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KR100982344B1 - Laser repair system - Google Patents

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KR100982344B1
KR100982344B1 KR1020080044336A KR20080044336A KR100982344B1 KR 100982344 B1 KR100982344 B1 KR 100982344B1 KR 1020080044336 A KR1020080044336 A KR 1020080044336A KR 20080044336 A KR20080044336 A KR 20080044336A KR 100982344 B1 KR100982344 B1 KR 100982344B1
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KR
South Korea
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wafer
laser beam
objective lens
focus
laser
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Inventor
이상훈
박상현
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주식회사 쎄믹스
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 또는 LCD와 같은 미소구조를 가지는 판넬 등 불량을 리페어하기 위한 레이저 리페어시스템에 관한 것이다. 상기 레이저 리페어시스템은, 레이저빔을 방출하는 레이저발진기와, 상기 레이저발진기로부터 방출된 레이저빔을 포커싱하는 대물렌즈와, 상기 레이저발진기와 상기 대물렌즈 사이에 위치하고 상기 대물렌즈의 굴절력보다 작은 굴절력을 가지며 상기 대물렌즈의 초점을 조정하도록 이동가능하게 설치된 초점보정렌즈를 포함하는 광학부; 상기 초점보정렌즈를 레이저빔의 광축을 따라 이동시키는 초점구동부; 및 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 사용자가 원하는 위치에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어하는 제어부;를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 본 발명은 리페어하고자 하는 대상물의 높이변경에 따른 포커싱 오류를 효과적으로 감소시킬 수 있다.The present invention relates to a laser repair system for repairing defects such as a panel having a microstructure such as a wafer or an LCD. The laser repair system includes a laser oscillator for emitting a laser beam, an objective lens for focusing the laser beam emitted from the laser oscillator, and positioned between the laser oscillator and the objective lens and having a refractive power smaller than that of the objective lens. An optical unit including a focus correcting lens movably installed to adjust a focus of the objective lens; A focus driver for moving the focus correcting lens along the optical axis of the laser beam; And a control unit controlling the focus driver so that the laser beam irradiated from the optical unit is focused at a desired position of the user. Accordingly, the present invention can effectively reduce the focusing error caused by the height change of the object to be repaired.

레이저, 웨이퍼, 리페어시스템, 대물렌즈 Laser, Wafer, Repair System, Objective Lens

Description

레이저 리페어시스템{Laser repair system}Laser repair system

본 발명은 레이저 리페어시스템에 관한 것으로, 더 구체적으로는 레이저빔의 포커싱 조정이 가능한 레이저 리페어시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a laser repair system, and more particularly, to a laser repair system capable of focusing adjustment of a laser beam.

레이저 리페어시스템은 반도체 및 LCD 판넬 등의 테스트 공정에서 정상 동작 여부가 판정되어 나온 반도체 및 LCD 판넬 중, 불량이 존재하는 것에 대해 레이저빔을 이용하여 리페어를 실시하는 장비이다. The laser repair system is a device that performs a repair using a laser beam for defects among semiconductor and LCD panels that have been determined to operate normally in a test process such as semiconductor and LCD panels.

메모리 반도체웨이퍼인 경우, 레이저 리페어시스템은 웨이퍼에 형성된 퓨즈와 그 어드레스에 관한 정보를 이용하여, 검사된 불량 다이의 퓨즈를 레이저를 통해 절단하고 리던던시 회로와 연결시킴으로써 정상적인 다이로 리페어한다. 이를 통해 제조 공정에서 발생되는 다이의 불량률을 감소시켜 생산 수율을 높이고, 제조원가를 감소시킬 수 있다.In the case of a memory semiconductor wafer, the laser repair system repairs a defective die by using a fuse formed in the wafer and information about its address, and then repairs the fuse of the defective die through a laser and connects it with a redundancy circuit. This can reduce the defect rate of the die generated in the manufacturing process to increase the production yield, it is possible to reduce the manufacturing cost.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 레이저 리페어시스템은, 불량난 반도체 웨이퍼(11)에 로드되는 척(12), 척(12) 위에 로드된 웨이퍼(11)를 리페어하기 위한 광학부(13), 웨이퍼(11)가 놓여진 척(12)을 정밀하게 이송하여 광학부(13)와 맞춰주는 척이송부(14), 광학부(13)내의 편향미러를 조정하는 편향미러조정부(15) 및 전체적인 동작을 제어하는 제어부(15)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the conventional laser repair system includes an optical unit 13 for repairing a chuck 12 loaded on a defective semiconductor wafer 11 and a wafer 11 loaded on the chuck 12. , The chuck transfer unit 14 for precisely conveying the chuck 12 on which the wafer 11 is placed and aligned with the optical unit 13, the deflection mirror adjusting unit 15 for adjusting the deflection mirror in the optical unit 13, and the overall It includes a control unit 15 for controlling the operation.

구체적으로, 광학부(13)는 레이저발진기를 장착하고 있으며, 레이저발진기로부터 방출된 레이저빔이 광학부(13) 내부의 광학구성에 의하여 웨이퍼(11)에 도달하여 불량 퓨즈를 절단함으로써 불량 퓨즈와 연계된 어드레스를 정상의 다른 어드레스와 연결하여 웨이퍼(11)를 리페어 한다.Specifically, the optical unit 13 is equipped with a laser oscillator, the laser beam emitted from the laser oscillator reaches the wafer 11 by the optical configuration inside the optical unit 13 to cut the defective fuse and The wafer 11 is repaired by connecting the associated address with another normal address.

그런데, 불량 퓨즈를 절단하기 위해선, 광학부(13)에서 조사되는 레이저빔이 퓨즈의 정확한 지점을 포커싱 하도록 정밀하게 제어되어야 한다. 그런데, 척이송부(14)가 이동할 때 발생되는 미세한 높이차, 웨이퍼 제조과정 중 생기는 표면 높이차 때문에 조사되는 레이저의 포커싱에 오류가 발생하여 불량 퓨즈의 절단시 웨이퍼 손상 및 정상 퓨즈의 절단 등의 문제를 발생시킬 수 있다. By the way, in order to cut the defective fuse, the laser beam irradiated from the optical unit 13 must be precisely controlled to focus the correct point of the fuse. However, an error occurs in focusing of the irradiated laser due to the minute height difference generated when the chuck transfer part 14 moves and the surface height difference generated during the wafer manufacturing process. It can cause problems.

이 문제를 해결하기위해, 광학부(13) 내에서 포커싱 기능을 수행하는 대물렌즈를 상하로 이동시키는 대물렌즈조정부(16)를 추가함으로써 전술한 높이차에 의해 발생되는 레이저빔의 포커싱 오류를 보정하였다.In order to solve this problem, by adding an objective lens adjusting unit 16 for moving the objective lens that performs the focusing function up and down in the optical unit 13, the focusing error of the laser beam caused by the aforementioned height difference is corrected. It was.

그러나, 이러한 보정을 위해 대물렌즈를 이동시키는 것에도 문제가 존재한다. 즉, 대물렌즈의 굴절력이 매우 크기 때문에 이를 제어하기 위해서는 고 분해능의 모터가 요구되고, 대물렌즈의 사이즈가 크기 때문에 대물렌즈의 이동에 따른 진동 등 왜란에 의해 광학부(13) 내부구성에 정렬오차를 야기시킨다.However, there is also a problem in moving the objective lens for such correction. That is, since the refractive power of the objective lens is very large, a high resolution motor is required to control it, and because the size of the objective lens is large, there is an alignment error in the internal configuration of the optical unit 13 due to disturbance such as vibration caused by the movement of the objective lens. Cause.

전술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 리페어하고자 하는 대상물의 높이변경에 따른 포커싱 오류를 효과적으로 감소시킬 수 있고, 척이송부의 이동시 발생되는 미세한 높이의 차이 및 웨이퍼 제조과정 중 생기는 표면 높이의 차이 때문에 발생되는 포커싱 오류를 감소시킬 수 있으며, 대물렌즈를 이동시키지 않고 포커싱 오류를 감소시킬 수 있는 레이저 리페어시스템를 제공하는 것이다.An object of the present invention for solving the above problems, can effectively reduce the focusing error caused by the height change of the object to be repaired, the difference in the fine height generated during the movement of the chuck transfer unit and the surface height generated during the wafer manufacturing process To provide a laser repair system that can reduce the focusing error caused by the difference, and can reduce the focusing error without moving the objective lens.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 특징은 웨이퍼 또는 LCD와 같은 미소구조를 가지는 판넬 등 불량을 리페어하기 위한 레이저 리페어시스템에 관한 것으로, 상기 레이저 리페어시스템은, 레이저빔을 방출하는 레이저발진기와, 상기 레이저발진기로부터 방출된 레이저빔을 포커싱하는 대물렌즈와, 상기 레이저발진기와 상기 대물렌즈 사이에 위치하고 상기 대물렌즈의 굴절력보다 작은 굴절력을 가지며 상기 대물렌즈의 초점을 조정하도록 이동가능하게 설치된 초점보정렌즈를 포함하는 광학부; 상기 초점보정렌즈를 레이저빔의 광축을 따라 이동시키는 초점구동부; 및 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 사용자가 원하는 위치에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어하는 제어부;를 구비하는 것을 특징으로 한다.A feature of the present invention for achieving the above technical problem relates to a laser repair system for repairing defects such as a panel having a microstructure such as a wafer or an LCD, the laser repair system, and a laser oscillator for emitting a laser beam And an objective lens for focusing the laser beam emitted from the laser oscillator, and a focus compensation interposed between the laser oscillator and the objective lens and having a refractive power smaller than that of the objective lens and movably installed to adjust the focus of the objective lens. An optical unit including a lens; A focus driver for moving the focus correcting lens along the optical axis of the laser beam; And a control unit controlling the focus driver so that the laser beam irradiated from the optical unit is focused at a desired position of the user.

또한, 상기 레이저 리페어시스템은, 상기 웨이퍼가 로드된 척을 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송시키는 척이송부와; 상기 척이송부에 의해 이송된 상기 웨이퍼의 표면과 상기 대물렌즈 사이의 높이차를 감지하는 감지부;를 더 구비하 고, 상기 제어부는, 상기 레이저빔을 조사해야하는 위치정보를 저장하고, 상기 웨이퍼가 상기 척에 로드된 경우 상기 위치정보에 따라 상기 웨이퍼를 이송하도록 상기 척이송부를 제어하고, 상기 웨이퍼가 해당 위치로 이송된 경우 상기 감지부로부터 감지된 높이차를 이용하여 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 상기 해당 위치에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어한다.The laser repair system may further include a chuck transfer unit configured to transfer the chuck loaded with the wafer to a laser beam irradiation position of the optical unit; And a sensing unit which senses a height difference between the surface of the wafer and the objective lens transferred by the chuck transfer unit, and wherein the control unit stores position information for irradiating the laser beam and stores the wafer. Controls the chuck transfer unit to transfer the wafer according to the position information when the chuck is loaded into the chuck, and irradiates from the optical unit using the height difference sensed by the sensing unit when the wafer is transferred to the corresponding position. The focus driver is controlled to focus the laser beam on the corresponding position.

전술한 광학부는, 상기 레이저발진기와 상기 대물렌즈 사이에 편향미러를 더 구비하고, 상기 편향미러는 상기 레이저발진기로부터 방출된 레이저빔을 반사하여 상기 대물렌즈로 편향시키고, 상기 초점보정렌즈는, 상기 레이저발진기와 상기 편향미러 사이에 위치하거나, 상기 편향미러와 상기 대물렌즈 사이에 위치할 수 있다.The optical unit may further include a deflection mirror between the laser oscillator and the objective lens, wherein the deflection mirror reflects the laser beam emitted from the laser oscillator and deflects the deflection mirror to the objective lens. It may be located between the laser oscillator and the deflection mirror, or may be located between the deflection mirror and the objective lens.

그리고, 상기 감지부는, 상기 광학부에 고정되어 설치되고 포커스 센서를 구비하는 비젼모듈로 이루어지며, 상기 비젼모듈은, 상기 웨이퍼의 영상을 캡쳐하여 상기 웨이퍼의 이동위치를 감지하고, 상기 포커스 센서를 이용하여 상기 웨이퍼의 표면과 상기 대물렌즈 사이의 높이차를 측정한다.The detection unit includes a vision module fixed to the optical unit and provided with a focus sensor, wherein the vision module captures an image of the wafer to detect a movement position of the wafer, and detects the focus sensor. The height difference between the surface of the wafer and the objective lens is measured.

전술한 제어부는, 상기 웨이퍼의 불량을 리페어하기 위해 상기 레이저빔에 의해 절단될 상기 웨이퍼 상의 절단지점에 대한 절단위치정보를 저장하고, 상기 웨이퍼가 상기 척에 로드된 경우 상기 절단위치정보를 이용하여 상기 절단지점이 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송되도록 상기 척이송부를 제어하고, 상기 절단지점이 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송된 경우 상기 감지부로부터 감지된 높이차를 이용하여 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 상기 절단지점에 포 커싱되도록 상기 초점구동부를 제어한다.The above-described control unit stores cutting position information on a cutting point on the wafer to be cut by the laser beam to repair the defect of the wafer, and uses the cutting position information when the wafer is loaded in the chuck. The chuck feeder is controlled so that the cutting point is transferred to the laser beam irradiation position of the optical unit, and when the cutting point is transferred to the laser beam irradiation position of the optical unit, the optical unit uses the height difference detected from the sensing unit. The focus driver is controlled so that the laser beam irradiated from the part is focused at the cutting point.

여기서, 상기 제어부는, 상기 웨이퍼가 상기 척에 로드되어 초기 정렬이 완료되고 상기 척에 로드된 웨이퍼 상의 특정지점에 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 포커싱된 경우 상기 특정지점과 상기 대물렌즈 사이의 초기 높이차를 감지하도록 상기 감지부를 제어하고, 상기 절단지점이 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송된 경우 상기 절단지점과 상기 대물렌즈 사이의 이동 높이차를 감지하도록 상기 감지부를 제어하며, 상기 감지부로부터 감지된 초기 높이차 및 상기 이동 높이차에 대한 오차값을 계산하고, 상기 계산된 오차값을 이용하여 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 상기 절단지점에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어한다.Here, the control unit, when the wafer is loaded on the chuck and the initial alignment is completed and the laser beam irradiated from the optical portion is focused on a specific point on the wafer loaded on the chuck between the specific point and the objective lens Controlling the sensing unit to detect an initial height difference, and controlling the sensing unit to sense a moving height difference between the cutting point and the objective lens when the cutting point is transferred to a laser beam irradiation position of the optical unit, and detecting An error value for the initial height difference and the moving height difference detected from the unit is calculated, and the focus driver is controlled to focus the laser beam irradiated from the optical unit on the cutting point using the calculated error value.

상기 제어부는, 상기 초기 높이차 및 상기 이동 높이차를 이용하여, 상기 특정지점의 위치정보 및 상기 절단지점의 위치정보에 대응하는 매핑데이터를 생성하여 저장하고, 상기 절단지점이 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송된 경우 상기 저장된 매핑데이터 중 상기 절단지점에 대응하는 데이터를 추출하여 상기 오차값을 계산하고, 상기 계산된 오차값을 이용하여 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 상기 절단지점에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어한다.The controller generates and stores mapping data corresponding to the location information of the specific point and the location information of the cutting point using the initial height difference and the moving height difference, and the cutting point is a laser beam of the optical unit. When the data is transferred to the irradiation position, data corresponding to the cutting point is extracted from the stored mapping data to calculate the error value, and the laser beam irradiated from the optical unit is focused on the cutting point using the calculated error value. The focus driver is controlled so as to.

또한, 상기 웨이퍼는 반도체 메모리 웨이퍼이고, 상기 절단지점은 상기 반도체 메모리 웨이퍼에 형성된 퓨즈로 마련될 수 있다.In addition, the wafer may be a semiconductor memory wafer, and the cutting point may be provided as a fuse formed in the semiconductor memory wafer.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 레이저 리페어시스템은 초점보정렌 즈를 조정함으로써, 리페어하고자 하는 대상물의 높이변경에 따른 포커싱 오류를 감소시킬 수 있다.As described above, the laser repair system according to the present invention can reduce the focusing error caused by the height change of the object to be repaired by adjusting the focus compensation lens.

특히, 리페어하고자 하는 대상물이 반도체 웨이퍼인 경우, 제조상 웨이퍼 표면에 형성되는 높이차, 척이송부의 이송에 따른 높이차에 따른 포커싱 오류를 보정할 수 있고, 종래 레이저 리페어시스템에서 적용된 대물렌즈의 이동에 따른 진동 및 초정밀제어의 부담없이 포커싱 오류를 보정할 수 있다.In particular, when the object to be repaired is a semiconductor wafer, the focusing error due to the height difference formed on the wafer surface during manufacturing and the height difference due to the transfer of the chuck transfer unit can be corrected, and the movement of the objective lens applied in the conventional laser repair system The focusing error can be corrected without the burden of vibration and ultra precision control.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어시스템의 구성 및 동작을 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the configuration and operation of the laser repair system according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어시스템의 개략도이다.2 is a schematic diagram of a laser repair system according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 레이저 리페어시스템(1)은 광학부(21), 척이송부(22), 감지부(23), 초점구동부(24), 제어부(25)로 구성된다.As shown in FIG. 2, the laser repair system 1 according to the present exemplary embodiment includes an optical unit 21, a chuck transfer unit 22, a detection unit 23, a focus driver 24, and a controller 25. It is composed.

본 실시예에 대해 간략히 설명하면, 본 실시예에 따른 레이저 리페어시스템(1)은 웨이퍼(27)를 리페어하는 장비로서, 레이저빔에 의해 절단돼야하는 절단지점에 대한 절단위치정보를 이용하여 웨이퍼(27)의 절단지점을 광학부(21)의 레이저빔 조사 지점으로 이송시키고, 절단지점이 광학부(21)의 레이저빔 조사 지점으로 이송된 경우, 감지부(23)로부터 감지된 높이차를 이용하여 레이저빔의 포커싱을 조정한다.In brief description of the present embodiment, the laser repair system 1 according to the present embodiment is an apparatus for repairing the wafer 27, and uses the wafer position by using cutting position information on the cutting point to be cut by the laser beam. When the cutting point of 27 is transferred to the laser beam irradiation point of the optical unit 21 and the cutting point is transferred to the laser beam irradiation point of the optical unit 21, the height difference detected from the sensing unit 23 is used. To adjust the focus of the laser beam.

이하, 본 실시예에 따른 레이저 리페어시스템(1)의 각 구성에 대해 설명한다.Hereinafter, each structure of the laser repair system 1 which concerns on a present Example is demonstrated.

먼저, 광학부(21)에 대해 도 3를 참조하여 설명한다. 광학부(21)는 도 3에 도시된 바와 같이, 레이저발진기(21a), 대물렌즈(21b), 초점보정렌즈(21c), 편향미러(21d)로 구성된다.First, the optical unit 21 will be described with reference to FIG. 3. As shown in FIG. 3, the optical unit 21 includes a laser oscillator 21a, an objective lens 21b, a focus correction lens 21c, and a deflection mirror 21d.

여기서, 레이저발진기(21a)는 레이저빔을 방출하는 역할을 수행한다. 레이저발진기(21a)는 금속물질을 절단할 수 있는 파장대의 레이저빔을 방출한다.Here, the laser oscillator 21a serves to emit a laser beam. The laser oscillator 21a emits a laser beam in a wavelength band capable of cutting metal material.

대물렌즈(21b)는 레이저발진기(21a)로부터 방출된 레이저빔을 포커싱하는 역할을 수행한다. 대물렌즈(21b)는 고 굴절력을 가진 렌즈로서 고가의 광학기구이다. 대물렌즈(21b)에 의해 이루어지는 레이저빔의 포커싱은 대물렌즈(21b)와 절단지점 사이의 높이차에 따라 보정되어야 한다. 즉, 척이송부(22)의 이동에 따른 미세한 높이차, 웨이퍼(27) 제조과정 중 발생되는 표면의 높이차에 따라 대물렌즈(21b)와 절단지점 사이의 높이차가 변경되면, 레이버빔의 포커싱도 보정되어야 한다.The objective lens 21b serves to focus the laser beam emitted from the laser oscillator 21a. The objective lens 21b is a lens having high refractive power and is an expensive optical mechanism. The focusing of the laser beam made by the objective lens 21b should be corrected according to the height difference between the objective lens 21b and the cutting point. That is, when the height difference between the objective lens 21b and the cutting point is changed according to the minute height difference according to the movement of the chuck transfer part 22 and the surface height generated during the manufacturing process of the wafer 27, the focusing of the laser beam is focused. Should also be corrected.

종래발명의 일부는 대물렌즈(21b)를 이동하여 포커싱을 보정하였으나, 본 실시예에서는 대물렌즈(21b)는 고정 배치된다.While some of the conventional invention has moved the objective lens 21b to correct the focusing, the objective lens 21b is fixedly arranged in this embodiment.

초점보정렌즈(21c)는 레이저발진기(21a)와 대물렌즈(21b) 사이에 위치하여 전술한 대물렌즈(21b)와 절단지점 사이의 높이차에 따라 발생되는 포커싱의 변경을 보정한다. 이러한 포커싱의 변경은 초점보정렌즈(21c)가 레이저빔의 광축을 따라 이동하는 것에 의해 가능하다. 즉, 초점보정렌즈(21c)를 이용하여 레이저발진기(21a)로부터 방출된 레이저빔을 굴절시켜 대물렌즈(21b)로 입사되는 입사빔의 방향 및 폭을 변경시킴으로써 포커싱의 보정이 가능하게 된다. 즉, 대물렌즈(21b)로 입사되는 초점보정렌즈(21c)에 의해 굴절된 레이저빔의 변화에 의해 대물렌즈(21b) 의 포커싱이 조정되는 원리이다.The focus correcting lens 21c is located between the laser oscillator 21a and the objective lens 21b to correct a change in focusing caused by the height difference between the objective lens 21b and the cutting point. This focusing change is possible by moving the focus correcting lens 21c along the optical axis of the laser beam. That is, the focusing correction can be performed by refraction of the laser beam emitted from the laser oscillator 21a using the focus correction lens 21c to change the direction and width of the incident beam incident on the objective lens 21b. That is, the focusing of the objective lens 21b is adjusted by the change of the laser beam refracted by the focus correction lens 21c incident on the objective lens 21b.

도 3에서는 초점보정렌즈(21c)와 대물렌즈(21b) 사이에 편향미러(21d)가 개입되어 있으나, 편향미러(21d)는 레이저발진기(21a)로부터 방출된 레이저빔을 반사하여 대물렌즈(21b)로 편향시키는 역할을 수행하고, 전술한 포커싱 보정에는 영향을 끼치지 않는다. In FIG. 3, the deflection mirror 21d is interposed between the focus correcting lens 21c and the objective lens 21b. However, the deflection mirror 21d reflects the laser beam emitted from the laser oscillator 21a and the objective lens 21b. ) And does not affect the above-described focusing correction.

여기서는, 초점보정렌즈(21c)가 레이저발진기(21a)와 편향미러(21d) 사이에 위치하고 있으나, 초점보정렌즈(21c)는 편향미러(21d)와 대물렌즈(21b) 사이에 배치되어도 상관없다. 전술한 포커싱보정의 원리에는 변화가 없다.Although the focus correction lens 21c is located between the laser oscillator 21a and the deflection mirror 21d, the focus correction lens 21c may be disposed between the deflection mirror 21d and the objective lens 21b. There is no change in the principle of focusing correction described above.

이와같이 초점보정렌즈(21c)를 통해 포커싱을 조정하는 것은 대물렌즈(21b)를 통해 포커싱을 조정하는 것만큼 고 정밀도의 제어를 요구하지 않는다. Adjusting the focusing through the focus correction lens 21c in this manner does not require high precision control as adjusting the focusing through the objective lens 21b.

그것은 초점보정렌즈(21c)의 굴절력이 대물렌즈(21b)의 굴절력에 비해 대략 1/100 정도로 작기 때문에, 포커싱 보정을 위해 초점보정렌즈(21c)의 이동 제어에 따른 허용오차가 대물렌즈(21b)의 이동 제어에 따른 허용오차보다 대략 100배 정도 크기 때문이다. 또한 이러한 초첨보정렌즈(21c)는 대물렌즈(21b)에 비해 상대적으로 저렴하고 소형이여서 제조원가 상승에 대한 부담이 적다.Since the refractive power of the focus correction lens 21c is about 1/100 smaller than the refractive power of the objective lens 21b, the tolerance according to the movement control of the focus correction lens 21c for the focusing correction is the objective lens 21b. This is because it is about 100 times larger than the tolerance according to the movement control of. In addition, since the ultra-corrective lens 21c is relatively inexpensive and compact compared to the objective lens 21b, there is little burden on the increase in manufacturing cost.

척이송부(22)에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 척이송부(22)는 도 2에 도시된 바와 같이, X축과 Y축을 따라 척을 이동시키는 기능을 수행하며, 웨이퍼(27)가 로드된 척(26)을 광학부(21)의 레이저빔 조사 위치로 이송시킨다. 이러한 이송에 의해 대물렌즈(21b)와 웨이퍼(27) 표면 사이의 높이차가 달라 질 수 있다. The chuck transfer unit 22 will be described with reference to FIG. 2. As shown in FIG. 2, the chuck transfer unit 22 performs a function of moving the chuck along the X axis and the Y axis, and moves the chuck 26 loaded with the wafer 27 to the laser beam of the optical unit 21. Transfer to the irradiation position. By this transfer, the height difference between the objective lens 21b and the surface of the wafer 27 may vary.

감지부(23)에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 감지부(23)는 광학부(21)와 일체로서 동작하며, 웨이퍼(27)의 X, Y축 이동위치를 영상으로 포착하여 감지할 수 있는 시각센서를 구비하고 있고, 감지부(23)는 웨이퍼(27)의 표면과 대물렌즈(21b) 사이의 높이차를 측정하는 포커스센서를 구비하고 있다.The sensing unit 23 will be described with reference to FIG. 2. The sensing unit 23 operates integrally with the optical unit 21 and includes a visual sensor capable of capturing and detecting the X and Y axis moving positions of the wafer 27 as an image, and the sensing unit 23 includes: A focus sensor for measuring the height difference between the surface of the wafer 27 and the objective lens 21b is provided.

여기서, 감지부(23)는 포커스센서 유닛을 구비한 CCD 카메라와 같은 비젼모듈로 마련될 수 있다.Here, the sensing unit 23 may be provided as a vision module such as a CCD camera having a focus sensor unit.

감지부(23)는 전술한 척이송부(22)에 의해 이송된 웨이퍼(27)의 절단지점과 대물렌즈(21b) 사이의 높이차를 감지한다.The sensing unit 23 detects the height difference between the cutting point of the wafer 27 transferred by the chuck transfer unit 22 and the objective lens 21b.

감지부(23)는 웨이퍼(27)의 정해진 절단지점이 광학부(21)의 조사 위치로 정확히 이동되는지 모니터하는 역할을 수행한다. 보통, 감지부(23)는 포커스 센서유닛을 구비한 CCD 카메라로 마련될 수 있다.The sensing unit 23 monitors whether a predetermined cutting point of the wafer 27 is accurately moved to the irradiation position of the optical unit 21. Usually, the sensing unit 23 may be provided as a CCD camera having a focus sensor unit.

도 2에 도시된 초점구동부(24)는, 감지부(23)로부터 감지된 높이차를 이용하여 광학부(21)로부터 조사된 레이저빔이 절단지점에 포커싱되도록, 초점보정렌즈(21c)를 레이저빔의 광축 방향을 따라 이동시킨다.The focus driver 24 shown in FIG. 2 uses the height difference sensed by the detector 23 to laser the focus correction lens 21c so that the laser beam irradiated from the optical unit 21 is focused at the cutting point. Move along the optical axis direction of the beam.

마지막으로, 제어부(25)에 대해 도 4를 참조하여 설명한다. 제어부(25)는 절단지점(B)에 대한 절단위치정보(Xb, Yb, Zb)를 저장하고 있다. 절단위치정보는 사전에 웨이퍼(27) 검사단계를 통해 얻어질 수 있다.Finally, the control part 25 is demonstrated with reference to FIG. The control unit 25 stores cutting position information Xb, Yb, and Zb for the cutting point B. FIG. Cutting position information may be obtained through a wafer 27 inspection step in advance.

제어부(25)는 저장된 절단위치정보(Xb, Yb, Zb)를 이용하여 웨이퍼(27)의 절단지점(B)이 광학부(21)의 레이저빔 조사 위치로 이송되도록 척이송부(22)를 제어한다. 즉, 척이송부(22)는 웨이퍼(27)가 척(26)에 로드되어 초기 정렬이 완료된 시점의 위치(Xa, Ya)에서 절단지점(B)의 위치(Xb, Yb)로 웨이퍼(27)를 이송시킨다.The control unit 25 uses the stored cutting position information Xb, Yb, and Zb to move the chuck transfer unit 22 such that the cutting point B of the wafer 27 is transferred to the laser beam irradiation position of the optical unit 21. To control. That is, the chuck transfer part 22 is a wafer 27 from the position (Xa, Ya) of the time point when the wafer 27 is loaded on the chuck 26 and the initial alignment is completed, the position (Xb, Yb) of the cutting point B. ).

그리고, 척이송부(22)에 의해 절단지점(B)이 광학부(21)의 레이저빔 조사 위치로 이송된 경우, 제어부(25)는 감지부(23)로부터 감지된 높이차(Zb)를 이용하여 광학부(21)로부터 조사된 레이저빔이 절단지점(B)에 포커싱되도록 초점구동부(24)를 제어한다.In addition, when the cutting point B is transferred to the laser beam irradiation position of the optical unit 21 by the chuck transfer unit 22, the controller 25 adjusts the height difference Zb detected by the detection unit 23. The focus driver 24 is controlled so that the laser beam irradiated from the optical unit 21 is focused at the cutting point B.

도 4를 참조하여 구체적으로 설명하면, 제어부(25)는 웨이퍼(27)가 척(26)에 로드되어 초기 정렬이 완료되고 척(26)에 로드된 웨이퍼(27) 상의 특정지점(A: Xa,Ya)에 광학부(21)로부터 조사된 레이저빔이 포커싱된 경우, 감지부(23)를 통하여 웨이퍼(27)의 특정지점(A)과 대물렌즈(21b) 사이의 높이차(Za)를 감지한다. 이 때 특정지점(A)에 대한 위치 정보는 {Xa, Ya, Za}에 해당된다. Specifically, referring to FIG. 4, the controller 25 may determine that a specific point A on the wafer 27 loaded on the chuck 26 is completed by the wafer 27 being loaded on the chuck 26 and the initial alignment is completed. When the laser beam irradiated from the optical unit 21 is focused on Ya, the height difference Za between the specific point A of the wafer 27 and the objective lens 21b is detected through the sensing unit 23. Detect. At this time, the position information on the specific point (A) corresponds to {Xa, Ya, Za}.

또한, 제어부(25)는, 저장된 절단위치정보(B:Xb, Yb)를 이용하여, 척이송부(22)를 제어하여, 웨이퍼(27)를 특정 지점(A)으로부터 절단지점(B)까지 이동시킨 경우, 감지부(23)를 이용하여 절단지점(B)과 대물렌즈(21b) 사이의 높이차(Zb)를 감지한다. 이 때, 절단지점(B)에 대한 위치 정보는 {Xb, Yb, Zb}에 해당한다.In addition, the control unit 25 controls the chuck transfer unit 22 by using the stored cutting position information B: Xb and Yb to move the wafer 27 from the specific point A to the cutting point B. In the case of the movement, the height difference Zb between the cutting point B and the objective lens 21b is detected using the detector 23. At this time, the position information on the cutting point (B) corresponds to {Xb, Yb, Zb}.

그리고, 제어부(25)는 전술한 특정 지점(A)와 절단지점(B)에서 감지된 높이차들(Za, Zb)에 대한 오차값을 계산한다. 이 오차값은 (Za - Zb)에 의해 구해질 수 있다. In addition, the controller 25 calculates error values for the height differences Za and Zb detected at the specific point A and the cutting point B described above. This error value can be obtained by (Za-Zb).

제어부(25)는 계산된 오차값을 이용하여 광학부(21)로부터 조사된 레이저빔이 절단지점(B)에 포커싱되도록 초점보정렌즈(21c)를 조정한다. 즉, 계산된 오차값에 대응하는 제어신호를 초점구동부(24)에 인가하여 초점보정렌즈(21c)를 이동시킨다.The control unit 25 adjusts the focus correction lens 21c so that the laser beam irradiated from the optical unit 21 is focused on the cutting point B using the calculated error value. That is, a control signal corresponding to the calculated error value is applied to the focus driver 24 to move the focus compensation lens 21c.

이상에서는 제어부(25)가 실시간으로 계산된 오차값을 이용하여 제어신호를 생성하였다.In the above, the control unit 25 generates a control signal using the error value calculated in real time.

한편, 웨이퍼(27) 상에 복수의 절단지점이 존재하는 경우, 제어부(25)는 절단지점의 각각에 대응하여 상기 척이송부(22)를 이동시켜, 감지부(23)를 이용하여 각 절단지점에 대응하는 높이차를 감지하여 각 절단지점에 대응하는 매핑데이터를 생성하여 저장한다. 그리고 절단지점이 광학부(21)의 레이저빔의 조사위치로 이송된 경우, 저장된 매핑데이터 중 해당 데이터를 추출하여 오차값을 계산하고, 이 오차값을 이용하여 광학부(21)로부터 조사된 레이저빔이 절단지점에 포커싱되도록 상기 초점구동부(24)를 제어한다.On the other hand, when there are a plurality of cutting points on the wafer 27, the control unit 25 moves the chuck transfer unit 22 corresponding to each of the cutting points, and cuts each using the detection unit 23. Detects the height difference corresponding to the point and generates and stores mapping data corresponding to each cut point. When the cutting point is transferred to the irradiation position of the laser beam of the optical unit 21, the corresponding data is extracted from the stored mapping data to calculate an error value, and the laser irradiated from the optical unit 21 using the error value. The focus driver 24 is controlled so that the beam is focused at the cut point.

도 5를 참조하여 구체적으로 설명하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 절단지점이 웨이퍼(27) 상 임의의 지점 'B(Xb, Yb)', 'C(Xc, Yc)', 'D(Xd, Yd)'라고 가정하고, 각 절단지점(B, C, D)에 대응하는 높이차가 각각 'Zb', 'Zc', 'Zd'로 감지된 경우, 각 절단지점(B, C, D)에 대한 매핑데이터는 각각 'B(Xb, Yb, Zb)', 'C(Xc, Yc, Zc)', 'D(Xd, Yd, Zd)'와 같이 형성된다. 그리고, 각 절단지점(B, C, D)에 대응하는 오차값은 'Za-Zb', 'Za-Zc', 'Za-Zd'와 같이 될 수 있다. 여기서 'Za'는 전술한 도 4에서 설명한 바와 같다.Specifically, referring to FIG. 5, as illustrated in FIG. 5, a plurality of cutting points may be random points' B (Xb, Yb) ',' C (Xc, Yc) ',' Assuming that D (Xd, Yd) 'and the height difference corresponding to each cut point B, C, D is detected as' Zb', 'Zc', 'Zd', respectively, each cut point B, C And mapping data for D) are formed as 'B (Xb, Yb, Zb)', 'C (Xc, Yc, Zc)', and 'D (Xd, Yd, Zd)', respectively. The error values corresponding to the cutting points B, C, and D may be 'Za-Zb', 'Za-Zc', or 'Za-Zd'. 'Za' is the same as described above with reference to FIG. 4.

제어부(25)는 전술한 임의의 절단지점 'B', 'C', 'D'를 절단하기 위하여, 저장된 매핑데이터 중 절단지점에 대응하는 데이터를 추출하여 오차값을 계산하여 제어신호를 생성하고 각 생성된 제어신호에 의해 초점구동부(24)를 제어한다. 이러한 초점구동부(24)의 제어에 의해 초점보정렌즈(21c)가 각각 구동되어 광학부(21) 로부터 조사된 레이저빔이 각 절단지점 'B', 'C', 'D'에 포커싱된다. The control unit 25 generates a control signal by extracting data corresponding to the cutting point from the stored mapping data to cut the arbitrary cutting points 'B', 'C', and 'D' as described above. The focus driver 24 is controlled by the generated control signals. By the control of the focus driver 24, the focus correction lens 21c is driven to focus the laser beams irradiated from the optical unit 21 on the cutting points 'B', 'C' and 'D'.

이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어시스템(1)은, 전술한 초점보정렌즈(21c)를 자동 조정함으로써, 제조상 웨이퍼(27) 표면에 형성되는 높이차 및 척이송부(22)의 이송에 따른 높이차에 따른 포커싱 오류를 보정할 수 있고, 종래 레이저 리페어시스템(1)과 같이 대물렌즈(21b)의 이동에 따른 진동 및 초정밀제어의 부담없이 포커싱 오류를 보정할 수 있다.As described above, in the laser repair system 1 according to the exemplary embodiment, the height difference and the chuck transfer part 22 formed on the surface of the wafer 27 are manufactured by automatically adjusting the focus correction lens 21c described above. Focusing error due to the height difference according to the transfer of the can be corrected, focusing error can be corrected without the burden of vibration and ultra-precision control according to the movement of the objective lens 21b as in the conventional laser repair system (1).

여기에서 제시한 실시예는 반도체웨이퍼의 리페어시스템에 국한되어 있지만, LCD와 같은 미소구조를 가지는 판넬 등에도 적용이 가능할 것이다.The embodiment presented here is limited to the repair system of the semiconductor wafer, but may be applied to a panel having a microstructure such as an LCD.

본 발명에 따른 레이저 리페어시스템은 반도체웨이퍼 등 미소구조를 가지는 판넬 등에 발생된 레이저빔을 이용하여 리페어하는 반도체장비로서 널리 이용될 수 있다.The laser repair system according to the present invention can be widely used as a semiconductor device for repairing using a laser beam generated in a panel having a microstructure such as a semiconductor wafer.

도 1은 종래 발명에 따른 레이저 리페어시스템의 개략도이다1 is a schematic diagram of a laser repair system according to the related art.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어시스템의 개략도이다.2 is a schematic diagram of a laser repair system according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부의 동작을 설명하기 위한 개략도이다.3 is a schematic diagram illustrating an operation of a controller according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the operation of the controller according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 매핑데이터를 설명하기 위한 도면이다.5 is a diagram for describing mapping data according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

21, 51 : 광학부 21a : 레이저발진기21, 51: optical portion 21a: laser oscillator

21b : 대물렌즈 21c : 초점보정렌즈21b: objective lens 21c: focusing lens

22 : 척이송부 23 : 감지부22: chuck transfer unit 23: detection unit

24, 54 : 초점구동부 25 : 제어부24, 54: focus driver 25: control unit

Claims (8)

웨이퍼 또는 LCD와 같은 미소구조를 가지는 판넬 등 불량을 리페어하기 위한 레이저 리페어시스템에 있어서, In the laser repair system for repairing defects such as a panel having a microstructure such as a wafer or an LCD, 레이저빔을 방출하는 레이저발진기와, 상기 레이저발진기로부터 방출된 레이저빔을 포커싱하는 대물렌즈와, 상기 레이저발진기와 상기 대물렌즈 사이에 위치하고 상기 대물렌즈의 굴절력보다 작은 굴절력을 가지며 상기 대물렌즈의 초점을 조정하도록 이동가능하게 설치된 초점보정렌즈를 포함하는 광학부;A laser oscillator for emitting a laser beam, an objective lens for focusing the laser beam emitted from the laser oscillator, and positioned between the laser oscillator and the objective lens and having a refractive power smaller than the refractive power of the objective lens and focusing the objective lens. An optical unit including a focus correction lens movably installed to adjust; 상기 초점보정렌즈를 레이저빔의 광축을 따라 이동시키는 초점구동부; A focus driver for moving the focus correcting lens along the optical axis of the laser beam; 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 절단지점에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어하는 제어부;A control unit controlling the focus driver to focus the laser beam irradiated from the optical unit on a cutting point; 웨이퍼가 로드된 척을 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송시키는 척이송부; 및A chuck transfer unit configured to transfer the wafer loaded chuck to a laser beam irradiation position of the optical unit; And 상기 척이송부에 의해 이송된 상기 웨이퍼의 표면과 상기 대물렌즈 사이의 높이차를 감지하는 감지부;를 구비하고,And a sensing unit for sensing a height difference between the surface of the wafer and the objective lens transferred by the chuck transfer unit. 상기 제어부는, 상기 레이저빔을 조사해야하는 절단지점에 대한 위치정보를 저장하고, 웨이퍼가 척에 로드된 경우 상기 위치정보에 따라 상기 웨이퍼를 이송하도록 상기 척이송부를 제어하고, 상기 웨이퍼가 해당 위치로 이송된 경우 상기 감지부로부터 감지된 높이차를 이용하여 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 상기 해당 위치에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 리페어시스템.The control unit stores position information on a cutting point at which the laser beam is to be irradiated, controls the chuck transfer unit to transfer the wafer according to the position information when the wafer is loaded into the chuck, and the wafer is positioned at the corresponding position. And the focus driver to control the focus driver so that the laser beam irradiated from the optical part is focused at the corresponding position by using the height difference sensed by the detector when transferred to. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광학부는, 상기 레이저발진기와 상기 대물렌즈 사이에 편향미러를 더 구비하고, 상기 편향미러는 상기 레이저발진기로부터 방출된 레이저빔을 반사하여 상기 대물렌즈로 편향시키고,The optical unit further comprises a deflection mirror between the laser oscillator and the objective lens, the deflection mirror reflects the laser beam emitted from the laser oscillator and deflects the objective lens, 상기 초점보정렌즈는, 상기 레이저발진기와 상기 편향미러 사이에 위치하거나, 상기 편향미러와 상기 대물렌즈 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 레이저 리페어시스템.The focus correcting lens is positioned between the laser oscillator and the deflection mirror, or between the deflection mirror and the objective lens. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 감지부는, The detection unit, 상기 광학부에 고정되어 설치되고 포커스 센서를 구비하는 비젼모듈로 이루어지며,It is fixed to the optical unit is made of a vision module having a focus sensor, 상기 비젼모듈은, 상기 웨이퍼의 영상을 캡쳐하여 상기 웨이퍼의 이동위치를 감지하고, 상기 포커스 센서를 이용하여 상기 웨이퍼의 표면과 상기 대물렌즈 사이의 높이차를 측정하는 것을 특징으로 하는 레이저 리페어시스템.The vision module captures an image of the wafer, detects a moving position of the wafer, and measures a height difference between the surface of the wafer and the objective lens using the focus sensor. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어부는,The control unit, 상기 웨이퍼의 불량을 리페어하기 위해 상기 레이저빔에 의해 절단될 상기 웨이퍼 상의 절단지점에 대한 절단위치정보를 저장하고, 상기 웨이퍼가 상기 척에 로드된 경우 상기 절단위치정보를 이용하여 상기 절단지점이 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송되도록 상기 척이송부를 제어하고, 상기 절단지점이 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송된 경우 상기 감지부로부터 감지된 높이차를 이용하여 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 상기 절단지점에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 리페어시스템.To store the cutting position information for the cutting point on the wafer to be cut by the laser beam to repair the defect of the wafer, and when the wafer is loaded into the chuck, the cutting point information is used by using the cutting position information. The chuck transfer unit is controlled to be transferred to the laser beam irradiation position of the optical unit, and when the cutting point is transferred to the laser beam irradiation position of the optical unit, the laser is irradiated from the optical unit using the height difference sensed by the sensing unit. And the focus driver to control a beam to be focused at the cutting point. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제어부는, 상기 웨이퍼가 상기 척에 로드되어 초기 정렬이 완료되고 상기 척에 로드된 웨이퍼 상의 특정지점에 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 포커싱된 경우 상기 특정지점과 상기 대물렌즈 사이의 초기 높이차를 감지하도록 상기 감지부를 제어하고, 상기 절단지점이 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송된 경우 상기 절단지점과 상기 대물렌즈 사이의 이동 높이차를 감지하도록 상기 감지부를 제어하며, 상기 감지부로부터 감지된 초기 높이차 및 상기 이동 높이차에 대한 오차값을 계산하고, 상기 계산된 오차값을 이용하여 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 상기 절단지점에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어하는 것을 특 징으로 하는 레이저 리페어시스템.The controller is configured to initialize an initial height between the specific point and the objective lens when the wafer is loaded on the chuck and the initial alignment is completed and the laser beam irradiated from the optical unit is focused on a specific point on the wafer loaded on the chuck. Controlling the sensing unit to detect a difference, and controlling the sensing unit to sense a difference in moving height between the cutting point and the objective lens when the cutting point is transferred to the laser beam irradiation position of the optical unit, and from the sensing unit Calculating an error value for the detected initial height difference and the moving height difference, and controlling the focus driver to focus the laser beam irradiated from the optical part on the cutting point by using the calculated error value. Laser repair system. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제어부는, 상기 초기 높이차 및 상기 이동 높이차를 이용하여, 상기 특정지점의 위치정보 및 상기 절단지점의 위치정보에 대응하는 매핑데이터를 생성하여 저장하고, 상기 절단지점이 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송된 경우 상기 저장된 매핑데이터 중 상기 절단지점에 대응하는 데이터를 추출하여 상기 오차값을 계산하고, 상기 계산된 오차값을 이용하여 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 상기 절단지점에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 리페어시스템.The controller generates and stores mapping data corresponding to the location information of the specific point and the location information of the cutting point using the initial height difference and the moving height difference, and the cutting point is a laser beam of the optical unit. When the data is transferred to the irradiation position, data corresponding to the cutting point is extracted from the stored mapping data to calculate the error value, and the laser beam irradiated from the optical unit is focused on the cutting point using the calculated error value. Laser repair system, characterized in that for controlling the focus drive unit. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 웨이퍼는 반도체 메모리 웨이퍼이고, 상기 절단지점은 상기 반도체 메모리 웨이퍼에 형성된 퓨즈인 것을 특징으로 하는 레이저 리페어시스템.The wafer is a semiconductor memory wafer, and the cut point is a fuse formed in the semiconductor memory wafer.
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