KR101048515B1 - 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법이 개시된다. 전자 소자가 내장된 인쇄회로기판을 제조하는 방법으로서, 시드층(seed layer)이 형성된 캐리어(carrier)를 제공하는 단계, 시드층과 전자 소자의 전극 사이에 접속 수지층을 개재하여 시드층에 전자 소자를 적층하는 단계, 절연층에 전자 소자를 매립하는 단계, 캐리어를 제거하는 단계, 시드층에, 접속 수지층을 통해 전극과 전기적으로 연결되는 회로 패턴을 형성하는 단계, 및 시드층의 노출된 부분을 플래시 에칭(flash etching)하여 제거하는 단계를 포함하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법이 제공된다. 이와 같은 본 발명에 따르면, 미세한 전극 피치를 갖는 전자 소자가 내장될 수 있다.
전자 소자, 내장, 인쇄회로기판
Description
본 발명은 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전자 산업의 발달에 따라, 전자 부품의 고기능화, 소형화에 대한 요구가 증가되고 있고, 이와 함께, 전자 소자가 실장된 인쇄회로기판의 박형화가 요구되고 있다.
이에 인쇄회로기판의 표면에 전자 소자를 실장하는 기존의 표면 실장식(SMT, Surface Mount Technology)과는 다른 새로운 방식의 전자 소자 실장 방식이 대두되고 있다.
즉, 인쇄회로기판의 내부에, 반도체 칩과 같은 능동 부품이나 캐패시터(capacitor)와 같은 수동 부품을 매립시켜 부품의 고밀도화 및 신뢰성 향상을 추구하는 전자 소자(능동 및 수동 소자) 내장 인쇄회로기판에 대한 연구가 진행되고 있는 것이다.
그러나, 종래 기술에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판의 경우, 전자 소자의 전극을 외부와 전기적으로 연결하기 위한 비아홀 가공 공정 등이 수반되어, 미 세한 전극 피치를 가지는 전자 소자에는 적용되기 어려운 문제가 있었다.
본 발명은, 미세한 전극 피치를 갖는 전자 소자가 내장될 수 있는 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 전자 소자가 내장된 인쇄회로기판을 제조하는 방법으로서, 시드층(seed layer)이 형성된 캐리어(carrier)를 제공하는 단계, 시드층과 전자 소자의 전극 사이에 접속 수지층을 개재하여 시드층에 전자 소자를 적층하는 단계, 절연층에 전자 소자를 매립하는 단계, 캐리어를 제거하는 단계, 시드층에, 접속 수지층을 통해 전극과 전기적으로 연결되는 회로 패턴을 형성하는 단계, 및 시드층의 노출된 부분을 플래시 에칭(flash etching)하여 제거하는 단계를 포함하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법이 제공된다.
이 때, 전자 소자를 매립하는 단계는, 전자 소자가 적층된 캐리어를 절연층으로 가압하여 수행될 수 있다.
또한, 접속 수지층은, 이방성 전도 필름(anisotropic conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(anisotropic conductive paste, ACP), 비전도성 필름(non conductive film, NCF) 및 비전도성 페이스트(non conductive paste, NCP) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
한편, 캐리어는 한 쌍이고, 전자 소자는 복수개이며, 전자 소자를 적층하는 단계는, 캐리어 중 어느 하나의 시드층에 전자 소자의 일부를 적층하고, 캐리어 중 다른 하나의 시드층에 전자 소자의 다른 일부를 적층하는 단계이고, 전자 소자를 매립하는 단계는, 전자 소자의 일부를 전자 소자의 다른 일부와 전극이 반대 방향을 향하도록 배치하여 수행될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 절연층, 절연층에 매립되는 전자 소자, 전자 소자의 전극을 커버하도록 전자 소자에 형성되는 접속 수지층, 절연층에 접속 수지층과 접하도록 형성되는 시드(seed), 및 시드에 형성되어, 접속 수지층을 통해 전극과 전기적으로 연결되는 회로 패턴을 포함하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판이 제공된다.
이 때, 접속 수지층은, 이방성 전도 필름(anisotropic conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(anisotropic conductive paste, ACP), 비전도성 필름(non conductive film, NCF) 및 비전도성 페이스트(non conductive paste, NCP) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 전자 소자는 복수개이고, 전자 소자의 일부는, 전자 소자의 다른 일부와 전극이 반대 방향을 향하도록 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 미세한 전극 피치를 갖는 전자 소자가 내장될 수 있다.
본 발명에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
또한, 적층이라 함은, 각 구성 요소 간에 물리적으로 직접 접촉되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성이 각 구성 요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성에 구성 요소가 각각 접촉되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판(100) 제조 방법의 일 실시예를 나타낸 순서도이다.
본 실시예에 따르면, 도 1에 도시된 바와 같이, 전자 소자(140)가 내장된 인쇄회로기판을 제조하는 방법으로서, 시드층(seed layer, 110)이 형성된 캐리어(carrier, 120)를 제공하는 단계(S110), 시드층(110)과 전자 소자(140)의 전극(142) 사이에 접속 수지층(130)을 개재하여 시드층(110)에 전자 소자(140)를 적층하는 단계(S120), 절연층(150)에 전자 소자(140)를 매립하는 단계(S130), 캐리어(120)를 제거하는 단계(S140), 시드층(110)에 접속 수지층(130)을 통해 전극(142)과 전기적으로 연결되는 회로 패턴(160)을 형성하는 단계(S150), 및 시드층(110)의 노출된 부분을 플래시 에칭(flash etching)하여 제거하는 단계(S160)를 포함하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판(100) 제조 방법이 제시된다.
이와 같은 본 실시예에 따르면, 캐리어(120)에 전자 소자(140)를 적층하기 전에 미리 시드층(110)을 형성함으로써, 시드층(110)에 의해, 회로 패턴(160)을 전해 도금으로 형성할 수 있을 뿐 아니라, 시드층(110)에 의해, 캐리어(120)의 제거 시 발생할 수 있는 접속 수지층(130)의 손상을 방지할 수 있으므로, 전자 소자 내장 인쇄회로기판(100)에 있어서, 전자 소자(140) 전극(142)의 피치(pitch)를 보다 미세하게 구현할 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 11을 참조하여, 본 실시예의 각 공정에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 일 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판(100) 제조 방법 일 실시예의 각 공정을 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 시드층(110)이 형성된 캐리어(120)를 제공한다(S110). 여기서, 캐리어(120)는, 예를 들어, 알루미늄(Al) 등의 금속으로 이루어지거나, 이형(release) 물질로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 캐리어(120)는 이 후 공정에서 에칭하여 제거되거나, 분리하여 제거될 수 있다.
한편, 시드층(110)은, 예를 들어, 무전해 도금을 이용하여 형성될 수 있다. 이러한 시드층(110)은, 이 후 공정에서 회로 패턴(160)을 전해 도금에 의해 형성하기 위하여 이용됨은 물론이고, 접속 수지층(130)의 손상을 방지하기 위한 보호층으로서도 이용된다.
다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 시드층(110)과 전자 소자(140)의 전 극(142) 사이에 접속 수지층(130)을 개재하여 시드층(110)에 전자 소자(140)를 적층한다(S120).
이와 같은 접속 수지층(130)은, 예를 들어, 이방성 전도 필름(anisotropic conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(anisotropic conductive paste, ACP), 비전도성 필름(non conductive film, NCF), 비전도성 페이스트(non conductive paste, NCP) 또는 이들 간의 2 이상의 조합으로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 전자 소자(140)의 전극(142)과 시드층(110) 사이에 접속 수지층(130)을 개재함으로써, 전자 소자(140)의 전극(142)과 이 후 시드층(110)에 형성될 회로 패턴(160)은, 이러한 접속 수지층(130)에 의하여 보다 효과적으로 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 시드층(110)이 접속 수지층(130)을 커버함으로써, 이 후 캐리어(120)를 제거하는 과정에서 에칭액(etchant) 등에 의해 발생할 수 있는 접속 수지층(130)의 손상을 방지하도록 접속 수지층(130)을 보호할 수 있다.
그리고, 에칭 등에 의해 형성되어 표면 거칠기가 증가된 회로 패턴을 접속 수지층(130)에 접합하는 것이 아니라, 패터닝(patterning)되지 않아 표면 거칠기가 작은 시드층(110)을 접속 수지층(130)에 접합시키고 이 후 시드층(110)에 회로 패턴(160)을 형성하여 회로 패턴(160)과 전극(142)을 접속시킴으로써, 전극(142)과 회로 패턴(160) 간의 접속 효율이 향상될 수 있다.
한편, 캐리어(120)는 한 쌍이고, 전자 소자(140)는 복수개일 수 있으므로, 캐리어(120) 중 어느 하나의 시드층(110)에는 전자 소자(140)의 일부를 적층하고, 캐리어(120) 중 다른 하나의 시드층(110)에는 전자 소자(140)의 다른 일부를 적층할 수 있다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같은 시드층(110)이 형성된 캐리어(120)에 전자 소자(140)를 적층하는 공정을 다수 수행하는 것이다.
이에 따라, 이 후 공정에서 전자 소자(140)의 일부 및 다른 일부를 절연층(150)의 양면으로 각각 가압하여 복수의 전자 소자(140)를 일괄적으로 절연층(150)에 매립할 수 있다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 절연층(150)에 전자 소자(140)를 매립한다(S130). 본 공정은, 상술한 공정에 의하여 전자 소자(140)가 적층된 캐리어(120)를 절연층(150)으로 가압함으로써 수행될 수 있다.
이 경우, 본 공정은, 도 4에 도시된 바와 같이, 전자 소자(140)의 일부를 전자 소자(140)의 다른 일부와 전극(142)이 반대 방향을 향하도록 배치하여 수행될 수 있다. 즉, 상술한 바와 같이, 한 쌍의 캐리어(120)의 시드층(110)에 복수의 전자 소자(140)를 나누어 각각 적층하고, 이들 복수의 전자 소자(140)가 절연층(150)의 양면에 각각 매립되도록 한 쌍의 캐리어(120)를 절연층(150)의 양면으로 각각 가압하는 것이다.
본 실시예의 경우, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 캐리어(120)에 복수의 전자 소자(140)를 나누어 적층한 후, 이 캐리어(120)를 절연층(150)의 양면으로 가압하여 전자 소자(140)를 절연층(150) 내에 매립하는 경우를 일 예로 제시하였으나, 이 외에도 다양한 변형예가 수행될 수 있으며, 그 중 하나의 변형예가 도 9 내지 도 11에 도시되어 있다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 일 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판(100) 제조 방법 일 실시예의 일부 변형된 공정을 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 9에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 캐리어(120) 중 어느 하나의 시드층(110)에, 복수의 전자 소자(140)의 일부를, 접속 수지층(130)을 개재하여 전극(142)이 시드층(110)을 향하도록 적층하고, 복수의 전자 소자(140)의 다른 일부를, 접착층(145)을 개재하여 전극(142)이 형성되지 않은 면이 시드층(110)을 향하도록 적층한다.
이 후, 도 10에 도시된 바와 같이, 복수의 전자 소자(140)를 절연층(150)에 매립하고, 도 11에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 캐리어(120) 중 다른 하나의 시드층(110)에, 복수의 전자 소자(140)의 다른 일부를, 접속 수지층(130)을 개재하여 전극(142)이 시드층(110)을 향하도록 적층함으로써, 한 쌍의 캐리어(120) 중 다른 하나를 절연층(150)에 적층한다.
즉, 도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 복수의 전자 소자(140)를 절연층(150)에 매립하는 공정이, 전극(142)과 시드층(110) 사이에 접속 수지층(130)을 개재하여 전자 소자(140)를 한 쌍의 캐리어(120)에 나누어 각각 적층하는 공정 중에 진행될 수도 있는 것이다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 캐리어(120)를 제거한다(S140). 상술한 바와 같이, 캐리어(120)가 알루미늄 등의 금속으로 이루어지는 경우, 이를 에칭하여 제거하고, 캐리어(120)가 이형 물질로 이루어지는 경우, 이를 분리하여 제거하는 것이다.
이 때, 캐리어(120)에는 시드층(110)이 형성되어 접속 수지층(130)을 커버하고 있으므로, 캐리어(120)를 제거 시, 접속 수지층(130)의 손상을 방지할 수 있다. 이에 따라, 결과적으로 보다 미세한 전극(142) 피치를 가진 전자 소자(140)를 절연층(150) 내에 매립할 수 있다.
다음으로, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 시드층(110)에 접속 수지층(130)을 통해 전극(142)과 전기적으로 연결되는 회로 패턴(160)을 형성한다(S150). 즉, 에디티브(additive) 공정을 통하여 시드층(110) 상에 회로 패턴(160)을 형성할 수 있으며, 이는 다음과 같이 나누어 설명할 수 있다.
우선, 도 6에 도시된 바와 같이, 시드층(110) 상에 도금 레지스트층(155)을 형성하고, 포토리소그래피(photo-lithography) 공정에 의해, 이 도금 레지스트층(155) 중 회로 패턴(160)이 형성될 영역을 제거함으로써, 시드층(110) 중, 전자 소자(140)의 전극(142)을 커버하는 부분을 포함한 일부분을 노출시킨다.
이어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 전해 도금에 의하여 회로 패턴(160)을 형성한다. 즉, 시드층(110)에는 전자 소자(140)의 전극(142)과 접속 수지층(130)을 통해 전기적으로 연결되는 회로 패턴(160)이 형성된다.
이와 같이, 에디티브 공정에 의하여 회로 패턴(160)을 형성함으로써, 에칭 편차 등이 발생하지 않아 보다 미세한 회로 패턴(160)을 형성할 수 있으므로, 결과적으로, 전자 소자(140)의 전극(142)이 미세한 피치를 가지고 있는 경우에도, 전자 소자(140)를 보다 정밀하고 효과적으로 절연층(150) 내에 내장할 수 있다.
다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 시드층(110)의 노출된 부분을 플래시 에칭(flash etching)하여 제거한다(S160). 회로 패턴(160)을 형성한 이후, 도금 레지스트층(155)을 제거하고, 이에 따라 외부로 노출되는 시드층(110)의 일부를 제거함으로써, 시드(112)만을 잔존시키는 것이다.
즉, 도금 레지스트층(155)에 의하여 시드층(110)의 일부에만 회로 패턴(160)이 형성되므로, 회로 패턴(160)이 형성되지 않은 나머지 부분을 플래시 에칭에 의하여 제거함으로써, 회로 패턴(160)의 단락을 방지하는 것이다.
이 경우, 플래시 에칭에 의하여 회로 패턴(160)의 표면도 일부 제거되나, 회로 패턴(160)의 두께에 비하여 시드층(110)의 두께가 현저하게 작으므로, 회로 패턴(160)의 두께에는 큰 영향을 미치지 못한다.
다음으로, 본 발명의 다른 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판(200)의 일 실시예에 대하여 설명하도록 한다.
도 12는 본 발명의 다른 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판(200)의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
본 실시예에 따르면, 도 12에 도시된 바와 같이, 절연층(250), 절연층(250) 에 매립되는 전자 소자(240), 전자 소자(240)의 전극(242)을 커버하도록 전자 소자(240)에 형성되는 접속 수지층(230), 절연층(250)에 접속 수지층(230)과 접하도록 형성되는 시드(seed, 212), 및 시드(212)에 형성되어 접속 수지층(230)을 통해 전극(242)과 전기적으로 연결되는 회로 패턴(260)을 포함하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판(200)이 제시된다.
이와 같은 본 실시예에 따르면, 시드층에 의해 미세한 회로 패턴(260)이 형성되고, 시드층에 의해 접속 수지층(230)의 손상이 방지됨으로써, 전극(242) 피치가 미세한 전자 소자(240)의 경우에도 효과적으로 절연층 내에 내장될 수 있다.
이하, 도 12를 참조하여 본 실시예의 각 구성에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
전자 소자(240)는, 절연층(250)에 매립된다. 이 때, 전자 소자(240)는 복수개이고, 전자 소자(240)의 일부는, 전자 소자(240)의 다른 일부와 전극(242)이 반대 방향을 향하도록 배치된다. 이와 같이, 복수의 전자 소자(240)가, 일부는 절연층(250)의 일면을 향하여, 다른 일부는 절연층(250)의 타면을 향하여 배치됨으로써, 대칭 구조의 전자 소자 내장 인쇄회로기판(200)을 구현할 수 있다.
이러한 복수의 전자 소자(240)는 한 쌍의 캐리어에 각각 나누어 적층한 후, 이 캐리어를 절연층(250)의 양면으로 각각 가압하여 절연층(250) 내에 매립될 수 있다. 이에 대하여는 전술한 제조 방법의 일 실시예에 설명한 바 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
접속 수지층(230)은, 전자 소자(240)의 전극(242)을 커버하도록 전자 소자(240)에 형성된다. 이와 같은 접속 수지층(230)은, 예를 들어, 이방성 전도 필름(anisotropic conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(anisotropic conductive paste, ACP), 비전도성 필름(non conductive film, NCF), 비전도성 페이스트(non conductive paste, NCP) 또는 이들 간의 2 이상의 조합으로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 전자 소자(240)의 전극(242)을 커버하도록 전자 소자(240)에 접속 수지층(230)을 형성함으로써, 전자 소자(240)의 전극(242)과, 시드(212) 및 회로 패턴(260)은, 이러한 접속 수지층(230)에 의하여 보다 효과적으로 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 시드(212)는, 절연층(250)에 접속 수지층(230)과 접하도록 형성된다. 즉, 절연층(250) 상에 형성되되, 일부가 접속 수지층(230)을 커버하며 직접 접하는 것이다.
이와 같이, 시드(212)가 접속 수지층(230)을 직접 커버함으로써, 에칭 등에 의해 형성되어 표면 거칠기가 증가된 회로 패턴이 접속 수지층(230)에 접하는 것이 아니라, 패터닝되지 않아 표면 거칠기가 작은 시드층이 접속 수지층(230)에 접하고, 이 시드층에 회로 패턴(260)이 형성된 후 시드층을 일부 제거하여 시드(212)만을 잔존시킴으로써, 전극(242)과 회로 패턴(260) 간의 접속 효율이 향상될 수 있다.
이러한 시드(212)는, 캐리어 상에 형성된 시드층에, 전자 소자(240)의 전 극(242)과 시드층 사이에 접속 수지층(230)을 개재하여 전자 소자(240)를 적층한 후, 캐리어를 절연층(250)으로 가압하여 전자 소자(240)를 절연층(250)에 매립하고, 시드층 상에 회로 패턴(260)을 형성한 후, 이 시드층 중 회로 패턴(260)이 형성되지 않은 나머지를 제거함으로써, 형성될 수 있으며, 이에 대하여는 전술한 제조 방법의 일 실시예에 설명한 바 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
회로 패턴(260)은, 시드(212)에 형성되어 접속 수지층(230)을 통해 전극(242)과 전기적으로 연결된다. 즉, 에디티브 방식에 의하여 시드(212)를 이용하여 전해 도금으로 회로 패턴(260)을 형성할 수 있으며, 이와 같이, 시드(212)를 이용하여 에디티브 방식에 의하여 회로 패턴(260)이 형성됨으로써, 에칭 편차 등이 발생하지 않아 보다 미세한 회로 패턴(260)을 형성할 수 있으므로, 결과적으로, 전자 소자(240)의 전극(242)이 미세한 피치를 가지고 있는 경우에도, 전자 소자(240)를 보다 정밀하고 효과적으로 절연층(250) 내에 내장할 수 있다.
이러한 회로 패턴(260)의 제조 방법에 대하여는, 전술한 제조 방법의 일 실시예에 설명한 바 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포 함된다고 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법의 일 실시예를 나타낸 순서도.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 일 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법 일 실시예의 각 공정을 나타낸 단면도.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 일 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법 일 실시예의 일부 변형된 공정을 나타낸 단면도.
도 12는 본 발명의 다른 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판의 일 실시예를 나타낸 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 인쇄회로기판 110: 시드층(seed layer)
112: 시드(seed) 120: 캐리어(carrier)
130: 접속 수지층 140: 전자 소자(electronic component)
142: 전극 150: 절연층
160: 회로 패턴
Claims (7)
- 전자 소자가 내장된 인쇄회로기판을 제조하는 방법으로서,시드층(seed layer)이 형성된 캐리어(carrier)를 제공하는 단계;상기 시드층과 상기 전자 소자의 전극 사이에 접속 수지층을 개재하여 상기 시드층에 상기 전자 소자를 적층하는 단계;절연층에 상기 전자 소자를 매립하는 단계;상기 캐리어를 제거하는 단계;상기 시드층에, 상기 접속 수지층을 통해 상기 전극과 전기적으로 연결되는 회로 패턴을 형성하는 단계; 및상기 시드층의 노출된 부분을 플래시 에칭(flash etching)하여 제거하는 단계를 포함하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 전자 소자를 매립하는 단계는,상기 전자 소자가 적층된 상기 캐리어를 상기 절연층으로 가압하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 접속 수지층은, 이방성 전도 필름(anisotropic conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(anisotropic conductive paste, ACP), 비전도성 필름(non conductive film, NCF) 및 비전도성 페이스트(non conductive paste, NCP)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 캐리어는 한 쌍이고, 상기 전자 소자는 복수개이며,상기 전자 소자를 적층하는 단계는,상기 캐리어 중 어느 하나의 시드층에 상기 전자 소자의 일부를 적층하고, 상기 캐리어 중 다른 하나의 시드층에 상기 전자 소자의 다른 일부를 적층하는 단계이고,상기 전자 소자를 매립하는 단계는,상기 전자 소자의 일부를 상기 전자 소자의 다른 일부와 전극이 반대 방향을 향하도록 배치하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법.
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