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KR101031415B1 - Packing film for wafer - Google Patents

Packing film for wafer Download PDF

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KR101031415B1
KR101031415B1 KR1020080114666A KR20080114666A KR101031415B1 KR 101031415 B1 KR101031415 B1 KR 101031415B1 KR 1020080114666 A KR1020080114666 A KR 1020080114666A KR 20080114666 A KR20080114666 A KR 20080114666A KR 101031415 B1 KR101031415 B1 KR 101031415B1
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wafer
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packing film
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안수용
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주식회사 엘지실트론
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Abstract

웨이퍼 팩킹 필름이 개시된다. 상기 웨이퍼 팩킹 필름은 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼를 수용하는 수용부를 형성하되, PET, PE, LLDPE 중 적어도 하나를 포함하는 1차 필름 및 상기 1차 필름의 외부에 배치되되, Al PET, PE, LLDPE 중 적어도 하나를 포함하는 2차 필름을 포함하고, 상기 1차 필름 및 상기 2차 필름은 나일론(Nylon) 재질이 첨가된다. 따라서, 상대적으로 인장강도, 인열강도 및 열봉합 강도에서 개선된 특징을 보여, 외부 모서리나 충격에 의해 쉽게 찢어지는 것을 상대적으로 방지할 수 있는 효과가 있고, 또한, 상대적으로 얇은 두께로 형성될 수 있으므로, 실링 퍼포먼스 저하를 절감할 수 있는 이점이 있다.A wafer packing film is disclosed. The wafer packing film forms an accommodating part for accommodating a wafer on which semiconductor devices are formed, and is disposed outside the primary film including at least one of PET, PE, and LLDPE and the primary film, among Al PET, PE, and LLDPE. A secondary film including at least one, and the primary film and the secondary film is a nylon (Nylon) material is added. Therefore, it shows relatively improved characteristics in tensile strength, tearing strength and heat-sealing strength, so that it can be relatively prevented from being easily torn by external edges or impacts, and can be formed with a relatively thin thickness. Since it is possible to reduce the sealing performance, there is an advantage.

웨이퍼, 팩킹 필름, 무정전, Nylon Wafer, Packing Film, Uninterrupted, Nylon

Description

웨이퍼 팩킹 필름{PACKING FILM FOR WAFER}Wafer Packing Film {PACKING FILM FOR WAFER}

본 발명은 웨이퍼 팩킹 필름에 관한 것으로, 보다 상세하게는 나일론 재질을 포함하여 형상함으로써, 모서리나 충격에 의해 쉽게 찢어지는 것을 방지하고, 실링 퍼포먼스 저하를 방지할 수 있는 웨이퍼 팩킹 필름에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer packing film, and more particularly, to a wafer packing film that includes a nylon material, which can be prevented from being easily torn by edges or impacts and can prevent a decrease in sealing performance.

반도체가 고밀도, 고집적화됨에 따라 제품의 품질, 신뢰성 등은 기업의 이윤 추구 및 경쟁력 확보에 큰 영향을 차지하고 있다. 이 때문에, 장비의 질 확보는 반도체 제조 공정에서부터 공급시점까지 그 중요성이 대두되고 있으며, 반도체 장치의 제조 과정 중 품질 확보를 위하여 작업자, 클린룸(cleanroom), 웨이퍼(wafer), 식각액(etching chemical), 세정액(DI-water), 공정 가스 등을 최상의 상태로 유지시키고 있다.As semiconductors are becoming more dense and highly integrated, product quality and reliability have a major impact on corporate profit and competitiveness. For this reason, securing the quality of equipment is gaining importance from the semiconductor manufacturing process to the point of supply, and in order to secure the quality during the manufacturing process of the semiconductor device, workers, clean rooms, wafers, etching chemicals, etc. , Di-water, process gas, etc. are kept in the best condition.

일반적으로, 반도체 실리콘 웨이퍼는 생산 공장에서 생산된 후 포장되어 수요자에게 운송된다. 상기 웨이퍼는 운송도중에 오염되는 것을 방지하기 위하여 운반용 포장용기를 밀폐구조로 하고 포장용기 외부를 특수한 필름으로 여러 겹으로 둘러 싸고, 알루미늄 포일로 그 위를 다시 싸서, 밀폐를 하는 팩킹 공정을 통해 팩킹되고, 운송 박스에 담겨 운송되고 있다. 특히, 상기 웨이퍼 포장 용기는 웨이퍼 의 선적 중 웨이퍼의 파손과 충격으로부터 웨이퍼를 보호하기 위하여 웨이퍼 포장 용기의 내측에 웨이퍼들 사이에 웨이퍼 보호 필름을 구비하고 있다.Generally, semiconductor silicon wafers are produced at a production plant and then packaged and shipped to the consumer. In order to prevent contamination during transportation, the wafer is packed through a packing process in which a shipping container is sealed, the outside of the packing container is surrounded by a special film in several layers, and the aluminum foil is wrapped again on an aluminum foil and sealed. It is shipped in a shipping box. In particular, the wafer packaging container is provided with a wafer protective film between the wafers inside the wafer packaging container to protect the wafer from breakage and impact of the wafer during shipping of the wafer.

이 때, 상기 웨이퍼 보호 필름은 웨이퍼를 파손으로부터 보호할 뿐만 아니라 미립자 오염물에 인한 웨이퍼의 오염을 감소시키는 역할을 수행한다. 그리고, 상기 웨이퍼 보호 필름은 웨이퍼들간의 마찰에 의한 표면을 보호하기 위해 반-정전(anti-static), 정전 소산 및 전기 특성을 포함하는 정전 제어 특성(static-control properties)을 갖도록 처리된 재료를 사용하여 형성된다In this case, the wafer protection film not only protects the wafer from breakage, but also serves to reduce contamination of the wafer due to particulate contamination. In addition, the wafer protection film may be formed of a material that has been treated to have static-control properties including anti-static, electrostatic dissipation, and electrical properties to protect the surface by friction between the wafers. Is formed using

그러나, 상기 실리콘 웨이퍼(Si Wafer)를 담는 상기 운송 박스는 디자인 영향으로 U-bar면(CST 손잡이) 위치부터 파티클 오염에 취약한 특성을 나타낸다. 또한, 외부 충격에 의한 팩킹 필름(Packing Film)의 손상은 운송 박스 내부 제품에 온도와 습기의 변화를 유도하여 유기물들과 반응을 촉진하고 반응된 물질은 파티클 제너레이션(Particle Generation)의 소스(Source)로 작용하게 된다.However, the transport box containing the silicon wafer (Si Wafer) exhibits a property that is susceptible to particle contamination from the U-bar surface (CST handle) position due to design influence. In addition, damage of the packing film due to external impacts induces a change in temperature and moisture in the product inside the transport box to promote reaction with organic materials, and the reacted material is a source of particle generation. Will act as.

이렇게 오염된 파티클(Particle)의 크기(Size)는 큰 크기부터 작은 크기 갈수로 그 수가 증가하는 특성이 있다. 또한, 미립자들 외의 오염물의 제거도 고려하고 있다. 이러한 오염물들은 반도체 웨이퍼들이 반도체 장치의 제조 공정 동안 작업장들 사이에서 운송할 때, 공정 단계를 수행하기 위해 임시로 저장할 때, 웨이퍼들이 추가로 처리되는 장소로 이동 또는 선적될 때 발생된다. 그러므로, 반도체 웨이퍼의 제조, 처리, 운송 및 저장의 모든 상태로부터 오염물의 제거를 수행할 수 있는 웨이퍼 포장 용기가 개발되고 있다.The size of the contaminated particles has a characteristic of increasing in size from large size to small size. It also considers the removal of contaminants other than particulates. Such contaminants are generated when semiconductor wafers are transported between workshops during the manufacturing process of a semiconductor device, when they are temporarily stored to perform a process step, when the wafers are moved or shipped to a place where they are further processed. Therefore, a wafer packaging container has been developed that can perform the removal of contaminants from all states of manufacture, processing, transportation and storage of semiconductor wafers.

즉, 반도체 실리콘 웨이퍼 팩킹 관련하여 가장 중요한 것은 외부의 파티클(Particle)과 습기가 침투하는 것을 방지하는 기술이다. 따라서, 실리콘 웨이퍼의 팩킹 기술에서는 외부 충격 찢어짐 방지 및 필름 실링(Film Sealing)이 완벽하게 유지되는 기술이 중요하다.In other words, the most important thing regarding the semiconductor silicon wafer packing is a technique for preventing the penetration of external particles and moisture. Therefore, in the packing technology of the silicon wafer, a technique in which external impact tear prevention and film sealing are completely maintained is important.

여기서, 종래의 팩킹 필름에 나타나는 실링 불량과 필름의 파손에 대해 예시를 들명 다음과 같다. 도 1은 종래의 웨이퍼 팩킹 필름에서 나타나는 실링(sealing)불량에 의해 투습제가 릭(leak) 되는 사진과 필름 찢어짐 사진을 예시로 나타낸 것이다.Here, an example is given about the sealing defect and the damage of a film which appear in the conventional packing film as follows. 1 illustrates an example of a photograph of a moisture leaking film and a film of a tearing film due to a sealing defect in a conventional wafer packing film.

이에 도시된 바와 같이, 도 1의 a는 실링부 중앙으로 총 네 겹의 1차 팩킹 필름에서 두 겹으로 바뀌는 부분에서 두께차이에 의한 들뜸 현상으로 핀 홀(pin hole)이 발생한 것을 제시한 사진이다.As shown in FIG. 1, a of FIG. 1 is a photograph showing that pinholes are generated due to the lifting phenomenon due to the thickness difference in the portion of the four-packing primary packing film that changes to two layers in the center of the sealing part. .

도 1의 b는 실링부 중앙으로 네 겹에서 두 겹으로 바뀌는 부분에서의 실링부 핀 홀(pin hole)이 발생한 경우이며, 도 1의 c는 외부 충격이나 돌출물에 의해 필름이 찢긴 경우를 제시한 사진이다.FIG. 1B illustrates a case where a sealing pin hole occurs at a portion of a four- to two-fold change in the center of the sealing portion, and FIG. 1C illustrates a case in which the film is torn due to external impact or protrusion. It is a photograph.

이에 제시된 바와 같이, 종래의 웨이퍼 팩킹 필름은 몇 가지 문제점이 있다.As shown here, conventional wafer packing films have several problems.

첫 번째로, 외부 모서리나 충격에 의해 쉽게 찢어지는 문제점이 있으며, 또한, 두꺼운 필름 두께로 인해 실링 퍼포먼스(Sealing Performance)가 저하되는 문제를 가지고 있다.First, there is a problem that is easily torn by the outer edge or impact, and also has a problem that the sealing performance (Sealing Performance) is degraded due to the thick film thickness.

두번째로, 무 정전 처리에 대한 대책이 없어 대전 환경에서 팩킹을 해제할 경우 정전기에 의한 대전 현상에 취약한 문제가 있다.Secondly, there is a problem that is not vulnerable to the charging phenomenon due to static electricity when the packing is released in the charging environment because there is no countermeasure against the electrostatic treatment.

또한, 상기 웨이퍼 보호 필름은 재료 자체에서 소기되는 오염물이 최소화된 재료 및 첨가제를 섞어 기판의 오염물을 제어하였으나, 웨이퍼를 구분하고 표면의 스크래치를 방지하기 위한 역할만 수행할 뿐 복합적인 오염으로부터 웨이퍼를 보호하기에는 충분하지 못한 문제점이 있다.In addition, the wafer protection film controls the contaminants of the substrate by mixing materials and additives with minimized contaminants that are expected from the material itself, but only serves to separate the wafers and prevent scratches on the surface, thereby preventing the wafer from complex contamination. There is a problem that is not enough to protect.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일 목적은 모서리나 충격에 의해 쉽게 찢어지는 것에 대해 상대적으로 저항을 가지는 웨이퍼 팩킹 필름을 제공함에 있다.One object of the present invention for solving the above problems is to provide a wafer packing film having a relatively resistance to tearing easily by edges or impacts.

본 발명의 다른 목적은, 상대적으로 얇은 두께로 형성하여 실링 퍼포먼스 저하를 절감할 수 있는 웨이퍼 팩킹 필름을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a wafer packing film that can be formed to a relatively thin thickness to reduce the sealing performance degradation.

본 발명의 또 다른 목적은, 무 정전 처리에 대한 대책을 마련하여, 대전 환경에서 팩킹을 해제할 경우에도 정전기에 의한 대전 현상을 방지할 수 있는 웨이퍼 팩킹 필름을 제공함에 있다.It is still another object of the present invention to provide a wafer packing film that provides a countermeasure against electrostatic treatment and prevents the charging phenomenon due to static electricity even when the packing is released from the charging environment.

본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼를 구분하고 표면의 스크래치를 방지하기 위한 역할을 수행할 뿐만 아니라, 복합적인 오염으로부터 웨이퍼를 보호할 수 있는 웨이퍼 팩킹 필름을 제공함에 있다.Still another object of the present invention is to provide a wafer packing film that can serve to separate wafers and prevent scratches on the surface, and to protect the wafers from complex contamination.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 웨이퍼 팩킹 필름은 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼를 수용하는 수용부를 형성하되, PET, PE, LLDPE 중 적어도 하나를 포함하는 1차 필름 및 상기 1차 필름의 외부에 배치되되, Al PET, PE, LLDPE 중 적어도 하나를 포함하는 2차 필름을 포함하고, 상기 1차 필름 및 상기 2차 필름은 나일론(Nylon) 재질이 첨가된다.According to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above object of the present invention, the wafer packing film forms a receiving portion for receiving a wafer on which semiconductor elements are formed, the primary film comprising at least one of PET, PE, LLDPE And disposed on the outside of the primary film, including a secondary film including at least one of Al PET, PE, LLDPE, the primary film and the secondary film is a nylon (Nylon) material is added.

이 때, 상기 1차 필름은 무정전 처리가 된 것이 바람직하며, 상기 1차 필름 및 상기 2차 필름의 두께는 90㎛ 내지 110 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다.In this case, it is preferable that the primary film is subjected to an uninterrupted treatment, and the thickness of the primary film and the secondary film is more preferably 90 μm to 110 μm.

그리고, 상기 1차 필름은 방습 코팅되어 있는 것이 바람직하고, 상기 1차 필름 및 상기 2차 필름의 인장강도는 8내지 17 Kgf/15mm 인 것이 바람직하다.In addition, the primary film is preferably coated with a moisture-proof coating, and the tensile strength of the primary film and the secondary film is preferably 8 to 17 Kgf / 15mm.

또한, 상기 1차 필름의 인열 강도(Tearing Strength)는 70 내지 95 Kgf/10mm이고, 상기 2차 필름의 인열 강도는 100 내지 110 Kgf/10mm인 것이 더욱 바람직하다.In addition, the tear strength of the primary film (Tearing Strength) is 70 to 95 Kgf / 10mm, the tear strength of the secondary film is more preferably 100 to 110 Kgf / 10mm.

더불어, 상기 1차 필름의 열봉합 강도는 7내지 9Kgf/15mm이고, 상기 2차 필름의 열봉합 강도는 7내지 82 Kgf/15mm인 것이 바람직하다.In addition, the heat-sealing strength of the primary film is 7 to 9Kgf / 15mm, the heat-sealing strength of the secondary film is preferably 7 to 82 Kgf / 15mm.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 실리콘 웨이퍼를 포장하는 용기 내에 상기 웨이퍼를 보호하기 위하여 복수 개의 층을 이루는 웨이퍼 팩킹 필름(Si Wafer packing film)에 있어서, 상기 웨이퍼 팩킹 필름은 나일론 소재를 포함하고, 적어도 하나의 층을 이루는 방습 코팅 및 무정전 처리 공정을 실링 필름을 포함한다.According to another preferred embodiment of the present invention for achieving the above object of the present invention, in the wafer packing film (Si Wafer packing film) of a plurality of layers to protect the wafer in a container for packaging a silicon wafer, The wafer packing film includes a nylon material, and includes a sealing film that includes at least one layer of a moisture proof coating and an uninterruptible treatment process.

이 때, 상기 실링 필름의 두께는 90㎛ 내지 110 ㎛ 인 것이 바람직하며, 상기 실링 필름의 인장강도는 8내지 17 Kgf/15mm 인 것이 더욱 바람직하다.At this time, the thickness of the sealing film is preferably 90㎛ to 110㎛, the tensile strength of the sealing film is more preferably 8 to 17 Kgf / 15mm.

또한, 상기 실링 필름의 인열 강도(Tearing Strength)는 70 내지 110 Kgf/10mm인 것이 더욱 바람직하다.In addition, the tearing strength (Tearing Strength) of the sealing film is more preferably 70 to 110 Kgf / 10mm.

본 발명에 따르면, 나일론 소재를 포함하여 형성되므로, 상대적으로 인장강도, 인열강도 및 열봉합 강도에서 개선된 특징을 보여, 외부 모서리나 충격에 의해 쉽게 찢어지는 것을 상대적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, since it is formed by including a nylon material, it shows a relatively improved characteristics in the tensile strength, tear strength and heat-sealing strength, the effect that can be relatively prevented from being easily torn by the outer edge or impact have.

또한, 상대적으로 얇은 두께로 형성될 수 있으므로, 실링 퍼포먼스 저하를 절감할 수 있는 이점이 있다.In addition, since it can be formed with a relatively thin thickness, there is an advantage that can reduce the sealing performance degradation.

또한, 이로 인해, 웨이퍼를 구분하고 표면의 스크래치를 방지하기 위한 역할을 수행할 뿐만 아니라, 복합적인 오염으로부터 웨이퍼를 보호할 수 있는 효과가 있다.In addition, this not only serves to classify the wafer and prevent scratches on the surface, but also has the effect of protecting the wafer from complex contamination.

또한, 무 정전 처리로 인해 대전 환경에서 팩킹을 해제할 경우 정전기에 의한 대전 현상에 상대적으로 개선된 이점이 있다.In addition, when the packing is released in the charging environment due to the electrostatic treatment, there is a relatively improved advantage in the charging phenomenon by the static electricity.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 이하 설명에서는 구성 및 기능이 거의 동일하여 동일하게 취급될 수 있는 요소는 동일한 참조번호로 특정될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. Note that, in the following description, components that are substantially the same in structure and function and can be handled identically can be identified by the same reference numerals.

제 1실시예First embodiment

본 발명의 제 1실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름에 대해 설명하면 다음과 같다. 도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 단면을 도시한 단면도이다.Referring to the wafer packing film according to the first embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view illustrating a cross section of a wafer packing film according to a first embodiment of the present invention.

이에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 팩킹 필름은 1차 필름(100) 및 2차 필름(200)을 포함한다.As shown therein, the wafer packing film includes a primary film 100 and a secondary film 200.

상기 1차 필름(100)은 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼(10)를 수용하는 수용부(101)를 형성하되, PET, PE, LLDPE 중 적어도 하나의 소재를 포함한다.The primary film 100 forms a receiving portion 101 for receiving the wafer 10 on which the semiconductor devices are formed, and includes at least one material of PET, PE, and LLDPE.

상기 제 2차 필름(200)은 상기 1차 필름의 외부에 배치되되, AL PET, PET, PE, LLDPE 중 적어도 하나의 소재를 포함하여 형성된다.The secondary film 200 is disposed on the outside of the primary film, it is formed including at least one material of AL PET, PET, PE, LLDPE.

이 때, 상기 1차 필름(100) 및 상기 2차 필름(200)은 나일론(Nylon) 재질이 첨가된다.In this case, a nylon material is added to the primary film 100 and the secondary film 200.

즉, 상기 1차 필름(100)은 PET, PE, LLDPE 및 나일론을 포함하여 형성되고, 상기 2차 필름(200)은 AL PET, PET, PE, LLDPE 및 나일론을 포함하여 형성된다.That is, the primary film 100 is formed including PET, PE, LLDPE, and nylon, and the secondary film 200 is formed including AL PET, PET, PE, LLDPE, and nylon.

여기서, 종래의 웨이퍼 팩킹 필름을 비교예로 제시하여 본 발명의 제 1실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름을 비교하고자 한다. 상기 비교예 및 상기 제 1실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 기술적 특징을 표로 나타낸 표 1은 다음과 같다.Here, a conventional wafer packing film is presented as a comparative example to compare the wafer packing film according to the first embodiment of the present invention. Table 1 shows the technical features of the wafer packing film according to the comparative example and the first embodiment as follows.

Figure 112008079488277-pat00001
Figure 112008079488277-pat00001

이다.to be.

이에 제시된 바와 같이, 비교예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름에 비해 본 발명의 제 1실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름은 두께가 상대적으로 얇고, 공통적으로 나일론 소재가 첨가되어 있다.As shown therein, the wafer packing film according to the first embodiment of the present invention has a relatively thin thickness, and a nylon material is added to the wafer packing film according to the comparative example.

여기서, 상기 제 1실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름에 대해 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.Here, the wafer packing film according to the first embodiment will be described in more detail as follows.

먼저, 상기 1차 필름(100)은 무정전 처리가 되어 형성되고, 상기 1차 필름(100)의 두께(t1) 및 상기 2차 필름(200)의 두께(t2)는 90㎛ 내지 110 ㎛ 으로 구비된다. 좀 더 바람직하게는 상기 1차 필름(100)의 두께(t1) 및 상기 2차 필름(200)의 두께(t2)는 100㎛ 내지 105㎛으로 구비된다.First, the primary film 100 is formed by an uninterruptible treatment, and the thickness t1 of the primary film 100 and the thickness t2 of the secondary film 200 are 90 μm to 110 μm. do. More preferably, the thickness t1 of the primary film 100 and the thickness t2 of the secondary film 200 are provided as 100 μm to 105 μm.

또한, 상기 1차 필름(100)은 방습 코팅 처리를 한 상태로 구비되어, 상기 웨이퍼 팩킹 필름에 의해 팩킹된 웨이퍼에 습기가 추가로 투습되는 것을 방지하도록 한다.In addition, the primary film 100 is provided in a state of the moisture-proof coating treatment, to prevent the moisture is further moisture-permeable to the wafer packed by the wafer packing film.

그리고, 상기 1차 필름(100) 및 상기 2차 필름(200)의 인장강도는 8내지 17 Kgf/15mm 이며, 상기 1차 필름(100)의 인열 강도(Tearing Strength)는 70 내지 95 Kgf/10mm이고, 상기 2차 필름(200)의 인열 강도는 100 내지 110 Kgf/10mm인 것이 바람직하다.In addition, the tensile strength of the primary film 100 and the secondary film 200 is 8 to 17 Kgf / 15mm, tearing strength (Tearing Strength) of the primary film 100 is 70 to 95 Kgf / 10mm The tear strength of the secondary film 200 is preferably 100 to 110 Kgf / 10mm.

또한, 상기 1차 필름(100)의 열봉합 강도는 7내지 9Kgf/15mm이고, 상기 2차 필름(200)의 열봉합 강도는 7내지 82 Kgf/15mm으로 구비된다.In addition, the heat sealing strength of the primary film 100 is 7 to 9 Kgf / 15mm, the heat sealing strength of the secondary film 200 is provided to 7 to 82 Kgf / 15mm.

더불어, 상기 1차 필름(100) 및 상기 2차 필름(200)에 포함된 상기 나일론 재질로 인해 필름 자체의 강도가 개선되었으며, 정전기에 의한 대전 현상을 예방하기 위하여 무정전 처리가 되어 있다.In addition, the strength of the film itself is improved due to the nylon material included in the primary film 100 and the secondary film 200, and has been subjected to an uninterrupted treatment to prevent the charging phenomenon by static electricity.

이 때, 비교예와 제 1실시예에 따른 정전기 대전 현상을 비교한 표 2는 다음과 같다.At this time, Table 2 comparing the electrostatic charging phenomenon according to the comparative example and the first embodiment is as follows.

Figure 112008079488277-pat00002
Figure 112008079488277-pat00002

이다.to be.

이에 제시된 바와 같이, 비교예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름에 비해 제 1실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 인위적 마찰이 존재하는 실제 환경에서 1차 필름 언팩킹(unpacking)시 대전 현상이 기존 대비 개선된 값을 보였다. 이 때, 상술한 정전기 값은 상대적으로 실제 이오나이져(Ionizer) 하의 정전기 값을 0으로 가정하여 비교한 것이다.As shown here, compared to the wafer packing film according to the comparative example, the charging phenomenon of the unpacking of the primary film in the actual environment in which the artificial friction of the wafer packing film according to the first embodiment exists is improved compared to the conventional value. Seemed. At this time, the above-mentioned static electricity value is compared with the assumption that the static electricity value under the actual ionizer is relatively zero.

즉, 상기 1차 필름에 대한 무 정전 처리로 인해 대전 환경에서 팩킹을 해제할 경우 정전기에 의한 대전 현상에 상대적으로 개선된 이점이 있다.That is, when the packing is released in the charging environment due to the electrostatic treatment for the primary film, there is a relatively improved advantage in the charging phenomenon by the static electricity.

여기서, 비교예와 제 1실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 오염현상에 대해 설명하기 위하여 도 3을 제시한다. 도 3은 비교예와 제 1실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 Kazumi Run 후 파티클(particle) 전후 측정결과를 나타낸 그래프이다.Here, FIG. 3 is provided to explain the contamination of the wafer packing film according to the comparative example and the first embodiment. 3 is a graph showing a measurement result before and after particles (particles) after Kazumi Run of the wafer packing film according to the comparative example and the first embodiment.

이에 도시된 바와 같이, 제 1실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 Kazumi Run 후 파티클(particle) 전후 측정 결과 파티클 오염 현상은 발견되지 않은 것으로 나타난다.As shown in the drawing, after the Kazumi Run of the wafer packing film according to the first embodiment before and after the particle (particle) measurement results show that no particle contamination phenomenon.

또한, 비교예와 제 1실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 유기물 분석결과를 설명하기 위한 표 3은 다음과 같다.In addition, Table 3 for explaining the organic material analysis results of the wafer packing film according to the comparative example and the first embodiment are as follows.

Figure 112008079488277-pat00003
Figure 112008079488277-pat00003

이다.to be.

이에 제시된 바와 같이, 비교예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름에 비해 본 발명의 제 1실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 경우, 유기물 분석 결과 개선된 것을 확인할 수 있다. 여기서, 단위는 ng/cm2*min이다.As shown in this, in the case of the wafer packing film according to the first embodiment of the present invention compared to the wafer packing film according to the comparative example, it can be seen that the organic material analysis results improved. Here, the unit is ng / cm 2 * min.

따라서, 상기 웨이퍼 팩킹 필름은 웨이퍼를 구분하고 표면의 스크래치를 방지하기 위한 역할을 수행할 뿐만 아니라, 복합적인 오염으로부터 웨이퍼를 보호할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the wafer packing film not only serves to classify the wafer and prevent scratching of the surface, but also protects the wafer from complex contamination.

제 2실시예Second embodiment

본 발명의 제 2실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름을 설명하면 다음과 같다. 도 4는 본 발명의 제 2실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 단면을 도시한 단면도이다.Referring to the wafer packing film according to the second embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view illustrating a cross section of a wafer packing film according to a second embodiment of the present invention.

이에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 팩킹 필름(300)은 실리콘 웨이퍼(10)를 포장하는 용기 내에 상기 웨이퍼를 보호하기 위하여 복수 개의 층을 이루도록 구비되며, 상기 웨이퍼 팩킹 필름(300)은 나일론 소재를 포함하고, 적어도 하나의 층을 이루는 방습 코팅 및 무정전 처리 공정을 거친 실링 필름(350)을 포함한다.As shown therein, the wafer packing film 300 is provided to form a plurality of layers to protect the wafer in a container for packaging the silicon wafer 10, and the wafer packing film 300 includes a nylon material. And a sealing film 350 that has undergone at least one layer of a moisture proof coating and an uninterruptible treatment process.

본 실시예에서는 상기 웨이퍼 팩킹 필름을 두 겹으로 예시하여 설명하지만, 이에 한정되거나 제한되는 것은 아니다. 여기서, 상기 실링 필름(350)의 두께(t3)는 90㎛ 내지 110 ㎛ 인 것이 바람직하며, 상기 웨이퍼 팩킹 필름의 두께는 상기 실링 필름(350)이 두겹으로 겹친 상태의 두께와 유사하나 이에 한정되지는 않는다.In the present exemplary embodiment, the wafer packing film is illustrated as two layers, but is not limited thereto. Here, the thickness t3 of the sealing film 350 is preferably 90 μm to 110 μm, and the thickness of the wafer packing film is similar to the thickness of the sealing film 350 overlapping two times, but is not limited thereto. Does not.

즉, 상기 실링 필름(350)은 서로 다른 재질로 구비되는 것이 가능하며, 웨이퍼를 내부에 수용하되, 인접하여 직접 접하게 되는 내측 실링 필름과 상기 내측 실링 필름의 외측에 배치되는 외측 실링 필름으로 구비된다.That is, the sealing film 350 may be provided with different materials, and the wafer may be accommodated therein, and may be provided as an inner sealing film which is directly adjacent to the adjacent sealing film and an outer sealing film which is disposed outside the inner sealing film. .

또한, 상기 실링 필름(350)의 인장강도는 8내지 17 Kgf/15mm 이고, 또한, 상기 실링 필름(350)의 인열 강도(Tearing Strength)는 70 내지 110 Kgf/10mm인 것이 바람직하다.In addition, the tensile strength of the sealing film 350 is 8 to 17 Kgf / 15mm, and the tearing strength (Tearing Strength) of the sealing film 350 is preferably 70 to 110 Kgf / 10mm.

여기서, 상술한 종래의 비교예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름과 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 실링 퍼포먼스를 설명하기 위하여 도 5를 제시한다. 도 5는 비교예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름과 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름을 비교하여 도시한 예시도이다.Here, FIG. 5 is provided to explain the sealing performance of the wafer packing film according to the conventional comparative example and the wafer packing film according to the embodiment of the present invention. 5 is an exemplary view illustrating a comparison between a wafer packing film according to a comparative example and a wafer packing film according to an embodiment of the present invention.

이에 도시된 바와 같이, 먼저, 상기 내측 실링 필름의 실링 퍼포먼스에 대해 살펴보면, 상술한 바와 같이, 비교예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 두꺼운 필름 두께로 인해 실링 퍼포먼스(Sealing Performance)가 저하되는 문제가 개선된 것을 볼 수 있다.As shown, first, the sealing performance of the inner sealing film, as described above, the problem that the sealing performance (Sealing Performance) is reduced due to the thick film thickness of the wafer packing film according to the comparative example is improved You can see that.

즉, 실링부 중앙으로 총 네 겹의 필름에서 두 겹으로 바뀌는 부분에서 두께차이에 의한 들뜸 현상이 발생하지 않는 것을 알 수 있으며, 또한, 이로 인해, 핀 홀(pin hole) 또한 발생하지 않는 이점이 있다.That is, it can be seen that the lifting phenomenon due to the thickness difference does not occur in the portion of the four-layer film that is changed into two layers in the center of the sealing part, and also, the pin hole is not generated due to this. have.

그리고, 외측 실링 필름의 실링 퍼포먼스에 대해 살펴보면, 또한, 비교예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 두꺼운 필름 두께로 인해 실링 퍼포먼스(Sealing Performance)가 저하되는 문제가 개선되는 효과가 있다.In addition, looking at the sealing performance of the outer sealing film, there is also an effect that the problem that the sealing performance (Sealing Performance) is reduced due to the thick film thickness of the wafer packing film according to the comparative example.

따라서, 제 1실시예 및 제 2실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름은 나일론 소재를 포함하여 형성되므로, 상대적으로 인장강도, 인열강도 및 열봉합 강도에서 개선된 특징을 보여, 외부 모서리나 충격에 의해 쉽게 찢어지는 것을 상대적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, since the wafer packing film according to the first and second embodiments is formed of a nylon material, the wafer packing film is relatively improved in tensile strength, tear strength, and heat-sealing strength. There is an effect that can be relatively prevented from tearing easily.

또한, 상대적으로 얇은 두께로 형성될 수 있으므로, 실링 퍼포먼스 저하를 절감할 수 있는 이점이 있다.In addition, since it can be formed with a relatively thin thickness, there is an advantage that can reduce the sealing performance degradation.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art various modifications and variations of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

도 1은 종래의 웨이퍼 팩킹 필름에서 나타나는 실링(sealing)불량에 의해 투습제가 릭(leak) 되는 사진과 필름 찢어짐 사진을 예시로 나타낸 것이다.1 illustrates an example of a photograph of a moisture leaking film and a film of a tearing film due to a sealing defect in a conventional wafer packing film.

도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 단면을 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a cross section of a wafer packing film according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 비교예와 제 1실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 Kazumi Run 후 파티클(particle) 전후 측정결과를 나타낸 그래프이다.3 is a graph showing a measurement result before and after particles (particles) after Kazumi Run of the wafer packing film according to the comparative example and the first embodiment.

도 4는 본 발명의 제 2실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름의 단면을 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a cross section of a wafer packing film according to a second embodiment of the present invention.

도 5는 비교예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름과 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 팩킹 필름을 비교하여 도시한 예시도이다.5 is an exemplary view illustrating a comparison between a wafer packing film according to a comparative example and a wafer packing film according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10: 웨이퍼 100: 1차 필름10: wafer 100: primary film

101: 수용부 200: 2차 필름101: accommodating part 200: secondary film

300: 웨이퍼 팩킹 필름 350: 실링 필름300: wafer packing film 350: sealing film

Claims (11)

반도체 소자들이 형성된 웨이퍼를 수용하는 수용부를 형성하되, PET, PE 및 LLDPE를 포함하고, 방습코팅 처리되는 1차 필름; 및Forming an accommodating portion for receiving the wafer on which the semiconductor elements are formed, including a PET, PE and LLDPE, the primary film is moisture-coated; And 상기 1차 필름의 외부에 배치되되, Al PET, PE 및 LLDPE를 포함하는 2차 필름;A secondary film disposed on the outside of the primary film and including Al PET, PE, and LLDPE; 을 포함하고, 상기 1차 필름 및 상기 2차 필름은 나일론(Nylon) 재질이 첨가되는 웨이퍼 팩킹 필름.To include, The primary film and the secondary film is a wafer packing film to which a nylon (Nylon) material is added. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 1차 필름은 무정전 처리가 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 팩킹 필름.The primary film is a wafer packing film, characterized in that the uninterrupted treatment. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 1차 필름 및 상기 2차 필름의 두께는 90㎛ 내지 110 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 팩킹 필름.Wafer packing film, characterized in that the thickness of the primary film and the secondary film is 90㎛ to 110㎛. 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 1차 필름 및 상기 2차 필름의 인장강도는 8내지 17 Kgf/15mm 인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 팩킹 필름.The tensile strength of the primary film and the secondary film is a wafer packing film, characterized in that 8 to 17 Kgf / 15mm. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 1차 필름의 인열 강도(Tearing Strength)는 70 내지 95 Kgf/10mm이고, 상기 2차 필름의 인열 강도는 100 내지 110 Kgf/10mm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 팩킹 필름.Tearing strength of the primary film (Tearing Strength) is 70 to 95 Kgf / 10mm, the tear strength of the secondary film is a wafer packing film, characterized in that 100 to 110 Kgf / 10mm. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 1차 필름의 열봉합 강도는 7내지 9Kgf/15mm이고, 상기 2차 필름의 열봉합 강도는 7내지 82 Kgf/15mm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 팩킹 필름.The heat-sealing strength of the primary film is 7 to 9 Kgf / 15mm, the heat-sealing strength of the secondary film is 7 to 82 Kgf / 15mm wafer packing film. 실리콘 웨이퍼를 포장하는 용기 내에 상기 웨이퍼를 보호하기 위하여 복수 개의 층을 이루는 웨이퍼 팩킹 필름(Si Wafer packing film)에 있어서, 상기 웨이퍼 팩킹 필름은 나일론 소재를 포함하고, 적어도 하나의 층을 이루는 방습 코팅 및 무정전 처리 공정을 거친 실링 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 팩킹 필름.A plurality of layered wafer packing film (Si Wafer packing film) for protecting the wafer in a container for packaging a silicon wafer, the wafer packing film comprising a nylon material, at least one layer of a moisture proof coating and Wafer packing film comprising a sealing film subjected to an uninterrupted treatment process. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 실링 필름의 두께는 90㎛ 내지 110 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 팩킹 필름.The thickness of the sealing film is a wafer packing film, characterized in that 90 to 110 ㎛. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 실링 필름의 인장강도는 8내지 17 Kgf/15mm 인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 팩킹 필름.The tensile strength of the sealing film is a wafer packing film, characterized in that 8 to 17 Kgf / 15mm. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 실링 필름의 인열 강도(Tearing Strength)는 70 내지 110 Kgf/10mm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 팩킹 필름.The tearing strength (Tearing Strength) of the sealing film is a wafer packing film, characterized in that 70 to 110 Kgf / 10mm.
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