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KR101020995B1 - 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 - Google Patents

발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 Download PDF

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KR101020995B1
KR101020995B1 KR20100014439A KR20100014439A KR101020995B1 KR 101020995 B1 KR101020995 B1 KR 101020995B1 KR 20100014439 A KR20100014439 A KR 20100014439A KR 20100014439 A KR20100014439 A KR 20100014439A KR 101020995 B1 KR101020995 B1 KR 101020995B1
Authority
KR
South Korea
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light emitting
light
layer
emitting device
transmissive substrate
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Active
Application number
KR20100014439A
Other languages
English (en)
Inventor
정환희
이상열
문지형
송준오
최광기
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to US13/028,686 priority patent/US8179039B2/en
Priority to TW100105355A priority patent/TWI446586B/zh
Priority to CN201110042251.2A priority patent/CN102163669B/zh
Priority to JP2011033611A priority patent/JP5189176B2/ja
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Abstract

실시예에 따른 발광 소자는 투광성 기판; 상기 투광성 기판 상에 오믹층; 상기 오믹층 상에 형성되고, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하여 빛을 생성하는 발광 구조물; 상기 투광성 기판의 하면에 베이스 전극; 및 상기 투광성 기판을 관통하여 상기 발광 구조물 및 상기 베이스 전극을 전기적으로 연결하는 도전비아를 포함한다.

Description

발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
실시예는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시예는 광 추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자는 투광성 기판; 상기 투광성 기판 상에 오믹층; 상기 오믹층 상에 형성되고, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하여 빛을 생성하는 발광 구조물; 상기 투광성 기판의 하면에 베이스 전극; 및 상기 투광성 기판을 관통하여 상기 발광 구조물 및 상기 베이스 전극을 전기적으로 연결하는 도전비아를 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 성장기판 상에 발광 구조물, 오믹층 및 제1 접합층을 순차적으로 형성하여 제1 몸체를 형성하는 단계; 투광성 기판 상에 상기 제1 접합층과 접합되는 제2 접합층을 형성하고, 상기 투광성 기판을 관통하는 홀을 형성하여 제2 몸체를 형성하는 단계; 상기 제1 접합층 및 상기 제2 접합층을 대향하여 접합함으로써 상기 제1 몸체 및 상기 제2 몸체를 본딩하는 단계; 상기 성장기판을 제거하는 단계; 및 상기 홀을 도전성 물질로 충진하여 도전비아를 형성하고, 상기 투광성 기판 하면에 베이스 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.
실시예는 광 추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자의 단면도
도 2 내지 도 8은 제1 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면
도 9는 제2 실시예에 따른 발광 소자의 단면도
도 10은 제3 실시예에 따른 발광 소자의 단면도
도 11은 제4 실시예에 따른 발광 소자의 단면도
도 12는 제5 실시예에 따른 발광 소자의 단면도
도 13은 제6 실시예에 따른 발광 소자의 단면도
도 14는 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들에 따른 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지에 대해 설명한다.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 발광 소자(100)는 투광성 기판(110)과, 상기 투광성 기판(110) 상에 오믹층(157)과, 상기 오믹층(157) 상에 형성되어 빛을 생성하는 발광 구조물(145)과, 상기 투광성 기판(110)의 하면에 형성된 베이스 전극(132)과, 상기 투광성 기판(110)을 관통하여 상기 발광 구조물(145) 및 상기 베이스 전극(132)을 전기적으로 연결하는 도전비아(131)를 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물(145)은 복수의 화합물 반도체층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조물(145)은 제1 반도체층(130), 상기 제1 반도체층(130) 아래에 활성층(140), 상기 활성층(140) 아래에 제2 도전형 반도체층(150)을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물(145)에서 생성된 빛은 상기 발광 구조물(145)에서 직접 방출되거나, 상기 투광성 기판(110)을 투과하여 방출될 수 있다. 특히, 상기 투광성 기판(110)의 두께는 상기 발광 구조물(145)의 두께에 비해 두껍게 형성되어 상기 투광성 기판(110)의 측방향으로 빛을 효과적으로 방출시킬 수 있으므로 상기 발광 소자(100)의 발광 효율이 향상될 수 있다.
또한, 상기 발광 구조물(145)과 상기 투광성 기판(110) 사이에는 상기 오믹층(157)이 형성되어, 상기 베이스 전극(132)으로부터 전달된 전원을 상기 발광 구조물(145)의 전 영역에 대해 스프레딩(spreading) 시키면서 제공할 수 있다.
이하, 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)에 대해 각 구성 요소를 중심으로 상세히 설명한다.
상기 투광성 기판(110)은 빛을 투과하는 재질, 예를 들어, 사파이어(Al2O3), 글래스 재질, GaN, ZnO, AlN 등으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 투광성 기판(110)은 상기 발광 구조물(145)보다 작은 굴절률을 갖는 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 발광 구조물(145)로부터 생성되는 빛을 굴절률 차이에 의해 더욱 효과적으로 방출할 수 있기 때문이다.
상기 투광성 기판(110)은 예를 들어 100μm 내지 1000μm의 두께를 가질 수 있다. 이러한 두께는 상기 발광 구조물(145)의 두께보다 두꺼우므로, 상기 발광 소자(100)의 측방향을 통해 효과적으로 빛을 방출할 수 있다.
한편, 상기 투광성 기판(110)의 측면에는 러프니스(roughness)가 형성되어 상기 발광 소자(100)의 측방향을 통한 광 추출 효율을 극대화할 수도 있다.
상기 투광성 기판(110) 상에는 상기 오믹층(157)이 형성될 수 있다. 상기 오믹층(157)은 상기 발광 구조물(145)과 오믹 접촉(ohmic contact)을 형성하여 상기 베이스 전극(132)으로부터 전달된 전원을 상기 발광 구조물(145)의 전 영역에 대해 스프레딩(spreading) 시키면서 제공할 수 있다.
상기 오믹층(157)은 상기 발광 구조물(145)에서 생성된 빛이 상기 오믹층(157)을 투과하여 상기 투광성 기판(110)으로 원활히 입사되도록 하기 위해 투명한 재질로 형성될 수 있다.
구체적으로 설명하면, 상기 오믹층(157)은 투명한 재질의 금속 산화물 또는 금속 질화물, 예를 들어, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또는, 상기 오믹층(157)은 수 내지 수십 나노미터(nm) 두께 단위의 금속박막층으로 형성되어 빛을 투과할 수도 있다. 이 경우, 상기 오믹층(157)은 Ni, Pt, Ir, Rh, Ag 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 상기 오믹층(157)의 형태는 실시예에 따른 발광 소자(100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하며 이에 대해 한정하지는 않는다. 이에 대해서는 자세히 후술한다.
상기 오믹층(157) 및 상기 투광성 기판(110) 사이에는 두 층 사이를 견고히 결합하는 접합층(120)이 형성될 수 있다.
상기 접합층(120)은 접합력을 가지면서 투명한 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, SOG(Spin-On-Glass), Sol-Gel, ITO, ZnO, SiOx 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 오믹층(157) 상에는 상기 발광 구조물(145)이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(145)은 빛을 생성하는 구조물로써, 예를 들어, 제2 도전형 반도체층(150), 활성층(140) 및 제1 반도체층(130)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(150)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(150) 상에는 상기 활성층(140)이 형성될 수 있다.상기 활성층(140)은 상기 제1 반도체층(130)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(150)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(140)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다.
상기 활성층(140)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well), 양자선 구조 및 양자점 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(140)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 활성층(140)이 상기 다중 양자 우물 구조(MQW)로 형성된 경우, 상기 활성층(140)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 형성될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다.
상기 활성층(140)의 위 및/또는 아래에는 n형 또는 p형 도펀트가 도핑된 클래드층(미도시)이 형성될 수도 있으며, 상기 클래드층(미도시)은 AlGaN층 또는 InAlGaN층으로 구현될 수 있다.
상기 제1 반도체층(130)은 제1 도전형 반도체층만을 포함하거나, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 언도프트 반도체층 등을 더 포함할 수도 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있는데, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 언도프트 반도체층은 도전형 도펀트가 도핑되지 않아, 상기 제1 도전형 반도체층 또는 상기 제2 도전형 반도체층(150)에 비해 낮은 전기 전도성을 갖는 층으로, 상기 제1 도전형 반도체층의 결정성 향상을 위해 성장될 수 있다.
한편, 앞에서 설명한 것과는 달리, 상기 제1 반도체층(130)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(150)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제1 반도체층(130) 상에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 제3 도전형 반도체층(미도시)이 형성될 수도 있으며 이에 따라, 상기 발광 소자(100)는 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광 구조물(145)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 구조물(145)의 상면에는 러프니스(roughness) 또는 패턴이 형성될 수 있다. 상기 러프니스 또는 패턴에 의해 다양한 입사 각도를 갖는 빛을 방출시킬 수 있으므로 상기 발광 소자(100)의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
상기 발광 구조물(145)의 적어도 측면에는 보호부재(155)가 형성될 수 있다. 상기 보호부재(155)는 상기 발광 구조물(145)이 외부 전극 등과 전기적으로 쇼트(short)되는 것을 방지할 수 있다.
상기 보호부재(155)는 전기 절연성을 가지는 재질, 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
상기 발광 구조물(145)의 상면에는 전극패드(160)가 형성될 수 있다. 상기 전극패드(160)는 상기 베이스 전극(132)과 함께 상기 발광 구조물(145)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전극패드(160)는 예를 들어, Al, Ti, Cr, Ni, Cu, Au 중 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 투광성 기판(110) 하면에는 상기 베이스 전극(132)이 형성되고, 상기 투광성 기판(110)을 관통하여 상기 베이스 전극(132) 및 상기 발광 구조물(145)을 전기적으로 연결하도록 적어도 하나의 상기 도전비아(131)가 형성될 수 있다.
상기 베이스 전극(132)이 상기 투광성 기판(110)의 하면에 형성되므로, 상기 발광 소자(100)는 외부 전극에 다이 본딩 방식에 의해 설치될 수 있다.
상기 베이스 전극(132)은 외부 전극으로부터 공급받은 전원을 상기 도전비아(131)를 통해 상기 발광 구조물(145)에 전달한다. 이를 위해, 상기 도전비아(131)의 일단은 상기 베이스 전극(132)에 접촉하고, 타단은 상기 오믹층(157) 또는 상기 발광 구조물(145) 중 적어도 하나에 접촉할 수 있다.
상기 베이스 전극(132) 및 상기 도전비아(131)는 바람직하게는, 상기 발광 구조물(145)로부터 입사되는 빛을 효과적으로 반사할 수 있는 고반사율의 재질, 예를 들어, Ag, Rh, Ni, Au, Pd, Ir, Ti, Pt, W, Al 중 적어도 하나를 포함하도록 형성될 수 있다. 따라서, 상기 베이스 전극(132) 및 상기 도전비아(131)로 입사되는 빛은 반사되어 상기 투광성 기판(110)의 측면을 통해 효과적으로 외부로 방출될 수 있다.
이하, 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
도 2 내지 도 8은 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 2를 참조하면, 성장기판(101) 상에 상기 발광 구조물(145)을 성장하여 형성하고, 상기 발광 구조물(145) 상에 상기 오믹층(157)을 형성하고, 상기 오믹층(157) 상에 제1 접합층(120a)을 형성하여 제1 몸체(M)를 제공할 수 있다.
상기 성장기판(101)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, LiAl2O3, InP, BN, AlN 또는 Ge 중 적어도 하나의 재질로 선택될 수 있다.
상기 발광 구조물(145)은 상기 성장기판(101) 상에 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 오믹층(157) 및 상기 제1 접합층(120a)은 스퍼터링(Sputtering), PECVD, 전자빔(E-beam) 증착 등의 증착 방식이나, 스핀 코팅, 딥 코팅 등의 코팅 방식에 의해 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 접합층(120a)은 빛을 투과하면서, 상기 제1 몸체(M)와 후술할 제2 몸체(N)를 견고히 결합할 수 있는 재질로 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 투광성 기판(110) 상면에 상기 제1 접합층(120a)과 접합되는 제2 접합층(120b)을 형성하고, 상기 투광성 기판(110)을 관통하는 홀(111)을 형성함으로써 제2 몸체(N)를 제공할 수 있다.
상기 홀(111)은 예를 들어, 레이저 드릴링(Laser Drilling), 에칭 등을 통해 형성할 수 있다.
상기 홀(111)은 한 개만 도시되었으나, 그 수에 대해 한정하지는 않는다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 접합층(120a) 및 상기 제2 접합층(120b)을 대향하여 접합함으로써, 상기 제1 몸체(M) 및 제2 몸체(N)를 본딩할 수 있다.
이때, 상기 제1 접합층(120a) 및 상기 제2 접합층(120b)은 서로 결합되어 상기 접합층(120)을 이룰 수 있다.
도 5를 참조하면, 서로 본딩된 상기 제1 몸체(M) 및 상기 제2 몸체(N)로부터 상기 성장기판(101)을 제거할 수 있다.
상기 성장기판(101)은 레이저 리프트 오프(LLO : Laser Lift Off) 공정 및 에칭 공정 중 적어도 하나에 의해 제거될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 6을 참조하면, 상기 홀(111)을 도전성 물질로 충진하여 상기 도전비아(131)를 형성하고, 상기 투광성 기판(110)의 하면에 상기 베이스 전극(132)을 형성할 수 있다.
상기 도전비아(131) 및 상기 베이스 전극(132)은 도금, 증착 등의 방법에 의해 형성될 수 있으며, 서로 같은 재질로 형성될 수도 있다.
한편, 상기 접합층(120)의 일부가 상기 홀(111) 내에 잔존하는 경우, 이를 에칭 등에 의해 제거한 후 상기 도전비아(131)를 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도전비아(131) 및 상기 베이스 전극(132)은 바람직하게는, 상기 발광 구조물(145)로부터 입사되는 빛을 효과적으로 반사할 수 있는 고반사율의 재질, 예를 들어, Ag, Rh, Ni, Au, Pd, Ir, Ti, Pt, W, Al 중 적어도 하나를 포함하도록 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 발광 구조물(145)에 아이솔레이션(Isolation) 에칭을 실시하고, 상기 발광 구조물(145)의 상면에 러프니스 또는 패턴을 형성할 수 있다.
상기 아이솔레이션 에칭은 복수개의 발광 소자를 개별 소자 단위로 구분하기 위해 실시될 수 있다.
상기 러프니스 또는 패턴은 광 추출 효율 향상을 위해 형성할 수 있으며, 예를 들어 에칭 공정 또는 패터닝에 의해 형성될 수 있다.
또한, 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 노출된 상기 오믹층(157)의 적어도 일부를 제거할 수 있다. 노출된 상기 오믹층(157)을 제거함으로써 상기 발광 소자(100)가 외부 전극 등과 전기적으로 쇼트(short)될 우려를 최소화할 수 있다. 다만, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 8을 참조하면, 상기 발광 구조물(145) 상에 상기 전극패드(160)를 형성하고, 상기 발광 구조물(145)의 측면에 상기 보호 부재(155)를 형성하여 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)를 제공할 수 있다.
상기 전극패드(160)는 증착, 도금 등의 방식에 의해 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 보호 부재(155)는 스퍼터링(Sputtering), PECVD, 전자빔(E-beam) 증착 등의 방식에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 보호 부재(155)는 상기 발광 구조물(145)의 측면 뿐 아니라, 상면의 둘레 영역에 더 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 후속 공정으로 복수개의 발광 소자를 개별 소자 단위로 분리하기 위한 칩 분리 공정이 실시될 수 있다. 상기 칩 분리 공정은 일반적으로 예를 들어, 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정, 브레이킹 공정 등에 의해 실시될 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자(100)는 금속 재질의 기판 대신 상기 투광성 기판(110)을 사용할 수 있으므로, 칩 분리를 위한 상기 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정 및 브레이킹 공정이 용이하게 실시될 수 있다.
나아가, 상기 칩 분리 공정을 상기 아이솔레이션 에칭 공정과 별도로 실시하지 않고, 동시에 실시하여 상기 발광 소자(100)의 제조 공정을 효율성을 높일 수도 있다.
이하, 상기 오믹층(157)의 형태에 따른 다양한 실시예들을 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 것과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 9 내지 도 11은 상기 오믹층(157)의 형태에 대한 다양한 실시예들을 설명하는 도면이다.
(제2 실시예)
도 9를 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광 소자(100B)는 투광성 기판(110)과, 상기 투광성 기판(110) 상에 접합층(120)과, 상기 접합층(120) 상의 일부 영역의 일부 영역에 선택적으로 형성된 오믹층(157b)과, 상기 오믹층(157b) 및 상기 접합층(120) 상에 형성되어 빛을 생성하는 발광 구조물(145)과, 상기 투광성 기판(110)의 하면에 형성된 베이스 전극(132)과, 상기 투광성 기판(110)을 관통하여 상기 발광 구조물(145) 및 상기 베이스 전극(132)을 전기적으로 연결하는 도전비아(131)를 포함할 수 있다.
상기 오믹층(157b)은 상기 접합층(120) 상의 일부 영역에 선택적으로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 발광 구조물(145)의 하면은 상기 오믹층(157b) 및 상기 접합층(120)과 접촉되게 된다.
또한, 상기 도전비아(131)는 일단이 상기 발광 구조물(145)과 접촉하도록 형성될 수 있다.
이때, 상기 접합층(120)이 절연 재질로 형성되고, 상기 발광 구조물(145)이 상기 오믹층(157b)과 오믹 접촉을 이루고, 상기 도전비아(131)가 상기 발광 구조물(145)과 쇼트키 접촉을 이루는 재질로 형성되는 경우, 전원이 상기 전극패드(160)와 상기 도전비아(131) 사이의 최단 거리로 흐르는 것이 방지되어, 상기 발광 구조물(145) 내에 전원이 골고루 스프레딩 될 수 있다.
(제3 실시예)
도 10을 참조하면, 제3 실시예에 따른 발광 소자(100C)는 투광성 기판(110)과, 상기 투광성 기판(110) 상에 접합층(120)과, 상기 접합층(120) 상의 일부 영역에 선택적으로 형성된 오믹층(157c) 및 반사층(158)과, 상기 오믹층(157c) 및 반사층(158) 상에 형성되어 빛을 생성하는 발광 구조물(145)과, 상기 투광성 기판(110)의 하면에 형성된 베이스 전극(132)과, 상기 투광성 기판(110)을 관통하여 상기 발광 구조물(145) 및 상기 베이스 전극(132)을 전기적으로 연결하는 도전비아(131)를 포함할 수 있다.
상기 오믹층(157c) 및 반사층(158)은 상기 접합층(120) 상에 형성될 수 있다. 이때, 도시된 것처럼, 상기 오믹층(157c) 및 반사층(158)은 선택적으로 패턴을 가지도록 형성될 수 있다.
상기 오믹층(157c)은 빛을 투과하는 재질로 형성되고, 상기 반사층(158)은 빛을 반사하는 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 발광 구조물(145)에서 생성된 빛 중 상기 오믹층(157c)으로 입사되는 빛은 투과되어 상기 투광성 기판(110)로 입사되고, 상기 반사층(158)으로 입사되는 빛은 상기 발광 구조물(145)로 반사되는 과정을 거쳐 외부로 추출될 수 있다.
상기 반사층(158)은 예를 들어, Ag, Rh, Ni, Au, Pd, Ir, Ti, Pt, W, Al 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
한편, 상기 반사층(158) 및 상기 도전비아(131)가 상기 발광 구조물(145)과 쇼트키 접촉을 이루는 경우, 전원이 상기 전극패드(160)와 상기 도전비아(131) 사이의 최단 거리로 흐르는 것이 방지되어, 상기 발광 구조물(145) 내에 전원이 골고루 스프레딩 될 수 있다.
(제4 실시예)
도 11을 참조하면, 제4 실시예에 따른 발광 소자(100D)는 투광성 기판(110)과, 상기 투광성 기판(110) 상에 접합층(120) 및 반사층(158d)과, 상기 접합층(120) 및 반사층(158d) 상에 오믹층(157)과, 상기 오믹층(157) 상에 형성되어 빛을 생성하는 발광 구조물(145)과, 상기 투광성 기판(110)의 하면에 형성된 베이스 전극(132)과, 상기 투광성 기판(110)을 관통하여 상기 발광 구조물(145) 및 상기 베이스 전극(132)을 전기적으로 연결하는 도전비아(131)를 포함할 수 있다.
상기 반사층(158d)은 빛을 반사하는 재질, 예를 들어 Ag, Rh, Ni, Au, Pd, Ir, Ti, Pt, W, Al 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 선택적으로 형성될 수 있다.
따라서, 상기 발광 구조물(145)에서 생성된 빛 중 상기 반사층(158d)으로 입사되는 빛은 상기 발광 구조물(145)을 향해 반사되는 과정을 거쳐 외부로 추출될 수 있다. 또한, 상기 발광 구조물(145)에서 생성된 빛 중 상기 반사층(158d) 사이로 입사되는 빛은 상기 투광성 기판(110)으로 입사되어 상기 투광성 기판(110)의 측면을 통해 외부로 추출될 수 있다. 다만, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 도전비아(131)는 일단이 상기 발광 구조물(145)과 쇼트키 접촉을 이루도록 형성되는 경우, 전원이 상기 전극패드(160)와 상기 도전비아(131) 사이의 최단 거리로 흐르는 것이 방지함으로써 상기 발광 구조물(145) 내에 전원이 골고루 스프레딩 되도록 할 수 있다.
이하, 제5 실시예에 따른 발광 소자(100E)에 대해 상세히 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 것과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 12는 제5 실시예에 따른 발광 소자(100E)를 설명하는 도면이다. 제5 실시예에 따른 발광 소자(100E)는 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)에 비해 광변환층의 존부를 제외하고는 동일하다.
도 12를 참조하면, 제5 실시예에 따른 발광 소자(100E)는 광변환층(115)을 포함하는 투광성 기판(110)과, 상기 투광성 기판(110) 상에 오믹층(157)과, 상기 오믹층(157) 상에 형성되어 빛을 생성하는 발광 구조물(145)과, 상기 투광성 기판(110)의 하면에 형성된 베이스 전극(132)과, 상기 투광성 기판(110)을 관통하여 상기 발광 구조물(145) 및 상기 베이스 전극(132)을 전기적으로 연결하는 도전비아(131)를 포함할 수 있다.
상기 투광성 기판(110)은 상기 광변환층(115)을 포함할 수 있다. 상기 광변환층(115)은 상기 투광성 기판(110)의 상부 영역, 중간 영역, 하부 영역 중 적어도 한 영역에 형성되거나, 측면 영역에 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 광변환층(115)은 예를 들어, 수지 또는 실리콘 재질에 형광체를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 광변환층(115)은 상기 형광체를 포함하므로, 상기 발광 구조물(145)에서 생성되어 상기 광변환층(115)으로 입사되는 빛의 파장을 변화시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 발광 구조물(145)에서 생성된 제1빛이 상기 광변환층(115)에 입사되는 경우, 상기 광변환층(115)에 포함된 형광체가 상기 제1빛에 의해 여기되어 제2빛을 생성할 수 있다. 따라서, 상기 발광 소자(100E)는 상기 제1빛과 제2빛이 혼색된 빛을 방출할 수 있다.
예를 들어, 상기 광변환층(115)이 황색 형광체를 포함하고, 상기 발광 구조물(145)이 청색 광을 생성하는 경우 실시예에 따른 발광 소자(100E)는 백색광을 방출할 수 있다.
이하, 제6 실시예에 따른 발광 소자(100F)에 대해 상세히 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 것과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 13은 제6 실시예에 따른 발광 소자(100F)를 설명하는 도면이다. 제6 실시예에 따른 발광 소자(100F)는 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)에 비해 투광성 기판의 형상을 제외하고는 동일하다.
도 13을 참조하면, 제6 실시예에 따른 발광 소자(100F)의 투광성 기판(110)은 하단의 모서리가 일부 제거될 수 있다. 이에 따라 상기 투광성 기판(110)의 상면과 하면의 면적이 상이할 수 있다.
이처럼, 상기 모서리가 제거되어 형성되어 형성된 상기 투광성 기판(110)의 측면은 평면, 오목 또는 볼록한 곡면 등의 형상을 가질 수 있으며, 이에 따라, 상기 투광성 기판(110)의 면적은 하부 영역에서 상부 영역으로 갈수록 대체적으로 커지도록 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 투광성 기판(110)이 이러한 형상을 가짐으로써 부피가 줄어들게 되므로, 상기 투광성 기판(110) 외부로 방출되지 못하고 내부에 갇히는 빛의 양을 최소화하여 상기 발광 소자(100F)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 투광성 기판(110)의 측면을 곡면으로 형성함으로써 광추출 효율을 향상시킬 수도 있다.
도 14는 실시예에 따른 발광 소자(100)를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 14를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체부(20)와, 상기 몸체부(20)에 설치된 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과, 상기 몸체부(20)에 설치되어 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)를 포함한다.
상기 몸체부(20)는 실리콘 재질, 합성수지 재질 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 몸체부(20) 상에 설치되거나 상기 제1 전극층(31) 또는 제2 전극층(32) 상에 설치될 수 있다.
그리고, 상기 발광 소자(100)는 와이어 본딩 방식, 다이 본딩, 플립 칩 방식 등에 의해 상기 제1,2 전극층(31,32)과 전기적으로 연결되어 빛을 생성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
상기 발광 소자 패키지는 상기에 개시된 실시 예들의 발광 소자 중 적어도 하나를 하나 또는 복수개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110 : 투광성 기판 131 : 도전비아
132 : 베이스 전극 145 : 발광 구조물
157 : 오믹층

Claims (19)

  1. 투광성 기판;
    상기 투광성 기판 상에 오믹층;
    상기 오믹층 상에 형성되고, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하여 빛을 생성하는 발광 구조물;
    상기 투광성 기판의 하면에 베이스 전극; 및
    상기 투광성 기판을 관통하여 상기 베이스 전극이 상기 오믹층과 연결되도록 형성되는 도전비아를 포함하고,
    상기 투광성 기판은 상기 발광 구조물보다 두껍게 형성되고 하부 영역에서 상부 영역으로 갈수록 면적이 커지도록 형성되는 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 투광성 기판의 두께는 100μm 내지 1000μm인 발광 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 투광성 기판은 사파이어(Al2O3), 글래스 재질, GaN, ZnO 또는 AlN 중 어느 하나로 형성된 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 투광성 기판의 굴절률은 상기 발광 구조물의 굴절률보다 작은 발광 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 투광성 기판의 측면에는 러프니스가 형성된 발광 소자.
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 투광성 기판의 측면은 평면, 오목한 곡면 또는 볼록한 곡면 중 적어도 하나의 형상을 갖는 발광 소자.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 투광성 기판은 광변환층을 포함하며, 상기 광변환층은 형광체를 포함하여 입사되는 빛의 파장을 변화시키는 발광 소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 오믹층은 상기 발광 구조물과 오믹 접촉을 형성하며, 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 박막 중 어느 하나로 형성된 발광 소자.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 오믹층은 상기 투광성 기판 상의 일부 영역에 선택적으로 형성된 발광 소자.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 투광성 기판 상에 상기 발광 구조물과 쇼트키 접촉을 형성하는 반사층을 더 포함하는 발광 소자.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 반사층은 상기 투광성 기판 상의 일부 영역에 선택적으로 형성된 발광 소자.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 오믹층 및 상기 투광성 기판 사이에 접합층을 포함하는 발광 소자.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 도전비아 및 상기 베이스 전극은 높은 반사율을 갖는 재질로 형성된 발광 소자.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 도전비아는 상기 발광 구조물과 쇼트키 접촉을 형성하는 발광 소자.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 제 1항 내지 제5항, 제7항 내지 제15 항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자;
    상기 발광 소자가 배치되는 패키지 몸체; 및
    상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 제1 전극층 및 제2 전극층을 포함하는 발광 소자 패키지.
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TW100105355A TWI446586B (zh) 2010-02-18 2011-02-18 發光裝置
CN201110042251.2A CN102163669B (zh) 2010-02-18 2011-02-18 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013085311A1 (ko) * 2011-12-06 2013-06-13 An Sang Jeong 반도체 발광소자

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101707532B1 (ko) * 2010-10-29 2017-02-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP2013074245A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Oki Electric Ind Co Ltd 発光ダイオードの製造方法及び発光ダイオード
CN102738347B (zh) * 2012-01-18 2015-01-14 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 具有自组成式纳米结构的白光led芯片结构
CN108365074A (zh) * 2012-07-18 2018-08-03 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件
KR101886156B1 (ko) * 2012-08-21 2018-09-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR101977278B1 (ko) * 2012-10-29 2019-09-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102075981B1 (ko) 2014-02-21 2020-02-11 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지의 제조방법
CN104953000B (zh) * 2014-03-27 2019-02-15 首尔伟傲世有限公司 发光二极管及发光装置
US9978724B2 (en) 2014-06-27 2018-05-22 Bridgelux, Inc. Red flip chip light emitting diode, package, and method of making the same
DE112015004661B4 (de) * 2014-11-07 2022-10-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung
US9356199B1 (en) * 2015-01-14 2016-05-31 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Light-emitting device and light-emitting device package
CN105977353B (zh) * 2016-05-11 2018-11-09 青岛杰生电气有限公司 一种紫外发光二极管
DE102017125413A1 (de) 2016-11-01 2018-05-03 Nichia Corporation Lichtemitierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
CN108281540B (zh) * 2018-01-26 2020-05-22 扬州乾照光电有限公司 一种热电分流垂直结构led芯片及其制作方法
US10804440B2 (en) * 2018-12-21 2020-10-13 Lumileds Holding B.V. Light extraction through adhesive layer between LED and converter

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080112947A (ko) * 2007-06-22 2008-12-26 산켄덴키 가부시키가이샤 반도체 발광장치
WO2009016529A1 (en) * 2007-07-27 2009-02-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device including a photonic crystal and a luminescent ceramic
KR20090062229A (ko) * 2007-12-12 2009-06-17 엘지이노텍 주식회사 다층 기판 및 이를 구비한 발광 다이오드 모듈
KR20090119259A (ko) * 2008-05-15 2009-11-19 한국광기술원 수직형 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004104100A (ja) * 2002-09-10 2004-04-02 Arima Optoelectronics Corp 発光ダイオード及びその製造方法
US7531380B2 (en) * 2003-04-30 2009-05-12 Cree, Inc. Methods of forming light-emitting devices having an active region with electrical contacts coupled to opposing surfaces thereof
TWI234298B (en) * 2003-11-18 2005-06-11 Itswell Co Ltd Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same
JP2006049765A (ja) * 2004-08-09 2006-02-16 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2006278567A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄユニット
KR100632006B1 (ko) 2005-09-27 2006-10-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
KR100818466B1 (ko) * 2007-02-13 2008-04-02 삼성전기주식회사 반도체 발광소자
KR100872717B1 (ko) * 2007-06-22 2008-12-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR100907223B1 (ko) 2007-07-03 2009-07-10 한국광기술원 수직형 발광 다이오드 및 그의 제조방법
KR100975659B1 (ko) * 2007-12-18 2010-08-17 포항공과대학교 산학협력단 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5284300B2 (ja) * 2010-03-10 2013-09-11 株式会社東芝 半導体発光素子、およびそれを用いた照明装置、ならびに半導体発光素子の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080112947A (ko) * 2007-06-22 2008-12-26 산켄덴키 가부시키가이샤 반도체 발광장치
WO2009016529A1 (en) * 2007-07-27 2009-02-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device including a photonic crystal and a luminescent ceramic
KR20090062229A (ko) * 2007-12-12 2009-06-17 엘지이노텍 주식회사 다층 기판 및 이를 구비한 발광 다이오드 모듈
KR20090119259A (ko) * 2008-05-15 2009-11-19 한국광기술원 수직형 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013085311A1 (ko) * 2011-12-06 2013-06-13 An Sang Jeong 반도체 발광소자
KR101321002B1 (ko) * 2011-12-06 2013-10-29 안상정 반도체 발광소자

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