201)의 저항값은 그 사용 목적에 따라 수 내지 수만 메가 옴까지 다양할 수 있다. 접속부재(203)는 저항 전극(202) 하부에 형성되어 제 1 내부 전극 단자(121) 내지 제 4 내부 전극 단자(124)와의 접속을 용이하게 할 수 있는 물질을 지칭한다. 본 실시예에서는 이러한 접속부재(203)로 솔더 범퍼(Solder Bump)를 사용한다. 물론 접속부재(203)로 도전성 페이스트를 사용할 수도 있다. 이를 통해 제 1 저항(R10)은 이의 접속부재(203)를 통해 제 1 내부 전극 단자(121) 및 제 4 내부 전극 단자(124) 사이에 접속되고, 제 2 저항(R20)은 제 2 내부 전극 단자(122) 및 제 3 내부 전극 단자(123) 사이에 접속된다. FIG. 4 is a diagram for describing the resistance of the present embodiment, and the first resistor R10 and the second resistor R20 will be described in detail with reference to FIG. 4. The resistors R10 and R20 include a resistive material 201, a resistive electrode 202 formed at both ends of the resistive material 201, and a connection member 203 formed under the resistive electrode 202. The resistance value of the resistive material 201 may vary from tens to tens of thousands of mega ohms, depending on the purpose of use. The connection member 203 refers to a material that is formed under the resistance electrode 202 to facilitate connection with the first internal electrode terminals 121 to the fourth internal electrode terminals 124. In this embodiment, a solder bumper is used as the connection member 203. Of course, a conductive paste may be used as the connecting member 203. As a result, the first resistor R10 is connected between the first internal electrode terminal 121 and the fourth internal electrode terminal 124 through its connecting member 203, and the second resistor R20 is connected to the second internal electrode. It is connected between the terminal 122 and the third internal electrode terminal 123.

상술한 정류부(210, 220)는 두개로 구성되고, 다이오드부(D10 내지 D40)는 4개로 구성된다. 제 1 정류부(210) 상에는 제 1 다이오드부(D10) 및 제 4 다이오드부(D40)가 실장되고, 제 2 정류부(220) 상에는 제 2 다이오드부(D20) 및 제 3 다이오드부(D30)가 실장된다. The rectifiers 210 and 220 described above are configured in two, and the diode units D10 to D40 are configured in four. The first diode unit D10 and the fourth diode unit D40 are mounted on the first rectifying unit 210, and the second diode unit D20 and the third diode unit D30 are mounted on the second rectifying unit 220. do.

도 5는 본 실시예에 따른 정류부를 설명하기 위한 도면으로, 이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 정류부에 관해 자세히 설명한다. 제 1 정류부(210) 및 제 2 정류부(220)는, 도전성 부재로 상기 도전성 부재 상에 접속된 제 1 다이오드부 (D10) 및 제 4 다이오드부(D40) 또는 제 2 다이오드부(D20) 및 제 3 다이오드부(D30)와 상기 제 1 다이오드부(D10) 및 제 4 다이오드부(D10, D40) 또는 제 2 다이오드부(D20) 및 제 3 다이오드부(D30) 사이에 형성된 제 1 정류 패드(211) 및 제 2 정류 패드(221)를 포함한다. 이때, 제 1 다이오드부(D10)와 제 2 다이오드부(D20)의 P전극이 도전성 부재에 전기적으로 접속되고, 제 3 다이오드부(D30)와 제 4 다이오드부(D40)의 N전극이 도전성 부재에 전기적으로 접속된다. 5 is a view for explaining the rectifying unit according to the present embodiment. Hereinafter, the rectifying unit of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 5. The first rectifying part 210 and the second rectifying part 220 are conductive members, and the first diode part D10 and the fourth diode part D40 or the second diode part D20 and the first connected to the conductive member. A first rectifying pad 211 formed between the third diode unit D30 and the first diode unit D10 and the fourth diode unit D10 and D40 or between the second diode unit D20 and the third diode unit D30. ) And a second rectifying pad 221. At this time, the P electrodes of the first diode portion D10 and the second diode portion D20 are electrically connected to the conductive member, and the N electrodes of the third diode portion D30 and the fourth diode portion D40 are electrically conductive members. Is electrically connected to the

상기 도전성 부재는 전기 전도성이 뛰어난 물질을 사용하되, 금속 또는 도핑된 실리콘막을 사용할 수 있다. 그리고, 제 1 내지 제 4 다이오드부(D10 내지 D40)의 실장은 도전성 페이스트를 이용하여 실장하거나, 솔더 범프를 이용하여 실장할 수 있다. 제 1 정류 패드(211) 및 제 2 정류 패드(221) 또한, 도전성 부재와 동일한 물질을 사용할 수 있다. As the conductive member, a material having excellent electrical conductivity may be used, and a metal or a doped silicon film may be used. The first to fourth diode units D10 to D40 may be mounted using a conductive paste, or may be mounted using solder bumps. The first rectifying pad 211 and the second rectifying pad 221 may also be made of the same material as the conductive member.

상기의 저항, 다이오드부와 LED 칩 간의 연결관계를 설명하면 다음과 같다. Referring to the connection between the resistor, the diode unit and the LED chip as follows.

제 1 내부 전극 단자(121)와 제 4 내부 전극 단자(124) 사이에는 제 1 저항(R10)이 접속된다. 제 4 내부 전극 단자(124)는 제 1 와이어(141)를 통해 제 1 정류부(210)의 제 1 정류 패드(211)에 접속된다. 제 1 다이오드부(D10)의 P전극은 제 1 정류부(210)의 도전성 부재와 전기적으로 접속되고, N전극은 제 2 와이어(142)를 통해 LED 칩(100)의 P형 패드에 접속된다. 제 2 다이오드부(D20)의 P전극은 제 2 정류부(220)의 도전성 부재와 전기적으로 접속되고, N전극은 제 3 와이어(143)를 통해 LED 칩(100)의 P형 패드에 접속된다. 제 2 정류부(220)의 제 2 정류 패드(221)는 제 4 와이어(144)를 통해 제 2 내부 전극 단자(122)에 접속된다. 제 3 다이오드부(D30)의 N전극은 제 2 정류부(220)의 도전성 부재와 전기적으로 접속되고, P전극은 제 5 와이어(145)를 통해 LED 칩(100)의 N형 패드에 접속된다. 제 4 다이오드부(D40)의 N전극은 제 1 정류부(210)의 도전성 부재와 전기적으로 접속되고, P전극은 제 6 와이어(146)를 통해 LED 칩(100)의 N형 패드에 접속된다. The first resistor R10 is connected between the first internal electrode terminal 121 and the fourth internal electrode terminal 124. The fourth internal electrode terminal 124 is connected to the first rectifying pad 211 of the first rectifying part 210 through the first wire 141. The P electrode of the first diode unit D10 is electrically connected to the conductive member of the first rectifying unit 210, and the N electrode is connected to the P-type pad of the LED chip 100 through the second wire 142. The P electrode of the second diode unit D20 is electrically connected to the conductive member of the second rectifying unit 220, and the N electrode is connected to the P-type pad of the LED chip 100 through the third wire 143. The second rectifying pad 221 of the second rectifying part 220 is connected to the second internal electrode terminal 122 through the fourth wire 144. The N electrode of the third diode unit D30 is electrically connected to the conductive member of the second rectifying unit 220, and the P electrode is connected to the N type pad of the LED chip 100 through the fifth wire 145. The N electrode of the fourth diode unit D40 is electrically connected to the conductive member of the first rectifying unit 210, and the P electrode is connected to the N type pad of the LED chip 100 through the sixth wire 146.

상술한 바와 같이 LED 칩(100)의 일 패드에 두개의 와이어가 접속되도록 하였다. 이는 LED 칩(100)의 패드의 두께와 와이어의 두께 및 와이어 본딩 공정상의 문제로 인해 일 패드에 접속될 수 있는 와이어의 개수가 3개 이상의 접속이 어렵기 때문이다. 물론 패드의 두께, 와이어의 두께 및 본딩 공정을 조절하여 3개 이상의 와이어 본딩도 가능하다. 또한, 다수의 와이어를 하나로 연결한 다음, 하나의 와이어를 LED 칩(100)의 패드에 연결할 수도 있다. As described above, two wires are connected to one pad of the LED chip 100. This is because the number of wires that can be connected to one pad is difficult due to the thickness of the pad of the LED chip 100, the thickness of the wire, and the wire bonding process. Of course, three or more wire bonding is possible by adjusting the thickness of the pad, the thickness of the wire, and the bonding process. In addition, after connecting a plurality of wires into one, one wire may be connected to the pad of the LED chip 100.

상술한 접속 관계를 통해 제 1 내부 전극 단자(121)에 양전압(+)이 인가되고, 제 3 내부 전극 단자(123)에 음전압(-)이 인가되면, 양전압(+)은 제 1 저항(R10), 제 4 내부 전극 단자(124), 제 1 와이어(141), 제 1 정류부(210), 제 1 다이오드부(D10) 및 제 2 와이어(142)를 통해 LED 칩(100)의 P형 패드에 인가되고, 음전압(-)은 제 2 저항(R20), 제 2 내부 전극 단자(122), 제 4 와이어(144), 제 2 정류부(220), 제 3 다이오드부(D30), 제 5 와이어(145)를 통해 LED 칩(100)의 N형 패드에 인가된다. 이로써, LED 칩(100)이 발광하게 된다. When the positive voltage (+) is applied to the first internal electrode terminal 121 and the negative voltage (-) is applied to the third internal electrode terminal 123 through the above-described connection relationship, the positive voltage (+) is the first The LED chip 100 may be connected through the resistor R10, the fourth internal electrode terminal 124, the first wire 141, the first rectifying unit 210, the first diode unit D10, and the second wire 142. The negative voltage (−) is applied to the P-type pad, and the negative voltage (−) is applied to the second resistor R20, the second internal electrode terminal 122, the fourth wire 144, the second rectifier 220, and the third diode unit D30. The n-type pad of the LED chip 100 is applied through the fifth wire 145. As a result, the LED chip 100 emits light.

한편, 제 3 내부 전극 단자(123)에 양전압(+)이 인가되고, 제 1 내부 전극 단자(121)에 음전압(-)이 인가되면, 양전압(+)은 제 2 저항(R20), 제 2 내부 전극 단자(122), 제 4 와이어(144), 제 2 정류부(220), 제 2 다이오드부(D20) 및 제 3 와이어(143)를 통해 LED 칩(100)의 P형 패드에 인가되고, 음전압(-)은 제 1 저항(R10), 제 4 내부 전극 단자(124), 제 1 와이어(141), 제 1 정류부(210), 제 4 다이오드부(D40) 및 제 6 와이어(146)를 통해 LED 칩(100)의 N형 패드에 인가된다. 이로써, LED 칩(100)이 발광하게 된다. 이때, 도면에서와 같이 제 1 외부 전극 단자(131) 및 제 3 외부 전극 단자(131, 133)는 직류 전원에 접속되어 있다. On the other hand, when the positive voltage (+) is applied to the third internal electrode terminal 123 and the negative voltage (-) is applied to the first internal electrode terminal 121, the positive voltage (+) is the second resistor (R20). Through the second internal electrode terminal 122, the fourth wire 144, the second rectifying unit 220, the second diode unit D20, and the third wire 143 to the P-type pad of the LED chip 100. The negative voltage (−) is applied to the first resistor R10, the fourth internal electrode terminal 124, the first wire 141, the first rectifying portion 210, the fourth diode portion D40, and the sixth wire. 146 is applied to the N-type pad of the LED chip 100 through. As a result, the LED chip 100 emits light. At this time, as shown in the drawing, the first external electrode terminals 131 and the third external electrode terminals 131 and 133 are connected to a DC power source.

상기 LED 칩(100)상에 형광체(150)가 얇게 코팅되어 있다. 상기 형광체(150)로는 가넷구조나 실리케이트구조의 형광체를 사용하며, 상기 LED 칩(100)이 발산하는 빛의 파장을 변환시켜 원하는 색상의 빛을 방출할 수 있는 것이라면 다양한 종류의 형광체가 가능하다. 예를 들어 청색을 발광 하는 LED 칩(100)상에 YAG:Ce 형광체를 포팅하여 백색을 구현한다. 이때, 형광체(150)와 몰딩부(160)를 별도의 공정을 통해 제작할 수도 있고, 상기 몰딩부(160)의 내부에 형광체(150)를 균일하게 분포시켜 사용할 수도 있다. 몰딩부(160)는 몸체(110)의 돌출내에 돔 형상으로 얇게 형성한다. 물론 이에 한정되지 않고, 몰딩부의 형상과 몰딩 영역은 다양하게 변화 될 수 있다. Phosphor 150 is thinly coated on the LED chip 100. The phosphor 150 may be a phosphor having a garnet structure or a silicate structure, and various kinds of phosphors may be used as long as the LED chip 100 may emit light having a desired color by converting a wavelength of light emitted from the LED chip 100. For example, the YAG: Ce phosphor is ported onto the LED chip 100 emitting blue to implement white color. In this case, the phosphor 150 and the molding unit 160 may be manufactured through separate processes, or the phosphor 150 may be uniformly distributed in the molding unit 160. The molding part 160 is thinly formed in a dome shape in the protrusion of the body 110. Of course, the present invention is not limited thereto, and the shape of the molding part and the molding area may be variously changed.

상술한 구조의 발광 장치의 제작 방법은 매우 다양할 수 있지만, 제작 방법을 간략히 설명하면 다음과 같다. The manufacturing method of the light emitting device having the above-described structure may be very diverse, but the manufacturing method is briefly described as follows.

다수의 전극 단자, 금속패턴 및 방열판이 형성된 몸체를 마련하고, 다이오드부가 형성된 정류부와, 저항을 마련한다. 다수의 발광 셀이 직렬 접속된 LED 칩을 몸체의 방열판 상에 실장하고, LED 칩의 인접 영역에 정류부를 실장한다. 또한, 인접한 전극 단자들 사이에 저항을 실장한다. 다음으로, 와이어를 이용하여 다이오 드부와 LED 칩 및 내부 전극 단자 간을 전기적으로 연결한다. 상기 LED 칩 상부에 형광체를 얇게 코팅한 후, 몰딩공정을 실시하여 몰딩부를 형성하여 발광 장치를 제작한다. A body having a plurality of electrode terminals, a metal pattern, and a heat dissipation plate is provided, and a rectifier having a diode part and a resistor are provided. An LED chip having a plurality of light emitting cells connected in series is mounted on a heat sink of a body, and a rectifying portion is mounted in an adjacent region of the LED chip. In addition, a resistor is mounted between adjacent electrode terminals. Next, the wires are electrically connected between the diode unit and the LED chip and the internal electrode terminals. After the phosphor is thinly coated on the LED chip, a molding process is performed to form a molding unit, thereby manufacturing a light emitting device.

본 발명은 상술한 설명에 한정되는 것이 아니라, 발광 장치의 효율을 향상시키기 위한 별도의 부재 및 제조공정이 더 삽입될 수도 있다. The present invention is not limited to the above description, and a separate member and a manufacturing process may be further inserted to improve the efficiency of the light emitting device.

예를 들어, LED 칩의 열을 외부로 방출하기 위한 히트 싱크가 더 포함될 수도 있다. 히트 싱크로 열전도성이 우수한 물질을 사용하는 것이 바람직하고, 열전도성 및 전기 전도성이 우수한 금속을 사용하는 것이 가장 바람직하다. 이를 위해 몸체의 일부 영역 즉, LED 칩이 실장될 영역을 제거하여 관통공을 형성하고, 관통공 내부에 히트 싱크를 삽입 장착한 다음, 히트 싱크 상부에 LED 칩을 실장할 수도 있다. 또한, 몸체 자체를 금속으로 사용하면 히트 싱크로 사용할 수 있다. 이때, 전극 단자와 히트 싱크 사이에는 방열판이 형성된다. 또한, LED 칩이 방출하는 빛을 중앙으로 집중시키기 위한 반사 부재를 더 포함할 수도 있고, 빛을 확산 시키기 위한 난반사 패턴 부재를 더 포함할 수도 있다. 또한, 본 발명은 상술한 구조에 병렬 접속된 커패시터와 저항을 부가하여 LED 칩내의 발광 셀의 개수를 줄이고, 밝기 및 휘도를 향상시킬 수도 있다. For example, a heat sink for dissipating heat of the LED chip to the outside may be further included. It is preferable to use a material having excellent thermal conductivity as the heat sink, and it is most preferable to use a metal having excellent thermal conductivity and electrical conductivity. To this end, a part of the body, that is, a region in which the LED chip is to be removed is formed to form a through hole, a heat sink may be inserted into the through hole, and then the LED chip may be mounted on the heat sink. If the body itself is used as a metal, it can be used as a heat sink. At this time, a heat sink is formed between the electrode terminal and the heat sink. In addition, the LED chip may further include a reflective member for centralizing the light emitted, or may further include a diffuse reflection pattern member for diffusing the light. In addition, the present invention may add a capacitor and a resistor connected in parallel to the above-described structure to reduce the number of light emitting cells in the LED chip, and to improve brightness and brightness.

또한, 본 발명의 발광 장치는 내부 전극 단자에 저항이 실장되지 않고, LED 칩 주변에 실장될 수도 있다. 이와 같은 본 발명의 제 2 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 하기 실시예에서는 앞서 설명한 제 1 실시예와 중복되는 설명은 생략한다. In addition, the light emitting device of the present invention may be mounted around the LED chip without a resistor mounted on the internal electrode terminal. This second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiment, a description overlapping with the first embodiment described above will be omitted.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 장치의 사시도이다. 6 is a perspective view of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 장치는 몸체(110)와, 몸체(110) 내에 실장된 LED 칩(100)과, 상기 LED 칩(100)에 직류 전원을 공급하기 위한 정류부(210, 220)와, 상기 정류부(210, 220)에 공급되는 교류 전원의 전압강하를 위한 저항부재(230, 240) 및 상기 몸체(110)를 관통하여 형성된 제 1 내부 전극 단자(121) 내지 제 4 내부 전극 단자(124)를 포함한다. 몸체(110)는 방열판(112)을 포함하고, 상기 방열판(112) 상에 LED 칩(100), 정류부(210, 220) 및 저항부재(230, 240)가 실장된다. 본 실시예는 도 6에 도시된 바와 같이 몸체(110)의 중앙에 LED 칩(100)이 실장되고, LED 칩(100) 주변에 각기 2개의 정류부(210, 220)와 저항부재(230, 240)가 실장된다. 본 실시예에서는 제 1 내부 전극 단자(121) 및 제 3 내부 전극 단자(123)를 통해 교류 전원이 입력되고, 이러한 교류 전원의 전압강하를 위한 제 1 저항부재(230) 및 제 2 저항부재(240)가 제 1 내부 전극 단자(121) 및 제 3 내부 전극 단자(123)와 인접한 영역의 방열판(112) 상에 실장된다. Referring to FIG. 6, the light emitting device according to the present embodiment includes a body 110, an LED chip 100 mounted in the body 110, and a rectifier 210 for supplying DC power to the LED chip 100. , 220, and first internal electrode terminals 121 to 4 formed through the resistance members 230 and 240 and the body 110 for the voltage drop of the AC power supplied to the rectifiers 210 and 220. An internal electrode terminal 124. The body 110 includes a heat sink 112, and the LED chip 100, the rectifiers 210 and 220, and the resistance members 230 and 240 are mounted on the heat sink 112. In this embodiment, as shown in FIG. 6, the LED chip 100 is mounted at the center of the body 110, and two rectifiers 210 and 220 and resistance members 230 and 240 are respectively disposed around the LED chip 100. ) Is implemented. In the present embodiment, the AC power is input through the first internal electrode terminal 121 and the third internal electrode terminal 123, and the first and second resistance members 230 and the second resistance member ( 240 is mounted on the heat sink 112 in an area adjacent to the first internal electrode terminal 121 and the third internal electrode terminal 123.

도 7은 본 실시예에 따른 저항부재의 도면으로 이를 바탕으로 상기의 제 1 저항부재(230) 및 제 2 저항부재(240)에 관해 설명하면 다음과 같다. FIG. 7 is a diagram of the resistance member according to the present embodiment and the first resistance member 230 and the second resistance member 240 will be described based on this.

상기의 제 1 저항부재(230) 및 제 2 저항부재(240) 각각은 절연 기판(231, 241)과, 절연 기판(231, 241)상에 서로 이격되어 형성된 제 1 단자(232, 242) 및 제 2 단자(233, 243)와, 제 1 단자(232, 242) 및 제 2 단자(233, 244)에 접속된 저항을 포함한다. 저항은 저항성 물질(201), 저항전극(202) 및 접속부재(203)를 포함한다. 상술한 제 1 저항부재(230) 및 제 2 저항(240)으로는 앞선 실시예의 칩 레 지스터 또는 PTC를 사용할 수도 있고, 통상 전자 회로에서 사용하는 모든 저항 특성을 갖는 소자를 사용할 수 있다. Each of the first resistance member 230 and the second resistance member 240 may be formed on the insulating substrates 231 and 241 and the first terminals 232 and 242 spaced apart from each other on the insulating substrates 231 and 241. Resistors connected to the second terminals 233, 243, the first terminals 232, 242, and the second terminals 233, 244. The resistance includes a resistive material 201, a resistance electrode 202, and a connection member 203. As the first resistor member 230 and the second resistor 240 described above, the chip resistor or PTC of the previous embodiment may be used, or an element having all the resistance characteristics used in an electronic circuit may be used.

이하, 상술한 구성요소들간의 바람직한 접속관계를 설명한다. Hereinafter, the preferable connection relationship between the above-mentioned components is demonstrated.

제 1 내부 전극 단자(121)는 제 1 와이어(141)를 통해 제 1 저항부재(230)의 제 1 단자(232)와 접속된다. 제 1 저항 부재(230)의 제 2 단자(233)는 제 2 와이어(142)를 통해 제 4 내부 전극 단자(124)에 접속된다. 제 4 내부 전극 단자(124)는 제 3 와이어(143)를 통해 제 1 정류부(210)의 제 1 정류 패드(211)에 접속된다. 제 1 다이오드부(D10)의 P전극은 제 1 정류부(210)의 도전성 부재와 전기적으로 접속되고, N전극은 제 4 와이어(144)를 통해 LED 칩(100)의 P형 패드에 접속된다. 제 4 다이오드부의 N전극은 제 1 정류부(210)의 도전성 부재와 전기적으로 접속되고, P전극은 제 5 와이어(145)를 통해 LED 칩(100)의 N형 패드에 접속된다. 제 3 내부 전극 단자(123)는 제 6 와이어(146)를 통해 제 2 저항부재(240)의 제 1 단자(242)와 접속된다. 제 2 저항부재(240)의 제 2 단자(243)는 제 7 와이어(147)를 통해 제 2 내부 전극 단자(122)에 접속된다. 제 2 내부 전극 단자(122)는 제 8 와이어(148)를 통해 제 2 정류부(220)의 제 2 정류 패드(221)에 접속된다. 제 2 다이오드부(D20)의 P전극은 제 2 정류부(220)의 도전성 부재와 전기적으로 접속되고, N전극은 제 9 와이어(149)를 통해 LED 칩(100)의 P형 패드에 접속된다. 제 3 다이오드부(D30)의 N전극은 제 2 정류부(220)의 도전성 부재와 전기적으로 접속되고, P전극은 제 10 와이어(140)를 통해 LED 칩(100)의 N형 패드에 접속된다. The first internal electrode terminal 121 is connected to the first terminal 232 of the first resistance member 230 through the first wire 141. The second terminal 233 of the first resistance member 230 is connected to the fourth internal electrode terminal 124 through the second wire 142. The fourth internal electrode terminal 124 is connected to the first rectifying pad 211 of the first rectifying part 210 through the third wire 143. The P electrode of the first diode unit D10 is electrically connected to the conductive member of the first rectifying unit 210, and the N electrode is connected to the P-type pad of the LED chip 100 through the fourth wire 144. The N electrode of the fourth diode portion is electrically connected to the conductive member of the first rectifying portion 210, and the P electrode is connected to the N type pad of the LED chip 100 through the fifth wire 145. The third internal electrode terminal 123 is connected to the first terminal 242 of the second resistance member 240 through the sixth wire 146. The second terminal 243 of the second resistance member 240 is connected to the second internal electrode terminal 122 through the seventh wire 147. The second internal electrode terminal 122 is connected to the second rectifying pad 221 of the second rectifying part 220 through the eighth wire 148. The P electrode of the second diode unit D20 is electrically connected to the conductive member of the second rectifying unit 220, and the N electrode is connected to the P-type pad of the LED chip 100 through the ninth wire 149. The N electrode of the third diode unit D30 is electrically connected to the conductive member of the second rectifying unit 220, and the P electrode is connected to the N type pad of the LED chip 100 through the tenth wire 140.

이하, 상술한 접속관계를 갖는 본 실시예의 발광 장치의 동작을 설명한다.The operation of the light emitting device of this embodiment having the above-described connection relationship will be described below.

제 1 내부 전극 단자(121)에 양전압(+)이 인가되고, 제 3 내부 전극 단자(123)에 음전압(-)이 인가될 경우를 고려해보면 다음과 같다. 양전압(+)은 제 1 와이어(141), 제 1 저항부재(230), 제 2 와이어(142), 제 4 내부 전극 단자(124), 제 3 와이어(143), 제 1 정류부(210), 제 1 다이오드부(D10) 및 제 4 와이어(D40)를 통해 소정 레벨 강하되어 LED 칩(100)의 P형 패드에 인가된다. 음전압(-)은 제 6 와이어(146), 제 2 저항부재(240), 제 7 와이어(147), 제 2 내부 전극 단자(122), 제 8 와이어(148), 제 2 정류부(220), 제 3 다이오드부(D30) 및 제 10 와이어(140)를 통해 LED 칩(100)의 N형 패드에 인가된다. 이로써, LED 칩(100)이 발광하게 된다. Considering a case where a positive voltage (+) is applied to the first internal electrode terminal 121 and a negative voltage (−) is applied to the third internal electrode terminal 123 as follows. Positive voltage (+) is the first wire 141, the first resistance member 230, the second wire 142, the fourth internal electrode terminal 124, the third wire 143, the first rectifier 210 A predetermined level drop through the first diode unit D10 and the fourth wire D40 is applied to the P-type pad of the LED chip 100. The negative voltage (−) is the sixth wire 146, the second resistance member 240, the seventh wire 147, the second internal electrode terminal 122, the eighth wire 148, and the second rectifier 220. The N-type pad of the LED chip 100 is applied through the third diode unit D30 and the tenth wire 140. As a result, the LED chip 100 emits light.

한편, 제 3 내부 전극 단자(123)에 양전압(+)이 인가되고, 제 1 내부 전극 단자(121)에 음전압(-)이 인가될 경우를 고려해보면 다음과 같다. 양전압(+)은 제 6 와이어(146), 제 2 저항부재(240), 제 7 와이어(147), 제 2 내부 전극 단자(122), 제 8 와이어(148), 제 2 정류부(220), 제 2 다이오드부(D20) 및 제 9 와이어(149)를 통해 소정 레벨 강하되어 LED 칩(100)의 P형 패드에 인가된다. 음전압(-)은 제 1 와이어(141), 제 1 저항부재(230), 제 2 와이어(142), 제 4 내부 전극 단자(124), 제 3 와이어(143), 제 1 정류부(210), 제 4 다이오드부(D40) 및 제 5 와이어(145)를 통해 LED 칩(100)의 N형 패드에 인가된다. 이로써, LED 칩(100)이 발광하게된다. On the other hand, when the positive voltage (+) is applied to the third internal electrode terminal 123, the negative voltage (-) is applied to the first internal electrode terminal 121 as follows. The positive voltage (+) is the sixth wire 146, the second resistance member 240, the seventh wire 147, the second internal electrode terminal 122, the eighth wire 148, and the second rectifier 220. A predetermined level drop through the second diode unit D20 and the ninth wire 149 is applied to the P-type pad of the LED chip 100. The negative voltage (−) is the first wire 141, the first resistance member 230, the second wire 142, the fourth internal electrode terminal 124, the third wire 143, and the first rectifier 210. The n-type pad of the LED chip 100 is applied through the fourth diode unit D40 and the fifth wire 145. As a result, the LED chip 100 emits light.

이와 같이 저항부재(230, 240)를 LED 칩(100) 인접한 영역에 위치시켜, 저항값을 용이하게 조절할 수 있다. 그리고, 저항의 크기나 특성에 영향을 받지 않고, 다양한 형태의 저항을 사용할 수 있어, 발광 장치의 안정성을 향상시킬 수 있다. As such, the resistance members 230 and 240 may be positioned in an area adjacent to the LED chip 100 to easily adjust the resistance value. In addition, various types of resistors can be used without being affected by the size or characteristics of the resistors, thereby improving the stability of the light emitting device.

또한, 본 발명은 LED 칩의 구조를 변경하여 다이오드부 없이도 교류 구동이 가능한 발광 장치를 제작할 수 있다. 즉, 다수의 셀이 직렬 접속된 다수의 셀 블록을 병열 연결시켜 LED 칩의 제 1 및 제 2 패드에 교류 전원이 인가 되더라도 LED 칩의 구동이 가능하다. 이를 위해 LED 칩의 제 1 및 제 2 패드와 교류 전원 사이에 소정의 저항이 배치되어야 한다. 이와 같은 본 발명의 제 2 실시예에 대하여는 도면을 참조하여 설명한다. 하기 실시예에서는 앞서 설명한 제 1 실시예 및 제 2 실시예와 중복되는 설명은 생략한다. In addition, the present invention can change the structure of the LED chip to manufacture a light emitting device capable of alternating current drive without a diode unit. That is, the LED chip can be driven even though AC power is applied to the first and second pads of the LED chip by connecting a plurality of cell blocks connected in series in parallel. For this purpose, a predetermined resistor must be disposed between the first and second pads of the LED chip and the AC power supply. This second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, descriptions overlapping with those of the first and second embodiments described above will be omitted.

도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 장치의 회로도이다. 도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 장치의 사시도이다. 8 is a circuit diagram of a light emitting device according to a third embodiment of the present invention. 9 is a perspective view of a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

도 8 및 도 9를 참조하면, 본 실시예의 발광 장치는 직렬 접속된 다수의 셀 블록(1000a, 1000b)이 제 1 패드(P10)와 제 2 패드(P20) 사이에 병렬 접속된 LED 칩(1000)과, 제 1 패드(P10)에 접속된 제 1 저항(R10)과, 제 2 패드(P20)에 접속된 제 2 저항(R20)을 포함한다. 여기서, 제 1 저항(R10) 및 제 2 저항(R20) 사이에 교류 전원이 접속된다. 8 and 9, in the light emitting device of the present embodiment, an LED chip 1000 in which a plurality of cell blocks 1000a and 1000b connected in series are connected in parallel between a first pad P10 and a second pad P20. ), A first resistor R10 connected to the first pad P10, and a second resistor R20 connected to the second pad P20. Here, an AC power source is connected between the first resistor R10 and the second resistor R20.

본 실시예에서는 두개의 셀 블록(1000a, 1000b)이 제 1 패드(P10)와 제 2 패드(P20) 사이에 병렬 접속된다. 즉, 제 1 셀 블록(1000a)의 P형 패드와, 제 2 셀 블록(1000b)의 N형 패드가 제 1 패드(P10)에 접속되고, 제 1 셀 블록(1000a)의 N형 패드와 제 2 셀 블록(1000b)의 P형 패드가 제 2 패드(P20)에 접속된다. In the present embodiment, two cell blocks 1000a and 1000b are connected in parallel between the first pad P10 and the second pad P20. That is, the P-type pad of the first cell block 1000a and the N-type pad of the second cell block 1000b are connected to the first pad P10, and the N-type pad and the first pad of the first cell block 1000a are connected. The P-type pad of the two cell block 1000b is connected to the second pad P20.

이로써, 제 1 저항(R10)을 통해 제 1 패드(P10)에 양전압이 인가되고, 제 2 저항(R20)을 통해 제 2 패드(P20)에 음전압이 인가될 경우, 제 1 셀 블록(1000a)에 의해 LED 칩(1000)이 발광하게 된다. 또한, 제 2 저항(R20)을 통해 제 2 패드(P20)에 양전압이 인가되고, 제 1 저항(R10)을 통해 제 1 패드(P10)에 음전압이 인가될 경우, 제 2 셀 블록(1000b)에 의해 LED 칩(1000)이 발광하게 된다. Thus, when a positive voltage is applied to the first pad P10 through the first resistor R10, and a negative voltage is applied to the second pad P20 through the second resistor R20, the first cell block ( The LED chip 1000 emits light by 1000a). In addition, when a positive voltage is applied to the second pad P20 through the second resistor R20 and a negative voltage is applied to the first pad P10 through the first resistor R10, the second cell block ( The LED chip 1000 emits light by 1000b).

이를 통해 본 실시예의 발광 장치는 복잡한 회로의 추가 없이도 교류 전원에서 발광할 수 있게 된다. This allows the light emitting device of this embodiment to emit light from an AC power supply without the addition of complicated circuits.

상술한 회로도를 갖는 본 실시예의 발광 장치를 도 9에 도시된 바를 중심으로 설명하면 다음과 같다.  The light emitting device of this embodiment having the above-described circuit diagram will be described below with reference to FIG. 9.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 장치는 몸체(110)상에 실장된 교류 구동용 LED 칩(1000)과, 몸체(110)에 형성된 제 1 내부 전극 단자(121) 내지 제 4 내부 전극 단자(124)와, 상기 제 1 내부 전극 단자(121)와 LED 칩(1000)의 제 1 패드(P10) 사이에 접속된 제 1 저항부재(230)와, 상기 제 3 내부 전극 단자(123)와 LED 칩(1000)의 제 2 패드(P20) 사이에 접속된 제 2 저항부재(240)를 포함한다. In the light emitting device according to the second embodiment of the present invention, the AC driving LED chip 1000 mounted on the body 110 and the first internal electrode terminals 121 to the fourth internal electrode terminals formed on the body 110 are provided. 124, the first resistance member 230 connected between the first internal electrode terminal 121 and the first pad P10 of the LED chip 1000, and the third internal electrode terminal 123. The second resistor member 240 is connected between the second pads P20 of the LED chip 1000.

상술한 본 실시예의 LED 칩과, 저항들과의 접속관계를 설명한다. The connection relationship between the LED chip and the resistors of the present embodiment described above will be described.

제 1 저항부재(230)의 제 1 단자(232)는 제 1 와이어(121)를 통해 제 1 내부 전극 단자(121)에 접속되고, 제 2 단자(233)는 제 2 와이어(142)를 통해 LED 칩(1000)의 제 1 패드(P10)에 접속된다. 제 2 저항부재(240)의 제 1 단자(242)는 제 3 와이어(143)를 통해 제 3 내부 전극 단자(123)에 접속되고, 제 2 단자(243)는 제 4 와이어(144)를 통해 LED 칩(1000)의 제 2 패드(P20)에 접속된다. The first terminal 232 of the first resistance member 230 is connected to the first internal electrode terminal 121 through the first wire 121, and the second terminal 233 is connected through the second wire 142. It is connected to the first pad P10 of the LED chip 1000. The first terminal 242 of the second resistance member 240 is connected to the third internal electrode terminal 123 through the third wire 143, and the second terminal 243 is connected through the fourth wire 144. It is connected to the second pad P20 of the LED chip 1000.

이하, 상술한 접속관계를 갖는 본 실시예의 발광 장치의 동작을 설명한다.The operation of the light emitting device of this embodiment having the above-described connection relationship will be described below.

제 1 내부 전극 단자(121)에 양전압(+)이 인가되고, 제 3 내부 전극 단자(123)에 음전압(-)이 인가될 경우를 생각하면 다음과 같다. 양전압(+)은 제 1 와이어(141), 제 1 저항부재(230) 및 제 2 와이어(142)를 통해 LED 칩(1000)의 제 1 패드(P10)에 인가된다. 그리고, 음전압(-)은 제 3 와이어(143), 제 2 저항(240) 및 제 4 와이어(144)를 통해 LED 칩(1000)의 제 2 패드(P20)에 인가된다. 이로써, LED 칩(1000)의 제 1 셀 블록(1000a)이 발광하게 된다. 또한, 제 3 내부 전극 단자(123)에 양전압(+)이 인가되고, 제 1 내부 전극 단자(121)에 음전압(-)이 인가될 경우를 생각하면 다음과 같다. 양전압(+)은 제 3 와이어(143), 제 2 저항부재(240) 및 제 4 와이어(144)를 통해 LED 칩(1000)의 제 2 패드(P20)에 인가된다. 그리고, 음전압(-)은 제 1 와이어(141), 제 1 저항부재(230) 및 제 2 와이어(142)를 통해 LED 칩(1000)의 제 1 패드(P10)에 인가된다. 이로써, LED 칩(1000)의 제 2 셀 블록(1000b)이 발광하게 된다. Considering a case in which a positive voltage (+) is applied to the first internal electrode terminal 121 and a negative voltage (−) is applied to the third internal electrode terminal 123, it is as follows. The positive voltage (+) is applied to the first pad P10 of the LED chip 1000 through the first wire 141, the first resistance member 230, and the second wire 142. The negative voltage (−) is applied to the second pad P20 of the LED chip 1000 through the third wire 143, the second resistor 240, and the fourth wire 144. As a result, the first cell block 1000a of the LED chip 1000 emits light. In addition, a case in which a positive voltage (+) is applied to the third internal electrode terminal 123 and a negative voltage (−) is applied to the first internal electrode terminal 121 is as follows. The positive voltage (+) is applied to the second pad P20 of the LED chip 1000 through the third wire 143, the second resistance member 240, and the fourth wire 144. The negative voltage (−) is applied to the first pad P10 of the LED chip 1000 through the first wire 141, the first resistance member 230, and the second wire 142. As a result, the second cell block 1000b of the LED chip 1000 emits light.

이와 같이 본 실시예에서는 LED 칩 내부에 배열되는 셀의 접속관계를 변경하여 별도의 정류 회로 없이도 교류에서 발광할 수 있고, 저항을 LED 칩 인접영역에 LED 칩과 함께 실장하여 전기적 결속을 강화시키고, 장치의 크기를 줄일 수 있다. 상술한 실시예들은 각각의 실시예에 한정되지 않고, 개개의 실시예들에 적용된 기술들이 서로 다른 실시예에 적용될 수 있다. As described above, in the present embodiment, the connection relationship of cells arranged inside the LED chip can be changed to emit light at AC without a separate rectifier circuit, and the resistor is mounted in the adjacent area of the LED chip together with the LED chip to strengthen the electrical bond. The size of the device can be reduced. The above-described embodiments are not limited to each embodiment, and the techniques applied to the individual embodiments may be applied to different embodiments.

상술한 바와 같이 본 발명은, 다수의 발광 셀이 직렬 접속된 LED 칩과 다수 의 다이오드로 이루어진 브리지 회로와 저항이 몸체상에 일체화되어 제작 공정을 단순화하고, 발광 장치의 크기를 줄일 수 있다. As described above, in the present invention, a bridge circuit composed of an LED chip and a plurality of diodes in which a plurality of light emitting cells are connected in series, and a resistor are integrated on the body to simplify the manufacturing process and reduce the size of the light emitting device.

또한, 브리지 회로없이 교류에서 동작할 수 있는 교류 LED 칩을 이용하여 발광 장치의 제작 비용을 줄일 수 있고, 저항을 일체화시켜 발광 장치의 크기를 줄일 수 있다. In addition, the manufacturing cost of the light emitting device can be reduced by using an AC LED chip capable of operating in alternating current without a bridge circuit, and the size of the light emitting device can be reduced by integrating a resistor.

또한, 발광 셀간들이 연결되어 있는 LED 칩을 사용함으로 인해 발광 셀들 간의 연결을 위한 연결비용을 절약할 수 있고, 연결시 발생할 수 있는 결함을 방지할 수 있어 LED 칩을 이용한 발광 장치 제작시 불량률을 감소시킬 수 있다. In addition, by using the LED chip that is connected between the light emitting cells can save the connection cost for the connection between the light emitting cells, and can prevent the defects that can occur when connecting to reduce the defective rate when manufacturing the light emitting device using the LED chip You can.

Claims (15)

몸체;Body; 상기 몸체에 실장되고, 직렬접속된 다수의 발광셀들을 포함하는 LED 칩;An LED chip mounted on the body and including a plurality of light emitting cells connected in series; 상기 몸체 내에서 상기 LED 칩과 전기적으로 연결되고, 상기 LED 칩을 둘러싸도록 구비된 브릿지 정류회로부; 및A bridge rectifier circuit part electrically connected to the LED chip in the body and provided to surround the LED chip; And 상기 브릿지 정류회로부와 교류전원 사이에 위치된 적어도 하나의 저항부재;를 포함하며,And at least one resistor member positioned between the bridge rectifier circuit unit and an AC power source. 교류에 의해 구동되는 발광장치.Light emitting device driven by alternating current. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 몸체는 상기 LED 칩의 열을 외부로 방출하기 위한 히트싱크를 포함함을 특징으로 하는 발광장치.The body includes a heat sink for dissipating heat of the LED chip to the outside. 청구항 2에 있어서,  The method according to claim 2, 상기 LED 칩은 상기 히트싱크 상에 실장됨을 특징으로 하는 발광장치.And the LED chip is mounted on the heat sink. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 LED 칩은 그 상부에 N형 패드와 P형 패드를 추가로 포함함을 특징으로 하는 발광장치.The LED chip further comprises an N-type pad and a P-type pad on its top. 청구항 4에 있어서, The method of claim 4, 상기 LED 칩내 제1 발광셀의 P전극이 상기 P형 패드에 접속되고,The P electrode of the first light emitting cell in the LED chip is connected to the P-type pad, 상기 LED 칩내 제n 발광셀의 N전극이 상기 N형 패드에 접속됨을 특징으로 하는 발광장치.The N electrode of the n-th light emitting cell in the LED chip is connected to the N-type pad. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 브릿지 정류회로부는,The bridge rectifier circuit unit, 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속되어 상기 제1 노드의 신호를 상기 제2 노드에 전송하는 제1 다이오드부;A first diode unit connected between a first node and a second node to transmit a signal of the first node to the second node; 상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 접속되어 상기 제3 노드의 신호를 상기 제2 노드에 전송하는 제2 다이오드부;A second diode unit connected between the second node and a third node to transmit a signal of the third node to the second node; 상기 제3 노드와 제4 노드 사이에 접속되어, 상기 제4 노드의 신호를 상기 제3 노드에 전송하는 제3 다이오드부; 및A third diode unit connected between the third node and a fourth node to transmit a signal of the fourth node to the third node; And 상기 제4 노드와 상기 제1 노드 사이에 접속되어 상기 제4 노드의 신호를 상기 제1 노드에 전송하는 제4 다이오드부;를 포함함을 특징으로 하는 발광장치.And a fourth diode unit connected between the fourth node and the first node to transmit a signal of the fourth node to the first node. 청구항 6에 있어서, The method of claim 6, 상기 제1 다이오드부, 제2 다이오드부, 제3 다이오드부 및 제4 다이오드부는 1개의 다이오드로 이루어짐을 특징으로 하는 발광장치.And the first diode portion, the second diode portion, the third diode portion, and the fourth diode portion comprise one diode. 청구항 6에 있어서, The method of claim 6, 상기 제1 다이오드부, 제2 다이오드부, 제3 다이오드부 및 제4 다이오드부는 직렬접속된 다수의 다이오드를 포함함을 특징으로 하는 발광장치.Wherein the first diode portion, the second diode portion, the third diode portion, and the fourth diode portion include a plurality of diodes connected in series. 청구항 7 또는 8에 있어서,The method according to claim 7 or 8, 상기 다이오드는 발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 발광장치.The diode is a light emitting device, characterized in that the light emitting diode. 청구항 6에 있어서,The method of claim 6, 상기 저항부재는 상기 제1 노드와 상기 교류전원 사이에 접속된 저항부재를 포함함을 특징으로 하는 발광장치.And the resistance member includes a resistance member connected between the first node and the AC power supply. 청구항 6에 있어서,The method of claim 6, 상기 저항부재는 상기 제3 노드와 상기 교류전원 사이에 접속된 저항부재를 포함함을 특징으로 하는 발광장치.And the resistance member includes a resistance member connected between the third node and the AC power source. 청구항 10 또는 11에 있어서,The method according to claim 10 or 11, 상기 저항부재는 칩 저항, 칩 배리스터 및 PCT(Positive Temperature Co-efficient) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 장치.The resistor member is at least one of a chip resistor, a chip varistor and a PCT (Positive Temperature Co-efficient). 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 LED 칩에서 발생되는 광파장을 변환시키는 형광체를 추가로 포함함을 특징으로 하는 발광장치.Light emitting device further comprises a phosphor for converting the light wavelength generated in the LED chip. 청구항 13에 있어서,14. The method of claim 13, 상기 형광체는 상기 LED 칩 상에 코팅되어 있음을 특징으로 하는 발광장치.The phosphor is coated on the LED chip. 청구항 13에 있어서,14. The method of claim 13, 상기 형광체와 분리되어 형성된 몰딩부를 추가로 포함함을 특징으로 하는 발광장치.And a molding part formed separately from the phosphor.
KR1020050014830A 2005-02-23 2005-02-23 Luminous Device KR101142939B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050014830A KR101142939B1 (en) 2005-02-23 2005-02-23 Luminous Device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050014830A KR101142939B1 (en) 2005-02-23 2005-02-23 Luminous Device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060094150A KR20060094150A (en) 2006-08-29
KR101142939B1 true KR101142939B1 (en) 2012-05-10

Family

ID=37602033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050014830A KR101142939B1 (en) 2005-02-23 2005-02-23 Luminous Device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101142939B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9642196B2 (en) 2013-03-14 2017-05-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package and light-emitting apparatus

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100757827B1 (en) * 2006-09-29 2007-09-11 서울반도체 주식회사 Light emitting element
TWM374153U (en) 2009-03-19 2010-02-11 Intematix Technology Ct Corp Light emitting device applied to AC drive
KR100986664B1 (en) * 2010-07-05 2010-10-11 이충해 Light emitting apparatus using ac led
KR101221641B1 (en) * 2011-08-19 2013-02-05 서울옵토디바이스주식회사 Luminous element having arrayed cells for AC

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0686359U (en) * 1993-05-31 1994-12-13 オプトニクス株式会社 LED lamp
KR20010114224A (en) * 1999-03-15 2001-12-31 프레데릭 티. 바우어 Semiconductor radiation emitter package
JP2004006582A (en) 2002-04-12 2004-01-08 Shiro Sakai Light emitting device
US20050110426A1 (en) 2003-11-21 2005-05-26 Chiliang Shao Structure for LED lighting chain

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0686359U (en) * 1993-05-31 1994-12-13 オプトニクス株式会社 LED lamp
KR20010114224A (en) * 1999-03-15 2001-12-31 프레데릭 티. 바우어 Semiconductor radiation emitter package
JP2004006582A (en) 2002-04-12 2004-01-08 Shiro Sakai Light emitting device
US20050110426A1 (en) 2003-11-21 2005-05-26 Chiliang Shao Structure for LED lighting chain

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9642196B2 (en) 2013-03-14 2017-05-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package and light-emitting apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060094150A (en) 2006-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8492777B2 (en) Light emitting diode package, lighting device and light emitting diode package substrate
US8339059B2 (en) Light emitting device for AC operation
US9887185B2 (en) Packaging of LED chips and driver circuit on the same substrate
US8272757B1 (en) Light emitting diode lamp capable of high AC/DC voltage operation
US8820950B2 (en) Light emitting device and illumination apparatus
JP5379465B2 (en) Light emitting device
US7997760B2 (en) Enamel substrate for mounting light emitting elements, light emitting element module, illumination apparatus, display apparatus, and traffic signal
JP6616088B2 (en) LED assembly and LED bulb using the LED assembly
WO2006098561A1 (en) Light emitting apparatus
KR20080006857A (en) Light emitting diode package
JP2011071242A (en) Light emitting device and illuminating device
WO2012042962A1 (en) Light-emitting apparatus and method of manufacturing light-emitting apparatus
CN102214776B (en) Light emitting diode package, lighting device and light emitting diode package substrate
JP2011192703A (en) Light emitting device, and illumination apparatus
JP5858854B2 (en) LED module
KR20140121214A (en) Light emitting diode type hybrid power package module
KR100634189B1 (en) Thin light emitting diode package and method for manufacturing the same
KR101142939B1 (en) Luminous Device
KR101121726B1 (en) Luminous Device
KR101202177B1 (en) Luminous Device
JP5946311B2 (en) LED module
JP2011192704A (en) Light emitting device and lighting device
KR100683612B1 (en) Luminous Device
JP2007110113A (en) Led package
KR101171293B1 (en) Luminous Device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150303

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160304

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170308

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee