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KR101016437B1 - Reconfigurable logic device using spin accumulation and diffusion - Google Patents

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KR101016437B1
KR101016437B1 KR1020090077622A KR20090077622A KR101016437B1 KR 101016437 B1 KR101016437 B1 KR 101016437B1 KR 1020090077622 A KR1020090077622 A KR 1020090077622A KR 20090077622 A KR20090077622 A KR 20090077622A KR 101016437 B1 KR101016437 B1 KR 101016437B1
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KR
South Korea
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terminal ferromagnetic
input terminal
output terminal
channel layer
ferromagnetic material
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Application number
KR1020090077622A
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Korean (ko)
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구현철
한석희
장준연
김형준
구장해
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한국과학기술연구원
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: A multifunction logic device is provided to implement a multifunction logic gate in a narrow area by using spin information which is transferred from a ferromagnetic part to a channel. CONSTITUTION: A multifunction logic device comprises a substrate part(100), two input terminal ferromagnetic material patterns(102,103), and an output terminal ferromagnetic material(104). The substrate part has a channel layer. Two input terminal ferromagnetic material patterns are formed on the substrate part. The two input terminal ferromagnetic material patterns are the input terminal of a logic gate. The output terminal ferromagnetic material is formed on the substrate part. The output terminal ferromagnetic material is arranged between the two input terminal ferromagnetic material patterns. The output terminal ferromagnetic material is the output terminal of the logic gate.

Description

스핀 축적과 확산을 이용한 다기능 논리 소자{Reconfigurable logic device using spin accumulation and diffusion}Reconfigurable logic device using spin accumulation and diffusion

본 발명은 논리 소자에 관한 것으로, 특히 강자성체에서 채널로 전달하는 스핀 정보를 이용하여 작은 소자 면적으로도 여러가지 기능의 논리 게이트를 구현할 수 있는 스핀 소자 기반의 논리 소자에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a logic device, and more particularly, to a spin device-based logic device capable of implementing logic gates of various functions with a small device area using spin information transmitted from a ferromagnetic material to a channel.

현재 반도체 논리회로는 많은 전자 장치에서 이용되는 가장 중요하고 부가가치가 높은 분야중의 하나로 많은 연구가 진행되고 있다. 현재 사용되고 있는 논리 회로는 여러 가지 연산의 종류에 따라 각기 다른 구조로 결합되어야 하며 한 가지 연산을 수행하기 위해서도 매우 복잡한 구조를 갖기도 한다. 최근 들어 반도체 소자에서 큰 관심을 갖고 있는 요구사항은 소형화와 다기능화이다. 이 두 가지 요구사항은 서로 결부되어 있는데 기존 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)을 이용한 논리회로는 면적 축소에 있어서 물리적 한계에 거의 접근했으며 다기능의 논리회로를 구성하는 데에도 많은 어려움이 있다.Currently, semiconductor logic circuits are one of the most important and high value-added fields used in many electronic devices. Currently used logic circuits must be combined into different structures according to various types of operations, and they may have very complex structures to perform a single operation. In recent years, requirements that are of great interest in semiconductor devices are miniaturization and multifunction. These two requirements are linked to each other. Logic circuits using existing metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) have approached physical limits in area reduction and have many difficulties in constructing multifunctional logic circuits.

본 발명의 일 과제는 강자성체에서 채널로 전달하는 스핀 정보를 이용하여 작은 면적으로도 다기능의 논리 게이트를 구현할 수 있는 논리 소자를 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a logic device capable of implementing a multi-functional logic gate with a small area by using spin information transmitted from a ferromagnetic material to a channel.

본 발명의 일 양태에 따른 논리 소자는, 채널층을 갖는 기판부; 상기 기판부 상에 형성되며, 상기 채널층의 길이 방향을 따라 서로 이격하여 배치되어 논리 게이트의 입력단이 되는 2개의 입력단 강자성체 패턴; 및 상기 기판부 상에 형성되며, 상기 2개의 입력단 강자성체 패턴 사이에 배치되어 논리 게이트의 출력단이 되는 출력단 강자성체를 포함한다. 상기 입력단 강자성체 패턴으로부터 상기 채널층로 주입된 전자 스핀의 축적과 확산을 이용하여 상기 출력단 강자성체에서 출력 전압을 읽는다.A logic element according to one aspect of the present invention includes a substrate portion having a channel layer; Two input terminal ferromagnetic patterns formed on the substrate and spaced apart from each other along a length direction of the channel layer to become an input terminal of a logic gate; And an output terminal ferromagnetic material formed on the substrate and disposed between the two input terminal ferromagnetic patterns to be an output terminal of the logic gate. The output voltage is read from the output terminal ferromagnetic material by accumulation and diffusion of electron spin injected from the input terminal ferromagnetic pattern into the channel layer.

상기 입력단 강자성체 패턴에 의해 입력되는 입력값은 상기 입력단 강자성체 패턴의 자화방향에 의해 결정될 수 있다. The input value input by the input terminal ferromagnetic pattern may be determined by the magnetization direction of the input terminal ferromagnetic pattern.

상기 출력단 강자성체의 자화방향과 기준전압을 변화시킴으로써, 상기 논리 소자는 AND, OR, NOR 및 NAND 게이트로 논리 소자 기능이 변환될 수 있다.By changing the magnetization direction and the reference voltage of the ferromagnetic material of the output terminal, the logic device functions can be converted into AND, OR, NOR and NAND gates.

상기 2개의 입력단 강자성체 패턴 아래에서 축적되고 채널을 통해 상기 출력단 강자성체로 확산되어 합쳐진 스핀 정보를 상기 출력단 강자성체가 감지할 수 있다. The output terminal ferromagnetic material may sense spin information accumulated under the two input terminal ferromagnetic patterns and diffused and merged into the output terminal ferromagnetic material through a channel.

상기 논리 소자는 상기 입력단 강자성체 패턴으로부터 외측으로 이격되어 상기 출력단 강자성체의 반대측에 배치된 2개의 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 입력단 강자성체 패턴으로부터 상기 채널층을 통해 상기 전극으로 입력 전류가 흐를 수 있다. The logic device may further include two electrodes spaced apart from the input terminal ferromagnetic pattern on the opposite side of the output terminal ferromagnetic material. An input current may flow from the input terminal ferromagnetic pattern to the electrode through the channel layer.

상기 전극은 비자성체 패턴으로 되어 있고, 전류가 입력단 강자성체 패턴에서 출력단 강자성체로 흐르는 것을 억제하도록 상기 입력단 강자성체 패턴과 출력단 강자성체 간의 간격보다 좁은 간격을 두고 상기 입력단 강자성체 패턴에 근접하여 배치될 수 있다.The electrode may have a nonmagnetic pattern, and may be disposed in close proximity to the input terminal ferromagnetic pattern with a gap smaller than a distance between the input terminal ferromagnetic pattern and the output terminal ferromagnetic material so as to prevent current from flowing from the input terminal ferromagnetic pattern to the output terminal ferromagnetic material.

상기 채널층은, 상기 출력단 강자성체가 배치된 중앙부보다 상기 입력단 강자성체 패턴의 외측에서 넓은 폭을 가질 수 있다. 이로써, 전류가 입력단 강자성체 패턴에서 바깥으로 흐르게 하여 전류가 중앙의 출력단 강자성체로 흐르는 것을 방지할 수 있다. The channel layer may have a wider width on the outside of the input terminal ferromagnetic pattern than the center portion where the output terminal ferromagnetic material is disposed. As a result, the current flows outward in the input terminal ferromagnetic pattern, thereby preventing the current from flowing to the center output terminal ferromagnetic material.

상기 입력단 강자성체 패턴 및 출력단 강자성체 중 적어도 하나는 CoFe, Co, Ni, NiFe 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. At least one of the input terminal ferromagnetic pattern and the output terminal ferromagnetic may be selected from the group consisting of CoFe, Co, Ni, NiFe, and combinations thereof.

상기 입력단 강자성체 패턴 및 출력단 강자성체 중 적어도 하나는 (Ga,Mn)As, (In,Mn)As 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 자성체 반도체일 수 있다.At least one of the input terminal ferromagnetic pattern and the output terminal ferromagnetic may be a magnetic semiconductor selected from the group consisting of (Ga, Mn) As, (In, Mn) As, and combinations thereof.

상기 채널층은 2차원 전자가스층일 수 있다. 상기 2차원 전자가스층은 GaAs, InAs, InGaAs, InSb 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 형성될 수 있다. The channel layer may be a two-dimensional electron gas layer. The two-dimensional electron gas layer may be formed of a material selected from the group consisting of GaAs, InAs, InGaAs, InSb, and combinations thereof.

상기 채널층은 n-도프된(n-doped) GaAs, InAs, InGaAs 및 InSb 으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 형성될 수 있고, 상기 기판부는 상기 채널층 상에 형성된 상부층을 포함하되, 상기 상부층은 상기 입력단 강자성체 패턴 및 출력단 강자성체와는 오믹 또는 쇼트키(schottky) 접합될 수 있다.The channel layer may be formed of a material selected from the group consisting of n-doped GaAs, InAs, InGaAs and InSb, wherein the substrate portion includes an upper layer formed on the channel layer, wherein the upper layer is The input terminal ferromagnetic pattern and the output terminal ferromagnetic may be ohmic or schottky bonded.

상기 기판부는 Si 기판을 포함하고, 상기 채널층은 상기 Si 기판 위에 형성될 수 있다. 상기 채널층은 Au, Pt, Ag, Al, Cu, Sb 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속(metal) 또는 반금속(semi-metal)일 수 있다. 상기 기판부는 상기 Si 기판과 채널층 사이에 형성된 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 절 연층은 SiO2, Al2O3, TaOx, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 상기 채널층은 상기 Si 기판 위에 형성된 그래핀(graphene) 또는 나노선(nano-wire)일 수 있다.The substrate portion may include a Si substrate, and the channel layer may be formed on the Si substrate. The channel layer may be a metal or semi-metal selected from the group consisting of Au, Pt, Ag, Al, Cu, Sb, and combinations thereof. The substrate portion may further include an insulating layer formed between the Si substrate and the channel layer. The insulation layer may be selected from the group consisting of SiO 2 , Al 2 O 3 , TaO x , MgO, and combinations thereof. The channel layer may be graphene or nano-wire formed on the Si substrate.

본 발명에 따르면, 강자성체에서 발생하는 전자의 스핀의 축적과 확산을 이용하여 출력단의 자화방향과 기준 전위를 변화시키면서 하나의 소자로 4개의 기능을 갖는 논리 게이트를 구현할 수 있다. 이로써 소자 면적을 줄이면서 다기능을 갖는 논리회로를 용이하게 구현할 수 있게 된다. According to the present invention, a logic gate having four functions can be implemented with one element while changing the magnetization direction and the reference potential of the output terminal by using the accumulation and diffusion of spins of electrons generated from the ferromagnetic material. This makes it possible to easily implement a logic circuit having a multifunction while reducing the device area.

본 발명의 실시형태들은 강자성체에서 채널로 전달하는 스핀정보를 논리게이트에 이용하는 것을 기본으로 한다. 입력신호는 두개의 입력 자성체의 자화 방향에 의해서 결정되며 출력단은 두 입력단의 중앙에 위치한 강자성체로 읽게 되는데 이 강자성체의 자화 방향에 따라 논리게이트의 기능을 변화 시킬 수 있다. 스핀정보의 전달은 스핀의 축적과 확산현상에 의해 이루어 진다. 출력단의 자화 방향과 출력 값을 결정하는 기준 전위를 변화시키면 한 소자로 네 개의 기능을 갖는 논리 게이트를 구현할 수 있다. 전자의 스핀을 이용한 스핀소자는 기존 반도체 소자가 단지 전하만을 이용 할 수 있는데 비해 전하와 스핀을 동시에 제어하고 이용할 수 있어 적은 면적으로 다기능의 역할을 할 수 있는 논리회로에 매우 적합하다고 할 수 있다.Embodiments of the present invention are based on using spin information transferred from a ferromagnetic material to a channel in a logic gate. The input signal is determined by the magnetization direction of the two input magnetic bodies, and the output terminal is read as a ferromagnetic material located in the center of the two input terminals. The function of the logic gate can be changed according to the magnetization direction of the ferromagnetic material. The transfer of spin information is achieved by the accumulation and diffusion of spin. By changing the magnetization direction of the output stage and the reference potential which determines the output value, a logic gate having four functions can be realized with one element. The spin device using the spin of electrons can be said to be very suitable for logic circuits that can play a multi-function role in a small area because the conventional semiconductor device can use only charge, whereas charge and spin can be used simultaneously.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시형태에 따른 논리 소자(1000)는, 채널층(101)을 갖는 반도체 기판(100), 강자성체 패턴(102, 103, 104)과 전극(105, 106)을 포함한다. 입력 전류(Ix, Iy)는 입력단 강자성체 패턴(102, 103)에서 채널층(101)을 통해 전극(105, 106)으로 흐르며, 출력 전압은 중앙에 있는 출력단 강자성체(104)에서 읽게 된다. 2개의 입력단 강자성체 패턴(102, 103)은 채널층의 길이 방향을 따라 서로 이격하여 배치되어 논리 게이트의 입력단이 된다. 이 논리 소자(1000)는 후술하는 바와 같이(도 2 내지 5 참조) 4가지 기능의 논리 게이트를 구현할 수 있다.Referring to FIG. 1, a logic device 1000 according to an embodiment of the present invention may include a semiconductor substrate 100 having a channel layer 101, ferromagnetic patterns 102, 103, 104, and electrodes 105, 106. Include. The input currents Ix and Iy flow from the input terminal ferromagnetic patterns 102 and 103 to the electrodes 105 and 106 through the channel layer 101, and the output voltage is read from the output terminal ferromagnetic material 104 in the center. The two input terminal ferromagnetic patterns 102 and 103 are spaced apart from each other along the longitudinal direction of the channel layer to form an input terminal of the logic gate. As described below (see FIGS. 2 to 5), the logic device 1000 may implement a logic gate having four functions.

도 2a에서는 OR 게이트(2000)의 동작을 설명하고 있다. 다운 스핀을 "0"으로 업 스핀을 "1"로 정의하고 입력단은 두 강자성체 패턴(202, 203)으로 이루어져 있 다. 두 입력단 강자성체 패턴(202, 203)의 입력 값을 X 와 Y 라고 하면 X 와 Y의 입력 값은 강자성체의 자화 방향으로 결정된다. 예를 들어 X="0" Y="0" 인 경우에는 두 입력단 강자성체 패턴(202, 203)에서 모두 다운 스핀이 채널층(201)으로 주입되어 입력단 아래에서 축적되고 가운데의 출력단 강자성체(204)로 확산되어 온다. 이때 출력단 강자성체 패턴(204)은 업 스핀으로 자화되어 있으므로 도 2b에 도시된 바와 같이 낮은 전압값이 읽혀진다. 출력단 강자성체(204)의 자화 방향과 출력단 강자성체(204)로 확산되어 도달한 스핀의 방향이 같은 방향인 경우에는 출력단 강자성체(204)는 높은 전위를 갖게 되고, 반대 방향인 경우에는 낮은 전위를 갖게 된다. 여기서 X와 Y중 하나가 "1" 로 바뀌는 경우에는 입력값이 "1" 인 입력단 지점에서는 업 스핀이 주입되어 출력단(204)에서 업 스핀과 다운스핀이 상쇄되어 스핀 분극된 전자가 없어 전압은 중간값이 된다. X=Y=1인 경우에는 업 스핀만이 출력단 강자성체(204)에 확산, 도달되어 높은 전압값을 읽을 수 있다. 이러한 각 입력 값에 따른 출력 전압(Vread)은 도 2b 에 나타나 있는데 "High" 와 "Low"를 기준전위 (Vref)를 이용하여 정의하면(출력 전압(Vread)이 기준 전위(Vref)보다 높은 경우에는 High, 낮은 경우에는 Low 신호로 출력됨) 입력 값이 X=Y="0" 인 경우를 제외하면 출력값이 모두 "High" 값을 갖게 되어 OR 게이트가 구현 된다. 기준 전위(Vref)의 결정은 간단한 회로를 통해 조정할 수 있다.In FIG. 2A, the operation of the OR gate 2000 is described. The down spin is defined as "0" and the up spin is defined as "1", and the input terminal is composed of two ferromagnetic patterns 202 and 203. When the input values of the two input terminal ferromagnetic patterns 202 and 203 are X and Y, the input values of X and Y are determined in the magnetization direction of the ferromagnetic material. For example, in the case of X = "0" Y = "0", down-spin is injected into the channel layer 201 in both input terminal ferromagnetic patterns 202 and 203 to accumulate below the input terminal, and the output terminal ferromagnetic 204 in the middle. As it spreads. In this case, since the output terminal ferromagnetic pattern 204 is magnetized in an up spin, a low voltage value is read as shown in FIG. 2B. When the magnetization direction of the output terminal ferromagnetic material 204 and the direction of the spin reaching and reaching the output terminal ferromagnetic material 204 are in the same direction, the output terminal ferromagnetic material 204 has a high potential, and in the opposite direction, has a low potential. . In this case, when one of X and Y is changed to "1", the up spin is injected at the input terminal point having the input value "1", and the up and down spins are canceled at the output terminal 204 so that the voltage is not polarized. It is the median value. When X = Y = 1, only the up spin can diffuse and reach the output terminal ferromagnetic material 204 to read a high voltage value. The output voltage V read according to each of these input values is shown in FIG. 2B. When “High” and “Low” are defined using the reference potential V ref (output voltage V read is equal to the reference potential V ref). If it is higher than), it is output as high signal and if it is low) Except for the case where input value is X = Y = "0", all output values have "High" value and OR gate is realized. The determination of the reference potential V ref can be adjusted through a simple circuit.

도 3a에서는 NAND 게이트(3000)의 동작을 설명하고 있다. 입력단 강자성체 패턴(302, 303)의 스핀분극된 전자의 스핀이 채널층(301)을 통해 출력단 강자성체(304)에서 읽어지는 원리는 위의 OR 게이트와 같다. NAND 게이트를 구현하기 위해서, 상술한 OR 게이트의 출력단 강자성체만을 업 스핀이 아닌 다운 스핀으로 자화시키면 된다. 예를 들어 X="0" Y="0" 인 경우에는 두 입력단 강자성체 패턴(302, 303)에서 모두 다운 스핀이 채널층(301)으로 주입되고 축적되어 가운데의 출력단 강자성체(304)로 확산되어 온다. 이때 출력단 강자성체(304)는 다운 스핀으로 자화되어 있으므로 도 3b에 도시된 바와 같이 높은 전압값을 갖게 된다. 여기서 X와 Y중 하나가 "1" 로 바뀌는 경우에는 입력값이 "1" 인 입력단 지점에서는 업 스핀이 주입되어 출력단 강자성체(304)에서 업 스핀과 다운스핀이 상쇄되어 스핀 분극된 전자가 없어 전압은 중간값이 된다. X=Y="1" 인 경우에는 업 스핀만이 출력단(304)으로 확산되어 출력단은 낮은 전압값을 읽을 수 있다. 이러한 각 입력 값에 대한 출력 전압은 도 3b에 나타나 있는데 "High" 와 ”Low"를 기준전위 (Vref)를 이용하여 정의하면 도 3b에 도시된 바와 같은 논리 값을 갖게 되어 NAND 게이트가 구현 된다.3A illustrates the operation of the NAND gate 3000. The spin of the polarized electrons of the input terminal ferromagnetic patterns 302 and 303 is read from the output terminal ferromagnetic 304 through the channel layer 301 as in the above OR gate. In order to implement a NAND gate, only the ferromagnetic material of the output terminal of the above-described OR gate may be magnetized to a down spin instead of an up spin. For example, in the case of X = "0" Y = "0", down-spin is injected and accumulated in the channel layer 301 in both input terminal ferromagnetic patterns 302 and 303 and diffused into the middle output terminal ferromagnetic material 304. come. At this time, since the output terminal ferromagnetic material is magnetized by the down spin, it has a high voltage value as shown in FIG. 3B. In this case, when one of X and Y is changed to "1", an up spin is injected at an input terminal point having an input value of "1", and the up and down spins are canceled in the output ferromagnetic material 304, so there is no spin polarized electron. Is the median. When X = Y = "1", only the up spin is diffused to the output stage 304 so that the output stage can read a low voltage value. The output voltage of each input value is shown in FIG. 3B. When “High” and “Low” are defined using the reference potential (V ref ), the NAND gate is realized by having a logic value as shown in FIG. 3B. .

도 4에서는 AND 게이트의 동작을 설명하고 있다. 도 4의 실시형태에서의 소자 기본 구조와 각 입력 값에 대한 출력 전위는 도 2a 및 도 2b에 도시된 OR 게이트와 같다. 그러나 "High" 와 "Low"를 도 4에 도시된 바와 같은 기준전위(Vref)로 정의하면(즉, 기준전위(Vref)를 (XY)=(11)인 경우의 출력 전위보다 낮고 (XY)=(10) 및 (XY)=(01)인 경우의 출력 전위보다 높게 정하면) AND 게이트가 구현 된다. 4 illustrates the operation of the AND gate. The element basic structure and the output potential for each input value in the embodiment of Fig. 4 are the same as the OR gates shown in Figs. 2A and 2B. However, if " High " and " Low " are defined as the reference potential V ref as shown in Fig. 4 (i.e., the reference potential V ref is lower than the output potential when (XY) = (11) ( AND gate is implemented when the output potential is set higher than the output potential when XY) = (10) and (XY) = (01).

도 5에서는 NOR 게이트에 동작을 설명하고 있다. 도 5의 실시형태에서의 소자 기본 구조와 각 입력 값에 대한 출력 전위는 도 3a 및 도 3b에 도시된 NAND 게이트와 같다. 그러나 "High" 와 "Low"를 도 5에 도시된 바와 같은 기준전위 (Vref)로 정의하면(즉, 기준전위(Vref)를 (XY)=(00)인 경우의 출력 전위보다 낮고 (XY)=(10) 및 (XY)=(01)인 경우의 출력 전위보다 높게 정하면) 도 5와 같은 논리 값을 갖게 되어 NOR 게이트가 구현 된다. 5 illustrates the operation of the NOR gate. The element basic structure and the output potential for each input value in the embodiment of Fig. 5 are the same as the NAND gates shown in Figs. 3A and 3B. However, if " High " and " Low " are defined as the reference potential V ref as shown in Fig. 5 (that is, the reference potential V ref is lower than the output potential when (XY) = (00) ( XY) = (10) and (XY) = (01) if it is higher than the output potential) has a logic value as shown in Figure 5 to implement a NOR gate.

위에 도 2 내지 5에서 보는 바와 같이 출력단의 자화 방향과 기준 전위 (Vref) 의 변화로 4가지 기능의 논리 게이트(OR, NAND, AND, NOR 게이트)를 한 소자로 구현할 수 있다는 것을 보여주고 있다. As shown in FIGS. 2 to 5 above, it is shown that logic gates (OR, NAND, AND, and NOR gates) having four functions can be implemented in one element by changing the magnetization direction of the output terminal and the reference potential (V ref ). .

도 6은 본 발명의 실시형태에 따른 논리 소자(6000)의 평면도를 나타낸다. 이러한 논리회로의 구성에서 고려할 요소로서, 입력단(602, 603)의 전류가 중앙의 출력단(604) 부분으로 흘러들어가서 생기는 간섭을 방지하는 것이 바람직하다. 도 6의 실시예에서는 입력단 강자성체 패턴(602, 603)과 근접한 위치에 전극으로서 비자성 금속 패턴(605, 606)을 위치시켰다. 도 6에서 입력단 강자성체 패턴(602, 603)과 출력단 강자성체(604) 간의 간격(a)을 입력단 강자성체 패턴(602, 603)과 비자성 금속 패턴(605, 606) 간의 간격(b)보다 훨씬 작게 한다. 이러한 구조에서는 입력단(602, 603)에 전류가 근접한 금속 패턴(605, 606)으로 흐르게 하여 소자의 중앙부분(출력단측)으로 전류가 누설 되지 않게한다.6 shows a top view of a logic element 6000 according to an embodiment of the invention. As an element to be considered in the construction of such a logic circuit, it is desirable to prevent the interference caused by the current from the input terminals 602 and 603 flowing into the central output terminal 604 portion. In the embodiment of FIG. 6, nonmagnetic metal patterns 605 and 606 are positioned as electrodes at positions close to the input terminal ferromagnetic patterns 602 and 603. In FIG. 6, the spacing a between the input ferromagnetic patterns 602 and 603 and the output ferromagnetic material 604 is made much smaller than the spacing b between the input ferromagnetic patterns 602 and 603 and the nonmagnetic metal patterns 605 and 606. . In this structure, the current flows to the metal patterns 605 and 606 close to the input terminals 602 and 603 so that the current does not leak to the center portion (output terminal side) of the device.

도 7은 입력단(702, 703)의 전류가 중앙의 출력단(704)으로 전류가 흘러들어 가지 않게 하는 또 다른 실시예에 따른 논리 소자(7000)를 나타낸다. 양쪽끝 채널 영역(701a, 701b)의 채널폭을 점차적으로 크게 하여 중앙 부분의 채널 영역(701c)보다 저항을 작게 만들면 대부분의 전류가 양 끝쪽으로 흘러 중앙 부분으로 전류가 거의 흐르지 않게 할 수 있다.FIG. 7 illustrates a logic device 7000 according to another embodiment in which the current at the input terminals 702, 703 does not flow into the central output terminal 704. If the channel widths of both end channel regions 701a and 701b are gradually increased to make the resistance smaller than the channel region 701c of the central portion, most of the current flows to both ends so that almost no current flows to the central portion.

도 8a는 본 발명의 실시형태에 따른 채널에 사용되는 2차원 전자가스로 이루어진 스핀 채널을 갖는 반도체 기판부를 나타내는 단면도이다. 도 8a를 참조하면, 반도체 기판부(100)는 반절연성 InP 기판(801) 상에 순차 적층된 InAlAs 버퍼층(802), n-도프 InAlAs 캐리어 공급층(804), 언도프 InGaAs/InAlAs 하부 클래딩층(805), InAs 채널층(807), 언도프 InAlAs/InGaAs 상부 클래딩층(805') 및 InAs 캡핑층(806)을 포함한다. 8A is a cross-sectional view showing a semiconductor substrate having a spin channel made of a two-dimensional electron gas used in a channel according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8A, the semiconductor substrate 100 includes an InAlAs buffer layer 802, an n-doped InAlAs carrier supply layer 804, and an undoped InGaAs / InAlAs lower cladding layer sequentially stacked on the semi-insulating InP substrate 801. 805, InAs channel layer 807, undoped InAlAs / InGaAs top cladding layer 805 ′, and InAs capping layer 806.

하부 및 상부 클래딩층(805, 805') 각각은, 언도프 InGaAs층과 InAlAs층으로 이루어진 2중 클래딩 구조로 되어 있다. 즉, 하부 클래딩층(805)은 InGaAs로 된 제1 하부 클래딩층(805a)과 그 아래에 형성되고 InAlAs로 된 제2 하부 클래딩 층(805b)으로 이루어져 있다. 또한 상부 클래딩층(805')은 InGaAs로 된 제1 상부 클래딩층(805a')와 그 위에 형성되고 InAlAs로 된 제2 상부 클래딩층(805b')으로 이루어져 있다. 제2 하부 클래딩층(805b)은 제1 하부 클래딩층(805a)보다 큰 에너지 밴드갭을 갖고, 제2 상부 클래딩층(805b')은 제1 상부 클래딩층(805a')보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는다. Each of the lower and upper cladding layers 805 and 805 'has a double cladding structure composed of an undoped InGaAs layer and an InAlAs layer. That is, the lower cladding layer 805 is composed of a first lower cladding layer 805a made of InGaAs and a second lower cladding layer 805b formed under and made of InAlAs. The upper cladding layer 805 'also includes a first upper cladding layer 805a' made of InGaAs and a second upper cladding layer 805b 'formed thereon and made of InAlAs. The second lower cladding layer 805b has a larger energy band gap than the first lower cladding layer 805a, and the second upper cladding layer 805b ′ has a larger energy band gap than the first upper cladding layer 805a ′. Have

채널층(807)은 상하부 클래딩층(805, 805')의 에너지 배리어에 의해 양자우물을 형성한다. 특히 2중 클래딩 구조의 상부 및 하부 클래딩층(805, 805')에 의해 전자가 채널층(807)에 갇히고, 채널층(807)은 2차원 전자가스(2-DEG)층을 형성하게 된다. 이러한 2차원 전자가스층에서는 전자 이동도가 매우 높아 스핀 전달 거리도 길다. 본 실시형태에서는, 채널층(807)으로서 InAs을 사용하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 2차원 전자가스 구조를 갖는 채널층으로서 GaAs, InGaAs, InSb, InAs 및 이들의 조합 중에서 선택된 반도체 재료를 사용할 수도 있다.The channel layer 807 forms a quantum well by the energy barriers of the upper and lower cladding layers 805 and 805 '. In particular, electrons are trapped in the channel layer 807 by the upper and lower cladding layers 805 and 805 'of the double cladding structure, and the channel layer 807 forms a two-dimensional electron gas (2-DEG) layer. In such a two-dimensional electron gas layer, the electron mobility is very high, and the spin transfer distance is also long. In this embodiment, InAs is used as the channel layer 807, but the present invention is not limited thereto. For example, a semiconductor material selected from GaAs, InGaAs, InSb, InAs, and a combination thereof may be used as the channel layer having a two-dimensional electron gas structure.

n-도프 InAlAs 캐리어 공급층(804)은 채널층(807) 아래에 형성되어 채널층(807)에 전하를 공급해주며, InAlAs 버퍼층(802)은 InP 기판(801)과 하부 클래딩층(805) 간의 격자 불일치를 완화시킨다. 또한, 반도체 기판부의 맨 위에 있는 InAs 캡핑층(806)은 공정 도중 발생할 수 있는 반도체 기판부의 산화와 변성을 방지하는 역할을 한다. An n-doped InAlAs carrier supply layer 804 is formed below the channel layer 807 to supply charge to the channel layer 807, and the InAlAs buffer layer 802 is between the InP substrate 801 and the lower cladding layer 805. Mitigates grid mismatch In addition, the InAs capping layer 806 on top of the semiconductor substrate portion serves to prevent oxidation and denaturation of the semiconductor substrate portion that may occur during the process.

도 8b는 다른 실시형태에 따른 채널층을 갖는 반도체 기판부 구조를 나타낸다. 반도체 기판부(100')는 GaAs 기판(811) 상에 순차 형성된 버퍼층(812)과 채널층(813)을 갖는다. 상부층(814, 815)은 반도체 기판부(100') 위에 배치되는 강자성체(입력단 또는 출력단)와 쇼트키 배리어(Schottky barrier)를 형성하는데 사용되며 채널층(813)은 도핑농도가 상부층(814, 815)에 비해 낮은 GaAs층이다. 채널층(813)은 GaAs 대신에 InGaAs를 사용할 수도 있다. 본 발명에서 제시한 각 층의 두께는 목적에 따라 다르게 변할 수 있다. 도 8b에서 채널층(813)은 GaAs 대신에, InAs, InGaAs, InSb 및 이들의 조합 중에서 선택된 반도체 재료를 사용할 수도 있으며, 반도체 기판부(100')는 그 위에 배치된 강자성체와 오믹 또는 쇼트키 접합을 이룰 수 있다.8B illustrates a semiconductor substrate portion structure having a channel layer according to another embodiment. The semiconductor substrate portion 100 ′ has a buffer layer 812 and a channel layer 813 sequentially formed on the GaAs substrate 811. The upper layers 814 and 815 are used to form a ferromagnetic material (input or output) and a Schottky barrier disposed on the semiconductor substrate portion 100 ', and the channel layer 813 has a doping concentration in the upper layers 814 and 815. It is a lower GaAs layer than). The channel layer 813 may use InGaAs instead of GaAs. The thickness of each layer presented in the present invention may vary depending on the purpose. In FIG. 8B, instead of GaAs, the channel layer 813 may use a semiconductor material selected from InAs, InGaAs, InSb, and a combination thereof. The semiconductor substrate portion 100 ′ may have an ohmic or Schottky junction with a ferromagnetic material disposed thereon. Can be achieved.

도 8c는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 논리 소자에 사용되는 단일 층으로 이루어진 스핀 채널(823)을 갖는 기판부(100'')를 나타내는 단면도이다. 스핀 홀 효과가 일어나는 모든 금속, 반도체, 반금속을 채널로 사용할 수 있다. 금속채널로 사용될 수 있는 것은 Au, Pt, Ag, Al, Cu 등이 있고 반금속으로는 Sb, 반도체로는 GaAs, InAs, InGaAs, InSb 를 사용할 수 있다. 도 8c에 도시된 바와 같이 채널(823)과 Si 기판(821) 사이에 산화물층(822)과 같은 절연체를 넣을 수도 있으며 절연체로는 Al2O3, MgO, TaOx, SiO2가 사용 가능하며 이 절연체(산화물층(822))는 생 략할 수도 있다. 또한, 채널(823)로서, 그래핀(graphene) 또는 나노선(nano-wire)을 사용할 수도 있다.FIG. 8C is a cross-sectional view showing a substrate portion 100 ″ having a spin channel 823 made of a single layer used in a logic device in accordance with another embodiment of the present invention. Any metal, semiconductor, or semimetal with a spin hole effect can be used as a channel. As the metal channel, Au, Pt, Ag, Al, Cu, and the like may be used. Sb may be used as a semimetal, and GaAs, InAs, InGaAs, or InSb may be used as a semiconductor. As shown in FIG. 8C, an insulator such as an oxide layer 822 may be interposed between the channel 823 and the Si substrate 821. Al 2 O 3 , MgO, TaO x , and SiO 2 may be used as the insulator. This insulator (oxide layer 822) may be omitted. In addition, as the channel 823, graphene or nano-wire may be used.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 또한, 본 발명은 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다. It is intended that the invention not be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but rather by the claims appended hereto. In addition, it will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be substituted, modified, and changed in various forms without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 논리소자를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing a logic element according to an embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2b는 본 발명의 실시형태에 따른 OR 게이트의 동작원리를 설명하기 위한 도면이다.2A to 2B are diagrams for explaining the operation principle of the OR gate according to the embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 실시형태에 따른 NAND 게이트의 동작원리를 설명하기 위한 도면이다.3A to 3B are diagrams for explaining the operation principle of a NAND gate according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 AND 게이트의 동작원리를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the operation principle of the AND gate according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시형태에 따른 NOR 게이트의 동작원리를 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining the operation principle of the NOR gate according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 실시형태에 따른 논리 소자의 평면도로서, 누설전류를 방지하기 위해 전극을 입력단에 근접하여 배치한 경우를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a plan view of a logic element according to an embodiment of the present invention, which is a view for explaining a case where an electrode is disposed close to an input terminal in order to prevent leakage current.

도 7은 본 발명의 실시형태에 따른 논리소자의 평면도로서, 누설전류를 방지하기 위해 채널의 모양을 개선한 경우를 설명하기위한 도면이다.FIG. 7 is a plan view of a logic device according to an exemplary embodiment of the present invention and illustrates a case in which the shape of a channel is improved to prevent leakage current. FIG.

도 8a 내지 8c는 본 발명의 실시형태들에 따른 논리 소자에 구비되는 다양한 채널 구조를 나타내는 단면도이다.8A through 8C are cross-sectional views illustrating various channel structures included in logic devices according to embodiments of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100, 100', 100'': 기판부100, 100 ', 100' ': substrate

101, 201, 301, 601: 채널층101, 201, 301, 601: channel layer

701a, 701b, 701c: 채널 영역701a, 701b, 701c: channel region

102, 103, 202, 203, 302, 303, 602, 603, 702, 703: 입력단 강자성체 패턴102, 103, 202, 203, 302, 303, 602, 603, 702, 703: Input ferromagnetic pattern

104, 204, 304, 604, 704: 출력단 강자성체 패턴104, 204, 304, 604, 704: Output ferromagnetic pattern

105, 106, 605, 606: 전극105, 106, 605, 606: electrode

1000, 2000, 3000, 6000, 7000: 논리 소자1000, 2000, 3000, 6000, 7000: logic elements

Claims (17)

채널층을 갖는 기판부; A substrate portion having a channel layer; 상기 기판부 상에 형성되며, 상기 채널층의 길이 방향을 따라 서로 이격하여 배치되어 논리 게이트의 입력단이 되는 2개의 입력단 강자성체 패턴; 및 Two input terminal ferromagnetic patterns formed on the substrate and spaced apart from each other along a length direction of the channel layer to become an input terminal of a logic gate; And 상기 기판부 상에 형성되며, 상기 2개의 입력단 강자성체 패턴 사이에 배치되어 논리 게이트의 출력단이 되는 출력단 강자성체를 포함하고,An output terminal ferromagnetic material formed on the substrate and disposed between the two input terminal ferromagnetic patterns and serving as an output terminal of a logic gate; 상기 입력단 강자성체 패턴으로부터 상기 채널층으로 주입된 전자 스핀의 축적과 확산을 이용하여 상기 출력단 강자성체에서 출력 전압을 읽는 것을 특징으로 하는 논리 소자.And outputting the output voltage from the output terminal ferromagnetic material by using accumulation and diffusion of electron spins injected from the input terminal ferromagnetic pattern into the channel layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 입력단 강자성체 패턴에 의해 입력되는 입력값은 상기 입력단 강자성체 패턴의 자화방향에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 논리 소자.And an input value input by the input terminal ferromagnetic pattern is determined by a magnetization direction of the input terminal ferromagnetic pattern. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 출력단 강자성체의 자화방향과 기준전압을 변화시킴으로써, 상기 논리 소자는 AND, OR, NOR 및 NAND 게이트로 논리 소자 기능이 변환되는 것을 특징으로 하는 논리 소자.And by changing a magnetization direction and a reference voltage of the output terminal ferromagnetic material, the logic element converts a logic element function into an AND, OR, NOR and NAND gate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 2개의 입력단 강자성체 패턴 아래에 축적되고 채널을 통해 상기 출력단 강자성체로 확산되어 합쳐진 스핀 정보를 상기 출력단 강자성체가 감지하는 것을 특징으로 하는 논리 소자.And the output terminal ferromagnetic material senses spin information accumulated under the two input terminal ferromagnetic patterns and diffused and merged into the output terminal ferromagnetic material through a channel. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 논리 소자는 상기 입력단 강자성체 패턴으로부터 외측으로 이격되어 상기 출력단 강자성체의 반대측에 배치된 2개의 전극을 더 포함하고, 상기 입력단 강자성체 패턴으로부터 상기 전극으로 입력 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 논리 소자.The logic device further comprises two electrodes spaced apart from the input terminal ferromagnetic pattern on an opposite side of the output terminal ferromagnetic material, and an input current flows from the input terminal ferromagnetic pattern to the electrode. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 전극은 비자성체 패턴으로 되어 있고, 전류가 입력단 강자성체 패턴에서 출력단 강자성체로 흐르는 것을 억제하도록 상기 입력단 강자성체 패턴과 출력단 강자성체 간의 간격보다 좁은 간격을 두고 상기 입력단 강자성체 패턴에 근접하 여 배치된 것을 특징으로 하는 논리 소자.The electrode is a non-magnetic pattern, characterized in that disposed close to the input terminal ferromagnetic pattern with a gap smaller than the interval between the input terminal ferromagnetic pattern and the output terminal ferromagnetic material to suppress the current flow from the input terminal ferromagnetic pattern to the output terminal ferromagnetic material Logic element. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 채널층은, 상기 출력단 강자성체가 배치된 중앙부보다 상기 입력단 강자성체 패턴의 외측에서 넓은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 논리 소자.And the channel layer has a wider width on an outer side of the input terminal ferromagnetic pattern than a central portion where the output terminal ferromagnetic material is disposed. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 입력단 강자성체 패턴 및 출력단 강자성체 중 적어도 하나는 CoFe, Co, Ni, NiFe 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 논리 소자.And at least one of the input terminal ferromagnetic pattern and the output terminal ferromagnetic material is selected from the group consisting of CoFe, Co, Ni, NiFe, and combinations thereof. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 입력단 강자성체 패턴 및 출력단 강자성체 중 적어도 하나는 (Ga,Mn)As, (In,Mn)As 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 자성체 반도체인 것을 특징으로 하는 논리 소자.And at least one of the input terminal ferromagnetic pattern and the output terminal ferromagnetic is a magnetic semiconductor selected from the group consisting of (Ga, Mn) As, (In, Mn) As, and combinations thereof. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 채널층은 2차원 전자가스층인 것을 특징으로 하는 논리 소자.The channel layer is a logic element, characterized in that the two-dimensional electron gas layer. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 2차원 전자가스층은 GaAs, InAs, InGaAs, InSb 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 논리 소자.And the two-dimensional electron gas layer is formed of a material selected from the group consisting of GaAs, InAs, InGaAs, InSb, and combinations thereof. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 채널층은 n-도프된 GaAs, InAs, InGaAs 및 InSb 으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 형성되고, 상기 기판부는 상기 채널층 상에 형성된 상부층을 포함하되, 상기 상부층은 상기 입력단 강자성체 패턴 및 출력단 강자성체와는 오믹 또는 쇼트키(schottky) 접합된 것을 특징으로 하는 논리 소자.The channel layer is formed of a material selected from the group consisting of n-doped GaAs, InAs, InGaAs, and InSb, and the substrate portion includes an upper layer formed on the channel layer, wherein the upper layer includes the input end ferromagnetic pattern and the output end ferromagnetic material. Is a logic element characterized in that it is an ohmic or schottky junction. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판부는 Si 기판을 포함하고, 상기 채널층은 상기 Si 기판 위에 형성된 것을 특징으로 하는 논리 소자.And the substrate portion comprises a Si substrate, and the channel layer is formed on the Si substrate. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 채널층은 Au, Pt, Ag, Al, Cu, Sb 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 또는 반금속인 것을 특징으로 하는 논리 소자.And the channel layer is a metal or semimetal selected from the group consisting of Au, Pt, Ag, Al, Cu, Sb and combinations thereof. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 채널층은 상기 Si 기판 위에 형성된 그래핀(graphene) 또는 나노선(nano-wire)으로 형성된 것을 특징으로 하는 논리 소자. The channel layer is a logic device, characterized in that formed of graphene (graphene) or nano-wire (nano-wire) formed on the Si substrate. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 기판부는 상기 Si 기판과 채널층 사이에 형성된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 논리 소자.And the substrate portion further comprises an insulating layer formed between the Si substrate and the channel layer. 제16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 절연층은 SiO2, Al2O3, TaOx, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 논리 소자.And the insulating layer is selected from the group consisting of SiO 2 , Al 2 O 3 , TaO x , MgO, and combinations thereof.
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