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KR101057915B1 - 성막 장치 및 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents

성막 장치 및 발광 소자의 제조 방법 Download PDF

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KR101057915B1
KR101057915B1 KR1020087020405A KR20087020405A KR101057915B1 KR 101057915 B1 KR101057915 B1 KR 101057915B1 KR 1020087020405 A KR1020087020405 A KR 1020087020405A KR 20087020405 A KR20087020405 A KR 20087020405A KR 101057915 B1 KR101057915 B1 KR 101057915B1
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

피처리 기판을 지지하는 유지대를 내부에 구비한 처리 용기와, 금속을 포함하는 성막 원료를 증발 또는 승화시켜서 기체 원료를 생성하는, 상기 처리 용기의 외부에 설치된 기체 원료 생성부와, 상기 처리 용기 내에 상기 기체 원료를 공급하는 기체 원료 공급부와, 상기 기체 원료를 상기 기체 원료 생성부에서 상기 기체 원료 공급부로 수송하는 수송로를 갖고, 상기 피처리 기판 상의 발광층을 포함하는 유기층 상에 금속을 포함하는 층을 형성하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.

Description

성막 장치 및 발광 소자의 제조 방법{FILM FORMING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING ELEMENT}
본 발명은, 발광층을 포함하는 유기층 상에 성막하는 성막 장치 및 발광층을 포함하는 유기층을 가지는 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다
최근, 종래 이용되어 온 CRT(Cathode Ray Tube) 대신에, 박형으로 하는 것이 가능한 평면형 표시 장치의 실용화가 진행되고 있고, 예를 들면 유기 전계 발광 소자(유기 EL 소자)는 자발광(自發光), 고속 응답 등의 특징을 가지기 때문에, 차세대의 표시 장치로서 착안되어 있다. 또한, 유기 EL 소자는, 표시 장치의 이외에, 면발광(面發光) 소자로서도 이용되는 경우가 있다.
유기 EL 소자는, 양전극(정전극)과 음전극(부전극)의 사이에 유기 EL층(발광층)을 포함하는 유기층이 협지된 구조로 되어 있고, 해당 발광층에 정극으로부터 정공(正孔)을, 부극으로부터 전자를 주입해서 그것들의 재결합을 시킴으로써, 해당 발광층을 발광시키는 구조로 되어 있다.
또한, 상기 유기층에는, 필요에 따라서 양극과 발광층의 사이, 또는 음극과 발광층의 사이에, 예를 들면 정공 수송층, 또는 전자 수송층 등 발광 효율을 양호하게 하기 위한 층을 부가하는 것도 가능하다.
상기의 발광 소자를 형성하는 방법의 일례로서는, 이하의 방법을 선택하는 것이 일반적이었다. 우선, ITO(Idium Tin Oxide)로 이루어지는 양전극이 패터닝된 기판 상에, 상기 유기층을 증착법에 의해 형성한다. 증착법이란, 예를 들면 증발 혹은 승화된 증착 원료를, 피처리 기판 상에 증착시키는 것으로 박막을 형성하는 방법이다. 다음으로, 해당 유기층 상에, 음전극이 되는 Al (알루미늄)을, 증착법에 의해 형성한다. 이러한 발광 소자를, 이른바 탑 캐소드형 발광 소자라고 부르는 경우가 있다.
예를 들면 이렇게 하여, 양전극과 음전극의 사이에 유기층이 형성되어서 이루어지는 발광 소자가 형성된다(예를 들면 특허문헌 1 참조).
도 1은, 종래의 증착 장치의 구성의 일례를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 도면에 나타난 성막 장치(10)는, 내부에 내부공간(11A)이 구획되는 처리 용기(11)을 갖고, 해당 내부공간(11A)에는, 증착원(12)과, 해당 증착원(12)에 대향하는 기판 유지대(15)가 설치된 구조를 갖고 있다. 상기 내부공간(11A)는, 배기 펌프 등의 배기 수단(도시하지 않음)이 접속된 배기 라인(14)으로부터 배기되어, 소정의 감압 상태로 유지되는 구조로 되어 있다.
상기 증착원(12)에는 히터(13)가 설치되어, 해당 히터(13)에 의해 내부에 유지된 원료(12A)를 가열하고, 증발 또는 승화시켜 기체 원료로 할 수 있도록 구성되어 있다. 해당 기체 원료는, 상기 기판 유지대(15)에 유지된 피처리 기판(S)에 증 착된다.
상기의 성막 장치(10)를 이용하여, 예를 들면 발광 소자의 유기층(발광층)이나, 유기층 상의 전극 등을 성막할 수 있다.
그러나, 종래의 증착 장치를 이용하여 성막을 실행하는 경우, 처리 용기 내의 증착원으로부터 증발 또는 승화하는 원료를 피처리 기판에 성막시키기 위해서, 피처리 기판의 성막면을 아래로 향하게 한, 이른바 페이스 다운의 성막 방법에 의해 실행할 필요가 있었다. 이 때문에，피처리 기판이 커졌을 경우에는 기판의 취급이 곤란하게 되어, 성막 장치의 생산성이 저하하는 문제가 있었다.
또한, 종래의 증착 장치에서는, 증착원으로부터 증발 또는 승화한 원료가, 피처리 기판 이외의 부분에도 부착되는 것에 의해 파티클의 발생 원인이 되는 경우가 있고, 부착된 원료를 제거하는 빈도가 높아져서, 생산성이 저하하는 문제가 발생하는 경우가 있었다.
이와 같이 피처리 기판 이외에 부착되는 것을 억제하기 위해서는, 증착원과 피처리 기판(유지대)의 거리를 접근시키는 것이 바람직하다. 그러나, 증착원은 가열에 의해 원료를 증발 또는 승화시키는 기능을 갖는데, 증착원과 피처리 기판을 접근시키면 피처리 기판이나 피처리 기판 상의 마스크가 가열되는 문제나, 막두께의 균일성이 나빠지는 문제가 발생하는 경우가 있다. 이 때문에, 증착원과 피처리 기판은, 소정의 거리 이상으로 거리를 두고 설치해야 할 필요가 있었다.
또 한편으로는, 예를 들면 스퍼터링법에 의한 성막은, 피처리 기판의 방향 등의 제한이 적고, 생산성이 양호한 장점이 있지만, 증착법에 비해 성막 대상에 대 한 대미지(damage)가 커지는 문제가 있었다.
예를 들면, 유기 EL 소자 등의, 발광층을 포함하는 유기층 상에 성막을 실행하는 경우에는, 스퍼터링에 의한 유기층의 대미지가 문제가 되는 경우가 있다. 예를 들면 스퍼터링법 등에 의해 Al 등의 딱딱한 금속의 입자가 고속으로 유기층에 충돌했을 경우나, 플라즈마 여기(勵起)에 따른 자외선이 조사되는 것 등에 의해, 유기층이 대미지를 받고, 발광 소자의 품질이 저하해 버리는 경우가 있다.
이와 같이, 유기층 상에 성막을 실행하는 경우의 예로서는, 예를 들면 이하의 경우가 있다.
예를 들면, 유기층과 금속 전극을 이용한 발광 소자에서는, 유기층과 전극의 사이의 일 함수의 차에 의해 발광 효율이 저하하는 경우가 있다. 이러한 발광 효율의 저하를 억제하기 위해서, 유기층과 전극의 사이(즉 유기층 의 위)에, 예를 들면 소정의 금속을 포함하는 층(예를 들면 금속층, 또는 금속화합물층 등)을 형성하는 경우가 있다. 이러한, 유기층과 전극의 사이의 일 함수의 차에 의한 발광 효율의 저하를 억제하기 위한 층(이하 일 함수 조정층으로 부르는 경우가 있다)을 형성하는 경우, 성막 방법(예를 들면 스퍼터링법)에 따라서는 유기층에 대미지를 부여하는 경우가 있다. 또한, 일 함수 조정층을 구성하는 재료에 따라서는, 스퍼터링의 타겟 재료를 구성하는 것이 곤란한 재료도 있다.
한편, 해당 일 함수 조정층을 종래의 증착법으로 형성하려면, 먼저 설명한 바와 같이, 대형 기판에서의 대응이 곤란한 점 등, 생산성이 저하하는 문제를 해결하는 것이 곤란했다.
또한, 특허문헌 2에는, 성막 원료를 증발 또는 승화시켜서 수송함으로써 성막을 실행하는 성막 장치가 개시되어 있다. 그러나, 특허문헌 2에는, 발광층을 포함하는 유기층 상에 성막을 실행하는데 있어서의 문제나, 그 해결 방법은 전혀 개시되어 있지 않다.
(특허문헌 1) 일본 특허공개 2004-225058호
(특허문헌 2) USP 6849241호 공보
그래서, 본 발명에서는, 상기의 문제를 해결한, 신규하고 유용한 성막 장치와 발광 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 종합적 목적으로 하고 있다.
본 발명의 구체적인 제 1 과제는, 양호한 생산성으로 발광 소자의 유기층 상에 금속을 포함하는 층을 형성할 수 있는 성막 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 구체적인 제 2 과제는, 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 발광층을 포함하는 유기층이 형성되고, 상기 유기층과 제 2 전극의 사이에 일 함수 조정층이 형성되어서 이루어지는 발광 소자를, 양호한 생산성으로 제조하는 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제 1 관점에서는, 상기의 과제를, 피처리 기판을 지지하는 유지대를 내부에 구비한 처리 용기와, 금속을 포함하는 성막 원료를 증발 또는 승화시켜서 기체 원료를 생성하는, 상기 처리 용기의 외부에 설치된 기체 원료 생성부와, 상기 처리 용기 내에 상기 기체 원료를 공급하는 기체 원료 공급부와, 상기 기체 원료를 상기 기체 원료 생성부에서 상기 기체 원료 공급부에 수송하는 수송로를 갖고, 상기 피처리 기판 상의 발광층을 포함하는 유기층 상에 금속을 포함하는 층을 형성하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치에 의해 해결한다.
본 발명의 제 2 관점에서는, 상기의 과제를, 발광층을 포함하는 유기층 상에 금속을 포함하는 층을 형성하는 제 1 성막 공정과, 상기 금속을 포함하는 층상에 전극을 형성하는 제 2 성막 공정을 갖고, 상기 제 1 성막 공정에서는, 성막 원료가 증발 또는 승화되어서 이루어지는 기체 원료가, 수송로을 거쳐서 상기 유기층 상에 공급됨으로써 성막이 행하여지는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법에 의해서 해결한다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 양호한 생산성으로 발광 소자의 유기층 상에 금속을 포함하는 층을 형성하는 것이 가능한 성막 장치를 제공하는 것이 가능해진다.
또한, 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 발광층을 포함하는 유기층이 형성되고, 상기 유기층과 제 2 전극의 사이에는 일 함수 조정층이 형성되어서 이루어지는 발광 소자를, 양호한 생산성으로 제조하는 제조 방법을 제공하는 것이 가능해진다.
도 1은 종래의 성막 장치를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 실시예 1에 의한 성막 장치를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 실시예 2에 의한 성막 장치를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 실시예 3에 의한 성막 장치를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 5a는 실시예 4에 의한 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 도면 중 하나이다.
도 5b는 실시예 4에 의한 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 도면 중 하나이다.
도 5c는 실시예 4에 의한 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 도면 중 하나이다.
도 5d는 실시예 4에 의한 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 도면 중 하나이다.
도 5e는 실시예 4에 의한 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 도면 중 하나이다.
도 5f는 실시예 4에 의한 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 도면 중 하나이다.
도 5g는 실시예 4에 의한 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 도면 중 하나이다.
(부호의 설명)
100, 100A, 100B 성막 장치
101, 101B 처리 용기
102 유지대
103 이동 레일
104, 104A 기체 원료 공급부
105, 105A 기체 원료 공급부 본체
106,106A 정류판
107,107A 필터판
108 수송로
109 기체 원료 생성부
110 원료 보관 용기
110A 성막 원료
111 가열 수단
112 캐리어 가스 공급 라인
200 스퍼터링 성막부
201 오목부
202A, 202B 타겟
203 전원
204 가스 공급 수단
205 가스 유로
206 가스 구멍
207 가스 공급로
300 발광 소자
301 기판
302 양전극
303 인출선
304 유기층
304A 일 함수 조정층
305 음전극
306 보호층
본 발명에 관한 성막 장치는, 성막 원료를 증발 또는 승화시켜서 피처리 기판 상에 성막하는 성막 장치에 있어서, 상기 피처리 기판을 지지하는 유지대를 내부에 구비한 처리 용기와, 상기 성막 원료를 증발 또는 승화시켜서 기체 원료를 생성하는, 상기 처리 용기의 외부에 설치된 기체 원료 생성부와, 상기 처리 용기 내에 상기 기체 원료를 공급하는 기체 원료 공급부와, 상기 기체 원료를 상기 기체 원료 생성부에서 상기 기체 원료 공급부에 수송하는 수송로를 갖고, 상기 성막 원료는 금속재료를 포함하고, 상기 피처리 기판 상의 발광층을 포함하는 유기층 상에 금속을 포함하는 층을 형성하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기의 성막 장치에서는, 성막 원료가 증발 또는 승화되어서 생성되는 기체 원료가 수송로를 이용하여 수송되어, 처리 용기 내의 피처리 기판 근방에 공급되는 구조로 되어 있다. 이 때문에，종래의 증착 장치에 비하여 기체 원료를 공급하는 방향의 설정의 자유도가 높고, 피처리 기판을 지지하는 방향의 제약이 적어지는 특징을 갖고 있다. 이 때문에，예를 들면 피처리 기판의 성막면을 위로 하는(중력이 걸리는 방향에 대하여 성막면이 향하고 있다), 이른바 페이스 업의 성막이 가능하게 되고, 대형 기판으로의 성막이 용이하게 되는 효과를 나타낸다.
또한, 기체 원료를 수송하는 수송로를 갖고 있기 때문에, 성막 원료를 증발 또는 승화시키는 기체 원료 생성부와, 증발 또는 승화해서 생성되는 기체 원료를 처리 용기 내에 공급하는 기체 원료 공급부를 분리해서 설치하는 것이 가능하게 되어 있는 점이, 상기의 성막 장치의 특징이다.
이 때문에, 예를 들면 기체 원료 공급부를 피처리 기판이나 유지대에 접근시켰을 경우에도, 피처리 기판이나 유지대가 가열의 영향을 받기 어려워진다. 따라서, 기체 원료 공급부와 피처리 기판을 접근시켜서 설치하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 피처리 기판 이외의 부분에서의 성막량이 억제되어 원료의 이용 효율이 양호하게 됨과 동시에, 메인티넌스의 빈도가 낮아져 생산성이 양호하게 되는 효과를 나타낸다.
상기의 성막 장치에 의해, 발광층을 가지는 유기층 상에, 해당 유기층에 대한 대미지를 저감하면서, 또한 양호한 생산성으로, 금속을 포함하는 층(예를 들면 일 함수 조정층 등)을 형성하는 것이 가능해진다.
다음으로, 본 발명의 실시예에 대해서, 도면에 근거해 구체적으로 설명한다.
(실시예 1)
도 2는, 본 발명의 실시예 1에 의한 성막 장치(100)을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 의한 성막 장치(100)는, 피처리 기판(W)을 지지하는 유지대(102)를 내부에 구비한 처리 용기(101)를 갖고 있다. 상기 처리 용기(101)의 외측에는, 성막 원료(110A)를 내부에 갖고 있는 기체 원료 생성부(109)를 갖고 있다.
상기 기체 원료 생성부(109)는 상기 성막 원료(110A)를 증발 또는 승화시켜서 기체 원료를 생성한다. 상기 기체 원료 생성부(109)에서 생성된 기체 원료는, 상기 기체 원료 생성부(109)에 접속된 수송로(108) 내를 거쳐서, 상기 처리 용기(101)에 설치된 기체 원료 공급부(104)에 수송된다. 또한, 상기 기체 원료 공급부(104)에 수송된 기체 원료는, 상기 처리 용기(101) 내의 상기 피처리 기판(W)의 근방에 공급되어, 피처리 기판(W) 상에 성막이 행하여진다.
또한, 상기 처리 용기(101) 내는, 예를 들면 진공 펌프 등의 배기 수단(도시하지 않음)에 접속된 배기 라인(114)으로 배기되어, 소정의 감압 상태로 유지하는 것이 가능하게 구성되어 있다.
상기 기체 원료 생성부(109)는 원료 용기(110)를 갖고, 해당 원료 용기(110)의 내부에는, 액체 또는 고체로 이루어지는 상기 성막 원료(110A)가 보관된다. 상기 원료 용기(110)의 외측에는, 예를 들면 히터로 이루어지는 가열 수단(111)이 설치되어, 상기 성막 원료(110A)를 가열해서 증발 또는 승화시키는 것이 가능하게 구 성되어 있다.
또한, 상기 원료 용기(110)에는, 예를 들면 Ar나 He 등의 불활성 가스로 이루어지는 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 공급 라인(112)이 접속되어 있다. 상기 원료 용기(110) 내에서 생성된 기체 원료는, 해당 캐리어 가스와 함께 상기 수송로(108) 및 상기 기체 원료 공급부(104)를 거쳐서 상기 처리 용기(101) 내에 공급된다.
상기 기체 원료 공급부(104)는, 상기 수송로(108)가 접속된，예를 들면 원통형 또는 하우징체 형상의 공급부 본체(105)를 갖고, 그 내부에 해당 수송로(108)를 거쳐서 기체 원료가 공급되는 구조로 되어 있다 .
또한, 상기 공급부 본체(105)의 내부에는, 기체 원료의 흐름을 제어하는 정류판(106)이 설치되어 있다. 해당 정류판(106)은, 예를 들면 복수의 가스 구멍을 가지는 다공판으로 이루어진다. 상기 정류판(106)을 설치하는 것으로, 피처리 기판(W)에 관한 기체 원료의 공급량의 분포의 균일성이 양호하게 된다. 또한, 이러한 정류판은 복수 마련해도 좋다.
또한, 상기 공급부 본체(105)의, 피처리 기판(W)에 면하는 측에는, 예를 들면 다공질의 금속 재료(금속 필터)로 이루어지는 필터판(107)이 설치되어 있다. 기체 원료는 해당 필터판(107)을 거쳐서 상기 처리 용기(101)내에 공급된다. 이 때문에，기체 원료에 포함되는 파티클이 제거되어, 성막 되는 막의 품질이 양호하게 되는 효과를 나타낸다.
또한, 상기 유지대(102)는, 성막(기체 원료의 공급)에 대응해서 이동 가능하 게 구성되어 있다. 상기 유지대(102)는, 상기 처리 용기(101)의 저면(상기 기체 원료 공급부(104)에 대향하는 쪽)에 설치된 이동 레일(103) 위를 평행하게 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 성막시에 상기 유지대(102)가 이동되는 것에 의해, 피처리 기판의 면내에서 성막의 균일성이 양호해지도록 구성되어 있다.
또한, 상기 처리 용기(101)에는, 게이트 밸브(113)가 설치된다. 상기 게이트 밸브(113)는, 예를 들면 상기 처리실(101)이 진공 반송실 등의 반송 수단(도시하지 않음)에 접속되는 쪽에 설치된다. 상기 게이트 밸브(113)를 개방함으로써, 피처리 기판(W)의 상기 처리 용기(101) 내로의 반입이, 또는 피처리 기판(W)의 상기 처리 용기(101) 내로부터의 반출이 가능하게 된다.
본 실시예에 의한 성막 장치(100)는, 상기 성막 원료(110A)가 증발 또는 승화되어서 생성되는 기체 원료가 상기 수송로(108)를 이용하여 수송되어, 상기 처리 용기(101) 내의 피처리 기판(W) 근방에 공급되는 구조로 되어 있다. 이 때문에，종래의 증착 장치에 비하여, 기체 원료를 공급하는 방향의 설정의 자유도가 높은 특징을 갖고 있다. 예를 들면, 상기 기체 원료 공급부(104)를 설치하는 장소나, 또는 설치하는 방향(기체 원료가 공급되는 방향)의 자유도가 높아진다.
따라서, 피처리 기판(W)의 방향, 즉 상기 유지대(102)를 설치하는 장소나 설치하는 방향의 자유도가 높아진다. 이 때문에，예를 들면 피처리 기판(W)의 성막면을 위로 하는, 이른바 페이스 업의 성막이 가능하게 되고, 대형 기판에서의 성막이 용이하게 되는 효과를 나타낸다.
또한, 본 실시예에 의한 성막 장치(100)는, 기체 원료를 상기 기체 원료 생 성부(109)로부터 상기 기체 원료 공급부(104)까지 수송하는 수송로(108)을 갖고 있다. 이 때문에，상기 기체 원료 생성부(109)와, 상기 기체 원료 공급부(104)를 분리해서 설치하는 것이 가능하게 되어 있다. 본 실시예의 경우, 예를 들면, 상기 기체 원료 생성부(109)는 상기 처리 용기(101)의 외측에, 상기 기체 원료 공급부(104)는 상기 처리 용기(101)의 개구부에 상기 처리 용기(101)의 내부(피처리 기판)를 면하도록, 각각 분리해서 설치되어 있다.
이 결과, 상기 처리 용기(101) 내에 있어서, 상기 피처리 기판(W) 이외의 부분에서의 성막량이 억제되어, 원료의 이용 효율이 양호하게 됨과 동시에, 필요한 유지 보수의 빈도가 낮아져, 성막 장치의 생산성이 양호하게 되는 효과를 나타낸다.
본 실시예의 성막 장치(100)에 의해, 예를 들면, 유기 EL 소자 등 발광층을 가지는 유기층 상에, 양호한 생산성으로 금속을 포함하는 층(예를 들면 일 함수 조정층 등)을 형성하는 것이 가능해진다. 이러한 유기층 상에 성막을 실행하는 경우는, 예를 들면 종래의 스퍼터링법에 의한 성막으로는 유기층이 대미지를 받기 쉬운 문제가 있었다. 그러나, 상기의 성막 장치를 이용하면, 유기층에 부여하는 대미지를 저감하고, 또한 양호한 생산성으로 성막을 실행하는 것이 가능하게 된다.
또한, 이러한 발광층을 가지는 발광 소자는, 예를 들면 표시 장치의 대형화에 따라 대형 기판을 이용하여 제작되도록 되어 있다. 이러한 발광 소자의 제조에 있어서, 페이스 업 성막에의 대응이 가능한 본 실시예에 의한 성막 장치는, 종래의 성막 장치에 비교해서 양호한 생산성을 갖고 있다.
또한, 예를 들면 보텀 이미션 타입의 발광 소자를 제조하는 경우, 상층에 형성되는 음전극(탑 캐소드)을 구성하는 재료는, 발광의 반사율이 양호한 재료를 이용하는 것이 바람직하고, 예를 들면, Ag를 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 음전극에 Ag를 이용했을 경우에는, 발광층을 포함하는 유기층과 전극과의 사이에 형성하는, 발광 효율의 저하를 억제하기 위한 층(일 함수 조정층)으로서 Li를 이용하는 것이 바람직하다.
예를 들면, Li를 성막하는 경우, 스퍼터링법에 의한 성막에서는, 유기층에 대미지가 가해질 염려가 있는 것에 더하여, 스퍼터링에 이용하는 타겟 재료를 형성하는 것이 곤란한 문제가 있다.
Li는, 예를 들면 대기 중에 방치되면 표면이 변화(예를 들면 질화)하기 쉬우며, 특히 대형 타겟 재료를 형성하거나, 또한 수송하는 등의 취급이 곤란한 문제를 갖고 있다. 이 때문에，스퍼터링법에 의해, Li층으로 이루어지는 일 함수 조정층을 형성하는 것은 곤란했다.
또한, 종래의 증착법에 의해 Li를 성막하는 경우에는, 성막 조건에 따라서는 특히 처리 용기의 내부(피처리 기판 이외의 부분)에 성막되는 양이 많아져서, 장치의 메인티넌스에 시간이 필요하여 생산성이 저하해 버리는 경우가 있었다.
한쪽, 본 실시예에 의한 성막 장치(100)에서는, 유기 EL 소자 등의, 발광층을 포함하는 유기층 상에, Li층으로 이루어지는 일 함수 조정층을, 유기층에 부여하는 대미지를 억제하면서 양호한 생산성으로 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 의한 성막 장치는, 본 실시예에 의한 성막 장치에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 이하에 도시하는 바와 같이 다양하게 변형 및 변경하는 것이 가능하다.
(실시예 2)
도 3은, 본 발명의 실시예 2에 의한 성막 장치를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도면 중, 먼저 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 부여하고, 설명을 생략한다. 또한, 특히 설명하지 않는 부분은 실시예 1의 경우와 동일한 구조 및 기능인 것으로 한다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 의한 성막 장치(100A)는, 실시예 1의 기체 원료 공급부(104)에 상당하는 기체 원료 공급부(104A)가, 상기 유지대(102)의 이동 방향을 따라서 복수 배열되도록 하여 설치되어 있는 것이 특징이다. 상기 기체 원료 공급부(104A)는, 실시예 1의 공급부 본체(105), 정류판(106) 및 필터판(107)에 각각 상당하는, 공급부 본체(105A), 정류판(106A) 및 필터판(107A)를 각각 갖고 있다.
상기 기체 원료 공급부(104A)는, 그 크기(상기 유지대(102)의 이동 방향에 따른 길이)가 상기 기체 원료 공급부(104)에 비해 작다. 그 때문에, 상기 기체 원료 공급부(104A)는, 상기 유지대의 이동 방향을 따라서 복수 배열 하는 것이 가능하게 되어 있다. 따라서, 성막하는 막두께나 필요로 하는 성막 속도에 대응하여, 복수의 기체 원료 공급부를 설치하는 것이 가능하게 되어 있다.
(실시예 3)
도 4는, 본 발명의 실시예 3에 의한 성막 장치를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도면 중, 먼저 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 부여하고, 설명을 생략한다. 또한, 특히 설명하지 않는 부분은 실시예 1의 경우와 동일한 구조 및 기능인 것으로 한다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 의한 성막 장치(100B)는, 실시예 1에 나타낸 구조에 더하여 스퍼터링 성막부(200)을 구비하고 있고, 또한 스퍼터링법에 의한 성막을 실행하는 것이 가능하게 구성되어 있다.
이 때문에, 예를 들면, 본 실시예에 의한 성막 장치(100B)에서는, 실시예 1에서 먼저 설명한 상기 성막 원료(110A)를 증발 또는 승화해서 실행하는 성막(예를 들면 일 함수 조정층의 성막)에 이어서, 또한 스퍼터링법에 의해 실행하는 성막(예를 들면 해당 일 함수 조정층상의 음전극의 성막)을, 예를 들면 감압 분위기에서 연속적으로 실시할 수 있도록 구성되어 있다.
상기 스퍼터링 성막부(200)는, 처리 용기(100B)(실시예 1의 처리 용기(101)에 상당한다)의 오목부(201)에 거의 수납되도록 처리 용기(100B)에 설치되어 있다. 상기 스퍼터링 성막부(200)에는, 각각 전압이 인가되는, 서로 대향하는 전압 인가 타겟(202A, 202B)과, 해당 전압 인가 타겟(202A, 202B)의 사이에, 예를 들면 Ar 등의 처리 가스를 공급하는 가스 공급 수단(204)이 설치되어 있다. 해당 처리 가스는, 해당 전압 인가 타겟(202A, 202B)에 전원(203)으로부터 전압이 인가됨으로써 플라즈마 여기(勵起)된다.
상기 가스 공급 수단(204)은, 상기 기판 유지대(102)가 이동하는 방향과 거의 직교하는 방향으로 연장된 구조를 갖고, 상기 전압 인가 타겟(202A, 202B)을 사이에 두고 상기 기판 유지대(102)와 대향하도록 설치되어 있다.
또한, 상기 가스 공급 수단(204)은, 내부에 가스 유로(205)가 형성된 관 형상의 중공(中空) 구조를 갖고 있고, 해당 가스 유로(205)에는, 상기 처리 용기(101B)의 외부에 설치된 가스 공급원(도시하지 않음)으로부터 가스 공급로(207)를 거쳐서, 예를 들면 Ar 등의 처리 가스가 공급된다. 상기 가스 유로(205)로 공급된 처리 가스는, 상기 가스 공급 수단(204)에 형성된 복수의 가스 구멍(206)으로부터, 상기 전압 인가 타겟(202A, 202B)의 사이의 공간에 공급되는 구조로 되어 있다.
상기 성막 장치(100B)의 스퍼터링 성막부(200)을 이용한 성막은, 아래와 같이 해서 실행한다.
우선, 상기 전압 인가 타겟(202A, 202B)의 사이의 공간에, 상기 가스 공급 수단(204)으로부터, 예를 들면 Ar 등의 플라즈마 여기를 위한 처리 가스가 공급된다. 여기에서, 상기 전압 인가 타겟(202A, 202B)에, 각각 전원(203)으로부터 전력이 인가됨으로써, 해당 공간에 플라즈마가 여기되어 이온이 생성된다.
이렇게 하여 생성된 Ar 이온에 의해 상기 타겟(202A, 202B)이 스퍼터링됨으로써, 상기 기판 유지대(102)에 지지된 피처리 기판(W) 상에 성막이 행하여진다.
상기의 성막 장치(100B)에 있어서는, 피처리 기판(W)이, 플라즈마가 여기 되는 공간(상기 전압 인가 타겟(202A, 202B)의 사이의 공간)으로부터 이간되어 있어, 피처리 기판(W)가, 플라즈마 여기에 동반되는 자외선이나, 이온의 충돌에 의한 대미지의 영향을 받기 어려운 특징이 있다. 또한, 스퍼터링에 의해 생성된 성막을 위한 입자는, 상기 가스 공급 수단(204)로부터 상기 기판 유지대(102)을 향하는 방향으로 형성되는 처리 가스의 흐름에 의해 수송되어, 상기 피처리 기판(W) 상에 도달한다.
본 실시예에 의한 성막 장치(100B)에 의하면，실시예 1에서 먼저 설명한, 상기 성막 원료(110A)를 증발 또는 승화시켜서 실행하는 제 1 성막과, 상기 스퍼터링 성막부(200)을 이용한 스퍼터링법에 의한 제 2 성막이 연속적으로 실시 가능해진다. 이 경우, 제 1 성막 후에 상기 유지대(102)가 이동함으로써, 상기 피처리 기판(W)이 상기 스퍼터링 성막부(200)의 바로 밑으로 이동되어, 제 2 성막이 행하여진다.
이 때문에, 예를 들면, 유기 EL 소자 등의 발광층을 포함하는 유기층 상에, 일 함수 조정층을 형성하는 제 1 성막 공정과, 해당 일 함수 조정층 상에 음전극(탑 캐소드)을 형성하는 제 2 성막 공정을, 감압 분위기에서 연속적으로 실시 가능하게 된다.
예를 들면, 일 함수 조정층으로서 Li층을 형성했을 경우에는, Li층의 표면 상태의 변화(예를 들면 질화 등)가 문제가 되는 경우가 있다. Li층이 상압의 통상적인 공간에 노출되면, 예를 들면 표면이 질화되어 소망하는 전기 특성을 얻지 못할 경우가 있다.
본 실시예에 의한 성막 장치에서는, 일 함수 조정층(예를 들면 Li층)을 형성 한 후에, 감압 공간 내에서 연속적으로, 예를 들면 Ag로 이루어지는 음전극(탑 캐소드)을 형성하는 것이 가능하다. 이 때문에，일 함수 조정층의 질화 등의 영향을 효과적으로 억제 하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 본 실시예에서는, 서로 대향하는 2개의 타겟을 이용하여 스퍼터링법에 의한 성막을 실행하는 경우를 예로 들어서 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 아니다. 예를 들면, 1개의 타겟을 이용하여, 통상적인 스퍼터링법에 의한 성막을 실행해도 좋다。
(실시예 4)
다음으로, 상기의 성막 장치를 이용한, 본 발명의 실시예 4에 의한 발광 소자의 제조 방법에 대해서, 도 5a∼도 5g에 근거하여, 순서대로 설명한다. 단, 이하의 도면 중에서는, 먼저 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 부여하여, 설명을 생략하는 경우가 있다.
우선, 도 5a에 나타내는 공정에 있어서, 예를 들면 유리등으로 이루어지는 투명한 기판(301) 상에, ITO 등의 투명한 재료로 이루어지는 양전극(302)과, 뒤의 공정에서 형성되는 음전극의 인출선(303)이 형성되어 이루어진, 이른바 전극 부착 기판을 준비한다. 이 경우, 상기 양전극(302)(및 상기 인출선(303))은, 예를 들면 스퍼터링법 등에 의해 형성된다.
또한, 상기 기판(301)에는, 예를 들면 TFT(Thin Film Transistor) 등 발광 소자의 발광을 제어하는 제어 소자가 내장되고 있어도 좋다. 예를 들면, 본 실시 예에 의해 형성되는 발광 소자를 표시 장치에 이용하는 경우에는, 화소마다에, 예를 들면 TFT 등의 제어용의 소자가 내장되는 경우가 많다.
이 경우, TFT의 소스 전극과 상기의 양전극(302)이 접속되고, 또한 TFT의 게이트 전극과 드레인 전극은, 격자 형상으로 형성된 게이트선과 드레인선에 접속되어, 화소마다의 표시의 제어가 행하여진다. 이 경우, 상기 인출선(303)은, 소정의 제어 회로(도시하지 않음)에 접속된다. 이러한 표시 장치의 구동 회로는 액티브 매트릭스 구동 회로라고 부르고 있다. 또, 본 도면에서는, 이러한 액티브 매트릭스 구동 회로의 도시는 생략하고 있다.
다음으로, 도 5b에 나타낸 공정에 있어서, 상기 양전극(302), 상기 인출선(303) 및 상기 기판(301) 상에, 해당 양전극(302), 해당 인출선(303) 및 해당 기판(301)의 노출부를 덮도록, 발광층(유기 EL층)을 포함하는 유기층(304)을, 증착법에 의해 형성한다.
또한, 발광층에서의 발광 효율이 양호하게 되도록, 해당 발광층과 상기 양전극(302)과의 사이에, 예를 들면, 정공 수송층, 정공 주입층 등을 포함하도록 유기층(304)을 형성해도 좋다. 또한, 해당 정공 수송층, 정공 주입층은, 그 어느 하나가, 또는 그 쌍방이 생략되는 구조이여도 좋다.
마찬가지로, 발광층에서의 발광 효율이 양호하게 되도록, 해당 발광층과 뒤의 공정에서 형성되는 음전극(305)과의 사이에, 예를 들면, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하도록 유기층(304)을 형성해도 좋다. 또한, 해당 전자 수송층, 전자 주입층은, 그 어느 하나가, 또는 그 쌍방이 생략되는 구조이여도 좋다.
다음으로, 도 5c에 나타난 공정에 있어서, 실시예 1∼실시예 3 중에서 어느 하나의 성막 장치를 이용하여, 상기 유기층(304) 상에, 예를 들면 Li층으로 이루어지는 일 함수 조정층(304A)을, 예를 들면 패턴 마스크를 이용하여 패터닝해서 형성한다. 예를 들면, 실시예 1(도 2)에 나타낸 성막 장치(100)를 이용하여 성막을 실행하는 경우, 아래와 같이 해서 실행한다.
우선, 상기 기체 원료 생성부(109)에 있어서, 예를 들면 고체의 Li로 이루어지는 성막 원료(110A)가, 상기 가열 수단(111)에 의해 가열됨으로써 승화되어서 기체 원료가 생성된다. 해당 기체 원료는, 상기 캐리어 가스 공급 라인(112)으로부터 공급되는, 예를 들면 Ar로 이루어지는 캐리어 가스와 함께, 상기 수송로(108)를 거쳐서 상기 기체 원료 공급부(104)에 수송된다.
상기 기체 원료 공급부(104)에 수송된 기체 원료는, 상기 필터판(107)으로부터 상기 처리 용기(101) 내의 상기 피처리 기판(W)(기판(301)에 상당한다) 근방에 공급된다. 여기에서, 해당 피처리 기판(W)(기판(301)) 상에 형성된 상기 유기층(304)상에, Li층으로 이루어지는 일 함수 조정층(304A)이 형성된다.
다음으로, 도 5d에 나타내는 공정에 있어서, 상기 유기층(304) 상에, 예를 들면 Ag로 이루어지는 음전극(305)을, 예를 들면 패턴 마스크를 이용한 스퍼터링에 의해, 패터닝해서 형성한다.
예를 들면, 도 5c∼도 5d의 공정을, 예를 들면 실시예 3(도 4)에 나타낸 성막 장치(100B)를 이용하여 실행하면, 먼저 설명한 바와 같이, 일 함수 조정층(예를 들면 Li층)(304A)을 형성한 후에, 감압 공간 내에서, 연속적으로, 예를 들면 Ag로 이루어지는 음전극(305)을 형성하는 것이 가능하기 때문에, 일 함수 조정층(304A)의 질화 등의 영향을 효과적으로 억제하는 것이 가능하게 되어, 바람직하다.
다음으로, 도 5e에 나타내는 공정에 있어서, 도 5d에 나타낸 공정에 서 형성된，패터닝된 상기 음전극(305)을 마스크로 해서, 예를 들면 플라즈마 에칭에 의해, 상기 유기층(304)의 에칭을 실행하고, 해당 유기층(304)의 패터닝을 실행한다. 이 공정에 있어서, 상기 유기층(304)의 박리가 필요한 영역(예를 들면 상기 인출선(303) 상이나, 기타 발광층이 불필요한 영역)이 에칭에 의해 제거되어, 해당 유기층(304)의 패터닝이 행하여진다.
이와 같이, 유기층의 패터닝을, 음전극(305)을 마스크로 한 에칭에 의해 실행하면, 유기층을 마스크 증착법에 의해 패터닝하는 것에 기인하는 여러가지 문제를 회피할 수 있다. 예를 들면, 증착시의 마스크의 온도 상승에 의한 마스크 변형에 기인하는, 증착막(유기층(304))의 패터닝 정밀도의 저하 문제를 회피할 수 있고, 바람직하다. 또한, 마스크의 장착, 탈착에 기인하는 파티클의 발생을 억제하는 것이 가능해져서, 바람직하다.
다음으로, 도 5f에 나타낸 공정에 있어서, 상기 음전극(305)과 상기 인출선(303)을 전기적으로 접속하는 접속선(305a)를, 예를 들면 패턴 마스크를 이용한 스퍼터링에 의해, 패터닝해서 형성한다.
다음으로, 도 5g에 나타낸 공정에 있어서, 상기 양전극(302)의 일부, 상기 인출선(303)의 일부, 상기 유기층(304), 상기 음전극(305) 및 상기 접속선(305a)을 덮도록, 예를 들면 질화 실리콘(SiN)으로 이루어지는 절연성의 보호막(306)을, 패 턴 마스크를 이용한 CVD법에 의해, 상기 기판(301)상에 형성한다.
이렇게 하여, 상기 기판(301)상에, 상기 양전극(302)과 상기 음전극(305)의 사이에 상기 유기층(304)이 형성되고, 또한 상기 유기층(304)과 상기 음전극(305)의 사이에 일 함수 조정층(304A)이 형성되어 이루어지는 발광 소자(300)를 형성할 수 있다. 상기의 발광 소자(300)는 유기 EL 소자라고 불리는 경우가 있다.
상기 발광 소자(300)는, 상기 양전극(302)과 상기 음전극(305)의 사이에 전압이 인가됨으로써, 상기 유기층(304)에 포함되는 발광층에, 상기 양전극(302)으로부터 정공이, 상기 음전극(305)으로부터 전자가 주입되고 그것들이 재결합되어 발광하는 구조로 되어 있다.
해당 발광층은, 예를 들면, 다환(多環) 방향족탄화수소, 헤테로 방향족화합물, 유기 금속착체화합물 등의 재료를 이용하여 형성하는 것이 가능하다.
예를 들면, 상기 발광층은, 예를 들면, 호스트 재료로는 알루미늄키노리놀착체(Alq3), 도핑재로는 루브렌을 이용하여 형성할 수 있지만, 이것에 한정되지 않고, 여러가지 재료를 이용하여 형성하는 것이 가능하다.
예를 들면, 상기 양전극(302)의 두께는 100 nm 내지 200 nm, 상기 유기층(303)의 두께는 50 nm 내지 200 nm, 상기 음전극(304)의 두께는 50 nm 내지 300 nm, 상기 일 함수 조정층(304A)의 두께는, 0. l nm 내지 10 nm 로 형성된다.
또한, 예를 들면, 상기 발광 소자(300)는, 표시 장치(유기EL 표시 장치)나 면발광 소자(조명, 광원 등)에 적용할 수 있지만, 이것들에 한정되는 것은 아니고, 여러가지 전자 기기에 이용하는 것이 가능하다.
상기에 설명한, 본 실시예에 의한 발광 소자의 제조 방법을 이용하면, 양호한 생산성으로 상기 발광 소자(300)를 제조하는 것이 가능하다.
예를 들면, 상기의 도 5c의 공정에서는, 성막 원료가 증발 또는 승화되어서 이루어지는 기체 원료가, 수송로를 거쳐서 상기 유기층(304) 상에 공급됨으로써 상기 일 함수 조정층(304A)의 성막이 행하여지기 때문에, 실시예 1에 기재한 효과를 나타낸다.
예를 들면, 상기의 제조 방법에서는, 기체 원료를 공급하는 방향의 설정의 자유도가 높고, 피처리 기판을 지지하는 방향의 제약이 적어져서, 이른바 페이스 업의 성막이 가능하게 되고, 대형 기판에서의 성막이 용이하게 되는 효과를 나타낸다.
또한, 피처리 기판 이외의 부분으로의 성막량이 억제되어, 원료의 이용 효율이 양호하게 됨과 함께, 성막 장치의 유지 보수의 빈도가 낮아져, 생산성이 양호하게 되는 효과를 나타낸다.
또한, 상기의 제조 방법에서는, 종래의 스퍼터링법에 의한 형성이 곤란했던 Li층으로 이루어지는 일 함수 조정층을, 유기층에 부여하는 대미지의 영향을 억제하면서, 더욱 양호한 생산성으로 유기층 상에 형성하는 것이 가능하게 되어 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상기의 특정한 실시예에 한정되는 것은 아니고, 특허청구범위에 기재한 요지 내에 있어서 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
본 발명에 의하면，양호한 생산성으로, 발광 소자의 유기층 상에 금속을 포함하는 층을 형성하는 것이 가능한 성막 장치를 제공하는 것이 가능해진다.
또한, 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 발광층을 포함하는 유기층이 형성되고, 상기 유기층과 제 2 전극의 사이에는 일 함수 조정층이 형성되어 이루어지는 발광 소자를, 양호한 생산성에서 제조하는 제조 방법을 제공하는 것이 가능해진다.
본 국제출원은, 2006년 2월 22일에 출원한 일본특허출원 제 2006-045343 호에 근거하는 우선권을 주장하는 것이며, 제 2006-045343 호의 전 내용을 본 국제출원에 원용한다.

Claims (16)

  1. 성막면을 위로 하여 피처리 기판을 지지하는 유지대를 내부에 구비한 처리 용기와,
    금속을 포함하는 성막 원료를 증발 또는 승화시켜서 기체 원료를 생성하는, 상기 처리 용기의 외부에 설치된 기체 원료 생성부와,
    상기 처리 용기 내의 피처리 기판을 마주보도록 설치되고, 상기 처리 용기 내의 상기 피처리 기판쪽으로 상기 기체 원료를 공급하는 기체 원료 공급부와,
    상기 기체 원료를 상기 기체 원료 생성부에서 상기 기체 원료 공급부로 수송하는 수송로를 갖고,
    상기 기체 원료 생성부에 캐리어 가스를 공급해서 상기 기체 원료를 수송하여, 상기 피처리 기판 상의 발광층을 포함하는 유기층 상에 금속을 포함하는 층을 형성하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    성막 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속을 포함하는 층은, 상기 유기층과 상기 유기층에 전압을 인가하는 전극과의 사이에 형성되는, 일 함수 조정층인 것을 특징으로 하는
    성막 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속을 포함하는 층은, Li층인 것을 특징으로 하는
    성막 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 전극은 Ag로 이루어지는 것을 특징으로 하는
    성막 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 유지대는 성막시에 상기 기체 원료 공급부에 대하여 이동하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    성막 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 원료 공급부는 복수 배열되는 것을 특징으로 하는
    성막 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    전압이 인가되는 전압 인가 타겟과,
    처리 가스의 공급 수단을 더 포함하고,
    상기 처리 가스를 플라즈마 여기함으로써, 스퍼터링법에 의해 성막을 실행하는 것이 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    성막 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 전압 인가 타겟은, 서로 대향하는, 제 1 전압 인가 타겟과 제 2 전압 인가 타겟을 포함하는 것을 특징으로 하는
    성막 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 성막 원료를 증발 또는 승화시켜서 실행하는 제 1 성막과, 상기 스퍼터링법에 의한 제 2 성막이 연속적으로 실시 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    성막 장치.
  10. 처리 용기 내의 피처리 기판 상에 형성되어 있으며 발광층을 포함하는 유기층 상에 금속을 포함하는 층을 형성하는 제 1 성막 공정과,
    상기 금속을 포함하는 층 상에 전극을 형성하는 제 2 성막 공정을 포함하고,
    상기 제 1 성막 공정에서는, 성막 원료가 증발 또는 승화되어서 이루어지는 기체 원료가, 캐리어 가스에 의해, 수송로를 거쳐서 상기 유기층을 마주보도록 설치된 기체 원료 공급부로 수송되고, 상기 기체 원료 공급부로부터 상기 기체 원료가 상기 피처리 기판쪽으로 상기 유기층 상에 공급됨으로써 성막이 행하여지고,
    상기 성막은, 성막면을 위로 하여 행해지는 것을 특징으로 하는
    발광 소자의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 금속을 포함하는 층은 Li층인 것을 특징으로 하는
    발광 소자의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 전극은 Ag로 이루어지는 것을 특징으로 하는
    발광 소자의 제조 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 성막 공정에서는, 서로 대향하는 2개의 타겟을 이용한 스퍼터링법에 의해 상기 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는
    발광 소자의 제조 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 전극을 마스크로 해서, 상기 유기층을 에칭하는 에칭 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는
    발광 소자의 제조 방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 원료 공급부는, 복수의 가스 구멍을 가지는 다공판으로 이루어진 정류판을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 원료 공급부는, 다공질의 금속 재료로 이루어지는 필터판을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
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