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KR101128499B1 - A preparation method of high density zinc oxide based sputtering target and transparent electroconductive film - Google Patents

A preparation method of high density zinc oxide based sputtering target and transparent electroconductive film Download PDF

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Publication number
KR101128499B1
KR101128499B1 KR1020110109512A KR20110109512A KR101128499B1 KR 101128499 B1 KR101128499 B1 KR 101128499B1 KR 1020110109512 A KR1020110109512 A KR 1020110109512A KR 20110109512 A KR20110109512 A KR 20110109512A KR 101128499 B1 KR101128499 B1 KR 101128499B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transparent conductive
conductive film
thin film
zinc oxide
oxide powder
Prior art date
Application number
KR1020110109512A
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Korean (ko)
Inventor
이승이
강민호
임선권
양승호
윤원규
Original Assignee
희성금속 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 희성금속 주식회사 filed Critical 희성금속 주식회사
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    • H01B5/14Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract

PURPOSE: A manufacturing method of transparent conductive film and high density zinc oxide target are provided to securing discharge stability of target, low-resistance property, and stability by adding trace amount of divalent oxide. CONSTITUTION: A zinc oxide sintered body includes 0.5-25 atomic percentage of gallium oxide powder, aluminium oxide powder, indium oxide powder, and divalent oxide including M(Ca, Sr, Ba) with atomic ratio of (M+Al+Ga+In)/(M+Zn+Al+Ga+In). The oxide added to the sintered body is added with the same atomic ratio as fluoride. A manufacturing method of transparent conductive film comprises a step of sputtering a target which is manufactured with oxide added to zinc oxide sintered body. The transparent conductive film has the wet-proof property. The transparent conductive film has at least 80% of film transmissivity and 400-800nm wavelength. The transparent conductive film is manufactured at 0.9-3.6w/cm power density, room temperature -250deg.C of substrate temperature, and 0.2-1.0Pa working pressure.

Description

고밀도 산화아연 타겟 및 투명도전막의 제조 방법{A preparation method of high density zinc oxide based sputtering target and transparent electroconductive film}A preparation method of high density zinc oxide based sputtering target and transparent electroconductive film}

본 발명은 산화 갈륨 분말과 산화 알루미늄 분말, 산화 인듐 분말, 금속 이온이 2가의 원자가를 갖는 M(Ca,Sr,Ba)으로 특정지어지는 산화물이 (M+Al+Ga+In)/(M+Zn+Al+Ga+In) 원자수 비로 0.5~25원자%로 포함되어 있는 소결체 또는 투명도전성 박막으로 고투과율 및 고 내습성 특성이 뛰어난 투명도전성 박막 제조에 관한 것이다.In the present invention, an oxide in which gallium oxide powder, aluminum oxide powder, indium oxide powder, and metal ions are specified as M (Ca, Sr, Ba) having divalent valences is (M + Al + Ga + In) / (M + Zn + Al + Ga + In) The present invention relates to a transparent conductive thin film having excellent transmittance and high moisture resistance with a sintered compact or transparent conductive thin film contained in an atomic ratio of 0.5 to 25 atomic%.

투명 도전막은 액정표시장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 유기 발광소자 및 태양전지 등에 사용되는 패널에 코팅하여 전도성과 투명성을 확보해주는 필수소재이다. 이 투명도전막을 형성하는 방법은 진공 증착법이나 스퍼터링법 등 일반적으로 물리 증착법이라고 말하고 있는 수단에 의해서 행해지는 것이 보통이다. 특히, 대면적의 균일한 박막을 대량 생산이 가능한 방법으로는 조작성이나 피막의 안정성 때문에 직류 마그네트론 스퍼터링법을 사용해서 형성하는 것이 대부분이다.The transparent conductive film is an essential material for securing conductivity and transparency by coating a panel used in a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), an organic light emitting device, and a solar cell. The method of forming this transparent conductive film is usually performed by means which are generally referred to as physical vapor deposition, such as vacuum deposition or sputtering. In particular, a large-area uniform thin film can be mass-produced in most cases by the direct current magnetron sputtering method because of its operability and film stability.

또한 근래,Liquid Crystal Display(LCD), Plasma Display Panel(PDP)을 중심으로 Flat Panel Display(FPD) 시장이 급속하게 확대와 더불어 가시광에 대하여 투명한 동시에 도전성을 갖는 투명 도전막이 필수적으로 채용되고 있다. 대표적인 재료가 ITO 이고, 오랜 기간에 걸쳐 투명도전막의 대표 재료로서 사용되어 왔다. 그러나,ITO의 원료인 금속 인듐이 희소 금속으로 자원적인 문제점이 존재하여 왔고, 수요 증가에 따라 향후 2018년에 인듐 자원의 채굴 가능 매장량을 초과하여 고갈이 예상되어 디스플레이 산업의 성장을 저해하는 요소로 부각되고 있다. 이와 같은 배경으로부터 ITO를 대체 가능한 저저항 및 고기능성 투명전도성 재료의 필요성이 급속하게 높아지고 있다. ITO 박막의 형성 방법은 FPD의 제조 라인에서는 대면적의 균일한 성막이 요구되기 때문에 스퍼터링법이 적용되고 있다. 이 때문에,ITO 대체 재료의 성막 방법도 스퍼터링법에 적합한 재료이어야 하며 이는 타겟을 교체하는 것만으로 사용이 가능해야 한다.In recent years, the market for flat panel displays (FPD) has been rapidly expanding around liquid crystal displays (LCDs) and plasma display panels (PDPs), and transparent conductive films that are transparent to visible light and conductive are essential. Representative material is ITO and has been used as a representative material of a transparent conductive film for a long time. However, there has been a resource problem with indium metal, which is a raw material of ITO, as a rare metal, and as demand increases, it is expected to deplete the indium resources in excess of the mineable reserves in 2018. It is emerging. Against this background, the need for low-resistance and high-functional transparent conductive materials capable of replacing ITO is rapidly increasing. Since the formation method of the ITO thin film requires uniform film formation of a large area in the FPD manufacturing line, the sputtering method is applied. For this reason, the film formation method of an ITO substitute material should also be a material suitable for sputtering method, and it should be available only by replacing a target.

이에 대응한 투명전도성 ITO 타겟재의 인듐을 대체하는 소재로는 산화 아연을 주성분으로 하는 타겟재로 풍부한 아연 자원의 수급 용이성과 독성이 없는 장점으로 인해 1980년대 말 이후 지속적으로 연구 개발 및 각광을 받아 왔다. As a substitute material for indium of the transparent conductive ITO target material, zinc oxide is a target material mainly composed of zinc oxide, and has been continuously researched and developed since the late 1980s due to the ease of supply and availability of rich zinc resources. .

이러한 산화 아연계 타겟재로는 전도성을 부가하기 위해 3가의 원자가를 갖는 원소의 산화물을 1종류 이상 첨가하고 그 첨가량을 0.5~20% 이상으로 하여 1300℃ 이상에서 소결한 스퍼터링 타겟재를 제조하는 방법들이 연구되어 왔다. 또한 이러한 3가 이상의 원자가를 갖는 금속산화물을 미리 산화 아연과 복합화하여 스피넬 상을 형성하고 첨가하는 방법도 일본에서 특허 출원된 바 있으며, 결정 배향성을 높여 전기전도성 특성을 개선한 소결체와 분말의 중심 입경을 제어한 기술 및 기본적으로 스퍼터링 방법에 의한 박막 제조시 전도성이 뛰어난 것으로 알려진 산화 알루미늄 첨가 조성에 3가 이상의 원자가를 갖는 산화물, 질화물, 복합산화물 등을 동시 첨가하여 타겟재의 스퍼터링 특성과 제조된 박막의 특성을 증대시키는 기술로 발전하고 있다.As such a zinc oxide-based target material, in order to add conductivity, one or more kinds of oxides of an element having a trivalent valence are added, and a method of producing a sputtering target material sintered at 1300 ° C. or higher at an addition amount of 0.5-20% or more. Have been studied. In addition, a method of forming and adding a spinel phase by complexing a metal oxide having a trivalent or higher valence with zinc oxide in advance has been patented in Japan, and has a central particle diameter of a sintered body and a powder having improved crystal orientation and improved electrical conductivity. The sputtering characteristics of the target material and the thin film produced by simultaneously adding oxides, nitrides and composite oxides having valences of three or more to the aluminum oxide addition composition known to have excellent conductivity Advancing in technology to increase the characteristics.

이러한 기술로 대표되는 타겟재는 산화알루미늄아연(이하 AZO, 또는 ZAO), 산화갈륨아연(GZO), 산화주석아연(TZO)등으로 대표될 수 있고, 동시 첨가되는 원소로는 Al, Ga, In, Ge, Si, Sn, Ti 등의 원소가 대표적이다. 그러나 ITO와는 달리 산화 아연계 타겟을 이용한 스퍼터링 방법에 의해 박막을 제조할 경우 얻어진 박막은 습도와 온도가 높은 환경이나 Liquid Crystal Display(LCD)공정중에 사용되는 알카리성 박리 액체와 접할 경우 투명 전도막의 특징인 저항이 높아지고 박막의 미세 조직 내에 침투된 화학약품에 의해 박리되거나 쉽게 파괴되어 기능의 손상을 가져올 수 있는 단점 때문에 액정표시소자와 같이 다층박막을 증착하고 패터닝화를 통해 소자를 구성하는 LCD 제조 환경 내에 박막의 내구성이 떨어지는 단점을 가지고 있다. 또한 상기의 산화 아연계에 전도성을 부가하기 위해 첨가된 3가 이상의 원소를 첨가한 소결체를 스퍼터링 장치에서 박막을 제작할 경우 내습성이 저하가 발생하여 저항이 상승되는 현상이 발생된다. 이는 3가의 원소 첨가만으로는 박막 제작 후 저저항 특성을 가지지만 LCD 환경에서 중요하게 여기는 내구성 및 내환경성에서는 저저항을 유지하기 어렵다. 종래 기술에 따라 3가 이상의 원소를 첨가하여 제작한 산화아연 타겟의 경우 2차상이 생성되어 타겟 및 박막내의 조성 불균일 현상이 발생되어 스퍼터링에 의한 박막 증착 시 타겟의 방전 안정성이 떨어져 박막 특성이 저하되는 문제점이 있다. 또한 증착 후 저항이 상승되며, 방전 불안정으로 인하여 증착된 박막의 경우 결정성이 감소되어 대표적인 박막 특성인 내환경성과 내구성이 감소되는 문제가 발생한다.The target material represented by this technique may be represented by aluminum zinc oxide (hereinafter referred to as AZO or ZAO), gallium zinc oxide (GZO), tin zinc oxide (TZO), and the like. Elements, such as Ge, Si, Sn, Ti, are typical. However, unlike ITO, when a thin film is manufactured by a sputtering method using a zinc oxide-based target, the thin film obtained is a characteristic of a transparent conductive film when it is in contact with an alkaline peeling liquid used in a high humidity and temperature environment or during a liquid crystal display (LCD) process. Due to the disadvantage of high resistance and peeling or being easily destroyed by chemicals penetrated into the microstructure of the thin film, the function may be impaired. In the LCD manufacturing environment in which a multilayer thin film is deposited and patterned like a liquid crystal display device, It has a disadvantage of poor durability of the thin film. In addition, when a thin film is manufactured in the sputtering apparatus by adding a trivalent or higher element added to add the conductivity to the zinc oxide, the moisture resistance is lowered to increase the resistance. It is difficult to maintain low resistance in the durability and environmental resistance, which is important in LCD environment, but it has low resistance after thin film production by adding trivalent element alone. In the case of a zinc oxide target prepared by adding a trivalent or higher element according to the prior art, secondary phases are generated, resulting in composition unevenness in the target and the thin film. There is a problem. In addition, the resistance is increased after deposition, the crystallinity is reduced in the case of the deposited thin film due to the discharge instability, there is a problem that the environmental resistance and durability, which is a typical thin film characteristic is reduced.

본 발명에서는 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 3가 이상의 원소를 첨가한 박막의 단점을 극복하기 위한 방안으로 기존 3가에 2가를 첨가하여 내구성과 내환경성이 우수한 박막 및 소결체의 조성을 설계하였다. 2가의 원소를 미량 첨가함에 따라 소결체에서의 2차상의 발생을 억제시켜 스퍼터링에 의한 박막 증착 시 타겟의 방전 안정성이 떨어지고 박막 특성이 저하되는 문제점을 해결을 하고자 한다. In the present invention to solve the problems of the prior art as described above to overcome the shortcomings of the thin film is added to the trivalent element is added to the existing trivalent divalent to design the composition of the thin film and sintered body excellent in durability and environmental resistance It was. By adding a small amount of divalent element, the secondary phase in the sintered body is suppressed to solve the problem that the discharge stability of the target during the deposition of the thin film by sputtering decreases and the thin film characteristics are deteriorated.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 산화 갈륨 분말과 산화 알루미늄 분말, 산화 인듐 분말, 금속 이온이 2가의 원자가를 갖는 M(Ca, Sr, Ba)으로 특정지어지는 산화물이 (M+Al+Ga+In)/(M+Zn+Al+Ga+In) 원자수 비로 0.5~25원자%를 포함되는 소결체를 제작하였으며, 본 소결체의 밀도는 5.6 ~ 5.74g/cm3 으로 제조되는 것을 특징으로 하는 비저항이 1x10-3Ωcm 이하인 산화 아연계 소결체에 관한 것이다. 본 소결체를 장착하여 스퍼터링에 의한 박막 증착 시 타겟과 동일한 조성의 투명도전성 박막을 제작할 수 있다. 박막 증착 조건은 Power Density는 0.9~3.6 w/cm2, Working Pressure 0.2~1.0Pa, 기판온도 상온~250도에서 제조된 투명도전성 박막의 경우 산화물 원자수 비가 0.5~25원자%일 때 내환경성 및 내습성이 우수한 박막이 제조되며, 박막 투과율은 400~800nm구간에서 평균 80%이상의 높은 투과율 특성을 확보하였다.In order to achieve the above object, the present invention provides a gallium oxide powder, an aluminum oxide powder, an indium oxide powder, and an oxide whose metal ions are specified as M (Ca, Sr, Ba) having a valence of divalent (M + Al + Ga +). In) / (M + Zn + Al + Ga + In) A sintered body containing 0.5 to 25 atomic% in the atomic number ratio was produced, and the density of the sintered body was 5.6 to 5.74 g / cm 3 . It relates to a zinc oxide-based sintered body which is 1 × 10 −3 Ωcm or less. When the sintered body is mounted, a transparent conductive thin film having the same composition as that of the target may be manufactured when the thin film is deposited by sputtering. Thin film deposition condition is 0.9 ~ 3.6 w / cm 2 , Working Pressure 0.2 ~ 1.0Pa, and transparent conductive thin film manufactured at substrate temperature of room temperature ~ 250 ° C. A thin film having excellent moisture resistance is manufactured, and the thin film transmittance has a high transmittance characteristic of over 80% in the 400 to 800 nm section.

본 발명에 따르면, 투명전도막을 스퍼터링 방법에 의해 형성하는데 사용하는 산화 아연계 스퍼터링 타겟재에 있어 저저항화를 위해 첨가하는 전도성 부가 기능의 3가의 원자가를 갖는 산화물과 동시에 3가 원소와 산화아연과의 반응에 의한 생성되는 2차상의 석출을 억제하는 2가의 원자가를 갖는 산화물을 도입하거나, 추가적으로 3가 원소의 불화물을 도입하여 2차상이 없는 고밀도의 타겟재를 제조할 수 있으며, 제조된 산화 아연계 고밀도 타겟을 활용한 직류 마그네트론 스퍼터링 방법에 의한 투명도전막을 제조시 타겟의 방전 안정성과 더불어 박막의 저저항 특성과 내환경성 및 내식성이 우수한 안정적인 박막 특성의 제공이 가능하다.According to the present invention, in the zinc oxide-based sputtering target material used for forming the transparent conductive film by the sputtering method, an oxide having a trivalent valence of a trivalent valence of conductive addition function added for low resistance, and a trivalent element and zinc oxide, By introducing an oxide having a bivalent valence that suppresses the precipitation of the secondary phase produced by the reaction of or additionally introducing a fluoride of a trivalent element, a high density target material without secondary phase can be prepared. When manufacturing a transparent conductive film by direct current magnetron sputtering method using a linked high density target, it is possible to provide stable thin film properties with excellent low resistance characteristics, environmental resistance and corrosion resistance as well as discharge stability of the target.

도 1는, 본 발명의 실시예 1에 의해 제조된 소결 밀도 5.72g/cm3의 고밀도 산화 아연계 스퍼터링 타겟의 모습을 나타내는 도면이다.
도 2는, 본 발명의 실시예 2에 의해 제조된 소결 밀도 5.69g/cm3의 고밀도 산화 아연계 스퍼터링 타겟을 X선 회절 분석기로 분석한 2차상이 존재하지 않는 결정구조를 나타내는 도면이다.
도 3은, 본 발명의 비교예 3에 의해 제조된 소결 밀도 5.66g/cm3의 고밀도 산화 아연계 스퍼터링 타겟을 X선 회절 분석기로 분석한 ZnGaO4 의 2차상이 잔존하는 결정구조를 나타내는 도면이다.
도 4는, 본 발명의 실시예 1에 의해 제조된 소결 밀도 5.72g/cm3의 고밀도 산화 아연계 스퍼터링 타겟을 이용하여 직류 마그네트론 스퍼터링 장비에 장착하여 제조한 박막을 X선 회절 분석기로 박막의 표면을 관찰한 도면이다.
도 5는, 본 발명의 실시예 1에 의해 제조된 소결 밀도 5.72g/cm3의 고밀도 산화 아연계 스퍼터링 타겟을 이용하여 직류 마그네트론 스퍼터링 장비에 장착하여 박막을 제조한 후 주사전자현미경으로 박막의 표면을 관찰한 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the appearance of the high density zinc oxide type sputtering target of sintered density 5.72g / cm < 3 > manufactured by Example 1 of this invention.
FIG. 2 is a view showing a crystal structure in which a secondary phase in which a high density zinc oxide-based sputtering target having a sintered density of 5.69 g / cm 3 prepared in Example 2 of the present invention is analyzed by an X-ray diffraction analyzer does not exist.
FIG. 3 is a view showing a crystal structure in which a secondary phase of ZnGaO 4 remains after analyzing a high-density zinc oxide-based sputtering target having a sintered density of 5.66 g / cm 3 produced by Comparative Example 3 of the present invention with an X-ray diffraction analyzer. .
4 is a surface of a thin film prepared by mounting a DC magnetron sputtering apparatus using a high density zinc oxide-based sputtering target having a sintered density of 5.72 g / cm 3 prepared in Example 1 of the present invention with an X-ray diffraction analyzer; Figure is observed.
5 is a surface of a thin film by scanning electron microscope after mounting the thin film by using a high-density zinc oxide-based sputtering target having a sintered density of 5.72 g / cm 3 prepared in Example 1 of the present invention to prepare a thin film Figure is observed.

본 발명을 보다 상세하게 설명한다. ZnO계 투명전도성 재료의 저저항 특성을 향상시키기 위하여 Al, Ga, In, Sn등 첨가한 ZnO계 타겟 관련하여 보고된 바 있다.The present invention will be described in more detail. In order to improve the low resistance characteristics of ZnO-based transparent conductive materials, ZnO-based targets such as Al, Ga, In, and Sn have been reported.

특히 Al, Ga의 원소가 첨가된 재료의 경우에 연구가 많이 이루어져 있다.In particular, a lot of research has been made in the case of a material to which elements of Al and Ga are added.

Al, Ga의 원소를 첨가한 ZnO계 투명전도성 재료의 경우 산화 아연의 결정 구조 내에 고용한계가 존재한다. 첨가 원소가 고용한계 이상으로 첨가되는 경우 산화아연과 2차상으로 석출된다. 석출된 2차상으로는 ZnAl2O4, ZnGa2O4 등의 형태의 스피넬 구조로 존재하여 첨가원소가 고용된 산화아연계의 결정립과 결정립 사이의 입계 또는 결정립 내에 존재하여 소결체의 전기전도성을 저하시키는 원인이 된다.In the case of ZnO-based transparent conductive materials to which elements of Al and Ga are added, a solid solution limit exists in the crystal structure of zinc oxide. If the additional element is added above the solubility limit, it precipitates into zinc oxide and secondary phase. The precipitated secondary phase is present in the form of a spinel structure in the form of ZnAl 2 O 4 , ZnGa 2 O 4, etc., so that the additive element is present in the grain boundaries or grains between the zinc oxide system in which the added element is solubilized, thereby reducing the electrical conductivity of the sintered body. Cause.

전기전도성이 저하된 소결체의 경우 스퍼터링하여 박막을 제작 시 타겟의 방전안정성이 불안정하며, 박막 제작 시 아킹이라는 이상 방전이 발생하여 타겟과 박막의 특성 저하가 발생한다. 다량의 아킹이 발생하는 경우 타겟의 Nodule이 발생하여 방전안정성 특성을 더욱더 저하시키는 원인이 된다. 본 발명에서는 ZnO계 투명전도성 재료에 첨가 원소인 3가와 2가 원소를 동시 첨가하여 산화물의 원자수비를 최적화 범위를 설정하였다. 산화 갈륨 분말과 산화 알루미늄 분말, 산화 인듐 분말, 금속 이온이 2가의 원자가를 갖는 M(Ca, Sr, Ba)으로 특정지어지는 산화물이 (M+Al+Ga+In)/(M+Zn+Al+Ga+In) 원자수 비로 0.5원자%이하로 포함되어 있는 소결체 또는 투명도전성 박막의 경우 첨가 원소 함량이 적어 박막 제작 시 고저항 특성이 발생한다. 본 박막의 경우 박막 결정성은 우수하나 첨가 원소가 미량이여서 내환경성과 내습성 특성에 취약한 점이 있다. 반면에 (M+Al+Ga+In)/(M+Zn+Al+Ga+In) 원자수 비로 25원자%이상으로 포함되어 있는 소결체 또는 투명도전성 박막의 경우 첨가 원소 함량이 고용 한계이상으로 첨가되어 박막 결정성이 저하되어, 박막의 내습성과 내환경성 특성이 저하된다.In the case of a sintered compact having low electrical conductivity, the discharge stability of the target is unstable when the thin film is manufactured by sputtering. An abnormal discharge called arcing occurs during the thin film manufacturing, thereby deteriorating the characteristics of the target and the thin film. When a large amount of arcing occurs, the target nodules are generated, which further reduces the discharge stability characteristics. In the present invention, the addition ratio of trivalent and divalent elements which are additional elements to the ZnO-based transparent conductive material is added at the same time to set the optimum ratio of the atomic ratio of the oxide. Gallium oxide powder, aluminum oxide powder, indium oxide powder, and oxides specified by M (Ca, Sr, Ba) in which the metal ions have a divalent valence are (M + Al + Ga + In) / (M + Zn + Al). + Ga + In) The sintered compact or transparent conductive thin film containing less than 0.5 atomic% in the atomic number ratio has low added element content, resulting in high resistance characteristics when the thin film is manufactured. In the case of the thin film, the thin film has excellent crystallinity, but due to the small amount of added elements, it is vulnerable to environmental and moisture resistance properties. On the other hand, in the case of a sintered compact or transparent conductive thin film containing (M + Al + Ga + In) / (M + Zn + Al + Ga + In) in an atomic ratio of more than 25 atomic percent, the additive element content is added beyond the solid solution limit. As a result, the thin film crystallinity is lowered, and the moisture resistance and environmental resistance characteristics of the thin film are lowered.

(M+Al+Ga+In)/(M+Zn+Al+Ga+In) 원자수 비로 0.5~25원자%로 포함되어 있는 소결체 또는 투명도전성 박막의 경우 첨가원소 함량이 최적화되어 저저항 및 고투과율, 내습성이 우수하다. 이중 2가의 원자가를 갖는 원소 중 Ba은 ZnO 내에 안정적으로 고용되어 전도성 첨가 원소인 3가 원소의 결정구조 내의 Zn과의 치환을 통해 형성된 격자의 불안정성을 해소시켜 2차상의 생성을 억제하는 역할이 매우 뛰어남을 발명하였다. 또한, 2가와 3가의 동시 첨가에 의한 산화 아연계 소결체를 제조시 고온에서 2차상 억제 효과가 탁월하여 3가의 전도성 원소가 고용된 산화아연의 소결체의 고밀도화가 가능하며, 궁극적으로 첨가 원소 결핍된 격자내의 산화 아연의 휘발이 제어 가능하고 조성이 균일한 산화아연계 스퍼터링 타겟을 제조할 수 있다. 또한 Sr, Ca를 3가 원소와 동시 첨가한 경우 Ba의 첨가에 의한 동일한 효과와 더불어 ZnO 결정립 성장에 필요한 저온 영역에서의 구동력을 증대시켜 Al, Ga 등과 같은 3가 원소의 첨가 조성의 고밀도화를 유도하는 효과가 탁월하다. 상기와 같은 2가의 원소와 3가 이상의 전도성 부가 원소의 동시 첨가를 통해 고밀도의 산화아연계 소결체를 제조하였다. 본 소결체를 스퍼터링 타겟으로 활용하여 유리 및 플라스틱 기판에 투명도전성 박막을 증착하였다. 유리 기판의 경우 고온에서 증착 가능하기 때문에 박막의 전기적 특성 및 광학적 특성이 향상되며, 우수한 박막 결정성으로 인하여 내환경성에 우수한 특성을 확보할 수 있다. 플라스틱 기판의 경우 유리 기판보다 저온에서 증착 가능하지만, 저온 성막을 할 경우 박막의 결정성이 감소된다는 단점이 있다. 박막 결정성을 향상시키기 위하여 투명도전성 박막의 최적 증착 조건을 도출하였으며, 이를 통하여 박막의 우수한 전기적 특성과 결정성을 확보할 수 있었다. 우수한 투명도전성 박막이 증착 된 플라스틱 기판의 경우 유연하기 때문에 플랙서블 디스플레이에 폭 넓게 활용가능하다. 박막 성막 시 Power Density가 0.9~3.6w/cm2에서 증착된 박막의 경우 첨가 원소의 함량이 증가하여 박막 결정입계의 결함을 감소시켜 박막 밀도가 증대되었으며, 투명도전막의 저저항과 80%이상의 고투과율 특성을 확보할 수 있었다. 제작이 완료된 박막은 습도와 온도가 높은 환경에서 내환경성 평가를 진행한 결과 박막의 내열성과 내습성이 증가되는 효과를 확보할 수 있었다. (M + Al + Ga + In) / (M + Zn + Al + Ga + In) The sintered compact or transparent conductive thin film containing 0.5 to 25 atomic percent in the atomic number ratio is optimized for added element content so that low resistance and high Excellent transmittance and moisture resistance. Among the elements having a bivalent valence, Ba is a solid solution which is stably dissolved in ZnO, thereby eliminating the instability of the lattice formed through the substitution of Zn in the crystal structure of the trivalent element, which is a conductive addition element, and thus suppressing the generation of the secondary phase. Invented excellence. In addition, when the zinc oxide-based sintered body is manufactured by simultaneous addition of divalent and trivalent, the secondary phase inhibiting effect is excellent at high temperature, so that the sintered body of zinc oxide containing trivalent conductive element can be densified, and ultimately the lattice lacking additional elements. A zinc oxide-based sputtering target having a controllable volatilization of zinc oxide in the inside and having a uniform composition can be produced. In addition, when Sr and Ca are added simultaneously with the trivalent element, the same effect by the addition of Ba and the driving force in the low temperature region required for ZnO grain growth are increased to induce a higher density of the additive composition of trivalent elements such as Al and Ga. The effect is excellent. A high density zinc oxide-based sintered compact was prepared through simultaneous addition of the divalent element and the trivalent or higher conductive addition element as described above. The sintered compact was used as a sputtering target to deposit a transparent conductive thin film on glass and plastic substrates. The glass substrate can be deposited at a high temperature, so that the electrical and optical properties of the thin film are improved, and excellent properties in environmental resistance can be obtained due to excellent thin film crystallinity. The plastic substrate can be deposited at a lower temperature than the glass substrate, but has a disadvantage in that the crystallinity of the thin film is reduced when the low temperature film is formed. In order to improve the crystallinity of the thin film, the optimum deposition conditions of the transparent conductive thin film were derived. Through this, excellent electrical properties and crystallinity of the thin film could be obtained. Plastic substrates with excellent transparent conductive thin films are flexible and can be widely used for flexible displays. In case of thin film deposited at power density of 0.9 ~ 3.6w / cm 2 , thin film density was increased by increasing the content of additive element to reduce defects in the grain boundary of the thin film. The transmittance characteristic could be secured. The completed thin film was able to secure the effect of increasing the heat resistance and moisture resistance of the thin film as a result of the environmental resistance evaluation in an environment with high humidity and temperature.

이하 본 발명의 실시예에 의하여 더욱 상세하게 설명한다. 단 하기의 실시예들은 본 발명을 예시하는 것으로서, 본 발명의 내용이 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the embodiment of the present invention will be described in more detail. However, the following examples are illustrative of the present invention, and the content of the present invention is not limited by the examples.

[실시예 1]Example 1

분말의 평균 입자 크기가 1.0㎛인 산화아연 분말과 1.0㎛의 산화칼슘 분말, 0.1㎛의 산화알루미늄 분말, 1.5㎛의 산화갈륨 분말, 1.0㎛의 산화인듐 분말을 중량기준으로 표1과 같은 비율로 칭량한 후 혼합하여 농도가 55%인 습식 혼합된 슬러리를 비즈밀 매체 0.1㎜의 지르코니아 비즈로 분산시켰다. 분산된 슬러리를 분무 건조 후, 조립분말의 중심 입경은 40㎛로 측정되었으며, 수득된 조립분말을 가압 성형하고, 1550℃에서 10시간 동안 공기를 분당 25L의 유량으로 하여 투입하면서 소결하였다. 이렇게 하여 얻어진 산화 아연계 타겟의 소결밀도는 5.72g/cm3이었다.Zinc oxide powder with an average particle size of 1.0 μm, calcium oxide powder with 1.0 μm, aluminum oxide powder with 0.1 μm, gallium oxide powder with 1.5 μm, and indium oxide powder with 1.0 μm in weight ratios as shown in Table 1 Weighed and mixed to disperse the wet mixed slurry with a concentration of 55% into zirconia beads of 0.1 mm of bead mill medium. After spray drying the dispersed slurry, the center particle diameter of the granulated powder was measured to be 40 µm, and the obtained granulated powder was press-molded and sintered at 1550 ° C. for 10 hours while introducing air at a flow rate of 25 L / min. The sintered density of the zinc oxide-based target thus obtained was 5.72 g / cm 3 .

얻어진 소결체를 X선 회절 분석기와 미세 조직을 분석하여 2차상이 존재하지않는 고밀도의 소결체를 확인하였다. 소결체를 비저항을 측정하여 표 1과 같은 결과를 얻어 직류 마그네트론으로 성막 가능한 전도성 특성을 확인하였다. 소결체를 210X200으로 절단 및 평면 연마 가공하고 세정 건조하여 구리로 된 냉각판에 인듐을 접착제로 하여 도1과 같이 4분할로 부착하여 420x400으로 크기로 제작된 스퍼터링 타겟재로 제작하고 직류 마그네트론 스퍼터링 장치에 장착하여 고진공하에서 아르곤 유량 100 sccm 분위기에서 기판온도 100℃에서 1200Å 두께의 투명도전성 박막을 제작하여 도 4와 같이 X선 회절 분석기로 박막 결정구조를 관찰하였으며, 도 5와 같이 고배율 전자 주사 현미경으로 박막의 단면을 관찰하였다. 제작된 박막의 면저항을 측정하고 85℃의 온도와 85% 습도의 항온 항습 분위기에서 16시간동안 유지하여 변화된 박막의 면저항을 측정하였다. 상기 박막을 제작하여 평가한 결과는 표 1과 같이 우수한 저항 특성과 내환경성이 뛰어난 박막 특성을 나타내었다.
The obtained sintered compact was analyzed with an X-ray diffraction analyzer and a microstructure to confirm a high density sintered compact without a secondary phase. The resistivity of the sintered body was measured to obtain the results as shown in Table 1, and the conductive properties that could be formed with a direct current magnetron were confirmed. Cut and sinter the sintered body into 210X200, clean it, dry it, dry it, and attach it in 4 divisions as shown in Fig. 1 with indium as an adhesive on a copper cooling plate, and make it as a sputtering target material made of 420x400. The transparent conductive thin film of 1200 Å thickness was fabricated at a substrate temperature of 100 ° C in an argon flow rate of 100 sccm under high vacuum, and the thin film crystal structure was observed by an X-ray diffractometer as shown in FIG. The cross section of was observed. The sheet resistance of the fabricated thin film was measured and maintained for 16 hours at a constant temperature and humidity of 85 ° C. and 85% humidity. As a result of fabricating and evaluating the thin film, as shown in Table 1, the excellent thin film property was excellent in resistance and environmental resistance.

[실시예 2][Example 2]

분말의 평균 입자 크기가 1.0㎛인 산화아연 분말과 0.5㎛의 산화바륨 분말, 0.1㎛의 산화알루미늄 분말, 1.5㎛의 산화갈륨 분말, 1.0㎛의 산화인듐 분말을 중량기준으로 표 1과 같은 비율로 칭량한 후 혼합하여 농도가 55%인 습식 혼합된 슬러리로 실시예 1과 같이 분산 및 분무 건조하고 가압 성형하여 소결하였다. 이렇게 하여 얻어진 산화 아연계 타겟의 소결밀도는 5.69g/cm3이었다. 얻어진 소결체를 도 2와 같이 X선 회절 분석기로 분석하여 이차상의 존재하지 않는 결정구조임을 분석하고 실시예 1과 같은 방법으로 비저항을 측정하고 타겟재로 가공하여 직류 마그네트론 장치에 장착하여 투명도전성 박막을 제작하고 제작된 박막의 면저항과 고온 고습하의 내환경성과 내화학성을 평가한 결과는 표 1과 같이 우수한 저항 특성과 내환경성이 뛰어난 박막 특성을 나타내었다.
Zinc oxide powder having an average particle size of 1.0 μm, barium oxide powder of 0.5 μm, aluminum oxide powder of 0.1 μm, gallium oxide powder of 1.5 μm, and indium oxide powder of 1.0 μm are shown in Table 1 by weight. After weighing, the mixture was dispersed in a wet mixed slurry having a concentration of 55%, spray-dried, press-molded and sintered as in Example 1. The sintered density of the zinc oxide-based target thus obtained was 5.69 g / cm 3 . The obtained sintered body was analyzed by X-ray diffractometer as shown in FIG. 2 to analyze the crystal structure which does not exist in the secondary phase, and the specific resistance was measured in the same manner as in Example 1, processed into a target material, mounted on a DC magnetron device, and the transparent conductive thin film was prepared. As a result of evaluating the sheet resistance and environmental resistance and chemical resistance under high temperature and high humidity of the fabricated thin film, the excellent thin film characteristics showed excellent resistance characteristics and environmental resistance as shown in Table 1.

[실시예 3]Example 3

분말의 평균 입자 크기가 1.0㎛인 산화아연 분말과 1.5㎛의 산화스트론튬 분말, 0.1㎛의 산화알루미늄 분말, 1.5㎛의 산화갈륨 분말, 1.0㎛의 산화인듐 분말을 중량기준으로 표 1과 같은 비율로 칭량한 후 혼합하여 농도가 55%인 습식으로 혼합된 슬러리로 실시예 1과 같이 분산 및 분무 건조 하고 가압 성형하여 소결하였다. 이렇게 하여 얻어진 산화 아연계 타겟의 소결밀도는 5.71g/cm3이었다. 얻어진 소결체를 실시예 1과 같이 2차상 존재 여부와 비저항을 분석하고 타겟재로 가공하여 직류 마그네트론 장치에 장착하여 투명도전성 박막을 제작하고 제작된 박막의 면저항과 고온 고습하의 내환경성과 내화학성을 평가한 결과는 표 1과 같이 우수한 저항 특성과 내환경성이 뛰어난 박막 특성을 나타내었다.
Zinc oxide powder having an average particle size of 1.0 μm, strontium oxide powder of 1.5 μm, aluminum oxide powder of 0.1 μm, gallium oxide powder of 1.5 μm, and indium oxide powder of 1.0 μm in weight ratios as shown in Table 1 After weighing, the mixture was mixed into a wet mixed slurry having a concentration of 55% as in Example 1, dispersed, spray dried, and pressure molded to sinter. The sintered density of the zinc oxide-based target thus obtained was 5.71 g / cm 3 . The resultant sintered body was analyzed for the presence of a secondary phase and the specific resistance as in Example 1, processed into a target material, mounted on a direct current magnetron device to fabricate a transparent conductive thin film, and evaluated the sheet resistance and environmental resistance and chemical resistance under high temperature and high humidity. As a result, as shown in Table 1, it showed excellent thin film properties with excellent resistance and environmental resistance.

[실시예 4]Example 4

분말의 평균 입자 크기가 1.0㎛인 산화아연 분말과 1.0㎛의 산화칼슘 분말, 0.1㎛의 산화알루미늄 분말, 1.5㎛의 산화갈륨 분말을 중량기준으로 표 1과 같은 비율로 칭량한 후 혼합하여 농도가 55%인 습식으로 혼합된 슬러리로 실시예 1과 같이 분산 및 분무 건조하고 가압 성형하여 소결하였다. 이렇게 하여 얻어진 산화 아연계 타겟의 소결밀도는 5.70g/cm3이었다. 얻어진 소결체를 실시예 1과 같이 2차상 존재 여부와 비저항을 분석하고 타겟재로 가공하여 직류 마그네트론 장치에 장착하여 투명도전성 박막을 제작하고 제작된 박막의 면저항과 고온 고습하의 내환경성과 내화학성을 평가한 결과는 표 1과 같이 우수한 저항 특성과 내환경성이 뛰어난 박막 특성을 나타내었다.
Zinc oxide powder having an average particle size of 1.0 μm, calcium oxide powder of 1.0 μm, aluminum oxide powder of 0.1 μm, and gallium oxide powder of 1.5 μm were weighed in the ratio shown in Table 1 by weight, and then mixed. 55% wet mixed slurry was dispersed, spray dried, pressure molded and sintered as in Example 1. The sintered density of the zinc oxide-based target thus obtained was 5.70 g / cm 3 . The resultant sintered body was analyzed for the presence of a secondary phase and the specific resistance as in Example 1, processed into a target material, mounted on a direct current magnetron device to fabricate a transparent conductive thin film, and evaluated the sheet resistance and environmental resistance and chemical resistance under high temperature and high humidity. As a result, as shown in Table 1, it showed excellent thin film properties with excellent resistance and environmental resistance.

[실시예 5]Example 5

분말의 평균 입자 크기가 1.0㎛인 산화아연 분말과 0.5㎛의 산화바륨 분말, 0.1㎛의 산화알루미늄 분말, 1.5㎛의 산화갈륨 분말을 중량기준으로 표 1과 같은 비율로 칭량한 후 혼합하여 농도가 55%인 습식 혼합된 슬러리로 실시예 1과 같이 분산 및 분무 건조하고 가압 성형하여 소결하였다. 이렇게 하여 얻어진 산화 아연계 타겟의 소결밀도는 5.71g/cm3이었다. 얻어진 소결체를 실시예 1과 같이 2차상 존재 여부와 비저항을 분석하고 타겟재로 가공하여 직류 마그네트론 장치에 장착하여 투명도전성 박막을 제작하고 제작된 박막의 면저항과 고온 고습하의 내환경성과 내화학성을 평가한 결과는 표 1과 같이 우수한 저항 특성과 내환경성이 뛰어난 박막 특성을 나타내었다.
Zinc oxide powder having an average particle size of 1.0 μm, barium oxide powder of 0.5 μm, aluminum oxide powder of 0.1 μm, and gallium oxide powder of 1.5 μm were weighed in the ratio shown in Table 1 by weight, and then mixed. 55% wet mixed slurry was dispersed, spray dried, pressure molded and sintered as in Example 1. The sintered density of the zinc oxide-based target thus obtained was 5.71 g / cm 3 . The resultant sintered body was analyzed for the presence of a secondary phase and the specific resistance as in Example 1, processed into a target material, mounted on a direct current magnetron device to fabricate a transparent conductive thin film, and evaluated the sheet resistance and environmental resistance and chemical resistance under high temperature and high humidity. As a result, as shown in Table 1, it showed excellent thin film properties with excellent resistance and environmental resistance.

[실시예 6][Example 6]

분말의 평균 입자 크기가 0.5㎛의 산화스트론튬 분말, 1.0㎛의 산화아연 분말, 1.5㎛의 산화갈륨 분말을 중량기준으로 표 1과 같은 비율로 칭량한 후 혼합하여 농도가 55%인 습식 혼합된 슬러리로 실시예 1과 같이 분산 및 분무 건조하고 가압 성형하여 소결하였다. 이렇게 하여 얻어진 산화 아연계 타겟의 소결밀도는 5.70g/cm3이었다. 얻어진 소결체를 실시예 1과 같이 2차상 존재 여부와 비저항과 분석하고 타겟재로 가공하여 직류 마그네트론 장치에 장착하여 투명도전성 박막을 제작하고 제작된 박막의 면저항과 고온 고습하의 내환경성과 내화학성을 평가한 결과는 표 1과 같이 우수한 저항 특성과 내환경성이 뛰어난 박막 특성을 나타내었다.
Wet mixed slurry having an average particle size of 0.5 μm strontium oxide powder, 1.0 μm zinc oxide powder, and 1.5 μm gallium oxide powder, weighed in the proportions as shown in Table 1 by weight, and then mixed and weighed at 55%. As in Example 1, dispersion, spray drying, pressure molding and sintering were carried out. The sintered density of the zinc oxide-based target thus obtained was 5.70 g / cm 3 . The obtained sintered body was analyzed with the presence of a secondary phase and the specific resistance as in Example 1, processed into a target material, mounted on a direct current magnetron device to produce a transparent conductive thin film, and the sheet resistance of the manufactured thin film and the environmental resistance and chemical resistance under high temperature and high humidity were evaluated. As a result, as shown in Table 1, it showed excellent thin film properties with excellent resistance and environmental resistance.

[비교예 1]Comparative Example 1

분말의 평균 입자 크기가 1.0㎛인 산화아연 분말과 0.1㎛의 산화알루미늄 분말을 중량기준으로 표 1과 같은 비율로 칭량한 후 혼합하여 농도가 55%인 습식 혼합된 슬러리로 실시예 1과 같이 분산 및 분무 건조하고 가압 성형하여 소결하였다.Zinc oxide powder having an average particle size of 1.0 μm and aluminum oxide powder having a thickness of 0.1 μm were weighed in the ratio as shown in Table 1, and then mixed and dispersed as a wet mixed slurry having a concentration of 55% as in Example 1. And spray drying, pressure molding and sintering.

이렇게 하여 얻어진 산화 아연계 타겟의 소결밀도는 5.60g/cm3이었다. 얻어진 소결체를 실시예 1과 같이 2차상 존재 여부와 비저항을 분석하고 타겟재로 가공하여 직류 마그네트론 장치에 장착하여 투명도전성 박막을 제작하고 제작된 박막의 면저항과 고온 고습하의 내환경성을 평가한 결과는 표 1과 같이 저항이 크게 상승되어 내구성이 저하된 박막 특성을 나타내었다.
The sintered density of the zinc oxide-based target thus obtained was 5.60 g / cm 3 . As shown in Example 1, the obtained sintered body was analyzed for the presence of the secondary phase and the specific resistance, processed into a target material, mounted on a direct current magnetron device to fabricate a transparent conductive thin film, and the sheet resistance and environmental resistance under high temperature and high humidity were evaluated. As shown in Table 1, the resistance was greatly increased to show the thin film characteristics of which the durability was lowered.

[비교예 2]Comparative Example 2

분말의 평균 입자 크기가 1.0㎛인 산화아연 분말과 0.1㎛의 산화알루미늄 분말, 1.5㎛의 산화갈륨 분말을 중량기준으로 표 1과 같은 비율로 칭량한 후 혼합하여 농도가 55%인 습식 혼합된 슬러리로 실시예 1과 같이 분산 및 분무 건조하고 가압 성형하여 소결하였다. 이렇게 하여 얻어진 산화 아연계 타겟의 소결밀도는 5.62g/cm3이었다. 얻어진 소결체를 실시예 1과 같이 2차상 존재 여부와 비저항을 분석하고 타겟재로 가공하여 직류 마그네트론 장치에 장착하여 투명도전성 박막을 제작하고 제작된 박막의 면저항과 고온 고습하의 내환경성을 평가한 결과는 표 1과 같이 저항이 크게 상승되어 내구성이 저하된 박막 특성을 나타내었다.
A wet mixed slurry having a concentration of 55% by weighing the zinc oxide powder having an average particle size of 1.0 μm, the aluminum oxide powder of 0.1 μm, and the gallium oxide powder of 1.5 μm by weight in the same proportions as in Table 1, and then mixing them. As in Example 1, dispersion, spray drying, pressure molding and sintering were carried out. The sintered density of the zinc oxide-based target thus obtained was 5.62 g / cm 3 . As shown in Example 1, the obtained sintered body was analyzed for the presence of the secondary phase and the specific resistance, processed into a target material, mounted on a direct current magnetron device to fabricate a transparent conductive thin film, and the sheet resistance and environmental resistance under high temperature and high humidity were evaluated. As shown in Table 1, the resistance was greatly increased to show the thin film characteristics of which the durability was lowered.

[비교예 3]Comparative Example 3

분말의 평균 입자 크기가 1.0㎛인 산화아연 분말과 0.1㎛의 산화알루미늄 분말, 1.5㎛의 산화갈륨 분말, 1.0㎛의 산화인듐 분말을 중량기준으로 표 1과 같은 비율로 칭량한 후 혼합하여 농도가 55% 인 습식 혼합된 슬러리로 실시예 1과 같이 분산 및 분무 건조하고 가압 성형하여 소결하였다. 이렇게 하여 얻어진 산화 아연계 타겟의 소결밀도는 5.66g/cm3이었다. 얻어진 소결체를 X선 회절 분석기를 통해 도 3과 같이 2차상 존재 여부를 분석한 결과 2차상이 잔존하고 있음을 확인하였으며, 실시예 1과 같이 비저항을 분석하고 타겟재로 가공하여 직류 마그네트론 장치에 장착하여 투명도전성 박막을 제작하고 제작된 박막의 면저항과 고온 고습하의 내환경성을 평가한 결과는 표 1과 같이 저항이 크게 상승되어 내구성이 저하된 박막 특성을 나타내었다.Zinc oxide powder having an average particle size of 1.0 μm, aluminum oxide powder of 0.1 μm, gallium oxide powder of 1.5 μm, and indium oxide powder of 1.0 μm were weighed in the ratio shown in Table 1 by weight, and then mixed. 55% phosphorus mixed slurry was dispersed, spray dried, pressure molded and sintered as in Example 1. The sintered density of the zinc oxide-based target thus obtained was 5.66 g / cm 3 . As a result of analyzing the existence of the secondary phase through the X-ray diffraction analyzer obtained in the X-ray diffraction analyzer, it was confirmed that the secondary phase remained. As in Example 1, the specific resistance was analyzed and processed into a target material and mounted on a DC magnetron device. As a result of fabricating the transparent conductive thin film and evaluating the sheet resistance of the thin film and the environmental resistance under high temperature and high humidity, as shown in Table 1, the resistance was greatly increased and the durability was decreased.

Figure 112011083675016-pat00001
Figure 112011083675016-pat00001

Claims (8)

산화 갈륨 분말과 산화 알루미늄 분말, 산화 인듐 분말, 금속 이온이 2가의 원자가를 갖는 M(Ca, Sr, Ba)으로 특정지어지는 산화물이 (M+Al+Ga+In)/(M+Zn +Al+Ga+In) 원자수 비로 0.5~25원자%로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 산화아연계 소결체. Gallium oxide powder, aluminum oxide powder, indium oxide powder, and oxides specified by M (Ca, Sr, Ba) in which metal ions have divalent valences are (M + Al + Ga + In) / (M + Zn + Al + Ga + In) Zinc oxide-based sintered body, which is contained in an atomic ratio of 0.5-25 atomic%. 제 1항에 있어서,
상기 소결체에 첨가된 산화물은 불화물 형태로 동일 원자수 비로 첨가되어 제조되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 소결체.
The method of claim 1,
The oxide added to the sintered compact is a zinc oxide-based sintered compact, characterized in that the fluoride form is added in the same atomic ratio.
제 1항 또는 제 2항에 기재된 소결체에 첨가된 산화물로 제조된 타겟을 스퍼터링 장치에 장착하여 제작된 내습성 특성이 있는 것을 특징으로 하는 투명도전막.A transparent conductive film having moisture resistance characteristics produced by attaching a target made of an oxide added to the sintered compact according to claim 1 or 2 to a sputtering apparatus. 제 3항에 있어서,
상기 투명도전막은 Power density 0.9~3.6 w/cm2에서 증착되는 것을 특징으로 하는 투명도전막.
The method of claim 3,
The transparent conductive film is a transparent conductive film, characterized in that deposited at a power density 0.9 ~ 3.6 w / cm 2 .
제 3항에 있어서,
상기 투명도전막은 400~800nm 파장에서 막 자체 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 투명도전막.
The method of claim 3,
The transparent conductive film is a transparent conductive film, characterized in that the film transmittance of 80% or more at a wavelength of 400 ~ 800nm.
제 3항에 있어서,
상기 투명도전막은 제작 시 기판온도가 상온부터 250도에서 성막한 것을 특징으로 하는 투명도전막.
The method of claim 3,
The transparent conductive film is a transparent conductive film, characterized in that the substrate temperature is formed at 250 degrees from room temperature at the time of manufacturing.
제 3항에 있어서,
상기 투명도전막은 제작 시 Working Pressure 조건이 0.2~1.0 Pa 분위기에서 성막한 것을 특징으로 하는 투명도전막.
The method of claim 3,
The transparent conductive film is a transparent conductive film, characterized in that formed in the working pressure conditions of 0.2 ~ 1.0 Pa atmosphere at the time of manufacture.
제 3항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서,
상기 투명도전막은 유리 또는 플라스틱제의 투명기판인 것을 특징으로 하는 투명도전막.
The method according to any one of claims 3 to 7,
The transparent conductive film is a transparent conductive film, characterized in that the transparent substrate made of glass or plastic.
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