[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR101080018B1 - Method of planarizing a coating layer, and method of manufacturing a supporting apparatus - Google Patents

Method of planarizing a coating layer, and method of manufacturing a supporting apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101080018B1
KR101080018B1 KR1020100103380A KR20100103380A KR101080018B1 KR 101080018 B1 KR101080018 B1 KR 101080018B1 KR 1020100103380 A KR1020100103380 A KR 1020100103380A KR 20100103380 A KR20100103380 A KR 20100103380A KR 101080018 B1 KR101080018 B1 KR 101080018B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
base material
coating layer
base plate
base
polishing apparatus
Prior art date
Application number
KR1020100103380A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100126636A (en
Inventor
박용균
윤인수
박희원
Original Assignee
(주)미코씨엔씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)미코씨엔씨 filed Critical (주)미코씨엔씨
Priority to KR1020100103380A priority Critical patent/KR101080018B1/en
Publication of KR20100126636A publication Critical patent/KR20100126636A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101080018B1 publication Critical patent/KR101080018B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B5/00—Machines or devices designed for grinding surfaces of revolution on work, including those which also grind adjacent plane surfaces; Accessories therefor
    • B24B5/02—Machines or devices designed for grinding surfaces of revolution on work, including those which also grind adjacent plane surfaces; Accessories therefor involving centres or chucks for holding work

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

코팅층 평탄화 방법은 상면에 코팅층이 형성된 모재를 연마 장치의 베이스 플레이트에 밀착하여 코팅층의 형성시 열 변형에 의해 휘어진 모재를 평탄화하고, 코팅층을 연마하여 평탄화시키고, 모재를 베이스 플레이트로부터 분리한다. 기판 지지대 제조 방법은 평탄화 표면을 가지며 기판을 지지하는 모재를 준비하여 상면에 코팅층을 형성하고, 상면에 코팅층이 형성된 모재를 연마 장치의 베이스 플레이트에 밀착하여 코팅층의 형성시 열 변형에 의해 휘어진 모재를 평탄화하고, 코팅층을 연마하여 평탄화시키고, 모재를 베이스 플레이트로부터 분리한다.In the coating layer flattening method, the base material having the coating layer formed on the top surface is brought into close contact with the base plate of the polishing apparatus to planarize the base material that is bent by heat deformation when the coating layer is formed, and the coating layer is polished and planarized, and the base material is separated from the base plate. In the method of manufacturing the substrate support, a base material having a flattening surface and supporting the substrate is prepared to form a coating layer on the top surface, and the base material having the coating layer formed on the top surface is brought into close contact with the base plate of the polishing apparatus to form a base material that is bent by heat deformation when the coating layer is formed. Planarize, polish the coating layer to planarize, and separate the base material from the base plate.

Description

코팅층 평탄화 방법 및 기판 지지대 제조 방법{Method of planarizing a coating layer, and method of manufacturing a supporting apparatus}Method of planarizing a coating layer, and method of manufacturing a supporting apparatus}

본 발명은 연마 장치를 이용한 코팅층 평탄화 방법 및 기판 지지대 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 연마 대상물을 밀착하여 고정하는 고정 유닛, 고정 유닛을 갖는 연마 장치, 연마 장치를 이용한 코팅층 평탄화 방법 및 기판 지지대 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a coating layer flattening method using a polishing apparatus and a substrate support manufacturing method, and more particularly, to a fixing unit for closely fixing a polishing object, a polishing apparatus having a fixing unit, a coating layer flattening method using a polishing apparatus and a substrate support. It relates to a manufacturing method.

일반적으로 반도체 소자 또는 평판 표시 소자는 진공 챔버 내의 기판 지지대에 기판을 지지한 상태에서 다양한 공정들을 반복적으로 수행하여 형성된다. 상기 기판 지지대의 예로는 기판을 지지하면서 바이어스 전원이 인가되는 하부 전극, 정전기력으로 기판을 고정하는 정전척 등을 들 수 있다.Generally, a semiconductor device or a flat panel display device is formed by repeatedly performing various processes while supporting a substrate on a substrate support in a vacuum chamber. Examples of the substrate support may include a lower electrode to which a bias power is applied while supporting the substrate, and an electrostatic chuck to fix the substrate by electrostatic force.

도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 연마 장치(10)를 이용한 기판 지지대 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1A to 1C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a substrate support using the polishing apparatus 10 according to the prior art.

도 1a를 참조하면, 상면에 코팅층(24)이 형성된 금속 재질의 모재(22)를 연마 장치(10)의 베이스 플레이트(12)에 고정하고, 연마 장치(10)의 연마헤드(14)로 상기 코팅층(24)을 평탄화하여 기판 지지대(20)를 제조한다. Referring to FIG. 1A, the base metal material 22 having the coating layer 24 formed on the upper surface thereof is fixed to the base plate 12 of the polishing apparatus 10, and the polishing head 14 of the polishing apparatus 10 is fixed to the base material 12. The substrate support 20 is manufactured by planarizing the coating layer 24.

상기 코팅층(24)형성시 열에 의해 상기 모재(22)가 휘어지고, 상기 베이스 플레이트(12)가 바닥면에 위치하므로 상기 베이스 플레이트(12)를 관통하여 체결 수단이 상기 베이스 플레이트(12)와 상기 모재(22)를 체결하기 어렵다. 따라서, 상기 모재(22)가 상기 베이스 플레이트(12)에 밀착되지 않으며, 상기 모재(22)가 상기 베이스 플레이트(12)와 부분적으로 이격된 상태에서 상기 코팅층(24)이 연마된다. When the coating layer 24 is formed, the base material 22 is bent by heat, and the base plate 12 is located on the bottom surface, so that the fastening means penetrates the base plate 12 and the base plate 12 and the It is difficult to fasten the base material 22. Therefore, the base material 22 is not in close contact with the base plate 12, and the coating layer 24 is polished while the base material 22 is partially spaced from the base plate 12.

도 1b를 참조하면, 연마 장치(10)에서 상기 기판 지지대(20)가 분리되는 경우, 상기 기판 지지대(20)의 상기 모재(22)가 휘어진 상태이다. 그러므로, 상기 기판 지지대(20)에서 상기 코팅층(24)은 평탄하다. 그러나, 상기 코팅층(24)의 두께가 불균일하다. Referring to FIG. 1B, when the substrate support 20 is separated from the polishing apparatus 10, the base material 22 of the substrate support 20 is bent. Therefore, the coating layer 24 in the substrate support 20 is flat. However, the thickness of the coating layer 24 is nonuniform.

도 1c를 참조하면, 상기 기판 지지대(20)가 기판에 대한 가공 공정이 수행되는 챔버(30)에 밀착되어 장착된다. 상기 모재(22)를 상기 챔버(30)와 밀착하여 평탄하게 장착하는 경우, 상기 코팅층(24)이 평탄하지 못하게 된다.Referring to FIG. 1C, the substrate support 20 is mounted in close contact with the chamber 30 in which a machining process for the substrate is performed. When the base material 22 is mounted in close contact with the chamber 30 and is flat, the coating layer 24 is not flat.

따라서, 상기 코팅층(24)의 두께가 불균일할 뿐만 아니라 상기 코팅층(24)의 평탄도를 확보할 수 없다.Therefore, not only the thickness of the coating layer 24 is uneven, but also the flatness of the coating layer 24 cannot be secured.

본 발명은 기판 지지대의 코팅층을 연마하기 위해 상기 기판 지지대를 고정하는 고정 유닛을 갖는 연마 장치를 이용한 코팅층 평탄화 방법을 제공한다.The present invention provides a coating layer planarization method using a polishing apparatus having a fixing unit for fixing the substrate support to polish the coating layer of the substrate support.

본 발명은 상기 연마 장치를 이용한 기판 지지대 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a method for manufacturing a substrate support using the polishing apparatus.

본 발명에 따른 코팅층 평탄화 방법은 상면에 코팅층이 형성된 모재를 연마 장치의 베이스 플레이트에 위치시키고, 상기 모재를 상기 베이스 플레이트에 밀착하여 상기 모재를 평탄화하고, 상기 코팅층을 연마하여 평탄화시킨다.In the coating layer flattening method according to the present invention, a base material having a coating layer formed on an upper surface thereof is placed on a base plate of a polishing apparatus, and the base material is brought into close contact with the base plate to planarize the base material, and the coating layer is polished to planarize.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅층은 세라믹을 포함할 수 있다. According to one embodiment of the invention, the coating layer may comprise a ceramic.

본 발명에 따른 기판 지지대 제조 방법은 평탄한 표면을 가지며 기판을 지지하는 모재를 준비하고, 상기 모재의 상면에 코팅층을 형성하고, 상기 모재를 연마 장치의 베이스 플레이트에 위치시키고, 상기 모재를 상기 베이스 플레이트에 밀착하여 상기 모재를 평탄화하고, 상기 코팅층을 연마하여 평탄화시킨다. In the method of manufacturing a substrate support according to the present invention, a base material having a flat surface and supporting a substrate is prepared, a coating layer is formed on an upper surface of the base material, the base material is placed on a base plate of a polishing apparatus, and the base material is placed on the base plate. The base material is planarized in close contact with the substrate, and the coating layer is polished and planarized.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 모재의 상면에 상기 코팅층을 형성하기 전에 상기 모재의 상면이 표면 거칠기를 갖도록 상기 모재의 상면을 가공할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the upper surface of the base material may be processed so that the upper surface of the base material has a surface roughness before forming the coating layer on the upper surface of the base material.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 코팅층의 형성은 상기 모재 상에 제1 유전층을 형성하고, 상기 제1 유전층 상의 일부 영역에 전극층을 형성하고, 상기 제1 유전층 상의 나머지 영역 및 상기 전극층 상에 제2 유전층을 형성하여 이루어진다. According to another embodiment of the present invention, the formation of the coating layer forms a first dielectric layer on the base material, forms an electrode layer on a portion of the first dielectric layer, and the remaining region on the first dielectric layer and on the electrode layer By forming a second dielectric layer.

상기 제1 유전층 및 상기 제2 유전층은 각각 세라믹을 포함하고, 상기 전극층은 금속을 포함할 수 있다.The first dielectric layer and the second dielectric layer may each include a ceramic, and the electrode layer may include a metal.

본 발명에 따르면 모재를 베이스 플레이트에 밀착하여 코팅층을 연마하므로, 기판 지지대를 챔버에 장착할 때 상기 코팅층의 평탄도를 확보할 수 있다. 또한, 상기 코팅층의 두께를 일정하게 유지할 수 있다. According to the present invention, since the base material is in close contact with the base plate to polish the coating layer, the flatness of the coating layer may be secured when the substrate support is mounted in the chamber. In addition, the thickness of the coating layer can be kept constant.

도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 연마 장치를 이용한 기판 지지대 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 도 2에 도시된 연마 장치를 이용한 기판 지지대 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1A to 1C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a substrate support using a polishing apparatus according to the prior art.
2 is a cross-sectional view illustrating a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a substrate support using the polishing apparatus shown in FIG. 2.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 고정 유닛, 고정 유닛을 갖는 연마 장치, 연마 장치를 이용한 코팅층 평탄화 방법 및 기판 기지대 제조 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a fixing unit, a polishing apparatus having a fixing unit, a coating layer planarization method using a polishing apparatus, and a substrate base manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 장치(100)를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view for explaining a polishing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 상기 연마 장치(100)는 고정 유닛(110) 및 연마 유닛(120)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the polishing apparatus 100 includes a fixing unit 110 and a polishing unit 120.

상기 고정 유닛(110)은 베이스 플레이트(112), 지지부재(114) 및 체결 나사(116)를 포함한다.The fixing unit 110 includes a base plate 112, a support member 114 and a fastening screw 116.

상기 베이스 플레이트(112)는 평판 형태를 가지며, 연마 대상물인 기판 지지대(20)를 지지한다. The base plate 112 has a flat plate shape and supports the substrate support 20, which is an object to be polished.

상기 지지부재(114)는 상기 베이스 플레이트(112)의 하면에 구비되어 상기 베이스 플레이트(112)를 지지한다. 예를 들면, 상기 지지부재(114)는 상기 베이스 플레이트(112)의 하면 가장자리를 따라 구비될 수 있다. 상기 지지부재(114)는 다수개가 서로 이격되도록 배치되어 상기 베이스 플레이트(112)를 안정적으로 지지할 수 있다. 상기 지지부재(114)는 상기 베이스 플레이트(112)를 바닥면으로부터 이격시킨다.The support member 114 is provided on the bottom surface of the base plate 112 to support the base plate 112. For example, the support member 114 may be provided along the bottom edge of the base plate 112. The support member 114 may be arranged to be spaced apart from each other to support the base plate 112 stably. The support member 114 spaces the base plate 112 from the bottom surface.

상기 체결 나사(116)는 상기 베이스 플레이트(112)와 상기 베이스 플레이트(112) 상에 놓여지는 상기 기판 지지대(20)를 체결한다. 예를 들면, 상기 체결 나사(116)는 상기 베이스 플레이트(112)의 하부에서 상기 베이스 플레이트(112)를 관통하여 상기 기판 지지대(20)의 모재(22)와 체결된다. 상기 체결 나사(116)는 다수개가 서로 이격되어 배치되므로, 상기 모재(22)를 상기 베이스 플레이트(112)에 밀착하여 고정할 수 있다. 상기 모재(22)가 여러 원인에 의해 휘어지더라도 상기 체결 나사(116)에 의해 평탄한 상태로 상기 베이스 플레이트(112)에 고정될 수 있다. The fastening screw 116 fastens the base plate 112 and the substrate support 20 placed on the base plate 112. For example, the fastening screw 116 penetrates the base plate 112 at the lower portion of the base plate 112 and is fastened to the base material 22 of the substrate support 20. Since the plurality of fastening screws 116 are spaced apart from each other, the base material 22 may be fixed in close contact with the base plate 112. Even if the base material 22 is bent by various causes, the base material 22 may be fixed to the base plate 112 in a flat state by the fastening screw 116.

상기 연마 유닛(120)은 상기 고정 유닛(110)의 상방에 구비되며, 상기 모재(22)의 상면에 형성된 코팅층(24)을 연마한다. 상기 모재(22)가 평탄하게 고정된 상태에서 상기 코팅층(24)이 연마되므로, 상기 코팅층(24)은 균일한 두께를 가지며, 평탄도를 확보할 수 있다. The polishing unit 120 is provided above the fixing unit 110, and polishes the coating layer 24 formed on the upper surface of the base material 22. Since the coating layer 24 is polished while the base material 22 is fixed flat, the coating layer 24 may have a uniform thickness and ensure flatness.

도시되지는 않았지만 상기 연마 유닛(120)은 구동부에 의해 상하 이동 및 수평 이동할 수 있다.Although not shown, the polishing unit 120 may move vertically and horizontally by a driving unit.

도 3a 내지 도 3e는 도 2에 도시된 연마 장치(100)를 이용한 기판 지지대 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a substrate support using the polishing apparatus 100 shown in FIG. 2.

도 3a를 참조하면, 평탄한 표면을 갖는 모재(210)를 준비한다. 상기 모재(210)는 기판(미도시)을 지지할 수 있다. 상기 모재(210)는 밀링(milling) 공정 또는 연삭 공정에 의해 가공될 수 있다. 일 예로, 상기 모재(210)는 단을 갖는 원판 형상을 가질 수 있다. 다른 예로, 상기 모재(210)는 원판 형상 또는 사각 평판 형상을 가질 수 있다. 상기 모재(210)는 금속을 포함할 수 있다. 상기 금속의 예로는 알루미늄을 들 수 있다. Referring to FIG. 3A, a base material 210 having a flat surface is prepared. The base material 210 may support a substrate (not shown). The base material 210 may be processed by a milling process or a grinding process. For example, the base material 210 may have a disc shape having a stage. As another example, the base material 210 may have a disc shape or a square flat plate shape. The base material 210 may include a metal. Examples of the metal include aluminum.

이후, 상기 모재(210)의 상면을 가공한다. 상기 모재(210)의 상면은 샌드 블라스트 공정 또는 쇼트 블라스트 공정에 의해 가공될 수 있다. 따라서, 상기 모재(210)의 상면은 일정한 표면 거칠기를 가질 수 있다. Thereafter, the upper surface of the base material 210 is processed. The upper surface of the base material 210 may be processed by a sand blast process or a short blast process. Therefore, the upper surface of the base material 210 may have a constant surface roughness.

도 3b를 참조하면, 상기 모재(210)의 상면에 코팅층(220)을 형성한다. 상기 코팅층(220)은 용사 공정에 의해 형성될 수 있다. 상기 모재(210)의 상면이 일정한 표면 거칠기를 가지므로, 상기 코팅층(220)은 상기 모재(210)에 단단하게 부착될 수 있다.Referring to FIG. 3B, a coating layer 220 is formed on the upper surface of the base material 210. The coating layer 220 may be formed by a thermal spraying process. Since the upper surface of the base material 210 has a constant surface roughness, the coating layer 220 may be firmly attached to the base material 210.

일 예로, 상기 코팅층(220)은 단층일 수 있다. 예를 들면, 상기 코팅층(220)은 세라믹을 포함할 수 있다. 상기 세라믹의 예로는 Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2,BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 등을 들 수 있다. 이들은 단독 혹은 복합적으로 사용될 수 있다. 상기 코팅층(220)은 상기 모재(210)와 상기 기판을 절연한다. 또한, 상기 모재(210)에 고주파 전원이 인가되는 경우, 상기 코팅층(220)에 정전기력이 발생할 수 있다. For example, the coating layer 220 may be a single layer. For example, the coating layer 220 may include a ceramic. Examples of the ceramics include Al 2 O 3, Y 2 O 3, Al 2 O 3 / Y 2 O 3, ZrO 2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO 2, TiO 2, BxCy, BN, SiO 2, SiC, YAG, Mullite, AlF 3, and the like. These may be used alone or in combination. The coating layer 220 insulates the base material 210 and the substrate. In addition, when a high frequency power is applied to the base material 210, an electrostatic force may be generated on the coating layer 220.

다른 예로, 상기 코팅층(220)은 다층일 수 있다. 예를 들면, 상기 모재(210) 상에 형성되는 제1 유전층을 형성하고, 상기 제1 유전층 상의 일부 영역에 전극층을 형성하고, 상기 제1 유전층 상의 나머지 영역 및 상기 전극층 상에 제2 유전층을 형성하여 상기 코팅층(220)을 형성할 수 있다. 상기 제1 유전층 및 상기 제2 유전층은 각각 세라믹을 포함하고, 상기 전극층은 금속을 포함할 수 있다. 상기 세라믹의 예로는 Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2,BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 등을 들 수 있다. 이들은 단독 혹은 복합적으로 사용될 수 있다. 상기 금속의 예로는 텅스텐, 몰리브덴 또는 이들의 합금을 들 수 있다. 상기 코팅층(220)은 상기 모재(210)와 상기 기판을 절연할 뿐만 아니라 상기 전극층에 전원이 인가되는 경우 상기 기판을 정전기력으로 고정할 수 있다. As another example, the coating layer 220 may be a multilayer. For example, a first dielectric layer formed on the base material 210 is formed, an electrode layer is formed on a portion of the first dielectric layer, and a remaining region on the first dielectric layer and a second dielectric layer are formed on the electrode layer. By doing so, the coating layer 220 may be formed. The first dielectric layer and the second dielectric layer may each include a ceramic, and the electrode layer may include a metal. Examples of the ceramics include Al 2 O 3, Y 2 O 3, Al 2 O 3 / Y 2 O 3, ZrO 2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO 2, TiO 2, BxCy, BN, SiO 2, SiC, YAG, Mullite, AlF 3, and the like. These may be used alone or in combination. Examples of the metal include tungsten, molybdenum or alloys thereof. The coating layer 220 may not only insulate the substrate 210 and the substrate, but also may fix the substrate with an electrostatic force when power is applied to the electrode layer.

도 3c를 참조하면, 상기 코팅층(220)이 형성된 모재(210)를 연마 장치(100)의 베이스 플레이트(112)에 위치시킨다. Referring to FIG. 3C, the base material 210 on which the coating layer 220 is formed is positioned on the base plate 112 of the polishing apparatus 100.

체결 나사(116)를 상기 베이스 플레이트(112)의 하부로부터 상기 베이스 플레이트(112)를 관통하여 상기 모재(210)까지 체결한다. 상기 형상 가공 공정, 표면 가공 공정 및 코팅층(220) 형성 공정 중 발생하는 물리적 충격이나 열에 의해 상기 모재(210)가 휘어지더라도 상기 체결 나사(116)에 의해 상기 모재(210)가 상기 베이스 플레이트(112)가 밀착되어 평탄하게 고정된다. The fastening screw 116 is fastened from the bottom of the base plate 112 to the base material 210 through the base plate 112. Even when the base material 210 is bent due to physical impact or heat generated during the shape processing process, the surface processing process, and the coating layer 220 forming process, the base material 210 is connected to the base plate by the fastening screw 116. 112 is tightly held flat.

이후, 연마 유닛(120)을 상기 코팅층(220)의 상면에 접촉하여 수평 방향으로 이동시킴으로써, 상기 코팅층(220)을 평탄하게 연마한다. 따라서, 상기 코팅층(220)은 균일한 두께를 가지며, 평탄도를 확보할 수 있다.Thereafter, the polishing unit 120 is moved in a horizontal direction in contact with the top surface of the coating layer 220, thereby smoothly polishing the coating layer 220. Thus, the coating layer 220 may have a uniform thickness and ensure flatness.

도 3d를 참조하면, 상기 모재(210)와 상기 코팅층(220)을 포함하는 기판 지지대(200)를 상기 베이스 플레이트(112)로부터 분리하면, 상기 모재(210)가 다시 휘어진다. 그러므로 상기 코팅층(220)은 균일한 두께를 가지지만 상기 평탄도를 확보할 수 없다. Referring to FIG. 3D, when the substrate support 200 including the base material 210 and the coating layer 220 is separated from the base plate 112, the base material 210 is bent again. Therefore, the coating layer 220 has a uniform thickness but cannot secure the flatness.

도 3e를 참조하면, 상기 기판 지지대(200)를 기판에 대한 가공 공정이 수행되는 챔버(30)에 장착하는 경우, 상기 기판 지지대(220)의 모재(210)가 상기 챔버(30)와 밀착되어 고정된다. 따라서, 상기 기판 지지대(220)의 코팅층(220)이 균일한 두께를 가지며, 평탄도를 확보할 수 있다.Referring to FIG. 3E, when the substrate support 200 is mounted in a chamber 30 in which a processing process for the substrate is performed, the base material 210 of the substrate support 220 is in close contact with the chamber 30. It is fixed. Therefore, the coating layer 220 of the substrate support 220 has a uniform thickness, it can ensure the flatness.

한편, 상기 코팅층(220)이 단층인 경우, 상기 기판 지지대(220)는 상기 챔버(30)의 내부에서 하부 전극으로 작용한다. 상기 코팅층(220)이 다층인 경우, 상기 기판 지지대(220)는 상기 챔버(30) 내부에서 정전척으로 작용한다. On the other hand, when the coating layer 220 is a single layer, the substrate support 220 serves as a lower electrode inside the chamber 30. When the coating layer 220 is a multilayer, the substrate support 220 acts as an electrostatic chuck in the chamber 30.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 모재를 베이스 플레이트에 밀착하여 코팅층을 연마하므로, 기판 지지대를 챔버에 장착할 때 상기 코팅층의 평탄도를 확보할 수 있다. 또한, 상기 코팅층의 두께를 일정하게 유지할 수 있다. As described above, according to the present invention, since the base material is in close contact with the base plate to polish the coating layer, the flatness of the coating layer may be secured when the substrate support is mounted in the chamber. In addition, the thickness of the coating layer can be kept constant.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

100 : 연마 장치 110 : 고정유닛
112 : 베이스 플레이트 114 : 지지부재
116 : 체결나사 120 : 연마 유닛
200 : 기판 지지대 210 : 모재
220 : 코팅층100: polishing apparatus 110: fixed unit
112: base plate 114: support member
116: tightening screw 120: polishing unit
200: substrate support 210: base material
220: coating layer

Claims (6)

상면에 코팅층이 형성된 모재를 지지부재에 의해 바닥면과 이격된 연마 장치의 베이스 플레이트에 위치시키는 단계;
상기 베이스 플레이트의 하부로부터 상기 베이스 플레이트를 관통하여 상기 모재와 체결되는 체결나사를 통해서 상기 모재를 상기 베이스 플레이트에 밀착하여 상기 모재를 평탄화하는 단계; 및
상기 코팅층을 연마하여 평탄화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅층 평탄화 방법.Positioning a base material having a coating layer formed on an upper surface thereof on a base plate of the polishing apparatus spaced apart from the bottom surface by a supporting member;
Flattening the base material by bringing the base material into close contact with the base plate through a fastening screw fastened to the base material through the base plate from the bottom of the base plate; And
Polishing the coating layer to planarize the coating layer comprising the step of flattening. 제1항에 있어서, 상기 코팅층은 세라믹을 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅층 평탄화 방법.The method of claim 1, wherein the coating layer comprises a ceramic. 평탄한 표면을 가지며 기판을 지지하는 모재를 준비하는 단계;
상기 모재의 상면에 코팅층을 형성하는 단계;
상기 모재를 지지부재에 의해 바닥면과 이격된 연마 장치의 베이스 플레이트에 위치시키는 단계;
상기 베이스 플레이트의 하부로부터 상기 베이스 플레이트를 관통하여 상기 모재와 체결되는 체결나사를 통해서 상기 모재를 상기 베이스 플레이트에 밀착하여 상기 모재를 평탄화하는 단계; 및
상기 코팅층을 연마하여 평탄화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 제조 방법.Preparing a base material having a flat surface and supporting the substrate;
Forming a coating layer on an upper surface of the base material;
Positioning the base material on a base plate of the polishing apparatus spaced apart from the bottom surface by a support member;
Flattening the base material by bringing the base material into close contact with the base plate through a fastening screw fastened to the base material through the base plate from the bottom of the base plate; And
And polishing the coating layer to planarize the substrate. 제3항에 있어서, 상기 모재의 상면에 상기 코팅층을 형성하기 전에 상기 모재의 상면이 표면 거칠기를 갖도록 상기 모재의 상면을 가공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 제조 방법.4. The method of claim 3, further comprising processing the top surface of the base material so that the top surface of the base material has a surface roughness before forming the coating layer on the top surface of the base material. 제3항에 있어서, 상기 모재 상에 상기 코팅층을 형성하는 단계는,
상기 모재 상에 제1 유전층을 형성하는 단계;
상기 제1 유전층 상의 일부 영역에 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 유전층 상의 나머지 영역 및 상기 전극층 상에 제2 유전층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 제조 방법.The method of claim 3, wherein the forming of the coating layer on the base material,
Forming a first dielectric layer on the base material;
Forming an electrode layer on a portion of the first dielectric layer; And
Forming a second dielectric layer on the remaining region on the first dielectric layer and on the electrode layer. 제5항에 있어서, 상기 제1 유전층 및 상기 제2 유전층은 각각 세라믹을 포함하고, 상기 전극층은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 제조 방법.6. The method of claim 5, wherein the first dielectric layer and the second dielectric layer each comprise a ceramic and the electrode layer comprises a metal.
KR1020100103380A 2010-10-22 2010-10-22 Method of planarizing a coating layer, and method of manufacturing a supporting apparatus KR101080018B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100103380A KR101080018B1 (en) 2010-10-22 2010-10-22 Method of planarizing a coating layer, and method of manufacturing a supporting apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100103380A KR101080018B1 (en) 2010-10-22 2010-10-22 Method of planarizing a coating layer, and method of manufacturing a supporting apparatus

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080012453A Division KR101014167B1 (en) 2008-02-12 2008-02-12 Fixing unit and polishing apparatus having the fixing unit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100126636A KR20100126636A (en) 2010-12-02
KR101080018B1 true KR101080018B1 (en) 2011-11-04

Family

ID=43504245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100103380A KR101080018B1 (en) 2010-10-22 2010-10-22 Method of planarizing a coating layer, and method of manufacturing a supporting apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101080018B1 (en)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9662860B2 (en) 2013-08-08 2017-05-30 Belkin International Inc. Overlay applicator and method of using the same
US9757934B2 (en) 2013-08-08 2017-09-12 Belkin International Inc. Overlay applicator and method of using the same
USD800128S1 (en) 2016-05-27 2017-10-17 Belkin International, Inc. Overlay
USD800127S1 (en) 2016-05-27 2017-10-17 Belkin International, Inc. Overlay
USD800131S1 (en) 2016-05-27 2017-10-17 Belkin International, Inc. Overlay
USD800126S1 (en) 2016-05-27 2017-10-17 Belkin International, Inc. Overlay
USD800130S1 (en) 2016-05-27 2017-10-17 Belkin International, Inc. Overlay
USD800129S1 (en) 2016-05-27 2017-10-17 Belkin International, Inc. Overlay
USD802594S1 (en) 2016-05-27 2017-11-14 Belkin International, Inc. Overlay
USD811404S1 (en) 2016-05-27 2018-02-27 Belkin International, Inc. Overlay
USD811405S1 (en) 2016-05-27 2018-02-27 Belkin International, Inc. Overlay
USD811407S1 (en) 2016-05-27 2018-02-27 Belkin International, Inc. Overlay
USD811406S1 (en) 2016-05-27 2018-02-27 Belkin International, Inc. Overlay tray
USD811408S1 (en) 2016-05-27 2018-02-27 Belkin International, Inc. Overlay
USD812061S1 (en) 2016-05-27 2018-03-06 Belkin International, Inc. Overlay tray
USD812062S1 (en) 2016-09-15 2018-03-06 Belkin International, Inc. Overlay tray
USD812063S1 (en) 2013-12-20 2018-03-06 Belkin International, Inc. Overlay
USD817945S1 (en) 2016-05-27 2018-05-15 Belkin International, Inc. Overlay
USD833439S1 (en) 2016-09-15 2018-11-13 Belkin International, Inc. Overlay tray
US10155370B2 (en) 2013-08-08 2018-12-18 Belkin International, Inc. Overlay applicator machine and method of using the same
USD856991S1 (en) 2013-12-20 2019-08-20 Belkin International, Inc. Overlay
USD856992S1 (en) 2014-01-27 2019-08-20 Belkin International, Inc. Overlay for electronic device
US10675817B2 (en) 2013-08-08 2020-06-09 Belkin International, Inc. Overlay applicator tray and method of using the same
US10782746B2 (en) 2013-08-08 2020-09-22 Belkin International, Inc. Overlay for an electronic device
US11772320B2 (en) 2013-08-08 2023-10-03 Belkin International, Inc. Overlay applicator tray and method of using the same
US12005628B2 (en) 2020-02-19 2024-06-11 Belkin International, Inc. Overlay applicator machines and methods of providing the same

Cited By (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10782746B2 (en) 2013-08-08 2020-09-22 Belkin International, Inc. Overlay for an electronic device
US9902111B2 (en) 2013-08-08 2018-02-27 Belkin International, Inc. Cradle device, method of using the same, and overlay applicator machine
US9701062B2 (en) 2013-08-08 2017-07-11 Belkin International, Inc. Cradle device and method of using the same
US9757934B2 (en) 2013-08-08 2017-09-12 Belkin International Inc. Overlay applicator and method of using the same
US11772320B2 (en) 2013-08-08 2023-10-03 Belkin International, Inc. Overlay applicator tray and method of using the same
US11420381B2 (en) 2013-08-08 2022-08-23 Belkin International, Inc. Overlay applicator machine and method of providing the same
US9701096B2 (en) 2013-08-08 2017-07-11 Belkin International Inc. Overlay applicator machine and method of using the same
US10675817B2 (en) 2013-08-08 2020-06-09 Belkin International, Inc. Overlay applicator tray and method of using the same
US10155370B2 (en) 2013-08-08 2018-12-18 Belkin International, Inc. Overlay applicator machine and method of using the same
US9662860B2 (en) 2013-08-08 2017-05-30 Belkin International Inc. Overlay applicator and method of using the same
US10065365B2 (en) 2013-08-08 2018-09-04 Belkin International, Inc. Particle removal device and method of using the same
USD856991S1 (en) 2013-12-20 2019-08-20 Belkin International, Inc. Overlay
USD812063S1 (en) 2013-12-20 2018-03-06 Belkin International, Inc. Overlay
USD856992S1 (en) 2014-01-27 2019-08-20 Belkin International, Inc. Overlay for electronic device
USD817945S1 (en) 2016-05-27 2018-05-15 Belkin International, Inc. Overlay
USD802594S1 (en) 2016-05-27 2017-11-14 Belkin International, Inc. Overlay
USD811406S1 (en) 2016-05-27 2018-02-27 Belkin International, Inc. Overlay tray
USD812061S1 (en) 2016-05-27 2018-03-06 Belkin International, Inc. Overlay tray
USD800128S1 (en) 2016-05-27 2017-10-17 Belkin International, Inc. Overlay
USD811407S1 (en) 2016-05-27 2018-02-27 Belkin International, Inc. Overlay
USD811405S1 (en) 2016-05-27 2018-02-27 Belkin International, Inc. Overlay
USD811404S1 (en) 2016-05-27 2018-02-27 Belkin International, Inc. Overlay
USD832847S1 (en) 2016-05-27 2018-11-06 Belkin International, Inc. Overlay
USD832846S1 (en) 2016-05-27 2018-11-06 Belkin International, Inc. Overlay
USD833441S1 (en) 2016-05-27 2018-11-13 Belkin International, Inc. Overlay
USD833443S1 (en) 2016-05-27 2018-11-13 Belkin International, Inc. Overlay
USD833442S1 (en) 2016-05-27 2018-11-13 Belkin International, Inc. Overlay
USD800127S1 (en) 2016-05-27 2017-10-17 Belkin International, Inc. Overlay
USD833440S1 (en) 2016-05-27 2018-11-13 Belkin International, Inc. Overlay
USD834024S1 (en) 2016-05-27 2018-11-20 Belkin International, Inc. Overlay
USD800131S1 (en) 2016-05-27 2017-10-17 Belkin International, Inc. Overlay
USD835623S1 (en) 2016-05-27 2018-12-11 Belkin International, Inc. Overlay
USD836115S1 (en) 2016-05-27 2018-12-18 Belkin International, Inc. Overlay
USD811408S1 (en) 2016-05-27 2018-02-27 Belkin International, Inc. Overlay
USD800129S1 (en) 2016-05-27 2017-10-17 Belkin International, Inc. Overlay
USD800130S1 (en) 2016-05-27 2017-10-17 Belkin International, Inc. Overlay
USD800126S1 (en) 2016-05-27 2017-10-17 Belkin International, Inc. Overlay
USD835108S1 (en) 2016-09-15 2018-12-04 Belkin International, Inc. Overlay tray
USD833439S1 (en) 2016-09-15 2018-11-13 Belkin International, Inc. Overlay tray
USD812062S1 (en) 2016-09-15 2018-03-06 Belkin International, Inc. Overlay tray
US12005628B2 (en) 2020-02-19 2024-06-11 Belkin International, Inc. Overlay applicator machines and methods of providing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100126636A (en) 2010-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101080018B1 (en) Method of planarizing a coating layer, and method of manufacturing a supporting apparatus
JP5707889B2 (en) Semiconductor substrate cutting method and semiconductor substrate cutting apparatus
KR20170067719A (en) Electrostatic chuck device
JP2012109357A (en) Cutting method and cutting device of semiconductor substrate
US20110034112A1 (en) Polishing apparatus, polishing auxiliary apparatus and polishing method
EP1868231A1 (en) Bonded wafer manufacturing method, bonded wafer, and plane polishing apparatus
JP2015065024A (en) Plasma processing apparatus, plasma processing method and ring member
KR101189815B1 (en) Large size electrostatic chuck and manufacturing method thereof
KR101014167B1 (en) Fixing unit and polishing apparatus having the fixing unit
JP2008254962A (en) Flattening treatment method for setter
US20200027755A1 (en) Temporary-fixing substrate and method for molding electronic component
JP2013129023A (en) Method for manufacturing sapphire substrate, and sapphire substrate
JP6069654B2 (en) Plasma processing stage for substrate to be processed and plasma processing apparatus using the same
JP6017895B2 (en) Alumina sintered body manufacturing method, vacuum chuck manufacturing method, and electrostatic chuck manufacturing method
JP2011025338A (en) Plate-like object fixing method
JP2013197425A (en) Planarization grinding process of silicon carbide substrate
JP2006303329A (en) Thin plate working method of silicon substrate and working apparatus used for it
JP6208940B2 (en) Polishing pad
JP2002217145A (en) Chuck for polishing apparatus
JP2010188489A (en) Method for manufacturing bonded wafer
JP2017170541A (en) Chamfering device and chamfering method
KR20160057585A (en) Device for bonding wafer of wafer flattening apparatus and method for flattening wafer
JP2019169719A (en) Laser processing system
JP2010247287A (en) Manufacturing method for silicon carbide single crystal substrate
JP6430081B1 (en) Temporary fixing substrate and electronic component temporary fixing method

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140917

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150909

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160906

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170907

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190909

Year of fee payment: 9