KR100982344B1 - Laser repair system - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 또는 LCD와 같은 미소구조를 가지는 판넬 등 불량을 리페어하기 위한 레이저 리페어시스템에 관한 것이다. 상기 레이저 리페어시스템은, 레이저빔을 방출하는 레이저발진기와, 상기 레이저발진기로부터 방출된 레이저빔을 포커싱하는 대물렌즈와, 상기 레이저발진기와 상기 대물렌즈 사이에 위치하고 상기 대물렌즈의 굴절력보다 작은 굴절력을 가지며 상기 대물렌즈의 초점을 조정하도록 이동가능하게 설치된 초점보정렌즈를 포함하는 광학부; 상기 초점보정렌즈를 레이저빔의 광축을 따라 이동시키는 초점구동부; 및 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 사용자가 원하는 위치에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어하는 제어부;를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 본 발명은 리페어하고자 하는 대상물의 높이변경에 따른 포커싱 오류를 효과적으로 감소시킬 수 있다.The present invention relates to a laser repair system for repairing defects such as a panel having a microstructure such as a wafer or an LCD. The laser repair system includes a laser oscillator for emitting a laser beam, an objective lens for focusing the laser beam emitted from the laser oscillator, and positioned between the laser oscillator and the objective lens and having a refractive power smaller than that of the objective lens. An optical unit including a focus correcting lens movably installed to adjust a focus of the objective lens; A focus driver for moving the focus correcting lens along the optical axis of the laser beam; And a control unit controlling the focus driver so that the laser beam irradiated from the optical unit is focused at a desired position of the user. Accordingly, the present invention can effectively reduce the focusing error caused by the height change of the object to be repaired.
레이저, 웨이퍼, 리페어시스템, 대물렌즈 Laser, Wafer, Repair System, Objective Lens
Description
본 발명은 레이저 리페어시스템에 관한 것으로, 더 구체적으로는 레이저빔의 포커싱 조정이 가능한 레이저 리페어시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a laser repair system, and more particularly, to a laser repair system capable of focusing adjustment of a laser beam.
레이저 리페어시스템은 반도체 및 LCD 판넬 등의 테스트 공정에서 정상 동작 여부가 판정되어 나온 반도체 및 LCD 판넬 중, 불량이 존재하는 것에 대해 레이저빔을 이용하여 리페어를 실시하는 장비이다. The laser repair system is a device that performs a repair using a laser beam for defects among semiconductor and LCD panels that have been determined to operate normally in a test process such as semiconductor and LCD panels.
메모리 반도체웨이퍼인 경우, 레이저 리페어시스템은 웨이퍼에 형성된 퓨즈와 그 어드레스에 관한 정보를 이용하여, 검사된 불량 다이의 퓨즈를 레이저를 통해 절단하고 리던던시 회로와 연결시킴으로써 정상적인 다이로 리페어한다. 이를 통해 제조 공정에서 발생되는 다이의 불량률을 감소시켜 생산 수율을 높이고, 제조원가를 감소시킬 수 있다.In the case of a memory semiconductor wafer, the laser repair system repairs a defective die by using a fuse formed in the wafer and information about its address, and then repairs the fuse of the defective die through a laser and connects it with a redundancy circuit. This can reduce the defect rate of the die generated in the manufacturing process to increase the production yield, it is possible to reduce the manufacturing cost.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 레이저 리페어시스템은, 불량난 반도체 웨이퍼(11)에 로드되는 척(12), 척(12) 위에 로드된 웨이퍼(11)를 리페어하기 위한 광학부(13), 웨이퍼(11)가 놓여진 척(12)을 정밀하게 이송하여 광학부(13)와 맞춰주는 척이송부(14), 광학부(13)내의 편향미러를 조정하는 편향미러조정부(15) 및 전체적인 동작을 제어하는 제어부(15)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the conventional laser repair system includes an
구체적으로, 광학부(13)는 레이저발진기를 장착하고 있으며, 레이저발진기로부터 방출된 레이저빔이 광학부(13) 내부의 광학구성에 의하여 웨이퍼(11)에 도달하여 불량 퓨즈를 절단함으로써 불량 퓨즈와 연계된 어드레스를 정상의 다른 어드레스와 연결하여 웨이퍼(11)를 리페어 한다.Specifically, the
그런데, 불량 퓨즈를 절단하기 위해선, 광학부(13)에서 조사되는 레이저빔이 퓨즈의 정확한 지점을 포커싱 하도록 정밀하게 제어되어야 한다. 그런데, 척이송부(14)가 이동할 때 발생되는 미세한 높이차, 웨이퍼 제조과정 중 생기는 표면 높이차 때문에 조사되는 레이저의 포커싱에 오류가 발생하여 불량 퓨즈의 절단시 웨이퍼 손상 및 정상 퓨즈의 절단 등의 문제를 발생시킬 수 있다. By the way, in order to cut the defective fuse, the laser beam irradiated from the
이 문제를 해결하기위해, 광학부(13) 내에서 포커싱 기능을 수행하는 대물렌즈를 상하로 이동시키는 대물렌즈조정부(16)를 추가함으로써 전술한 높이차에 의해 발생되는 레이저빔의 포커싱 오류를 보정하였다.In order to solve this problem, by adding an objective
그러나, 이러한 보정을 위해 대물렌즈를 이동시키는 것에도 문제가 존재한다. 즉, 대물렌즈의 굴절력이 매우 크기 때문에 이를 제어하기 위해서는 고 분해능의 모터가 요구되고, 대물렌즈의 사이즈가 크기 때문에 대물렌즈의 이동에 따른 진동 등 왜란에 의해 광학부(13) 내부구성에 정렬오차를 야기시킨다.However, there is also a problem in moving the objective lens for such correction. That is, since the refractive power of the objective lens is very large, a high resolution motor is required to control it, and because the size of the objective lens is large, there is an alignment error in the internal configuration of the
전술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 리페어하고자 하는 대상물의 높이변경에 따른 포커싱 오류를 효과적으로 감소시킬 수 있고, 척이송부의 이동시 발생되는 미세한 높이의 차이 및 웨이퍼 제조과정 중 생기는 표면 높이의 차이 때문에 발생되는 포커싱 오류를 감소시킬 수 있으며, 대물렌즈를 이동시키지 않고 포커싱 오류를 감소시킬 수 있는 레이저 리페어시스템를 제공하는 것이다.An object of the present invention for solving the above problems, can effectively reduce the focusing error caused by the height change of the object to be repaired, the difference in the fine height generated during the movement of the chuck transfer unit and the surface height generated during the wafer manufacturing process To provide a laser repair system that can reduce the focusing error caused by the difference, and can reduce the focusing error without moving the objective lens.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 특징은 웨이퍼 또는 LCD와 같은 미소구조를 가지는 판넬 등 불량을 리페어하기 위한 레이저 리페어시스템에 관한 것으로, 상기 레이저 리페어시스템은, 레이저빔을 방출하는 레이저발진기와, 상기 레이저발진기로부터 방출된 레이저빔을 포커싱하는 대물렌즈와, 상기 레이저발진기와 상기 대물렌즈 사이에 위치하고 상기 대물렌즈의 굴절력보다 작은 굴절력을 가지며 상기 대물렌즈의 초점을 조정하도록 이동가능하게 설치된 초점보정렌즈를 포함하는 광학부; 상기 초점보정렌즈를 레이저빔의 광축을 따라 이동시키는 초점구동부; 및 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 사용자가 원하는 위치에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어하는 제어부;를 구비하는 것을 특징으로 한다.A feature of the present invention for achieving the above technical problem relates to a laser repair system for repairing defects such as a panel having a microstructure such as a wafer or an LCD, the laser repair system, and a laser oscillator for emitting a laser beam And an objective lens for focusing the laser beam emitted from the laser oscillator, and a focus compensation interposed between the laser oscillator and the objective lens and having a refractive power smaller than that of the objective lens and movably installed to adjust the focus of the objective lens. An optical unit including a lens; A focus driver for moving the focus correcting lens along the optical axis of the laser beam; And a control unit controlling the focus driver so that the laser beam irradiated from the optical unit is focused at a desired position of the user.
또한, 상기 레이저 리페어시스템은, 상기 웨이퍼가 로드된 척을 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송시키는 척이송부와; 상기 척이송부에 의해 이송된 상기 웨이퍼의 표면과 상기 대물렌즈 사이의 높이차를 감지하는 감지부;를 더 구비하 고, 상기 제어부는, 상기 레이저빔을 조사해야하는 위치정보를 저장하고, 상기 웨이퍼가 상기 척에 로드된 경우 상기 위치정보에 따라 상기 웨이퍼를 이송하도록 상기 척이송부를 제어하고, 상기 웨이퍼가 해당 위치로 이송된 경우 상기 감지부로부터 감지된 높이차를 이용하여 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 상기 해당 위치에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어한다.The laser repair system may further include a chuck transfer unit configured to transfer the chuck loaded with the wafer to a laser beam irradiation position of the optical unit; And a sensing unit which senses a height difference between the surface of the wafer and the objective lens transferred by the chuck transfer unit, and wherein the control unit stores position information for irradiating the laser beam and stores the wafer. Controls the chuck transfer unit to transfer the wafer according to the position information when the chuck is loaded into the chuck, and irradiates from the optical unit using the height difference sensed by the sensing unit when the wafer is transferred to the corresponding position. The focus driver is controlled to focus the laser beam on the corresponding position.
전술한 광학부는, 상기 레이저발진기와 상기 대물렌즈 사이에 편향미러를 더 구비하고, 상기 편향미러는 상기 레이저발진기로부터 방출된 레이저빔을 반사하여 상기 대물렌즈로 편향시키고, 상기 초점보정렌즈는, 상기 레이저발진기와 상기 편향미러 사이에 위치하거나, 상기 편향미러와 상기 대물렌즈 사이에 위치할 수 있다.The optical unit may further include a deflection mirror between the laser oscillator and the objective lens, wherein the deflection mirror reflects the laser beam emitted from the laser oscillator and deflects the deflection mirror to the objective lens. It may be located between the laser oscillator and the deflection mirror, or may be located between the deflection mirror and the objective lens.
그리고, 상기 감지부는, 상기 광학부에 고정되어 설치되고 포커스 센서를 구비하는 비젼모듈로 이루어지며, 상기 비젼모듈은, 상기 웨이퍼의 영상을 캡쳐하여 상기 웨이퍼의 이동위치를 감지하고, 상기 포커스 센서를 이용하여 상기 웨이퍼의 표면과 상기 대물렌즈 사이의 높이차를 측정한다.The detection unit includes a vision module fixed to the optical unit and provided with a focus sensor, wherein the vision module captures an image of the wafer to detect a movement position of the wafer, and detects the focus sensor. The height difference between the surface of the wafer and the objective lens is measured.
전술한 제어부는, 상기 웨이퍼의 불량을 리페어하기 위해 상기 레이저빔에 의해 절단될 상기 웨이퍼 상의 절단지점에 대한 절단위치정보를 저장하고, 상기 웨이퍼가 상기 척에 로드된 경우 상기 절단위치정보를 이용하여 상기 절단지점이 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송되도록 상기 척이송부를 제어하고, 상기 절단지점이 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송된 경우 상기 감지부로부터 감지된 높이차를 이용하여 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 상기 절단지점에 포 커싱되도록 상기 초점구동부를 제어한다.The above-described control unit stores cutting position information on a cutting point on the wafer to be cut by the laser beam to repair the defect of the wafer, and uses the cutting position information when the wafer is loaded in the chuck. The chuck feeder is controlled so that the cutting point is transferred to the laser beam irradiation position of the optical unit, and when the cutting point is transferred to the laser beam irradiation position of the optical unit, the optical unit uses the height difference detected from the sensing unit. The focus driver is controlled so that the laser beam irradiated from the part is focused at the cutting point.
여기서, 상기 제어부는, 상기 웨이퍼가 상기 척에 로드되어 초기 정렬이 완료되고 상기 척에 로드된 웨이퍼 상의 특정지점에 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 포커싱된 경우 상기 특정지점과 상기 대물렌즈 사이의 초기 높이차를 감지하도록 상기 감지부를 제어하고, 상기 절단지점이 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송된 경우 상기 절단지점과 상기 대물렌즈 사이의 이동 높이차를 감지하도록 상기 감지부를 제어하며, 상기 감지부로부터 감지된 초기 높이차 및 상기 이동 높이차에 대한 오차값을 계산하고, 상기 계산된 오차값을 이용하여 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 상기 절단지점에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어한다.Here, the control unit, when the wafer is loaded on the chuck and the initial alignment is completed and the laser beam irradiated from the optical portion is focused on a specific point on the wafer loaded on the chuck between the specific point and the objective lens Controlling the sensing unit to detect an initial height difference, and controlling the sensing unit to sense a moving height difference between the cutting point and the objective lens when the cutting point is transferred to a laser beam irradiation position of the optical unit, and detecting An error value for the initial height difference and the moving height difference detected from the unit is calculated, and the focus driver is controlled to focus the laser beam irradiated from the optical unit on the cutting point using the calculated error value.
상기 제어부는, 상기 초기 높이차 및 상기 이동 높이차를 이용하여, 상기 특정지점의 위치정보 및 상기 절단지점의 위치정보에 대응하는 매핑데이터를 생성하여 저장하고, 상기 절단지점이 상기 광학부의 레이저빔 조사 위치로 이송된 경우 상기 저장된 매핑데이터 중 상기 절단지점에 대응하는 데이터를 추출하여 상기 오차값을 계산하고, 상기 계산된 오차값을 이용하여 상기 광학부로부터 조사된 레이저빔이 상기 절단지점에 포커싱되도록 상기 초점구동부를 제어한다.The controller generates and stores mapping data corresponding to the location information of the specific point and the location information of the cutting point using the initial height difference and the moving height difference, and the cutting point is a laser beam of the optical unit. When the data is transferred to the irradiation position, data corresponding to the cutting point is extracted from the stored mapping data to calculate the error value, and the laser beam irradiated from the optical unit is focused on the cutting point using the calculated error value. The focus driver is controlled so as to.
또한, 상기 웨이퍼는 반도체 메모리 웨이퍼이고, 상기 절단지점은 상기 반도체 메모리 웨이퍼에 형성된 퓨즈로 마련될 수 있다.In addition, the wafer may be a semiconductor memory wafer, and the cutting point may be provided as a fuse formed in the semiconductor memory wafer.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 레이저 리페어시스템은 초점보정렌 즈를 조정함으로써, 리페어하고자 하는 대상물의 높이변경에 따른 포커싱 오류를 감소시킬 수 있다.As described above, the laser repair system according to the present invention can reduce the focusing error caused by the height change of the object to be repaired by adjusting the focus compensation lens.
특히, 리페어하고자 하는 대상물이 반도체 웨이퍼인 경우, 제조상 웨이퍼 표면에 형성되는 높이차, 척이송부의 이송에 따른 높이차에 따른 포커싱 오류를 보정할 수 있고, 종래 레이저 리페어시스템에서 적용된 대물렌즈의 이동에 따른 진동 및 초정밀제어의 부담없이 포커싱 오류를 보정할 수 있다.In particular, when the object to be repaired is a semiconductor wafer, the focusing error due to the height difference formed on the wafer surface during manufacturing and the height difference due to the transfer of the chuck transfer unit can be corrected, and the movement of the objective lens applied in the conventional laser repair system The focusing error can be corrected without the burden of vibration and ultra precision control.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어시스템의 구성 및 동작을 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the configuration and operation of the laser repair system according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어시스템의 개략도이다.2 is a schematic diagram of a laser repair system according to an embodiment of the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 레이저 리페어시스템(1)은 광학부(21), 척이송부(22), 감지부(23), 초점구동부(24), 제어부(25)로 구성된다.As shown in FIG. 2, the laser repair system 1 according to the present exemplary embodiment includes an
본 실시예에 대해 간략히 설명하면, 본 실시예에 따른 레이저 리페어시스템(1)은 웨이퍼(27)를 리페어하는 장비로서, 레이저빔에 의해 절단돼야하는 절단지점에 대한 절단위치정보를 이용하여 웨이퍼(27)의 절단지점을 광학부(21)의 레이저빔 조사 지점으로 이송시키고, 절단지점이 광학부(21)의 레이저빔 조사 지점으로 이송된 경우, 감지부(23)로부터 감지된 높이차를 이용하여 레이저빔의 포커싱을 조정한다.In brief description of the present embodiment, the laser repair system 1 according to the present embodiment is an apparatus for repairing the
이하, 본 실시예에 따른 레이저 리페어시스템(1)의 각 구성에 대해 설명한다.Hereinafter, each structure of the laser repair system 1 which concerns on a present Example is demonstrated.
먼저, 광학부(21)에 대해 도 3를 참조하여 설명한다. 광학부(21)는 도 3에 도시된 바와 같이, 레이저발진기(21a), 대물렌즈(21b), 초점보정렌즈(21c), 편향미러(21d)로 구성된다.First, the
여기서, 레이저발진기(21a)는 레이저빔을 방출하는 역할을 수행한다. 레이저발진기(21a)는 금속물질을 절단할 수 있는 파장대의 레이저빔을 방출한다.Here, the
대물렌즈(21b)는 레이저발진기(21a)로부터 방출된 레이저빔을 포커싱하는 역할을 수행한다. 대물렌즈(21b)는 고 굴절력을 가진 렌즈로서 고가의 광학기구이다. 대물렌즈(21b)에 의해 이루어지는 레이저빔의 포커싱은 대물렌즈(21b)와 절단지점 사이의 높이차에 따라 보정되어야 한다. 즉, 척이송부(22)의 이동에 따른 미세한 높이차, 웨이퍼(27) 제조과정 중 발생되는 표면의 높이차에 따라 대물렌즈(21b)와 절단지점 사이의 높이차가 변경되면, 레이버빔의 포커싱도 보정되어야 한다.The
종래발명의 일부는 대물렌즈(21b)를 이동하여 포커싱을 보정하였으나, 본 실시예에서는 대물렌즈(21b)는 고정 배치된다.While some of the conventional invention has moved the
초점보정렌즈(21c)는 레이저발진기(21a)와 대물렌즈(21b) 사이에 위치하여 전술한 대물렌즈(21b)와 절단지점 사이의 높이차에 따라 발생되는 포커싱의 변경을 보정한다. 이러한 포커싱의 변경은 초점보정렌즈(21c)가 레이저빔의 광축을 따라 이동하는 것에 의해 가능하다. 즉, 초점보정렌즈(21c)를 이용하여 레이저발진기(21a)로부터 방출된 레이저빔을 굴절시켜 대물렌즈(21b)로 입사되는 입사빔의 방향 및 폭을 변경시킴으로써 포커싱의 보정이 가능하게 된다. 즉, 대물렌즈(21b)로 입사되는 초점보정렌즈(21c)에 의해 굴절된 레이저빔의 변화에 의해 대물렌즈(21b) 의 포커싱이 조정되는 원리이다.The
도 3에서는 초점보정렌즈(21c)와 대물렌즈(21b) 사이에 편향미러(21d)가 개입되어 있으나, 편향미러(21d)는 레이저발진기(21a)로부터 방출된 레이저빔을 반사하여 대물렌즈(21b)로 편향시키는 역할을 수행하고, 전술한 포커싱 보정에는 영향을 끼치지 않는다. In FIG. 3, the
여기서는, 초점보정렌즈(21c)가 레이저발진기(21a)와 편향미러(21d) 사이에 위치하고 있으나, 초점보정렌즈(21c)는 편향미러(21d)와 대물렌즈(21b) 사이에 배치되어도 상관없다. 전술한 포커싱보정의 원리에는 변화가 없다.Although the
이와같이 초점보정렌즈(21c)를 통해 포커싱을 조정하는 것은 대물렌즈(21b)를 통해 포커싱을 조정하는 것만큼 고 정밀도의 제어를 요구하지 않는다. Adjusting the focusing through the
그것은 초점보정렌즈(21c)의 굴절력이 대물렌즈(21b)의 굴절력에 비해 대략 1/100 정도로 작기 때문에, 포커싱 보정을 위해 초점보정렌즈(21c)의 이동 제어에 따른 허용오차가 대물렌즈(21b)의 이동 제어에 따른 허용오차보다 대략 100배 정도 크기 때문이다. 또한 이러한 초첨보정렌즈(21c)는 대물렌즈(21b)에 비해 상대적으로 저렴하고 소형이여서 제조원가 상승에 대한 부담이 적다.Since the refractive power of the
척이송부(22)에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 척이송부(22)는 도 2에 도시된 바와 같이, X축과 Y축을 따라 척을 이동시키는 기능을 수행하며, 웨이퍼(27)가 로드된 척(26)을 광학부(21)의 레이저빔 조사 위치로 이송시킨다. 이러한 이송에 의해 대물렌즈(21b)와 웨이퍼(27) 표면 사이의 높이차가 달라 질 수 있다. The chuck transfer unit 22 will be described with reference to FIG. 2. As shown in FIG. 2, the chuck transfer unit 22 performs a function of moving the chuck along the X axis and the Y axis, and moves the
감지부(23)에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 감지부(23)는 광학부(21)와 일체로서 동작하며, 웨이퍼(27)의 X, Y축 이동위치를 영상으로 포착하여 감지할 수 있는 시각센서를 구비하고 있고, 감지부(23)는 웨이퍼(27)의 표면과 대물렌즈(21b) 사이의 높이차를 측정하는 포커스센서를 구비하고 있다.The
여기서, 감지부(23)는 포커스센서 유닛을 구비한 CCD 카메라와 같은 비젼모듈로 마련될 수 있다.Here, the
감지부(23)는 전술한 척이송부(22)에 의해 이송된 웨이퍼(27)의 절단지점과 대물렌즈(21b) 사이의 높이차를 감지한다.The
감지부(23)는 웨이퍼(27)의 정해진 절단지점이 광학부(21)의 조사 위치로 정확히 이동되는지 모니터하는 역할을 수행한다. 보통, 감지부(23)는 포커스 센서유닛을 구비한 CCD 카메라로 마련될 수 있다.The
도 2에 도시된 초점구동부(24)는, 감지부(23)로부터 감지된 높이차를 이용하여 광학부(21)로부터 조사된 레이저빔이 절단지점에 포커싱되도록, 초점보정렌즈(21c)를 레이저빔의 광축 방향을 따라 이동시킨다.The
마지막으로, 제어부(25)에 대해 도 4를 참조하여 설명한다. 제어부(25)는 절단지점(B)에 대한 절단위치정보(Xb, Yb, Zb)를 저장하고 있다. 절단위치정보는 사전에 웨이퍼(27) 검사단계를 통해 얻어질 수 있다.Finally, the
제어부(25)는 저장된 절단위치정보(Xb, Yb, Zb)를 이용하여 웨이퍼(27)의 절단지점(B)이 광학부(21)의 레이저빔 조사 위치로 이송되도록 척이송부(22)를 제어한다. 즉, 척이송부(22)는 웨이퍼(27)가 척(26)에 로드되어 초기 정렬이 완료된 시점의 위치(Xa, Ya)에서 절단지점(B)의 위치(Xb, Yb)로 웨이퍼(27)를 이송시킨다.The
그리고, 척이송부(22)에 의해 절단지점(B)이 광학부(21)의 레이저빔 조사 위치로 이송된 경우, 제어부(25)는 감지부(23)로부터 감지된 높이차(Zb)를 이용하여 광학부(21)로부터 조사된 레이저빔이 절단지점(B)에 포커싱되도록 초점구동부(24)를 제어한다.In addition, when the cutting point B is transferred to the laser beam irradiation position of the
도 4를 참조하여 구체적으로 설명하면, 제어부(25)는 웨이퍼(27)가 척(26)에 로드되어 초기 정렬이 완료되고 척(26)에 로드된 웨이퍼(27) 상의 특정지점(A: Xa,Ya)에 광학부(21)로부터 조사된 레이저빔이 포커싱된 경우, 감지부(23)를 통하여 웨이퍼(27)의 특정지점(A)과 대물렌즈(21b) 사이의 높이차(Za)를 감지한다. 이 때 특정지점(A)에 대한 위치 정보는 {Xa, Ya, Za}에 해당된다. Specifically, referring to FIG. 4, the
또한, 제어부(25)는, 저장된 절단위치정보(B:Xb, Yb)를 이용하여, 척이송부(22)를 제어하여, 웨이퍼(27)를 특정 지점(A)으로부터 절단지점(B)까지 이동시킨 경우, 감지부(23)를 이용하여 절단지점(B)과 대물렌즈(21b) 사이의 높이차(Zb)를 감지한다. 이 때, 절단지점(B)에 대한 위치 정보는 {Xb, Yb, Zb}에 해당한다.In addition, the
그리고, 제어부(25)는 전술한 특정 지점(A)와 절단지점(B)에서 감지된 높이차들(Za, Zb)에 대한 오차값을 계산한다. 이 오차값은 (Za - Zb)에 의해 구해질 수 있다. In addition, the
제어부(25)는 계산된 오차값을 이용하여 광학부(21)로부터 조사된 레이저빔이 절단지점(B)에 포커싱되도록 초점보정렌즈(21c)를 조정한다. 즉, 계산된 오차값에 대응하는 제어신호를 초점구동부(24)에 인가하여 초점보정렌즈(21c)를 이동시킨다.The
이상에서는 제어부(25)가 실시간으로 계산된 오차값을 이용하여 제어신호를 생성하였다.In the above, the
한편, 웨이퍼(27) 상에 복수의 절단지점이 존재하는 경우, 제어부(25)는 절단지점의 각각에 대응하여 상기 척이송부(22)를 이동시켜, 감지부(23)를 이용하여 각 절단지점에 대응하는 높이차를 감지하여 각 절단지점에 대응하는 매핑데이터를 생성하여 저장한다. 그리고 절단지점이 광학부(21)의 레이저빔의 조사위치로 이송된 경우, 저장된 매핑데이터 중 해당 데이터를 추출하여 오차값을 계산하고, 이 오차값을 이용하여 광학부(21)로부터 조사된 레이저빔이 절단지점에 포커싱되도록 상기 초점구동부(24)를 제어한다.On the other hand, when there are a plurality of cutting points on the
도 5를 참조하여 구체적으로 설명하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 절단지점이 웨이퍼(27) 상 임의의 지점 'B(Xb, Yb)', 'C(Xc, Yc)', 'D(Xd, Yd)'라고 가정하고, 각 절단지점(B, C, D)에 대응하는 높이차가 각각 'Zb', 'Zc', 'Zd'로 감지된 경우, 각 절단지점(B, C, D)에 대한 매핑데이터는 각각 'B(Xb, Yb, Zb)', 'C(Xc, Yc, Zc)', 'D(Xd, Yd, Zd)'와 같이 형성된다. 그리고, 각 절단지점(B, C, D)에 대응하는 오차값은 'Za-Zb', 'Za-Zc', 'Za-Zd'와 같이 될 수 있다. 여기서 'Za'는 전술한 도 4에서 설명한 바와 같다.Specifically, referring to FIG. 5, as illustrated in FIG. 5, a plurality of cutting points may be random points' B (Xb, Yb) ',' C (Xc, Yc) ',' Assuming that D (Xd, Yd) 'and the height difference corresponding to each cut point B, C, D is detected as' Zb', 'Zc', 'Zd', respectively, each cut point B, C And mapping data for D) are formed as 'B (Xb, Yb, Zb)', 'C (Xc, Yc, Zc)', and 'D (Xd, Yd, Zd)', respectively. The error values corresponding to the cutting points B, C, and D may be 'Za-Zb', 'Za-Zc', or 'Za-Zd'. 'Za' is the same as described above with reference to FIG. 4.
제어부(25)는 전술한 임의의 절단지점 'B', 'C', 'D'를 절단하기 위하여, 저장된 매핑데이터 중 절단지점에 대응하는 데이터를 추출하여 오차값을 계산하여 제어신호를 생성하고 각 생성된 제어신호에 의해 초점구동부(24)를 제어한다. 이러한 초점구동부(24)의 제어에 의해 초점보정렌즈(21c)가 각각 구동되어 광학부(21) 로부터 조사된 레이저빔이 각 절단지점 'B', 'C', 'D'에 포커싱된다. The
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어시스템(1)은, 전술한 초점보정렌즈(21c)를 자동 조정함으로써, 제조상 웨이퍼(27) 표면에 형성되는 높이차 및 척이송부(22)의 이송에 따른 높이차에 따른 포커싱 오류를 보정할 수 있고, 종래 레이저 리페어시스템(1)과 같이 대물렌즈(21b)의 이동에 따른 진동 및 초정밀제어의 부담없이 포커싱 오류를 보정할 수 있다.As described above, in the laser repair system 1 according to the exemplary embodiment, the height difference and the chuck transfer part 22 formed on the surface of the
여기에서 제시한 실시예는 반도체웨이퍼의 리페어시스템에 국한되어 있지만, LCD와 같은 미소구조를 가지는 판넬 등에도 적용이 가능할 것이다.The embodiment presented here is limited to the repair system of the semiconductor wafer, but may be applied to a panel having a microstructure such as an LCD.
본 발명에 따른 레이저 리페어시스템은 반도체웨이퍼 등 미소구조를 가지는 판넬 등에 발생된 레이저빔을 이용하여 리페어하는 반도체장비로서 널리 이용될 수 있다.The laser repair system according to the present invention can be widely used as a semiconductor device for repairing using a laser beam generated in a panel having a microstructure such as a semiconductor wafer.
도 1은 종래 발명에 따른 레이저 리페어시스템의 개략도이다1 is a schematic diagram of a laser repair system according to the related art.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 리페어시스템의 개략도이다.2 is a schematic diagram of a laser repair system according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부의 동작을 설명하기 위한 개략도이다.3 is a schematic diagram illustrating an operation of a controller according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the operation of the controller according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 매핑데이터를 설명하기 위한 도면이다.5 is a diagram for describing mapping data according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
21, 51 : 광학부 21a : 레이저발진기21, 51:
21b : 대물렌즈 21c : 초점보정렌즈21b:
22 : 척이송부 23 : 감지부22: chuck transfer unit 23: detection unit
24, 54 : 초점구동부 25 : 제어부24, 54: focus driver 25: control unit
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