KR101122132B1

KR101122132B1 - Plasma processing apparatus

Info

Publication number: KR101122132B1
Application number: KR1020080100112A
Authority: KR
Inventors: 김남진
Original assignee: 김남진
Priority date: 2008-10-13
Filing date: 2008-10-13
Publication date: 2012-03-15
Also published as: KR20100041103A

Abstract

플라즈마 처리장치가 개시된다. 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버; 반응챔버의 상부에 마련되어 플라즈마를 생성시키는 전기장을 유도하는 안테나 모듈; 및 반응챔버와 안테나 모듈 사이에 배치되는 절연판을 포함하고, 안테나 모듈은, 절연판의 중심에 대하여 상호 대칭되도록 배치되는 복수개의 외부 안테나; 및 복수개의 외부 안테나의 내측 영역에서 절연판의 중심에 대하여 상호 대칭되도록 배치되는 복수개의 내부 안테나를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 전체적인 플라즈마 균일도를 향상시킬 수 있다.A plasma processing apparatus is disclosed. Plasma processing apparatus of the present invention, the reaction chamber for providing a space in which the plasma is generated; An antenna module provided at an upper portion of the reaction chamber to induce an electric field to generate a plasma; And an insulation plate disposed between the reaction chamber and the antenna module, the antenna module comprising: a plurality of external antennas arranged to be symmetrical with respect to the center of the insulation plate; And a plurality of internal antennas disposed to be symmetrical with respect to the center of the insulating plate in the inner regions of the plurality of external antennas. According to the present invention, the overall plasma uniformity can be improved.

플라즈마, 안테나, 절연판, 고주파전력 Plasma, Antenna, Insulation Plate, High Frequency Power

Description

Plasma Processing Equipment {PLASMA PROCESSING APPARATUS}

본 발명은, 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 플라즈마 처리장치에서 전체적인 플라즈마 균일도를 향상시키기 위한 안테나 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to an antenna module for improving the overall plasma uniformity in the plasma processing apparatus.

플라즈마 처리장치는, 태양전지 제작에 사용되는 기판, 평면디스플레이(Flat Panel Display, FPD) 제작에 사용되는 기판, 반도체 제작에 사용되는 기판 등에 미세한 패턴을 형성하기 위해 플라즈마(plasma)를 생성하여 증착 또는 에칭 공정을 수행하는 장치이다.Plasma processing apparatus generates and deposits plasma to form fine patterns on substrates used in solar cell fabrication, flat panel display (FPD) fabrication, and substrates used in semiconductor fabrication. An apparatus for performing an etching process.

이러한 플라즈마 처리장치는 플라즈마 생성 방식에 따라 축전결합형 플라즈마(CCP, Capacitively Coupled Plasma) 방식과, 유도결합형 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 방식으로 구분된다.The plasma processing apparatus is classified into a capacitively coupled plasma (CCP) method and an inductively coupled plasma (ICP) method according to a plasma generation method.

축전결합형 플라즈마 방식은, 고주파전력(RF전력)을 인가할 수 있도록 설계된 전극이 있는 것이 구조적 특징이며, 그 명칭에서도 알 수 있듯이 전극의 표면에 분포된 전하 때문에 형성된 축전전기장에 의해서 플라즈마가 발생하고 유지된다.The capacitively coupled plasma type has a structure that has an electrode designed to apply high frequency power (RF power). As the name suggests, the plasma is generated by the electric field formed due to the electric charges distributed on the surface of the electrode. maintain.

유도결합형 플라즈마 방식은, 구조적으로 코일 형태의 안테나를 구비하며, 안테나에 고주파전력을 인가하여 형성된 유도전기장에 의해서 플라즈마가 발생하고 유지된다.The inductively coupled plasma method has a structurally coiled antenna, and plasma is generated and maintained by an induction electric field formed by applying high frequency power to the antenna.

이러한 유도결합형 플라즈마 처리장치는 일반적으로 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버와, 반응챔버의 내부 아래쪽에 마련되어 기판이 안착되는 서셉터와, 반응챔버의 상부에 마련되어 플라즈마를 생성시키는 전기장을 유도하는 안테나 모듈과, 반응챔버와 안테나 모듈 사이에 배치되는 세라믹 재질의 절연판과, 안테나에 고주파전력을 공급하는 고주파전원을 구비한다.Such an inductively coupled plasma processing apparatus generally induces a reaction chamber that provides a space in which a plasma is generated, a susceptor provided below the reaction chamber to seat a substrate, and an electric field provided on the reaction chamber to generate a plasma. An antenna module, an insulating plate made of ceramic material disposed between the reaction chamber and the antenna module, and a high frequency power supply for supplying high frequency power to the antenna.

이때, 플라즈마 처리장치의 성능은 반응챔버 내에서 전체적인 플라즈마 균일도가 향상될수록 우수하다고 할 수 있는데, 이때, 전체적인 플라즈마 균일도는 플라즈마가 생성시키는 전기장을 유도하는 안테나 모듈의 구조 및 배치에 따라 달라진다.In this case, the performance of the plasma processing apparatus may be said to be excellent as the overall plasma uniformity is improved in the reaction chamber. In this case, the overall plasma uniformity varies depending on the structure and arrangement of the antenna module for inducing the electric field generated by the plasma.

한편, 최근 플라즈마 처리 대상이 되는 기판의 대형화 추세에 따라, 대형 크기의 기판에 적용되는 플라즈마 처리장치에 대한 요구가 증가하고 있는데, 이러한 대형 플라즈마 처리장치에는 전체적인 플라즈마 균일도가 확보되지 않는 문제점이 드러나고 있다.On the other hand, with the recent trend of increasing the size of the substrate to be subjected to the plasma treatment, there is an increasing demand for a plasma processing apparatus that is applied to a large sized substrate, the problem that the overall plasma uniformity is not secured in such a large plasma processing apparatus. .

따라서, 대형 플라즈마 처리장치에서도 전체적인 플라즈마 균일도를 확보할 수 있는 새로운 안테나 모듈의 구조 및 배치에 대한 연구 개발이 요구되고 있다.Therefore, the research and development of the structure and arrangement of the new antenna module that can ensure the overall plasma uniformity in a large plasma processing apparatus is required.

본 발명의 목적은, 안테나 모듈의 구조 및 배치를 개선하여 전체적인 플라즈 마 균일도를 향상시킬 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus that can improve the overall plasma uniformity by improving the structure and arrangement of the antenna module.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버의 상부에 마련되어 플라즈마를 생성시키는 전기장을 유도하는 안테나 모듈; 및 상기 반응챔버와 상기 안테나 모듈 사이에 배치되는 절연판을 포함하고, 상기 안테나 모듈은, 상기 절연판의 중심에 대하여 상호 대칭되도록 배치되는 복수개의 외부 안테나; 및 상기 복수개의 외부 안테나의 내측 영역에서 상기 절연판의 중심에 대하여 상호 대칭되도록 배치되는 복수개의 내부 안테나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치에 의해 달성된다.The object is, according to the present invention, a reaction chamber for providing a space in which a plasma is generated; An antenna module provided on an upper portion of the reaction chamber to induce an electric field to generate a plasma; And an insulation plate disposed between the reaction chamber and the antenna module, wherein the antenna module comprises: a plurality of external antennas arranged to be symmetrical with respect to the center of the insulation plate; And a plurality of internal antennas arranged to be symmetrical with respect to the center of the insulating plate in the inner regions of the plurality of external antennas.

여기서, 상기 복수개의 외부 안테나 각각은, 사각 형상의 코일 안테나로, 상기 절연판의 중심에 인접한 모서리부에서 접지되고, 상기 접지된 모서리부에 대해 대각선 방향에 위치하고 제1전력인입선이 연결된 모서리에 접속되며, 상기 복수개의 내부 안테나 각각은, 사각 형상의 코일 안테나로, 상기 절연판의 중심에 인접한 모서리부에서 접지되고, 상기 접지된 모서리에 대해 대각선 방향에 위치하고 제2전력인입선이 연결된 모서리에 접속될 수 있다.Here, each of the plurality of external antennas is a rectangular coil antenna and is grounded at an edge portion adjacent to the center of the insulating plate, and is connected to a corner disposed in a diagonal direction with respect to the grounded edge portion and connected to a first power lead wire. Each of the plurality of internal antennas may be a rectangular coil antenna, and may be grounded at an edge portion adjacent to the center of the insulating plate, and may be connected to a corner positioned diagonally with respect to the grounded edge and connected to a second power lead wire. .

상기 복수개의 외부 안테나에 인가되는 고주파전력의 위상과 상기 복수개의 내부 안테나에 인가되는 고주파전력의 위상을 다르게 설정하기 위한 위상조절수단을 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include phase adjusting means for differently setting a phase of the high frequency power applied to the plurality of external antennas and a phase of the high frequency power applied to the plurality of internal antennas.

상기 위상조절수단은, 상기 제1 전력인입선과 상기 제2 전력인입선 사이에 접속되는 콘덴서를 포함할 수 있다. 상기 콘덴서는, 가변 콘덴서일 수 있다.The phase adjusting means may include a capacitor connected between the first power lead wire and the second power lead wire. The capacitor may be a variable capacitor.

상기 복수개의 외부 안테나는 상호 병렬 접속되고, 상기 복수개의 내부 안테나는 상호 병렬 접속될 수 있다.The plurality of external antennas may be connected in parallel with each other, and the plurality of internal antennas may be connected in parallel with each other.

상기 복수개의 외부 안테나와 상기 복수개의 내부 안테나는 하나의 고주파전원에 접속될 수 있다.The plurality of external antennas and the plurality of internal antennas may be connected to one high frequency power source.

상기 복수개의 외부 안테나와 상기 복수개의 내부 안테나는 동일한 평면상에 배치되거나 상호 다른 평면상에 배치될 수 있다.The plurality of external antennas and the plurality of internal antennas may be disposed on the same plane or on different planes.

상기 절연판은 복수개의 단위절연판으로 분할되고, 상기 복수개의 단위절연판이 대응 배치되는 복수개의 개구부가 형성되어 상기 절연판을 지지하는 절연판 지지체를 더 포함할 수 있다.The insulating plate may be further divided into a plurality of unit insulating plates, and a plurality of openings in which the plurality of unit insulating plates are disposed may be formed, and further include an insulating plate support for supporting the insulating plate.

상기 절연판 지지체는, 사각 형상을 갖는 외곽 프레임; 및 상기 외곽 프레임의 내측 영역을 상기 복수개의 개구부로 분할하도록, 상기 외곽 프레임의 내측에서 가로 방향으로 배치되는 적어도 하나의 가로보와, 상기 외곽 프레임의 내측에서 세로 방향으로 배치되는 적어도 하나의 세로보를 포함할 수 있다.The insulating plate support, the outer frame having a rectangular shape; And at least one cross beam arranged in a horizontal direction from the inside of the outer frame, and at least one longitudinal beam arranged in a vertical direction from the inside of the outer frame to divide the inner region of the outer frame into the plurality of openings. can do.

상기 절연판 지지체는, 상기 적어도 하나의 가로보 중 상기 외곽 프레임의 중심을 지나는 가로보의 상부에 마련되는 제1 보강리브; 및 상기 적어도 하나의 세로보 중 상기 외곽 프레임의 중심을 지나는 세로보의 상부에 마련되는 제2 보강리브를 더 포함할 수 있다.The insulating plate support may include: a first reinforcing rib provided at an upper portion of the cross beam passing through the center of the outer frame among the at least one cross beam; And a second reinforcing rib provided at an upper portion of the stringer passing through the center of the outer frame among the at least one stringer.

상기 제1 보강리브는 상기 외곽 프레임의 중심 영역에서 상기 가로보에 대해 이격되고, 상기 제2 보강리브는 상기 외곽 프레임의 중심 영역에서 상기 세로보에 대해 이격될 수 있다.The first reinforcement ribs may be spaced apart from the cross beam in the center region of the outer frame, and the second reinforcement ribs may be spaced apart from the stringer in the center region of the outer frame.

상기 안테나 모듈이 외부로 노출되지 않도록 상기 안테나 모듈의 상측에 마련되고, 상부 영역과 하부 영역으로 구획되는 2단 구조의 접지케이스를 더 포함할 수 있다.The antenna module may further include a grounding case having a two-stage structure provided on an upper side of the antenna module so that the antenna module is not exposed to the outside and divided into an upper region and a lower region.

상기 상기 복수개의 외부 안테나와 상기 복수개의 내부 안테나는 상기 하부 영역에 배치될 수 있다.The plurality of external antennas and the plurality of internal antennas may be disposed in the lower region.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버의 상부에 마련되어 플라즈마를 생성시키는 전기장을 유도하는 안테나 모듈; 상기 반응챔버와 상기 안테나 모듈 사이에 배치되고, 복수개의 단위절연판으로 분할되는 절연판; 및 상기 복수개의 단위절연판이 대응 배치되는 복수개의 개구부가 형성되어 상기 절연판을 지지하는 절연판 지지체를 포함하고, 상기 안테나 모듈은, 상기 복수개의 단위절연판에 대응 배치되는 복수개의 안테나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치에 의해서도 달성될 수 있다.The object is, according to the present invention, a reaction chamber for providing a space in which a plasma is generated; An antenna module provided on an upper portion of the reaction chamber to induce an electric field to generate a plasma; An insulation plate disposed between the reaction chamber and the antenna module and divided into a plurality of unit insulation plates; And an insulating plate support having a plurality of openings in which the plurality of unit insulating plates are correspondingly formed to support the insulating plate, and wherein the antenna module includes a plurality of antennas corresponding to the plurality of unit insulating plates. It can also be achieved by a plasma processing apparatus.

여기서, 상기 복수개의 안테나 중 상기 절연판의 외곽 영역에 위치하는 안테나들 각각은, 사각 형상의 코일 안테나로, 4개의 모서리부 중 상기 절연판의 중심에서 가장 가까운 모서리부에서 접지되고, 상기 접지된 모서리부에 대해 대각선 방향으로 위치하는 모서리부에 제1 전력인입선이 접속되고, 상기 복수개의 안테나 중 상기 절연판의 중심 영역에 위치하는 안테나들 각각은, 사각 형상의 코일 안테나로, 4개의 모서리부 중 상기 절연판의 중심에서 가장 가까운 모서리부에서 접지되고, 상기 접지된 모서리부에 대해 대각선 방향으로 위치하는 모서리부에 제2 전력인입선이 접속될 수 있다.Here, each of the antennas positioned in the outer region of the insulating plate among the plurality of antennas is a rectangular coil antenna, and is grounded at the corner portion closest to the center of the insulating plate among four corner portions, and the grounded corner portion A first power lead wire is connected to a corner portion which is positioned diagonally with respect to, and each of the antennas positioned in the center region of the insulation plate among the plurality of antennas is a rectangular coil antenna, and the insulation plate among four corner portions. A second power lead wire may be connected to a corner portion that is grounded at the edge portion closest to the center of the edge portion and positioned diagonally with respect to the grounded edge portion.

상기 외곽 영역에 위치하는 안테나들에 인가되는 고주파전력의 위상과 상기 중심 영역에 위치하는 안테나들에 인가되는 고주파전력의 위상을 다르게 설정하기 위한 위상조절수단을 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include phase adjusting means for differently setting a phase of the high frequency power applied to the antennas positioned in the outer region and a phase of the high frequency power applied to the antennas located in the central region.

본 발명은, 복수개의 외부 안테나를 절연판의 중심에 대하여 상호 대칭되도록 배치하고 4개의 외부 안테나의 내측 영역에서 4개의 내부 안테나를 절연판의 중심에 대하여 상호 대칭되도록 배치함으로써, 전체적인 플라즈마 균일도를 향상시킬 수 있다.The present invention can improve the overall plasma uniformity by arranging a plurality of external antennas to be symmetrical with respect to the center of the insulating plate and arranging four internal antennas to be symmetrical with respect to the center of the insulating plate in the inner region of the four external antennas. have.

또한, 본 발명은, 절연판을 복수개의 단위절연판으로 분할하고, 복수개의 단위절연판에 복수개의 안테나를 대응 배치함으로써, 전체적인 플라즈마 균일도를 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention can improve the overall plasma uniformity by dividing the insulating plate into a plurality of unit insulating plates and correspondingly arranging a plurality of antennas on the plurality of unit insulating plates.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한 다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, in describing the present invention, descriptions of functions or configurations already known will be omitted to clarify the gist of the present invention.

먼저, 이하에서 설명할 「기판」이란, 태양전지 제작에 사용되는 기판, 평면디스플레이(Flat Panel Display, FPD) 제작에 사용되는 기판, 반도체 제작에 사용되는 기판 등을 가리키나, 설명의 편의를 위해 이들을 구분하지 않고 기판이라 하기로 한다.First, "substrate" to be described below refers to a substrate used for manufacturing a solar cell, a substrate used for producing a flat panel display (FPD), a substrate used for manufacturing a semiconductor, and the like. These are referred to as substrates without distinguishing them.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 처리장치에서 안테나 모듈의 구조 및 배치를 설명하기 위한 도면이며, 도 3은 도 1의 플라즈마 처리장치의 일부 사시도이고, 도 4는 도 3의 절연판 지지체의 일부 확대도이다.1 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view for explaining the structure and arrangement of the antenna module in the plasma processing apparatus of Figure 1, Figure 3 is A partial perspective view of the plasma processing apparatus, and FIG. 4 is a partially enlarged view of the insulating plate support of FIG. 3.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버(110)와, 반응챔버(110)의 내부에 마련되어 기판(10)이 안착되는 서셉터(120)와, 반응챔버(110)의 상부에 마련되는 안테나 모듈(130)과, 반응챔버(110)와 안테나 모듈(130) 사이에 배치되는 절연판(160)과, 절연판(160)을 지지하는 절연판 지지체(180)와, 안테나 모듈(130)이 외부로 노출되지 않도록 안테나 모듈(130)의 상측에 마련되는 접지케이스(150)를 구비한다.1 to 3, the plasma processing apparatus 100 according to the present embodiment includes a reaction chamber 110 that provides a space in which plasma is generated, and a substrate 10 provided inside the reaction chamber 110. The seated susceptor 120, the antenna module 130 provided on the reaction chamber 110, the insulating plate 160 disposed between the reaction chamber 110 and the antenna module 130, and the insulating plate ( The insulating plate support 180 supporting the 160 and the ground case 150 provided on the upper side of the antenna module 130 so that the antenna module 130 is not exposed to the outside.

한편, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는 유도결합형 플라즈마 증착장치(ICP, Inductively Coupled Plasma)이지만, 본 발명은 축전결합형 플라즈마 증착장치(PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)에도 적용될 수 있음은 물론이다. 그리고, 본 발명에서 「플라즈마 처리」란 플라즈마 에칭(Plasma Etching)과 플라즈마 증착(Plasma Vapor Deposition)의 의미를 포함한다.Meanwhile, although the plasma processing apparatus 100 according to the present embodiment is an inductively coupled plasma deposition apparatus (ICP), the present invention may be applied to a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Of course. In the present invention, "plasma treatment" includes the meanings of plasma etching and plasma deposition.

반응챔버(110)는, 기판(10)에 대해 플라즈마 증착 공정을 수행하기 위한 환경을 조성하고 플라즈마가 생성?반응되는 공간을 제공한다. 이때, 반응챔버(110)는 사각의 판면 형상을 갖는 기판(10)에 적합하도록 전체적으로 사각 형상을 갖는다. 다만, 본 발명에서 반응챔버(110)의 형상은 플라즈마 처리 대상이 되는 기판(10)의 종류 및 형상에 따라 변경될 수 있다.The reaction chamber 110 creates an environment for performing a plasma deposition process on the substrate 10 and provides a space where plasma is generated and reacted. At this time, the reaction chamber 110 has an overall rectangular shape so as to be suitable for the substrate 10 having a rectangular plate shape. However, in the present invention, the shape of the reaction chamber 110 may be changed according to the type and shape of the substrate 10 to be subjected to the plasma treatment.

서셉터(120)는, 반응챔버(110)의 내부 아래쪽에 마련되어 기판(10)을 지지하고, 반응챔버(110) 내에 생성된 플라즈마가 기판(10)의 표면에 충돌할 수 있도록 바이어스 고주파전력을 제공한다. 서셉터(120)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10)이 안착되는 고주파전극(121)과, 접지된 영역을 제공하는 접지전극(123)과, 고주파전극과 접지전극 사이에 개재되는 절연체(122)를 구비한다. 이때, 절연체(122)는 세라믹 및/또는 테프론 재질로 이루어진다.The susceptor 120 is provided below the inside of the reaction chamber 110 to support the substrate 10, and applies the bias high frequency power so that the plasma generated in the reaction chamber 110 may collide with the surface of the substrate 10. to provide. As shown in FIG. 1, the susceptor 120 is interposed between a high frequency electrode 121 on which the substrate 10 is seated, a ground electrode 123 providing a grounded region, and a high frequency electrode and a ground electrode. And an insulator 122 to be provided. In this case, the insulator 122 is made of ceramic and / or Teflon material.

한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 반응챔버(110)의 하부에는 서셉터(120)를 상하 방향으로 이동시키기 위한 Z축 구동모듈(190)이 마련되고, 반응챔버(110)의 내부 일측에는 서셉터(120)에 안착된 기판(10)의 테두리 부분을 보호하기 위한 새도우 프레임(125)이 마련된다.On the other hand, as shown in Figure 1, the lower portion of the reaction chamber 110 is provided with a Z-axis drive module 190 for moving the susceptor 120 in the vertical direction, the inner side of the reaction chamber 110 A shadow frame 125 is provided to protect the edge portion of the substrate 10 seated on the susceptor 120.

안테나 모듈(130)은, 고주파전원(미도시)으로부터 고주파전력을 인가받아 반응챔버(110)의 내부에 플라즈마를 생성시키는 전기장을 유도하는 수단으로, 사각 형상의 코일 안테나들의 조합으로 구성된다. 안테나 모듈(130)의 구조 및 배치에 대해서는 후술하기로 한다. 한편, 고주파전원(미도시)으로부터 공급되는 고주파전 력은 접지케이스(150)의 상부에 마련된 임피던스정합기(170)를 거쳐 접지케이스(150) 내에 배치된 전력인입선(141,142)을 통해 안테나 모듈(130)에 인가된다. 이때, 임피던스정합기(170)는 고주파전원(미도시)의 내부임피던스를 고주파전력이 공급되는 경로의 임피던스와 매칭(matching)시킨다.The antenna module 130 is a means for inducing an electric field for generating a plasma in the reaction chamber 110 by receiving a high frequency power from a high frequency power source (not shown), and is composed of a combination of square coil antennas. The structure and arrangement of the antenna module 130 will be described later. On the other hand, the high frequency power supplied from the high frequency power source (not shown) through the impedance matching unit 170 provided on the upper portion of the ground case 150 through the power lead wires (141, 142) disposed in the ground case 150 antenna module ( 130). In this case, the impedance matcher 170 matches the internal impedance of the high frequency power source (not shown) with the impedance of the path through which the high frequency power is supplied.

접지케이스(150)는, 안테나 모듈(130)의 상측에서 절연판 지지체(180)의 외곽 상단부에 결합된다. 접지케이스(150)는 금속 재질로 제작되어 안테나 모듈(130)의 접지단들(미도시)이 전기적으로 연결되는 접지된 영역을 제공한다. 아울러, 접지케이스(150)는 안테나 모듈(130)이 외부로 노출되지 않도록 한다.The ground case 150 is coupled to an outer upper end portion of the insulating plate support 180 on the antenna module 130. The grounding case 150 is made of a metal material to provide a grounded area in which grounding terminals (not shown) of the antenna module 130 are electrically connected. In addition, the ground case 150 prevents the antenna module 130 from being exposed to the outside.

접지케이스(150)는, 전체적으로 사각 형상으로, 중간판(152)에 의해 상부 영역과 하부 영역으로 구획되는 2단 구조를 갖는다. 이때, 안테나 모듈(130)은 접지케이스(150)의 하부 영역에 배치되고, 안네나 모듈에 고주파전력을 인가하는 전력인입선(141,142)은 접지케이스(150)의 상부 영역에 배치된다.. 상부 영역에 배치된 전력인입선(141,142)은 중간판(152)을 관통하여 안테나 모듈(130)에 접속된다. 이처럼, 안테나 모듈(130)은 2단 구조의 접지케이스(150)에 의해, 전력인입선(141,142)이 배치되는 영역과 분리되므로, 고주파전력 인가시 전력인입선(141,142)이 안테나 모듈(130)에 미치는 부작용을 최소화할 수 있다. 한편, 본 발명에서 접지케이스(150)의 형상은 반응챔버(110)의 형상 등에 따라 변경될 수 있다.The grounding case 150 has a quadrangular shape as a whole and has a two-stage structure divided into an upper region and a lower region by the intermediate plate 152. In this case, the antenna module 130 is disposed in the lower region of the ground case 150, and the power leads 141 and 142 for applying high frequency power to the anna module are disposed in the upper region of the ground case 150. The upper region Power lead wires 141 and 142 disposed in the through-intermediate plate 152 is connected to the antenna module 130. As described above, since the antenna module 130 is separated from the region where the power leads 141 and 142 are disposed by the ground case 150 having a two-stage structure, the power leads 141 and 142 affect the antenna module 130 when the high frequency power is applied. Side effects can be minimized. Meanwhile, in the present invention, the shape of the ground case 150 may be changed depending on the shape of the reaction chamber 110.

절연판(160)은, 세라믹 재질의 사각판 형상으로, 반응챔버(110)와 안테나 모듈(130) 사이에 배치된다. 안테나 모듈(130)에 고주파전력이 인가되면, 반응챔 버(110)의 내부에 플라즈마를 생성시키기 위한 유도전기장이 형성될 뿐만 아니라, 안테나 모듈(130) 표면에 고주파 주파수로 양전하와 음전하가 교대로 대전됨에 따라 축전전기장이 형성된다. 이때, 축전전기장은 플라즈마 초기 방전에 기여하기도 하지만, 스퍼터링(sputtering) 현상에 의해 플라즈마와 안테나 모듈(130) 사이에 존재하는 유전체를 손상시키는 한편, 플라즈마의 균일도를 떨어뜨리는 등 부정적인 영향을 미친다.The insulating plate 160 is in the shape of a ceramic square plate and is disposed between the reaction chamber 110 and the antenna module 130. When high frequency power is applied to the antenna module 130, not only an induction electric field is generated inside the reaction chamber 110 to generate plasma, but also positive and negative charges alternately at high frequency on the surface of the antenna module 130. As it is charged, a capacitive electric field is formed. At this time, the storage electric field may contribute to the initial discharge of the plasma, but the sputtering phenomenon damages the dielectric present between the plasma and the antenna module 130, and adversely affects the uniformity of the plasma.

절연판(160)은, 위와 같은 축전전기장으로 인한 부정적인 영향을 방지하는 수단으로, 축전전기장은 감소시키고 유도전기장을 플라즈마에 더 효과적으로 전달하도록 하는 역할을 담당한다. 즉, 절연판(160)은 안테나 모듈(130)과 플라즈마 사이의 용량성(축전성) 결합을 감소시킴으로써 고주파전력에 의한 에너지를 유도성 결합으로 플라즈마에 더 효과적으로 전달하도록 한다. 한편, 절연판(160)은 '패러데이 쉴드' 또는 '세라믹 윈도우'라고도 한다. Insulating plate 160 is a means for preventing the negative effects caused by the above-described capacitive electric field, serves to reduce the capacitive electric field and transfer the induced electric field to the plasma more effectively. That is, the insulating plate 160 reduces the capacitive (capacitive) coupling between the antenna module 130 and the plasma to more effectively transfer energy due to high frequency power to the plasma by inductive coupling. On the other hand, the insulating plate 160 is also referred to as 'Faraday shield' or 'ceramic window'.

절연판(160)은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 반응챔버(110)의 상부에서 실질적으로 동일한 평면상에 4개의 단위절연판(160a)으로 분할되는데, 각 단위절연판(160a)은 사각 형상을 갖는다. 다만, 본 발명에서 단위절연판(160a)의 개수는 4개에 한정되지 아니하며, 아울러 단위절연판(160a)으로 분할되지 않고 일체형의 절연판(160)이 사용될 수 있음은 물론이다.As shown in FIGS. 2 and 3, the insulating plate 160 is divided into four unit insulating plates 160a on substantially the same plane at the top of the reaction chamber 110, and each unit insulating plate 160a has a rectangular shape. It has a shape. However, in the present invention, the number of the unit insulating plates 160a is not limited to four, and of course, the unit insulating plate 160 may be used without being divided into the unit insulating plates 160a.

절연판 지지체(180)는, 반응챔버(110)의 측벽 상단에 결합되어 4개의 단위절연판(160a)으로 분할되는 절연판(160)을 지지한다. 절연판 지지체(180)에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 4개의 단위절연판(160a)이 대응 배치되는 4개의 개구부가 형 성되어 4개의 단위절연판(160a)이 안착된다. 구체적으로, 절연판 지지체(180)는, 사각 형상을 갖는 외곽 프레임(181), 외곽 프레임(181)의 내측 영역을 4개의 개구부로 분할하는 가로보(182) 및 세로보(183)를 구비한다. 다만, 본 발명에서 가로보(182)와 세로보(183)는 분할되는 단위절연판(160a)의 개수에 따라 요구되는 개수로 구비된다. 예를 들어, 본 실시예와 달리, 절연판(160)이 16개의 단위절연판(160a)으로 분할되는 경우, 3개의 가로보(182)와 3개의 세로보(183)가 구비되어야 한다.The insulating plate support 180 is coupled to the upper sidewall of the reaction chamber 110 to support the insulating plate 160 divided into four unit insulating plates 160a. As illustrated in FIG. 1, four openings in which four unit insulating plates 160a are disposed are formed in the insulating plate support 180, and four unit insulating plates 160a are seated. Specifically, the insulating plate support 180 includes an outer frame 181 having a rectangular shape, a horizontal beam 182 and a vertical beam 183 dividing an inner region of the outer frame 181 into four openings. However, in the present invention, the horizontal beams 182 and the vertical beams 183 are provided in the required number according to the number of unit insulating plates 160a to be divided. For example, unlike the present embodiment, when the insulating plate 160 is divided into 16 unit insulating plates 160a, three horizontal beams 182 and three stringers 183 should be provided.

절연판 지지체(180)에서, 가로보(182)는 외곽 프레임(181)의 내측에서 가로 방향으로 배치되고, 세로보(183)는 외곽 프레임(181)의 내측에서 세로 방향으로 배치된다. 가로보(182)와 세로보(183)는 외곽 프레임(181)의 중심에서 상호 교차한다. 절연판 지지체(180)를 구성하는 외곽 프레임(181), 가로보(182) 및 세로보(183)는 각각 별도로 제작된 후에 상호 결합할 수도 있지만, 본 실시예에서는 외곽 프레임(181), 가로보(182) 및 세로보(183)가 일체로 형성된다. 이에 따라, 가로보(182)와 세로보(183)의 교차 부분은 가로보(182)의 일 부분인 동시에 세로보(183)의 일 부분이 된다.In the insulating plate support 180, the cross beam 182 is disposed in the transverse direction at the inner side of the outer frame 181, and the stringer 183 is disposed in the vertical direction at the inner side of the outer frame 181. Horizontal beams 182 and stringers 183 cross each other at the center of the outer frame 181. The outer frame 181, the horizontal beams 182, and the vertical beams 183 constituting the insulating plate support 180 may be combined with each other after being manufactured separately, but in the present embodiment, the outer frame 181, the horizontal beams 182, The stringer 183 is integrally formed. Accordingly, the intersection of the horizontal beams 182 and the stringers 183 becomes a part of the horizontal beams 182 and a part of the vertical beams 183.

이와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는, 절연판(160)을 4개의 단위절연판(160a)으로 분할하고 이를 안정적으로 지지하는 절연판 지지체(180)를 구비함으로써, 대형 크기의 기판(10)에 대한 시스템에 적용함에 있어서도 기구적인 안정성을 확보할 수 있다.As described above, the plasma processing apparatus 100 according to the present exemplary embodiment includes an insulating plate support 180 for dividing the insulating plate 160 into four unit insulating plates 160a and stably supporting the substrate. In addition, it can secure mechanical stability even when applied to the system.

한편, 절연판 지지체(180)는, 절연판 지지체(180)의 강도를 보강하도록, 적 어도 하나의 보강리브를 구비할 수 있다. 본 실시예에서, 절연판 지지체(180)는, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 가로보(182)의 상부에 결합되는 아치형의 제1 보강리브(184)와, 세로보(183)의 상부에 결합되는 아치형의 제2 보강리브(185)를 구비한다.On the other hand, the insulating plate support 180 may be provided with at least one reinforcing rib to reinforce the strength of the insulating plate support 180. In the present embodiment, the insulating plate support 180, as shown in Figures 1 and 3, the arc-shaped first reinforcing ribs 184 coupled to the upper portion of the cross beam 182, and the upper portion of the stringer 183. It has an arcuate second reinforcing rib 185 to be coupled.

가로보(182)와 제1 보강리브(184) 사이의 결합 및 세로보(183)와 제2 보강리브(185) 사이의 결합은, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 외곽 프레임(181)의 중심 영역에서 각각 2개의 볼트(189)에 의해 이루어진다. 이때, 제1 보강리브(184)와 제2 보강리브(185)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 외곽 프레임(181)의 중심 영역에서 각각 가로보(182)와 세로보(183)에 대해 이격되는데, 이는 절연판(160) 상에 안테나 모듈(130)을 설치함에 있어서, 제1 보강리브(184)와 제2 보강리브(185)에 의해 설치 공간이 제한되지 않도록 하기 위함이다.Coupling between the crossbeam 182 and the first reinforcing rib 184 and coupling between the stringer 183 and the second reinforcing rib 185 may be performed in the outer frame 181 as shown in FIGS. 3 and 4. In the central region each is made by two bolts 189. In this case, as shown in FIG. 4, the first reinforcing rib 184 and the second reinforcing rib 185 are spaced apart from the horizontal beam 182 and the vertical beam 183 in the center region of the outer frame 181. This is to prevent the installation space from being limited by the first reinforcement ribs 184 and the second reinforcement ribs 185 in installing the antenna module 130 on the insulating plate 160.

상부가스분사노즐(112)과 측면가스분사노즐(114)은, 반응챔버(110)의 내에 플라즈마를 생성하기 위한 공정가스를 반응챔버(110)의 내부로 공급하는 수단이다.The upper gas injection nozzle 112 and the side gas injection nozzle 114 are means for supplying a process gas for generating plasma in the reaction chamber 110 into the reaction chamber 110.

상부가스분사노즐(112)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 절연판 지지체(180)의 하부에 결합되어 반응챔버(110)의 상부에서 기판(10)을 향하여 공정가스를 분사한다. 이때, 상부가스분사노즐(112)은 기구적 안정성을 확보하는 측면에서 가로보(182)와 세로보(183)의 교차 부분에 결합되는 것이 바람직하다.As illustrated in FIG. 1, the upper gas injection nozzle 112 is coupled to a lower portion of the insulating plate support 180 to inject a process gas toward the substrate 10 from the upper portion of the reaction chamber 110. At this time, the upper gas injection nozzle 112 is preferably coupled to the intersection of the cross beam 182 and the longitudinal beam 183 in terms of ensuring mechanical stability.

측면가스분사노즐(114)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 반응챔버(110)의 측벽에 결합되어 반응챔버(110)의 측부에서 기판(10)을 향하여 공정가스를 분사한다. 이때, 측면가스분사노즐(114)은 1개가 마련될 수도 있겠지만, 전체적인 플라즈마 증착 균일도의 향상을 위해 반응챔버(110)의 측벽의 둘레를 따라 소정의 간격을 두고 복수개가 마련되는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 1, the side gas injection nozzles 114 are coupled to sidewalls of the reaction chamber 110 to inject the process gas toward the substrate 10 from the side of the reaction chamber 110. In this case, one side gas injection nozzle 114 may be provided, but a plurality of side gas injection nozzles 114 may be provided at predetermined intervals along the circumference of the side wall of the reaction chamber 110 in order to improve overall plasma deposition uniformity.

이하, 본 실시예에 따른 안테나 모듈(130)의 구조 및 배치를 상세히 설명한다.Hereinafter, the structure and arrangement of the antenna module 130 according to the present embodiment will be described in detail.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 안테나 모듈(130)은, 절연판(160)의 중심에 대하여 상호 대칭되도록 배치되는 4개의 외부 안테나(131)와, 외부 안테나(131)의 내측 영역에서 절연판(160)의 중심에 대하여 상호 대칭되도록 배치되는 4개의 내부 안테나(132)를 구비한다. 다만, 본 발명에서, 외부 안테나(131) 및 내부 안테나(132)는 절연판(160)의 중심에 대하여 상호 대칭되도록 배치될 수 있다면, 외부 안테나(131)의 개수 및 내부 안테나(132)의 개수는 4개에 한정되지 아니하고 적절히 선택될 수 있음은 물론이다.1 to 3, the antenna module 130 includes four external antennas 131 disposed to be symmetrical with respect to the center of the insulating plate 160, and the insulating plate 160 in an inner region of the external antenna 131. Four internal antennas 132 are arranged to be symmetrical with respect to the center of the. However, in the present invention, if the external antenna 131 and the internal antenna 132 can be disposed to be symmetrical with respect to the center of the insulating plate 160, the number of the external antenna 131 and the number of the internal antenna 132 is Of course, it is not limited to four and can be appropriately selected.

외부 안테나(131)는 사각 형상의 코일 안테나로 분할된 단위절연판(160a)의 테두리에서 약간 안쪽으로 배치된다. 내부 안테나(132)는 외부 안테나(131)와 마찬가지로 사각 형상의 코일 안테나로 외부 안테나(131)의 내측 영역 중 절연판(160)의 중심에 인접하는 영역에 배치된다.The external antenna 131 is disposed slightly inward at the edge of the unit insulating plate 160a divided by the square coil antenna. Like the external antenna 131, the internal antenna 132 is a rectangular coil antenna and is disposed in a region adjacent to the center of the insulating plate 160 among the inner regions of the external antenna 131.

이때, 4개의 외부 안테나(131)와 4개의 내부 안테나(132)는 동일한 평면상에 배치된다. 다만, 본 실시예와 달리, 4개의 외부 안테나(131)와 4개의 내부 안테나(132)가 상호 다른 평면상에 배치될 수 있다. 즉, 4개의 외부 안테나(131)와 4개의 내부 안테나(132)는 복층 구조로 배치될 수 있다.In this case, four external antennas 131 and four internal antennas 132 are disposed on the same plane. However, unlike the present exemplary embodiment, four external antennas 131 and four internal antennas 132 may be disposed on different planes. That is, four external antennas 131 and four internal antennas 132 may be arranged in a multilayer structure.

또한, 4개의 외부 안테나(131)는 상호 병렬 접속되고, 4개의 내부 안테 나(132)는 상호 병렬 접속된다. 물론, 직렬 접속의 방식도 가능하겠지만, 전체 인덕턴스를 줄이는 측면에서 병렬 접속의 방식이 바람직하다. 이처럼, 전체 인덕턴스가 줄어들면 플라즈마 방사 효율이 향상된다.In addition, four external antennas 131 are connected in parallel with each other, and four internal antennas 132 are connected in parallel with each other. Of course, a serial connection method may be possible, but a parallel connection method is preferable in view of reducing the overall inductance. As such, reducing the overall inductance improves plasma radiation efficiency.

이와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는, 4개의 외부 안테나(131)를 절연판(160)의 중심에 대하여 상호 대칭되도록 배치하고 4개의 외부 안테나(131)의 내측 영역에서 4개의 내부 안테나(132)를 절연판(160)의 중심에 대하여 상호 대칭되도록 배치함으로써, 전체적으로 안테나들의 배치가 기판(10)의 중앙 영역과 외곽 영역으로 구분되면서 중심 대칭 또는 대각선 대칭을 형성하므로, 전체적인 플라즈마 균일도를 향상시킬 수 있다.As such, in the plasma processing apparatus 100 according to the present exemplary embodiment, four external antennas 131 are arranged to be symmetrical with respect to the center of the insulating plate 160, and four external antennas 131 are arranged in the inner region of the four external antennas 131. By arranging the internal antennas 132 so as to be symmetrical with respect to the center of the insulating plate 160, the arrangement of the antennas is divided into a center region and an outer region of the substrate 10 as a whole to form a center symmetry or a diagonal symmetry, and thus overall plasma uniformity. Can improve.

한편, 안테나 모듈(130)은 전력인입선(141,142)을 통해 고주파전원(미도시)으로부터 고주파전력이 인가되는데, 이때 외부 안테나(131)는 제1 전력인입선(141)을 통해 고주파전력이 인가되고, 내부 안테나(132)는 제2 전력인입선(142)을 통해 고주파전력이 인가된다.On the other hand, the antenna module 130 is a high frequency power is applied from a high frequency power source (not shown) through the power lead wires (141, 142), the external antenna 131 is a high frequency power is applied through the first power lead wire 141, The high frequency power is applied to the internal antenna 132 through the second power lead line 142.

구체적으로, 외부 안테나(131)는 절연판(160)의 중심에 인접한 모서리부(131b)에서 접지되고, 접지된 모서리부(131b)에 대해 대각선 방향으로 위치한 모서리부(131a)에 제1 전력인입선(141)이 접속된다. 그리고, 내부 안테나(132)는 절연판(160)의 중심에 인접한 모서리부(132b)에서 접지되고, 접지된 모서리부에 대해 대각선 방향으로 위치한 모서리부(132a)에 제2 전력인입선(142)이 접속된다. 즉, 외부 안테나(131)와 내부 안테나(132) 모두는, 고주파전력이 인가되는 위치와 접지되는 위치가 대각선으로 배치된다.In detail, the external antenna 131 is grounded at the edge portion 131b adjacent to the center of the insulating plate 160, and has a first power lead line at the edge portion 131a positioned diagonally with respect to the grounded edge portion 131b. 141 is connected. In addition, the internal antenna 132 is grounded at the edge portion 132b adjacent to the center of the insulating plate 160, and the second power lead wire 142 is connected to the edge portion 132a positioned diagonally with respect to the grounded edge portion. do. That is, in both the external antenna 131 and the internal antenna 132, a position where high frequency power is applied and a position where it is grounded are arranged diagonally.

이때, 외부 안테나(131)의 접지된 모서리부(131b)와 내부 안테나(132)의 접지된 모서리부(132b)는 절연판 지지체(180)의 중심부(가로보(182)와 세로보(183)가 교차하는 부분)에 접지선(미도시)을 통해 접속됨으로써 접지된다. 이와 달리, 외부 안테나(131)의 접지된 모서리부(131b)와 내부 안테나(132)의 접지된 모서리부(132b)를 접지케이스(150)에 접속하여 접지시킬 수 있지만, 절연판 지지체(180)와 접지케이스(150)는 상호 전기적으로 연결되므로, 접지케이스(150) 내의 공간 활용 측면에서 외부 안테나(131)의 접지된 모서리부(131b)와 내부 안테나(132)의 접지된 모서리부(132b)를 절연판 지지체(180)의 중심부에 접속하여 접지시키는 것이 바람직하다.In this case, the grounded edge portion 131b of the external antenna 131 and the grounded edge portion 132b of the internal antenna 132 may cross the center of the insulating plate support 180 (horizontal beam 182 and stringer 183). Part) to ground through a ground wire (not shown). Alternatively, the grounded corner portion 131b of the external antenna 131 and the grounded corner portion 132b of the internal antenna 132 may be grounded by being connected to the grounding case 150, but the insulation plate support 180 may be grounded. Since the grounding case 150 is electrically connected to each other, the grounded edge portion 131b of the external antenna 131 and the grounded edge portion 132b of the internal antenna 132 may be disposed in terms of space utilization in the grounding case 150. It is preferable to connect to the center of the insulating plate support 180 to ground.

결과적으로, 제1 전력인입선(141)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 대각선 방향으로 분기되는 십자형 배치 형태를 갖는다. 또한, 제2 전력인입선(142)은, 제1 전력인입선(141)의 하부 내측 영역에서 대각선 방향으로 분기되는 십자형 배치 형태를 갖는다.As a result, the first power lead wire 141 has a cross-shaped arrangement form branching in a diagonal direction, as shown in FIG. 3. In addition, the second power lead wire 142 has a cross-shaped arrangement form branching in a diagonal direction in the lower inner region of the first power lead wire 141.

이와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는, 기판(10)의 대각 위치에 해당하는 안테나들의 모서리부들(131a,132a)에 고주파전력을 인가하고 기판(10)의 중심 위치에 해당하는 안테나들의 모서리부들(131b,132b)을 접지시킴으로서, 플라즈마 밀도가 높은 고주파전력이 인가되는 부분들이 기판(10)의 중심 또는 절연판(160)의 중심에 대하여 대각선 방향으로 대칭 배치되므로, 전체적인 플라즈마 균일도를 더욱 향상시킬 수 있다.As such, the plasma processing apparatus 100 according to the present embodiment applies high frequency power to the corner portions 131a and 132a of the antennas corresponding to the diagonal positions of the substrate 10 and corresponds to the center position of the substrate 10. By grounding the corners 131b and 132b of the antennas, the portions to which high-frequency power with high plasma density is applied are symmetrically disposed in a diagonal direction with respect to the center of the substrate 10 or the center of the insulating plate 160, and thus the overall plasma uniformity. Can be further improved.

도 1 및 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는, 4개 의 외부 안테나(131)에 인가되는 고주파전력의 위상과 4개의 내부 안테나(132)에 인가되는 고주파전력의 위상을 다르게 설정하기 위한 위상조절수단으로 가변 콘덴서(145)를 더 구비한다.1 and 3, the plasma processing apparatus 100 according to the present embodiment includes a phase of high frequency power applied to four external antennas 131 and a high frequency power applied to four internal antennas 132. A variable condenser 145 is further provided as a phase adjusting means for differently setting the phase of?.

가변 콘덴서(145)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전력인입선(141)과 제2 전력인입선(142) 사이에 접속된다. 이에 따라, 4개의 외부 안테나(131)와 4개의 내부 안테나(132)를 하나의 고주파전원(미도시)에 접속하더라도, 가변 콘덴서(145)의 용량을 조절함으로써, 4개의 외부 안테나(131)에 인가되는 고주파전력과 4개의 내부 안테나(132)에 인가되는 고주파전력의 위상 차이를 조절하는 것이 가능해진다. 이때, 가변 콘덴서(145)의 용량은 기판(10)의 중앙 영역과 외곽 영역에 대한 플라즈마 밀도의 차이를 최소화하는 방향으로 설정된다. 한편, 본 실시예와 달리, 위상조절수단은 일정 용량을 갖는 콘덴서로 구현될 수 있으며, 더 나아가 고주파전력의 위상 조절이 가능한 다른 전기소자들로 구현될 수 있음은 물론이다.As shown in FIG. 3, the variable capacitor 145 is connected between the first power lead line 141 and the second power lead line 142. Accordingly, even though the four external antennas 131 and the four internal antennas 132 are connected to one high frequency power source (not shown), by adjusting the capacity of the variable capacitor 145, the four external antennas 131 are provided. The phase difference between the high frequency power applied and the high frequency power applied to the four internal antennas 132 can be adjusted. In this case, the capacitance of the variable capacitor 145 is set in a direction that minimizes the difference between the plasma density of the center region and the outer region of the substrate 10. On the other hand, unlike the present embodiment, the phase adjusting means may be implemented as a capacitor having a predetermined capacity, and further may be implemented as other electrical elements capable of adjusting the phase of the high frequency power.

이와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는, 기판(10)의 중앙 영역과 외곽 영역에 대한 플라즈마 밀도의 차이를 최소화하는 방향으로 4개의 외부 안테나(131)에 인가되는 고주파전력의 위상과 4개의 내부 안테나(132)에 인가되는 고주파전력의 위상을 다르게 설정함으로써, 전체적인 플라즈마 균일도를 더욱 향상시킬 수 있다.As described above, the plasma processing apparatus 100 according to the present exemplary embodiment has a high frequency power applied to the four external antennas 131 in the direction of minimizing the difference between the plasma density of the center region and the outer region of the substrate 10. By setting the phase and the phase of the high frequency power applied to the four internal antennas 132 differently, the overall plasma uniformity can be further improved.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적인 구성도이고, 도 6은 도 5의 플라즈마 처리장치에서 안테나 모듈의 구조 및 배치를 설명하기 위한 도면이다. 전술한 실시예와 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸 다. 이하, 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.5 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention, Figure 6 is a view for explaining the structure and arrangement of the antenna module in the plasma processing apparatus of FIG. The same reference numerals as the above-described embodiment indicate the same components. Hereinafter, a description will be given focusing on differences from the above-described embodiment.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(200)는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버(110)와, 반응챔버(110)의 내부에 마련되어 기판(10)이 안착되는 서셉터(120)와, 반응챔버(110)의 상부에 마련되는 안테나 모듈(130)과, 반응챔버(110)와 안테나 모듈(130) 사이에 배치되는 절연판(260)과, 절연판(260)을 지지하는 절연판 지지체(280)와, 안테나 모듈(130)이 외부로 노출되지 않도록 안테나 모듈(130)의 상측에 마련되는 접지케이스(150)를 구비한다.5 and 6, the plasma processing apparatus 200 according to the present embodiment includes a reaction chamber 110 that provides a space in which plasma is generated, and a substrate 10 provided inside the reaction chamber 110. The seated susceptor 120, an antenna module 130 provided on the reaction chamber 110, an insulation plate 260 disposed between the reaction chamber 110 and the antenna module 130, and an insulation plate ( The insulating plate support 280 supporting the 260 and the ground case 150 provided on the upper side of the antenna module 130 so that the antenna module 130 is not exposed to the outside.

절연판(260)은, 전술한 실시예와 달리, 반응챔버(110)의 상부에서 실질적으로 동일한 평면상에 16개의 단위절연판(260a)으로 분할된다. 이에 따라, 절연판 지지체(280)는, 16개의 단위절연판(260a)으로 분할되는 절연판(260)을 지지하기 위해, 16개의 단위절연판(260a)이 대응 배치되는 16개의 개구부가 형성된다.Unlike the above-described embodiment, the insulating plate 260 is divided into 16 unit insulating plates 260a on substantially the same plane at the top of the reaction chamber 110. Accordingly, in order to support the insulating plate 260 divided into the sixteen unit insulating plates 260a, the insulating plate support 280 is provided with sixteen openings in which the sixteen unit insulating plates 260a are disposed.

구체적으로, 절연판 지지체(280)는, 사각 형상을 갖는 외곽 프레임(281), 외곽 프레임(281)의 내측 영역을 16개의 개구부로 분할하는 3개의 가로보(282) 및 3개의 세로보(283)를 구비한다.Specifically, the insulating plate support 280 includes an outer frame 281 having a rectangular shape, three horizontal beams 282 and three stringers 283 for dividing the inner region of the outer frame 281 into 16 openings. do.

또한, 절연판 지지체(280)는, 절연판 지지체(280)의 강도를 보강하도록, 3개의 가로보(282) 중 외곽 프레임(281)의 중심을 지나는 가로보(282)의 상부에 결합되는 아치형의 제1 보강리브(284)와, 3개의 세로보(283) 중 외곽 프레임(281)의 중심을 지나는 세로보(283)의 상부에 결합되는 아치형의 제2 보강리브(285)를 구비한다. 제1 보강리브(284)와 제2 보강리브(285)에 대한 사항은 전술한 실시예와 실질 적으로 동일하다(도 3 및 도 4 참조).In addition, the insulating plate support 280 is an arcuate first reinforcement coupled to an upper portion of the cross beam 282 passing through the center of the outer frame 281 of the three cross beams 282 to reinforce the strength of the insulating plate support 280. A rib 284 and an arcuate second reinforcement rib 285 coupled to an upper portion of the stringer 283 passing through the center of the outer frame 281 of the three stringers 283 are provided. The matters of the first reinforcing rib 284 and the second reinforcing rib 285 are substantially the same as in the above-described embodiment (see FIGS. 3 and 4).

또한, 상부가스분사노즐(212)은, 도 5 및 도 6에 명확히 도시되지 않았지만, 절연판 지지체(280)를 구성하는 3개의 가로보(282)와 3개의 세로보(283)의 교차 부분들에 9개가 결합된다.In addition, although the upper gas injection nozzle 212 is not clearly shown in FIGS. 5 and 6, nine upper portions of the cross beams of the three cross beams 282 and three string beams 283 constituting the insulating plate support 280 are provided. Combined.

한편, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(200)에서 안테나 모듈(130)의 구조 및 배치는, 전술한 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)에서 안테나 모듈(130)의 구조 및 배치와 실질적으로 동일하다. 다만, 외부 안테나(131)는 4개의 단위절연판(260a)에 의해 한정되는 영역에 배치되고, 내부 안테나(132)는 1개의 단위절연판(260a)에 의해 한정되는 영역에 배치된다.Meanwhile, the structure and arrangement of the antenna module 130 in the plasma processing apparatus 200 according to the present embodiment are substantially the same as the structure and arrangement of the antenna module 130 in the plasma processing apparatus 100 according to the above-described embodiment. same. However, the external antenna 131 is disposed in an area defined by four unit insulating plates 260a, and the internal antenna 132 is disposed in an area defined by one unit insulating plate 260a.

이와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(200)는, 절연판(260)을 16개의 단위절연판(260a)으로 분할하고 이를 안정적으로 지지하는 절연판 지지체(280)를 구비함으로써, 대형 크기의 기판(10)에 대한 시스템에 적용함에 있어서 기구적인 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다. 아울러, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(200)는, 전술한 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)가 갖는 이점들을 포함한다.As described above, the plasma processing apparatus 200 according to the present exemplary embodiment includes a substrate having a large size by dividing the insulating plate 260 into sixteen unit insulating plates 260a and having an insulating plate support 280 for stably supporting the insulating plate 260. The mechanical stability of the system can be further improved. In addition, the plasma processing apparatus 200 according to the present embodiment includes advantages of the plasma processing apparatus 100 according to the above-described embodiment.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적인 구성도이고, 도 8은 도 7의 플라즈마 처리장치에서 안테나 모듈의 구조 및 배치를 설명하기 위한 도면이며, 도 9는 도 7의 플라즈마 처리장치의 일부 사시도이다. 전술한 실시예와 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. 이하, 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.7 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention, FIG. 8 is a view for explaining the structure and arrangement of an antenna module in the plasma processing apparatus of FIG. 7, and FIG. 9 is FIG. 7. Is a partial perspective view of the plasma processing apparatus. Like reference numerals denote the same components as the above-described embodiments. Hereinafter, a description will be given focusing on differences from the above-described embodiment.

도 7 내지 도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(300)는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버(110)와, 반응챔버(110)의 내부에 마련되어 기판(10)이 안착되는 서셉터(120)와, 반응챔버(110)의 상부에 마련되는 안테나 모듈(330)과, 반응챔버(110)와 안테나 모듈(330) 사이에 배치되고 16개의 단위절연판(260a)으로 분할되는 절연판(260)과, 절연판(260)을 지지하는 절연판 지지체(280)와, 안테나 모듈(330)이 외부로 노출되지 않도록 안테나 모듈(330)의 상측에 마련되는 접지케이스(150)를 구비한다.7 to 9, the plasma processing apparatus 300 according to the present embodiment includes a reaction chamber 110 that provides a space in which plasma is generated, and a substrate 10 provided inside the reaction chamber 110. The seated susceptor 120, the antenna module 330 provided on the reaction chamber 110, and the reaction chamber 110 and the antenna module 330 disposed between the 16 unit insulating plates 260a. An insulating plate 260 to be divided, an insulating plate support 280 for supporting the insulating plate 260, and a ground case 150 provided on the upper side of the antenna module 330 so that the antenna module 330 is not exposed to the outside. do.

안테나 모듈(330)은, 전술한 실시예들과 달리, 16개의 단위절연판(260a)에 대응 배치되는 16개의 안테나(331,332)를 구비한다. 이때, 16개의 안테나(331,332) 모두는 실질적으로 동일한 크기를 갖는 사각 형상의 코일 안테나로, 각 단위절연판(260a)에 의해 한정되는 영역에 각각 배치된다.Unlike the above-described embodiments, the antenna module 330 includes sixteen antennas 331 and 332 disposed corresponding to the sixteen unit insulating plates 260a. In this case, all 16 antennas 331 and 332 are rectangular coil antennas having substantially the same size, and are disposed in regions defined by the unit insulating plates 260a, respectively.

다만, 본 발명에서, 안테나의 개수는 16개 한정되지 아니하고, 분할되는 단위절연판(260a)의 개수에 따라 적절히 선택될 수 있음은 물론이다. 또한, 16개의 안테나(331,332) 모두는 동일한 평면상에 배치된다. 다만, 본 실시예와 달리, 16개의 안테나(331,332) 중 일부 안테나들은 제1 평면상에, 다른 안테나들은 제2 평면상에 복층 구조로 배치될 수 있다.However, in the present invention, the number of antennas is not limited to 16 and may be appropriately selected according to the number of divided unit insulating plates 260a. In addition, all sixteen antennas 331 and 332 are arranged on the same plane. However, unlike the present exemplary embodiment, some of the sixteen antennas 331 and 332 may be arranged in a multilayer structure on the first plane and other antennas on the second plane.

이와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(300)는, 절연판(260)을 16개의 단위절연판(260a)으로 분할하고, 16개의 단위절연판(260a)에 16개의 안테나(331,332)를 대응 배치함으로써, 전체적인 플라즈마 균일도를 향상시킬 수 있다.As described above, the plasma processing apparatus 300 according to the present embodiment divides the insulating plate 260 into sixteen unit insulating plates 260a, and correspondingly arranges sixteen antennas 331 and 332 on the sixteen unit insulating plates 260a. The overall plasma uniformity can be improved.

한편, 16개의 안테나(331,332)는, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 절연 판(260)의 외곽 영역에 위치하는 12개의 안테나(331)와, 절연판(260)의 중앙 영역에 위치하는 4개의 안테나(332)로 구분된다. 이때, 외곽 영역에 위치하는 12개의 안테나(331)는 제1 전력인입선(341)을 통해 고주파전력이 인가되고, 중앙 영역에 위치하는 4개의 안테나(332)는 제2 전력인입선(342)을 통해 고주파전력이 인가된다. 본 발명에서, 외곽 영역과 중앙 영역은 안테나의 개수에 따라 다르게 설정될 수 있다.Meanwhile, as illustrated in FIGS. 8 and 9, the sixteen antennas 331 and 332 are located in the central region of the twelve antennas 331 located in the outer region of the insulating plate 260 and the insulating plate 260. It is divided into four antennas 332. In this case, high frequency power is applied to the twelve antennas 331 positioned in the outer region through the first power lead wire 341, and four antennas 332 located in the central region are connected to the second power lead wire 342. High frequency power is applied. In the present invention, the outer region and the central region may be set differently according to the number of antennas.

외곽 영역에 위치하는 12개의 안테나(331) 각각은, 4개의 모서리부 중 절연판(260)의 중심에서 가장 까가운 모서리부(331b)에서 접지되고, 접지된 모서리부(331b)에 대해 대각선 방향으로 위치하는 모서리부(331a)에서 제1 전력인입선(341)이 접속된다.Each of the twelve antennas 331 positioned in the outer region is grounded at the corner portion 331b closest to the center of the insulating plate 260 among the four corner portions, and is diagonal to the grounded corner portion 331b. The first power lead wire 341 is connected to the corner portion 331a located.

중앙 영역에 위치하는 4개의 안테나(332) 각각은, 4개의 모서리부 중 절연판(260)의 중심에서 가장 까가운 모서리부(332b)에서 접지되고, 접지된 모서리부(332b)에 대해 대각선 방향으로 위치하는 모서리부(332a)에서 제2 전력인입선(342)이 접속된다.Each of the four antennas 332 positioned in the center region is grounded at the corner portion 332b closest to the center of the insulating plate 260 among the four corner portions, and diagonally with respect to the grounded corner portion 332b. The second power lead wire 342 is connected to the corner portion 332a located.

이때, 16개의 안테나(331,332)의 접지된 모서리부들(331b,332b)은, 절연판 지지체(280)를 구성하는 가로보(282)와 세로보(283) 중 어느 하나에 접지선(미도시)을 통해 접속됨으로써 접지된다.In this case, the grounded corners 331b and 332b of the sixteen antennas 331 and 332 are connected to one of the cross beams 282 and the stringers 283 constituting the insulating plate support 280 through a ground wire (not shown). Grounded.

결과적으로, 제1 전력인입선(341)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 대각선 방향으로 분기되는 십자형 배치 형태를 갖되, 절연판(260)의 4개의 모서리 영역에서 각각 3개로 분기되어 외곽 영역에 위치하는 12개의 안테나(331)에 접속된다. 또한, 제2 전력인입선(342)은, 제1 전력인입선(341)의 하부 내측 영역에서 대각선 방향으로 분기되는 십자형 배치 형태로 중앙 영역에 위치하는 4개의 안테나(332)에 접속된다.As a result, as shown in FIG. 9, the first power lead wire 341 has a cross-shaped arrangement that is branched in a diagonal direction, and is branched into three in four corner regions of the insulating plate 260 and positioned in the outer region. Are connected to twelve antennas 331. In addition, the second power lead wire 342 is connected to four antennas 332 positioned in the central area in the form of a cross-shaped arrangement branching in a diagonal direction from the lower inner region of the first power lead wire 341.

이와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(300)는, 16개의 안테나(331,332)를 외곽 영역에 위치하는 12개의 안테나(331)와 중앙 영역에 위치하는 4개의 안테나(332)로 구분하고, 플라즈마 밀도가 높은 고주파전력이 인가되는 부분들이 기판(10)의 중심 또는 절연판(260)의 중심에 대하여 대각선 방향으로 대칭 배치되도록, 제1 전력인입선(341)과 제2 전력인입선(342)을 각각 접속함으로써, 전체적인 플라즈마 균일도를 더욱 향상시킬 수 있다.As described above, the plasma processing apparatus 300 according to the present exemplary embodiment divides the sixteen antennas 331 and 332 into twelve antennas 331 positioned in the outer region and four antennas 332 positioned in the central region. The first power lead line 341 and the second power lead line 342 are respectively arranged such that portions to which high frequency power with high plasma density is applied are symmetrically disposed diagonally with respect to the center of the substrate 10 or the center of the insulating plate 260. By connecting, the overall plasma uniformity can be further improved.

도 7 및 도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(300)는, 외곽 영역에 위치하는 12개의 안테나(331)에 인가되는 고주파전력의 위상과 중앙 영역에 위치하는 4개의 안테나(332)에 인가되는 고주파전력의 위상을 다르게 설정하기 위한 위상조절수단으로 가변 콘덴서(345)를 더 구비한다.Referring to FIGS. 7 and 9, the plasma processing apparatus 300 according to the present exemplary embodiment may include a phase of high frequency power applied to twelve antennas 331 positioned in an outer region and four antennas positioned in a central region. A variable capacitor 345 is further provided as a phase adjusting means for differently setting the phase of the high frequency power applied to 332.

가변 콘덴서(345)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 전력인입선(341)과 제2 전력인입선(342) 사이에 접속된다. 이에 따라, 외곽 영역에 위치하는 12개의 안테나(331)와 중앙 영역에 위치하는 4개의 안테나(332)를 하나의 고주파전원(미도시)에 접속하더라도, 가변 콘덴서(345)의 용량을 조절함으로써, 외곽 영역에 위치하는 12개의 안테나(331)와 중앙 영역에 위치하는 4개의 안테나(332)에 인가되는 고주파전력의 위상 차이를 조절하는 것이 가능해진다. 이때, 가변 콘덴서(345)의 용량은 기판(10)의 중앙 영역과 외곽 영역에 대한 플라즈마 밀도의 차이를 최소화하는 방 향으로 설정된다. 한편, 본 실시예와 달리, 위상조절수단은 일정 용량을 갖는 콘덴서로 구현될 수 있으며, 더 나아가 고주파전력의 위상 조절이 가능한 다른 전기소자들로 구현될 수 있음은 물론이다.As shown in FIG. 9, the variable capacitor 345 is connected between the first power lead line 341 and the second power lead line 342. Accordingly, even if the twelve antennas 331 located in the outer region and the four antennas 332 located in the central region are connected to one high frequency power supply (not shown), by adjusting the capacitance of the variable capacitor 345, It is possible to adjust the phase difference of the high frequency power applied to the twelve antennas 331 located in the outer region and the four antennas 332 located in the central region. At this time, the capacitance of the variable capacitor 345 is set in a direction to minimize the difference in the plasma density of the central region and the outer region of the substrate 10. On the other hand, unlike the present embodiment, the phase adjusting means may be implemented as a capacitor having a predetermined capacity, and further may be implemented as other electrical elements capable of adjusting the phase of the high frequency power.

이와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(300)는, 기판(10)의 중앙 영역과 외곽 영역에 대한 플라즈마 밀도의 차이를 최소화하는 방향으로 외곽 영역에 위치하는 12개의 안테나(331)에 인가되는 고주파전력의 위상과 중앙 영역에 위치하는 4개의 안테나(332)에 인가되는 고주파전력의 위상을 다르게 설정함으로써, 전체적인 플라즈마 균일도를 더욱 향상시킬 수 있다.As such, the plasma processing apparatus 300 according to the present exemplary embodiment is applied to twelve antennas 331 positioned in the outer region in a direction of minimizing the difference in plasma density between the central region and the outer region of the substrate 10. By setting the phase of the high frequency power to be different from the phase of the high frequency power applied to the four antennas 332 positioned in the center region, the overall plasma uniformity can be further improved.

본 발명은 전술한 실시예들에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.It is apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, such modifications or variations will have to be belong to the claims of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 플라즈마 처리장치에서 안테나 모듈의 구조 및 배치를 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining the structure and arrangement of the antenna module in the plasma processing apparatus of FIG.

도 3은 도 1의 플라즈마 처리장치의 일부 사시도이고, 도 4는 도 3의 절연판 지지체의 일부 확대도이다.3 is a partial perspective view of the plasma processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 4 is an enlarged view of a portion of the insulating plate support of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적인 구성도이다.5 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 플라즈마 처리장치에서 안테나 모듈의 구조 및 배치를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining the structure and arrangement of the antenna module in the plasma processing apparatus of FIG.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적인 구성도이다.7 is a schematic structural diagram of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 8은 도 7의 플라즈마 처리장치에서 안테나 모듈의 구조 및 배치를 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining the structure and arrangement of the antenna module in the plasma processing apparatus of FIG.

도 9는 도 7의 플라즈마 처리장치의 일부 사시도이다.9 is a partial perspective view of the plasma processing apparatus of FIG. 7.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100,200,300 : 플라즈마 처리장치100,200,300: Plasma Treatment Equipment

110 : 반응챔버 120 : 서셉터110: reaction chamber 120: susceptor

130,330 : 안테나 모듈 141,341 : 제1 전력인입선130,330: antenna module 141,341: first power lead wire

142,342 : 제2 전력인입선 150 : 접지케이스142,342: second power lead wire 150: grounding case

160,260 : 절연판 160a,260a : 단위절연판160,260: Insulation plate 160a, 260a: Unit insulation plate

170 : 임피던스정합기 180,280 : 절연판 지지체170: impedance matcher 180,280: insulating plate support

Claims

A reaction chamber providing a space in which a plasma is generated;

An antenna module provided on an upper portion of the reaction chamber to induce an electric field to generate a plasma; And

An insulation plate disposed between the reaction chamber and the antenna module,

The antenna module,

A plurality of external antennas disposed to be symmetrical with respect to the center of the insulating plate; And

A plurality of internal antennas disposed to be symmetrical with respect to the center of the insulating plate in the inner regions of the plurality of external antennas,

Each of the plurality of external antennas,

A rectangular coil antenna, which is grounded at an edge portion adjacent to the center of the insulation plate and is connected to a corner which is positioned diagonally with respect to the grounded edge portion and connected to a first power lead wire.

Each of the plurality of internal antennas,

A rectangular coil antenna, which is grounded at an edge portion adjacent to the center of the insulating plate, is connected to a corner positioned in a diagonal direction with respect to the grounded edge portion and connected to a second power lead wire.

It is provided on the upper side of the antenna module, and comprises a grounding case of a two-stage structure divided into an upper region and a lower region by an intermediate plate,

The first power lead wire and the second power lead wire are disposed in an upper region of the ground case, and the plurality of external antennas and the plurality of internal antennas are disposed in a lower region of the ground case. .

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The method of claim 1,

And a phase adjusting means for differently setting a phase of the high frequency power applied to the plurality of external antennas and a phase of the high frequency power applied to the plurality of internal antennas.

The method of claim 3,

The phase adjusting means,

And a capacitor connected between said first power lead-in wire and said second power lead-in wire.

5. The method of claim 4,

The capacitor,

Plasma processing apparatus, characterized in that the variable capacitor.

The method of claim 1,

And the plurality of external antennas are connected in parallel with each other, and the plurality of internal antennas are connected in parallel with each other.

The method of claim 1,

And the plurality of external antennas and the plurality of internal antennas are connected to one high frequency power source.

The method of claim 1,

And the plurality of external antennas and the plurality of internal antennas are disposed on the same plane or on different planes.

The method of claim 1,

The insulating plate is divided into a plurality of unit insulating plates,

And an insulating plate support for forming the plurality of openings in which the plurality of unit insulating plates are disposed to support the insulating plate.

10. The method of claim 9,

The insulating plate support,

An outer frame having a rectangular shape; And

And at least one cross beam arranged in a horizontal direction from the inside of the outer frame, and at least one longitudinal beam arranged in a vertical direction from the inside of the outer frame to divide the inner region of the outer frame into the plurality of openings. Plasma processing apparatus, characterized in that.

The method of claim 10,

The insulating plate support,

A first reinforcing rib provided on an upper portion of the cross beam passing through the center of the outer frame among the at least one cross beam; And

And at least one second reinforcing rib provided at an upper portion of the stringer passing through the center of the outer frame among the at least one stringer.

The method of claim 11,

And the first reinforcing rib is spaced apart from the crossbeam in the center region of the outer frame, and the second reinforcing rib is spaced apart from the stringer in the center region of the outer frame.

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