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KR101017796B1 - 접촉형 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치 - Google Patents

접촉형 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치 Download PDF

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Publication number
KR101017796B1
KR101017796B1 KR1020090005414A KR20090005414A KR101017796B1 KR 101017796 B1 KR101017796 B1 KR 101017796B1 KR 1020090005414 A KR1020090005414 A KR 1020090005414A KR 20090005414 A KR20090005414 A KR 20090005414A KR 101017796 B1 KR101017796 B1 KR 101017796B1
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KR
South Korea
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terahertz
time domain
asymmetric
lens
meter
Prior art date
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KR1020090005414A
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English (en)
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KR20100086189A (ko
Inventor
안재욱
이강희
이민우
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한국과학기술원
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Publication date
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    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02—Details
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    • G—PHYSICS
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Abstract

접촉형 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치를 개시한다. 테라헤르츠 시분해 분광 장치는 테라헤르츠 전자기파를 발생하는 테라헤르츠 발생기와, 상기 발생된 테라헤르츠 전자기파를 측정하고자 하는 샘플에 맞추고 반사시키는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈 및 상기 비대칭형 테라헤르츠 렌즈로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파를 측정하는 테라헤르츠 측정기를 포함할 수 있다.
테라헤르츠 시간 도메인 분광(terahertz time domain spectrum), 반사형(reflection type), 접촉형(contact type), 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(asymmetric terahertz lense)

Description

접촉형 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치{CONTACT TYPE TERAHERTZ TIME DOMAIN SPECTRUM DEVICE}
본 발명은 테라헤르츠 파장영역을 이용하여 영상을 획득할 수 있는 반사 형태의 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 측정하고자 하는 샘플에 직접 모듈을 접촉하여 샘플의 특징을 측정할 수 있는 접촉 형태의 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치는 테라헤르츠 전자기파를 가하였을 때 테라헤르츠 전자기파의 시간 도메인 파형을 측정하는 장치이다. 이러한 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치는 투과되는 테라헤르츠 전자기파를 측정하는 투과형 타입과 반사되어 나오는 테라헤르츠 전자기파를 측정하는 반사형 타입이 있다.
종래 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치는 테라헤르츠 전자기파가 가시광선 영역의 빛에 비해 그 파장이 길어서 발생 시 회절 효과에 의해 퍼져 나가게 되므로 퍼져 나가는 테라헤르츠 전자기파를 집속하기 위해 비축(off-axis) 파라볼라 거울을 사용한다. 이처럼 종래 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치는 비축 파라볼라 거 울을 사용함에 따라 광학계의 크기가 내시경과 같은 용도로 사용하기에 너무 클 뿐만 아니라 테라헤르츠 전자기파가 집속되는 부분에 샘플을 두어야 하는 어려움이 있다.
본 발명은 테라헤르츠 전자기파를 집속하기 위해 비대칭형 테라헤르츠 렌즈를 사용하여 내시경과 같은 응용이 가능할 정도의 소형 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치를 제공한다.
또한 본 발명은 렌즈에 바로 샘플을 가져다 두는 접촉 형태로 측정이 가능하여 샘플을 테라헤르츠 전자기파가 집속되는 곳에 놓을 필요가 없어 측정이 용이한 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치를 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치는 테라헤르츠 전자기파를 발생하는 테라헤르츠 발생기와, 상기 발생된 테라헤르츠 전자기파를 측정하고자 하는 샘플에 맞추고 반사시키는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈 및 상기 비대칭형 테라헤르츠 렌즈로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파를 측정하는 테라헤르츠 측정기를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 테라헤르츠 전자기파를 집속하기 위해 비대칭형 테라헤르츠 렌즈를 사용하여 내시경과 같은 응용이 가능할 만큼의 소형 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치를 제공할 수 있다.
또한 본 발명의 일실시예에 따르면, 렌즈에 바로 샘플을 가져다 두는 접촉 형태로 측정이 가능하여 샘플을 테라헤르츠 전자기파가 집속되는 곳에 놓을 필요가 없어 상당히 용이하게 측정이 가능한 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치를 제공할 수 있다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치를 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치가 실제 측정에 응용될 때의 구성을 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 광원(10)은 테라헤르츠 시간 도메인 분광 영상을 얻기 위한 광펄스를 발생한다. 일례로 광원(10)은 상기 광펄스의 시간 폭이 짧아야 하므로 펨토 초(femto second) 광펄스 레이저가 사용될 수 있다.
광원(10)에 의해 발생된 광펄스는 광섬유(40)를 통해 접촉형 시간 도메인 분광 장치(100)로 전송될 때 광섬유(40)가 가지고 있는 군속도 분산을 보상하기 위해 분광 보상 장치(15)를 거치게 된다. 일례로 분광 보상 장치(15)는 2개의 프리즘 또는 2개의 회절 격자로 구성될 수 있다.
분광 보상 장치(15)에 의해 보상된 광펄스는 빔 스플리터(20)에 의해 나누어지고, 각각 접촉형 시간 도메인 분광 장치(100)의 테라헤르츠 발생기(60)와 테라헤르츠 측정기(90)로 전송된다. 접촉형 시간 도메인 분광 장치(100)에서 사용되는 테라헤르츠 측정기(90)에 필요한 광에너지보다 테라헤르츠 발생기(60)에 필요한 광에너지가 크다.
그러므로 빔 스플리터(20)는 테라헤르츠 측정기(90)쪽보다 테라헤르츠 발생 기(60)쪽으로 상대적으로 더 많은 광에너지가 전송되도록 상기 보상된 광펄스를 제1광펄스 및 제2광펄스로 나눈다. 상기 제1광펄스는 테라헤르츠 발생기(60)로 전송되며, 상기 제2광펄스는 테라헤르츠 측정기(90)로 전송된다. 상기 제1광펄스의 광에너지가 상기 제2광펄스의 광에너지보다 더 크다.
상기 제1광펄스는 제1광섬유 런쳐(51)를 통해 제1광섬유(41)로 들어가고, 제1광섬유(41)로 들어간 제1광펄스는 테라헤르츠 발생기(60)로 전송된다.
테라헤르츠 발생기(60)는 상기 전송된 제1광펄스를 이용하여 테라헤르츠 전자기파를 발생한다. 이때 테라헤르츠 발생기(60)는 광전도 안테나를 사용할 수 있다. 일례로 테라헤르츠 발생기(60)는 갈륨 비소에 금속 안테나를 만들고 여기에 바이어스 전압을 걸어준 상태에서 상기 제1광펄스가 전송되면, 광흡수에 의해 발생된 자유전자를 가속하여 테라헤르츠 전자기파를 발생할 수 있다.
한편 상기 제2광펄스는 딜레이 라인(30)을 거치며, 딜레이 라인(30)은 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치(100)에서 발생되는 테라헤르츠의 측정 시간을 조절하기 위해 상기 제2광펄스에 대한 전송 속도를 지연시킨다.
딜레이 라인(30)을 거친 제2광펄스는 제2광섬유 런쳐(52)를 통해 제2광섬유(42)로 들어가고, 제2광섬유(42)로 들어간 제2광펄스는 테라헤르츠 측정기(90)로 전송된다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 발생된 테라헤르츠 전자기파가 비대칭형 테라헤르츠 렌즈에 의해 집속되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 테라헤르츠 발생기(60)에 의해 발생된 테라헤르츠 전자기파는 테라헤르츠 발생기(60)와 45도 각도로 이루어진 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)를 통해 측정하고자 하는 샘플(82)에 맞고 90도로 반사하게 된다. 이때 반사된 테라헤르츠 전자기파는 테라헤르츠 측정기(90)에 도달하게 된다. 테라헤르츠 측정기(90)는 상기 도달된 테라헤르츠 전자기파를 이용하여 샘플(82)에 대한 테라헤르츠 전자기파를 측정한다. 테라헤르츠 측정기(90)는 광전도 안테나를 사용할 수 있다. 일례로 테라헤르츠 측정기(90)는 제2광섬유(42)에 따라 제2광펄스가 전송되면, 광흡수에 의해 자유전자가 생겨나고, 이때 상기 반사된 테라헤르츠 전자기파가 전달되면, 상기 테라헤르츠 전자기파에 의해 자유전자가 상기 광전도 안테나 사이를 이동하게 되어 생성되고, 상기 생성된 전류로 샘플(82)에 대한 테라헤츠르 전자기파를 측정한다.
테라헤르츠 발생기(60), 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80) 및 테라헤르츠 측정기(90)는 이등변 직각 삼각형 기둥 형태의 모듈 마운트(70)에 의해 각각의 면에 고정된다. 일례로 테라헤르츠 발생기(60)는 이등변 직각 삼각형 기둥 형태의 모듈 마운트(70)의 밑변에 대응되는 면에 고정되고, 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)는 모듈 마운트(70)의 빗변에 대응되는 면에 고정되고, 테라헤르츠 측정기(90)는 모듈 마운트(70)의 높이에 대응되는 면에 고정될 수 있다. 다른 일례로 테라헤르츠 발생기(60)는 모듈 마운트(70)의 높이에 대응되는 면에 고정되고, 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)는 모듈 마운트(70)의 빗변에 대응되는 면에 고정되고, 테라헤르츠 측정기(90)는 모듈 마운트(70)의 밑변에 대응되는 면에 고정될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 모듈 마운트, 테라헤르츠 발생기 및 테라헤르츠 측정기를 3차원적으로 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치(100)에서 모듈 마운트(70)는 직각 이등변 삼각형 기둥 형태이며, 알루미늄 또는 플라스틱과 같이 가볍고 단단한 재질로 만들어질 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 비대칭형 테라헤르츠 렌즈가 없는 경우의 테라헤르츠 전자기파가 집속되지 않고 퍼져나가 상태를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 도 2에 도시된 접촉형 시간 도메인 분광 장치(100)에서 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)가 없는 경우 테라헤르츠 발생기(60)에서 발생된 테라헤르츠 전자기파는 샘플(82)에 맞고 반사되면서 계속 퍼져나가게 된다. 이는 테라헤르츠 측정기(90)로 전송되는 신호의 세기를 약하게 할 뿐만 아니라 실제 발생된 테라헤츠르 전자기파의 진행 경로의 차이에 의한 신호의 왜곡을 가져온다.
따라서, 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치(100)는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)가 필요하며, 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)가 존재하기 때문에 테라헤르츠 발생기(60)와 테라헤르츠 측정기(90)가 약간씩 직각 삼각형에서의 직각 쪽으로 이동시켜 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(60)의 중심과 맞게 테라헤르츠 전자기파를 진행시킬 필요가 있다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 사용되는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈에 의해 테라헤르츠 발생기와 테라헤르츠 측정기가 조금씩 이동해야 하는 상황을 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 모듈 마운트(70)는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)의 중심에 맞도록 상기 직각 이등변 삼각형에서 테라헤르츠 발생기(60) 및 상기 테라헤르츠 측정기(90)를 직각 쪽으로 이동시키는 위치에 고정시킨다.
비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)는 중심 두께(
Figure 112009004258046-pat00001
)에 따라 테라헤르츠 전자기파를 굴절시킨다. 상기 테라헤르츠 전자기파의 이동 거리(D)는 수학식 1과 같이 표현된다.
Figure 112009004258046-pat00002
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 사용되는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈의 모양을 수학적으로 기술하기 위해 좌표축과 모듈 마운트를 같이 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)가 위치한 모듈 마운트(70)의 직각 이등변 삼각형 모양에서 대각선에 평행한 대각면을 xy 평면으로 잡고, 직각 이등변 삼각형에 평행한 방향을 x축으로 정하고, 수직인 방향을 y축으로 정하고, 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)의 중심을 평면의 중심으로 좌표축이 설정된다.
Figure 112009004258046-pat00003
상기 설정된 좌표축에 따라 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)의 중심에서 테라헤르츠 발생기(60)와 테라헤르츠 측정기(90)가 있는 면의 중심까지의 거리를 R이라고 하면, 테라헤츠르 발생기(60)의 좌표 및 테라헤르츠 측정기(90)의 좌표는 수학식 1에 의해 수학식 2와 같이 표현될 수 있다.
만일 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)의 중심 두께(
Figure 112009004258046-pat00004
)가 접촉형 시간 도메인 분광 장치(100)가 이루는 광학계에 비해서 충분히 짧다면, 테라헤르츠 발생기(60)의 좌표 및 테라헤르츠 측정기(90)의 좌표는 수학식 3과 같이 표현될 수 있다.
Figure 112009004258046-pat00005
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 xyz 좌표축을 기준으로 테라헤르츠 전자기파의 이동을 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)의 xy 평면에 어떠한 부분에서 테라헤르츠 전자기파가 반사되었느냐에 따라 상기 테라헤르츠 전자기파에 대한 반사 거리가 달라진다. 이를 구체적으로 계산하기 위해 xy 평면에서 테라헤르츠 전자기파가 반사되는 부분의 좌표를 (X, Y, 0)라고 하면, 거리(L)은 수학식 4와 같이 표현될 수 있다.
Figure 112009004258046-pat00006
이때 근축광선(paraxial ray)에 대해서는 X, Y<R이라고 하면,
Figure 112009004258046-pat00007
과
Figure 112009004258046-pat00008
의 2차항까지 근사하여 표현하면 상기 거리(L)은 수학식 5와 같이 표현될 수 있다.
Figure 112009004258046-pat00009
일반적으로 렌즈는 광원에서 상까지의 여러 경로에 대해 같은 광 경로 거리(Optical Path Length)를 갖게 하여 상을 맺히게 한다. 여기서, 상기 광 경로 거리는 빛의 이동 거리에 이동하고 있는 매질의 굴절계수를 곱하여서 표현된 값이다.
따라서, 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)는 이러한 광 경로 거리를 여러 경로에 대해서 같게 만드는 형태로 디자인되어야 한다. 즉, 비대칭형 테라헤르츠 렌 즈(80)의 두께는 수학식 5에서
Figure 112009004258046-pat00010
항을 보상해주어야 한다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 사용되는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈에서의 광 거리를 도시한 도면이다.
도 8을 참조하면, 이때 입사각은 45도이고, 반사되는 지점이 (X, Y, 0)일 때 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)의 두께를 T(X, Y)라고 하면, 평면 Z=
Figure 112009004258046-pat00011
에서 샘플(82)에 맞고 반사되어 다시 평면
Figure 112009004258046-pat00012
에 도달했을 때까지의 광 거리(OPL)는 수학식 6과 같이 표현될 수 있다.
Figure 112009004258046-pat00013
여기서,
Figure 112009004258046-pat00014
는 굴절각을 의미하며, 입사각이 45도이므로 스넬의 법칙에 의해 표현될 수 있다.
비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)가 테라헤르츠 측정기(90)까지 테라헤르츠를 잘 보내주려면 수학식 6에 기재된 광거리(OPL)와
Figure 112009004258046-pat00015
의 합이 상수가 되어야 한다. 이때 T(0, 0) =
Figure 112009004258046-pat00016
임을 고려하여 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)의 두께(T)를 구하면 수학식 7과 같이 표현될 수 있다.
Figure 112009004258046-pat00017
수학식 7과 같이 렌즈를 구성하게 되면, X축과 Y축이 비대칭 형태인 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)가 구성된다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 사용되는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈의 기하학적 모양을 3차원 그래프로 도시한 도면이다.
도 9를 참조하면, 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)는 비축 파라볼라 거울이 비대칭인 것과 같이 비대칭적인 모양으로 구현된다. 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)는 한쪽 면이 평면일 필요는 없지만 접촉 형태의 측정을 위해 샘플과 만나는 면을 평면으로 구현될 수 있다.
비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)는 색 수차를 무시할 수 있도록 하기 위해 굴절계수가 파장에 따른 변화가 적은 물질로 구성될 수 있다. 일례로 비대칭형 테라 헤르츠 렌즈(80)는 테라헤르츠 영역의 파장에서 그 굴절계수의 변화가 적은 테플론이나 도핑이 되지 않은 실리콘이 재료로 사용될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치(100)는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)를 사용함으로써 소형화됨에 따라 더욱 편안하게 테라헤르츠 전자기파를 측정할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치(100)는 발생된 테라헤르츠 전자기파를 90도로 돌려 측정하고, 그 과정에서 퍼지는 것을 모아주는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈(80)를 사용하면, 테라헤르츠 전자기파가 아니더라도 회절 효과가 큰 파동을 이용하여 측정하는 경우라면 얼마든지 응용이 가능하다.
또한 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치(100)는 테라헤르츠 전자기파를 집속하기 위해 비대칭형 테라헤르츠 렌즈를 사용함으로써 소형화됨에 따라 내시경과 같은 응용 분야에서 적용할 수 있다.
또한 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치(100)는 렌즈에 바로 샘플을 가져다 두는 접촉 형태로 측정이 가능하여 샘플을 테라헤르츠 전자기파가 집속되는 곳에 놓을 필요가 없어 상당히 용이하게 측정할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해 져야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치가 실제 측정에 응용될 때의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 발생된 테라헤르츠 전자기파가 비대칭형 테라헤르츠 렌즈에 의해 집속되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 마운트, 테라헤르츠 발생기 및 테라헤르츠 측정기를 3차원적으로 도시한 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 비대칭형 테라헤르츠 렌즈가 없는 경우의 테라헤르츠 전자기파가 집속되지 않고 퍼져나가 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 사용되는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈에 의해 테라헤르츠 발생기와 테라헤르츠 측정기가 조금씩 이동해야 하는 상황을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 사용되는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈의 모양을 수학적으로 기술하기 위해 좌표축과 모듈 마운트를 같이 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 xyz 좌표축을 기준으로 테라헤르츠 전자기파의 이동을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 사용 되는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈에서의 광 거리를 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 접촉형 시간 도메인 분광 장치에서 사용되는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈의 기하학적 모양을 3차원 그래프로 도시한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 광원 15: 분광 보상 장치
20: 빔 스플리터 30: 딜레인 라인
40: 광섬유 50: 광섬유 런쳐
60: 테라헤르츠 발생기 70: 모듈 마운트
80: 비대칭형 테라헤르츠 렌즈 82: 샘플
90: 테라헤르츠 측정기
100: 접촉형 시간 도메인 분광 장치

Claims (9)

  1. 광원에서 발생된 광펄스를 전송하는 광섬유가 가지는 군속도 분산을 보상하는 분광 보상 장치;
    상기 분광 보상 장치를 거쳐 전송된 상기 광펄스를 이용하여 테라헤르츠 전자기파를 발생하는 테라헤르츠 발생기;
    상기 발생된 테라헤르츠 전자기파를 측정하고자 하는 샘플에 맞추고 반사시키는 비대칭형 테라헤르츠 렌즈; 및
    상기 비대칭형 테라헤르츠 렌즈로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파를 측정하는 테라헤르츠 측정기
    를 포함하는 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 테라헤르츠 측정기의 측정 시간을 조절하기 위해 상기 테라헤르츠 측정기로 전송되는 광펄스를 지연시키는 딜레이 라인을 더 포함하는 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 분광 보상 장치에 의해 보상된 광펄스를 나누어 각각 상기 테라헤르츠 발생기와 상기 테라헤르츠 측정기로 전송하는 빔 스플리터를 더 포함하고,
    상기 빔 스플리터는,
    상기 테라헤르츠 발생기로 전송되는 광에너지가 상기 테라헤르츠 측정기로 전송되는 광에너지보다 큰 전송되도록 상기 보상된 광펄스를 나누는 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 테라헤르츠 발생기, 상기 비대칭형 테라헤르츠 렌즈 및 상기 테라헤르츠 측정기를 고정시키는 모듈 마운트를 더 포함하는 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 모듈 마운트는,
    직각 이등변 삼각형이며, 각각의 면에 테라헤르츠 발생기, 상기 비대칭형 테라헤르츠 렌즈 및 상기 테라헤르츠 측정기가 고정시키는 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 모듈 마운트는,
    상기 비대칭형 테라헤르츠 렌즈의 중심에 맞도록 상기 직각 이등변 삼각형에서 상기 테라헤르츠 발생기 및 상기 테라헤르츠 측정기를 직각 쪽으로 이동시키는 위치에 고정시키는 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 비대칭형 테라헤르츠 렌즈의 중심은,
    상기 모듈 마운트의 직각 이등변 삼각형 모양에서 대각선에 평행한 대각선면을 xy 평면으로 잡고, 상기 직각 이등변 삼각형에 평행한 방향을 x축으로 정하고, 상기 직각 이등변 삼각형에 수직인 방향을 y축으로 정하여 상기 xy평면의 중심이 되는 테라헤르츠 시간 도메인 분광 장치.
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