KR101032341B1 - 나노 유리계 조성분말을 이용한 mlcc용 복합 첨가제 분말 제조방법 - Google Patents
나노 유리계 조성분말을 이용한 mlcc용 복합 첨가제 분말 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101032341B1 KR101032341B1 KR1020080124726A KR20080124726A KR101032341B1 KR 101032341 B1 KR101032341 B1 KR 101032341B1 KR 1020080124726 A KR1020080124726 A KR 1020080124726A KR 20080124726 A KR20080124726 A KR 20080124726A KR 101032341 B1 KR101032341 B1 KR 101032341B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- powder
- oxide
- preparing
- metal oxide
- nano
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/10—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances metallic oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
본 발명은 나노 유리계 조성분말 및 이를 이용한 MLCC용 복합 첨가제 분말 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 나노 유리계 조성분말은 비표면적이 10~100m2/g이며 입경이 10~50㎚가 되는 BCS[Ba-Ca-Si]계 분말, BZS[Ba-Zr-Si]계 분말, BLS[Ba-Li-Si]계 분말, BLC[Ba-Li-Ca]계 분말, YMS[Y-Mg-Si]계 분말, YBM[Y-Ba-Mg]계 분말, YCM[Y-Ca-Mg]계 분말, YBMS[Y-Ba-Mg-Si]계 분말 및 YCMS[Y-Ca-Mg-Si]계 분말 중 하나를 저온 하소하여 형성되고, 본 발명의 복합 첨가제 분말 제조방법은 입경이 10~50㎚가 되는 나노 유리계 조성분말을 준비하는 단계와, 입경이 10~50㎚가 되는 희토류 금속산화물계 분말을 준비하는 단계와, 나노 유리계 조성분말 35~70wt.%와 상기 희토류 금속산화물계 분말 30 ~ 65wt.%에 용매를 혼합한 후 입경이 0.05~0.3 ㎜인 볼이 적용되는 고에너지 밀링방법을 이용하여 혼합원료를 제조하는 단계와, 80~200℃에서 건조하는 단계와, 300 ~ 800℃에서 하소하여 병목 구조의 분말을 제조하는 단계와, 병목 구조의 분말을 건식 밀링방법이나 습식밀링방법을 이용하여 입경이 50~100㎚가 되도록 분쇄하는 단계로 구성됨을 특징으로 한다.
적층, 커패시터, 유전체, 유리계, 나노, 복합, 첨가제, 분말
Description
본 발명은 나노 유리계 조성분말을 이용한 MLCC용 복합 첨가제 분말 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 나노 유리계 조성분말을 제조하고, 제조된 나노 유리계 분말에 첨가제 분말인 희토류 금속산화물계 분말을 혼합한 후 고에너지 밀링방법을 적용하여 각각에 충격이 가해지지 않도록 분쇄하여 나노 분말로 제조함으로써 저온에서 하소 할 수 있는 나노 유리계 조성분말을 이용한 복합 첨가제 분말 제조방법에 관한 것이다.
적층 세라믹 커패시터(multi layer ceramic capacitor: 이하 MLCC로 약칭함)를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 MLCC의 단면도이다. 도 1에서와 같이 MLCC는 유전체(1), 내부전극(2) 및 외부전극(3)으로 구성된다. 유전체(1)는 다수개의 유전체 시트(도시 않음)로 적층되어 이루어지며, 내부전극(2)은 각 유전체 시트에 서로 교체되도록 형성된다. 외부전극(3)은 내부전극(2)의 일단과 타단에 각각 연결되어 전기신호를 입 출력한다.
유전체(1)를 이루는 다수개의 유전체 시트는 세라믹 분말, 첨가제 및 소결조제로 이루어진다. 주성분인 세라믹 분말은 티탄산바륨(BaTiO3)이 적용되고, 첨가제는 산화마그네슘(MgO), 산화이트륨(Y2O3), 산화망간(Mn3O4), 산화홀뮴(Ho2O3), 산화디스프로슘(Dy2O3), 산화이테르븀(Yb2O3), 산화크롬(Cr2O3), 산화바나듐(V2O5) 등이 적용되며, 소결조제는 유리계 분말(glass powder)이 적용된다.
유전체 시트의 제조 시 주성분과 첨가제는 도 1에서와 같이 코어-셀(core-shell: 1a,1b) 구조를 갖도록 형성된다. 코어(1a)는 주성분인 티탄산바륨(BaTiO3)이며, 셀(1b)은 티탄산바륨(BaTiO3)과 첨가제 화합물로 이루어진다. 소결소제로 사용되는 유리계 분말은 셀(1b)이 균일하게 형성되도록 하나, 유리계 분말을 형성하는 과정에서 유리계 분말의 입도 및 비표면적이 불균일하게 제조되거나 결정구조에 결합이 발생되는 경우에 도 1에서와 같이 셀(1b)이 불균일하게 형성된다.
MLCC 제조에 있어 코어-셀 구조가 종래에서와 같이 셀이 불균일하게 형성되면 MLCC의 유전율, 절연저항 및 손실 등과 같은 전기적인 특성이 불균일하거나 저하되어 신뢰성이 저하되는 문제점이 있으며, 주성분인 세라믹 분말이나 첨가제 및 유리계 분말의 입경이 불균일한 경우에는 MLCC 소성공정에서 코어-셀 구조가 불균 일하게 형성되는 문제점이 있다. 또한, 유리계 분말의 경우 200nm 이하의 크기를 요구하고 있는 데 200nm 이하의 크기의 유리계 분말을 분쇄하는 경우에 결정에 충격을 입히거나 입자가 불균일하여 소결성이 달라진다. 이로 인해 첨가제와 반응하여 셀 형성시 불균일한 상태를 초래하며 특히 분쇄 시 경제성이 떨어지는 문제점을 가지고 있다.
본 발명의 목적은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 유리분말이 아닌 유리계 조성을 가지는 나노 유리계 조성분말에 첨가제 분말인 희토류 금속산화물계 분말을 혼합한 후 고에너지 밀링방법을 적용하여 각각에 충격이 가해지지 않도록 분쇄하여 나노 분말로 제조함으로써 저온에서 하소 할 수 있는 복합 첨가제 분말 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 복합 첨가제 분말의 입경이 50 ~ 100㎚가 되도록 제조함으로써 유전체 시트를 박막으로 제조할 수 있어 초고용량의 MLCC를 제조할 수 있는 복합 첨가제 분말 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 나노 유리계 조성분말은 비표면적이 10 ~ 100m2/g이며 입경이 10 ~ 50㎚가 되는 BCS[Ba-Ca-Si]계 분말, BZS[Ba-Zr-Si]계 분말, BLS[Ba-Li-Si]계 분말, BLC[Ba-Li-Ca]계 분말, YMS[Y-Mg-Si]계 분말, YBM[Y-Ba-Mg]계 분말, YCM[Y-Ca-Mg]계 분말, YBMS[Y-Ba-Mg-Si]계 분말 및 YCMS[Y-Ca-Mg-Si]계 분말 중 하나를 저온 하소하여 형성됨을 특징으로 한다.
본 발명의 복합 첨가제 분말 제조방법은 입경이 10 ~ 50㎚가 되는 나노 유리계 조성분말을 준비하는 단계와, 입경이 10 ~ 50㎚가 되는 희토류 금속산화물계 분말을 준비하는 단계와, 나노 유리계 조성분말 35 ~ 70wt.%와 상기 희토류 금속산화물계 분말 30 ~ 65wt.%에 용매를 혼합한 후 입경이 0.05 ~ 0.3 ㎜인 볼이 적용되는 고에너지 밀링방법을 이용하여 충격이 가해지지 않도록 혼합하여 혼합원료를 제조하는 단계와, 혼합원료를 동결건조방법이나 건식분무방법을 이용하여 80 ~ 200℃에서 건조하는 단계와, 건조된 혼합원료를 건식 밀링방법을 이용하여 응집체를 제거한 후 소결되지 않도록 300 ~ 800℃에서 하소하여 병목 구조의 분말을 제조하는 단계와, 병목 구조의 분말을 건식 밀링방법이나 습식밀링방법을 이용하여 입경이 50 ~ 100㎚가 되도록 분쇄하는 단계로 구성됨을 특징으로 한다.
본 발명의 나노 유리계 조성분말과 이를 이용한 복합 첨가제 분말 제조방법은 나노 유리계 조성분말이 제조되면 나노 유리계 조성분말과 첨가제 분말인 희토류 금속산화물계 분말을 혼합한 후 고에너지 밀링방법을 적용하여 각각에 충격이 가해지지 않도록 분쇄하여 나노분말로 제조함으로써 MLCC의 전기적인 특성을 개선하며 MLCC 제조 시 저온에서 소성 할 수 있는 이점을 제공하며, 복합 첨가제 분말의 입경이 50 ~ 100㎚가 되도록 제조함으로써 유전체 시트를 박막으로 제조할 수 있어 초고용량의 MLCC를 제조할 수 있는 이점을 제공한다.
본 발명의 나노 유리계 조성분말과 이를 이용한 복합 첨가제 분말 제조방법 의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 복합 첨가제 분말 제조방법을 나타낸 공정도이다.
도 2에서와 같이 본 발명의 복합 첨가제 분말 제조방법은 먼저, 나노 유리계 조성분말을 준비(S11)한다.
나노 유리계 조성분말은 비표면적이 10 ~ 100m2/g이며 입경이 10 ~ 50㎚가 되는 BCS[Ba-Ca-Si]계 분말, BZS[Ba-Zr-Si]계 분말, BLS[Ba-Li-Si]계 분말, BLC[Ba-Li-Ca]계 분말, YMS[Y-Mg-Si]계 분말, YBM[Y-Ba-Mg]계 분말, YCM[Y-Ca-Mg]계 분말, YBMS[Y-Ba-Mg-Si]계 분말 및 YCMS[Y-Ca-Mg-Si]계 분말 중 하나를 저온 하소하여 형성된다.
나노 유리계 조성분말의 재질 중 BCS[Ba-Ca-Si]계 분말, BZS[Ba-Zr-Si]계 분말, BLS[Ba-Li-Si]계 분말 및 BLC[Ba-Li-Ca]계 분말의 재질은 각각 탄산바륨(BaCO3), 탄산칼슘(CaCO3), 산화지르코늄(ZrO2), 산화리튬(Li2O3) 및 실리콘(Si) 중 하나 이상이 선택되어 적용된다. 이러한 탄산바륨(BaCO3), 탄산칼슘(CaCO3), 산화지르코늄(ZrO2), 산화리튬(Li2O3) 및 실리콘(Si)은 각각 입경이 10 ~ 50㎚가 되는 나노분말이 적용되어 각각의 비표면적은 10 ~ 100m2/g이 된다. 여기서, 실리콘(Si)은 산화규소(SiO2) 분말이나 실란계(SiH4) 및 TEOS(tetra ethyl ortho silicate)(Si(OC2H5)4) 중 하나가 적용된다. 실란계(SiH4) 및 TEOS(tetra ethyl ortho silicate)(Si(OC2H5)4)는 액상이 적용된다.
나노 유리계 분말 중 나머지 YMS[Y-Mg-Si]계 분말, YBM[Y-Ba-Mg]계 분말, YCM[Y-Ca-Mg]계 분말, YBMS [Y-Ba-Mg-Si]계 분말 및 YCMS[Y-Ca-Mg-Si]계 분말은 산화이트륨(Y2O3), 산화마그네슘(MgO), 산화바륨(BaO), 탄산칼슘(CaCO3), 탄산마그네슘(MgCO3), 탄산바륨(BaCO3) 및 실리콘(Si) 중 하나 이상이 선택되어 적용된다. 산화이트륨(Y2O3), 산화마그네슘(MgO), 산화바륨(BaO), 탄산칼슘(CaCO3), 탄산마그네슘(MgCO3), 탄산바륨(BaCO3) 및 실리콘(Si)은 각각 입경이 10 ~ 50㎚가 되는 나노분말이 적용되어 각각의 비표면적은 10 ~ 100m2/g이 된다. 여기서, 실리콘(Si)은 또한, 산화규소(SiO2) 분말이나 실란계(SiH4) 및 TEOS(tetra ethyl ortho silicate)(Si(OC2H5)4) 중 하나가 적용된다. 실란계(SiH4) 및 TEOS(tetra ethyl ortho silicate)(Si(OC2H5)4)는 액상이 적용된다.
상기와 같은 재질로 형성되는 나노 유리계 분말의 준비와 더불어 첨가제 분말인 희토류 금속산화물계 분말을 준비한다(S12).
희토류 금속산화물계 분말은 입경이 10 ~ 50㎚가 되며, 산화이트륨(Y2O3), 산화홀뮴(Ho2O3), 산화디스프로슘(Dy2O3), 산화이테르븀(Yb2O3) 및 산화바나듐(V2O5) 중 하나 이상이 선택되어 적용된다. 이러한 희토류 금속산화물계 분말에 보조 금속산화물계가 첨가될 수 있으며, 보조 금속산화물계는 산화마그네슘(MgO), 산화크 롬(Cr2O3) 및 산화망간(Mn3O4) 중 하나가 선택되어 적용된다. 산화마그네슘(MgO)이나 산화망간(Mn3O4)에 각각 포함되는 마그네슘(Mg)나 망간(Mn)은 코어-셀(11a,11b) 형성 시 셀(11b: 도 4에 도시됨)이 형성되기 이전부터 저온에서 코어(11a: 도 4에 도시됨)와 반응하여 코어(11a)에 있는 이온 결핍을 최소화하고 셀(11b)의 형성 시점에서 셀(11b)이 균일하게 형성되도록 한다. 예를 들어, 코어(11a)가 티탄산바륨(BaTiO3)이 적용되는 경우에 티탄산바륨(BaTiO3)의 이온 결핍 및 전계에 의한 전자의 이동에 의해서 열화가 진행되는 것을 방지하여 MLCC의 장기 신뢰성을 개선시킨다.
나노 유리계 분말과 희토류 금속산화물계 분말이 각각 준비되면 나노 유리계 조성분말 35 ~ 70wt.%와 상기 희토류 금속산화물계 분말 30 ~ 65wt.%에 용매를 혼합한 후 입경이 0.05 ~ 0.3 ㎜인 볼이 적용되는 고에너지 밀링방법을 이용하여 충격이 가해지지 않도록 혼합하여 혼합원료를 제조한다(S13).
고에너지 밀링방법은 입경이 작은 볼을 이용하여 출발원료에 충격이 가해지지 않도록 혼합 시 적용된다. 이러한 고에너지 밀링방법은 에스 씨 밀(SC mill)방법과 어펙스 밀(apex mill)방법 중 하나가 선택되어 적용된다. 또한, 혼합원료의 제조 시 사용되는 용매는 초순수, 에탄올 및 이온계 분산제로 이루어지며, 이온계 분산제는 산성기(acidic group), 폴리하이드록시 카복실 아미노산(polyhydroxycarboxylic acid amides) 및 폴라아민 카복실산염(carboxylic acid salt of polyamine) 중 하나가 적용된다.
혼합원료가 제조되면 혼합원료를 동결건조방법이나 건식분무방법을 이용하여 80 ~ 200℃에서 건조한다(S14).
건조가 완료되면 건조된 혼합원료를 건식 밀링방법을 이용하여 응집체를 제거한 후 소결되지 않도록 300 ~ 800℃에서 하소하여 병목 구조의 분말을 제조한다. (S15).
병목 구조의 분말의 제조 시 하소방법은 전기로가 적용된다. 전기로를 이용하여 병목 구조의 분말을 제조 시 300 ~ 800℃에서 30분 ~ 10시간 동안 하소한다. 이와 같이 출발원료인 나노 유리계 분말이나 희토류 금속산화물계 분말을 각각 나노분말을 사용함으로써 병목 구조의 분말의 제조 시 하소 온도를 300 ~ 800℃로 저온에서 실시할 수 있게 된다.
병목 구조의 분말이 제조되면 병목 구조의 분말을 건식 밀링방법이나 습식밀링방법을 이용하여 입경이 50 ~ 100㎚가 되도록 분쇄한다(S16).
병목 구조의 분말의 분쇄 시 건식 밀링방법은 제트 밀(jet mill)방법이 적용되며, 습식 밀링방법은 입경이 0.05 ~ 0.3 ㎜인 볼이 적용되는 비즈 밀(beads mill)방법, 에스 씨 밀(SC mill)방법 및 어펙스 밀(apex mill)방법 중 하나가 선택되어 적용되어 MLCC용 복합 첨가제 분말이나 MLCC용 복합 첨가제를 액상 졸(sol)로 제조한다. MLCC용 복합 첨가제 분말의 제조 시 보다 고른 분말의 제조를 위해 분급 단계(도시 않음)가 더 구비된다.
상기 제조방법을 통해 제조된 MLCC용 복합 첨가제 분말을 이용하여 유전체 시트(도시 않음)를 형성하고 이를 이용하여 MLCC의 제조 시 종래의 유리계 분말 및 첨가제 분말을 이용하는 경우에 비해 도 3에서와 같이 유전율, 손실, 절연저항(IR: insulation resistance), 내전압(BDV: break down voltage), 장시간 신뢰성(HALT) 등이 증가되는 이점을 제공한다. 특히 장시간 신뢰성(HALT)의 경우에 종래의 유리계 분말 및 첨가제 분말을 이용하는 경우 보다 현저히 증가된다.
본 발명의 MLCC용 복합 첨가제 분말을 이용하여 유전체 시트의 제조 시 티탄산바륨(BaTiO3) 100mol/%를 기준으로 본 발명의 MLCC용 복합 첨가제 분말 1~5mol/%를 첨가하여 형성되며, MLCC용 복합 첨가제 분말은 유리계 분말이 BCS[Ba-Ca-Si]계 분말, BZS[Ba-Zr-Si]계 분말, BLS[Ba-Li-Si]계 분말 및 BLC[Ba-Li-Ca]계 분말이 적용된 예이다. 또한, 각각의 시험은 유전율, 손실, 절연저항(IR) 및 내전압(BDV) 측정장비나 번인(burn in) 측정장비(도시 않음)를 이용한다.
본 발명의 MLCC용 복합 첨가제 분말을 이용하여 도 4에서와 같이 유전체 시트를 형성하는 경우에 MLCC의 전기적인 특성을 개선시킬 수 있는 것은 코어-셀(11a,11b) 구조를 균일하게 형성할 수 있기 때문이다. 여기서, 도 4에 도시된 MLCC는 유전체(11), 내부전극(12) 및 외부전극(13)으로 이루어진다.
또한, 출발원료를 나노분말을 이용하여 MLCC용 복합 첨가제 분말의 입경을 50 ~ 100nm가 되도록 제조함으로써 유전체(11)의 주성분인 티탄산바륨(BaTiO3)의 입경이 100 ~ 200㎚인 경우에도 유전체(11)를 이루는 유전체 시트(식별부호 미도함)의 두께를 0.05 ~ 0.3㎛의 박막으로 제조할 수 있어 초고용량의 MLCC를 제조할 수 있게 된다.
본 발명의 나노 유리계 분말과 이를 이용한 MLCC용 복합 첨가제 분말 제조방법은 초고용량의 MLCC 제조 분야에 적용할 수 있다.
도 1은 종래의 MLCC의 단면도,
도 2는 본 발명의 복합 첨가제 분말 제조방법을 나타낸 공정도,
도 3은 본 발명의 복합 첨가제 분말에 적용된 MLCC용 분말의 특성을 나타낸 표,
도 4는 본 발명의 복합 첨가제 분말이 적용된 MLCC의 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
11: 유전체 11a: 코어
11b: 셀 12: 내부전극
13: 외부전극
Claims (11)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 입경이 10 ~ 50㎚가 되는 나노 유리계 조성분말을 준비하는 단계와,입경이 10 ~ 50㎚가 되는 희토류 금속산화물계 분말을 준비하는 단계와,상기 나노 유리계 조성분말 35 ~ 70wt.%와 상기 희토류 금속산화물계 분말 30 ~ 65wt.%에 용매를 혼합한 후 입경이 0.05 ~ 0.3 ㎜인 볼이 적용되는 고에너지 밀링방법을 이용하여 충격이 가해지지 않도록 혼합하여 혼합원료를 제조하는 단계와,상기 혼합원료를 동결건조방법이나 건식분무방법을 이용하여 80 ~ 200℃에서 건조하는 단계와,상기 건조된 혼합원료를 건식 밀링방법을 이용하여 응집체를 제거한 후 소결되지 않도록 300 ~ 800℃에서 하소하여 병목 구조의 분말을 제조하는 단계와,상기 병목 구조의 분말을 건식 밀링방법이나 습식밀링방법을 이용하여 입경이 50 ~ 100㎚가 되도록 분쇄하는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 MLCC용 복합 첨가제 분말 제조방법.
- 삭제
- 제4항에 있어서, 상기 희토류 금속산화물계 분말을 준비하는 단계에서 희토류 금속산화물계 분말은 산화이트륨(Y2O3), 산화홀뮴(Ho2O3), 산화디스프로슘(Dy2O3), 산화이테르븀(Yb2O3) 및 산화바나듐(V2O5) 중 하나 이상이 선택되어 적용됨을 특징으로 하는 MLCC용 복합 첨가제 분말 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 희토류 금속산화물계 분말을 준비하는 단계에서 희토류 금속산화물계 분말에 보조 금속산화물계가 첨가되며, 상기 보조 금속산화물계는 산화마그네슘(MgO), 산화크롬(Cr2O3) 및 산화망간(Mn3O4) 중 하나가 선택되어 적용됨 을 특징으로 하는 MLCC용 복합 첨가제 분말 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 혼합원료를 제조하는 단계에서 용매는 초순수, 에탄올 및 이온계 분산제로 이루어지며, 상기 이온계 분산제는 산성기(acidic group), 폴리하이드록시 카복실 아미노산(polyhydroxycarboxylic acid amides) 및 폴라아민 카복실산염(carboxylic acid salt of polyamine) 중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 복합 첨가제 분말 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 혼합원료를 제조하는 단계에서에서 고에너지 밀링방법은 에스 씨 밀(SC mill)방법과 어펙스 밀(apex mill)방법 중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 복합 첨가제 분말 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 병목 구조의 분말을 제조하는 단계에서 하소방법은 전기로가 적용되고, 상기 전기로를 이용하여 하소 시 300 ~ 800℃에서 30분 ~ 10시간 동안 하소함을 특징으로 하는 복합 첨가제 분말 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 입경이 50 ~ 100㎚가 되도록 분쇄하는 단계에서 건식 밀링방법은 제트 밀(jet mill)방법이 적용되며, 습식 밀링방법은 입경이 0.05 ~ 0.3 ㎜인 볼이 적용되는 비즈 밀(beads mill)방법, 에스 씨 밀(SC mill)방법 및 어펙스 밀(apex mill)방법 중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 복합 첨가제 분말 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080124726A KR101032341B1 (ko) | 2008-12-09 | 2008-12-09 | 나노 유리계 조성분말을 이용한 mlcc용 복합 첨가제 분말 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080124726A KR101032341B1 (ko) | 2008-12-09 | 2008-12-09 | 나노 유리계 조성분말을 이용한 mlcc용 복합 첨가제 분말 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100066079A KR20100066079A (ko) | 2010-06-17 |
KR101032341B1 true KR101032341B1 (ko) | 2011-05-02 |
Family
ID=42365221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080124726A KR101032341B1 (ko) | 2008-12-09 | 2008-12-09 | 나노 유리계 조성분말을 이용한 mlcc용 복합 첨가제 분말 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101032341B1 (ko) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09157021A (ja) * | 1995-12-04 | 1997-06-17 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 低温焼結用誘電体材料の製造方法 |
KR20050062831A (ko) * | 2003-12-18 | 2005-06-28 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물, 적층 세라믹콘덴서, 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 |
JP2008024582A (ja) * | 2006-06-19 | 2008-02-07 | Nihon Yamamura Glass Co Ltd | 球状多成分ガラス微粒子 |
-
2008
- 2008-12-09 KR KR1020080124726A patent/KR101032341B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09157021A (ja) * | 1995-12-04 | 1997-06-17 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 低温焼結用誘電体材料の製造方法 |
KR20050062831A (ko) * | 2003-12-18 | 2005-06-28 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물, 적층 세라믹콘덴서, 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 |
JP2008024582A (ja) * | 2006-06-19 | 2008-02-07 | Nihon Yamamura Glass Co Ltd | 球状多成分ガラス微粒子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100066079A (ko) | 2010-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102222561B (zh) | 层叠陶瓷电容器 | |
WO2015040869A1 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
KR101494851B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 | |
US7638451B2 (en) | Dielectric ceramic, method of producing the same, and monolithic ceramic capacitor | |
US8248754B2 (en) | Dielectric ceramic, method for producing dielectric ceramic, and monolithic ceramic capacitor | |
JPWO2007139061A1 (ja) | 半導体セラミック、積層型半導体セラミックコンデンサ、半導体セラミックの製造方法、及び積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法 | |
CN102417351A (zh) | 电介质陶瓷以及层叠陶瓷电容器 | |
JP5409443B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP2011190122A (ja) | 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品 | |
KR101486983B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 | |
JP2010285336A (ja) | 誘電物質用焼結物質およびその製造方法、並びにコア−シェル微細構造を有する誘電物質用焼結物質およびその製造方法 | |
JP4165893B2 (ja) | 半導体セラミック、及び積層型半導体セラミックコンデンサ、並びに半導体セラミックの製造方法 | |
JP5541318B2 (ja) | 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品 | |
JP2010208905A (ja) | 誘電体セラミックの製造方法と誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサの製造方法と積層セラミックコンデンサ | |
KR102106974B1 (ko) | 희토류 글라스 프릿을 이용한 유전체 세라믹 조성물 제조방법 | |
KR101194356B1 (ko) | 첨가제가 코팅된 티탄산바륨 복합분말과 이의 제조방법 | |
KR101339396B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물 및 그의 제조방법 | |
KR101032341B1 (ko) | 나노 유리계 조성분말을 이용한 mlcc용 복합 첨가제 분말 제조방법 | |
KR100568286B1 (ko) | 유전체 세라믹 분말에 첨가제를 분산, 코팅하는 방법 | |
US9001494B2 (en) | Dielectric ceramic and single-plate capacitor | |
JP5029717B2 (ja) | セラミック電子部品およびセラミック原料粉体の製造方法 | |
KR100875288B1 (ko) | Y5v 특성이 우수한 mlcc용 유전체 조성물 및 그의제조방법 | |
CN115159977B (zh) | 一种宽温低损耗介质陶瓷材料及其制备方法 | |
KR100495210B1 (ko) | 내환원성 저온소성 유전체 자기조성물, 이를 이용한적층세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
CN118201891A (zh) | 电介质瓷器组成物以及陶瓷电容器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |