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KR101076218B1 - Formation apparatus and method thereof of alloy composite membrane - Google Patents

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KR101076218B1
KR101076218B1 KR1020080108402A KR20080108402A KR101076218B1 KR 101076218 B1 KR101076218 B1 KR 101076218B1 KR 1020080108402 A KR1020080108402 A KR 1020080108402A KR 20080108402 A KR20080108402 A KR 20080108402A KR 101076218 B1 KR101076218 B1 KR 101076218B1
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Abstract

본 발명에 의하면, 스퍼터 증착(sputter deposition)에 의해 합금분리막을 형성하는 장치는 적어도 하나의 지지체가 로딩되며, 상기 지지체에 대한 증착이 이루어지는 챔버; 상기 챔버 내 하측에 위치하며, 상기 지지체가 고정되는 지지체 지지대를 구비하는 스테이지; 상기 스테이지의 상부에 위치하며, 상기 지지체에 증착되는 팔라듐을 공급하는 팔라듐 타겟; 상기 스테이지의 상부에 위치하며, 상기 지지체에 증착되는 금속을 공급하는 금속 타겟; 그리고 상기 스테이지에 연결되어, 상기 스테이지를 상기 팔라듐 타겟 및 상기 금속 타겟에 각각 대응되는 위치로 전환시키는 회동부를 포함한다.According to the present invention, an apparatus for forming an alloy separator by sputter deposition includes: a chamber in which at least one support is loaded, and the deposition is performed on the support; A stage positioned below the chamber and having a supporter to which the support is fixed; A palladium target positioned on the stage and supplying palladium deposited on the support; A metal target positioned on the stage and supplying metal deposited on the support; And a pivot unit connected to the stage to convert the stage to a position corresponding to the palladium target and the metal target, respectively.

분리막, 팔라듐, 금속, 지지체 Membrane, Palladium, Metal, Support

Description

합금분리막 형성장치 및 그 형성방법{FORMATION APPARATUS AND METHOD THEREOF OF ALLOY COMPOSITE MEMBRANE}Alloy Separator Forming Apparatus and Forming Method thereof {FORMATION APPARATUS AND METHOD THEREOF OF ALLOY COMPOSITE MEMBRANE}

본 발명은 합금분리막 형성장치 및 그 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 스퍼터링법에 의한 팔라듐 합금분리막 형성시 생산성을 향상시킬 수 있는 합금분리막 형성장치 및 그 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to an alloy separator forming apparatus and a method for forming the same, and more particularly, to an alloy separator forming apparatus and a method for forming the same, which can improve productivity when forming a palladium alloy separator by sputtering.

일반적으로, 초고순도의 수소 제조에 사용되는 분리막은 낮은 투과성을 갖기 때문에 현재 이를 개선하기 위하여 다공성 지지체에 비 다공성인 팔라듐 막을 코팅하여 막의 선택적 투과성을 향상시키기 위해 개발되고 있다. 하지만, 비 다공성의 팔라듐 막은 수소(H2)에 대한 선택성은 우수하나 투과성이 낮다. 따라서, 다공성 지지체 표면에 얇은 팔라듐 막을 코팅하여 수소의 선택적 투과성을 높이고자 하지만 팔라듐만을 적용한 분리막의 경우에는 수소 기체의 흡수에 따라 격자의 상변태가 발생하여 변형이 일어나는 문제가 있다. 이의 방지를 위하여 현재에는 팔라듐 합금 분리막이 많이 사용되고 있다.In general, since the separator used in the production of ultra high purity hydrogen has low permeability, it is currently being developed to improve the selective permeability of the membrane by coating a non-porous palladium membrane on the porous support. However, non-porous palladium membranes have good selectivity for hydrogen (H 2 ) but low permeability. Therefore, although a thin palladium membrane is coated on the surface of the porous support to increase the permeability of hydrogen selectively, in the case of a separator using palladium only, there is a problem that deformation occurs due to phase transformation of the lattice due to absorption of hydrogen gas. In order to prevent this, palladium alloy separators are used a lot now.

이와 같은 팔라듐 합금 분리막의 형성방법으로는 무전해도금법(electroless plating), 화학증착법(chemical vapordeposition), 전기도금법(electrodepostion), 스퍼터링(sputtering), 고온 열분해법(spray pyrolysis) 및 용액 침적법(wet impregnation depostion) 등이 있으며, 박막에 요구되는 특성, 재질, 지지체의 성질에 따라 알맞은 방법을 선택하여 사용하고 있다.Such palladium alloy separators are formed by electroless plating, chemical vapor deposition, electrodepostion, sputtering, spray pyrolysis and wet impregnation. depostion), and appropriate methods are used depending on the properties, materials, and support properties required for thin films.

특히, 스퍼터링법은 고에너지의 이온이 금속 타겟(target)을 때려 나온 금속 원자가 지지체에 증착되어 박막으로 이루어지는 방법으로써, 금속 막의 생성이 빠르게 일어나며 두께의 조절이 용이하다는 장점은 있다.In particular, the sputtering method is a method in which a metal of high energy ions striking a metal target is deposited on a support and formed into a thin film. The sputtering method produces a metal film quickly and has an advantage of easy control of thickness.

그러나 팔라듐 합금 분리막 형성시 챔버 내부의 온도 상승에 따라 분리막 취출 전에 온도를 다운시켜야 하므로 온도 하강 시간을 고려할 때 생산성 향상이 관건으로 대두하고 있는 실정이다.However, when the palladium alloy separator is formed, the temperature must be lowered prior to the extraction of the separator according to the temperature rise in the chamber. Therefore, productivity improvement is emerging as a key factor in considering the temperature drop time.

본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 팔라듐 합금 분리막의 형성시 다수개의 지지체를 지지체 지지대에 고정시켜 팔라듐과 금속을 순차적으로 연속 증착시킴에 따라 다량 생산이 가능할 수 있게 한 합금분리막 형성장치 및 그 형성방법을 제공함에 있다.The present invention has been made in order to solve the above problems, the object of the present invention is to form a palladium alloy separation membrane to support a plurality of supports to the support support to be able to be produced in large quantities by sequentially depositing palladium and metal sequentially An alloy separator forming apparatus and a method of forming the same are provided.

본 발명에 의하면, 스퍼터 증착(sputter deposition)에 의해 합금분리막을 형성하는 장치는 적어도 하나의 지지체가 로딩되며, 상기 지지체에 대한 증착이 이루어지는 챔버; 상기 챔버 내 하측에 위치하며, 상기 지지체가 고정되는 지지체 지지대를 구비하는 스테이지; 상기 스테이지의 상부에 위치하며, 상기 지지체에 증착 되는 팔라듐을 공급하는 팔라듐 타겟; 상기 스테이지의 상부에 위치하며, 상기 지지체에 증착되는 금속을 공급하는 금속 타겟; 그리고 상기 스테이지에 연결되어, 상기 스테이지를 상기 팔라듐 타겟 및 상기 금속 타겟에 각각 대응되는 위치로 전환시키는 회동부를 포함한다.According to the present invention, an apparatus for forming an alloy separator by sputter deposition includes: a chamber in which at least one support is loaded, and the deposition is performed on the support; A stage positioned below the chamber and having a supporter to which the support is fixed; A palladium target positioned on the stage and supplying palladium deposited on the support; A metal target positioned on the stage and supplying metal deposited on the support; And a pivot unit connected to the stage to convert the stage to a position corresponding to the palladium target and the metal target, respectively.

상기 지지체 지지대는 상기 지지체가 설치되는 복수의 홈들을 가지며, 상기 홈들은 상기 스테이지의 회전중심을 기준으로 등각을 이루도록 위치할 수 있다.The supporter may have a plurality of grooves in which the support is installed, and the grooves may be positioned at an angle with respect to the rotation center of the stage.

상기 합금분리막 형성장치는 상기 팔라듐 타겟 및 상기 금속 타겟 중 어느 하나를 선택적으로 차단하는 타겟 커버를 더 포함할 수 있다.The alloy separator may further include a target cover to selectively block any one of the palladium target and the metal target.

상기 지지체 지지대 상에는 복수의 지지체들이 상기 스테이지의 회전중심을 기준으로 등각을 이루어 고정되며, 상기 회동부는 상기 지지체들이 이루는 각도만큼 상기 지지체 지지대를 회동시킬 수 있다.A plurality of supports are fixed on the support support to form a conformal angle with respect to the rotation center of the stage, the rotating portion may rotate the support support by the angle formed by the support.

상기 회동부는 상기 스테이지에 연결되어 상기 스테이지와 함께 회전하는 구동축 및 상기 구동축 상에 설치되어 상기 구동축과 함께 회전하는 간섭부재를 구비하며, 상기 합금분리막 형성장치는 상기 구동축의 둘레에 설치되어 상기 간섭부재의 위치를 감지하는 센서를 더 포함할 수 있다.The rotating part includes a driving shaft connected to the stage and rotating together with the stage, and an interference member installed on the driving shaft and rotating together with the driving shaft, wherein the alloy separator forming apparatus is installed around the driving shaft to provide the interference member. It may further include a sensor for detecting the position of.

한편, 상기 금속은 구리일 수 있다.Meanwhile, the metal may be copper.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 스퍼터 증착에 의해 합금분리막을 형성하는 방법은 챔버 내에 설치된 지지체 지지대 상에 지지체를 설치하는 단계; 상기 지지체 지지대를 회전시켜 상기 지지체를 팔라듐 타겟에 대응되는 위치로 이동시키고 상기 지지체 상에 팔라듐 코팅층을 증착하는 단계; 그리고 상기 지지체 지지대를 회전시켜 상기 지지체를 금속 타겟에 대응되는 위치로 이동시키고 상기 팔라듐 코팅층 상에 금속을 증착하는 단계를 포함한다.According to one embodiment of the present invention, a method of forming an alloy separation film by sputter deposition comprises the steps of installing a support on a support support installed in the chamber; Rotating the support support to move the support to a position corresponding to the palladium target and depositing a palladium coating layer on the support; And rotating the support holder to move the support to a position corresponding to the metal target and depositing metal on the palladium coating layer.

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 스퍼터 증착에 의해 합금분리막을 형성하는 방법은 챔버 내에 설치된 지지체 지지대 상에 복수의 지지체를 설치하는 단계; 상기 지지체 지지대를 회전시켜 상기 지지체를 팔라듐 타겟에 대응되는 위치로 순차적으로 이동시키고 상기 지지체 상에 팔라듐 코팅층을 순차적으로 증착하는 단계; 그리고 상기 지지체 지지대를 회전시켜 상기 지지체를 금속 타겟에 대응되는 위치로 순차적으로 이동시키고 상기 팔라듐 코팅층 상에 금속을 순차적으로 증착하는 단계를 포함한다.According to another embodiment of the present invention, a method of forming an alloy separation film by sputter deposition includes the steps of installing a plurality of supports on a support support installed in the chamber; Rotating the support support to sequentially move the support to a position corresponding to the palladium target and sequentially depositing a palladium coating layer on the support; And rotating the support holder to sequentially move the support to a position corresponding to the metal target and sequentially depositing metal on the palladium coating layer.

상기 팔라듐 코팅층을 증착하는 단계에서 상기 금속 타겟을 차단하며, 상기 금속을 증착하는 단계에서 상기 팔라듐 타겟을 차단한다.Blocking the metal target in the step of depositing the palladium coating layer, and blocking the palladium target in the step of depositing the metal.

이와 같은 본 발명의 합금분리막 형성장치 및 그 형성방법은, 팔라듐 합금 분리막의 형성시 다수개의 지지체를 지지체 지지대에 고정시켜 팔라듐과 금속을 순차적으로 연속 증착시킴에 따라 다량 생산이 가능한 효과가 있다.Such an alloy separator forming apparatus and a method of forming the same according to the present invention, by forming a palladium alloy separator is fixed to a plurality of supports on the support base to sequentially deposit the palladium and the metal has the effect that can be produced in large quantities.

이하, 본 발명의 합금분리막 형성장치 및 그 형성방법을 첨부도면을 참조하여 일 실시 예를 들어 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the alloy separator forming apparatus and the method of forming the present invention will be described with reference to an embodiment as follows.

본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 합금분리막 형성장치는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 건식 진공 방식에 의해 분리막 형성 대상인 적어도 하나의 지지체(140) 상에 팔라듐 막과 금속 막을 일률적으로 순차 증착시키며, 챔버(100), 타겟(110), DC 파워(118), 스테이지(120), 회동부(130) 및 제어부(도면에 미도시)로 구성된다.In the alloy separator forming apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 1 to 3, the palladium film and the metal film are uniformly sequentially deposited on at least one support 140 that is a separator to be formed by a dry vacuum method. And a chamber 100, a target 110, a DC power 118, a stage 120, a rotating unit 130, and a control unit (not shown).

여기서, 상기 지지체(140)에 형성되는 2층의 막은 후속 리플로우(reflow: 기공폐쇄) 공정에 의해 합금화 되어 팔라듐-금속 합금 분리막으로 된다. 이런 리플로우 공정은 바람직하게는 인 시투(in-situ) 방식으로 진행되며 상기 챔버(100)의 수소분위기하에서 설정 진공도, 설정 온도에서 열처리하는 방법으로 시행될 수 있다. 리플로우에 의해 합금의 미세구조가 치밀화되며 동시에 결함이나 미세기공이 존재하지 않는 균일한 분리막을 얻을 수 있다.Here, the two-layer film formed on the support 140 is alloyed by a subsequent reflow process to form a palladium-metal alloy separator. This reflow process is preferably carried out in an in-situ manner and may be performed by heat treatment at a set vacuum degree and a set temperature under a hydrogen atmosphere of the chamber 100. The reflow makes the microstructure of the alloy denser and at the same time obtains a uniform separator free from defects and micropores.

상기 챔버(100)는 스퍼터링 챔버로, 내부를 진공 상태로 전환시키기 위해서 일측에 펌프가 연결되고, 후술할 타겟(110)에 활성화 가스 이온을 충돌시킬 수 있도록 가스 공급부와 타측이 연결된다. 이때, 상기 챔버(100)의 내부 분위기를 플라즈마 분위기로 만든 후 활성화 가스 이온을 팔라듐과 금속에 충돌시켜 발생한 팔라듐 입자들과 금속 입자들을을 상기 스테이지(120) 상에 지지된 적어도 하나의 지지체(140)에 순차 증착시킨다. 한편, 상기 금속은 구리 등이 적용된다.The chamber 100 is a sputtering chamber, and a pump is connected to one side in order to convert the interior into a vacuum state, and a gas supply unit and the other side are connected to collide an activation gas ion to a target 110 to be described later. At this time, the inner atmosphere of the chamber 100 is made into a plasma atmosphere, and then palladium particles and metal particles generated by colliding activating gas ions with palladium and metal are supported on the stage 120. In order). Meanwhile, copper is applied to the metal.

상기 타겟(110)은 상기 챔버(100) 내 상단에 설치되며 활성 가스 이온을 이웃한 팔라듐 타겟(112)과 금속 타겟(114)에 순차 충돌시켜 팔라듐 입자들과 금속 입자들을 상기 지지체(140)에 순차 공급한다.The target 110 is installed at the upper end of the chamber 100 and sequentially imparts active gas ions to the neighboring palladium target 112 and the metal target 114 to bring the palladium particles and the metal particles to the support 140. Supply sequentially.

더욱이, 상기 팔라듐 타겟(112)과 금속 타겟(114)의 중심에는 구동모터에 의 해 회전하여 어느 하나의 타겟을 차단하는 타겟 커버(116)가 구비된다. 이는 상기 타겟 커버(116)가 어느 하나의 타겟 저면을 차단하여 활성화 가스 이온이 팔라듐 또는 금속 중 어느 하나를 증착할 경우 다른 하나는 증착되지 못하게 하는 것이다.In addition, a target cover 116 is provided at the center of the palladium target 112 and the metal target 114 to rotate by a driving motor to block any one target. This is because the target cover 116 blocks the bottom of one target, so that when the activation gas ions deposit either palladium or metal, the other is not deposited.

상기 DC 파워(118)는 상기 챔버(100)의 상부에 구비되어 상기 타겟(120)에 음의 전압을 인가하고 챔버(100) 내부에 가스 공급부를 통해 아르곤(Ar)과 같은 공정가스를 주입하면 전기장에 의해 가속된 자유전자들이 기체 입자들과 연쇄 충돌되게 하여 플라즈마가 발생한다.The DC power 118 is provided above the chamber 100 to apply a negative voltage to the target 120 and injects a process gas such as argon (Ar) through a gas supply into the chamber 100. Plasma is generated by causing the free electrons accelerated by the electric field to chain collision with gas particles.

즉, 상기 DC 파워(118)는 상기 챔버(100) 내부에 공정가스인 활성화 가스를 공급한 후 챔버(100) 내부를 플라즈마 분위기로 만들기 위해 전계를 인가하는 것이다.That is, the DC power 118 supplies an activation gas which is a process gas into the chamber 100 and then applies an electric field to make the interior of the chamber 100 into a plasma atmosphere.

상기 스테이지(120)는 상기 챔버(100) 내 하측에 구비되되 그 상부에 분리막이 형성되는 적어도 하나의 지지체(140)가 고정된 지지체 지지대(122)가 설치되며, 후술할 회동부(130)의 작동에 의해 분리막을 형성할 상기 지지체(140)를 후술할 타겟(110)과 어라인(Align)시킨다.The stage 120 is provided in the lower side of the chamber 100, but the support support 122 is fixed to the support 140 is fixed to the support 140 is formed on the upper portion of the rotating unit 130 to be described later By aligning the support 140 to form a separator by the target 110 to be described later.

상기 지지체 지지대(122)는 원판 등으로 형성되며, 상기 팔라듐 타겟(112)과 금속 타겟(114)의 중심에 대한 2지점 거리가 지름인 원과 이 원의 지름과 동일하면서 지지체(140)의 개수만큼 홈(124)이 그 상면에 등간격으로 형성된다. 이때, 본 발명에서의 지지체(140)는 4 개가 구비되는 것으로 예시하여 상기 홈(124)이 90°위치마다 형성되며, 상기 지지체(140)의 개수는 증감이 가능하다.The support support 122 is formed of a disc or the like, and the number of supports 140 while the two points distance to the center of the palladium target 112 and the metal target 114 is the same diameter and the diameter of the circle. As many grooves 124 are formed on the upper surface at equal intervals. At this time, the support 140 in the present invention is illustrated as being provided with four grooves 124 are formed every 90 ° position, the number of the support 140 can be increased or decreased.

한편, 상기 지지체(140)는 다공성 니켈(Ni) 지지체로, 팔라듐 합금 복합막의 주성분 원소인 팔라듐 및 니켈과의 화학적 친화력이 우수한 특성이 있다. 그리고 상기 지지체 지지대(122)도 니켈 지지체 지지대이다.Meanwhile, the support 140 is a porous nickel (Ni) support and has excellent chemical affinity with palladium and nickel, which are main components of the palladium alloy composite membrane. The support support 122 is also a nickel support support.

상기 회동부(130)는 상기 챔버(100)의 저면에 설치되며 구동축(126)이 저면에 고정된 상기 스테이지(120)를 구동모터(M)의 구동력에 의해 회동시킨다. 이때, 상기 구동축(126)과 그와 평행한 구동모터(M)의 축에 타이밍 풀리가 각각 설치되고 상기 타이밍 풀리를 타이밍 벨트로 상호 연결하여 구동모터(M)의 구동력을 상기 구동축(126)에 전달한다.The rotating unit 130 is installed on the bottom of the chamber 100 and rotates the stage 120 having the driving shaft 126 fixed to the bottom by the driving force of the driving motor M. In this case, timing pulleys are respectively installed on the shaft of the driving shaft 126 and the driving motor M parallel thereto, and the driving force of the driving motor M is connected to the driving shaft 126 by interconnecting the timing pulley with a timing belt. To pass.

그리고 상기 챔버(100)의 저면에는 상기 구동축(126)을 중심으로 연장부재(128)가 상기 지지체(140)와 수직선상 위치에 각각 고정 설치된다. 이때, 상기 연장부재(128)는 상기 지지체(140)의 개수와 동일하게 각각 구비되면서 하단마다 광센서(S)가 각각 설치되고 상기 구동축(126)의 하단에 회전과 함께 어느 하나의 광센서(S)에서 센싱 신호를 출력할 수 있도록 간섭부재(126a)가 구비된다.In addition, an extension member 128 is fixedly installed at the bottom of the chamber 100 at a position perpendicular to the support 140 with respect to the drive shaft 126. At this time, the extension member 128 is provided with the same number of the support body 140, respectively, the optical sensor (S) is installed for each lower end and any one optical sensor with rotation at the lower end of the drive shaft 126 ( The interference member 126a is provided to output the sensing signal at S).

즉, 상기 지지체(140)가 지지체 지지대(122) 상에서 90°씩 4지점에 설치될 경우 상기 연장부재(128)도 지지체(140)와 수직선상이면서 90°씩 4지점에 각각 설치되며 상기 스테이지(120)의 회동에 의해 구동축(126)이 회동되면 그 하단에 설치된 간섭부재(126a)가 연동되다가 90°위치마다 연장부재(128)의 하단에 설치된 센서(S)의 발광된 광을 수광하지 못하도록 간섭하는 것이다.That is, when the supporter 140 is installed at four points by 90 ° on the supporter 122, the extension member 128 is also installed at four points by 90 ° while being perpendicular to the supporter 140. When the drive shaft 126 is rotated by the rotation of the 120, the interference member 126a installed at the lower end of the drive shaft 126 is interlocked so that the emitted light of the sensor S installed at the lower end of the extension member 128 at every 90 ° position cannot be received. To interfere.

결국, 상기 회동부(130)에 의한 상기 스테이지(120)의 회동시 간섭부재(126a) 역시 회전되다가 상기 연장부재(128)의 하단에 설치되는 센서(S)의 수광을 차단하면 그 신호에 따라 상기 제어부에서 상기 구동모터(M)가 작동 정지할 수 있도록 제어하므로 구동모터(M)가 정지하면 상기 지지체(140)가 상기 팔라듐 타겟(112) 또는 금속 타겟(114)의 중심과 수직선상에 위치되도록 하여 지지체(140)에만 증착 가능한 것이다.As a result, the interference member 126a is also rotated when the stage 120 is rotated by the pivoting unit 130 and blocks the reception of the sensor S installed at the lower end of the extension member 128 according to the signal. Since the control unit controls the driving motor M to stop operating, when the driving motor M stops, the support 140 is positioned perpendicular to the center of the palladium target 112 or the metal target 114. It is possible to deposit only on the support 140.

본 발명에 의한 합금분리막 형성방법은 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이 다수 지지체를 설치하는 단계(S150), 챔버 내부를 펌핑하는 단계(S152), 지지체에 팔라듐을 연속 증착하는 단계(S154), 지지체에 증착된 팔라듐 상에 금속을 연속 증착하는 단계(S156) 및 분리막을 취출하는 단계(S158)를 포함한다. 여기서, 상기 금속은 구리이다.In the method of forming an alloy separator according to the present invention, as shown in FIGS. 1 to 4, a step of installing a plurality of supports (S150), a step of pumping the inside of a chamber (S152), and a step of continuously depositing palladium on a support (S154) , And continuously depositing a metal on the palladium deposited on the support (S156) and taking out the separator (S158). Here, the metal is copper.

상기 다수 지지체를 설치하는 단계(S150)는 상기 챔버(110) 내 스테이지(120)에 구비되는 지지체 지지대(122)의 홈(124) 상에 분리막을 형성할 다수개의 지지체(140)를 각각 설치하는 단계이다.Installing the plurality of supports (S150) is to install a plurality of supports 140 to form a separator on the groove 124 of the support support 122 provided in the stage 120 in the chamber 110, respectively Step.

이때, 상기 다수 지지체를 설치하는 단계(S150)의 수행 전 또는 수행 후에 팔라듐 타겟(112)과 금속 타겟(114)에 팔라듐과 구리를 각각 장착하는 단계가 포함된다. 그리고 1단계로 팔라듐 막을 증착하기 위해 상기 타겟 커버(116)를 작동시켜 상기 금속 타겟(114)을 차단하는 단계가 포함된다.At this time, before or after the step of installing the plurality of supports (S150) includes the step of mounting palladium and copper to the palladium target 112 and the metal target 114, respectively. And blocking the metal target 114 by operating the target cover 116 to deposit a palladium film in one step.

상기 챔버 내부를 펌핑하는 단계(S152)는 대기압 상태인 챔버(110) 내부를 진공 상태로 전환시키기 위해서 챔버(110)에 연결되는 펌프(도면에 미도시)를 설정시간동안 작동시켜 챔버(110) 내부를 배기하는 단계이다.In the pumping of the inside of the chamber (S152), a chamber (110) is operated by operating a pump (not shown) connected to the chamber 110 for a predetermined time in order to convert the inside of the chamber 110 into a vacuum state at atmospheric pressure. It is a step of evacuating the interior.

상기 지지체에 팔라듐을 연속 증착하는 단계(S154)는 상기 지지체(140)를 타 겟(110) 중 팔라듐 타겟(112)에 대응되는 위치로 순차 회동시켜 복수의 지지체(140) 상에 팔라듐을 연속 증착하는 단계로, 상기 DC 파워(118)를 통해 전계를 인가하여 플라즈마가 발생하면 아르곤 이온이 음극을 형성한 팔라듐 타겟(112)의 팔라듐 표면에 충돌하게 되며 팔라듐 입자가 지지체(140)의 표면에 증착되어 팔라듐막이 형성된다.Continuously depositing palladium on the support (S154) may sequentially deposit palladium on the plurality of supports 140 by sequentially rotating the support 140 to a position corresponding to the palladium target 112 of the target 110. In this step, when a plasma is generated by applying an electric field through the DC power 118, argon ions collide with the palladium surface of the palladium target 112 on which the cathode is formed, and palladium particles are deposited on the surface of the support 140. Thus, a palladium film is formed.

이렇게 첫번째 지지체(140)의 표면에 팔라듐 막이 증착 완료되면 두번째 지지체(140)의 표면에 팔라듐 막을 증착하기 위해 상기 팔라듐 타겟(112)과 대응되는 위치로 회전되는 지지체(140)의 회동 각도를 센싱하여 얼라인 하는 단계가 수행되며, 이는 상기 제어부의 제어에 의해 상기 구동모터(M)가 구동되어 타이밍 벨트로 종동되는 상기 구동축(126)이 회동되고 이에 상기 스테이지(120) 및 지지체 지지대(122)가 회동되면서 상기 지지체 지지대(122)의 홈(124)에 설치된 두번째 지지체(140)가 상기 팔라듐 타겟(112)과 수직선상 위치로 회전된다.When the palladium film is deposited on the surface of the first support 140, the rotation angle of the support 140 rotated to a position corresponding to the palladium target 112 is sensed to deposit the palladium film on the surface of the second support 140. The step of aligning is performed, which is driven by the control of the controller to drive the drive shaft 126 driven by the timing belt and the stage 120 and the support support 122 While rotating, the second support 140 installed in the groove 124 of the support support 122 is rotated to a position perpendicular to the palladium target 112.

이때, 상기 구동축(126)의 하단에 설치된 간섭부재(126a)가 첫번째 지지체(140)에 팔라듐 막을 증착하는 과정 내내 대응되는 연장부재(128)에 설치된 센서(S)의 수광을 차단하고 있다가 팔라듐 막의 증착 과정이 완료되면 상기 제어부의 제어에 의해 두번째 지지체(140)에 해당하는 센서(S)로 이동하고 이 센서(S)의 수광을 차단함과 동시에 구동모터(M)의 구동을 정지시킨다.At this time, the interference member 126a disposed at the lower end of the driving shaft 126 blocks the light reception of the sensor S installed at the corresponding extension member 128 throughout the process of depositing the palladium film on the first support 140. When the deposition process of the film is completed, the control unit of the control unit moves to the sensor S corresponding to the second support 140 and stops the reception of the sensor S and at the same time stops the driving of the driving motor M.

이와 같이 상기 지지체(140)를 얼라인한 후 상기 지지체 지지대(122)의 회동에 의해 순차적으로 세번째, 네번째 지지체(140)의 표면에 팔라듐 막의 증착이 열처리 후 모두 완료된다.As described above, after the support 140 is aligned, the deposition of the palladium film on the surfaces of the third and fourth supports 140 is sequentially completed by the rotation of the support supports 122.

상기 지지체에 증착된 팔라듐 상에 금속을 연속 증착하는 단계(S156)는 상기 지지체(140)를 금속 타겟(114)에 대응되는 위치로 순차 회동시켜 지지체(140)에 증착된 팔라듐 상에 금속을 연속 증착하는 단계로, 상기 팔라듐 막 표면에 금속 막을 2단계로 재차 증착시키며, 이때에는 상기 타겟 커버(116)를 회동시켜 상기 팔라듐 타겟(112)을 차단한 후 실시한다.Continuously depositing the metal on the palladium deposited on the support (S156) is to sequentially rotate the support 140 to a position corresponding to the metal target 114 to continuously deposit the metal on the palladium deposited on the support 140 In the depositing step, the metal film is deposited on the surface of the palladium film in two steps. In this case, the target cover 116 is rotated to block the palladium target 112.

그 후, 팔라듐 막을 증착하는 과정과 동일한 방법으로 상기 지지체 지지대(122)를 회동시키면서 팔라듐 막이 증착된 첫번째 내지 네번째 지지체(140)의 표면에 구리인 금속 막을 순차 증착시킨다.Thereafter, while rotating the support support 122 in the same manner as depositing a palladium film, a metal film of copper is sequentially deposited on the surfaces of the first to fourth supports 140 on which the palladium film is deposited.

즉, 상기 챔버(100)의 내부에 아르곤 가스 등이 포함된 공정가스를 주입하고, 전계를 인가하여 플라즈마가 발생하면 아르곤 이온이 음극을 형성한 금속 타겟(114)의 구리 표면에 충돌하게 되며 구리 입자들이 지지체(140)의 표면에 증착되어 구리막을 형성한다.That is, when a process gas containing argon gas or the like is injected into the chamber 100, and a plasma is generated by applying an electric field, argon ions collide with the copper surface of the metal target 114 on which the cathode is formed. Particles are deposited on the surface of the support 140 to form a copper film.

상기 분리막을 취출하는 단계(S158)는 상기 챔버(100)의 내부 온도를 설정 시간 동안 상온으로 하강시킨 후 분리막을 취출시키는 단계이다.Extracting the separator (S158) is a step of taking out the separator after the internal temperature of the chamber 100 is lowered to room temperature for a set time.

이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 보호범위는 상기 실시 예에 한정되는 것이 아니며, 해당 기술분야의 통상의 지식을 갖는 자라면 본 발명의 사상 및 기술영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the detailed description of the present invention described above with reference to the preferred embodiment of the present invention, the scope of protection of the present invention is not limited to the above embodiment, and those skilled in the art of the present invention It will be understood that various modifications and changes can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.

도 1은 본 발명에 의한 합금분리막 형성장치에서 팔라듐 막을 지지체 상에 형성하는 상태를 도시한 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view showing a state in which a palladium film is formed on a support in the alloy separator forming apparatus according to the present invention.

도 2는 상기 합금분리막 형성장치에서 금속 막을 지지체 상에 형성하는 상태를 도시한 측단면도이다.Figure 2 is a side cross-sectional view showing a state of forming a metal film on the support in the alloy separation film forming apparatus.

도 3은 상기 합금분리막 형성장치의 구동부를 도시한 사시도이다.3 is a perspective view illustrating a driving unit of the alloy separator forming apparatus.

도 4는 본 발명에 의한 합금분리막 형성방법을 나타낸 순서도이다.4 is a flowchart illustrating a method of forming an alloy separator according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100: 챔버 110: 타겟100: chamber 110: target

112: 팔라듐 타겟 114: 금속 타겟112: palladium target 114: metal target

116: 타겟 커버 120: 스테이지116: target cover 120: stage

122: 지지체 지지대 124: 홈122: support support 124: groove

126: 구동축 126a: 간섭부재126: drive shaft 126a: interference member

130: 구동부 S: 센서130: drive unit S: sensor

Claims (9)

스퍼터 증착(sputter deposition)에 의해 합금분리막을 형성하는 장치에 있어서,In the apparatus for forming an alloy separation film by sputter deposition, 복수 개의 지지체가 로딩되며, 상기 지지체에 대한 증착이 이루어지는 챔버;A chamber in which a plurality of supports are loaded and the deposition is performed on the supports; 상기 챔버 내 하측에 위치하며, 상기 지지체가 고정되는 지지체 지지대를 구비하는 스테이지;A stage positioned below the chamber and having a supporter to which the support is fixed; 상기 스테이지의 상부에 위치하며, 상기 지지체에 증착되는 팔라듐을 공급하는 팔라듐 타겟;A palladium target positioned on the stage and supplying palladium deposited on the support; 상기 스테이지의 상부에 위치하며, 상기 지지체에 증착되는 금속을 공급하는 금속 타겟; 및A metal target positioned on the stage and supplying metal deposited on the support; And 복수 개의 상기 지지체가 차례로 상기 팔라듐 타겟 및 상기 금속 타겟에 각각 대응하여 위치할 수 있도록 상기 스테이지를 스텝 회동시키는 회동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 합금분리막 형성장치.And a rotating part for rotating the stage so that the plurality of supports are sequentially positioned corresponding to the palladium target and the metal target, respectively. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 지지체 지지대는 상기 지지체가 설치되는 복수의 홈들을 가지며, 상기 홈들은 상기 스테이지의 회전중심을 기준으로 등각을 이루도록 위치하는 것을 특징으로 하는 합금분리막 형성장치.The support member has a plurality of grooves in which the support is installed, the grooves are alloy separation film forming apparatus, characterized in that positioned so as to be equal to the center of rotation of the stage. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 합금분리막 형성장치는 상기 팔라듐 타겟 및 상기 금속 타겟 중 어느 하나를 선택적으로 차단하는 타겟 커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 합금분리막 형성장치.The alloy separator forming apparatus further comprises a target cover for selectively blocking any one of the palladium target and the metal target. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 지지체 지지대 상에는 복수의 지지체들이 상기 스테이지의 회전중심을 기준으로 등각을 이루어 고정되며,A plurality of supports are fixed on the support support at an equilibrium with respect to the rotation center of the stage, 상기 회동부는 상기 지지체들이 이루는 각도만큼 상기 지지체 지지대를 회동시키는 것을 특징으로 하는 합금분리막 형성장치.And the pivoting part rotates the supporter by an angle formed by the supports. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 회동부는 상기 스테이지에 연결되어 상기 스테이지와 함께 회전하는 구동축 및 상기 구동축 상에 설치되어 상기 구동축과 함께 회전하는 간섭부재를 구비하며,The rotating part includes a driving shaft connected to the stage and rotating together with the stage, and an interference member installed on the driving shaft and rotating together with the driving shaft. 상기 합금분리막 형성장치는 상기 구동축의 둘레에 설치되어 상기 간섭부재의 위치를 감지하는 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 합금분리막 형성장치.The alloy separator forming apparatus further comprises a sensor installed around the drive shaft for sensing the position of the interference member. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속은 구리인 것을 특징으로 하는 합금분리막 형성장치.The metal is an alloy separator, characterized in that the copper. 삭제delete 스퍼터 증착에 의해 합금분리막을 형성하는 방법에 있어서,In the method of forming an alloy separation film by sputter deposition, 챔버 내에 설치된 지지체 지지대 상에 복수의 지지체를 설치하는 단계;Installing a plurality of supports on a support support installed in the chamber; 상기 지지체 지지대를 스텝 회전시켜 상기 지지체를 각각 팔라듐 타겟에 대응되는 위치로 순차적으로 이동시키고 상기 각각의 지지체 상에 팔라듐 코팅층을 순차적으로 증착하는 단계; 및Step-rotating the support supports to sequentially move the supports to positions corresponding to the palladium targets, respectively, and sequentially depositing a palladium coating layer on each support; And 상기 지지체 지지대를 스텝 회전시켜 상기 지지체를 각각 금속 타겟에 대응되는 위치로 순차적으로 이동시키며 상기 팔라듐 코팅층 상에 금속을 순차적으로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 합금분리막 형성방법.Step-rotating the support support to sequentially move the support to a position corresponding to each of the metal targets, and sequentially depositing a metal on the palladium coating layer. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 팔라듐 코팅층을 증착하는 단계에서 상기 금속 타겟을 차단하며,Blocking the metal target in depositing the palladium coating layer, 상기 금속을 증착하는 단계에서 상기 팔라듐 타겟을 차단하는 것을 특징으로 하는 합금분리막 형성방법.And depositing the metal to block the palladium target.
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