KR101063957B1 - 폴리머 삽입형 실리카 광도파로를 이용하는 전반사형 광 스위치 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 폴리머 삽입형 실리카 광도파로를 이용한 전반사형 광 스위치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 전반사형 광 스위치는 두 개의 광 경로를 갖는 실리카 광도파로의 교차점에 트렌치를 형성하고, 트렌치에 폴리머를 삽입한다. 전반사형 광 스위치는 폴리머를 가열하는 히터를 구비한다. 폴리머는 열광학 재질로 구비되어, 히터에 의해 가열되면 굴절률이 낮아져서 광신호를 전반사한다. 또 폴리머는 히터가 가열하지 않으면 광신호를 투과한다. 폴리머가 전기광학 재질인 경우, 전반사형 광 스위치는 히터를 대신하여 폴리머에 전계를 인가하기 위한 상부 및 하부 전극을 구비할 수 있다. 이 경우, 전반사형 광 스위치는 고속 스위칭이 가능하며, 광 스위치의 용도에 국한되지 않고, 인가되는 전압 및 전류를 조절하여 가변 광 감쇄기로도 이용될 수 있다. 본 발명에 의하면, 온도 변화에 따른 실리카 광도파로와 폴리머의 굴절률 차이를 이용하여, 폴리머의 굴절률 변화에 따라 광신호를 투과하거나 전반사함으로써, 광신호의 손실 특성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 광 스위치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 폴리머 삽입형 실리카 광도파로를 이용하는 전반사형 광 스위치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
광통신 네트워크 시스템에 사용되는 광소자는 일반적으로 평판 광회로(Planar Lightwave Circuits : PLC) 소자를 이용한다. 평판 광회로(PLC) 소자의 주요 특징 중의 하나는 전송 및 접속 기능과, 루팅, 스위칭, 감쇄 및 프로그램 가능한 필터링 등과 같은 선택 가능한 기능들과 더불어 집적화할 수 있다는 점이다. 이러한 평판 광회로(PLC) 소자는 우수한 손실 특성을 갖는 광도파로를 위해 실리카(silica)로 불리우는 이산화규소(SiO2)를 이용한다.
일반적인 폴리머 전반사형 광 스위치는 서로 교차하는 광도파로의 중앙 부분에 히터를 설치한다. 폴리머 전반사형 광 스위치는 히터를 통해 광도파로의 일부를 가열하는데, 이 때 광도파로의 온도 변화로 인해 광도파로 물질의 굴절율이 변화하여 전반사 현상을 발생시키는 구조이다. 그러나, 실리카 광도파로의 경우, 열광학 계수가 양의 값을 가지므로, 히터에 의한 굴절율 변화가 양의 방향으로 일어나 전반사 현상이 발생하기 어렵다. 또한 실리카 광도파로는 열광학 계수가 매우 낮아서 히터 온도 변화에 따른 굴절률 변화가 너무 작으므로, 전반사형 광 스위치를 제작하는 것이 거의 불가능하다. 또한 다수의 전반사형 광 스위치들을 사용하는 광 매트릭스 스위치(Optical Matrix Switch)에서는 광 스위치의 구조 및 특성이 매우 중요하다.
본 발명의 목적은 전반사 특성이 우수한 광 스위치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 폴리머 삽입형 실리카 광도파로를 이용한 전반사형 광 스위치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 가변 광 감쇄기로 사용 가능한 전반사형 광 스위치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 전반사형 광 스위치는 서로 다른 광 경로를 갖는 실리카 광도파로가 교차되는 위치에 폴리머를 삽입하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같은 전반사형 광 스위치는 폴리머의 굴절률 변화에 대응하여 전반사 특성이 향상될 수 있다.
이 특징에 따른 본 발명의 전반사형 광 스위치는, 기판과; 상기 기판에 형성되어 서로 다른 광 경로를 갖도록 교차되는 실리카 광도파로 및; 상기 실리카 광도파로의 교차되는 위치에 상기 실리카 광도파로의 단면이 상하로 관통되게 삽입되고, 상기 실리카 광도파로에 입력된 광신호의 상기 광 경로를 변경하도록 스위칭하는 스위칭 부재를 포함한다.
한 실시예에 있어서, 상기 전반사형 광 스위치는 상기 스위칭 부재를 가열하는 히터를 더 포함한다. 여기서 상기 스위칭 부재는 상기 히터에 의해 가열되지 않으면 상기 광신호를 투과하고, 상기 히터에 의해 가열되면 굴절률이 낮아져서 상기 광신호를 전반사하는 열광학 폴리머로 구비된다.
다른 실시예에 있어서, 상기 전반사형 광 스위치는; 상기 스위칭 부재의 상하 양측에 각각 설치되고, 전원을 공급받아서 상기 스위칭 부재에 전계를 형성하는 상부 및 하부 전극들을 더 포함한다. 여기서 상기 스위칭 부재는 전계가 형성되지 않으면 상기 광신호를 투과하고, 상기 상부 및 상기 하부 전극들에 의해 전계가 형성되면 귤절률이 낮아져서 상기 광신호를 전반사하는 전기광학 폴리머로 구비된다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 전반사형 광 스위치는; 상기 히터 또는 상기 상부 및 상기 하부 전극들로 인가되는 전원을 조절하여 상기 광신호의 세기를 조절하는 가변 광감쇄기로 사용 가능하다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 스위칭 부재는 하부면이 상기 기판과 상기 실리카 광도파로 사이에 위치된다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 스위칭 부재는 음의 열광학 계수 값을 갖고, 상기 실리카 광도파로와 굴절률이 동일한 재질로 구비된다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 히터형의 전반사형 1×2 광 스위치가 제공된다. 이와 같은 본 발명의 전반사형 광 스위치는 열광학 폴리머를 이용하여 광신호를 스위칭한다.
이 특징의 전반사형 광 스위치는, 기판에 형성되어 입력 포트와 제 1 출력 포트를 연결하는 제 1 실리카 광도파로와, 상기 제 1 실리카 광도파로와 교차되고 제 2 출력 포트에 연결되는 제 2 실리카 광도파로를 구비하는 실리카 광도파로와; 상기 제 1 및 상기 제 2 실리카 광도파로가 교차되는 위치에 제공되며, 상기 입력 포트로 입력되는 광신호를 상기 제 1 실리카 광도파로 또는 상기 제 2 실리카 광도파로로 출력하도록 스위칭하는 열광학 폴리머 및; 상기 열광학 폴리머를 가열하는 히터를 포함한다. 여기서 상기 열광학 폴리머는 상기 히터에 의해 상기 광신호를 상기 제 1 출력 포트로 투과하거나 상기 제 2 출력 포트로 전반사한다.
한 실시예에 있어서, 상기 전반사형 광 스위치는; 상기 히터로 인가되는 전원을 조절하여 상기 광신호의 세기를 조절하는 가변 광감쇄기로 사용 가능하다.
다른 실시예에 있어서, 상기 실리카 광도파로는; 상기 교차되는 위치에 상기 제 1 및 상기 제 2 실리카 광도파로에서 상기 열광학 폴리머 또는 상기 전기광학 폴리머의 길이 방향에 대체로 수직하게 분기되고, 상호 일정 간격이 유지되는 복수 개의 제 3 실리카 광도파로를 더 포함한다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 제 3 실리카 광도파로들은 상기 교차되는 위치를 중심으로 상기 입력 포트와 상기 출력 포트 방향으로 배열되어 대칭 구조를 갖는다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 제 3 실리카 광도파로들은 상기 교차되는 위치를 중심으로 하여 상기 입력 포트와 상기 출력 포트 방향으로 갈수록 폭이 좁아지게 제공된다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 전계형의 전반사형 1×2 광 스위치가 제공된다. 이와 같은 본 발명의 전반사형 광 스위치는 전기광학 폴리머를 이용하여 광신호를 고속으로 스위칭할 수 있다.
이 특징의 전반사형 광 스위치는, 기판에 형성되어 입력 포트와 제 1 출력 포트를 연결하는 제 1 실리카 광도파로와, 상기 제 1 실리카 광도파로와 교차되고 제 2 출력 포트에 연결되는 제 2 실리카 광도파로를 구비하는 실리카 광도파로와; 상기 제 1 및 상기 제 2 실리카 광도파로가 교차되는 위치에 제공되며, 상기 입력 포트로 입력되는 광신호를 상기 제 1 실리카 광도파로 또는 상기 제 2 실리카 광도파로로 출력하도록 스위칭하는 전기광학 폴리머 및; 상기 전기광학 폴리머의 상하 양측에 각각 설치되고, 전원을 공급받아서 상기 전기광학 폴리머에 전계를 형성하는 상부 및 하부 전극들을 포함한다. 여기서 상기 전기광학 폴리머는 전계가 형성되지 않으면 상기 광신호를 상기 제 1 출력 포트로 투과하고, 상기 상부 및 상기 하부 전극들에 의해 전계가 형성되면 귤절률이 낮아져서 상기 광신호를 상기 제 2 출력 포트로 전반사한다.
한 실시예에 있어서, 상기 전반사형 광 스위치는; 상기 상부 및 하부 전극들로 인가되는 전원을 조절하여 상기 광신호의 세기를 조절하는 가변 광감쇄기로 사용 가능하다.
다른 실시예에 있어서, 상기 실리카 광도파로는; 상기 교차되는 위치에 상기 제 1 및 상기 제 2 실리카 광도파로에서 상기 열광학 폴리머 또는 상기 전기광학 폴리머의 길이 방향에 대체로 수직하게 분기되고, 상호 일정 간격이 유지되는 복수 개의 제 3 실리카 광도파로를 더 포함한다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 제 3 실리카 광도파로들은 상기 교차되는 위치를 중심으로 상기 입력 포트와 상기 출력 포트 방향으로 배열되어 대칭 구조를 갖는다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 제 3 실리카 광도파로들은 상기 교차되는 위치를 중심으로 하여 상기 입력 포트와 상기 출력 포트 방향으로 갈수록 폭이 좁아지게 제공된다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 폴리머 삽입형 실리카 광도파로를 이용한 전반사형 광 스위치의 제조 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 평판 광회로의 일반적인 실리카 광도파로 제조 공정을 실시한 후, 트렌치를 형성하고, 트렌치에 폴리머를 삽입한다.
이 특징에 따른 전반사형 광 스위치의 제조 방법은, 실리카 기판 상에 하부 클래드를 적층한다. 상기 하부 클래드에 서로 다른 광 경로를 갖도록 교차하는 실리카 코어를 형성한다. 상기 실리카 코어가 형성된 상기 하부 클래드 상에 상부 클래드를 적층한다. 바닥면이 상기 기판과 상기 실리카 코어 사이에 위치되도록 상기 상부 클래드로부터 상기 실리카 코어로 수직 관통하여 트렌치를 형성한다. 이어서 상기 트렌치에 폴리머를 삽입한다.
한 실시예에 있어서, 상기 방법은; 상기 폴리머의 상부에 히터를 형성하는 것을 더 포함한다. 여기서 상기 폴리머는 상기 히터에 의해 상기 실리카 코어에 입력된 광신호를 스위칭하는 열광학 폴리머 재질로 구비된다.
다른 실시예에 있어서, 상기 방법은; 상기 실리카 기판 상에 상기 하부 클래드가 적층되기 전에 하부 전극을 형성하고, 상기 폴리머의 상부에 상부 전극을 형성하는 것을 더 포함한다. 여기서 상기 폴리머는 상기 상부 및 상기 하부 전극들에 의해 상기 실리카 코어에 입력된 광신호를 전반사하는 전기광학 폴리머 재질로 구비된다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 실리카 코어를 형성하는 것은; 제 1 광 경로를 형성하는 제 1 실리카 코어와, 상기 제 1 실리카 코어에 교차하고 제 2 광 경로를 형성하는 제 2 실리카 코어 및, 상기 제 1 및 상기 제 2 실리카 코어들로부터 상기 폴리머의 길이 방향에 대해 대체로 수직하게 복수 개가 분기되고, 상기 제 1 및 제 2 실리카 코어가 교차되는 교차점을 중심으로 하여 양측으로 상호 이격되어 대칭되게 배열되고, 그리고 상기 교차점을 중심으로 상기 양측으로 갈수록 폭이 좁아지게 제공되는 제 3 실리카 코어를 포함하여 형성한다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 폴리머는 음의 열광학 계수 값을 갖고, 상기 실리카 코어와 동일한 굴절률을 갖는다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 전반사형 광 스위치는 실리카 광도파로가 교차되는 위치에 폴리머를 삽입함으로써, 히터 또는 전계에 의한 폴리머의 굴절률 변화로 광신호의 경로를 전환할 수 있다. 이러한 본 발명의 전반사형 광 스위치는 손실과 재현성이 우수하고, 초소형 크기, 저손실, 저전력 소모 및 고속 동작이 가능하다.
또 본 발명의 전반사형 광 스위치는 실리카 재질의 기판을 이용함으로써, 실리카 재질을 사용하는 평판형 수동 소자 예를 들어, 파장 다중화기, 광 분배기 등 다양한 용도의 광소자를 구현할 수 있다. 특히, 열광학 또는 전기광학 폴리머를 이용함으로써, 열광학 또는 전기광학 폴리머로 인가하는 전원(전류 또는 전압)을 조절하여 가변 광 감쇄기로도 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 전반사형 광 스위치의 구성을 도시한 사시도;
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 전반사형 광 스위치의 구성을 나타내는 단면도들;
도 4 및 도 5는 도 1에 도시된 전반사형 광 스위치에서 히터의 동작 상태에 따른 전산 모사 결과를 나타내는 도면들;
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 폴리머의 굴절률 변화에 따른 출력 파워 변화를 나타내는 도면들;
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전반사형 광 스위치의 구성을 나타내는 단면도;
도 9는 본 발명의 전반사형 광 스위치 구조를 이용한 전반사형 1×2 광 스위치의 구성을 나타내는 도면;
도 10a 내지 도 10c는 도 9에 도시된 전반사형 1×2 광 스위치의 전산 모사 결과를 나타내는 도면들;
도 11a 내지 도 11e는 본 발명에 따른 전반사형 광 스위치의 제조 과정을 도시한 도면들;
도 12 및 도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전반사형 광 스위치 구조를 이용한 전반사형 1×2 광 스위치의 구성을 나타내는 도면들;
도 14a 및 도 14b는 도 12에 도시된 전반사형 1×2 광 스위치의 전산 모사 결과를 나타내는 도면들; 그리고
도 15 및 도 16은 도 12에 도시된 전반사형 1×2 광 스위치에서 폴리머의 굴절률 변화 및 출력 파워 변화를 나타내는 도면들이다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 전반사형 광 스위치의 구성을 나타내는 단면도들;
도 4 및 도 5는 도 1에 도시된 전반사형 광 스위치에서 히터의 동작 상태에 따른 전산 모사 결과를 나타내는 도면들;
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 폴리머의 굴절률 변화에 따른 출력 파워 변화를 나타내는 도면들;
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전반사형 광 스위치의 구성을 나타내는 단면도;
도 9는 본 발명의 전반사형 광 스위치 구조를 이용한 전반사형 1×2 광 스위치의 구성을 나타내는 도면;
도 10a 내지 도 10c는 도 9에 도시된 전반사형 1×2 광 스위치의 전산 모사 결과를 나타내는 도면들;
도 11a 내지 도 11e는 본 발명에 따른 전반사형 광 스위치의 제조 과정을 도시한 도면들;
도 12 및 도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전반사형 광 스위치 구조를 이용한 전반사형 1×2 광 스위치의 구성을 나타내는 도면들;
도 14a 및 도 14b는 도 12에 도시된 전반사형 1×2 광 스위치의 전산 모사 결과를 나타내는 도면들; 그리고
도 15 및 도 16은 도 12에 도시된 전반사형 1×2 광 스위치에서 폴리머의 굴절률 변화 및 출력 파워 변화를 나타내는 도면들이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
이하 첨부된 도 1 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 전반사형 광 스위치의 구성을 도시한 사시도이고, 도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 전반사형 광 스위치의 구성을 나타내는 단면도들이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 전반사형 광 스위치(100)는 전반사 특성을 우수하게 하기 위해, 실리카 광도파로(110)가 교차되는 위치에 폴리머(130)를 삽입하고, 폴리머(130)의 상부에 히터(140)를 구비하여, 히터(140)에 의해 폴리머(130)가 광 경로를 스위칭하도록 제공한다. 이러한 전반사형 광 스위치(100)는 실리카 광도파로(110)를 광섬유와 유사한 단면 크기와 굴절률 차이로 형성하여 단일 모드의 광소자로 제작되거나, 실리카 광도파로(110)의 교차점 부분의 폭을 확장하여 다중 모드에 적합한 광소자로도 제작될 수 있다.
구체적으로, 전반사형 광 스위치(100)는 실리카 기판(102)과, 하부 및 상부 클래드(104 : 104a, 104b)와, 실리카 광도파로(110 : 112, 114)와, 폴리머(130) 및 히터(140)를 포함한다.
실리카 광도파로(silica waveguide)(110)는 실리카 코어(silica core)로서, 실리카 기판(102) 상에 형성되고, 그 주변은 전체적으로 실리카 클래드(silica clad)(104)에 둘러 쌓인다. 실리카 광도파로(110)는 서로 다른 2 개의 광 경로(112, 114)가 교차된 Y 자 형태로 제공된다. 실리카 광도파로(110)가 교차되는 위치(교차점)에는 실리카 광도파로(110)의 단면이 상하로 관통되게 폴리머(130)가 삽입된다. 실리카 광도파로(110)는 단일 모드 또는 다중 모드의 단면 크기를 갖는다. 예를 들어, 실리카 광도파로(110)가 단일 모드인 경우에는 약 5 ~ 10 ㎛ 정도의 폭을 가지며, 다중 모드인 경우에는 약 20 ~ 60 ㎛ 정도의 폭을 갖는다. 또 실리카 광도파로(110)는 실리카 클래드(104)와의 굴절률 차이를 고려하여 그 폭을 조절할 수 있다.
광 경로(112, 114)들은 입력 포트(도 3의 INPUT)로부터 제 1 출력 포트(OUTPUT1)로 광신호를 전송하는 제 1 광 경로(112)와, 제 1 광 경로(112)와 교차되고 제 2 출력 포트(OUTPUT2)로 광신호를 전송하는 제 2 광 경로(114)를 포함한다.
폴리머(polymer)(130)는 실리카 광도파로(110)에 입력된 광신호의 광 경로를 전환하는 스위칭 부재로 제공된다. 폴리머(130)는 실리카 광도파로(110)의 교차점에서 정확한 스위칭 동작을 위해, 대체로 직육면체의 형상을 갖는다. 폴리머(130)는 실리카 광도파로(110)의 교차점에서 입력된 광신호를 전반사할 수 있는 조건(예를 들어, 굴절률 등)으로 삽입된다. 이를 위해 전반사형 광 스위치(100)는 실리카 기판(102)을 이용한 전형적인 실리카 광도파로 제조 공정이 완료된 후, 트렌치(trench)(도 14b의 132)를 형성한다. 이 때, 트렌치(132)의 바닥면(132a)은 도 2에 도시된 바와 같이, 실리카 코어 즉, 실리카 광도파로(110)와 실리카 기판(102) 사이에 위치된다.
폴리머(130)는 실리카 광도파로(110)의 제 1 및 제 2 광 경로(112, 114) 사이에서 전반사 가능한 각도로 배치된다. 또 폴리머(130)는 실리카 광도파로(110)의 교차점을 충분히 커버할 수 있도록 출력 포트 측으로부터 입력 포트 측 길이 방향으로 길게 연장된다.
폴리머(130)는 실리카 광도파로(110)와 동일한 굴절률을 갖으며, 실리카 클래드(104)와는 상이한 굴절률을 갖는다. 폴리머(130)는 음의 열광학 계수의 값이 큰 물질로 구비된다. 따라서 폴리머(130)의 굴절률은 실리카 광도파로(실리카 코어)(110)와 실리카 클래드(104)의 굴절률 차이에 따라 결정된다. 예를 들어, 폴리머(130)의 굴절률은 실리카 클래드(104)의 굴절률보다 사용 가능한 온도 만큼의 굴절률을 계산하여 결정한다. 또 폴리머(130)는 응답 속도가 빠르고, 소비 전력이 낮은 장점을 가진다.
폴리머(130)는 집적화된 광소자의 길이에 대응하여 충분히 길게 제공되며, 그 폭은 광소자의 광학적 손실을 고려하여 약 5 ~ 30 ㎛ 정도에서 조절 가능하다. 이는 약 5 ㎛ 정도의 폭이 트렌치를 형성하기가 어렵고, 약 30 ㎛ 정도의 폭이 광소자의 손실 특성에 영향을 줄 수 있기 때문이다.
그리고 히터(140)는 예를 들어, 금속 재질로 구비되며, 폴리머(130)의 상부에 제공된다. 히터(140)는 실리카 광도파로(110)의 교차점을 충분히 커버할 수 있는 정도의 폭과 길이를 갖는다. 즉, 히터는 폴리머(130)의 상부 영역을 고려하여 그 크기가 결정된다. 히터(140)는 전원을 인가받는 복수 개의 단자(142, 144)들을 갖는다. 히터(140)는 폴리머(130)가 전반사 가능한 조건을 만족하는 온도 범위에 대응하여 폴리머(130)를 가열한다. 폴리머(130)가 가열되면, 폴리머(130)의 굴절률이 낮아져서 전반사형 광 스위치(100)를 온 상태(On-state)로 동작시킨다. 히터(140)는 전원을 공급받지 않은 경우 즉, 가열하지 않은 경우에 폴리머(130)에서 전반사가 일어나지 않게 되어 전반사형 광 스위치(100)를 오프 상태(Off-state)로 동작시킨다. 그러므로 전반사형 광 스위치(100)는 입력된 광신호가 오프 상태에서 폴리머(130)를 투과하여 제 1 광 경로(112)로 전송되고, 온 상태에서 광신호는 폴리머(130)에서 전반사하여 제 2 광 경로(114)로 전송된다.
도 4 및 도 5는 도 1에 도시된 전반사형 광 스위치에서 히터의 동작 상태에 따른 전산 모사 결과를 나타내는 도면들이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 이 전산 모사 결과는 BPM(Beam Propagation Method)를 이용한 것으로, 입사된 광신호가 왼쪽에서 오른쪽 방향으로 Z 축(Propagation 축)을 따라 진행되는 광신호의 경로 변화를 보여준다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 히터(140)가 폴리머(130)를 가열하지 않은 오프 상태에서 광신호는 제 1 광 경로(112)로 전송되며, 도 5에 도시된 바와 같이, 히터(140)가 폴리머(130)를 가열한 온 상태에서는 광신호가 폴리머(130)에서 전반사되어 제 2 광 경로(114)로 전송된다. 여기서 사용된 전산 모사 프로그램의 특성상의 이유로, X 축의 단위는 미리미터(mm)로 표시되고, Z 축의 단위는 미터(m)로 표시된다. 그러므로, X 축의 미리미터(mm) 스케일에 대비하여 Z 축의 단위 간격이 모두 0.0으로 표시된다.
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 폴리머의 굴절률 변화에 따른 출력 파워 변화를 나타내는 도면들이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 전반사형 광 스위치(100)의 트렌치에 삽입된 폴리머(130)의 굴절률(Polymer RI) 변화에 따른 제 1 및 제 2 출력 포트(Pass Main port, Reflective port)(OUTPUT1, OUTPUT2)의 광신호 파워 변화를 보여준다.
여기서 가로축은 폴리머의 굴절률(RI : Reflactive Index)을 나타내고, 세로축은 폴리머의 굴절률(RI)에 따라 광신호의 세기를 '1'이라는 절대값의 크기로 입력하였을 때, 출력되는 광신호의 출력 비율을 나타낸다. 예를 들어, '0.9' 값은 입력된 광신호의 세기에 대해 '90 %'의 출력 세기를 나타낸다.
따라서 본 발명의 전반사형 광 스위치(100)는 폴리머(130)의 굴절률을 조절하여, 폴리머(130)에서 전반사가 이루어질 수 있는 최적의 조건을 결정할 수 있다. 예컨대, 폴리머(130)의 굴절률은 실리카 기판(102)와 실리카 클래드(104)의 굴절률 차이, 단일 모드 및 다중 모드에 따른 실리카 광도파로(실리카 코어)(110)의 단면적 크기, 히터(140)의 가열 온도 범위 및, 출력 광신호의 세기 등 여러 가지 조건에 따라 결정된다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전반사형 광 스위치의 구성을 나타내는 단면도이다. 여기서 도 1의 전반사형 광 스위치(100)와 구분되는 구성 및 작용에 대해서는 구체적으로 설명하고, 동일한 기능의 구성 요소들에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 8을 참조하면, 이 실시예의 전반사형 광 스위치(100a)는 히터가 아닌 전계를 이용한 구조를 갖는다. 즉, 전반사형 광 스위치(100a)는 실리카 기판(102) 위에 하부 전극(106)을 형성하고, 실리카 클래드(104), 실리카 광도파로(110) 및 트렌치를 형성하고, 트렌치에 전기광학 폴리머(130a)를 삽입한 다음, 전기광학 폴리머에 폴링(polling) 공정을 거친 후, 전기광학 폴리머(130a)의 상측에 상부 전극(108)을 형성한다. 물론 이 실시예의 전반사 광 스위치(100a)는 전기 전도가 가능한 기판을 사용하여 하부 전극(106)을 대신할 수도 있다.
상부 및 하부 전극(106, 108)들은 전원을 받아서 전기광학 폴리머(130a)에 전계가 형성되도록 한다.
전기광학 폴리머(130a)는 열광학 폴리머(130)와 동일한 기능을 처리한다. 즉, 전기광학 폴리머(130a) 또한 실리카 광도파로(110)에 입력된 광신호의 광 경로를 전환하는 스위칭 부재로 제공된다. 전기광학 폴리머(130a)는 상부 및 하부 전극(106, 108)에 전원이 인가될 경우, 굴절률이 변화하여 전반사가 이루어진다.
따라서 이 실시예의 전반사형 광 스위치(100a)는 상부 및 하부 전극(106, 108)에 전원을 인가하여 전기광학 폴리머(130a)의 스위치 동작을 조절한다. 이는 도 1의 열광학 전반사형 광 스위치(100)에 비하여 나노급 속도를 갖는 고속 스위칭이 가능하므로, 고속의 전반사형 광 스위치(100a)의 구현이 가능하다.
뿐만 아니라, 상술한 본 발명의 전반사형 광 스위치(100, 100a)는 광 스위치의 용도에 국한되지 않고, 히터(140) 또는 상부 및 하부 전극(106, 108)에 인가되는 전류나 전압의 조절에 따라 가변 광 감쇄기(Variable Optical Attenuator : VOA)로도 사용 가능하다.
계속해서 도 9 내지 도 10을 이용하여 본 발명에 따른 전반사형 1×2 광 스위치에 대한 구성 및 동작을 설명한다.
도 9는 본 발명의 전반사형 광 스위치 구조를 이용한 전반사형 1×2 광 스위치의 구성을 나타내는 도면이고, 도 10a 내지 도 10c는 도 9에 도시된 전반사형 1×2 광 스위치의 전산 모사 결과를 나타내는 도면들이다.
도 9를 참조하면, 전반사형 1×2 광 스위치(200)는 열광학 전반사형 광 스위치(100)의 구조를 구비하여 집적화된 광소자 모듈로, 입력 포트(INPUT)에 연결되는 하나의 실리카 입력 광도파로(202)와, 제 1 및 제 2 출력 포트(OUTPUT1, OUTPUT2) 각각에 연결되는 제 1 및 제 2 실리카 출력 광도파로(204, 206)를 포함한다. 또 전반사형 1×2 광 스위치(200)는 실리카 광도파로(202 ~ 206)의 교차점에 설치되는 스위칭 부재(230)와, 스위칭 부재(230)의 상측에 배치되어 스위칭 부재(230)를 가열하는 히터(240)를 포함한다. 스위칭 부재(230)는 열광학 폴리머 또는 전기광학 폴리머 재질로 구비된다.
도 10a 내지 도 10c를 참조하면, 이 실시예의 전산 모사 결과는 0.4 %의 굴절률 차이를 갖는 단일 모드 실리카 광도파로(202 ~ 206)에서 폴리머(230)의 굴절률을 0.0015 크기 변화시켰을 때의 전반사형 1×1 광 스위치(200)가 동작되는 것을 나타낸 것이다.
따라서 전반사형 1×2 광 스위치(200)는 도 10b에 도시된 바와 같이, 히터(240)에 전원을 인가하지 않는 오프 상태에서 실리카 입력 광도파로(202)에 입력된 광신호를 폴리머(230)에서 투과하게 함으로써, 광신호를 제 1 실리카 출력 광도파로(204)로 출력(OUTPUT1)한다.
또 전반사형 1×2 광 스위치(200)는 히터(240)에 전원을 인가한 온 상태에서는 도 10c에 도시된 바와 같이, 실리카 입력 광도파로(202)로 입력된 광신호를 폴리머(230)에서 전반사하여 제 2 실리카 출력 광도파로(206)로 출력(OUTPUT2)한다.
다른 실시예로서, 전반사형 1×2 광 스위치(200)는 전기광학 전반사형 광 스위치(100a)의 구조를 구비할 수 있다. 이러한 전반사형 1×2 광 스위치(200)는 전계를 이용하여 폴리머(130a)의 스위치 동작을 조절함으로써, 고속 스위칭이 가능하다.
이러한 본 발명의 전반사형 1×2 광 스위치(200)는 열광학 또는 전기광학 폴리머(130 또는 130a)를 실리카 광도파로의 교차점에 삽입하고, 히터(140) 또는 전극(106, 108)들에 인가되는 전원의 전류 및 전압을 조절함으로써, 광신호의 세기를 조절하는 가변 광 감쇄기(VOA)로도 사용 가능하다.
그리고 도 11a 내지 도 11e는 본 발명에 따른 전반사형 광 스위치의 제조 과정을 도시한 도면들이다. 이 실시예에서는 열광학 폴리머를 이용하는 전반사형 광 스위치의 제조 방법을 설명한다.
도 11a를 참조하면, 전반사형 광 스위치(100)는 평판 광회로 소자(Planer Lightwave Circuit)의 일반적인 실리카 광도파로 제조 공정을 이용한다. 즉, 실리카 기판(102)에 하부 클래드(104a)를 적층하고, 적층된 하부 클래드(104a)에 서로 다른 광 경로가 교차하는 실리카 코어(110)를 형성한다. 이어서 실리카 코어(110)가 형성된 하부 클래드(104a)의 상부에 상부 클래드(104b)를 적층한다.
도 11b를 참조하면, 하부 클래드(104a), 실리카 코어(110) 및 상부 클래드(104b)가 적층된 실리카 기판(102)에 트렌치(132)를 형성한다. 트렌치(132)는 상부 클래드(104b), 실리카 코어(110) 및 하부 클래드(104a)를 수직 관통하여 형성된다. 트렌치(132)는 식각 공정, 포토리소그라피(photolithography) 공정 또는 다이싱(Dicing) 공정 등을 이용하여 형성된다. 이 때, 트렌치(132)는 실리카 코어(110)보다 아래쪽 깊이를 갖는다. 즉, 트렌치(132)의 바닥면(132a)은 실리카 기판(102)의 상부와 실리카 코어(110) 하부 사이에 위치된다. 예를 들어, 전반사형 광 스위치(100)가 열광학 폴리머(130)를 이용하는 경우에 트렌치(132)는 실리카 기판(102)과 실리카 코어(110) 사이에 바닥면(132a)이 위치되도록 형성하고, 전기광학 폴리머(130a)를 이용하는 경우에 트렌치(132)는 바닥면(132a)이 실리카 기판(102)의 상부면에 접하게 형성된다.
트렌치(132)가 형성된 상부에 도 11c 내지 도 11d에 도시된 바와 같이, 폴리머(130)를 코팅하여 트렌치(132)에 폴리머(130)를 채운다. 폴리머(130)는 스핀 코팅 공정 또는 블레이드 코팅 공정 등을 이용하여 음의 열광학 계수를 가진 재질로 제공된다. 또 폴리머(130)의 굴절률은 열광학 계수를 계산하여 사용 가능 온도에 맞게 적용한다. 이어서 상부의 폴리머(130)를 연마 공정 또는 플라즈마 식각 공정 등을 이용하여 제거한다. 이 때, 상부의 폴리머(130)는 상부 클래드(104b)가 노출되게 제거한다. 이어서 도 11e에 도시된 바와 같이, 트렌치(132)에 삽입된 폴리머(130)의 상단에 패터닝 공정 등을 이용하여 금속 히터(140)를 형성한다.
다른 실시예로서, 전기광학 폴리머(130a)를 이용하는 전반사형 광 스위치(100a)의 경우, 그 제조 방법은 도 8에 도시된 바와 같이, 실리카 기판(102) 상에 하부 클래드(104a)가 적층되기 전에 하부 전극(106)을 형성하고, 하부 클래드(104a), 실리카 코어(110) 및 상부 클래드(104b)를 순차적으로 적층하여 트렌치(132)를 형성하고, 트렌치(132)에 폴리머(130a)가 삽입된 다음, 전기광학 효과를 유발하기 위하여 폴리머(130a)를 폴링(polling)한다. 이어서 폴링된 폴리머(130a)의 상부에 상부 전극(108)을 형성한다. 물론 이 실시예에서 전기 전도가 가능한 기판을 사용하여 하부 전극(106)을 대신할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 전반사형 광 스위치(100 또는 100a)는 서로 다른 광 경로가 교차되는 실리카 광도파로(110)의 교차되는 위치에 열광학 또는 전기광학 폴리머(130 또는 130a)를 삽입함으로써, 실리카 광도파로(110)와 폴리머(130 또는 130a)의 굴절률 차이로 인해 광신호를 투과 또는 전반사한다.
계속해서 도 12 내지 도 16을 이용하여 또 다른 실시예를 설명한다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전반사형 광 스위치 구조를 이용한 전반사형 1×2 광 스위치의 구성을 나타내는 도면들이고, 도 14a 및 도 14b는 도 12에 도시된 전반사형 1×2 광 스위치의 전산 모사 결과를 나타내는 도면들 그리고, 도 15 및 도 16은 도 12에 도시된 전반사형 1×2 광 스위치에서 폴리머의 굴절률 변화 및 출력 파워 변화를 나타내는 도면들이다. 여기서 도 9 및 도 10의 전반사형 광 스위치(200)와 구분되는 구성에 대해서는 구체적으로 설명하고, 동일한 기능의 구성 요소들에 대한 설명은 생략한다.
먼저 도 12 및 도 13을 참조하면, 이 실시예의 전반사형 1×2 광 스위치(200a)는 본 발명에 따른 폴리머 삽입형 실리카 광도파로 구조를 갖는다.
즉, 이 실시예의 전반사형 1×2 광 스위치(200a)는 단일 모드 기반의 실리카 광도파로(202 ~ 206)를 형성한다. 실리카 광도파로(202 ~ 206)는 서로 교차하는 제 1 및 제 2 실리카 광도파로(202 ~ 206)와, 제 1 및 제 2 실리카 광도파로(202 ~ 206)로부터 분기되는 복수 개의 제 3 실리카 광도파로(210 : 212 ~ 216)들을 포함한다.
구체적으로, 제 3 실리카 광도파로(210)는 제 1 및 제 2 실리카 광도파로(202 ~ 206)가 교차되는 위치에서 복수 개가 형성된다. 제 3 실리카 광도파로(210)들은 제 1 및 제 2 실리카 광도파로(202 ~ 206)가 교차되는 위치에서 제 1 실리카 광도파로(202, 204)로 입력되는 광 신호의 진행 방향과 대체로 나란하지 않은 방향으로 분기된다. 예를 들어, 제 3 실리카 광도파로(210)들은 스위칭 부재즉, 폴리머(230)의 길이 방향에 대체로 수직하게 분기된다.
또 제 3 실리카 광도파로(210)들은 상호 일정 간격이 유지되고, 교차되는 위치를 중심으로 일정 범위 내에서 입력 포트와 출력 포트 방향 양측으로 대칭되게 배열되는 구조를 갖는다.
또 제 3 실리카 광도파로(210 : 212 ~ 216)들은 그 폭이 점차적으로 교차되는 위치를 중심으로 양측 방향으로 갈수록 감소하는 형상을 갖는다. 즉, 입출력 포트 측에 배치되는 제 3 실리카 광도파로(212, 216)들은 교차되는 위치에 배치되는 제 3 실리카 광도파로(214)보다 그 폭이 좁게 제공된다. 예를 들어, 제 3 실리카 광도파로(210 : 212 ~ 216)들은 교차되는 위치에서 약 10 ~ 50 ㎛ 범위 내의 폭으로 배치된다. 여기서 제 3 실리카 광도파로(210)들의 폭을 제한하는 이유는 약 10 ㎛ 이하의 폭에서는 그 특성이 미비하고, 약 50 ㎛ 이상의 폭에서는 광도파 방향에서 폭의 넓은 부분이 길어지기 때문에 멀티 모드가 발생될 수 있기 때문이다. 이는 멀티 모드가 급격하게 발생되면, 광손실이 크게 증가하는 등의 문제점이 생길 수 있다.
이러한 전반사형 1×2 광 스위치(200a)는 제 3 실리카 광도파로(210 : 212 ~ 216)들에 의해 입력 포트로 입사되는 광 신호가 교차되는 위치에 삽입된 폴리머 영역을 지나면, 광 신호가 분산되어 약간의 손실이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 또 전반사형 1×2 광 스위치(200a)는 제 3 실리카 광도파로(210 : 212 ~ 216)들을 입력 포트 측으로부터 교차되는 위치까지 폭을 점진적으로 증가시키고, 교차되는 위치에서 출력 포트 측으로 점차 감소시킴으로써, 광전송 시, 광손실을 최소화하여 안정화를 도모할 수 있다.
또 전반사형 1×2 광 스위치(200a)를 광통신 소자에 적용되었을 경우에 입출력 포트가 구분되어 있지만, 전반사형 1×2 광 스위치(200a)는 실제로 양방향 통신이 가능하므로, 입출력 포트의 방향이 변경될 수 있도록 제 3 실리카 광도파로(210)들을 교차되는 위치를 중심으로 입출력 포트 양측 방향으로 대칭되는 구조로 구현된다.
그러므로 이 실시예의 전반사형 1×2 광 스위치(200a)는 제 3 실리카 광도파로(210)들을 이용하여 광도파 모드에서의 광손실을 방지하므로, 도 9의 것(200)보다 제 1 및 제 2 실리카 광도파로(202 ~ 206)의 광도파 모드의 특성을 향상시켜서 광 스위치 기능을 개선할 수 있다. 이 실시예의 전반사형 1×2 광 스위치(200a)는 도 16에 도시된 바와 같이, 도 9 및 도 10에 도시된 전반사형 1×2 광 스위치(200)의 구조보다 약 2 % 정도의 광전송 손실에서 이득이 있다.
또한 전반사형 광 스위치(200a)는 도 15에 도시된 바와 같이, 폴리머(230)의 굴절률(Polymer RI) 변화에 따른 제 1 및 제 2 출력 포트(Pass port, Reflective port)(OUTPUT-1, OUTPUT-2)의 광신호 파워를 조절할 수 있다. 따라서 본 발명의 전반사형 광 스위치(200a)는 폴리머(230)의 굴절률을 조절하여, 폴리머(230)에서 전반사가 이루어질 수 있는 최적의 조건을 결정할 수 있다.
도 14a 내지 도 14b를 참조하면, 이 실시예의 전산 모사는 도 10의 전산 모사와 동일한 조건으로 측정한다. 즉, 0.4 %의 굴절률 차이를 갖는 단일 모드 실리카 광도파로(202 ~ 206)에서 폴리머(230)의 굴절률을 0.0015 크기 변화시켰을 때의 전반사형 1×1 광 스위치(200)가 동작되는 것을 나타낸 것이다.
따라서 전반사형 1×2 광 스위치(200a)는 도 14a에 도시된 바와 같이, 히터(도 9의 240) 또는 상하부 전극(도 8의 106, 108)에 전원을 인가하지 않는 오프 상태에서 입력 포트(INPUT)로 입력된 광신호를 폴리머(230)에서 투과하게 함으로써, 광신호를 제 1 출력 포트(OUTPUT-1)로 전송한다. 또 전반사형 1×2 광 스위치(200a)는 히터(240) 또는 상하부 전극(106, 108)에 전원을 인가한 온 상태에서는 도 14b에 도시된 바와 같이, 입력된 광신호를 폴리머(230)에서 전반사하여 제 2 출력 포트(OUTPUT-2)로 전송한다.
이상에서, 본 발명에 따른 전반사형 광 스위치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.
100, 100a : 전반사형 광 스위치 102 : 실리카 기판
104 : 실리카 클래드 106, 108 : 전극
110 : 실리카 광도파로(실리카 코어) 130, 130a : 폴리머
132 : 트렌치 140 : 히터
200, 200a : 전반사형 1×2 광 스위치
104 : 실리카 클래드 106, 108 : 전극
110 : 실리카 광도파로(실리카 코어) 130, 130a : 폴리머
132 : 트렌치 140 : 히터
200, 200a : 전반사형 1×2 광 스위치
Claims (17)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 전반사형 광 스위치에 있어서:
기판에 형성되어 입력 포트와 제 1 출력 포트를 연결하는 제 1 실리카 광도파로와, 상기 제 1 실리카 광도파로와 교차되고 제 2 출력 포트에 연결되는 제 2 실리카 광도파로를 구비하는 실리카 광도파로;
상기 제 1 및 상기 제 2 실리카 광도파로가 교차되는 위치에 제공되며, 상기 입력 포트로 입력되는 광신호를 상기 제 1 실리카 광도파로 또는 상기 제 2 실리카 광도파로로 출력하도록 스위칭하는 열광학 폴리머; 및
상기 열광학 폴리머를 가열하는 히터;를 포함하되,
상기 열광학 폴리머는 상기 히터에 의해 상기 광신호를 상기 제 1 출력 포트로 투과하거나 상기 제 2 출력 포트로 전반사하고,
상기 실리카 광도파로는 상기 교차되는 위치에 상기 제 1 및 상기 제 2 실리카 광도파로에서 상기 열광학 폴리머의 길이 방향에 수직하게 분기되고 상호 일정 간격이 유지되는 복수 개의 제 3 실리카 광도파로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전반사형 광 스위치. - 전반사형 광 스위치에 있어서:
기판에 형성되어 입력 포트와 제 1 출력 포트를 연결하는 제 1 실리카 광도파로와, 상기 제 1 실리카 광도파로와 교차되고 제 2 출력 포트에 연결되는 제 2 실리카 광도파로를 구비하는 실리카 광도파로;
상기 제 1 및 상기 제 2 실리카 광도파로가 교차되는 위치에 제공되며, 상기 입력 포트로 입력되는 광신호를 상기 제 1 실리카 광도파로 또는 상기 제 2 실리카 광도파로로 출력하도록 스위칭하는 전기광학 폴리머; 및
상기 전기광학 폴리머의 상하 양측에 각각 설치되고, 전원을 공급받아서 상기 전기광학 폴리머에 전계를 형성하는 상부 전극 및 하부 전극;을 포함하되,
상기 전기광학 폴리머는 전계가 형성되지 않으면 상기 광신호를 상기 제 1 출력 포트로 투과하고, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 의해 전계가 형성되면 귤절률이 낮아져서 상기 광신호를 상기 제 2 출력 포트로 전반사하고,
상기 실리카 광도파로는 상기 교차되는 위치에 상기 제 1 및 상기 제 2 실리카 광도파로에서 상기 전기광학 폴리머의 길이 방향에 수직하게 분기되고 상호 일정 간격이 유지되는 복수 개의 제 3 실리카 광도파로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전반사형 광 스위치. - 제 8 항에 있어서,
상기 전반사형 광 스위치는;
상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에게로 인가되는 전원을 조절하여 상기 광신호의 세기를 조절하는 가변 광감쇄기로 사용 가능한 것을 특징으로 하는 전반사형 광 스위치. - 삭제
- 제 7항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 제 3 실리카 광도파로들은 상기 교차되는 위치를 중심으로 상기 입력 포트와 상기 출력 포트 방향으로 배열되어 대칭 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 전반사형 광 스위치. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 3 실리카 광도파로들은 상기 교차되는 위치를 중심으로 하여 상기 입력 포트와 상기 출력 포트 방향으로 갈수록 폭이 좁아지게 제공되는 것을 특징으로 하는 전반사형 광 스위치. - 전반사형 광 스위치의 제조 방법에 있어서:
실리카 기판에 하부 클래드를 적층하는 단계;
상기 하부 클래드에 서로 다른 광 경로가 교차하는 실리카 코어를 형성하는 단계;
상기 실리카 코어가 형성된 상기 하부 클래드 상에 상부 클래드를 적층하는 단계;
바닥면이 상기 기판과 상기 실리카 코어 사이에 위치되도록 상기 상부 클래드로부터 상기 실리카 코어로 수직 관통하여 트렌치를 형성하는 단계; 및
상기 트렌치에 폴리머를 삽입하는 단계;를 포함하고,
상기 실리카 코어를 형성하는 단계는 제 1 광 경로를 형성하는 제 1 실리카 코어와, 상기 제 1 실리카 코어에 교차하고 제 2 광 경로를 형성하는 제 2 실리카 코어 및, 상기 제 1 및 상기 제 2 실리카 코어들로부터 상기 폴리머의 길이 방향에 대해 수직하게 복수 개가 분기되고, 상기 제 1 및 제 2 실리카 코어가 교차되는 교차점을 중심으로 하여 양측으로 상호 이격되어 대칭되게 배열되고, 그리고 상기 교차점을 중심으로 상기 양측으로 갈수록 폭이 좁아지게 제공되는 제 3 실리카 코어를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전반사형 광 스위치의 제조 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 방법은;
상기 폴리머의 상부에 히터를 형성하는 것을 더 포함하되;
상기 폴리머는 상기 히터에 의해 상기 실리카 코어에 입력된 광신호를 스위칭하는 열광학 폴리머 재질로 구비되는 것을 특징으로 하는 전반사형 광 스위치의 제조 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 방법은;
상기 실리카 기판 상에 상기 하부 클래드가 적층되기 전에 하부 전극을 형성하고, 상기 폴리머의 상부에 상부 전극을 형성하는 것을 더 포함하되;
상기 폴리머는 상기 상부 및 상기 하부 전극들에 의해 상기 실리카 코어에 입력된 광신호를 전반사하는 전기광학 폴리머 재질로 구비되는 것을 특징으로 하는 전반사형 광 스위치의 제조 방법. - 삭제
- 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리머는 음의 열광학 계수 값을 갖고, 상기 실리카 코어와 동일한 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 전반사형 광 스위치의 제조 방법.
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