KR100941446B1 - 복층 범프 구조물 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

베이스 기판을 밀봉 실장하기 위한 보호기판에 전기적으로 연결되어, 상기 베이스 기판과 상기 보호기판을 미리 설정된 간격만큼 이격시키는 제1층; 및 상기 제1층과 전기적으로 연결되며, 상기 베이스 기판 표면상에 공융 접합(eutetic bonding)되는 제2층을 포함하는 것을 특징으로 하는 복층 범프 구조물이 개시된다. 본 발명에 따른 복층 범프 구조물을 사용하여, 베이스 기판 표면상에 형성된 MEMS 소자 등과 같은 미세 구조물이 구동하기 위한 공간을 확보할 수 있으며, 밀봉 실장 과정에서 접합 물질의 퍼짐으로 인하여 기판상의 인접 구조물 또는 전극 사이에 접촉이 발생하지 않는 이점이 있다.

공융, 스페이서, 스토퍼, Au, Si

Description

복층 범프 구조물 및 그 제조 방법{BUMP STRUCTURE WITH MULTIPLE LAYERS AND METHOD OF MANUFACTURE}

본 발명은 기판 수준 밀봉 실장(wafer-level hermetic packaging)을 위한 복층 범프 구조물 및 그 제조 방법 관한 것으로서, 상세하게는, MEMS 소자 또는 반도체 칩 등과 같은 미세 구조물이 형성된 베이스 기판을 보호기판에 결합하여 밀봉 실장하는 기술에 있어서, 베이스 기판과 보호기판 사이에 전기적으로 연결되어 스토퍼(stopper) 및 스페이서(spacer)로 기능하며, 베이스 기판과 공융 접합(eutetic bonding)되는 복층 범프 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

최근, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 기술이 향후 전자 기기 및 반도체 기술 분야를 주도할 혁신적인 시스템 소형화 기술로서 소개되고 있다. MEMS 기술은 실리콘 공정을 이용하여 시스템의 특정 부위를 마이크로미터 단위의 정교한 형상으로 실리콘 기판 등의 기판상에 집적하여 형성하는 기술이다. 상기 MEMS 기술은 박막 증착 기술, 식각 기술, 사진 묘화 기술, 불순물 확산 및 주입 기술 등의 반도체 소자 제조 기술을 기초로 한다.

MEMS 기술을 사용하여 제작된 장치의 경우, 소정의 외부환경, 상세하게는 온 도, 습도, 미세 먼지, 진동 및 충격 등의 외부 환경에 민감하게 반응하고, 이에 의하여 동작을 수행하지 않거나 또는 동작 중에 에러가 빈번히 발생한다는 문제점이 있었다. 따라서, MEMS 소자가 위치한 베이스 기판의 상부에 보호기판을 설치함으로써 밀봉 실장된 MEMS 패키지를 형성하여, MEMS 소자를 외부 환경으로부터 차폐시키는 것이 필요하다.

전술한 MEMS 패키지의 생성에 있어서, 가속도 센서 등과 같은 MEMS 소자의 경우 소자가 정상적으로 구동되기 위해서는 가속도 센서의 감지 전극 등과 같은 미세 구조물이 구동되기 위해 소정의 공간이 필요하다. 따라서, 구조물 내에서 MEMS 소자가 구동 가능하도록 소자가 위치한 베이스 기판과 보호기판 사이에 일정한 이격 거리를 유지할 필요가 있다.

나아가, 종래의 MEMS 패키지의 경우, 베이스 기판은 솔더 재질이나 금속 재질로 구성된 범프 구조물을 통하여 보호기판과 결합되어 밀봉 실장된다. 그러나, 단일 재료로 구성된 범프 구조물을 사용하여 베이스 기판과 보호기판을 결합하는 경우, 국부적인 융착에 의하여 범프 구조물의 상부 표면이 수평적으로 퍼지는 변형이 쉽게 일어난다. 이러한 범프 구조물의 변형은, 범프 구조물이 인접한 범프 구조물에 연결되거나 기판상에 형성되어 있는 구조물 및 배선 등에 침투 내지 접촉하여 전기적인 불량을 일으키는 원인이 된다.

전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 베이스 기판의 표면상에 형성된 MEMS 소자 등과 같은 미세 구조물이 구동되기 위한 공간을 제공하며, 베이스 기판과 보호기판의 결합에 따른 접합 물질의 퍼짐으로 인하여 인접 구조물 또는 전극 사이에 접촉이 발생하는 문제점이 없는 밀봉 실장을 위한 복층 범프 구조물 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 복층 범프 구조물은, 베이스 기판을 밀봉 실장하기 위한 보호기판에 전기적으로 연결되어, 상기 베이스 기판과 상기 보호기판을 미리 설정된 간격만큼 이격시키는 제1층; 및 상기 제1층과 전기적으로 연결되며, 상기 베이스 기판 표면상에 공융 접합(eutetic bonding)되는 제2층을 포함하여 구성될 수 있다.

본 발명의 일실시예에 따른 밀봉 실장된 구조물은, 표면상에 미세 구조물이 형성된 베이스 기판; 상기 베이스 기판을 밀봉 실장하기 위한 보호기판; 상기 보호기판의 저면에 전기적으로 연결되어, 상기 베이스 기판에 형성된 미세 구조물의 구동을 위하여 상기 베이스 기판과 상기 보호기판을 미리 설정된 간격만큼 이격시키는 제1층; 및 상기 제1층에 전기적으로 연결되어, 상기 베이스 기판 표면상에 공융 접합되는 제2층을 포함하여 구성될 수 있다.

본 발명의 일실시예에 따른 복층 범프 구조물의 제조 방법은, 베이스 기판을 밀봉 실장하기 위한 보호기판에, 상기 베이스 기판과 상기 보호기판을 미리 설정된 거리만큼 이격시키는 제1층을 형성하는 단계; 상기 제1층상에, 상기 베이스 기판과 공융 접합되기 위한 제2층을 형성하는 단계; 및 상기 제2층과 상기 베이스 기판을 공융 접합하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.

본 발명에 따른 복층 범프 구조물을 사용하여, 베이스 기판 표면상에 형성된 MEMS 소자 등과 같은 미세 구조물이 구동하기 위한 공간을 확보할 수 있으며, 밀봉 실장 과정에서 접합 물질의 퍼짐으로 인하여 기판상의 인접 구조물 또는 전극 사이에 접촉이 발생하지 않는 이점이 있다.

이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 살펴본다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 복층 범프 구조물을 사용하여 밀봉 실장된 구조물을 도시한 사시도이다. 도시되는 바와 같이, 밀봉 실장된 구조물의 하부에는 베이스 기판(11)이 위치한다. 베이스 기판(11)은 인쇄 회로 기판(PCB) 또는 반도체 기판을 포함하는 각종 기판으로 구성될 수 있으며, 바람직하게는 실리콘(Si)으로 구성된다. 베이스 기판(11)의 상부에는 보호기판(16)이 위치하며, 베이스 기판(11)은 보호기판(16)에 의하여 덧씌워져 밀봉 실장된다. 베이스 기판(11)과 보호기판(16)은 본 발명의 일실시예에 따른 범프 구조물에 의하여 전기적으로 연결되며, 이에 대해서는 후술한다.

도 2는 도 1에 도시된 구조물을 A-A'를 잇는 선분을 따라 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 2에는, 본 발명의 일실시예에 따른 밀봉 실장된 구조물에서 범프 구조물이 위치한 영역(10)이 도시된다. 도시되는 바와 같이, 베이스 기판(11)과 보호기판(16) 사이에서 두 기판이 마주보는 영역의 일부분에 본 발명의 일실시예에 따른 범프 구조물이 위치하여 두 기판을 전기적으로 연결한다. 또한, 상기 범프 구조물에 의하여 베이스 기판(11)과 보호기판(16)이 소정의 거리만큼 이격되어, 베이스 기판(11) 표면상에 형성된 MEMS 소자 등과 같은 미세 구조물이 구동되기 위한 공간을 제공한다.

도 3은 도 2에 도시된 단면도에서, 본 발명의 일실시예에 따른 범프 구조물이 위치한 영역(10)을 확대하여 도시한 부분 확대도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 범프 구조물은, 보호기판(16)의 저면에 전기적으로 연결되는 제1층(15) 및 제1층(15)과 전기적으로 연결되고, 베이스 기판(11) 표면상에 공융 접합되는 제2층(14)을 포함하여 구성된다. 상기 제1층(15) 및 제2층(14)은 도전성이 우수한 하나 이상의 금속으로 형성된다.

베이스 기판(11)의 표면상에는 미세 구조물(12)이 형성된다. 본 발명의 일실시예에서, 미세 구조물(12)은 가속도 센서, 관성 센서 등과 같은 MEMS 소자일 수 있으며, 또는 반도체 칩일 수도 있다. 본 발명에 따른 범프 구조물을 사용하여 밀봉 실장될 경우, 베이스 기판(11)은 범프 구조물의 제2층(14)과 공융 접합된다. 공융 접합이란 금속과 금속을 공융 온도(eutetic temparature)까지 가열 압착한 다음, 공융 온도 이하의 온도에서 경화시켜서 접합층을 형성하는 금속과 금속간의 접 합 방법이다. 공융 접합을 위해 베이스 기판(11)은 바람직하게는 실리콘(Si)으로 구성되며, 베이스 기판(11)이 실리콘으로 구성되지 않은 경우 베이스 기판(11)의 표면상에 형성되어 제2층(14)과 공융 접합되는 실리콘층(13)을 더 포함할 수도 있다.

베이스 기판(11)은 보호기판(16)에 결합되어 밀봉 실장된다. 보호기판(16)은 베이스 기판(11)을 외부 환경으로부터 차폐시키도록 밀봉 실장하기 위한 기판으로, 본 발명의 일실시예에 따른 범프 구조물을 사용하여 베이스 기판(11)의 상부에 결합된다. 이 경우, 범프 구조물은 베이스 기판(11)과 보호기판(16)을 전기적으로 연결하기 위한 통로의 역할도 하게 된다.

보호기판(16)의 저면에는 제1층(15)이 전기적으로 연결된다. 제1층(15)은 베이스 기판(11)과 보호기판(16) 사이에서 스페이서(spacer) 및 스토퍼(stopper)의 역할을 한다. 우선, 제1층(15)은 베이스 기판(11)과 보호기판(16)을 미리 설정된 간격만큼 이격시켜, 두 기판 사이에 미세 구조물(12)의 구동을 위한 공간을 형성하는 스페이서로 기능한다. 가속도 센서 등의 MEMS 소자가 정상적으로 동작하기 위해서는, 가속도를 감지하는 미세 전극 등이 가속도에 따라 상하 또는 좌우로 움직이기 위한 공간이 필요하다. 따라서, 보호기판(16)을 결합하여 베이스 기판(11)을 밀봉 실장하는 데 있어서, 필요한 공간의 크기에 따라 제1층(15)의 높이를 조절하여 원하는 거리만큼 베이스 기판(11)과 보호기판(16)을 이격시키는 것이 가능하다.

또한, 제1층(15)은 공융 접합시 제2층(14)의 수평적 퍼짐 현상이 제2층(14)의 두께 범위 내로 제한되도록 하는 스토퍼로 기능한다. 본 발명의 일실시예에서, 제1층(15)은 제2층(14)과 베이스 기판(11) 또는 제2층(14)과 실리콘층(13)의 공융 온도보다 높은 용융점을 가진다. 이 경우, 제2층(14)과 실리콘의 공융 접합 동안에 제1층(15)이 용융되지 않으므로, 공융 접합으로 인하여 제1층(15)의 물리적인 형태가 변형되는 것을 방지할 수 있고, 따라서 범프 구조물의 형태가 견고하게 유지된다.

예컨대, 본 발명의 일실시예에 따라 제2층(14)이 금(Au)으로 구성되고 베이스 기판(11)이 실리콘(Si)으로 구성된 경우, 접촉면에서는 Au-Si의 공융 반응이 일어난다. 따라서, Au-Si의 공융 온도인 363°C 보다 높은 용융점을 갖는 물질로 제1층(15)을 구성하는 것이 바람직하다. 본 발명의 일실시예에서, 제1층(15)은 구리, 구리 합금, 티타늄, 티타늄 합금, 크롬, 크롬 합금, 니켈, 니켈 합금, 금, 금 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금, 바나듐 및 바나듐 합금으로 구성된 군 중에서 선택된 물질로 구성되나, 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 금속으로 제1층(15)을 구성하는 것이 가능하다.

또한, 전술한 제1층(15)의 존재로 인하여, 공융 접합에 따라 범프 구조물이 과도하게 수평적으로 퍼지는 현상을 방지할 수 있으므로, 범프 구조물이 기판상의 인접 구조물 또는 다른 범프 구조물에 전기적으로 연결되는 현상을 방지할 수 있다. 나아가, 제1층(15)이 제2층(14)에 연결되어 하나의 범프 구조물을 형성하기 때문에, 제2층(14)만으로 범프 구조물을 형성하는 경우에 비하여 제2층(14)의 두께를 줄일 수 있다. 이때, 만약 제2층(14)이 금(Au)과 같은 고가의 금속을 사용하는 경우라면, 제2층(14) 보다 큰 두께를 가진 제1층(15)을 사용하여 범프 구조물의 대부 분을 형성하며, 공융 접합을 위하여 요구되는 최소한의 두께만큼 제2층(14)을 구성함으로써, 범프 구조물 형성에 소요되는 재료비를 절감할 수 있다.

전술한 제1층(15)의 하부에는 베이스 기판(11)과의 공융 접합을 위한 제2층(14)이 전기적으로 연결된다. 본 발명의 일실시예에서, 제2층(14)은 금(Au)으로 구성되고, 베이스 기판(11)은 실리콘(Si)으로 구성되며, Au-Si 공융 접합을 통하여 베이스 기판(11)과 제2층(14)이 공융 접합된다. 공융 반응에 의하여 제2층(14)은 수평적으로 퍼지게 되며, 따라서 제2층(14)과 베이스 기판(11)의 접촉 계면의 면적이 증가된다.

도 3에 도시된 실시예에서, 제2층(14)은 베이스 기판(11)의 표면에 형성된 미세 구조물(12)의 상부에 공융 접합되었으나, 이는 예시적인 것으로써 제2층(14)은 베이스 기판(11) 상에서 미세 구조물(12)이 형성되지 않은 영역에 공융 접합되는 것도 가능하다.

이상에서 설명한 바와 같이, 도 3에 도시된 실시예에서는 제1층 및 제2층의 2개 층으로 구성된 복층 범프 구조물을 도시하였다. 반면 도 4는, 도 3에 도시된 실시예와는 달리, 3개 층으로 구성된 복층 범프 구조물을 도시한다.

도 4를 참조하면, 제1층(15) 및 제2층(14) 사이에 부가적으로 확산 방지층(17)이 형성되어 있다. 상기 확산 방지층(17)은 공융 접합시 제2층(14)의 용융에 따라 제2층(14)을 구성하는 물질이 제1층(15)으로 확산되는 것을 방지하기 위한 층이다. 상기 확산 방지층(17)은 니켈, 티타늄, 크롬, 구리, 바나듐, 알루미늄, 금, 코발트, 망간, 팔라듐 또는 이들의 합금 등 일반적으로 사용되는 확산 방지층 및 접합층 재료로 구성할 수 있으며, 하나 이상의 층으로 상기 확산 방지층(17)을 구성하는 것도 가능하다.

도 5 내지 도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 복층 범프 구조물을 제조하는 과정을 도시한 단면도들이다. 우선, 범프 구조물이 형성되지 않은 상태의 베이스 기판(11) 및 보호기판(16)이 도 5에 도시된다. 베이스 기판(11)이 실리콘(Si)으로 구성되지 않은 경우에는, 도 6에 도시되는 바와 같이 공융 접합을 위한 실리콘층(13)을 베이스 기판(11)상에 형성한다. 실리콘 층(13) 또는 후술하는 제1층(15), 제2층(14) 및 확산 방지층(17)의 형성은 증착, 도금 또는 기타 다양한 공정에 의하여 이루어질 수 있다.

다음으로, 도 7에 도시되는 바와 같이, 스페이서 및 스토퍼로 기능하는 제1층(15)을 보호기판(16)상의 일부분에 형성한다. 이때, 베이스 기판(11)의 표면상에 형성된 미세 구조물(12)이 구동되기에 충분한 이격 거리가 확보되도록 하기 위해, 충분한 두께로 제1층(15)을 형성한다. 다음으로, 도 8에 도시되는 바와 같이 보호기판(16)상에 형성된 제1층(15)상에 제2층(14)을 형성함으로써 범프 구조물을 생성한다. 본 발명의 일실시예에서는, 도 9에 도시되는 바와 같이, 제2층(14)을 형성하기 이전에 제1층(15) 및 제2층(14) 사이의 확산을 방지하기 위한 확산 방지층(17)을 제1층(15)상에 형성하는 것도 가능하다.

확산 방지층(17)이 형성되면, 베이스 기판(11)과 보호기판(16)을 공융 접합에 의하여 접합한다. 접합을 위해서, 우선 소정의 압력을 가하여 베이스 기판(11)과 보호기판(16)을 서로 밀착시킨다. 그 다음, 범프 구조물의 제2층(14) 및 베이스 기판(11)과의 공융 온도, 예컨대, 제2층(14)이 금(Au)으로 구성되며 베이스 기판(11)이 실리콘(Si)으로 구성된 경우 Au-Si의 공융 온도인 363°C까지 가열한다. 가열에 따라, 범프 구조물과 베이스 기판(11)이 공융 접합되어 도 3 및 도 4를 참조하여 전술한 범프 구조물을 형성하게 된다.

이상에서 설명한 본 발명에 따른 복층 범프 구조물은 MEMS 패키지 또는 반도체 패키지를 포함하는 다양한 장치에 적용 가능하다. 특히, 본 발명은 진동에 의하여 구동되는 MEMS 소자(vibrating MEMS devices)의 기판 수준 진공 패키징(wafer level vacuum packaging)에서 폭넓게 적용되고 있는 접합 기술인 Au-Si 공융 접합에 효과적으로 적용될 수 있다. 또한 본 발명은 MEMS 소자뿐만 아니라 금속 배선이 형성된 실리콘 웨이퍼 소자, 실리콘을 비롯한 각종 금속으로 형성된 이차원 또는 삼차원 구조물을 가지는 전자 소자 등의 각종 소자에 적용될 수 있다.

이상 본 발명의 특정 실시예를 도시하고 설명하였으나, 본 발명의 기술사상은 첨부된 도면과 상기한 설명내용에 한정하지 않으며 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 변형이 가능함은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이며, 이러한 형태의 변형은, 본 발명의 정신에 위배되지 않는 범위 내에서 본 발명의 특허청구범위에 속한다고 볼 것이다.　

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 범프 구조물을 사용하여 밀봉 실장된 구조물을 도시한 사시도이다.

도 2는 도 1에 도시된 밀봉 실장된 구조물을 A-A'를 잇는 선분을 따라 절단한 단면을 도시한 단면도이다.

도 3은 도 2에 도시된 단면도의 일부분을 확대하여 도시한 부분 확대도이다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 범프 구조물의 단면을 도시한 단면도이다.

도 5는 베이스 기판 및 보호기판을 도시한 단면도이다.

도 6은 실리콘층 형성 이후의 베이스 기판 및 보호기판을 도시한 단면도이다.

도 7은 제1층 형성 이후의 베이스 기판 및 보호기판을 도시한 단면도이다.

도 8은 제2층 형성 이후의 베이스 기판 및 보호기판을 도시한 단면도이다.

도 9는 확산 방지층 형성 이후의 베이스 기판 및 보호기판을 도시한 단면도이다.

Claims (7)

1. 베이스 기판;

   상기 베이스 기판상에 형성된 MEMS 소자;

   상기 베이스 기판을 밀봉 실장하기 위한 보호기판;

   상기 보호기판의 저면에 전기적으로 연결되어, 상기 MEMS 소자의 구동을 위하여 상기 베이스 기판과 상기 보호기판을 미리 설정된 간격만큼 이격시키며, 구리(Cu)로 이루어지는 제1층; 및

   상기 제1층에 전기적으로 연결되어, 상기 베이스 기판 표면상에 공융 접합되며, 금(Au)으로 이루어지는 제2층을 포함하되,

   상기 제1층은, 상기 제2층과 상기 베이스 기판의 공융 온도(eutectic temperature) 보다 높은 용융점을 가지며,

   상기 제1층의 두께는 상기 제2층의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 밀봉 실장된 구조물.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,

   상기 제1층 및 상기 제2층 사이에 형성되며, 상기 제2층과 상기 베이스 기판의 공융 접합시 상기 제2층을 구성하는 물질이 상기 제1층으로 확산되는 것을 방지하기 위한 확산 방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 밀봉 실장된 구조물.
4. 제3항에 있어서,

   상기 확산 방지층은, 니켈, 티타늄, 크롬, 구리, 바나듐, 알루미늄, 금, 코발트, 망간, 팔라듐 또는 이들의 합금 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 밀봉 실장된 구조물.
5. 제1항에 있어서,

   상기 베이스 기판은 Si로 구성되는 것을 특징으로 하는 밀봉 실장된 구조물.
6. 제1항에 있어서,

   상기 베이스 기판은, 상기 베이스 기판 표면상에 형성되어 상기 제2층과 공융 접합되는 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 밀봉 실장된 구조물.
7. 삭제

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