KR100970859B1

KR100970859B1 - 플라즈마 처리 장치

Info

Publication number: KR100970859B1
Application number: KR1020080073633A
Authority: KR
Inventors: 김성렬; 조길영
Original assignee: 주식회사 테스
Priority date: 2008-07-28
Filing date: 2008-07-28
Publication date: 2010-07-16
Anticipated expiration: 2028-07-28
Also published as: KR20100012314A

Abstract

본 발명은 반응 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내부의 하부에 위치되는 하부 전극 및 상기 하부 전극의 외주면을 둘러싸도록 소정 높이를 가지는 측벽부를 구비하고, 상기 측벽부의 상단부에 기판이 안착되는 플라즈마 감금링을 포함하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.

이와 같은 본 발명은 플라즈마 감금링을 통해 기판의 배면에 직접 플라즈마 가스를 공급하여 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마를 기판의 배면과 하부 전극 사이에 가두어 줌으로써, 플라즈마의 분포 밀도를 높여 공정 시간을 단축시키고 공정 효율을 높일 수 있다.

플라즈마, 파티클, 식각, Bevel, 링

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 배면에 형성된 퇴적물을 제거하기 위한 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.

반도체 소자 및 평판 표시 장치는 복수 회의 박막 증착과 식각 공정을 실시하여 제작된다. 즉, 증착 공정을 실시하여 기판의 소정 영역에 박막을 형성하고, 식각 마스크를 이용한 식각 공정을 실시하여 불필요한 박막의 일부를 제거하여 기판 상에 원하는 소정의 회로 패턴(pattern) 또는 회로 소자를 형성함으로써 제작된다.

하지만, 상기의 박막 증착 공정시 기판의 전면에 박막을 형성하고, 상기의 식각 공정시 기판의 중심 영역에 형성된 박막을 식각 타겟으로 하기 때문에 기판의 에지 영역에는 박막이 제거되지 않은 상태로 잔류하게 된다. 또한, 식각 공정시 필연적으로 공정 부산물 예를 들어, 파티클(particle)이 퇴적되는 현상이 발생한다. 이와 더불어, 통상적으로 기판을 지지하는 기판 지지부에는 정전력 또는 진공력에 의해 기판을 안착시키기 때문에 상기 기판과 기판 지지부 사이의 계면은 소정 거리 이격되어 틈이 발생되고, 이 틈을 통해 기판의 배면에도 박막 및 파티클이 퇴적될 수 있다. 만일, 기판에 존재하는 파티클 및 퇴적된 박막을 제거하지 않은 상태에서 계속적인 공정이 진행될 경우 기판이 휘어지거나 기판의 정렬이 어려워지는 등의 많은 문제점이 발생될 수 있다.

따라서, 최근에는 기판의 에지 영역에 존재하는 파티클 및 퇴적된 박막을 식각하여 제거하기 위한 플라즈마 처리 장치가 개발되고 있다. 이러한 플라즈마 처리 장치는 기판보다 직경이 작은 기판 지지부에 기판을 안착시켜 기판의 에지 영역을 노출시키고, 기판의 에지 영역 상하로 상하 전극을 배치시켜 노출된 기판의 에지 영역에 플라즈마를 발생시킨다. 이때, 기판의 상부 영역에 설치된 플라즈마 차폐부와 기판 지지부의 간격을 좁게하여 기판의 중심 영역으로 플라즈마가 유입되는 것을 차폐한다.

하지만, 상술한 바와 같은 종래의 기술은 기판보다 그 직경이 작은 기판 지지부 상에 기판을 안착한 후 노출된 기판의 단부를 플라즈마를 이용하여 식각함으로써, 기판의 에지부 즉, 기판의 상면과 배면의 가장자리 및 기판의 측면에 퇴적된 파티클을 제거하는 방식이어서 기판의 배면부 중심에 퇴적된 파티클은 완전히 제거되지 않는 문제점이 발생된다. 이를 해결하기 위해, 기판의 에지부를 거치한 후 기판의 배면에 플라즈마를 발생시켜 기판의 배면에 퇴적된 박막 및 파티클을 제거하는 방식이 제안되었다. 그러나, 이 경우는 플라즈마가 기판의 배면 중심부와 배면 에지부 사이 영역에 집중적으로 발생되어, 기판의 배면 중심부와 배면 에지부의 식각율이 상대적으로 낮음으로 인해 기판의 배면이 불균일하게 식각되는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하고자 제안된 것으로서, 상대적으로 식각율이 낮은 기판의 중심부와 에지부에 대한 식각율을 높여주어 기판의 배면 전체에 대한 식각율을 균일하게 제어할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 플라즈마 처리 장치는, 반응 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부의 하부에 위치되는 하부 전극; 및 상기 하부 전극의 외주면을 둘러싸도록 소정 높이를 가지는 측벽부를 구비하고, 상기 측벽부의 상단부에 기판이 안착되는 플라즈마 감금링; 을 포함한다.

상기 플라즈마 감금링은 상기 측벽부 상단에서 내측으로 연장되어 기판이 안착되는 돌기부 및 상기 돌기부에 형성된 적어도 하나의 분사구를 포함하는 것이 바람직하다.

상기 돌기부는 상기 측벽부 상단의 내측 둘레를 따라 형성되고, 상기 측벽부 상단의 내측 방향으로 하향 경사진 경사부의 끝단에서 연장되는 것이 바람직하다.

상기 플라즈마 감금링은 상기 측벽부의 내측과 외측을 관통하도록 형성된 복수의 배기구를 포함하는 것이 바람직하다.

상기의 발명은 상기 플라즈마 감금링의 상단에서 돌출되어 기판을 지지하는 복수의 지지 돌기를 포함할 수 있다.

상기 하부 전극에는 관통홀이 형성되고, 상기 관통홀을 통해 상하로 이동 가능한 리프트 수단을 포함하는 것이 바람직하다.

상기의 발명은 상기 측벽부에 형성된 적어도 하나의 시창부를 포함하는 것이 바람직하다.

상기 하부 전극에는 링 형상을 이루는 적어도 하나의 홈이 형성되고, 상기 홈은 하부 전극의 중심부와 에지부 사이 영역에 형성되는 것이 바람직하다.

본 발명은 플라즈마 감금링을 통해 기판의 배면에 직접 플라즈마 가스를 공급하여 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마를 기판의 배면과 하부 전극 사이에 가두어 줌으로써, 플라즈마의 분포 밀도를 높여 공정 시간을 단축시키고 공정 효율을 높일 수 있다.

또한, 본 발명은 하부 전극의 표면에 링 형상의 홈이 마련되어 하부 전극의 중심부와 에지부를 상대적으로 돌출됨으로써, 상대적으로 식각율이 낮은 기판의 중심부와 에지부에 대한 식각율을 증가시켜, 기판의 배면 전체에 대한 식각율을 균일하게 제어할 수 있다

또한, 본 발명은 플라즈마 감금링의 측벽에 마련된 시창부(view port)를 통해 내부의 공정 진행 상황을 관찰하면서 플라즈마 감금링의 상하 높이를 제어할 수 있으므로, 기판의 배면 전체에 대한 식각율을 보다 균일하게 제어할 수 있다.

이후, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 더욱 상세히 설명한 다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.

<제 1 실시예>

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 나타낸 단면도이고, 도 2 및 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 하부 전극 유닛을 나타낸 단면도 및 사시도이다. 또한, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에서 하부 전극 유닛의 동작을 나타낸 모식도이다.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기의 플라즈마 처리 장치는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내의 하부에 위치되는 하부 전극(200)과, 상기 하부 전극(200)의 외주면을 따라 배치되는 플라즈마 감금링(400)과, 상기 하부 전극(200)에 대향하는 챔버(100) 내의 상부에 위치된 상부 전극(300)을 포함한다. 또한, 상기의 플라즈마 처리 장치는 상기 챔버(100)의 내측벽에 형성된 라이너(liner)(140)를 더 포함할 수 있다.

챔버(100)는 표면이 아노다이징(Anodizing) 처리된 알루미늄으로 형성되고, 하부 챔버(110)와, 상기 하부 챔버(110)의 상부를 덮는 챔버 리드(Lid,120)를 포함한다. 상기 하부 챔버(110)는 상부가 개방된 원통형 형상으로 형성되고, 그 내부 형상은 처리할 기판(G) 즉, 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판(G)의 형상에 대응하도록 변경될 수 있다. 상기 챔버 리드(120)는 상기 하부 챔버(110)의 상부를 폐쇄하는 역할을 하며, 상기 하부 챔버(110)의 상부와 기밀하게 접속하여 챔버(110) 내에 소정 공간을 형성한다. 또한, 상기 챔버(100)의 측벽에는 기판(G)이 상기 챔버(100) 내로 인입될 수 있도록 게이트(130)가 마련되고, 상기 게이트(130)는 처리되어질 기판(G)이 인입되거나 또는 처리된 기판(G)이 인출되도록 개방 및 폐쇄된다. 상기 챔버(100)의 하부에는 배기부(미도시)가 마련되며, 상기 배기부는 식각시 발생되는 파티클 등의 반응 부산물과 가스들을 챔버(100) 외부로 배기하는 역할을 한다. 이때, 상기 배기부는 챔버(100)의 하부는 물론 챔버(100)의 측벽 하부에 형성될 수 있다. 상기 챔버(100)의 측벽 내측에는 플라즈마로부터 챔버(100)의 측벽을 보호하기 위한 라이너(140)가 설치된다. 이러한 라이너(140)는 중공형의 원통 형상으로 제작되어 그 중심에 소정 공간이 마련되고 그 외측이 챔버(100)의 측벽을 감싸도록 형성된다.

상부 전극(300)은 챔버(100)의 상부에 마련되며, 도전성 재질 예를 들어, 알루미늄(Al)으로 형성된 상측의 전극판(310)과 절연성 재질 예를 들어, 세라믹으로 형성된 하측의 절연판(320)을 포함한다. 상기 전극판(310)은 가장자리를 따라 하향 돌출된 측벽을 갖는 원통형으로 형성되며, 상기 전극판(310)의 상부면 중심은 상부 리프트(331)에 결합되어 챔버(100)의 상부벽을 관통하도록 장착됨으로써 상하로 이동 가능하게 구성된다. 이때, 챔버(100) 내의 기밀 유지를 위해 상부 리프트(331)와 챔버(100)의 결합 영역에는 벨로우즈(332) 등의 기밀 수단이 마련되는 것이 바람직하다. 상기 절연판(320)은 전극판(310)이 이루는 하향 돌출된 측벽의 내측 공 간에 삽입되어 설치되며, 기판(G)의 상부면에 가스를 분사하는 가스 분사판의 역할과 함께 기판(G)의 상부면에 플라즈마가 발생하는 것을 차단하는 플라즈마 차단판의 역할을 한다.

한편, 도시하지는 않았지만, 상부 전극(300)은 기판(G)의 상면이 플라즈마 처리되는 것을 방지하기 위하여 기판(G)의 상면으로 비활성 가스를 공급하도록 구성될 수 있다. 이를 위해, 상기 전극판(310)의 내부에는 가스 공급 유로(미도시)가 형성되고 상기 절연판(320)의 표면에는 가스 공급 유로와 연통되는 가스 분사구(미도시)가 형성될 수 있다. 이때, 가스 분사구는 분사 압력이 균일하도록 가스 공급 유로에서 분기되는 복수로 형성되는 것이 바람직하고, 기판(G)의 중심에서 에지 방향으로 분사 흐름이 유지되도록 출구 방향은 중심에서 외측으로 하향 경사지게 형성되는 것이 바람직하다.

하부 전극(200)은 챔버(100) 내의 하부에 마련되며, 도전성 재질 예를 들어, 알루미늄(Al)으로 형성된 몸체부(210)와 상기 몸체부(210)를 지지하여 챔버 하벽에 고정시키는 지지부(220)를 포함한다. 또한, 하부 전극(200)에는 기판(G)의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)을 위한 리프트 핀(500)이 몸체부(210)의 상하로 형성된 관통구(212)를 관통하도록 설치된다. 상기 리프트 핀(500)의 상승 및 하강 동작에 의해 외부로부터 챔버(100) 내로 반입된 기판이 플라즈마 감금링(400)의 상단부에 로딩될 수 있고, 플라즈마 처리된 기판은 플라즈마 감금링(400)의 상단부에서 언로딩되어 챔버(100) 외부로 반출될 수 있다. 상기 몸체부(210)에는 플라즈마 발생을 위한 전원 예를 들어, 고주파 전원(Raido Frequency;RF)이 인가되며, 그 표 면에는 기판(G)의 둘레 형상에 대응하도록 형성된 적어도 하나의 홈(211)이 마련된다. 예를 들어, 본 실시예의 하부 전극(200)에는 링(ring) 형상을 이루는 하나의 홈(211)이 형성된다. 이러한 홈(211)의 배치 구조에 따라 기판(G)과 하부 전극(200) 사이의 간격을 인위적으로 조절하여 플라즈마에 의한 기판(G) 배면의 식각율을 영역에 따라 원하는 데로 제어할 수 있다. 즉, 상기의 홈(211)이 하부 전극(200)의 중심부와 에지부 사이에 형성됨으로써 상대적으로 하부 전극(200)의 중심부와 에지부가 상부로 돌출되어 이 영역에서 기판(G)과 하부 전극(200) 사이의 간격을 좁혀 플라즈마를 집중시킬 수 있으므로, 상대적으로 식각율이 낮은 하부 전극(200)의 중심부 및 에지부의 식각율을 높일 수 있다. 따라서, 기판(G)의 배면 전체에 대한 식각율을 균일하게 제어할 수 있다. 물론, 상기의 홈(211)은 동심원을 이루며 각각 직경을 달리하는 다수로 형성될 수 있으며, 다수의 홈(211)의 폭과 깊이 또한 각각 달리하여 형성될 수 있다.

플라즈마 감금링(400)은 하부 전극(200)의 외주면을 따라 소정 간격 이격되어 배치되며, 상기 하부 전극(200)의 외측부를 둘러싸는 소정 높이의 측벽을 이루도록 형성된다. 이러한 플라즈마 감금링(400)은 절연 재질 예를 들어, 세라믹 또는 고강도 플라스틱으로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 플라즈마 감금링(400)의 상단부 외경은 적어도 기판(G)의 직경보다 크게 형성되고, 상기 플라즈마 감금링(400)의 상단부 내측 둘레에는 내측 방향으로 하향 경사진 경사부(410) 및 상기 경사부(410)의 끝단에서 내측 방향으로 수평 연장된 돌기부(420)가 마련된다. 이때, 돌기부(420)는 기판(G)의 가장자리가 안착되는 단턱 역할을 하며, 경사부(410) 는 기판(G)이 돌기부(420)에 안착될 때 기판(G)의 측면을 가이드하여 기판(G)의 중심이 플라즈마 감금링(400)의 중심과 일치되도록 정렬시키는 역할을 한다. 또한, 상기 플라즈마 감금링(400)의 몸체 내부에는 가스 공급 유로(430)가 형성되고, 상기 돌기부(420)에는 가스 공급 유로(430)와 연통되는 적어도 하나의 가스 분사구(440)가 형성된다. 따라서, 상기 가스 공급 유로(430) 및 가스 분사구(440)를 통해 기판(G)의 배면 영역에 플라즈마 발생을 위한 공정 가스를 공급할 수 있다. 한편, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기의 돌기부(420)는 연장 단부가 직각 형태로 형성되지만, 이와는 달리 연장 단부의 상면이 내측 방향으로 하향 경사면을 이루도록 형성될 수도 있다. 이 경우, 돌기부(420)의 연장 단부에 형성된 경사 구조는 플라즈마의 접촉 영역이 기판(G)의 에지부 끝단에 최대한 근접하도록 해줌으로써, 기판(G)의 에지부에 대한 플라즈마 처리 효율을 극대화한다. 물론, 전술한 돌기부(420) 및 돌기부(420)의 경사면은 플라즈마 감금링(400)의 둘레 전체가 아닌 부분적으로 형성될 수도 있을 것이다.

상기 플라즈마 감금링(400)의 외측 측벽에는 내측 측벽과 연통되는 다수의 배기구(450)가 형성된다. 예를 들어, 본 실시예의 상기 배기구(450)는 상부에서 하부로 슬롯(slot) 형상의 배기구(450)가 플라즈마 감금링(400)의 외측 둘레를 따라 일정한 이격 거리를 유지하도록 형성된다. 이러한 배기구(450)는 가스 공급 및 가스 배출시 플라즈마 감금링(400)의 내측 영역에 균일한 가스 흐름을 유지시켜주는 역할을 한다. 또한, 플라즈마 감금링(400)의 외측 측벽에는 내부의 공정 상황을 관찰하기 위한 적어도 하나의 시창부(view port)(460)가 마련된다. 상기의 시창 부(460)는 플라즈마 감금링(400)의 일부에 개구부를 형성하고, 상기의 개구부를 투광성 부재 예를 들어, 석영(quartz) 또는 유리 등으로 폐쇄하여 형성할 수 있다.

상기 플라즈마 감금링(400)의 하측 일단은 하부 리프트(231)에 연결된다. 상기 하부 리트프(231)는 그 일단이 챔버(100)의 하부벽을 관통하여 챔버(100) 외측에 마련된 구동 수단 예를 들어, 스태핑 모터 등에 연결됨으로써 상하로 이동 가능하게 구성된다. 이때, 하부 리프트(231)와 챔버(100)의 결합 영역에는 벨로우즈(232) 등의 기밀 수단이 마련되어 챔버(100) 내부의 기밀이 보장되는 것이 바람직하다. 또한, 하부 리트프(231)는 상기의 플라즈마 감금링(400)을 승강시킬 수 있는 어떠한 부재라도 가능하다. 즉, 유압 또는 공압을 이용한 실린더를 사용할 수 있으며, LM 가이드(Linear Motor Guide)를 사용하여도 무방하다. 또한, 이들 각각을 조합하여 사용할 수 있음은 물론이다.

이와 같은 구성을 갖는 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 감금링(400)을 통해 기판(G)의 배면에 직접 플라즈마 가스를 공급하여 기판(G)의 배면과 하부 전극(200) 사이에 플라즈마를 발생시킬 수 있고, 플라즈마 감금링(400)의 측벽은 발생된 플라즈마를 기판(G)의 배면과 하부 전극(200) 사이에 가두어 줌으로써, 플라즈마의 분포 밀도를 높여 공정 시간을 단축시키고 공정 효율을 높일 수 있다. 또한, 플라즈마 감금링(400)의 상하 이동을 통해 기판(G)과 하부 전극(200)의 거리를 조절할 수 있고, 하부 전극(200)의 표면에 형성된 링 형상의 홈(211)에 의해 하부 전극(200)의 중심부와 에지부가 다른 영역에 비해 돌출됨으로써, 상대적으로 식각율이 낮은 기판(G)의 중심부와 에지부에 대한 식각율을 높여주어 기판(G)의 배면 전체에 대한 식각율을 균일하게 제어할 수 있다. 즉, 도 4와 같이 플라즈마 감금링(400)을 통해 기판(G)과 하부 전극(200) 사이에 공정 가스가 유입되고, 하부 전극(200)에 고주파 전원이 인가되어 플라즈마가 발생되면, 발생된 플라즈마는 플라즈마 감금링(400)의 측벽에 의해 가두어져 기판(G)과 하부 전극(200) 사이의 공간에 존재하게 된다. 하부 전극(200)의 표면에는 링 형상의 홈(211)이 형성되어 상대적으로 하부 전극(200)의 중심부와 기판(G)의 배면 중심부가 이루는 간격(C) 및 하부 전극(200)의 에지부의 기판(G)의 배면 에지부가 이루는 간격(A)은 좁아지게 되므로, 상대적으로 낮은 식각율이 보상되어 기판(G)의 배면 전체에 대한 식각 프로파일(etch profile)이 균일하게 조절된다. 이때, 플라즈마 감금링(400)의 측벽에 마련된 시창부(460)를 통해 내부의 공정 진행 상황을 관찰하면서 플라즈마 감금링(400)의 상하 높이를 제어할 수 있으므로, 기판(G)의 배면 전체에 대한 식각율을 보다 균일하게 제어할 수 있다.

<제 2 실시예>

한편, 본 발명에 따른 플라즈마 감금링은 전술한 구성에 한정되지 않고, 다양한 실시예가 가능하다. 하기에서는, 이러한 가능성의 일예로 본 발명의 제 2 실시예 따른 플라즈마 감금링을 구비하는 하부 전극 유닛에 관해 설명한다. 이때, 전술한 실시예와 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 설명한다.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 하부 전극 유닛을 나타낸 사시도이다.

도 5를 참조하면, 상기 하부 전극(200) 유닛은 상면에 링 형상의 홈(211)이 형성된 하부 전극(200)과, 상기 하부 전극(200)의 외주면을 따라 배치된 플라즈마 감금링(400) 및 상기 플라즈마 감금링(400)의 상단에서 상부로 돌출된 복수의 지지 돌기(610)를 포함한다.

상기 지지 돌기(610)는 플라즈마 감금링(400)의 상단에서 상방으로 돌출된 수직부(612) 및 상기 수직부(612)의 상단부에서 플라즈마 감금링(400)의 내측으로 연장된 수평부(611)를 구비하여, 상기 수평부(611)의 상단에 기판(G)이 안착되는 구조로 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 지지 돌기(610)는 기판(G)을 안정적으로 지지할 수 있도록 3개 이상의 개수로 마련되고, 원주 방향을 따라 상호 이격되어 설치되는 것이 바람직하다.

또한, 플라즈마 감금링(400)의 측벽 외측에 형성된 배기구(620)는 전술한 제 1 실시예와는 달리, 원형 형상으로 형성된다. 즉, 상기의 배기구(620)는 슬롯 형상 뿐만 아니라 원형 형상, 다각형 형상 등 다양한 형상으로 변형될 수 있다.

한편, 전술한 제 1, 제 2 실시예에서는 플라즈마 감금링을 구비하는 하부 전극 유닛이 RIE 방식의 플라즈마 처리 장치에 적용되는 경우를 예시하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유도 결합형 플라즈마 처리 장치(ICP; Inductive coupled plasma), 용량성 플라즈마 처리 장치(CCP; Capacitively coupled plasma), 마이크로 파를 이용한 ECR(Electron cyclotorn resonance) 플라즈마 처리 장치, SWP(Surface wave plasma) 플라즈마 처리 장치에도 적용될 수 있음은 물론이다.

이상, 본 발명에 대하여 전술한 실시예 및 첨부된 도면을 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명이 다양하게 변형 및 수정될 수 있음을 알 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 나타낸 단면도.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 하부 전극 유닛을 나타낸 단면도.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 하부 전극 유닛을 나타낸 사시도.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에서 하부 전극 유닛의 동작을 나타낸 모식도.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 하부 전극 유닛을 나타낸 사시도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100: 케이스 110: 상부 커버

100: 챔버 200: 하부 전극

211: 링 형상의 홈 300: 상부 전극

310: 전극판 320: 절연판

400: 플라즈마 감금링 500: 리프트 핀

610: 지지 돌기 G: 기판

Claims

반응 공간을 제공하는 챔버;

상기 챔버 내부의 하부에 위치되는 하부 전극; 및

상기 하부 전극의 외주면을 둘러싸도록 소정 높이를 가지는 측벽부를 구비하고, 상기 측벽부의 상단부에 기판이 안착되는 플라즈마 감금링; 을 포함하고,

상기 하부 전극에는 링 형상을 이루는 적어도 하나의 홈이 형성된 플라즈마 처리 장치.
청구항 1에 있어서,

상기 플라즈마 감금링은,

상기 측벽부 상단에서 내측으로 연장되어 기판이 안착되는 돌기부; 및

상기 돌기부에 형성된 적어도 하나의 분사구; 를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
청구항 2에 있어서,

상기 돌기부는 상기 측벽부 상단의 내측 둘레를 따라 형성되고, 상기 측벽부 상단의 내측 방향으로 하향 경사진 경사부의 끝단에서 연장된 플라즈마 처리 장치.
청구항 1에 있어서,

상기 플라즈마 감금링은,

상기 측벽부의 내측과 외측을 관통하도록 형성된 복수의 배기구를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
청구항 1에 있어서,

상기 플라즈마 감금링의 상단에서 돌출되어 기판을 지지하는 복수의 지지 돌기를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
청구항 1에 있어서,

상기 하부 전극에는 관통홀이 형성되고, 상기 관통홀을 통해 상하로 이동 가능한 리프트 수단을 포함하는 플라즈마 처리 장치.
청구항 1에 있어서,

상기 측벽부에 형성된 적어도 하나의 시창부를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
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청구항 1에 있어서,

상기 홈은 하부 전극의 중심부와 에지부 사이 영역에 형성된 플라즈마 처리 장치.